JPH06195637A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH06195637A JPH06195637A JP34777792A JP34777792A JPH06195637A JP H06195637 A JPH06195637 A JP H06195637A JP 34777792 A JP34777792 A JP 34777792A JP 34777792 A JP34777792 A JP 34777792A JP H06195637 A JPH06195637 A JP H06195637A
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- magnetic
- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気コアに金属合金膜を用いた薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、高保磁力媒体に対しても高い記録能力で高
感度の記録再生を可能とする。 【構成】 磁気コアを飽和磁束密度の異なる磁性膜５、
６を２層に積層させた構成とする。
ドにおいて、高保磁力媒体に対しても高い記録能力で高
感度の記録再生を可能とする。 【構成】 磁気コアを飽和磁束密度の異なる磁性膜５、
６を２層に積層させた構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気コアに金属合金膜を
用いた薄膜磁気ヘッドに関する。
用いた薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録装置の小型化、大容量化
にともない記録密度の高密度化が進められている。高密
度化のためには、記録媒体としては高保磁力で高飽和磁
束密度であることが求められる。これに対応して、磁気
ヘッドにはこのような高保磁力媒体に対しても十分記録
できることが必要であり、さらに低インダクタンスによ
る高周波対応化、低ノイズ化も求められる。薄膜磁気ヘ
ッドはこれら要求を満足できる磁気ヘッドとして広く普
及することが予想され、今後は主流になると考えられて
いる。
にともない記録密度の高密度化が進められている。高密
度化のためには、記録媒体としては高保磁力で高飽和磁
束密度であることが求められる。これに対応して、磁気
ヘッドにはこのような高保磁力媒体に対しても十分記録
できることが必要であり、さらに低インダクタンスによ
る高周波対応化、低ノイズ化も求められる。薄膜磁気ヘ
ッドはこれら要求を満足できる磁気ヘッドとして広く普
及することが予想され、今後は主流になると考えられて
いる。
【０００３】薄膜磁気ヘッドは磁気コアが金属磁性膜の
みで形成されているため、電磁変換特性は金属磁性膜の
磁気特性に大きく依存する。よって、高い再生出力を有
する薄膜磁気ヘッドには、高い透磁率を持つ金属磁性膜
が必要となる。薄膜磁気ヘッドの金属磁性膜としてＮｉ
Ｆｅ系合金薄膜を用いる場合、高い透磁率を得るために
薄膜磁気ヘッドのトラック幅方向が磁化容易軸となるよ
うに異方性を付与し、磁束が通る方向を磁化困難軸方向
としなければならない。ＮｉＦｅ系合金薄膜の透磁率を
大きく左右するこの異方性の大きさは熱処理条件や膜組
成に強く依存するため、これら条件の最適化が必要不可
欠である。
みで形成されているため、電磁変換特性は金属磁性膜の
磁気特性に大きく依存する。よって、高い再生出力を有
する薄膜磁気ヘッドには、高い透磁率を持つ金属磁性膜
が必要となる。薄膜磁気ヘッドの金属磁性膜としてＮｉ
Ｆｅ系合金薄膜を用いる場合、高い透磁率を得るために
薄膜磁気ヘッドのトラック幅方向が磁化容易軸となるよ
うに異方性を付与し、磁束が通る方向を磁化困難軸方向
としなければならない。ＮｉＦｅ系合金薄膜の透磁率を
大きく左右するこの異方性の大きさは熱処理条件や膜組
成に強く依存するため、これら条件の最適化が必要不可
欠である。
【０００４】ところで、薄膜磁気ヘッドに用いられるＮ
ｉＦｅ系合金薄膜は、量産化に優利な電気鍍金法によっ
て作製されることが多い。具体的には、特開昭５０−９
５１４７号公報に示されるように、下地膜上に所定の形
状フレームをフォトレジストによって形成し、その下地
