JP3175277B2

JP3175277B2 - 薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JP3175277B2
Application number: JP07892192A
Authority: JP
Inventors: 克行広中; 栄次田中; 健二香取; 広之大森; 和彦林; 興一阿蘇
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-02-29
Filing date: 1992-02-29
Publication date: 2001-06-11
Anticipated expiration: 2016-06-11
Also published as: JPH05242428A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ビデオテープレコーダ
等の磁気記録再生装置に適用される薄膜磁気ヘッドに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、薄膜磁気ヘッドはフェライト等
からなる基板（ウエハ）上に下層コアを形成し、この上
面に絶縁膜を介して単層又は複数層のコイル導体をスパ
イラル状に形成し、さらにこの上に絶縁膜を介して上層
コアを積層形成し、これを保護膜で覆って形成されるも
のであり、上記下層コア及び上層コアによって磁気回路
部が構成されるものである。

【０００３】そして、上述の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、生産性並びに経済性等を考慮して前記磁気回路部
（下層コアあるいは上層コア）をいわゆるフレームメッ
キ法により形成し、磁気ギャップのトラック幅を規制す
ることが行われている。前記フレームメッキ法は、基板
上に予め導電金属よりなる電極層を形成しておき、この
上にコアの形状に応じてレジストフレームを形成し、下
層コアあるいは上層コアとなる軟磁性層をメッキするも
ので、最終的には前記レジストフレーム内の軟磁性層の
みを残存せしめ、下層コアまたは上層コアとするもので
ある。

【０００４】ところで、上述のフレームメッキ法により
下層コアあるいは上層コアを形成する場合、前記電極層
もコアの一部として残存するため、通常はＣｒ層と軟磁
性下地層の２層構造とすることが広く行われており、例
えば磁気回路部をパーマロイで形成する場合には、前記
軟磁性下地層もパーマロイのスパッタ膜とするのが一般
的である。このような２層構造とすれば、電極である軟
磁性下地層もコアの一部として機能し、下層コア、上層
コアの磁気特性を確保する上で有利である。

【０００５】しかしながら、前記軟磁性下地層と軟磁性
層が同じ磁性材料（例えばパーマロイ等）から形成され
ていると、軟磁性層のエッチングの際にエッチング液に
よって電極層として機能する軟磁性下地層まで侵食され
てしまい、レジストフレーム外の軟磁性膜のみならずレ
ジストフレーム内の軟磁性層までオーバーエッチングさ
れてしまう問題が生じている。

【０００６】例えば、図７に示すように、Ｃｒ金属層３
５及びパーマロイのスパッタ膜よりなる軟磁性下地層３
６を積層形成した基板３１上にレジストフレーム４１を
形成し、メッキ法によってパーマロイメッキ層３２を成
膜し、さらに上記レジストフレーム４１を覆ってレジス
トカバー４２を形成した後、レジストフレーム４１外の
パーマロイメッキ層３２ａをエッチング除去し、レジス
トフレーム４１内のパーマロイメッキ層３２のみを残存
させることにより下層コアや上層コアが形成される。

【０００７】このとき、軟磁性下地層３６及びパーマロ
イメッキ層３２は共にパーマロイで形成されており、当
然エッチング液に対するエッチングレートがほぼ等しい
ことから、図８に示すように、レジストフレーム４１外
のパーマロイメッキ層３２ａを除去する際、該パーマロ
イメッキ層３２ａのみならず、その下に位置する軟磁性
下地層３６までもがエッチングされてしまい、レジスト
フレーム４１の下方より侵食が進み、下層コアあるいは
上層コアとして必要なレジストフレーム４１内部のパー
マロイメッキ層３２までもがオーバーエッチングされて
しまう虞れがある。

