JPS61120318A

JPS61120318A - 一体化薄膜磁気ヘツド

Info

Publication number: JPS61120318A
Application number: JP24117784A
Authority: JP
Inventors: Takahisa Aoi; 青井　孝久
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1984-11-15
Filing date: 1984-11-15
Publication date: 1986-06-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は磁気記録再生装置の高密度化に対応した薄膜磁
気ヘッドに関するものである。

従来の技術最近磁気記録再生装置において、記録線密度及びトラッ
ク密度の著しい向上に伴ない記録再生ヘッドに薄膜ヘッ
ドが広く使用されつつある。特に従来のコンパクトカセ
ットテープレコーダの高音質、高品質化を目的としてデ
ィジタル記録化が活発に進められている０デイジタル記
録に伴ない磁気テープ上の記録密度は大幅に増大するた
め、記録ヘッド及び再生ヘッドは狭トラツク化とトラフ
（り数の増大化が要求されているが、これを実現する薄
膜磁気ヘッド技術の向上は近年著しいものがある。特に
小型高密度対応ヘッドとして記録ヘッドと再生ヘッドを
一基板上に一体化した構造のものが提案されている。従
来の一体化薄膜マルチトラック磁気ヘッドとして、例え
ば特開昭５８−１２８０２２号公報に示されている構造
のものがある。

以下従来の構成について図面を参照しながら一体化薄膜
マルチトラソク磁気ヘッドの一例について説明する。

第４図は従来の一体化薄膜マルチトラソク磁気ヘッドに
おける１トランク分の断面図である。第４図において、
１は強磁性体や非磁性材料から成る基板、２は基板１上
にスパッタ法等によって形成された３　１０２などの第
１の絶縁層である。第１の絶縁層２上には磁気抵抗効果
（以後ＭＲと呼ぶ）を有するＮｉ−Ｆｅ膜から成る磁気
抵抗効果素子（以後ＭＲＥと呼ぶ）３が磁気テープ１４
と摺動するヘッド先端部に配置されている。このＭＲＥ
３には駆動電流（以後センス電流と呼ぶ）を供給するリ
ード線（図示せず）が形成されている。４はＭＲＥ３及
びリード線を絶縁する目的で積層される第２の絶縁層で
３１０２などから成っている。

５はパーマロイなどの高透磁率を有する第１の強磁性薄
膜層であり、その上に第３の絶縁層６が積層されている
。８は記録ヘッドとして動作させるための導電体コイル
で、第４図では３ターン構成を示している。この導電体
コイル８は銅、アルミニウムなどから成り、スパッタ、
電気メツキ法などで成膜された後、フォトリングラフィ
技術によって所望の形状にパターン化される。９は導電
体コイル８を絶縁するための第４の絶縁層である。

この第４の絶縁層９もフォトリングラフィ技術によって
パターン化される。１ｏは第１の強磁性薄膜６と同一材
料の高透磁率を示す第２の強磁性薄膜から成る磁気ポー
ルである。この磁気ボール１゜と第１の強磁性薄膜層６
とは、第３の絶縁層６に形成された小孔７部で結合され
ている。１１は５１０２膜などから成る保護層であり、
保護層表面は平坦化されている。磁気テープ１４と磁気
ヘッドとの接触を安定にする目的から、セラミック、ガ
ラスなどから成る保護基板１３が接着剤１２によって接
着されている。最後に所望のへソドチノプ寸法として仕
上げた後に磁気テープと接触するヘッド先端が鏡面研磨
される。

以上の様に構成された記録・再生一体化磁気ヘッドにつ
いて動作説明する。まず基板１側に形成される再生ヘッ
ドについて説明する。磁気テープ１４に記録された情報
を読出す再生ヘッドにおいては磁束量変化に応じて抵抗
が変する磁気抵抗効果を利用したＭＲヘッドが利用され
ているのは周知の技術である。従来構造では第４図に示
されている如く、ＭＲＥは磁気テープ１４に接触する位
置にあり、かつ基板１上の第１の絶縁層２を介して形成
されている。各トラックのＭＲＥ３には一定のセンス電
流が、ＭＲＥ３のトラック幅方向（第４図の紙面に垂直
方向）に流れ、ＭＲＥ３の抵抗変化は電圧変化に変換さ
れて再生ヘッドの読出し出力としている。第１の強磁性
薄膜５は磁気シールド兼記録ヘッドのコアとして作用し
ている。

