JPS5975421A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS5975421A JPS5975421A JP18600982A JP18600982A JPS5975421A JP S5975421 A JPS5975421 A JP S5975421A JP 18600982 A JP18600982 A JP 18600982A JP 18600982 A JP18600982 A JP 18600982A JP S5975421 A JPS5975421 A JP S5975421A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- magnetic layer
- head
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、特にウェーハエ程終了
時における各積層膜によってできる表面段差を軽減する
のに好適な構造の薄膜磁気ヘッドに関するものである。
時における各積層膜によってできる表面段差を軽減する
のに好適な構造の薄膜磁気ヘッドに関するものである。
まず、第１図、第２図を用いて従来技術について説明す
る。第１図はウェーハエ程および組立工程を終了した薄
膜磁気ヘッドの記録媒体摺動面の構成図、第２図は磁路
長方向のヘッド断面図である。第１図、第２図において
、１は基板、２は各トラック共通の第１の磁性層、６は
へラドギャップとなる絶縁層、４は第１の磁性層２と磁
気回路を作っているコア形状にパターニングされた第２
の磁性層、５，６はコイル導体７はコイル導体５，６を
絶縁している絶縁体、８は接着剤、９は接着剤８によっ
てヘッド素子上に接着された保護板である。
る。第１図はウェーハエ程および組立工程を終了した薄
膜磁気ヘッドの記録媒体摺動面の構成図、第２図は磁路
長方向のヘッド断面図である。第１図、第２図において
、１は基板、２は各トラック共通の第１の磁性層、６は
へラドギャップとなる絶縁層、４は第１の磁性層２と磁
気回路を作っているコア形状にパターニングされた第２
の磁性層、５，６はコイル導体７はコイル導体５，６を
絶縁している絶縁体、８は接着剤、９は接着剤８によっ
てヘッド素子上に接着された保護板である。
以下、製造方法について簡単九説明する。まず、基板１
上にＮｉ−Ｆｅ合金などの磁性層をスパッタにより形成
して第１の磁性層２を作る。この上にヘッドギャップを
規定する非磁性絶縁層６を８Ｉｔ層し、さらに絶縁体７
で平坦化しながら導体コイル５，６を所定形状に積Ｎす
る。ここで絶縁Ｎ７としてポリイミド系樹脂やホトレジ
ストを使って平坦化する方法やＳｉＯ２などで導体コイ
ル５，６を被覆した後ホトレジスト（例えば、シプレー
社製、４２’−１３７５）により凹凸を平坦化し５ｉｎ
２とホトレジストのエツチング速度が等しくなる条件で
イオンエツチングすることによって平坦化する方法（例
えば、特開昭５１−６６７７８号）等が用いられる。最
後に、再びＮｉ −Ｆｅ合金などの磁性体をスパッタに
より形成後、コア形状にエツチングして第２の磁性層４
とする。
上にＮｉ−Ｆｅ合金などの磁性層をスパッタにより形成
して第１の磁性層２を作る。この上にヘッドギャップを
規定する非磁性絶縁層６を８Ｉｔ層し、さらに絶縁体７
で平坦化しながら導体コイル５，６を所定形状に積Ｎす
る。ここで絶縁Ｎ７としてポリイミド系樹脂やホトレジ
ストを使って平坦化する方法やＳｉＯ２などで導体コイ
ル５，６を被覆した後ホトレジスト（例えば、シプレー
社製、４２’−１３７５）により凹凸を平坦化し５ｉｎ
２とホトレジストのエツチング速度が等しくなる条件で
イオンエツチングすることによって平坦化する方法（例
えば、特開昭５１−６６７７８号）等が用いられる。最
後に、再びＮｉ −Ｆｅ合金などの磁性体をスパッタに
より形成後、コア形状にエツチングして第２の磁性層４
とする。
以上でウエーノ・工程を終り、次に、組立工程を経て薄
膜磁気ヘッドを完成する。この後工程で、耐摩耗性の向
上やヘッド素子の保護などの目的で、第１図、第２図に
示しであるように保護板１０を樹脂あるいは低融点ガラ
スなどの接着剤８を用いてヘッド素子上に接着する。
膜磁気ヘッドを完成する。この後工程で、耐摩耗性の向
上やヘッド素子の保護などの目的で、第１図、第２図に
示しであるように保護板１０を樹脂あるいは低融点ガラ
スなどの接着剤８を用いてヘッド素子上に接着する。
上記したようにして製造された従来の薄膜磁気ヘッドに
おいては、ウエーノ１工程終了後の表面の段差が、第２
図に示すように、（Ｅ−１）となり、非常に大きくなる
。したかって、第１図第２図から明らかなように、接着
剤８０層が厚くなる。このように接着層が厚くなると、
接着剤８としてエポキシ樹脂などの樹脂を用いた場合、
記録中に樹脂に磁性粉などがこびりつき、スペーシング
ロスが増大するという問題を生ずる。また、低融点ガラ