【０００８】前述のようなオーバーエッチングが生ずる
と、トラック幅の精度を確保することができず、得られ
る薄膜磁気ヘッドの信頼性を大きく損なうことになる。
このため、上述のフレームメッキ法による薄膜磁気ヘッ
ドの製造においては、エッチング液やエッチング時間等
の厳密な管理、さらにはレジストフレームの幅を広げる
等の対策が必要である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の従来
技術が有する問題点を解決するため提案されたものであ
って、レジストフレーム内の軟磁性層のオーバーエッチ
ングを防止し、信頼性や歩留りの点で優れた薄膜磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。さらに本発明は、エ
ッチング液やエッチング時間の厳重な管理やレジストフ
レームの拡大の必要がなく、磁気特性に優れ製造が容易
な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために、基板上に下層コア、コイル導体、上層
コアが順次積層され、前記下層コア及び上層コアによっ
て閉磁路が構成されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、上
記下層コア及び／又は上層コアが耐エッチング性軟磁性
下地層と軟磁性層からなる積層構造を有し、上記耐エッ
チング性軟磁性下地層がＣｏを含有するＣｏ系軟磁性材
料又は窒素を含有するＮｉＦｅ系軟磁性材料からなり、
その膜厚が３００Å〜５０００Åであり、軟磁性層のエ
ッチング液に対するエッチングレートを１としたとき耐
エッチング性軟磁性下地層のエッチングレートが０．５
以下であることを特徴とするものである。

【００１１】

【作用】本発明の薄膜磁気ヘッドは、電極層として設け
られる軟磁性下地層が耐エッチング性を有し、コアを構
成する軟磁性層に比べてエッチング液に対するエッチン
グレートが半分以下である。したがって、レジストフレ
ーム外の軟磁性層をエッチング除去するとき、レジスト
フレーム外の不要な軟磁性層部分のみ完全に除去でき、
軟磁性下地層がエッチングされてレジストフレーム内の
軟磁性層がオーバーエッチングされることはない。

【００１２】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１３】先ず、実施例の薄膜磁気ヘッドの基本構造
を図１に示す。この薄膜磁気ヘッドは、図１に示すよう
に、基板１１上に下層コア１２、コイル導体１４、上層
コア１３が絶縁層を介して順次積層され、前記下層コア
１２及び上層コア１３によって磁気回路部が構成されて
なるものである。

【００１４】上記基板１１には、例えばフェライト等の
酸化物磁性材料の他、セラミクス等の非磁性材料等も使
用される。そして、この基板１１上には、Ｃｒ等からな
る金属層１５、耐エッチング性軟磁性下地層（以下単に
軟磁性下地層と称する。）１６及び軟磁性層１０がこの
順序で積層形成され、前記軟磁性下地層１６と軟磁性層
１０が下層コア１２としてトラック幅方向に対して略直
交する方向、すなわち後述するフロントギャップＦＧの
デプス方向に延在する如く所定の形状で形成されてい
る。

【００１５】ここで、上記金属層１５は、基板１１及び
軟磁性下地層１６との密着性を高める繋ぎの膜として機
能するものであり、例えば、密着性の良いＣｒやＴｉ等
の金属材料からなっている。また、軟磁性下地層１６
は、前記金属層１５と共に軟磁性層１０をフレームメッ
キする際の電極として機能するとともに、軟磁性層１０
と共に下層コアとしても機能するものであり、したがっ
て良好な導電性を有するとともに軟磁気特性にも優れた
材料が選択使用される。

【００１６】さらに、前記軟磁性下地層１６は、軟磁性
層１０に比べてエッチング液に対するエッチングレート
が小さいことが必要であり、軟磁性層１０のエッチング
液に対するエッチングレートを１としたときに軟磁性下
地層１６のエッチングレートが０．５以下となるような
材料が選択的に使用される。

【００１７】上記下層コア１２上には、後述する上層コ
ア１３とのバック側における磁気的結合部を取り囲むよ
うにしてスパイラル状のコイル導体１４が、例えばＳｉ
Ｏ₂等からなる絶縁膜１９介して形成されている。な
お、本実施例ではコイル導体１４を単層のコイル導体と
しているが、多層コイルとしても良いことは言うまでも
ない。

