JPS5898823A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS5898823A JPS5898823A JP19802681A JP19802681A JPS5898823A JP S5898823 A JPS5898823 A JP S5898823A JP 19802681 A JP19802681 A JP 19802681A JP 19802681 A JP19802681 A JP 19802681A JP S5898823 A JPS5898823 A JP S5898823A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- layer
- insulating layer
- magnetic head
- film magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
薄膜磁気ヘッドは蒸着・スパッタ等の薄膜作成技術、化
学エツチング・プラズマエツチング等の微細加工技術を
利用して製作される。この薄膜磁気ヘッドは、強磁性体
バルク材料を加工して製作される通常の磁気ヘッドと比
較して、狭トラツク化、狭ギャップ化、多素子化が容易
であり、高密度記録が必要な固定ヘッド型Ｐ ＣＭ録音
機用として重要視されている。
学エツチング・プラズマエツチング等の微細加工技術を
利用して製作される。この薄膜磁気ヘッドは、強磁性体
バルク材料を加工して製作される通常の磁気ヘッドと比
較して、狭トラツク化、狭ギャップ化、多素子化が容易
であり、高密度記録が必要な固定ヘッド型Ｐ ＣＭ録音
機用として重要視されている。
この薄膜磁気ヘッドを高密度記録なヘッドとするには、
ヘッド構造において狭ギャップ化、狭トラツク化が必要
であり高保磁力の記録媒体に記録しなければならない。
ヘッド構造において狭ギャップ化、狭トラツク化が必要
であり高保磁力の記録媒体に記録しなければならない。
その場合当然ながら磁気ヘッドにおいて強い記録電流が
必要となり、その際発熱の問題が生ずる。発熱を抑える
為には■マルチターン化によって書き込み電流を抑える
、又は■巻線溝体の厚みを増やして抵抗を下けるといっ
た方法がとられた。
必要となり、その際発熱の問題が生ずる。発熱を抑える
為には■マルチターン化によって書き込み電流を抑える
、又は■巻線溝体の厚みを増やして抵抗を下けるといっ
た方法がとられた。
本発明は■の巻線導体の厚みを増す為の技術的改善に関
するものである。
するものである。
次に従来の方式の問題点について詳しく説明する。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの一部側面断面図である
。１はＮｉ−Ｚｎフェライト基板、２は第１の導電層、
３は絶縁層である。このヘッドは、基板１上に第１のメ
ンキベース層（図示せず）を蒸着等で被覆し、次に該メ
ッキベース層上に第１の導電層２を電気メツキ法で被覆
し、次に上記第１のメッキベース層及び−Ｉ−記第１の
導電層２を化学エツチング等で微細加工し、次に上記第
１の導電層２］−に絶縁層３をスパッタ等で被覆して構
成される。しかしこの製法によってヘッドを作成した場
合、第１のメッキベース層と第１の導電層２の膜質の違
い等によりサイドエッチ用が大きくなり、その為微細パ
ターンの形成が困難である。更に同図の如く絶縁層３に
切れ込みａが発生し絶縁層による段差被覆が困難である
。
。１はＮｉ−Ｚｎフェライト基板、２は第１の導電層、
３は絶縁層である。このヘッドは、基板１上に第１のメ
ンキベース層（図示せず）を蒸着等で被覆し、次に該メ
ッキベース層上に第１の導電層２を電気メツキ法で被覆
し、次に上記第１のメッキベース層及び−Ｉ−記第１の
導電層２を化学エツチング等で微細加工し、次に上記第
１の導電層２］−に絶縁層３をスパッタ等で被覆して構
成される。しかしこの製法によってヘッドを作成した場
合、第１のメッキベース層と第１の導電層２の膜質の違
い等によりサイドエッチ用が大きくなり、その為微細パ
ターンの形成が困難である。更に同図の如く絶縁層３に
切れ込みａが発生し絶縁層による段差被覆が困難である
。
以上の製法の難点に鑑み、上記第１のメッキベース層を
予め加工後該第１のメッキベース層上に選択的に第１の
導電層２を形成する製法も提案される。この様な製法に
よって作成したヘッドを第２図及び第３図に示す。同図
に示される如く絶縁層３による段差被覆は非常に容易に
なるが第３図に示される様に第１のメッキベース層４の
線巾Ｗに対して第１の導電層２の膜厚と同程度のｒｊｌ
Ｗｔだけ第１の導電層２に広がりか生ずる。第１のメ
ッキベース層４の線巾Ｗに対する第１の導電層２の広か
り１＋ｗｔの比率はパターン形状が微細になるに従って
増加するので、その時に密度不良の問題か生ずるととも
に上記第１の導電層２の広がり巾Ｗ［による巻線間の短
絡の問題が生ずる。この問題を解決するには第１のメッ
キベース層４の膜厚を必要以上に厚くして第１の導電層
２の広がりを減少させる方法が採られるが、第１のメッ
キベース層４の加工精度及０・応力による密着性不良の