スを使った場合でも、大きな段差があるときには気泡が
生じやすく、この気泡に磁性粉などがつまるため、やは
り同様な特性劣化を招く。
おいては、ウエーノ１工程終了後の表面の段差が、第２
図に示すように、（Ｅ−１）となり、非常に大きくなる
。したかって、第１図第２図から明らかなように、接着
剤８０層が厚くなる。このように接着層が厚くなると、
接着剤８としてエポキシ樹脂などの樹脂を用いた場合、
記録中に樹脂に磁性粉などがこびりつき、スペーシング
ロスが増大するという問題を生ずる。また、低融点ガラ
スを使った場合でも、大きな段差があるときには気泡が
生じやすく、この気泡に磁性粉などがつまるため、やは
り同様な特性劣化を招く。
他の従来例として、第２の磁性層４の上にＳｉｎ、やＭ
、０．などの保護層を形成して、ラッピングすることに
より段差をなくする方法もあるが、この場合は、段差上
の厚いＳｉｎ、やＭ、０３の保護層にクラックが入りや
すく、また、応力により基板１がそったり、あるいは、
下地を破壊してはかれるなどの間粗を生ずることかある
。
、０．などの保護層を形成して、ラッピングすることに
より段差をなくする方法もあるが、この場合は、段差上
の厚いＳｉｎ、やＭ、０３の保護層にクラックが入りや
すく、また、応力により基板１がそったり、あるいは、
下地を破壊してはかれるなどの間粗を生ずることかある
。
一方、ヘッド特性の点から、第１．第２の磁性層２，４
０間隔を大きくとったり、また、第２の磁性層４をテー
パ部での膜厚減少を補うために厚くする配慮かなされる
。しかるに、従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、このコ
ア間隔と第２の磁性層４の厚さの合計そのものがウエー
ノ・工程終了時の表面の段差となるため、上記した問題
点を解決することができない。すなわち、ヘッド特性が
良好で、かつ、接着剤８の層の厚さが薄い薄膜磁気ヘッ
ドを得ることは、従来技術では実現することができない
。
０間隔を大きくとったり、また、第２の磁性層４をテー
パ部での膜厚減少を補うために厚くする配慮かなされる
。しかるに、従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、このコ
ア間隔と第２の磁性層４の厚さの合計そのものがウエー
ノ・工程終了時の表面の段差となるため、上記した問題
点を解決することができない。すなわち、ヘッド特性が
良好で、かつ、接着剤８の層の厚さが薄い薄膜磁気ヘッ
ドを得ることは、従来技術では実現することができない
。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、ウエーノ・工程終了時の表面の段差を軽減で
き、薄い接着層により保護板を接着可能の薄膜磁気ヘッ
ドを提供することにある。
ところは、ウエーノ・工程終了時の表面の段差を軽減で
き、薄い接着層により保護板を接着可能の薄膜磁気ヘッ
ドを提供することにある。
本発明の特徴は、第１の磁性層をコア形状にパターニン
グして非磁性枕相を用いて平坦化し各磁気ヘッド素子の
ギャップ深さを結んでできる長方形のへラドギャップ形
成部と上記第１の磁性層とこの第１の磁性層と磁気回路
を作る第２の磁性層との接続部を除いた上記第１の磁性
層と上記非磁性枕相に所定深さの凹溝加工を施し、この
凹溝部に複数層積層された導体コイルとなる導体層の少
なくとも一部を形成し、上記第２の磁性層は全トラック
共通となる構成とした点にある。
グして非磁性枕相を用いて平坦化し各磁気ヘッド素子の
ギャップ深さを結んでできる長方形のへラドギャップ形
成部と上記第１の磁性層とこの第１の磁性層と磁気回路
を作る第２の磁性層との接続部を除いた上記第１の磁性
層と上記非磁性枕相に所定深さの凹溝加工を施し、この
凹溝部に複数層積層された導体コイルとなる導体層の少
なくとも一部を形成し、上記第２の磁性層は全トラック
共通となる構成とした点にある。
以下本発明を第６図、第４図、第６図に示した実施例お
よび第５図を用いて詳細に説明する。
よび第５図を用いて詳細に説明する。
第６図は本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す記録
媒体摺動面の構成図で、全体として複数の磁気ヘッド素
子か一体に構成しであるがそのうちの１つの磁気ヘッド
素子の部分のみを示しである。第４図は第３図の磁路長
方向のヘッド断面図である。第６図、第４図において、
第１図、第２図と同一部分は同じ符号で示しである。２
１はコア形状にパターニングした第１の極性層で、基板
１上にＮｉ−Ｆｅ合金などの磁性層をスバ１．・夕によ
り形成後、エツチングによりコア形状にパターニングし
である。１０はコア形状にパターニングされた第１の磁
性層２１０表面と同一面となるように全体を平坦化する
ための非磁性枕利で、Ｓｉｎ、をスパッタにより第１の
６′＆性層２１どほぼ同等厚さになるよう形成し、その
