JPH0320807B2 - - Google Patents
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- JPH0320807B2 JPH0320807B2 JP57186009A JP18600982A JPH0320807B2 JP H0320807 B2 JPH0320807 B2 JP H0320807B2 JP 57186009 A JP57186009 A JP 57186009A JP 18600982 A JP18600982 A JP 18600982A JP H0320807 B2 JPH0320807 B2 JP H0320807B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜磁気ヘツドに係り、特にウエーハ
工程終了時における各積層膜によつてできる表面
段差を軽減するのに好適な構造の薄膜磁気ヘツド
に関するものである。
工程終了時における各積層膜によつてできる表面
段差を軽減するのに好適な構造の薄膜磁気ヘツド
に関するものである。
まず、第１図、第２図を用いて従来技術につい
て説明する。第１図はウエーハ工程および組立工
程を終了した薄膜磁気ヘツドの記録媒体摺動面の
構成図、第２図は磁路長方向のヘツド断面図であ
る。第１図、第２図において、１は基板、２は各
トラツク共通の第１磁性層、３はヘツドギヤツプ
となる絶縁層、４は第１の磁性層２と磁気回路を
作つているコア形状にパターニングされた第２の
磁性層、５，６はコイル導体７はコイル導体５，
６を絶縁している絶縁体、８は接着剤、９は接着
剤８によつてヘツド素子上に接着された保護板で
ある。
て説明する。第１図はウエーハ工程および組立工
程を終了した薄膜磁気ヘツドの記録媒体摺動面の
構成図、第２図は磁路長方向のヘツド断面図であ
る。第１図、第２図において、１は基板、２は各
トラツク共通の第１磁性層、３はヘツドギヤツプ
となる絶縁層、４は第１の磁性層２と磁気回路を
作つているコア形状にパターニングされた第２の
磁性層、５，６はコイル導体７はコイル導体５，
６を絶縁している絶縁体、８は接着剤、９は接着
剤８によつてヘツド素子上に接着された保護板で
ある。
以下、製造方法について簡単に説明する。ま
ず、基板１上にNi−Fe合金などの磁性層をスパ
ツタにより形成して第１の磁性層２を作る。この
上にヘツドギヤツプを規定する非磁性絶縁層３を
積層し、さらに絶縁体７で平坦化しながら導体コ
イル５，６を所定形状に積層する。ここで絶縁層
７としてポリイミド系樹脂やホトレジストを使つ
て平坦化する方法やSiO2などで導体コイル５，
６を被覆した後ホトレジスト（例えば、シプレー
社製AZ−1375）により凹凸を平坦化しSiO2とホ
トレジストのエツチング速度が等しくなる条件で
イオンエツチングすることによつと平坦化する方
法（例えば、特開昭51−66778号）等が用いられ
る。最後に、再びNi−Fe合金などの磁性体をス
パツタにより形成後、コア形状にパターニングし
て第２の磁性層４とする。
ず、基板１上にNi−Fe合金などの磁性層をスパ
ツタにより形成して第１の磁性層２を作る。この
上にヘツドギヤツプを規定する非磁性絶縁層３を
積層し、さらに絶縁体７で平坦化しながら導体コ
イル５，６を所定形状に積層する。ここで絶縁層
７としてポリイミド系樹脂やホトレジストを使つ
て平坦化する方法やSiO2などで導体コイル５，
６を被覆した後ホトレジスト（例えば、シプレー
社製AZ−1375）により凹凸を平坦化しSiO2とホ
トレジストのエツチング速度が等しくなる条件で
イオンエツチングすることによつと平坦化する方
法（例えば、特開昭51−66778号）等が用いられ
る。最後に、再びNi−Fe合金などの磁性体をス
パツタにより形成後、コア形状にパターニングし
て第２の磁性層４とする。
以上でウエーハ工程を終り、次に、組立工程を
経て薄膜磁気ヘツドを完成する。この後工程で、
