JP2816150B2 - 複合型磁気ヘッド - Google Patents
複合型磁気ヘッドInfo
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- JP2816150B2 JP2816150B2 JP63010626A JP1062688A JP2816150B2 JP 2816150 B2 JP2816150 B2 JP 2816150B2 JP 63010626 A JP63010626 A JP 63010626A JP 1062688 A JP1062688 A JP 1062688A JP 2816150 B2 JP2816150 B2 JP 2816150B2
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- Japan
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- magnetoresistive
- magnetic head
- layer
- magnetic
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高密度磁気記録用の磁気ヘツドに係り、特
に記録用の誘導型薄膜磁気ヘツドと再生用の磁気抵抗効
果型磁気ヘツドとを同一基板上に作製した複合型磁気ヘ
ツドに関する。
に記録用の誘導型薄膜磁気ヘツドと再生用の磁気抵抗効
果型磁気ヘツドとを同一基板上に作製した複合型磁気ヘ
ツドに関する。
従来の複合型磁気ヘツドは特公昭59−35088号あるい
はアイ・イー・イー・イー，トランドクシヨン オン
マグネチツクス，エムエージー17,ナンバー６（1981
年）第2890頁から第2892頁（IEEE,Trans.,Mag.,MAG17,N
o.6（1981）pp2890−2982号）に記載のように、基板上
に絶縁層を介してまず再生用の磁気抵抗効果型磁気ヘツ
ド部を作製し、次に、その上に記録用の誘導型薄膜磁気
ヘツド部を作製するという構造になつていた。
はアイ・イー・イー・イー，トランドクシヨン オン
マグネチツクス，エムエージー17,ナンバー６（1981
年）第2890頁から第2892頁（IEEE,Trans.,Mag.,MAG17,N
o.6（1981）pp2890−2982号）に記載のように、基板上
に絶縁層を介してまず再生用の磁気抵抗効果型磁気ヘツ
ド部を作製し、次に、その上に記録用の誘導型薄膜磁気
ヘツド部を作製するという構造になつていた。
上記従来技術は、上記磁気抵抗効果型磁気ヘツドの感
磁部に使用する磁気抵抗効果膜と該磁気抵抗効果膜上に
設けられた電流導入用兼電圧読み出し用の導電体膜との
間の熱的な拡散，反応の防止および接触抵抗の低減につ
いて配慮がなされておらず、このため上記磁気抵抗効果
膜の特性が上記導電体膜との反応によつて劣化するとい
う問題があつた。
磁部に使用する磁気抵抗効果膜と該磁気抵抗効果膜上に
設けられた電流導入用兼電圧読み出し用の導電体膜との
間の熱的な拡散，反応の防止および接触抵抗の低減につ
いて配慮がなされておらず、このため上記磁気抵抗効果
膜の特性が上記導電体膜との反応によつて劣化するとい
う問題があつた。
本発明の目的は、上記問題を解決し、上記複合型磁気
ヘツドにおける磁気抵抗効果型磁気ヘツドの特性の劣化
を防ぐことにある。
ヘツドにおける磁気抵抗効果型磁気ヘツドの特性の劣化
を防ぐことにある。
上記目的は、上記磁気抵抗効果膜上に磁気抵抗効果膜
の膜厚の1/2以下の極めて薄いTa膜を連続して積層し、
さらに該Ta層は上記磁気抵抗効果型磁気ヘツド部を作製
した後もそのまま残しておくことにより、達成される。
の膜厚の1/2以下の極めて薄いTa膜を連続して積層し、
さらに該Ta層は上記磁気抵抗効果型磁気ヘツド部を作製
した後もそのまま残しておくことにより、達成される。
上記磁気抵抗効果膜として通常使用されるNi−Fe合金