後ラッピング等の手法により第１の硫性層２１０表面と
同一面となるように平坦化しである。１１α。
媒体摺動面の構成図で、全体として複数の磁気ヘッド素
子か一体に構成しであるがそのうちの１つの磁気ヘッド
素子の部分のみを示しである。第４図は第３図の磁路長
方向のヘッド断面図である。第６図、第４図において、
第１図、第２図と同一部分は同じ符号で示しである。２
１はコア形状にパターニングした第１の極性層で、基板
１上にＮｉ−Ｆｅ合金などの磁性層をスバ１．・夕によ
り形成後、エツチングによりコア形状にパターニングし
である。１０はコア形状にパターニングされた第１の磁
性層２１０表面と同一面となるように全体を平坦化する
ための非磁性枕利で、Ｓｉｎ、をスパッタにより第１の
６′＆性層２１どほぼ同等厚さになるよう形成し、その
後ラッピング等の手法により第１の硫性層２１０表面と
同一面となるように平坦化しである。１１α。
１１ｂは各磁気ヘッド素子のギャップ深さを結んででき
る長方形（＠がギャップ深さ、長さがチップ長）のへラ
ドギャップ形成部１２と第１の磁性層２１と後述する第
２の磁性層４１との接続部１５とを除いた第１の磁性層
２１と非磁性枕材１０に適当な深さにエツチングして形
成した凹溝である。
る長方形（＠がギャップ深さ、長さがチップ長）のへラ
ドギャップ形成部１２と第１の磁性層２１と後述する第
２の磁性層４１との接続部１５とを除いた第１の磁性層
２１と非磁性枕材１０に適当な深さにエツチングして形
成した凹溝である。
イオンエツチングにおいては、エツチング速度が入射角
に依存するが、Ａ’Ｚ−Ｆｅ合金とＳｔ、２の場合には
、イオン入射角とエツチングレートとの間には第５図に
示す関係がある。ただし、第５図はＡｒ（アルゴン）圧
８ Ｘ １０−’ ｉ’ｏｒｒ 、電流Ｗｆ Ｋ Ｏ，
８５ｍ”／、１ 、 イ、ｔ ンエネルギー５００ ｅ
Ｖの場合である。そこで、凹溝１１ａ、１１ｂの加工
は、第５図に見られるＮ ｉ −Ｆｅ合金とＳｉｎ、の
エツチング速度が等しくなる条件でエツチングすること
によって行っである。上記加工後の様子は第６図に示し
である。ただし、第６図では非磁性枕材１０は図示を省
略しである。
に依存するが、Ａ’Ｚ−Ｆｅ合金とＳｔ、２の場合には
、イオン入射角とエツチングレートとの間には第５図に
示す関係がある。ただし、第５図はＡｒ（アルゴン）圧
８ Ｘ １０−’ ｉ’ｏｒｒ 、電流Ｗｆ Ｋ Ｏ，
８５ｍ”／、１ 、 イ、ｔ ンエネルギー５００ ｅ
Ｖの場合である。そこで、凹溝１１ａ、１１ｂの加工
は、第５図に見られるＮ ｉ −Ｆｅ合金とＳｉｎ、の
エツチング速度が等しくなる条件でエツチングすること
によって行っである。上記加工後の様子は第６図に示し
である。ただし、第６図では非磁性枕材１０は図示を省
略しである。
第３図、第４図において、３はへラドギャップとなる非
磁性絶縁層、５，６はコイル導体、７はコイル導体５，
６を絶縁している絶縁体で、これらは従来の薄膜磁気ヘ
ッドと同様のプロセスによって順次積層しである。
磁性絶縁層、５，６はコイル導体、７はコイル導体５，
６を絶縁している絶縁体で、これらは従来の薄膜磁気ヘ
ッドと同様のプロセスによって順次積層しである。
４１は第２の極性層で、Ｎｉ−１”ｅ合金などの磁性層
をスパッタにより形成し、その後、全トラック共通の形
状にパターニングしである。この第２の磁性層４１はパ
ターン精度を必要としないので、マスクスパッタで形成
してもよいことはいうまでもない。８は接着剤、９は保
膿板であり、この場合は、ウェーハエ程終了後の表面の
段差は、第２の磁性層４１の膜厚には無関係で、第１の
磁性層２１と非磁性枕材１０に加工した凹溝１１ａ、１
１Ａの深さのみで決まり、従来の１／４程度にすること
は容易で、全く段差か生じないようにすることもできる
。したかって、接着剤８０層の厚さをそれに応じて薄＜
−１”ろことかできる。
をスパッタにより形成し、その後、全トラック共通の形
状にパターニングしである。この第２の磁性層４１はパ
ターン精度を必要としないので、マスクスパッタで形成
してもよいことはいうまでもない。８は接着剤、９は保
膿板であり、この場合は、ウェーハエ程終了後の表面の
段差は、第２の磁性層４１の膜厚には無関係で、第１の
磁性層２１と非磁性枕材１０に加工した凹溝１１ａ、１
１Ａの深さのみで決まり、従来の１／４程度にすること
は容易で、全く段差か生じないようにすることもできる
。したかって、接着剤８０層の厚さをそれに応じて薄＜
−１”ろことかできる。
以上説明したように、本発明によれば、ウェー八工程終
了時の表面の段差を軽減でき、薄い接着層により保獲板
を接着することかでき、信頼性が高い薄膜磁気ヘッドと
することが可能であるという効果がある。
了時の表面の段差を軽減でき、薄い接着層により保獲板
を接着することかでき、信頼性が高い薄膜磁気ヘッドと