【００１８】そして、コイル導体１４を覆って設けられ
る絶縁膜２０上には、上記下層コア１２と共働して磁気
回路部を構成する上層コア１３が形成されている。上層
コア１３はコイル導体１４をその中央部に挟み込むよう
な形で設けられ、磁気記録媒体（図示せず）との対接面
側でギャップ膜１７を介して下層コア１２と対向配置さ
れてフロントギャップＦＧを形成すると共に、スパイラ
ル状のコイル導体１４の中央部で下層コア１２と磁気的
に結合してバックギャップＢＧを形成するようになって
いる。

【００１９】なお、上記上層コア１３も、先の下層コア
１２と同様、金属層、軟磁性下地層及び軟磁性層から構
成されることが好ましいが、ここではそれらの図示は省
略する。また、上層コア１３の上には、これら下層コア
１２、上層コア１３及びコイル導体１４よりなる磁気回
路部を保護すると共に、磁気記録媒体に対する当たりを
確保するための保護膜層１８が設けられている。

【００２０】次に、上述の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
ついて図２乃至図５を参照しながら説明する。

【００２１】上述の薄膜磁気ヘッドを作成するには、先
ず、図２に示すように、基板１１上に例えばＣｒやＴｉ
等からなる金属層１５をスパッタ法等により成形し、そ
の上に軟磁性材料からなる軟磁性下地層１６をスパッタ
法等の手法により３００Å〜５０００Åの膜厚をもって
形成する。これにより、後述する軟磁性層１０の下地
（すなわち電極層）が形成される。

【００２２】次いで、図３に示すように、上記軟磁性下
地層１６の上に所望のコア形状に応じてレジストよりな
るレジストフレーム２１をフォトリゾグラフィー技術に
より形成する。

【００２３】そして、図４及び図５に示すように、上記
レジストフレーム２１を除く軟磁性下地層１６上全面に
軟磁性層膜１０をメッキした後、レジストフレーム２１
内の軟磁性層膜１０を覆ってレジストカバー２２を形成
し、湿式エッチングによって上記レジストフレーム２１
外の軟磁性層１０ａを除去する。これによって、下層コ
ア１２が形成される。

【００２４】以下、下層コア１２上に絶縁膜１９、コイ
ル導体１４、絶縁膜１９を順次積層形成し、下層コア１
２と同様の手法により上層コア１３を形成した後、絶縁
膜２０を介して保護膜１８を積層し、磁気記録媒体に対
する対接面を研磨して磁気ギャップのデプス出しを行う
ことで、薄膜磁気ヘッドを形成することができる。

【００２５】ここで、基板上に形成される軟磁性下地層
１６は膜厚３００Å〜５０００Åとなるようにスパッタ
法等により成膜する。これは、例えば、当該軟磁性下地
層１６の膜厚が３００Å以下の場合、この軟磁性下地層
１６における電気抵抗が高くなりすぎてしまい、均一な
メッキ膜厚及び膜組成を実現することができないからで
ある。また軟磁性下地層１６の膜厚を５０００Å以下と
するのは、軟磁性層１０を湿式エッチングした後、軟磁
性下地層１６及び金属層１５をドライエッチングする際
に、取り除く軟磁性下地層１６部分が厚すぎるとトラッ
ク幅精度が低下してしまうからである。

【００２６】上述した薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、軟磁性下地層１６は、軟磁性層１０をメッキ法等に
より積層形成させる際の電極用材料としてだけでなく、
エッチングの際に上記軟磁性層１０がオーバーエッチン
グされないようにするための機能も果たしている。その
ため、軟磁性下地層１６には、軟磁性層１０と比較し
て、エッチング溶液に対する耐エッチング性の優れた耐
エッチング性軟磁性材料であることが要求される。

【００２７】そこで、本発明に好適な耐エッチング性軟
磁性下地層用の耐エッチング性軟磁性材料について、実
験結果に基づいて説明する。

【００２８】実験例１先ず、軟磁性層をパーマロイ〔Ｎｉ_81.5Ｆｅ_18.5（原子
％）〕とし、軟磁性下地層の組成を種々変更した数種類
の薄膜試料を用いて、レジストフレーム外のパーマロイ
軟磁性層をエッチング除去する際にレジストフレーム内
のパーマロイがオーバーエッチングされる割合を調べ
た。