この磁気シールド層は磁気テープ１４上に記録されてい
る磁化をＭＲＥ３が読取るべき区域外から遮断する働き
をする。第４図の基板１に高透磁率磁性材料例えばＭｎ
−ＺｎフェライトやＮｉ−Ｚｎフェライト基板が使われ
る場合においても、基板１は第１の強磁性薄膜６と同じ
磁気シールド効果を有する。ＭＲＥ３を使用する場合、
再生出力の直線性と高感度化を目的としてＭＲＥにバイ
アス磁界を印加する必要がある。バイアス磁界の方向は
ＭＲＥ内を流れるセンス電流と直角で、かつＭＲＥ平面
内である。バイアス磁界の発生法、は周知の技術として
種々の方式がとられる。例えば、電流方式としてＭＲＥ
３に近接してバイアス用の導線を設置する方法又は永久
磁石方式としＭＲＥに近接した位置にバルク状或いは薄
膜状の永久磁石を配する方式等である。

次に磁気誘導型記録へノド部について説明する。

記録ヘッド部は第４図の第１の強磁性薄膜５から上層部
にて構成されている。前述した如く第１の強磁性薄膜層
６は記録ヘッドの磁気回路構成要素となっている。つま
り導電性コイル８内を流れる記録電流によって誘導磁束
が発生し、この磁束は第１の強磁性薄膜層６と磁気ポー
ル１ｏとで構成されている磁気回路内を流れる。磁気ギ
ャップは第３の絶縁層６の膜厚によって規定されている
。

このギャップから発生する磁界によって磁気テープ１４
上に信号が書き込まれる。第１の強磁性薄膜層６及び磁
気ポール１０は磁気飽和を避ける目的からそれぞれの膜
厚を３μｍ以上に厚くするのが一般的である。さらには
飽和磁束密度の高いセンダスト薄膜やアモルファス磁性
薄膜を必要とする場合もある。このセンダストやアモル
ファス磁性薄膜は良好な耐摩耗特性を有する点からも、
近年薄膜ヘッドに関する要素材料として実用化されつつ
ある。

磁気ポール１ｏがパターニングされた後、これを保護す
る目的でＳ　！０２などから成る絶縁体保護層１１が形
成される。保護基板１３を接着する接着剤１２の厚さを
薄くするため、保護層１１の表面は平坦化されている。

以上の構成による記録・再生一体化薄膜マルチ磁気ヘッ
ドにおいて、磁気テープ１４はヘッド先端を矢印１５の
方向、すなわち記録ヘッド側から再生ヘッド側へ走向す
る。

発明が解決しようとする問題点しかしながら上記の様な構造では次の如き理由でいくつ
かの問題点を有していた。

（１）薄膜作成、微細パターン化プロセスの中で、再生
ヘッド作成プロセスが記録ヘッド作成より先行している
構造であるため、記録ヘッド製造プロセス中における繰
り返しの熱曝露によってＭＲＥ３の磁気特性上の熱劣化
を受ける。特に最近では高保磁力を有する高密度ディジ
タル記録可能な磁気テープが開発されつつあり、この傾
向に対応して記録ヘッドの磁気飽和を避ける目的から磁
気ポール１ｏの部材として４００°Ｃ〜６００”Ｃの熱
処理を必要とするセンダスト薄膜、アモルファス薄膜が
有望視されている。この高飽和磁束密度を有する磁性材
料における４００〜ｅ　ｏ　ｏ　’ｃの高温処理に対し
ＭＲＥを構成するＮｉ−Ｆｅ膜の酸化、内部応力歪発生
などの原因により、磁気抵抗変化特性に大きな劣化が生
じると共に各トラック間の大幅なバラツキが発生する。