することが可能であるという効果がある。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの記録媒体摺動面の構成
図、第２図は第１図の磁路長方向のヘッド断面図、第３
図は本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す記録媒体
摺動面の構成図、第４図は第３図の磁路長方向のヘッド
断面図、第５図はＮｉ−Ｆｅ合金と、ＳｉＯ２のイオン
エツチング時におけるイオン入射角とエツチングレート
との関係線図、第６図は本発明の薄膜磁気ヘッドの第１
の磁性層への凹溝加工を説明するための斜視図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・基板６・・・・
・・・・・・・・・・・・・絶縁層５．６・−・・・・
・・・・・・コイル導体７・・・・・・・・・・・・・
・・絶縁体８・・・・・・・・・・・接着剤 ９・・・・・・・・・・・・・・・・・・保循板１０・
・・・・・・・・・・・・・・非磁性枕材１１ａ、１１
ｈ−・・凹溝 １２・・・・・・・・・・・・・・・ギャップ形成部１
３・・・・・・・・・・・・・・・第１．第２の磁性層
の接続部２１・・・・・・・・・・・・・・・第１の磁
性層４１・・・・・・・・・・・・・・・第２の磁性層
代理人弁理士 薄 １）利 幸 ｊ′Ｘ八 糖ＩＩ￥］ 第２図 ■３図
図、第２図は第１図の磁路長方向のヘッド断面図、第３
図は本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す記録媒体
摺動面の構成図、第４図は第３図の磁路長方向のヘッド
断面図、第５図はＮｉ−Ｆｅ合金と、ＳｉＯ２のイオン
エツチング時におけるイオン入射角とエツチングレート
との関係線図、第６図は本発明の薄膜磁気ヘッドの第１
の磁性層への凹溝加工を説明するための斜視図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・基板６・・・・
・・・・・・・・・・・・・絶縁層５．６・−・・・・
・・・・・・コイル導体７・・・・・・・・・・・・・
・・絶縁体８・・・・・・・・・・・接着剤 ９・・・・・・・・・・・・・・・・・・保循板１０・
・・・・・・・・・・・・・・非磁性枕材１１ａ、１１
ｈ−・・凹溝 １２・・・・・・・・・・・・・・・ギャップ形成部１
３・・・・・・・・・・・・・・・第１．第２の磁性層
の接続部２１・・・・・・・・・・・・・・・第１の磁
性層４１・・・・・・・・・・・・・・・第２の磁性層
代理人弁理士 薄 １）利 幸 ｊ′Ｘ八 糖ＩＩ￥］ 第２図 ■３図
Claims (1)
- １、 基板上に第１の磁性層、ヘッドギャップとなる絶
縁層、複数層積層された導体コイルとなる導体層および
前記第１の磁性層と磁気回路を作る第２の磁性層を順次
積層してなる薄膜佑気ヘッドにおいて、前記第１の磁性
層をコア形状にバターニングして非磁性枕材を用いて平
坦化し、各磁気ヘッド素子のギャップ深さを結んででき
る長方形のへラドギャップ形成部と前記第１．第２の磁
性層の接続部を除いた前記第１の磁性層と前記非磁性枕
材に所定深さの凹溝加工を施し、該凹溝部に前記導体コ
イルどなる導体層の少なくとも一部を形成し、前記第２
の磁性層は全トラック共通となる構成としｔ二ことを特
徴とする薄膜磁気ヘラ ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18600982A JPS5975421A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18600982A JPS5975421A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975421A true JPS5975421A (ja) | 1984-04-28 |
| JPH0320807B2 JPH0320807B2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16180771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18600982A Granted JPS5975421A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5975421A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0218445A2 (en) * | 1985-10-01 | 1987-04-15 | Sony Corporation | Thin film magnetic heads |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS494512A (ja) * | 1972-04-24 | 1974-01-16 | ||
| JPS50104625A (ja) * | 1974-01-21 | 1975-08-18 | ||
| JPS55128227U (ja) * | 1979-03-05 | 1980-09-10 |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP18600982A patent/JPS5975421A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS494512A (ja) * | 1972-04-24 | 1974-01-16 | ||
| JPS50104625A (ja) * | 1974-01-21 | 1975-08-18 | ||
| JPS55128227U (ja) * | 1979-03-05 | 1980-09-10 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0218445A2 (en) * | 1985-10-01 | 1987-04-15 | Sony Corporation | Thin film magnetic heads |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0320807B2 (ja) | 1991-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63173213A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS6260723B2 (ja) | ||
| KR910000302B1 (ko) | 박막 자기헤드 및 그 제조방법 | |
| JPS5975421A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2707758B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2747099B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH04192105A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びそれを搭載した磁気ディスク装置 | |
| JP2707760B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0684141A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH08287407A (ja) | 複合型磁気ヘッドとその製造方法 | |
| JPS62132209A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6113412A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS63201908A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0916909A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH07110917A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH05314426A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS5898823A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0729119A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0411311A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0916907A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0765321A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH02308407A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0782614B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS62110612A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| US20070193023A1 (en) | Method of manufacturing magnetic head |