【００２９】実験に際しては、基板上に種々組成の軟磁
性材料を１０００Å成膜し、次いで各軟磁性下地層上に
フレーム幅５μｍのレジストパターニングを施した後、
パーマロイ層を３μｍ成膜し薄膜試料を作製した。そし
て、この薄膜試料について、２０％塩化第二鉄（重量
％）及び３％塩酸（重量％）を含む液温５０℃のエッチ
ング溶液にて３分間エッチングを行った。

【００３０】ここで、上記エッチング溶液によりパーマ
ロイ層がエッチングされるときのエッチングレートを
１．０とする。そして、このパーマロイ層のエッチング
レートに対して軟磁性下地層がエッチングされるときの
エッチングレートと、そのときレジストフレーム内のパ
ーマロイ軟磁性層がオーバーエッチングされる割合との
関係を調べた。その結果を図６に示す。なお、エッチン
グレートは、同じ大きさのサンプルが全て溶解するまで
の時間で評価した。

【００３１】その結果、パーマロイ層のエッチングレー
トに対して、エッチングレートが０．５以下である軟磁
性材料を適用した軟磁性下地層からなる薄膜ヘッドで
は、レジストフレーム内のパーマロイ層のオーバーエッ
チングされる割合が著しく減少し、エッチングレートが
０．３以下である軟磁性下地層からなる薄膜ヘッドでは
殆どレジストフレーム内のパーマロイ層がオーバーエッ
チングされないことがわかった。

【００３２】そこで、以下の実験では、さらに具体的な
組み合わせにより、オーバーエッチングの有無を確認し
た。

【００３３】実験例２基板上にＣｒ金属層を５００Å成膜し、この上面にスパ
ッタ法により軟磁性下地層〔Ｃｏ₇₈Ｆｅ₅Ｓｎ₅Ｐ
₁₂（数値は組成を原子％で表す。以下同じ。）〕を１０
００Å成膜した。次にレジストパターニングを施した
後、メッキ法によって軟磁性層〔Ｃｏ₇₈Ｆｅ₅Ｐ₁₇〕を
３μｍ成膜し薄膜試料を作製した。この薄膜試料に対
し、２０％塩化第二鉄（重量％）及び３％塩酸（重量
％）を含む液温４０℃のエッチング溶液にて３分間エッ
チングを行った。

【００３４】このとき、軟磁性層〔Ｃｏ₇₈Ｆｅ₅Ｐ₁₇〕
のエッチングレートを１．０としたとき、この軟磁性層
に対する軟磁性下地層〔Ｃｏ₇₈Ｆｅ₅Ｓｎ₅Ｐ₁₂〕のエ
ッチングレートは０．３であったが、前記エッチングの
結果、軟磁性層は除去されたが、レジストパターン下部
の軟磁性下地層は全くエッチングされなかった。

【００３５】実験例３基板上にＴｉ金属層を５００Å成膜し、この上にスパッ
タ法により軟磁性下地層〔Ｃｏ₇₁Ｆｅ₄Ｓｉ₁₄Ｂ₉Ｃｒ
₂〕を１０００Å成膜した。次にレジストパターニング
を施した後、メッキ法によりアモルファス軟磁性層〔Ｃ
ｏ₇₈Ｆｅ₅Ｓｎ ₇Ｐ₁₀〕を３μｍ成膜し薄膜試料を作製
した。この薄膜試料に対し、２０％塩化第二鉄（重量
％）及び３％塩酸（重量％）を含む液温４０℃のエッチ
ング溶液にて３分間エッチングを行った。

【００３６】軟磁性層〔Ｃｏ₇₈Ｆｅ₅Ｓｎ₇Ｐ₁₀〕のエ
ッチングレートを１．０としたとき、この軟磁性層に対
する軟磁性下地層〔Ｃｏ₇₁Ｆｅ₄Ｓｉ₁₄Ｂ₉Ｃｒ₂〕の
エッチングレートは０．３であり、前記エッチングの結
果、軟磁性層膜は除去されたが、レジストフレーム下部
の軟磁性下地層は全くエッチングされなかった。