膜を電極として電気鍍金を行うことでＮｉＦｅ系合金薄
膜を付着させる。その後、必要な形状部分をフォトレジ
ストで覆い、ケミカルエッチングやミリングによるドラ
イエッチングによって不必要な部分を除去して磁気コア
パターンを形成する。鍍金下地膜は導体でなければなら
ず、しかもギャップ対向面に形成されるため磁性膜であ
ることが好ましい。一般に、下地電極膜は鍍金する膜と
同一な膜を用いる。
ｉＦｅ系合金薄膜は、量産化に優利な電気鍍金法によっ
て作製されることが多い。具体的には、特開昭５０−９
５１４７号公報に示されるように、下地膜上に所定の形
状フレームをフォトレジストによって形成し、その下地
膜を電極として電気鍍金を行うことでＮｉＦｅ系合金薄
膜を付着させる。その後、必要な形状部分をフォトレジ
ストで覆い、ケミカルエッチングやミリングによるドラ
イエッチングによって不必要な部分を除去して磁気コア
パターンを形成する。鍍金下地膜は導体でなければなら
ず、しかもギャップ対向面に形成されるため磁性膜であ
ることが好ましい。一般に、下地電極膜は鍍金する膜と
同一な膜を用いる。
【０００５】ＮｉＦｅ系合金薄膜の磁気特性は組成に強
く依存するため、従来の薄膜磁気ヘッドにおけるＮｉＦ
ｅ系合金薄膜の組成は、特公平２−２３９２４号公報に
示すように透磁率が大で、かつ磁歪定数を小さくするた
め、８２ｗｔ％Ｎｉ〜８２.5ｗｔ％Ｎｉにて作製されて
いた。この場合、ＮｉＦｅ膜の飽和磁束密度は０.9テス
ラ程度である。
く依存するため、従来の薄膜磁気ヘッドにおけるＮｉＦ
ｅ系合金薄膜の組成は、特公平２−２３９２４号公報に
示すように透磁率が大で、かつ磁歪定数を小さくするた
め、８２ｗｔ％Ｎｉ〜８２.5ｗｔ％Ｎｉにて作製されて
いた。この場合、ＮｉＦｅ膜の飽和磁束密度は０.9テス
ラ程度である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
薄膜磁気ヘッドの磁性膜は良好な軟磁気特性が得易いＮ
ｉＦｅ系合金薄膜が多用されている。しかし、飽和磁束
密度はせいぜい０.9テスラであり、今後益々の高密度化
のための媒体の高保磁力化に十分対応できるとは言えな
い。また、ＮｉＦｅ系合金薄膜より高い飽和磁束密度を
有する例えば１.2テスラのＦｅＡｌＳｉ系合金膜や１.5
テスラのＦｅＴａＣ合金薄膜を磁気コアに用いてもその
能力には限界があり、ただ単に磁性膜の飽和磁束密度を
高くしてもヘッド特性の大幅な向上は望めない。
薄膜磁気ヘッドの磁性膜は良好な軟磁気特性が得易いＮ
ｉＦｅ系合金薄膜が多用されている。しかし、飽和磁束
密度はせいぜい０.9テスラであり、今後益々の高密度化
のための媒体の高保磁力化に十分対応できるとは言えな
い。また、ＮｉＦｅ系合金薄膜より高い飽和磁束密度を
有する例えば１.2テスラのＦｅＡｌＳｉ系合金膜や１.5
テスラのＦｅＴａＣ合金薄膜を磁気コアに用いてもその
能力には限界があり、ただ単に磁性膜の飽和磁束密度を
高くしてもヘッド特性の大幅な向上は望めない。
【０００７】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、高保磁力媒体に対しても高い記録能力で高感度の
記録再生が可能な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的
としている。
ので、高保磁力媒体に対しても高い記録能力で高感度の
記録再生が可能な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的
としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の薄膜磁気ヘッドは磁気コアを飽和磁束密度
の異なる磁性膜で積層した２層構造としたものである。
に、本発明の薄膜磁気ヘッドは磁気コアを飽和磁束密度
の異なる磁性膜で積層した２層構造としたものである。
【０００９】
【作用】本発明は上記した構成において、高い飽和磁束
密度を有する膜（以下高飽和磁性膜と記す）をギャップ
対向面に配した構成では、ギャップからの記録磁界が急
峻となるため、高い記録能力を持つことができる。一
方、低い飽和磁束密度を有する膜（以下低飽和磁性膜と
記す）をギャップ対向面に配した構成では、記録時には
低飽和磁性膜は、すぐに飽和するためこの部分はギャッ