（２）第１の強磁性薄膜６はＭＲ再生ヘッドの磁気シー
ルド及び記録ヘッドの磁気ポールとを兼用している。こ
の構造は記録ヘッドと再生ヘッドが同時に作動する、い
わゆる記録同時モニターを行なう時、記録ヘッド用コイ
ルで発生する信号磁束が第１の強磁性薄膜５を経由した
り、又は記録磁気ギャップ部で形成されるギャップ磁界
が再生ヘッドのＭＲＥに漏れる原因となっている。すな
わち記録ヘッドと再生ヘッドとのクロストークは大きな
問題となっていた。

（３）再生ヘッドのＭＲＥが磁気テープ１４に接してい
るため、磁気テープ１４に導電性を有する蒸着テープが
使用された場合、ＭＲＥ内を流れるセンス電流が、蒸着
テープに漏洩する問題を有していた。

（４）記録ヘッドの全トラックに記録信号電流が流れた
場合、コイル８からの発熱は吸収されにくく、ＭＲＥの
熱劣化にも影響を与えている。

（６）限られた寸法内でマルチトラック化を実現する場
合、トラック数が増える程再生出力は減少する。しかし
ディジタル記録では狭トラツクマルチ化の要請は増々強
くなり、記録効率の向上と再生出力の増大が望まれてい
た。

本発明は上記の問題点に鑑み、記録効率の向上と再生出
力の高Ｓ／Ｎ　化さらには蒸着テープ使用可能な高密度
記録再生可能な一体化薄膜磁気ヘッドを提供するもので
ある。

問題点を解決するだめの手段上記の問題点を解決するために本発明の一体化薄膜磁気
ヘッドは、ガラス等の非磁性絶縁材料で充填されている
溝を有する高透磁率材から成る強磁性基板上に独立して
順次磁気誘導型記録ヘッドとＭＲ型再再生ヘッド薄膜プ
ロセスにより積層されている。記録ヘッド磁気回路は上
記溝断面を内側に包含するように、基板と薄膜の磁気ポ
ールとから成る閉磁路を構成している。上記高透磁率を
有する磁気ポールには複数のターン数から成る導電性コ
イルが薄膜プロセスによって巻回されている。磁気ポー
ル上にはＭＲ型再再生ヘッド土台ともなる表面が平坦化
された絶縁体の保護層が積層されている。ＭＲ型再再生
ヘッド上記保護層を土台として形成される。ＭＲ１再生
ヘッドの磁気回路は保護層上の強磁性薄膜とトラック幅
方向に対し垂直方向に２つに分割された磁気ヨークと、
さらに、上記２つに分割された磁気ヨーク間にＭＲＥを
配すことにより、磁気的に閉磁路を構成している。上記
閉磁路構成部材はそれぞれ電気的には絶縁されている。

作　　用本発明は上記した構成により、基板上に記録ヘッド、再
生ヘッドの順に形成されているので再生ヘッド内の磁気
センサ部であるＭＲＥＲ成のための薄膜プロセスが全プ
ロセスの中で従来に比べて大幅に後工程となり全トラッ
クに亘って極めて安定して、かつ熱劣化の少ない良好な
磁気特性をもつＭＲＥを製造することができる。また再
生ヘッドは記録ヘッド上に独立して閉磁路を構成してい
る。従って記録ヘッドと再生ヘッドとの間隔はそれらの
分離層としてめ保護層の厚さによって決まり、それは製
造プロセス中で膜厚をコントロールすることができる。

これは記録用磁気ギャップに形成されるギャップ磁界も
含めたトータル的な記録ヘッド磁界が再生ヘッドに混入
することを阻止しており、記録同時モニター再生で問題
となる記録・再生ヘッド間の磁気的クロストークを大幅
に低減することを意味している。

また記録ヘッドで発生するジュール熱は熱容量の大きい
強磁性基板側に吸収され、再生ベッドのＭＲＥへの記録
時の熱的影響を押えることも可能となる。さらに強磁性
基板に形成されている溝が基板と薄膜磁気ポール間の実
質的間隔を広げ、それらの間で発生する磁束の漏洩を阻
止している。

従って記録電流により誘導される記録磁束は、溝上にコ
イルが形成されている限りコイルの位置に関係なく、効
率良く磁気テープ上に導びくことができる。従って、よ
り少ない記録電流で高保磁力磁気テープでも飽和記録が
可能であり、コイルによる発熱も低減できる。