【００３７】

【００３８】

【００３９】実験例４基板上にスパッタ法により軟磁性下地層〔Ｃｏ₈₅Ｔａ₅
Ｚｒ₁₀〕を成膜し、その上にレジストパターニングを施
した後、メッキ法によりアモルファスメッキ軟磁性層
〔Ｃｏ₇₈Ｆｅ₅ Ｓｎ₇ Ｐ₁₀〕を成膜し薄膜試料を作製し
た。この薄膜試料に対し、２０％塩化第二鉄（重量％）
及び３％塩酸（重量％）を含む液温４０℃のエッチング
溶液にて３分間エッチングを行った。

【００４０】軟磁性層〔Ｃｏ₇₈Ｆｅ₅Ｓｎ₇Ｐ₁₀〕のエ
ッチングレートを１．０としたとき、この軟磁性層に対
する軟磁性下地層〔Ｃｏ₈₅Ｆｅ₅Ｚｒ₁₀〕のエッチング
レートは０．５以下であり、レジストパターン下部の軟
磁性下地層は全くエッチングされなかった。

【００４１】その他、下記の軟磁性材料を軟磁性下地層
とした場合にも、エッチングレートが０．５以下となる
ことがわかった。 (1) Ｃｏ_(100-x-y)Ｔａ_xＺｒ_y （ただし、２≦ｘ≦１５、３≦ｙ≦１５である。） (2) Ｃｏ_(100-x-y)Ｎｂ_xＴａ_y （ただし、２≦ｘ≦１５、２≦ｙ≦１５である。） (3) Ｃｏ_(100-x-y)Ｎｂ_xＺｒ_y （ただし、２≦ｘ≦１５、３≦ｙ≦１５である。） (4) Ｃｏ_(100-x-y)Ｐｄ_xＺｒ_y （ただし、１≦ｘ≦５、３≦ｙ≦１５である。） (5) Ｃｏ_(100-x-y)Ｐｔ_xＺｒ_y （ただし、１≦ｘ≦５、３≦ｙ≦１５である。） (6) Ｃｏ_{(100-x-y-z-w)}Ｆｅ_xＺｒ_yＹ_ZＮ_W （ただし、０≦ｘ≦７、３≦ｙ≦１０、２≦ｚ≦１０、
０≦ｗ≦１０である。）〔なお、上記ｘ，ｙ，ｚ，ｗは各元素の割合（原子％）
を表す。〕

【００４２】実験例５基板上にスパッタ法により軟磁性下地層〔Ｎｉ₇₇Ｆｅ₁₅
Ｎｂ₅ Ｎ₃ 〕を成膜し、その上にレジストパターニング
を施した後、メッキ法によりパーマロイ軟磁性層〔Ｎｉ
_(100-x) Ｆｅ_x （１７≦ｘ≦２３）〕を成膜し薄膜試料
を作製した。この薄膜試料に対し、２０％塩化第二鉄
（重量％）を含む液温４０℃のエッチング溶液にて３分
間エッチングを行った。

【００４３】その結果、軟磁性層〔Ｎｉ_(100-x)Ｆｅ_x
（１７≦ｘ≦２３）〕のエッチングレートを１．０とし
たとき、この軟磁性層に対する軟磁性下地層〔Ｎｉ₇₇Ｆ
ｅ₁₅Ｎｂ₅Ｎ₃〕のエッチングレートは０．５以下であ
り、レジストパターン下部の軟磁性下地層は全くエッチ
ングされなかった。