薄膜やNi−Co合金薄膜と導電体膜に使用されるAl薄膜、
Au薄膜あるいはCu薄膜とは、100〜200℃の低い温度で拡
散，反応する。このため、上記磁気抵抗効果膜上に直接
これらの導電体膜を設けた場合、200℃以上のプロセス
温度を持つ誘導型薄薮膜磁気ヘツド作製プロセスにおい
て上記磁気抵抗効果膜の電磁気特性が劣化する。一方Ni
−Fe合金薄膜あるいはNi−Co合金薄膜とTa薄膜の拡散，
反応は、370℃の温度でもほとんど進まない。したがつ
て上記磁気抵抗効果膜上に連続してTa薄膜を積層し、し
かる後に導電体膜を設けるように構成すれば、磁気抵抗
効果膜とTa膜との反応温度が高いのでその後の誘導型薄
膜磁気ヘツド作製プロセスにおいても磁気抵抗効果膜の
電磁気特性が劣化することはない。また、Ta薄膜の厚さ
を磁気抵抗効果膜の膜厚（通常は500Å前後）の1/2以下
と非常に薄くすれば、Ta薄膜の抵抗が磁気抵抗効果膜の
抵抗の10倍以上となり、Ta薄膜への信号検出電流の分流
量も無視できる程度となるので、Ta薄膜をそのまま残し
ておいてもほとんどさしつかえなくなる。したがつて、
このようにすることによりTa薄膜をエツチング除去する
必要がなくなるので磁気抵抗効果型ヘツドの作製プロセ
スが容易になる。
薄膜やNi−Co合金薄膜と導電体膜に使用されるAl薄膜、
Au薄膜あるいはCu薄膜とは、100〜200℃の低い温度で拡
散，反応する。このため、上記磁気抵抗効果膜上に直接
これらの導電体膜を設けた場合、200℃以上のプロセス
温度を持つ誘導型薄薮膜磁気ヘツド作製プロセスにおい
て上記磁気抵抗効果膜の電磁気特性が劣化する。一方Ni
−Fe合金薄膜あるいはNi−Co合金薄膜とTa薄膜の拡散，
反応は、370℃の温度でもほとんど進まない。したがつ
て上記磁気抵抗効果膜上に連続してTa薄膜を積層し、し
かる後に導電体膜を設けるように構成すれば、磁気抵抗
効果膜とTa膜との反応温度が高いのでその後の誘導型薄
膜磁気ヘツド作製プロセスにおいても磁気抵抗効果膜の
電磁気特性が劣化することはない。また、Ta薄膜の厚さ
を磁気抵抗効果膜の膜厚（通常は500Å前後）の1/2以下
と非常に薄くすれば、Ta薄膜の抵抗が磁気抵抗効果膜の
抵抗の10倍以上となり、Ta薄膜への信号検出電流の分流
量も無視できる程度となるので、Ta薄膜をそのまま残し
ておいてもほとんどさしつかえなくなる。したがつて、
このようにすることによりTa薄膜をエツチング除去する
必要がなくなるので磁気抵抗効果型ヘツドの作製プロセ
スが容易になる。
以下、本発明の一実施例を第１図および第２図により
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の実施例による複合型磁気ヘツドの
正面図であり、第２図（ａ）（ｂ）は各々第１図におけ
るＡ−Ａ′断面、Ｂ−Ｂ′断面を示す。
正面図であり、第２図（ａ）（ｂ）は各々第１図におけ
るＡ−Ａ′断面、Ｂ−Ｂ′断面を示す。
本実施例では、非磁性のセラミクス材（例えばZrO2,A
l2O3−TiC,ガラス等）あるいはシリコンウエハからなる
基体１上に、スパツタ法あるいは蒸着法等によりパーマ
ロイあるいはCoTaZr等からなる軟磁性層２を１〜３μｍ
厚に積層し、その後、フオトリソグラフイの手法とイオ
ンミリング等のドライエツチング技術あるいはウエツト
エツチング技術により所定の大きさの下部磁気シールド
層２を形成した。ただし、上記基体１および下部磁気シ
ールド層２については、Mn−ZnフエライトやNi−Znフエ
ライト等の軟磁性基体で兼ねることが可能であり、プロ
セスも容易となる。
l2O3−TiC,ガラス等）あるいはシリコンウエハからなる
基体１上に、スパツタ法あるいは蒸着法等によりパーマ
ロイあるいはCoTaZr等からなる軟磁性層２を１〜３μｍ
厚に積層し、その後、フオトリソグラフイの手法とイオ
ンミリング等のドライエツチング技術あるいはウエツト