耐摩耗性の向上やヘツド素子の保護などの目的
で、第１図、第２図に示してあるように保護板９
を樹脂あるいは低融点ガラスなどの接着剤８を用
いてヘツド素子上に接着する。
経て薄膜磁気ヘツドを完成する。この後工程で、
耐摩耗性の向上やヘツド素子の保護などの目的
で、第１図、第２図に示してあるように保護板９
を樹脂あるいは低融点ガラスなどの接着剤８を用
いてヘツド素子上に接着する。
上記したようにして製造された従来の薄膜磁気
ヘツドにおいては、ウエーハ工程終了後の表面の
段差が、第２図に示すように、Ｈとなり、非常に
大きくなる。したがつて、第１図、第２図から明
らかなように、接着剤８の層が厚くなる。このよ
うに接着層が厚くなると、接着剤８としてエポキ
シ樹脂などの樹脂を用いた場合、記録中に樹脂に
磁性粉などがこびりつき、スペーシングロスが増
大するという問題を生ずる。また、低融点ガラス
を使つた場合でも、大きな段差があるときには気
泡が生じやすく、この気泡に磁性粉などがつまる
ため、やはり同様なヘツド特性の劣化を招く。
ヘツドにおいては、ウエーハ工程終了後の表面の
段差が、第２図に示すように、Ｈとなり、非常に
大きくなる。したがつて、第１図、第２図から明
らかなように、接着剤８の層が厚くなる。このよ
うに接着層が厚くなると、接着剤８としてエポキ
シ樹脂などの樹脂を用いた場合、記録中に樹脂に
磁性粉などがこびりつき、スペーシングロスが増
大するという問題を生ずる。また、低融点ガラス
を使つた場合でも、大きな段差があるときには気
泡が生じやすく、この気泡に磁性粉などがつまる
ため、やはり同様なヘツド特性の劣化を招く。
他の従来例として、第２の磁性層４の上に
SiO2やAl2O3などの保護層を形成して、ラツピン
グすることにより段差をなくする方法もあるが、
この場合は、段差上の厚いSiO2やAl2O3の保護層
にクラツクが入りやすく、また、応力により基板
１がそつたり、あるいは、下地を破壊してはがれ
るなどの問題を生ずることがある。
SiO2やAl2O3などの保護層を形成して、ラツピン
グすることにより段差をなくする方法もあるが、
この場合は、段差上の厚いSiO2やAl2O3の保護層
にクラツクが入りやすく、また、応力により基板
１がそつたり、あるいは、下地を破壊してはがれ
るなどの問題を生ずることがある。
一方、ヘツド特性の点から、第１、第２の磁性
層２，４の間隔を大きくとつたり、また、第２の
磁性層４をテーパ部での膜厚減少を補うために厚
くする配慮がなされる。しかるに、従来の薄膜磁
気ヘツドにおいては、このコア間隔と第２の磁性
層４の厚さの合計そのものがウエーハ工程終了時
の表面の段差となるため、上記した問題点を解決
することができない。すなわち、ヘツド特性が良
好で、かつ、接着剤８の層の厚さが薄い薄膜磁気
ヘツドを得ることは、従来技術では実現すること
ができない。
層２，４の間隔を大きくとつたり、また、第２の
磁性層４をテーパ部での膜厚減少を補うために厚
くする配慮がなされる。しかるに、従来の薄膜磁
気ヘツドにおいては、このコア間隔と第２の磁性
層４の厚さの合計そのものがウエーハ工程終了時
の表面の段差となるため、上記した問題点を解決
することができない。すなわち、ヘツド特性が良
好で、かつ、接着剤８の層の厚さが薄い薄膜磁気
ヘツドを得ることは、従来技術では実現すること
ができない。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目
的とするところは、ヘツド特性が良好で、かつウ
エーハ工程終了時の表面の段差を軽減でき、薄い
接着層により保護板を接着可能の薄膜磁気ヘツド
を提供することにある。
的とするところは、ヘツド特性が良好で、かつウ
エーハ工程終了時の表面の段差を軽減でき、薄い
接着層により保護板を接着可能の薄膜磁気ヘツド
を提供することにある。
本発明の特徴は、第１の磁性層をコア形状にパ
ターニングして非磁性枕材を用いて平坦化した
後、第１の磁性層のヘツドギヤツプ形成部と上記