プとして働く。つまり広いギャップで記録するのと同様
な効果があるので高い記録能力を持つことになる。
密度を有する膜（以下高飽和磁性膜と記す）をギャップ
対向面に配した構成では、ギャップからの記録磁界が急
峻となるため、高い記録能力を持つことができる。一
方、低い飽和磁束密度を有する膜（以下低飽和磁性膜と
記す）をギャップ対向面に配した構成では、記録時には
低飽和磁性膜は、すぐに飽和するためこの部分はギャッ
プとして働く。つまり広いギャップで記録するのと同様
な効果があるので高い記録能力を持つことになる。
【００１０】
【実施例】 （実施例１）本発明の第１の実施例について図１および
図２を参照して詳細に説明する。
図２を参照して詳細に説明する。
【００１１】図１は第１の実施例における薄膜磁気ヘッ
ドを示す断面図である。図１に示すように、Ａｌ2 Ｏ3
−ＴｉＣの非磁性基板１の表面上にＡｌ2 Ｏ3 膜からな
る下部保護膜２を形成し、前記下部保護膜２上にスパッ
タリングによって膜厚３μｍのＮｉＦｅ薄膜からなる下
部磁性膜３を形成し、さらに前記下部磁性膜３上に例え
ばスパッタリング法によって形成されたＡｌ2 Ｏ3 など
の非磁性材料からなる磁気ギャップ４を形成している。
高飽和磁性膜５は下部磁性膜３の一端に接し、他端が下
部磁性膜３に磁気ギャップ４を介して対向するように下
部磁性膜３上にスパッタリング法によって形成された
１.5テスラの飽和磁束密度を有するＦｅＴａＣ薄膜であ
り、膜厚は１μｍである。低飽和磁性膜６は高飽和磁性
膜５上に積層されたこれより低い飽和磁束密度を有する
ＮｉＦｅ膜である。高飽和磁性膜５と低飽和磁性膜６に
よって上部磁性膜を構成する。磁気回路である下部磁性
膜３と上部磁性膜５、６との間を通り交差する所定巻数
のコイル７の相互間およびコイル７と下部磁性膜３並び
に上部磁性膜５、６間を層間絶縁層８により電気的に絶
縁し、上部磁性膜５、６を例えばＡｌ2 Ｏ3 からなる保
護膜９で覆っている。また比較のために、高飽和磁性膜
５を形成せず上部磁性膜が全てＮｉＦｅ膜によって構成
された薄膜磁気ヘッドを作製した。
ドを示す断面図である。図１に示すように、Ａｌ2 Ｏ3
−ＴｉＣの非磁性基板１の表面上にＡｌ2 Ｏ3 膜からな
る下部保護膜２を形成し、前記下部保護膜２上にスパッ
タリングによって膜厚３μｍのＮｉＦｅ薄膜からなる下
部磁性膜３を形成し、さらに前記下部磁性膜３上に例え
ばスパッタリング法によって形成されたＡｌ2 Ｏ3 など
の非磁性材料からなる磁気ギャップ４を形成している。
高飽和磁性膜５は下部磁性膜３の一端に接し、他端が下
部磁性膜３に磁気ギャップ４を介して対向するように下
部磁性膜３上にスパッタリング法によって形成された
１.5テスラの飽和磁束密度を有するＦｅＴａＣ薄膜であ
り、膜厚は１μｍである。低飽和磁性膜６は高飽和磁性
膜５上に積層されたこれより低い飽和磁束密度を有する
ＮｉＦｅ膜である。高飽和磁性膜５と低飽和磁性膜６に
よって上部磁性膜を構成する。磁気回路である下部磁性
膜３と上部磁性膜５、６との間を通り交差する所定巻数
のコイル７の相互間およびコイル７と下部磁性膜３並び
に上部磁性膜５、６間を層間絶縁層８により電気的に絶
縁し、上部磁性膜５、６を例えばＡｌ2 Ｏ3 からなる保
護膜９で覆っている。また比較のために、高飽和磁性膜
５を形成せず上部磁性膜が全てＮｉＦｅ膜によって構成
された薄膜磁気ヘッドを作製した。
【００１２】次に、これら薄膜磁気ヘッドの電磁変換特
性を調べるために、保磁力１８００Ｏｅの金属薄膜媒体
を用い、浮上量０.1μｍにて評価した。その結果を図２
に示す。図から明らかなごとく、本実施例のように磁気
コアがギャップ対向面側から高い飽和磁束密度、低い飽
和磁束密度の順に積層された構造を持つ薄膜磁気ヘッド
は、磁気コアが一定の飽和磁束密度を有する磁性膜より
形成された従来の薄膜磁気ヘッドに比較して、約１.2倍
のＯ／Ｗ特性の改善を図ることができた。なお、本実施
例では上部磁性膜のみを飽和磁束密度の異なる磁性膜を
積層した構造としたが、下部磁性膜３のみ、または上部
磁性膜５、６および下部磁性膜３ともにこの構造として
も同様の効果があることを確認している。また、高飽和
磁性膜５の材料は特に限定するものではなく、ＦｅＴａ
Ｃ以外に例えばＦｅＡｌＳｉ薄膜、Ｃｏ系非晶質薄膜、