【００４４】その他、下記の軟磁性材料を軟磁性下地層
とした場合にも、エッチングレートが０．５以下となる
ことがわかった。 (a) Ｎｉ_(100-x-y-z) Ｆｅ_x Ｎｂ_y Ｎ_Z （ただし、１５≦ｘ≦２５、２≦ｙ≦１０、１≦ｚ≦１
０である。） (b) Ｎｉ_(100-x-y-z) Ｆｅ_x Ｔａ_y Ｎ_Z （ただし、１５≦ｘ≦２５、２≦ｙ≦１０、１≦ｚ≦１
０である。） (c) Ｎｉ_(100-x-y-z) Ｆｅ_x Ｚｒ_y Ｎ_Z （ただし、１５≦ｘ≦２５、３≦ｙ≦１０、１≦ｚ≦１
０である。） (d) Ｎｉ_(100-x-y-z) Ｆｅ_x Ｙ_y Ｎ_Z （ただし、１５≦ｘ≦２５、３≦ｙ≦１０、１≦ｚ≦１
０である。） (e) Ｎｉ_(100-x-y-z) Ｆｅ_x Ｓｎ_y Ｎ_Z （ただし、１５≦ｘ≦２５、３≦ｙ≦１５、１≦ｚ≦１
０である。） (f) Ｎｉ_(100-x-y-z) Ｆｅ_x Ｍｏ_y Ｎ_Z （ただし、１５≦ｘ≦２５、３≦ｙ≦１０、１≦ｚ≦５
である。）〔なお、上記ｘ，ｙ，ｚ，は各元素の割合（原子％）を
表す。〕

【００４５】上述の耐エッチング性軟磁性材料におい
て、例えば添加元素Ｆｅの組成ｘが１５原子％未満また
は２５原子％を越える領域では、保磁力Ｈc は１０ｅ以
上を示し、また、結晶の磁気異方性または磁気ひずみ
（いわゆる磁歪効果）が大きくなってしまう。そのた
め、上記耐エッチング性軟磁性材料においては、Ｆｅの
組成ｘを、１５原子％〜２５原子％とすることが好まし
い。

【００４６】また、添加元素Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｙ、Ｓ
ｎ、Ｍｏの組成ｙが３原子％未満の領域では、パーマロ
イのエッチングレートを１としたとき、このパーマロイ
に対するエッチングレートが０．５以上になり、エッチ
ング溶液に対する耐エッチング特性に劣ってしまう。さ
らに、前記添加元素の組成ｙが１０原子％を越える領域
（Ｓｎにおいては１５原子％を越える領域）では、磁束
密度が５ｋＧ以下になり、さらに磁歪が５×１０^-6以上
と大きな値になってしまう。

【００４７】さらに、窒素Ｎの組成ｚが１原子％未満の
領域では、保磁力Ｈc が１０ｅ以上となってしまい、ま
た１０原子％を越える領域では、飽和磁束密度が５ｋＧ
以下になり、また磁歪が５×１０^-6以上と大きな値にな
ってしまう。そのため、Ｎの組成ｚは１原子％〜１０原
子％とすることが好ましい。

【００４８】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係る薄膜磁気ヘッドにおいては、下層コア及び／又
は上層コアが耐エッチング性軟磁性下地層と軟磁性層か
らなる積層構造を有し、前記耐エッチング性軟磁性下地
層のエッチングレートを軟磁性層の半分以下にしている
ので、フレームメッキ法によってコアを形成した場合に
レジストフレーム外の不要な軟磁性層部分のみを容易に
かつ確実に取り除くことができ、しかもレジストフレー
ム内の軟磁性層のオーバーエッチングを防止することが
できる。

【００４９】したがって、トラック幅精度に優れ、信頼
性や歩留りに優れた薄膜磁気ヘッドを提供することが可
能である。

【００５０】また、それに伴って、エッチング工程にお
けるエッチング液やエッチング時間等の厳密な管理が不
要であり、レジストフレームの幅を広くする等の対策を
講じる必要もないことから、製造工程上非常に有利であ
る。さらに、レジストフレームの幅を狭くできることか
ら、レジストの影響により発生する薄膜ヘッド先端部分
の磁区の乱れや、さらには、薄膜ヘッドの組成、膜厚等
のバラツキを抑制することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例の概略
構成を示す断面図である。

【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を工程
順に示すものであり、軟磁性下地層形成工程を示す概略
断面図である。

【図３】フレーム形成及び軟磁性層メッキ工程を示す概
略断面図である。

【図４】レジストカバー形成工程を示す概略断面図であ
る。

【図５】軟磁性層のエッチング工程を示す概略断面図で
ある。

【図６】パーマロイ層に対する種々組成の軟磁性下地層
のエッチングレートと、そのときレジストフレーム内の
パーマロイ軟磁性層がオーバーエッチングされる割合と
の相関関係を示す特性図である。

