JPH05109020A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPH05109020A JPH05109020A JP26448191A JP26448191A JPH05109020A JP H05109020 A JPH05109020 A JP H05109020A JP 26448191 A JP26448191 A JP 26448191A JP 26448191 A JP26448191 A JP 26448191A JP H05109020 A JPH05109020 A JP H05109020A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、バックコンタクト部及びその付近
の斜面部の薄肉化を防止することにより、電磁変換効率
の劣化を防止した高品質の薄膜磁気ヘッドの製造方法の
提供を目的とする。 【構成】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁性
基板１上に下地絶縁層２、下部磁性層３、ギャップ層
４、絶縁層５、薄膜コイル層６、上部磁性層７を順次積
層して構成する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前
記上部磁性層７を積層後前記下部磁性層３と前記上部磁
性層７を磁気的に閉回路を形成するバックコンタクト部
９の凹部に金属膜１３を形成後前記上部磁性層７に対し
選択的に化学エッチング可能な保護材１５を被着する工
程と、次いで前記上部磁性層パターンに金属マスク８を
した後物理的エッチング法等により上部磁性層７の形状
を形成する工程と、を有した構成からなる。
の斜面部の薄肉化を防止することにより、電磁変換効率
の劣化を防止した高品質の薄膜磁気ヘッドの製造方法の
提供を目的とする。 【構成】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁性
基板１上に下地絶縁層２、下部磁性層３、ギャップ層
４、絶縁層５、薄膜コイル層６、上部磁性層７を順次積
層して構成する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前
記上部磁性層７を積層後前記下部磁性層３と前記上部磁
性層７を磁気的に閉回路を形成するバックコンタクト部
９の凹部に金属膜１３を形成後前記上部磁性層７に対し
選択的に化学エッチング可能な保護材１５を被着する工
程と、次いで前記上部磁性層パターンに金属マスク８を
した後物理的エッチング法等により上部磁性層７の形状
を形成する工程と、を有した構成からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度記憶装置であるハ
ードディスクに用いられる薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関するものである。
ードディスクに用いられる薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜磁気ヘッドは磁性基板上の下
部磁性層と上部磁性層との間に磁気ギャップを有し、上
部および下部の両磁性層間を通り磁気回路のコイルとな
る銅薄膜と、コイル相互間およびコイルと上部下部磁性
層間を電気的に絶縁する絶縁層と、保護膜で構成されフ
ォトリソグラフィー等の薄膜形成技術によって形成され
ている。磁路となる磁気コアは厚さが数ミクロンの金属
磁性膜で構成されている。磁性膜をスパッタリング法に
より形成した場合の磁性層の形成方法、特に上部磁性層
の形成方法は困難で、最近上部磁性層の形成方法とし
て、電解メッキにより被着した金属膜をマスクに使用し
てイオンミリング等の物理的エッチングを用いる方法が
提案されている。
部磁性層と上部磁性層との間に磁気ギャップを有し、上
部および下部の両磁性層間を通り磁気回路のコイルとな
る銅薄膜と、コイル相互間およびコイルと上部下部磁性
層間を電気的に絶縁する絶縁層と、保護膜で構成されフ
ォトリソグラフィー等の薄膜形成技術によって形成され
ている。磁路となる磁気コアは厚さが数ミクロンの金属
磁性膜で構成されている。磁性膜をスパッタリング法に
より形成した場合の磁性層の形成方法、特に上部磁性層
の形成方法は困難で、最近上部磁性層の形成方法とし
て、電解メッキにより被着した金属膜をマスクに使用し
てイオンミリング等の物理的エッチングを用いる方法が
提案されている。
【０００３】以下に従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。図５乃至図８は薄膜磁気ヘッドの各製
造工程の説明図であり、図５は上部磁性層をウェハー全
体に被着した状態を示す磁気コアの断面図、図６は金属