ＦｅＣｏＮｉ薄膜であっても同様の改善を図れる。同様
に、低飽和磁性膜６もＮｉＦｅ膜に限定するものではな
い。つまり、高飽和磁性膜５と低飽和磁性膜６を積層し
た二層構造とすることが重要であり、これによって薄膜
磁気ヘッドの特性改善ができる。
性を調べるために、保磁力１８００Ｏｅの金属薄膜媒体
を用い、浮上量０.1μｍにて評価した。その結果を図２
に示す。図から明らかなごとく、本実施例のように磁気
コアがギャップ対向面側から高い飽和磁束密度、低い飽
和磁束密度の順に積層された構造を持つ薄膜磁気ヘッド
は、磁気コアが一定の飽和磁束密度を有する磁性膜より
形成された従来の薄膜磁気ヘッドに比較して、約１.2倍
のＯ／Ｗ特性の改善を図ることができた。なお、本実施
例では上部磁性膜のみを飽和磁束密度の異なる磁性膜を
積層した構造としたが、下部磁性膜３のみ、または上部
磁性膜５、６および下部磁性膜３ともにこの構造として
も同様の効果があることを確認している。また、高飽和
磁性膜５の材料は特に限定するものではなく、ＦｅＴａ
Ｃ以外に例えばＦｅＡｌＳｉ薄膜、Ｃｏ系非晶質薄膜、
ＦｅＣｏＮｉ薄膜であっても同様の改善を図れる。同様
に、低飽和磁性膜６もＮｉＦｅ膜に限定するものではな
い。つまり、高飽和磁性膜５と低飽和磁性膜６を積層し
た二層構造とすることが重要であり、これによって薄膜
磁気ヘッドの特性改善ができる。
【００１３】（実施例２）次に本発明の第２の実施例に
ついて図３を参照しながら説明する。
ついて図３を参照しながら説明する。
【００１４】図３は第２の実施例における薄膜磁気ヘッ
ドを示す断面図である。図３に示すように、Ａｌ2 Ｏ3
−ＴｉＣの非磁性基板１０の表面上にＡｌ2 Ｏ3 膜から
なる下部保護膜１１を形成し、前記下部保護膜１１上に
スパッタリングによって膜厚３μｍのＮｉＦｅ薄膜から
なる下部磁性膜１２を形成し、さらに前記下部磁性膜１
２上にＡｌ2 Ｏ3 などの非磁性材料からなる磁気ギャッ
プを形成している。低飽和磁性膜１４は下部磁性膜１２
の一端に接し、他端が下部磁性膜１２に磁気ギャップ１
３を介して対向するように下部磁性膜１２上にスパッタ
リング法によって形成された０.3テスラの飽和磁束密度
を有するＣｏＴａＺｒ薄膜であり、膜厚は１μｍであ
る。高飽和磁性膜１５は低飽和磁性膜１４上に積層され
たこれより高い０.9テスラの飽和磁束密度を有するＮｉ
Ｆｅ膜である。低飽和磁性膜１４と高飽和磁性膜１５に
よって上部磁性膜を構成する。１６は所定巻数のコイ
ル、１７は層間絶縁層、１８は保護膜である。
ドを示す断面図である。図３に示すように、Ａｌ2 Ｏ3
−ＴｉＣの非磁性基板１０の表面上にＡｌ2 Ｏ3 膜から
なる下部保護膜１１を形成し、前記下部保護膜１１上に
スパッタリングによって膜厚３μｍのＮｉＦｅ薄膜から
なる下部磁性膜１２を形成し、さらに前記下部磁性膜１
２上にＡｌ2 Ｏ3 などの非磁性材料からなる磁気ギャッ
プを形成している。低飽和磁性膜１４は下部磁性膜１２
の一端に接し、他端が下部磁性膜１２に磁気ギャップ１
３を介して対向するように下部磁性膜１２上にスパッタ
リング法によって形成された０.3テスラの飽和磁束密度
を有するＣｏＴａＺｒ薄膜であり、膜厚は１μｍであ
る。高飽和磁性膜１５は低飽和磁性膜１４上に積層され
たこれより高い０.9テスラの飽和磁束密度を有するＮｉ
Ｆｅ膜である。低飽和磁性膜１４と高飽和磁性膜１５に
よって上部磁性膜を構成する。１６は所定巻数のコイ
ル、１７は層間絶縁層、１８は保護膜である。
【００１５】本実施例のギャップ対向面側から順に低飽
和磁性膜１４、高飽和磁性膜１５を積層した構造とする
ことで、記録再生特性の向上を図ることができる。ただ
し、低飽和磁性膜１４は高い飽和磁束密度の半分以下と
することが望ましい。
和磁性膜１４、高飽和磁性膜１５を積層した構造とする
ことで、記録再生特性の向上を図ることができる。ただ
し、低飽和磁性膜１４は高い飽和磁束密度の半分以下と
することが望ましい。
【００１６】（実施例３）次に本発明の第３の実施例に
ついて図４および（表１）を参照しながら説明する。
ついて図４および（表１）を参照しながら説明する。
【００１７】高い飽和磁束密度を有する磁性膜を鍍金用
の下地電極膜として用いた実施例について示す。
の下地電極膜として用いた実施例について示す。