エツチング技術により所定の大きさの下部磁気シールド
層２を形成した。ただし、上記基体１および下部磁気シ
ールド層２については、Mn−ZnフエライトやNi−Znフエ
ライト等の軟磁性基体で兼ねることが可能であり、プロ
セスも容易となる。
次に、上記基体１および下部磁気シールド層２全体を
覆うようにスパツタ法等によりSiO2,Al2O3あるいはTiO2
からなる絶縁層３を1000〜4000Å積層し、磁気抵抗効果
素子部４をこの上に作製した。磁気抵抗効果素子部４の
詳細については、第２図（ｂ）において四角い枠で囲つ
た箇所を第２図（ｃ）として拡大して示す。
覆うようにスパツタ法等によりSiO2,Al2O3あるいはTiO2
からなる絶縁層３を1000〜4000Å積層し、磁気抵抗効果
素子部４をこの上に作製した。磁気抵抗効果素子部４の
詳細については、第２図（ｂ）において四角い枠で囲つ
た箇所を第２図（ｃ）として拡大して示す。
まずバイアス磁界を発生する電流線41を厚さ1000〜40
00ÅのCu膜あるいはAl膜等を用いて所定の形状にパター
ニングし、その上を磁気的および電気的な絶縁層42であ
る厚さ500〜3000ÅのAl2O3膜SiO2膜あるいはTiO2膜で覆
う。この後に蒸着法あるいはスパツタ法等によつてパー
マロイ膜あるいはNi−Co膜等からなる磁気抵抗効果膜43
（厚さ100〜500Å）と連続して上記磁気抵抗効果膜43の
1/2以下の厚さのTa膜44を積層し、上記磁気抵抗効果膜4
3およびTa膜44とを同時に所定の形状（長さ10〜100μm,
幅１〜25μｍ）にパターニングする。上記磁気抵抗効果
膜43およびTa膜44の作製温度は200〜350℃であり、上記
磁気抵抗効果膜43の磁化容易方向はパターンの長手方向
と平行する。そして、さらにこの磁気抵抗効果膜43に検
出電流を流すための導体膜５を第２図（ｂ）に示すよう
に作製するが、この前に上記導体膜５と上記バイアス磁
界用電流線41のアース側端子を共通にするためのスルー
ホール部６を形成する。また、導体膜５は2000〜3000Å
の厚さのAl膜,Cu膜あるいはAu膜によつて形成される
が、導体膜５を蒸着あるいはスパツタする前にスパツタ
エツチング法あるいはイオンエツチング法等により上記
磁気抵抗効果膜43上のTa膜44の表面を、上記導体膜５と
の接触抵抗を少なくする目的でわずかにエツチング（10
Å以下でよい）する必要がある。なお本実施例ではバイ
アス磁界印加法として電流バイアス法を採用したが、電
流線41の代わりに永久磁石膜を使用する永久磁石バイア
ス法あるいは軟磁性膜を使用するソストバイアス法でも
さしつかえなく、これらのバイアス法の場合にはスルー
ホール部６を形成しなくてもすむ利点がある。
00ÅのCu膜あるいはAl膜等を用いて所定の形状にパター
ニングし、その上を磁気的および電気的な絶縁層42であ
る厚さ500〜3000ÅのAl2O3膜SiO2膜あるいはTiO2膜で覆
う。この後に蒸着法あるいはスパツタ法等によつてパー
マロイ膜あるいはNi−Co膜等からなる磁気抵抗効果膜43
（厚さ100〜500Å）と連続して上記磁気抵抗効果膜43の
1/2以下の厚さのTa膜44を積層し、上記磁気抵抗効果膜4
3およびTa膜44とを同時に所定の形状（長さ10〜100μm,
幅１〜25μｍ）にパターニングする。上記磁気抵抗効果
膜43およびTa膜44の作製温度は200〜350℃であり、上記
磁気抵抗効果膜43の磁化容易方向はパターンの長手方向
と平行する。そして、さらにこの磁気抵抗効果膜43に検
出電流を流すための導体膜５を第２図（ｂ）に示すよう
に作製するが、この前に上記導体膜５と上記バイアス磁
界用電流線41のアース側端子を共通にするためのスルー
ホール部６を形成する。また、導体膜５は2000〜3000Å
の厚さのAl膜,Cu膜あるいはAu膜によつて形成される
が、導体膜５を蒸着あるいはスパツタする前にスパツタ
エツチング法あるいはイオンエツチング法等により上記