マスクを被着した状態を示す磁気コアの断面図、図７は
物理的エッチング法で形状を加工した状態を示す磁気コ
アの断面図である。
ついて説明する。図５乃至図８は薄膜磁気ヘッドの各製
造工程の説明図であり、図５は上部磁性層をウェハー全
体に被着した状態を示す磁気コアの断面図、図６は金属
マスクを被着した状態を示す磁気コアの断面図、図７は
物理的エッチング法で形状を加工した状態を示す磁気コ
アの断面図である。
【０００４】まず、磁性基板１上にアルミナ等の下地絶
縁層２を数ミクロン形成し、次いで順次下部磁性層３を
積層し、その上にギャップ層４を全面に被着し、次いで
上部磁性層とのコンタクト部分をエッチングして、絶縁
層５、コイル６をそれぞれ積層した後、上部磁性層７を
ウェハー全体に被着する（図５）。次に、レジストを塗
布してマスクパターンを作り電解メッキにより金属マス
ク８を被着し（図６）、イオンミリング等の物理的エッ
チング法で形状を加工し（図７）、薄膜磁気ヘッドを製
造している。図８は前記方法で製造した薄膜磁気ヘッド
を搭載した薄膜磁気ヘッドスライダーの斜視図である。
縁層２を数ミクロン形成し、次いで順次下部磁性層３を
積層し、その上にギャップ層４を全面に被着し、次いで
上部磁性層とのコンタクト部分をエッチングして、絶縁
層５、コイル６をそれぞれ積層した後、上部磁性層７を
ウェハー全体に被着する（図５）。次に、レジストを塗
布してマスクパターンを作り電解メッキにより金属マス
ク８を被着し（図６）、イオンミリング等の物理的エッ
チング法で形状を加工し（図７）、薄膜磁気ヘッドを製
造している。図８は前記方法で製造した薄膜磁気ヘッド
を搭載した薄膜磁気ヘッドスライダーの斜視図である。
【０００５】１１は薄膜磁気ヘッドからなるトランスデ
ュウサー素子であり、１２は浮上用レールである。
ュウサー素子であり、１２は浮上用レールである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、上部磁性層７と下部磁性層３とのコンタク
ト部９（以下バックコンタクト部と呼ぶ）付近の斜面部
１０でイオンミリングのＡｒビームが反射を繰り返して
バックコンタクト部９に集中して到達するために、バッ
クコンタクト部９とその付近の斜面部１０のエッチング
レートが速くなりバックコンタクト部９及びその付近の
斜面部１０の上部磁性層の膜厚が薄くなってしまいバッ
クコンタクト部９での磁路の断面積が小さくなり変換効
率を劣化させるという問題点があった。
の構成では、上部磁性層７と下部磁性層３とのコンタク
ト部９（以下バックコンタクト部と呼ぶ）付近の斜面部
１０でイオンミリングのＡｒビームが反射を繰り返して
バックコンタクト部９に集中して到達するために、バッ
クコンタクト部９とその付近の斜面部１０のエッチング
レートが速くなりバックコンタクト部９及びその付近の
斜面部１０の上部磁性層の膜厚が薄くなってしまいバッ
クコンタクト部９での磁路の断面積が小さくなり変換効
率を劣化させるという問題点があった。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、バックコンタクト部及びその付近の斜面部の薄肉化
を防止することにより、電磁変換効率の優れた高品質の
薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とす
る。
で、バックコンタクト部及びその付近の斜面部の薄肉化
を防止することにより、電磁変換効率の優れた高品質の
薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁性基板上に
下地絶縁層、下部磁性層、ギャップ層、絶縁層、薄膜コ
イル層、上部磁性層を順次積層して構成する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法であって、前記上部磁性層を積層後前記
下部磁性層と前記上部磁性層を磁気的に閉回路を形成す
るバックコンタクト部の凹部に金属膜を形成後前記上部
磁性層に対し選択的に化学エッチング可能な保護材を被
着する工程と、次いで前記上部磁性層パターンに金属マ
スクを形成した後物理的エッチング法等により上部磁性
層の形状を形成する工程と、を有した構成からなる。
に本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁性基板上に
下地絶縁層、下部磁性層、ギャップ層、絶縁層、薄膜コ
イル層、上部磁性層を順次積層して構成する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法であって、前記上部磁性層を積層後前記
下部磁性層と前記上部磁性層を磁気的に閉回路を形成す
るバックコンタクト部の凹部に金属膜を形成後前記上部