第１の磁性層と第２の磁性層との接続部を除いた
上記第１の磁性層と上記非磁性枕材に所定深さの
凹溝加工を施すことにより、コイル導体部から端
子部まで含めたすべてを略同一平面上で形成し、
導体層の少なくとも一部をこの凹溝部に形成した
こと、および多素子薄膜磁気ヘツドにおいて上記
第２の磁性層を全トラツク共通となる構成とした
点にある。
ターニングして非磁性枕材を用いて平坦化した
後、第１の磁性層のヘツドギヤツプ形成部と上記
第１の磁性層と第２の磁性層との接続部を除いた
上記第１の磁性層と上記非磁性枕材に所定深さの
凹溝加工を施すことにより、コイル導体部から端
子部まで含めたすべてを略同一平面上で形成し、
導体層の少なくとも一部をこの凹溝部に形成した
こと、および多素子薄膜磁気ヘツドにおいて上記
第２の磁性層を全トラツク共通となる構成とした
点にある。
以下本発明を第３図、第４図、第６図に示した
実施例および第５図を用いて詳細に説明する。
実施例および第５図を用いて詳細に説明する。
第３図は本発明の薄膜磁気ヘツドの一実施例を
示す記録媒体摺動面の構成図で、全体として複数
の磁気ヘツド素子を一体に構成した多素子磁気ヘ
ツドの例であるがそのうち１つの磁気ヘツド素子
の部分のみを示してある。第４図は第３図の磁路
長方向のヘツド断面図である。第３図、第４図に
おいて、第１図、第２図と同一部分は同じ符号で
示してある。２１はコア形状にパターニングした
第１の磁性層で、基盤１上にNi−Fe合金などの
磁性層をスパツタにより形成後、エツチングによ
りコア形状にパターニングしてある。１０はコア
形状にパターニングされた第１の磁性層２１の表
面と同一面となるように全体を平坦化するための
非磁性枕材で、SiO2をスパツタにより第１の磁
性層２１とほぼ同等厚さになるよう形成し、その
後ラツピング等の手法により第１の磁性層２１の
表面と同一面となるように平坦化してある。１１
ａ，１１ｂはヘツドギヤツプ形成部１２と第１の
磁性層２１と後述する第２の磁性層４１との接続
部１３とを除いた第１の磁性層２１と非磁性枕材
１０に適当な深さにエツチングして形成した凹溝
である。
示す記録媒体摺動面の構成図で、全体として複数
の磁気ヘツド素子を一体に構成した多素子磁気ヘ
ツドの例であるがそのうち１つの磁気ヘツド素子
の部分のみを示してある。第４図は第３図の磁路
長方向のヘツド断面図である。第３図、第４図に
おいて、第１図、第２図と同一部分は同じ符号で
示してある。２１はコア形状にパターニングした
第１の磁性層で、基盤１上にNi−Fe合金などの
磁性層をスパツタにより形成後、エツチングによ
りコア形状にパターニングしてある。１０はコア
形状にパターニングされた第１の磁性層２１の表
面と同一面となるように全体を平坦化するための
非磁性枕材で、SiO2をスパツタにより第１の磁
性層２１とほぼ同等厚さになるよう形成し、その
後ラツピング等の手法により第１の磁性層２１の
表面と同一面となるように平坦化してある。１１
ａ，１１ｂはヘツドギヤツプ形成部１２と第１の
磁性層２１と後述する第２の磁性層４１との接続
部１３とを除いた第１の磁性層２１と非磁性枕材
１０に適当な深さにエツチングして形成した凹溝
である。
イオンエツチングにおいては、エツチング速度
が入射角に依存するが、Ni−Fe合金とSiO2の場
合には、イオン入射角とエツチングレートとの間
には第５図に示す関係がある。ただし、第５図は
Ar（アルゴン）圧８×10-5Torr、電池密度0.85ｍ
Ａ／cm2、イオンエネルギー500eVの場合である。
そこで、凹溝１１ａ，１１ｂの加工は、第５図に
見られるNi−Fe合金とSiO2のエツチング速度が
等しくなる条件でエツチングすることによつて行
つてあり、第１磁性層および非磁性枕材ともに略
同一深さに凹溝加工される。上記加工後の様子は
第６図に一例を示してある。ただし、第６図では
非磁性枕材１０は図示を省略してある。なお、ト
ラツク幅を規制するフロントコア部１５とリアコ