磁気抵抗効果膜43上のTa膜44の表面を、上記導体膜５と
の接触抵抗を少なくする目的でわずかにエツチング（10
Å以下でよい）する必要がある。なお本実施例ではバイ
アス磁界印加法として電流バイアス法を採用したが、電
流線41の代わりに永久磁石膜を使用する永久磁石バイア
ス法あるいは軟磁性膜を使用するソストバイアス法でも
さしつかえなく、これらのバイアス法の場合にはスルー
ホール部６を形成しなくてもすむ利点がある。
以上のようにして磁気抵抗効果素子部４を形成した
後、SiO2膜,Al2O3膜あるいはTiO2膜からなる絶縁層７を
2000〜4000Å厚さで積層し、さらに、上記磁気シールド
層８として膜厚１〜４μｍのCoTaZrあるいはパーマロイ
等からなる軟磁性層をスパツタ法等により作製する。上
記磁気シールド層８スパツタ時の基体温度は上記磁気抵
抗効果膜43の電磁気特性を劣化させないように350℃以
下とする必要がある。また、上記磁気シールド層８は記
録用誘導型薄膜磁気ヘツドの下部磁極も兼ねるため、本
実施例では上部磁極15と同一の形状にパターニングし
た。しかし、場合によつてはスパツタのままでもあるい
は下部磁気シールド層２と同一の形状のパターニングし
てもよい。この下部磁極兼上部磁気シールド層８の形成
をもつて再生用磁気抵抗効果型磁気ヘツド部の作製を終
了した。次に記録用の誘導型薄膜磁気ヘツド部の作製に
ついて説明する。
後、SiO2膜,Al2O3膜あるいはTiO2膜からなる絶縁層７を
2000〜4000Å厚さで積層し、さらに、上記磁気シールド
層８として膜厚１〜４μｍのCoTaZrあるいはパーマロイ
等からなる軟磁性層をスパツタ法等により作製する。上
記磁気シールド層８スパツタ時の基体温度は上記磁気抵
抗効果膜43の電磁気特性を劣化させないように350℃以
下とする必要がある。また、上記磁気シールド層８は記
録用誘導型薄膜磁気ヘツドの下部磁極も兼ねるため、本
実施例では上部磁極15と同一の形状にパターニングし
た。しかし、場合によつてはスパツタのままでもあるい
は下部磁気シールド層２と同一の形状のパターニングし
てもよい。この下部磁極兼上部磁気シールド層８の形成
をもつて再生用磁気抵抗効果型磁気ヘツド部の作製を終
了した。次に記録用の誘導型薄膜磁気ヘツド部の作製に
ついて説明する。
上記上部磁気シールド層兼下部磁極８を形成した後、
次に誘導型薄膜磁気ヘツドのギヤツプ部を形成する絶縁
層９を１〜２μｍ厚で積層し、続いて平坦化用のPIQレ
ジスト10を３〜５μｍ塗布した。絶縁層９はスパツタ法
等によつて作製したSiO2Al2O3あるいはTiO2等からな
る。平坦化後のPIQ上には、さらに厚さ１〜３μｍのCu
膜あるいはAu膜等からなるコイル11を作製したが、コイ
ルの巻数は本実施例のように１ターンでも、場合によつ
ては10ターンでもよく、場合場合によつて変えることが
可能である。
次に誘導型薄膜磁気ヘツドのギヤツプ部を形成する絶縁
層９を１〜２μｍ厚で積層し、続いて平坦化用のPIQレ
ジスト10を３〜５μｍ塗布した。絶縁層９はスパツタ法
等によつて作製したSiO2Al2O3あるいはTiO2等からな
る。平坦化後のPIQ上には、さらに厚さ１〜３μｍのCu
膜あるいはAu膜等からなるコイル11を作製したが、コイ
ルの巻数は本実施例のように１ターンでも、場合によつ
ては10ターンでもよく、場合場合によつて変えることが
可能である。
さらに、絶縁層12として厚さ３〜５μｍのPIQレジス
トをコイル11上に塗布した。上記平坦化用のPIQレジス
ト10を塗布後および上記絶縁層12としてのPIQレジスト
を塗布後のいずれの場合にも、PIQレジストを硬化させ
るために300〜370℃×２〜4hrの熱処理かあるいはこれ
に準じた熱処理を行なう必要がある。このため、上記磁
気抵抗効果膜43の電磁気特性が熱的に劣化するおそれが
あり、これを防ぐために上記熱処理の間、上記磁気抵抗
効果膜43の長手方向（磁化容易方向）と平行に200e以上