【図７】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における軟磁
性層のエッチング前の状態を示す概略断面図である。

【図８】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における軟磁
性層のエッチング後の状態を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１０・・・・・軟磁性層１１・・・・・基板１２・・・・・下層コア１３・・・・・上層コア１４・・・・・コイル導体１５・・・・・金属層１６・・・・・軟磁性下地層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大森広之東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者林和彦東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者阿蘇興一東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (56)参考文献特開昭63−193313（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/31

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に下層コア、コイル導体、上層コ
アが順次積層され、前記下層コア及び上層コアによって
閉磁路が構成されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、上記下層コア及び／又は上層コアが耐エッチング性軟磁
性下地層と軟磁性層からなる積層構造を有し、上記耐エッチング性軟磁性下地層がＣｏを含有するＣｏ
系軟磁性材料又は窒素を含有するＮｉＦｅ系軟磁性材料
からなり、その膜厚が３００Å〜５０００Åであり、軟
磁性層のエッチング液に対するエッチングレートを１と
したとき耐エッチング性軟磁性下地層のエッチングレー
トが０．５以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項２】上記Ｃｏを含有するＣｏ系軟磁性材料
は、 (1) Ｃｏ_(100-x-y) Ｔａ_x Ｚｒ_y （ただし、２≦ｘ≦１５、３≦ｙ≦１５である。） (2) Ｃｏ_(100-x-y) Ｎｂ_x Ｔａ_y （ただし、２≦ｘ≦１５、２≦ｙ≦１５である。） (3) Ｃｏ_(100-x-y) Ｎｂ_x Ｚｒ_y （ただし、２≦ｘ≦１５、３≦ｙ≦１５である。） (4) Ｃｏ_(100-x-y) Ｐｄ_x Ｚｒ_y （ただし、１≦ｘ≦５、３≦ｙ≦１５である。） (5) Ｃｏ_(100-x-y) Ｐｔ_x Ｚｒ_y （ただし、１≦ｘ≦５、３≦ｙ≦１５である。） (6) Ｃｏ_{(100-x-y-z-w)} Ｆｅ_x Ｚｒ_y Ｙ_Z Ｎ_W （ただし、０≦ｘ≦７、３≦ｙ≦１０、２≦ｚ≦１０、
０≦ｗ≦１０である。）〔なお、上記ｘ，ｙ，ｚ，ｗは各元素の割合（原子％）
を表す。〕から選ばれる少なくとも１種であることを特
徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】上記窒素を含有するＮｉＦｅ系軟磁性材
料は、 (a) Ｎｉ_(100-x-y-z) Ｆｅ_x Ｎｂ_y Ｎ_Z （ただし、１５≦ｘ≦２５、２≦ｙ≦１０、１≦ｚ≦１
０である。） (b) Ｎｉ_(100-x-y-z) Ｆｅ_x Ｔａ_y Ｎ_Z （ただし、１５≦ｘ≦２５、２≦ｙ≦１０、１≦ｚ≦１
０である。） (c) Ｎｉ_(100-x-y-z) Ｆｅ_x Ｚｒ_y Ｎ_Z （ただし、１５≦ｘ≦２５、３≦ｙ≦１０、１≦ｚ≦１
０である。） (d) Ｎｉ_(100-x-y-z) Ｆｅ_x Ｙ_y Ｎ_Z （ただし、１５≦ｘ≦２５、３≦ｙ≦１０、１≦ｚ≦１
０である。） (e) Ｎｉ_(100-x-y-z) Ｆｅ_x Ｓｎ_y Ｎ_Z （ただし、１５≦ｘ≦２５、３≦ｙ≦１５、１≦ｚ≦１
０である。） (f) Ｎｉ_(100-x-y-z) Ｆｅ_x Ｍｏ_y Ｎ_Z （ただし、１５≦ｘ≦２５、３≦ｙ≦１０、１≦ｚ≦５
である。）〔なお、上記ｘ，ｙ，ｚ，は各元素の割合（原子％）を
表す。〕から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請
求項１記載の薄膜磁気ヘッド。