ア部１６の幅は同一でも良いが第６図に示した第
１磁性層２１はフロントコア部１５の幅がその後
方に続くリアコア部１６の幅より狭く形成（磁束
絞り構造と称す）された形状に凹溝加工した例で
ある。この例の第１磁性層２１には次の特徴があ
る。すなわち、フロントコア部１５から幅広のリ
アコア部１６に向かつてその幅が増大し始める位
置に合わせて凹溝加工することにより、平面内の
磁束絞り構造に加えて、フロントコア部１５近く
で磁性膜の厚み方向にも磁束絞り構造を有するた
めに３次元的な磁束絞り構造を実現する。
が入射角に依存するが、Ni−Fe合金とSiO2の場
合には、イオン入射角とエツチングレートとの間
には第５図に示す関係がある。ただし、第５図は
Ar（アルゴン）圧８×10-5Torr、電池密度0.85ｍ
Ａ／cm2、イオンエネルギー500eVの場合である。
そこで、凹溝１１ａ，１１ｂの加工は、第５図に
見られるNi−Fe合金とSiO2のエツチング速度が
等しくなる条件でエツチングすることによつて行
つてあり、第１磁性層および非磁性枕材ともに略
同一深さに凹溝加工される。上記加工後の様子は
第６図に一例を示してある。ただし、第６図では
非磁性枕材１０は図示を省略してある。なお、ト
ラツク幅を規制するフロントコア部１５とリアコ
ア部１６の幅は同一でも良いが第６図に示した第
１磁性層２１はフロントコア部１５の幅がその後
方に続くリアコア部１６の幅より狭く形成（磁束
絞り構造と称す）された形状に凹溝加工した例で
ある。この例の第１磁性層２１には次の特徴があ
る。すなわち、フロントコア部１５から幅広のリ
アコア部１６に向かつてその幅が増大し始める位
置に合わせて凹溝加工することにより、平面内の
磁束絞り構造に加えて、フロントコア部１５近く
で磁性膜の厚み方向にも磁束絞り構造を有するた
めに３次元的な磁束絞り構造を実現する。
第３図、第４図において、３はヘツドギヤツプ
となる非磁性絶縁層、５，６はコイル導体、１４
は外部回路との接続用端子部で、導体層はコイル
導体５，６から端子部１４まで含めた全体が略同
一平面上に形成されている。このことは導体層の
パターニング用レジスト膜厚を各部でほぼ均一に
できる効果を有する。７はコイル導体５，６を絶
縁している絶縁体で、これらは従来の薄膜磁気ヘ
ツドと同様のプロセスによつて順次積層してあ
る。
となる非磁性絶縁層、５，６はコイル導体、１４
は外部回路との接続用端子部で、導体層はコイル
導体５，６から端子部１４まで含めた全体が略同
一平面上に形成されている。このことは導体層の
パターニング用レジスト膜厚を各部でほぼ均一に
できる効果を有する。７はコイル導体５，６を絶
縁している絶縁体で、これらは従来の薄膜磁気ヘ
ツドと同様のプロセスによつて順次積層してあ
る。
４１は第２の磁性層で、Ni−Fe合金などの磁
性層をスパツタにより形成し、その後、全トラツ
ク共通の形状にパターニングしてある。この第２
の磁性層４１はパターン精度を必要としないの
で、マスクスパツタで形成してもよいことはいう
までもない。８は接着剤、９は保護板であり、こ
の場合は、ウエーハ工程終了後の表面の段差は、
第２の磁性層４１の膜厚には無関係で、第１の磁
性層２１と非磁性枕材１０に加工した凹溝１１
ａ，１１ｂの深さのみで決まり、従来の1/4程度
にすることは容易で、全く段差が生じないように
することもできる。したがつて、接着剤８の層の
厚さをそれに応じて薄くすることができる。本実
施例では、第２磁性層４１が各トラツク共通の形
状である多素子薄膜磁気ヘツドの例で説明した
が、第２磁性層４１をヘツド毎にパターニングし
た単素子の薄膜磁気ヘツドの場合でも、ウエーハ
工程終了後の最大段差は従来より凹溝の深さ分だ
け小さくなる事は言うまでもない。
性層をスパツタにより形成し、その後、全トラツ
ク共通の形状にパターニングしてある。この第２
の磁性層４１はパターン精度を必要としないの
で、マスクスパツタで形成してもよいことはいう
までもない。８は接着剤、９は保護板であり、こ