再生ヘッドのＭＲＥは磁気的には閉磁路構成部材となっ
ているが電気的には基板及び２分割された磁気ヨークと
絶縁されている。さらに磁気テープ摺動面から奥まった
位置にあるのでＭＲＥ内を流れるセンス電流が磁気テー
プへ漏れることがない。

従って高密度記録可能な導電性蒸着テープを使うことが
できる。

実施例以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。第１図は本発明の一実施例における一体化薄膜磁
気ヘッドの断面図を示すもので、本実施例ではマルチト
ラック構造となっている。

第１図において、２ｏは高透磁率を有する庵−Ｚｎ単結
晶フェライトＮｉ−Ｚｎフェライト等から成る強磁性基
板であシ、強磁性基板２０にはガラス等の非磁性物質が
充填されている溝２１が設けられている。溝２１を含む
強磁性基板２ｏの表面は鏡面研磨された後、ＳｉＯ□　
Ａｌ１２０３．５ｔ３Ｎ４などから成る第１の絶縁層２
２が０．２μｍ〜０．６μｍの厚さで形成される。薄膜
形成手段はスパッタ法、プラズマＣＶＤ法などである。

この後エツチング技術によって小孔２３が開けられる。

２５は第１層導電性薄膜コイルで第１図では２ターン巻
きであり、Ｃｕ、Ａｄなどの金属体がスパッタ法により
付着された後コイルパターンにエッチングされる。或い
はレジストマスクを通して電気メツキ法・てよりコイル
を形成することもできる。第１層導電性薄膜コイル２６
上には第１のコイル絶縁層２６が付けられエツチング等
によりパターニングされる。この第１のコイル絶縁層２
６は磁気テープ５ｏと接触することがないｏ−ｃ”、Ｓ
ｉＯ２，Ａ１２０３Ｓ　１３Ｎ４などの以外に耐熱性ホ
トレジスを用いてパターニング後硬化して眉間絶縁材と
して使用することもできる。

２７は第２層導電性薄膜コイルで２ターン巻きの例であ
り、第１層導電性薄膜コイル２５とは第１のコイル絶縁
層２ｅに形成されたスルーホール２８で連結している。

第２層導電性薄膜コイル２７上には第１のコイル絶縁層
２６と同一の製法で第２のコイル絶縁層２９が形成され
ている。３０はパーマロイ薄膜、センダスト薄膜、アモ
ルファス薄膜等から成る強磁性で高透磁率を有する磁気
ポールである。この磁気ポール３０の付着に先行して小
孔２３部に小孔用磁気ポール２４が形成されていて、バ
ックギャップ部の磁気抵抗を下げる目的で磁気ポール３
０と接合している。磁気ポール美はスパッタ法、蒸着法
などの手段で成膜された後エツチングして微細パターン
とされる。或いはパターン化されたレジストマスクを通
して電気メツキ法で形成することもできる。この磁気ポ
ール田に高飽和磁束密度で耐摩耗性に優れたセンダスト
薄膜やアモルファス薄膜が使用される場合、成膜後セン
ダスト薄膜では４００℃〜６００℃、アモルファス薄膜
では３００℃〜４５０℃の温度で熱処理が行なわれる。

３１はＳ　ｉｏ　、　３１０２　などの絶縁体から成る
第１の保護層で、成膜後の表面は平坦化される。この第
１の保護層３１の膜厚は、磁気ポール３ｏの段差以上の
厚さが必要である。

第１の保護層３１の表面が鏡面仕上げされた後、磁気ポ
ール３ｏと同一材料で構成される厚さ約６μｍの強磁性
薄膜層３２が付着される。３３は第２の絶縁層で、厚さ
０．２μｍ〜０．６μｍ程度のｓｉｏ。。

Ａｌ２Ｏ３，から成っている。３４はＡｕ、やＡｌの導
電体から成る厚さ３０００人程度０共通バイアス線であ
る。Ａｕが使用される場合はＡｕの蒸着に先立ってＣｒ
　、　Ｍｏ　、　’ｒｔ等を接着層として１００人〜３
ｐＯ人の厚さで蒸着する。共通バイアス線３４は各トラ
ックに亘って共通部材であり、トラック幅方向に延びて
いる。３５は共通バイアス線３４の上部絶縁体として付
着される第３の絶縁層であり、第２の絶縁層３３と同一
の材料が好ましい。