問題があり、その高弟１の導電層２の厚膜形成が困難と
なる。そしてこの厚膜形成ができなければ第１の導電層
の断面積が大きく取れないので発熱の問題から記録電流
が多く流せずその結果記録特性が悪化した。
予め加工後該第１のメッキベース層上に選択的に第１の
導電層２を形成する製法も提案される。この様な製法に
よって作成したヘッドを第２図及び第３図に示す。同図
に示される如く絶縁層３による段差被覆は非常に容易に
なるが第３図に示される様に第１のメッキベース層４の
線巾Ｗに対して第１の導電層２の膜厚と同程度のｒｊｌ
Ｗｔだけ第１の導電層２に広がりか生ずる。第１のメ
ッキベース層４の線巾Ｗに対する第１の導電層２の広か
り１＋ｗｔの比率はパターン形状が微細になるに従って
増加するので、その時に密度不良の問題か生ずるととも
に上記第１の導電層２の広がり巾Ｗ［による巻線間の短
絡の問題が生ずる。この問題を解決するには第１のメッ
キベース層４の膜厚を必要以上に厚くして第１の導電層
２の広がりを減少させる方法が採られるが、第１のメッ
キベース層４の加工精度及０・応力による密着性不良の
問題があり、その高弟１の導電層２の厚膜形成が困難と
なる。そしてこの厚膜形成ができなければ第１の導電層
の断面積が大きく取れないので発熱の問題から記録電流
が多く流せずその結果記録特性が悪化した。
本発明は以上の様な従来問題点を解決する為になされた
ものであり、巻線を構成する導電層の厚膜化を良好に達
成することを目的とする。
ものであり、巻線を構成する導電層の厚膜化を良好に達
成することを目的とする。
以下、本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実
施例を図面を用いて詳細に説明する。
施例を図面を用いて詳細に説明する。
０第１工程
第４図は本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの製造方法の一
実施例の第１工程を終えた状態を示す。
実施例の第１工程を終えた状態を示す。
下側の磁気コアとなるＮｉ−Ｚｎフェライト等の強磁性
体基板１］二に５ｉ０２．ＡＪ２０Ｂ、５ｉ３ｔＪ４等
の絶縁層８をスパッタ等を用いて、第１の導電層２（未
だ形成されず）の高さと同程度に形成する。
体基板１］二に５ｉ０２．ＡＪ２０Ｂ、５ｉ３ｔＪ４等
の絶縁層８をスパッタ等を用いて、第１の導電層２（未
だ形成されず）の高さと同程度に形成する。
次に上記絶縁層３を第１の導電層２のパターンを除いた
パターンの形状に平行平板プラズマエツチング装置等を
用いてエツチングする。次にＣｕ等の導電体からなる第
１のメッキ・ベース層４を真空蒸着、電子ビーム蒸着等
によって形成し、更に化学エツチング等によって−」二
記絶縁層３のエツチング除去後の部分に配置されるよう
に加工する。
パターンの形状に平行平板プラズマエツチング装置等を
用いてエツチングする。次にＣｕ等の導電体からなる第
１のメッキ・ベース層４を真空蒸着、電子ビーム蒸着等
によって形成し、更に化学エツチング等によって−」二
記絶縁層３のエツチング除去後の部分に配置されるよう
に加工する。
０第２工程
第５図は第２工程を終えた状態を示す。
」−記第１のメツキーベース層を一方の電極として電気
メツキ法により第１の導電層２を積層する。
メツキ法により第１の導電層２を積層する。
以」二の第１工程及び第２工程を経た結果第１の導電層
２のメッキ時に絶縁層２に遮られるので、第１のメッキ
・ベース層４の線＋ｉＷに対して導電層２の横方向の広
かりＷｔは非常に小さく抑えられる。従って第１の導電
層２の密着性は良好となる。更に予め絶縁層３か形成さ
れているので、第１の導電層２の相互間の短絡を確実に
防止できる。
２のメッキ時に絶縁層２に遮られるので、第１のメッキ
・ベース層４の線＋ｉＷに対して導電層２の横方向の広
かりＷｔは非常に小さく抑えられる。従って第１の導電
層２の密着性は良好となる。更に予め絶縁層３か形成さ
れているので、第１の導電層２の相互間の短絡を確実に
防止できる。
更に第１の導電層２と絶縁層３の表面は段差か緩和ある
いは平坦化されているので、他の層の続く積層が容易に
行ない得る。
いは平坦化されているので、他の層の続く積層が容易に
行ない得る。
Ｑ第３工程
第６図は第３工程を終えた状態を示す。
第７図は第６図のＡ−Ａ’線での側面断面図を示す。
第５図の第１の導電層２及び絶縁層３上に５ｉ０２ 。
／１２０３ 、ＳｉＯ等の絶縁層５をスパッタ等を用い
て形成し、−４−記第１の導電層２と第２のメッキ・ベ
ース層（未だ形成されず）の接続部分及びフロントギャ
ップ部分の絶縁層５をプラズマエツチング等により除く
。次に第２のメツキーベース層としてＣＬＩ、Ａｌ１等
の導電体を真空蒸着等を用いて形成して後上記第２のメ
ッキ・ベース層を所定の微細パターン形状に加工、ある
いはりフトオフ法により」−記第２のメッキ・ベース層
を形成する。次にこの第２のメッキ・ベース層を一方の
電極としてメッキ法によりＣｕ、Ａｕ等の第２の導電層
６を形成する。次に５ｉ０２ 、ＡＪ２０３．Ｓｉ３Ｎ
４等の絶縁層７を形成し該絶縁層７の一部を除去後その