の直流磁界を印加した方がよい。また、上記熱処理温度
の範囲内であれば磁気抵抗効果膜43の電磁気特性がTa膜
44との反応によつて劣化するという心配はなく、したが
つて、上記Ta膜44が障壁層となつて導電体膜５と磁気抵
抗効果膜43とが反応する心配もない。さらにまた、上記
絶縁層９およびコイル11のスパツタあるいは蒸着時の基
体温度はそれほど高くなく、この間に磁気抵抗効果膜43
の特性が劣化する心配もない。
トをコイル11上に塗布した。上記平坦化用のPIQレジス
ト10を塗布後および上記絶縁層12としてのPIQレジスト
を塗布後のいずれの場合にも、PIQレジストを硬化させ
るために300〜370℃×２〜4hrの熱処理かあるいはこれ
に準じた熱処理を行なう必要がある。このため、上記磁
気抵抗効果膜43の電磁気特性が熱的に劣化するおそれが
あり、これを防ぐために上記熱処理の間、上記磁気抵抗
効果膜43の長手方向（磁化容易方向）と平行に200e以上
の直流磁界を印加した方がよい。また、上記熱処理温度
の範囲内であれば磁気抵抗効果膜43の電磁気特性がTa膜
44との反応によつて劣化するという心配はなく、したが
つて、上記Ta膜44が障壁層となつて導電体膜５と磁気抵
抗効果膜43とが反応する心配もない。さらにまた、上記
絶縁層９およびコイル11のスパツタあるいは蒸着時の基
体温度はそれほど高くなく、この間に磁気抵抗効果膜43
の特性が劣化する心配もない。
次に上記のように平坦化用のPIQレジスト10と絶縁層1
2のPIQレジストで計６〜10μｍの厚さとなつたPIQ層
に、上部磁極15と下部磁極８間のギヤツプ形成のための
テーパ部13と下部磁極８と上部磁極15との磁路を作るた
めのスルーホール14をフオトリソグラフイ法とウエツト
エツチング法等により作製し、所定の形状の上部磁極15
を形成した。上部磁極15は、スパツタ法等によつて積層
した１〜３μｍ厚のCoTaZr膜あるいはその他の高透磁率
軟磁性体膜をフオトリソグラフイ法とイオンミリング法
等の各種エツチング法により形成したものである。ま
た、CoTaZr膜やその他の高透磁率軟磁性体膜のスパツタ
時の基体温度はあまり高くなく、この間に磁気抵抗効果
膜43の特性が劣化する心配もない。そして最後に、保護
層16として１〜５μｍ厚のSiO2,Al2O3あるいはTiO2等を
スパツタ法等により積層して、記録用の誘導型薄膜磁気
ヘツド部の形成も終了した。
2のPIQレジストで計６〜10μｍの厚さとなつたPIQ層
に、上部磁極15と下部磁極８間のギヤツプ形成のための
テーパ部13と下部磁極８と上部磁極15との磁路を作るた
めのスルーホール14をフオトリソグラフイ法とウエツト
エツチング法等により作製し、所定の形状の上部磁極15
を形成した。上部磁極15は、スパツタ法等によつて積層
した１〜３μｍ厚のCoTaZr膜あるいはその他の高透磁率
軟磁性体膜をフオトリソグラフイ法とイオンミリング法
等の各種エツチング法により形成したものである。ま
た、CoTaZr膜やその他の高透磁率軟磁性体膜のスパツタ
時の基体温度はあまり高くなく、この間に磁気抵抗効果
膜43の特性が劣化する心配もない。そして最後に、保護
層16として１〜５μｍ厚のSiO2,Al2O3あるいはTiO2等を
スパツタ法等により積層して、記録用の誘導型薄膜磁気
ヘツド部の形成も終了した。
以上述べてきたようにして複合型磁気ヘツド17の作製
を終了するが、このように再生用の磁気抵抗効果型磁気
ヘツドと記録用の誘導型薄膜磁気ヘツドとを順次積層し
た場合、金属層と絶縁層とを合わせた層数が非常に多く
なり、金属層／絶縁層間の密着性が問題となる場合があ
る。密着性をよくする一つの方法として、Cr層を数10Å
程度金属層／絶縁層界面に設ける方法があり、この方法
と上述した本実施例の各プロセスに適用しても何ら問題
はない。
を終了するが、このように再生用の磁気抵抗効果型磁気
ヘツドと記録用の誘導型薄膜磁気ヘツドとを順次積層し