【００１８】図４は本実施例の薄膜磁気ヘッドを示す断
面図である。図４に示すようにＡｌ 2 Ｏ3 −ＴｉＣの非
磁性基板１９の表面上にＡｌ2 Ｏ3 膜からなる下部保護
膜２０を形成し、前記下部保護膜２０上にスパッタリン
グ法によって膜厚０.3μｍのＮｉＦｅからなる下地電極
膜２１を形成し、また前記下地電極膜２１上に鍍金法に
よってＮｉＦｅ薄膜からなる下部磁性膜２２を形成し、
さらに前記下部磁性膜２２上にスパッタリング法によっ
てＡｌ2 Ｏ3 などの非磁性材料からなる磁気ギャップ２
３を形成している。上部磁性膜用の下地電極膜２４はス
パッタリング法によって形成された１.5テスラの飽和磁
束密度を有する０.3μｍ厚のＦｅＣｏＮｉ薄膜である。
上部磁性膜２５は下地電極膜２４上に鍍金法によって形
成されたＮｉＦｅ薄膜であり、膜厚は３μｍである。磁
気回路である下部磁性膜２２と上部磁性膜２５との間を
通り交差する所定巻数のコイル２６の相互間およびコイ
ル２６と下部磁性膜２２並びに上部磁性膜２５間を層間
絶縁層２７により電気的に絶縁し、上部磁性膜２５をＡ
ｌ2 Ｏ3 からなる保護膜２８で覆っている。
面図である。図４に示すようにＡｌ 2 Ｏ3 −ＴｉＣの非
磁性基板１９の表面上にＡｌ2 Ｏ3 膜からなる下部保護
膜２０を形成し、前記下部保護膜２０上にスパッタリン
グ法によって膜厚０.3μｍのＮｉＦｅからなる下地電極
膜２１を形成し、また前記下地電極膜２１上に鍍金法に
よってＮｉＦｅ薄膜からなる下部磁性膜２２を形成し、
さらに前記下部磁性膜２２上にスパッタリング法によっ
てＡｌ2 Ｏ3 などの非磁性材料からなる磁気ギャップ２
３を形成している。上部磁性膜用の下地電極膜２４はス
パッタリング法によって形成された１.5テスラの飽和磁
束密度を有する０.3μｍ厚のＦｅＣｏＮｉ薄膜である。
上部磁性膜２５は下地電極膜２４上に鍍金法によって形
成されたＮｉＦｅ薄膜であり、膜厚は３μｍである。磁
気回路である下部磁性膜２２と上部磁性膜２５との間を
通り交差する所定巻数のコイル２６の相互間およびコイ
ル２６と下部磁性膜２２並びに上部磁性膜２５間を層間
絶縁層２７により電気的に絶縁し、上部磁性膜２５をＡ
ｌ2 Ｏ3 からなる保護膜２８で覆っている。
【００１９】かかる薄膜磁気ヘッドによれば、前記した
実施例１と同様に電磁変換特性の著しい改善が図れる。
実施例１と同様に電磁変換特性の著しい改善が図れる。
【００２０】次に、下地電極膜２１、２４の膜厚、種類
について調べるために種々の薄膜磁気ヘッドを作製し、
電磁変換特性を評価した。
について調べるために種々の薄膜磁気ヘッドを作製し、
電磁変換特性を評価した。
【００２１】その結果を（表１）に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】（表１）より明らかなように、下地電極膜
２１、２４の飽和磁束密度がその上に鍍金されるＮｉＦ
ｅ薄膜２２、２５の飽和磁束密度０.9テスラより高いか
または０.4テスラより低ければ、ＮｉＦｅ薄膜を下地電
極膜として用いた従来の薄膜磁気ヘッドに比べ優れた電
磁変換特性を有することがわかる。
２１、２４の飽和磁束密度がその上に鍍金されるＮｉＦ
ｅ薄膜２２、２５の飽和磁束密度０.9テスラより高いか
または０.4テスラより低ければ、ＮｉＦｅ薄膜を下地電
極膜として用いた従来の薄膜磁気ヘッドに比べ優れた電
磁変換特性を有することがわかる。
【００２４】磁性膜の種類はヘッド特性に関係なく、重
要なのは下地電極膜２１、２４の飽和磁束密度がＮｉＦ
ｅ薄膜２２、２５のそれより高いか、または０.4テスラ
より低いかである。また、ヘッド特性の面からは膜厚は
特に限定されるものではないが、プロセスの面からは膜
厚によって種々の問題を生じる。例えば、ＮｉＦｅ薄膜
が磁気コアパターンの形状に鍍金された後、下地電極膜
２１、２４は磁気コアパターン以外の不必要な部分はケ
ミカルエッチやミリングによって除去される。よって、
下地電極膜２１、２４が厚すぎるとミリングでの除去時
の再付着などを生じさせる。下地電極膜２１、２４の膜
厚は、ヘッド特性に強く影響しないので、プロセスにあ
った膜厚を選択すれば良いことになる。
要なのは下地電極膜２１、２４の飽和磁束密度がＮｉＦ
ｅ薄膜２２、２５のそれより高いか、または０.4テスラ
より低いかである。また、ヘッド特性の面からは膜厚は