上にＮｉ−Ｆｃ等の強磁性層８を形成し、該強磁性層８
と前記強磁性体基板１とで磁気コアを構成した後絶縁層
の一部をプラズマエツチング等を用いて窓あけを行ない
薄膜磁気ヘッドが完成する。
て形成し、−４−記第１の導電層２と第２のメッキ・ベ
ース層（未だ形成されず）の接続部分及びフロントギャ
ップ部分の絶縁層５をプラズマエツチング等により除く
。次に第２のメツキーベース層としてＣＬＩ、Ａｌ１等
の導電体を真空蒸着等を用いて形成して後上記第２のメ
ッキ・ベース層を所定の微細パターン形状に加工、ある
いはりフトオフ法により」−記第２のメッキ・ベース層
を形成する。次にこの第２のメッキ・ベース層を一方の
電極としてメッキ法によりＣｕ、Ａｕ等の第２の導電層
６を形成する。次に５ｉ０２ 、ＡＪ２０３．Ｓｉ３Ｎ
４等の絶縁層７を形成し該絶縁層７の一部を除去後その
上にＮｉ−Ｆｃ等の強磁性層８を形成し、該強磁性層８
と前記強磁性体基板１とで磁気コアを構成した後絶縁層
の一部をプラズマエツチング等を用いて窓あけを行ない
薄膜磁気ヘッドが完成する。
以上の工程で作成された薄膜磁気ヘッドは、巻線を構成
する導電層の膜厚を厚く形成できるので抵抗値を低くで
き、高保磁力のテープに信りを記録しても発熱を低く抑
えることができるので、記録特性の良好なヘッドを得る
ことかてきるものである。
する導電層の膜厚を厚く形成できるので抵抗値を低くで
き、高保磁力のテープに信りを記録しても発熱を低く抑
えることができるので、記録特性の良好なヘッドを得る
ことかてきるものである。
第１図、第２図、第３図は従来の薄膜磁気ヘッドの一部
側面断面図、第４図、第５図、第６図、第７図は本発明
に係わる薄膜磁気ヘッドの製造工程の説明に供する図で
あり、第４図、第５図はヘッドの一部側面断面図、第６
図はヘッドの平面図、第７図はＡ−Ａ′線でのヘッドの
側面断面図を示す。 図中、 ｌ ： Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板２：第１
の導電層 ３：絶縁層 ４、第１のメッキヘース層 ５：絶縁層６：第２の導
電層 ７：絶縁層 ８：強磁性層 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 ゝ− ■ 第１図 第２図 １１３− Ａ 第５図 ３ 第６図 ） 第７図
側面断面図、第４図、第５図、第６図、第７図は本発明
に係わる薄膜磁気ヘッドの製造工程の説明に供する図で
あり、第４図、第５図はヘッドの一部側面断面図、第６
図はヘッドの平面図、第７図はＡ−Ａ′線でのヘッドの
側面断面図を示す。 図中、 ｌ ： Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板２：第１
の導電層 ３：絶縁層 ４、第１のメッキヘース層 ５：絶縁層６：第２の導
電層 ７：絶縁層 ８：強磁性層 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 ゝ− ■ 第１図 第２図 １１３− Ａ 第５図 ３ 第６図 ） 第７図
Claims (1)
- １ 強磁性体基板」二に、巻線を構成する導電層が配設
される位置を囲む所定位置に前記導電層を配設する前に
前記導電層と同程度の高さまで絶縁層を被覆し、更に前
記巻線を構成する導電層の配設すべき位置にメッキ・ベ
ース層を被覆し、更に該メッキ参ベース層上に前記巻線
を構成する導電層を電気メツキ法により被覆したことを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19802681A JPS5898823A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19802681A JPS5898823A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5898823A true JPS5898823A (ja) | 1983-06-11 |
Family
ID=16384282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19802681A Pending JPS5898823A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5898823A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63102010A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1981
- 1981-12-08 JP JP19802681A patent/JPS5898823A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63102010A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
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