磁性層に対し選択的に化学エッチング可能な保護材を被
着する工程と、次いで前記上部磁性層パターンに金属マ
スクを形成した後物理的エッチング法等により上部磁性
層の形状を形成する工程と、を有した構成からなる。
【０００９】
【作用】この構成によって、上部磁性層と下部磁性層と
のバックコンタクト部９及びその付近の斜面部１０を保
護してあるので、バックコンタクト部及びその付近の斜
面部のエッチングによる薄肉化を有効に防止でき、その
結果、電磁変換特性の劣化を防止できる。
のバックコンタクト部９及びその付近の斜面部１０を保
護してあるので、バックコンタクト部及びその付近の斜
面部のエッチングによる薄肉化を有効に防止でき、その
結果、電磁変換特性の劣化を防止できる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１１】図１乃至図４は本実施例の薄膜磁気ヘッド
の製造方法の各製造工程を示す図であり、図１は上部磁
性層をウェハー全体に被着した状態を示す磁気コアの断
面図であり、図２はバックコンタクト部にパターンレジ
スト塗布後保護材料を形成した磁気コアの断面図であ
り、図３は金属マスクを形成した磁気コアの断面図であ
り、図４は保護材料を除去した後の磁気コアの断面図で
ある。
の製造方法の各製造工程を示す図であり、図１は上部磁
性層をウェハー全体に被着した状態を示す磁気コアの断
面図であり、図２はバックコンタクト部にパターンレジ
スト塗布後保護材料を形成した磁気コアの断面図であ
り、図３は金属マスクを形成した磁気コアの断面図であ
り、図４は保護材料を除去した後の磁気コアの断面図で
ある。
【００１２】まず、磁性基板１上にアルミナ等の下地絶
縁層２を数ミクロン形成し、次いで以下順次下部磁性層
３を積層し、その上にギャップ層４を全面に被着し、次
いで上部磁性層とのコンタクト部分をエッチングして、
絶縁層５、コイル６をそれぞれ積層した後、Ｆｅ−Ｎｉ
合金等の上部磁性層７をウェハー全体に被着する（図
１）。
縁層２を数ミクロン形成し、次いで以下順次下部磁性層
３を積層し、その上にギャップ層４を全面に被着し、次
いで上部磁性層とのコンタクト部分をエッチングして、
絶縁層５、コイル６をそれぞれ積層した後、Ｆｅ−Ｎｉ
合金等の上部磁性層７をウェハー全体に被着する（図
１）。
【００１３】次いで、電解メッキの際の電極となるＣｕ
等の金属膜１３をスパッタ法等で被着した後、バックコ
ンタクト部９のみにパターンレジスト１４を塗布、形成
し、更にＦｅ−Ｎｉ合金に対して選択的に化学エッチン
グ可能な例えばＣｕ、Ａｌ等の保護材料１５を電解メッ
キまたは化学メッキ等により形成する（図２）。そして
レジストを上部磁性層の磁気コアパターンに形成した
後、Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属マスク８を電解メッキによ
り被着してレジストを除去する（図３）。次に、イオン
ミリング等の物理的エッチング法で上部磁性層の形状を
加工した後、保護材料１５を除去する（図４）。保護材
料１５がＣｕの場合は塩化第２銅系エッチャントによ
り、Ａｌの場合は水酸化ナトリウム系エッチャントによ
りエッチング除去する。Ｃｕ、Ａｌ等の保護材料１５は
非磁性材料なので、多少エッチング残渣が残っても品質
に影響を与えない。またバックコンタクト部９の凹み内
にＦｅ−Ｎｉ合金に対して選択的に化学エッチング可能
である材料としてポジ型やネガ型のレジストをパターン
形成し保護材料として使用してもよい。
等の金属膜１３をスパッタ法等で被着した後、バックコ
ンタクト部９のみにパターンレジスト１４を塗布、形成
し、更にＦｅ−Ｎｉ合金に対して選択的に化学エッチン
グ可能な例えばＣｕ、Ａｌ等の保護材料１５を電解メッ
キまたは化学メッキ等により形成する（図２）。そして
レジストを上部磁性層の磁気コアパターンに形成した
後、Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属マスク８を電解メッキによ
り被着してレジストを除去する（図３）。次に、イオン
ミリング等の物理的エッチング法で上部磁性層の形状を
加工した後、保護材料１５を除去する（図４）。保護材
料１５がＣｕの場合は塩化第２銅系エッチャントによ
り、Ａｌの場合は水酸化ナトリウム系エッチャントによ
りエッチング除去する。Ｃｕ、Ａｌ等の保護材料１５は
非磁性材料なので、多少エッチング残渣が残っても品質
に影響を与えない。またバックコンタクト部９の凹み内
にＦｅ−Ｎｉ合金に対して選択的に化学エッチング可能
である材料としてポジ型やネガ型のレジストをパターン
形成し保護材料として使用してもよい。
【００１４】以上のように本実施例の製造方法により、
上部磁性層と下部磁性層とのバックコンタクト部分及び
その付近の凹み内をＦｅ−Ｎｉ合金に対して選択的に化