特に限定されるものではないが、プロセスの面からは膜
厚によって種々の問題を生じる。例えば、ＮｉＦｅ薄膜
が磁気コアパターンの形状に鍍金された後、下地電極膜
２１、２４は磁気コアパターン以外の不必要な部分はケ
ミカルエッチやミリングによって除去される。よって、
下地電極膜２１、２４が厚すぎるとミリングでの除去時
の再付着などを生じさせる。下地電極膜２１、２４の膜
厚は、ヘッド特性に強く影響しないので、プロセスにあ
った膜厚を選択すれば良いことになる。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明
は、磁気コアを飽和磁束密度の異なる磁性膜を積層した
構造とすることにより、磁気ギャップに発生する磁界が
急峻または増加するため、高保磁力媒体に対しても十分
に記録することができる。したがって、再生出力が高く
Ｏ／Ｗの良い優れた電磁変換特性を有する薄膜磁気ヘッ
ドを提供することができる。
は、磁気コアを飽和磁束密度の異なる磁性膜を積層した
構造とすることにより、磁気ギャップに発生する磁界が
急峻または増加するため、高保磁力媒体に対しても十分
に記録することができる。したがって、再生出力が高く
Ｏ／Ｗの良い優れた電磁変換特性を有する薄膜磁気ヘッ
ドを提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例の薄膜磁気ヘッドの断面
図
図
【図２】同、薄膜磁気ヘッドのＯ／Ｗ特性を示す特性図
【図３】本発明の第２の実施例の薄膜磁気ヘッドの断面
図
図
【図４】本発明の第３の実施例の薄膜磁気ヘッドの断面
図
図
３ 下部磁性膜 ４ 磁気ギャップ ５ 高飽和磁性膜 ６ 低飽和磁性膜
Claims (5)
- 【請求項１】下部磁性膜と、前記下部磁性膜上に磁気ギ
ャップを介して上部磁性膜を形成する薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記下部磁性膜または前記上部磁性膜の少なく
とも一方が飽和磁束密度の異なる磁性膜を２層に積層し
て磁気コアを構成した薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】２層の磁性膜が磁気ギャップに接する側か
ら高い飽和磁束密度を有する膜ついで低い飽和磁束密度
を有する膜の順に積層した構成とする請求項１記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】２層の磁性膜が磁気ギャップに接する側か
ら０.4テスラ以下の低い飽和磁束密度を有する膜ついで
高い飽和磁束密度を有する膜の順に積層した構成とする
請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】電気鍍金法を用いて形成されたＮｉＦｅ系
合金膜を上部磁性膜とする薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記ＮｉＦｅ系合金薄膜より飽和磁束密度の高い磁性膜を
下地電極膜とした薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】電気鍍金法を用いて形成されたＮｉＦｅ系
合金膜を上部磁性膜とする薄膜磁気ヘッドにおいて、飽
和磁束密度が０.4テスラ以下の磁性膜を下地電極膜とし
た薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34777792A JPH06195637A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34777792A JPH06195637A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06195637A true JPH06195637A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18392509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34777792A Pending JPH06195637A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06195637A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100243629B1 (ko) * | 1996-04-26 | 2000-02-01 | 아끼구사 나오유끼 | 박막자기헤드,그 제조방법 및 자기기록재생장치 |