の場合は、ウエーハ工程終了後の表面の段差は、
第２の磁性層４１の膜厚には無関係で、第１の磁
性層２１と非磁性枕材１０に加工した凹溝１１
ａ，１１ｂの深さのみで決まり、従来の1/4程度
にすることは容易で、全く段差が生じないように
することもできる。したがつて、接着剤８の層の
厚さをそれに応じて薄くすることができる。本実
施例では、第２磁性層４１が各トラツク共通の形
状である多素子薄膜磁気ヘツドの例で説明した
が、第２磁性層４１をヘツド毎にパターニングし
た単素子の薄膜磁気ヘツドの場合でも、ウエーハ
工程終了後の最大段差は従来より凹溝の深さ分だ
け小さくなる事は言うまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、ウエー
ハ工程終了時の表面の段差を軽減でき、薄い接着
層により保護板を接着することができるため、ヘ
ツド特性が良好で信頼性が高い薄膜磁気ヘツドと
することが可能であるという効果がある。
ハ工程終了時の表面の段差を軽減でき、薄い接着
層により保護板を接着することができるため、ヘ
ツド特性が良好で信頼性が高い薄膜磁気ヘツドと
することが可能であるという効果がある。
第１図は従来の薄膜磁気ヘツドの記録媒体摺動
面の構成図、第２図は第１図の磁路長方向のヘツ
ド断面図、第３図は本発明の薄膜磁気ヘツドの一
実施例を示す記録媒体駆摺動面の構成図、第４図
は第３図の磁路長方向のヘツド断面図、第５図は
Ni−Fe合金とSiO2のイオンエツチング時におけ
るイオン入射角とエツチングレートとの関係線
図、第６図は本発明の薄膜磁気ヘツドの第１の磁
性層への凹溝加工を説明するための斜視図であ
る。 １……基板、３……絶縁層、５，６……コイル
導体、７……絶縁体、８……接着剤、９……保護
板、１０……非磁性枕材、１１ａ，１１ｂ……凹
溝、１２……ヘツドギヤツプ形成部、１３……第
１、第２の磁性層の接続部、２１……第１の磁性
層、４１……第２の磁性層。
面の構成図、第２図は第１図の磁路長方向のヘツ
ド断面図、第３図は本発明の薄膜磁気ヘツドの一
実施例を示す記録媒体駆摺動面の構成図、第４図
は第３図の磁路長方向のヘツド断面図、第５図は
Ni−Fe合金とSiO2のイオンエツチング時におけ
るイオン入射角とエツチングレートとの関係線
図、第６図は本発明の薄膜磁気ヘツドの第１の磁
性層への凹溝加工を説明するための斜視図であ
る。 １……基板、３……絶縁層、５，６……コイル
導体、７……絶縁体、８……接着剤、９……保護
板、１０……非磁性枕材、１１ａ，１１ｂ……凹
溝、１２……ヘツドギヤツプ形成部、１３……第
１、第２の磁性層の接続部、２１……第１の磁性
層、４１……第２の磁性層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に第１の磁性層、ヘツドギヤツプとな
る非磁性層、コイルとなる導体層、導体層の絶縁
層および前記第１の磁性層と磁気回路を作る第２
の磁性層等を順次積層してなる薄膜磁気ヘツドに
おいて、 前記第１の磁性層をコア形状にパターニングし
て非磁性枕材を用いて平坦化し、矩形のヘツドギ
ヤツプ形成部と前記第１、第２の磁性層の接続部
とを除いた前記第１の磁性層および非磁性枕材と
に所定深さの凹溝加工を施し、該凹溝内に端子ま
ですべて略同一平面上で形成されている導体層も
しくは導体層の一部を形成したことを特徴とする
薄膜磁気ヘツド。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の薄膜ヘツドにお
いて、 前記第１磁性層がトラツク幅を規制すると共
に、ヘツドギヤツプ形成部であるフロントコア部
と、該フロントコア部より後方に向けて幅が平面
的に暫増する部分と、前記フロントコア部より幅
広に形成されたリアコア部とから成り、前記フロ
ントコア部と前記リアコア部の第１磁性層と第２
磁性層との接続部を除いた部位に凹溝加工を施し
た構造であることを特徴とする薄膜磁気ヘツド。 ３ 基板上に第１の磁性層、ヘツドギヤツプとな