パターニングされた第３の絶縁層３５の上には磁気抵抗
効果素子（以下ＭＲＥという）３６が各トラックごとに
形成される。ＭＲＥ３６は、例えば−軸磁気異方性を有
するＮｉ−Ｆｅ膜が好ましく、厚さ２００八〜７００八
で蒸着法やスパッタ法で成膜される。ＭＲＥ　３６がエ
ツチングによりパターニングされた後にリード線（第１
図には図示せず。第３図４４参照）を形成する。３７は
ＭＲＥ３６及びリード線の上部絶縁体として付着さ−れ
る第４の絶縁層である。厚さは０．２μｍ〜０．５μｍ
であり、第２．第３の絶縁層３３．３６と同一材料で構
成されている。３８．３９はそれぞれ高透磁率を有する
フロント磁気ヨーク、バンク磁気ヨークである。磁気ヨ
ーク３８はＭＲＥ　３６の幅よりわずかに狭い幅の小窓
を有する形で２分割され、それぞれフロント磁気ヨーク
３８、バック磁気ヨーク３９となる。磁気ヨークは耐摩
耗特性に優れるアモルファス薄膜が最適である。すなわ
ち、この時点では下層にＭＲＥ３６がすでに形成されて
いるので熱処理の温度が低くできる利点がある。

膜厚は０．２μｍ〜１μｍ程度である。４０は磁気ヨー
クを保護するためのＳ　ｉｏ　、　３１０２などの絶縁
体から成る第２の保護層である。成膜後の表面は平坦化
され、最後にセラミック、ガラス等の保護基板４１が接
着剤４７で接着され工程は完成する。

第２図、第３図は第１図に示した一体化薄膜磁気ヘノド
の製造プロセスにおける途中段階を示した斜視図である
。第２図は第２層導電性薄膜コイル２７が完成した時点
、第３図はＭＲＥ　３６、リード線４４、リード線端子
４３ｃ、４４ｃが完成した状態を示している。第２図に
示す如く第１の絶縁層２２は小孔２３の微小面積を除い
て強磁性基板２０のほぼ全面に形成されている。２５ａ
。

２６ｂ（第３図参照）は２ターンのら線巻き構造をとる
第１層導電性コイル薄膜２６の端部で、２７ａ　、２７
ｂは第２層導電性コイル２７の端部である。第２層導電
性コイル２７は小孔２３を囲む形で第２の絶縁層２６上
にあるが、一方の端部２７ｂは第１層導電性薄膜コイル
２５と同一の平面上に導びかれ、補助リード線４２に接
合されている。補助リード線４２は第１層導電性薄膜コ
イル２６と同時点に形成される。

第３図では主に電極取り出し方法を示している。

第３図に示す如く第１の保護層３１、強磁性薄膜３２、
及び第２の絶縁層３３はほぼ同一面積で順次積層されて
いる。積層される面積はほぼ全面に亘っている。但し第
１層導電性薄膜コイル２６のリード線端子２５ｃ及び第
２層導電性薄膜コイル２７と結合している補助リード線
端子４２０は露出されている。第３の絶縁層３６はフロ
ントギャップ４５．バックギャップ４６の微小面積の小
孔部を除いて第２の絶縁層３３上に形成されている。

ＭＲＥ３６のリード線４３．４４がＭＲＥ３６の両端に
接続されている。４３ｃ　、４４ｃはリード線４３．４
４のリード線端子である。記録へノドと再生ヘッドのそ
れぞれの各トラックセンターは合致されている。