た場合、金属層と絶縁層とを合わせた層数が非常に多く
なり、金属層／絶縁層間の密着性が問題となる場合があ
る。密着性をよくする一つの方法として、Cr層を数10Å
程度金属層／絶縁層界面に設ける方法があり、この方法
と上述した本実施例の各プロセスに適用しても何ら問題
はない。
本実施例による複合型磁気ヘツド17は、上記記録用の
誘導型薄膜ヘツド部で磁気記録媒体に信号を書き込み、
再生用の磁気抵抗効果型磁気ヘツド部でその書き込まれ
た信号を読み取ることが可能である。
誘導型薄膜ヘツド部で磁気記録媒体に信号を書き込み、
再生用の磁気抵抗効果型磁気ヘツド部でその書き込まれ
た信号を読み取ることが可能である。
本発明によれば、上記磁気抵抗効果膜上に370℃とい
う高温においても拡散、反応をほとんど生じないTa膜を
直続して積層し、その後に導体層を設けるという構成に
することにより、誘導型薄膜磁気ヘツド部作製時の300
〜370℃の高温プロセスにおける磁気抵抗効果膜と導体
層との拡散，反応をTa膜によつて防止できるので、磁気
抵抗効果膜の電磁気特性の劣化を抑える効果がある。ま
た、Ta膜の膜厚を上記磁気抵抗効果膜の膜厚（100〜500
Å）の1/2以下とするとTa膜の比抵抗は磁気抵抗効果膜
の比抵抗の10倍以上の値となり、Ta膜に分流する検出電
流値は磁気抵抗効果膜に流れる検出電流値の1/10以下と
なり、Ta膜をエツチングしないで磁気抵抗効果膜上にそ
のまま残しておいても何ら問題にならない。したがつ
て、Ta膜をエツチング除去しなくてもよいので、磁気抵
抗効果型磁気ヘツド部作製プロセスが容易となる効果が
ある。
う高温においても拡散、反応をほとんど生じないTa膜を
直続して積層し、その後に導体層を設けるという構成に
することにより、誘導型薄膜磁気ヘツド部作製時の300
〜370℃の高温プロセスにおける磁気抵抗効果膜と導体
層との拡散，反応をTa膜によつて防止できるので、磁気
抵抗効果膜の電磁気特性の劣化を抑える効果がある。ま
た、Ta膜の膜厚を上記磁気抵抗効果膜の膜厚（100〜500
Å）の1/2以下とするとTa膜の比抵抗は磁気抵抗効果膜
の比抵抗の10倍以上の値となり、Ta膜に分流する検出電
流値は磁気抵抗効果膜に流れる検出電流値の1/10以下と
なり、Ta膜をエツチングしないで磁気抵抗効果膜上にそ
のまま残しておいても何ら問題にならない。したがつ
て、Ta膜をエツチング除去しなくてもよいので、磁気抵
抗効果型磁気ヘツド部作製プロセスが容易となる効果が
ある。
第１図は本発明の一実施例の複合型磁気ヘツドの正面
図、第２図（ａ）は第１図のＡ−Ａ′縦断面図、（ｂ）
は第１図のＢ−Ｂ′横断面図、（ｃ）は第２図（ｂ）の
枠で囲つた箇所の拡大断面図である。 １……基体、２……軟磁性層、3,42,7,9,12……絶縁
層、４……磁気抵抗効果素子部、41……バイアス電流
線、43……磁気抵抗効果膜、44……Ta膜、５……導体
層、6,14……スルーホール、８……上部磁気シールド層
兼下部磁極、10……PIQレジスト、11……コイル、13…
…テーパ部、15……上部磁極、16……保護層、17……複
合型磁気へツド、18……磁気記録媒体。
図、第２図（ａ）は第１図のＡ−Ａ′縦断面図、（ｂ）
は第１図のＢ−Ｂ′横断面図、（ｃ）は第２図（ｂ）の
枠で囲つた箇所の拡大断面図である。 １……基体、２……軟磁性層、3,42,7,9,12……絶縁
層、４……磁気抵抗効果素子部、41……バイアス電流
線、43……磁気抵抗効果膜、44……Ta膜、５……導体
層、6,14……スルーホール、８……上部磁気シールド層
兼下部磁極、10……PIQレジスト、11……コイル、13…
…テーパ部、15……上部磁極、16……保護層、17……複
合型磁気へツド、18……磁気記録媒体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 椎木 一夫 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 由比藤 勇 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/39 G11B 5/31