る非磁性層、コイルとなる磁性層、導体層の絶縁
層および前記第１の磁性層と磁気回路を作る第２
の磁性層等を順次積層してなる薄膜磁気ヘツドに
おいて、 前記第１の磁性層をコア形状にパターニングし
て、非磁性枕材を用いて平坦化し、矩形のヘツド
ギヤツプ形成部と前記第１、第２の磁性層の接続
部とを除いた前記第１の磁性層および非磁性枕材
とに所定深さの凹溝加工を施し、該凹溝内に端子
まですべて略同一平面上で形成されている導体層
もしくは導体層の一部を形成し、さらに前記第２
の磁性層は全トラツク共通の形状となるよう構成
したことを特徴とする多素子薄膜磁気ヘツド。 ４ 特許請求の範囲第３項記載の多素子薄膜磁気
ヘツドにおいて、 前記第１磁性層がトラツク幅を規制すると共
に、ヘツドギヤツプ形成部であるフロントコア部
と、該フロントコア部より後方に向けて幅が平面
的に暫増する部分と、前記フロントコア部より幅
広に形成されたリアコア部とから成り、前記フロ
ントコア部と前記リアコア部の第１磁性層と第２
磁性層との接続部を除いた部位に凹溝加工を施し
た構造であることを特徴とする多素子薄膜磁気ヘ
ツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18600982A JPS5975421A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18600982A JPS5975421A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975421A JPS5975421A (ja) | 1984-04-28 |
| JPH0320807B2 true JPH0320807B2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16180771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18600982A Granted JPS5975421A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5975421A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0218445A3 (en) * | 1985-10-01 | 1989-08-30 | Sony Corporation | Thin film magnetic heads |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS494512A (ja) * | 1972-04-24 | 1974-01-16 | ||
| JPS50104625A (ja) * | 1974-01-21 | 1975-08-18 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128227U (ja) * | 1979-03-05 | 1980-09-10 |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP18600982A patent/JPS5975421A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS494512A (ja) * | 1972-04-24 | 1974-01-16 | ||
| JPS50104625A (ja) * | 1974-01-21 | 1975-08-18 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5975421A (ja) | 1984-04-28 |
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