学エッチング可能な例えばＣｕ、Ａｌ、レジスト等の保
護材料で保護しているので、バックコンタクト部及びそ
の付近の斜面部のＦｅ−Ｎｉ合金に対するイオンミリン
グ等のエッチングレートが速くなってもバックコンタク
ト部及びその付近の斜面部の膜厚を薄肉化し上部磁性層
をエッチングするのを防止することができ、磁路断面積
を広くすることができる。
上部磁性層と下部磁性層とのバックコンタクト部分及び
その付近の凹み内をＦｅ−Ｎｉ合金に対して選択的に化
学エッチング可能な例えばＣｕ、Ａｌ、レジスト等の保
護材料で保護しているので、バックコンタクト部及びそ
の付近の斜面部のＦｅ−Ｎｉ合金に対するイオンミリン
グ等のエッチングレートが速くなってもバックコンタク
ト部及びその付近の斜面部の膜厚を薄肉化し上部磁性層
をエッチングするのを防止することができ、磁路断面積
を広くすることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明は、上部磁性層と下
部磁性層とのコンタクト部及びその付近の斜面部をＣｕ
やＡｌのような金属材料で保護してエッチングを行うの
で、バックコンタクト部及びその付近の斜面部の上部磁
性層の膜厚の薄肉化を防ぎ磁路断面積が狭小化するのを
防止し電磁変換効率の劣化を防いだ高品質の優れた薄膜
磁気ヘッドの製造方法を実現できるものである。
部磁性層とのコンタクト部及びその付近の斜面部をＣｕ
やＡｌのような金属材料で保護してエッチングを行うの
で、バックコンタクト部及びその付近の斜面部の上部磁
性層の膜厚の薄肉化を防ぎ磁路断面積が狭小化するのを
防止し電磁変換効率の劣化を防いだ高品質の優れた薄膜
磁気ヘッドの製造方法を実現できるものである。
【図１】本発明の製造方法における上部磁性層をウェハ
ー全体に被着後の磁気コアの断面図
ー全体に被着後の磁気コアの断面図
【図２】バックコンタクト部にパターンレジスト塗布後
保護材料を形成した磁気コアの断面図
保護材料を形成した磁気コアの断面図
【図３】金属マスクを形成後の磁気コアの断面図
【図４】保護材料を除去した後の磁気コアの断面図
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程における上部
磁性層をウェハー全体に被着した状態を示す磁気コアの
断面図
磁性層をウェハー全体に被着した状態を示す磁気コアの
断面図
【図６】金属マスクを被着した状態を示す磁気コアの断
面図
面図
【図７】エッチング加工後の磁気コアの断面図
【図８】一般的な薄膜磁気ヘッドスライダーの斜視図
１ 基板 ２ 下地絶縁層 ３ 下部磁性層 ４ ギャップ層 ５ 絶縁層 ６ 薄膜コイル層 ７ 上部磁性層 ８ 金属マスク ９ バックコンタクト部 １０ バックコンタクト部付近の斜面部 １１ トランスデュウサー素子 １２ 浮上用レール １３ 金属膜 １４ パターンレジスト １５ 保護材料
Claims (1)
- 【請求項１】磁性基板上に下地絶縁層、下部磁性層、ギ
ャップ層、絶縁層、薄膜コイル層、上部磁性層を順次積
層して構成する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前
記上部磁性層を積層後前記下部磁性層と前記上部磁性層
を磁気的に閉回路を形成するバックコンタクト部の凹部
に金属膜を形成後前記上部磁性層に対し選択的に化学エ
ッチング可能な保護材を被着する工程と、次いで前記上
部磁性層パターンに金属マスクを形成した後物理的エッ
チング法等により上部磁性層の形状を形成する工程と、
を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26448191A JPH05109020A (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26448191A JPH05109020A (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109020A true JPH05109020A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17403836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26448191A Pending JPH05109020A (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109020A (ja) |
-
1991
- 1991-10-14 JP JP26448191A patent/JPH05109020A/ja active Pending
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