| US6025978A (en) * | 1996-12-20 | 2000-02-15 | Read-Rite Smi Corporation | Composite type thin-film magnetic head with improved recording characteristics and high resolution |
| KR100346287B1 (ko) * | 1998-07-02 | 2002-07-26 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 박막자기헤드 및 그의 제조방법 |
| US6780530B2 (en) | 1999-10-06 | 2004-08-24 | Nec Corporation | Magnetic material having a high saturation magnetic flux density and a low coercive force |
| US6795271B2 (en) | 2000-01-05 | 2004-09-21 | Nec Corporation | Recording head, recording head manufacturing method, combined head and magnetic recording/reproduction apparatus |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP34777792A patent/JPH06195637A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100243629B1 (ko) * | 1996-04-26 | 2000-02-01 | 아끼구사 나오유끼 | 박막자기헤드,그 제조방법 및 자기기록재생장치 |
| US6025978A (en) * | 1996-12-20 | 2000-02-15 | Read-Rite Smi Corporation | Composite type thin-film magnetic head with improved recording characteristics and high resolution |
| KR100346287B1 (ko) * | 1998-07-02 | 2002-07-26 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 박막자기헤드 및 그의 제조방법 |
| US6780530B2 (en) | 1999-10-06 | 2004-08-24 | Nec Corporation | Magnetic material having a high saturation magnetic flux density and a low coercive force |
| US6795271B2 (en) | 2000-01-05 | 2004-09-21 | Nec Corporation | Recording head, recording head manufacturing method, combined head and magnetic recording/reproduction apparatus |
| US7173793B2 (en) | 2000-01-05 | 2007-02-06 | Nec Corporation | Recording head, recording head manufacturing method, combined head and magnetic recording/reproduction apparatus |
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