Claims (2)
- 【請求項１】記録用の誘導型薄膜磁気ヘッド部と再生用
の磁気抵抗効果型磁気ヘッド部とを同一基板上に作製し
てなる複合型磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子部に使用する磁気抵抗効
果膜上に連続してTa層が積層され、該Ta層は上記磁気抵
抗効果型磁気ヘッド部を作製した後もそのまま残してお
くことを特徴とした複合型磁気ヘッド。 - 【請求項２】上記請求項１記載のTa層の膜厚が該磁気抵
抗効果膜の膜厚の1/2以下であり、該磁気抵抗効果膜と
磁気抵抗効果膜に検出電流を流すために設けられた導体
膜との間の熱的な拡散、反応を防止するために積層され
てなることを特徴とする複合型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010626A JP2816150B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 複合型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010626A JP2816150B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 複合型磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189016A JPH01189016A (ja) | 1989-07-28 |
| JP2816150B2 true JP2816150B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=11755427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63010626A Expired - Lifetime JP2816150B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 複合型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2816150B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69117323T2 (de) * | 1990-04-16 | 1996-07-11 | Hitachi Ltd | Dünnfilm-Magnetkopf mit schmaler Spurbreite und dessen Herstellungsverfahren |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62132211A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-15 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP63010626A patent/JP2816150B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62132211A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-15 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01189016A (ja) | 1989-07-28 |
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