以上のように構成された一体化薄膜磁気ヘノドについて
以下その動作を主として第１図に従って説明する。

本発明の最も大きな特徴は強磁性基板２ｏ上に記録ヘッ
ド、再生ヘッドの順に積層されていることである。

記録ヘッド部は強磁性基板２ｏから磁気ポール３゜まで
の積層部材によって構成されている。強磁性基板２ｏに
有する溝２１は溝幅に対向する磁気ボール３０と強磁性
基板２０との間隔を広げ、第１層、第２層導電性薄膜コ
イル２５．２７によって誘導される信号磁束の漏洩を防
止する。この溝幅は６０μｍ以上あり、機械加工で容易
に形成できる。従来の如（ＭＲ再生ヘッドを記録ヘッド
の下層に構成すると、再生効率を向せしめる目的として
の溝効果を発揮することが不可能であった。また本発明
の構造によるＭＲ再生ヘッドを溝基板を使って記録ヘッ
ドの下層に配した場合、ＭＲＥ３６のストライプ幅に対
応じた溝幅を形成する必要がある。ＭＲＥ３θのストラ
イプ幅は約１０μｍと微細であり、機械加工としての１
０μｍ幅の溝形成と非磁性物質の充填は極めて困難とな
る。従って強磁性基板２０の溝形成は本発明の如く下層
に記録ヘッドを配した時に大きな作用を発揮する。

溝効果を別の観点から見る。導電性の強磁性基板２０．
例えばＭｎ　−Ｚｎ単結晶フェライトが使われる場合、
全トラックの第１層導電性コイル２６と単結晶フェライ
ト間の高絶縁性を、溝幅に亘って確保できることである
。記録ヘッドの磁気ギャップ長は、第１の絶縁層２２の
膜厚で決定されている。各トラックへの記録信号は第３
図に示したリード線端子２５ｃ、４２ｃより入力される
。

第１層導電性薄膜コイル２５と第２層導電性薄膜コイル
２７との接合はスルーホール２８部で行なわれている。

再生へッドユニノト部は第１図において強磁性薄膜３２
からフロント及びバック磁気ヨーク３８゜３９までの積
層部材によって構成されている。再生ヘッドユニットの
断面寸法特にトラック幅方向に対し垂直方向の磁路長は
記録ヘッドユニットと比べて２分の１以下が可能である
。再生ヘッドの磁気ギャップ長は第２の絶縁層３３の膜
厚で制御できる。或いは第３．第４の絶縁層３６，３ア
でも可能である。磁気テープ４２から信号磁束はフロン
ト磁気ヨーク３８→ＭＲＥ　３６→）（ツク磁気ヨーク
３９→強磁性薄膜層３２の順で流れ、磁束量の変化に応
じてＭＲＥ３６の磁気抵抗が変化する。ＭＲＥ３８には
リード線端子４３Ｃ，４４０からの一定のセンス電流が
流され、ＭＲＥ３６の抵抗変化は電圧変化として外部回
路で検出される。

ＭＲＥ３６の磁束に対する抵抗変化は本質的には非線形
であるのでバイアス方式により非線形性を改善している
。この目的から共通バイアス線３４をＭＲＥ３６の直下
に配置して、バイアス電流で誘導する靜磁界でＭＲＥ　
３６にバイアスを与えている。設計によってはＭＲＥ３
６に流すセンス電流自身でＭＲＥ３６にバイアスをかけ
ることもできる。この場合共通バイアス線は省略できる
。

以上のように本実施例によれば、記録ヘッド上に再生ヘ
ッドを構成することにより、再生ヘッド製造プロセス、
特にＭＲＥ　３ｅの製造プロセスが最終工程に近くなる
ことから、ＭＲＥ３６が受ける熱曝露回数が少なく磁気
特性劣化は著しく改善され、かつ全トラックに亘る再生
特性の均一化を図ることができる。さらに溝２１の構成
においてはマルチトラックでも１本の溝形成で全トラッ
クに対応でき、全トラックでの記録ヘッドユニットの記
録効率を向上せしめることができる。またマルチトラッ
クヘッドでは全トラックの記録ヘッドユニットに記録電
流が流れた時、の発熱量は再生ヘッドの発熱量より大き
く実用上大きな問題である。しかし本実施例の構造によ
れば、記録効率の向上と強磁性基板２ｏへの熱吸収効果
により上記問題を解決することができる。また再生ヘッ
ドにおけるＭＲＥ３６がヘッド先端から奥まっているこ
とから導電性蒸着テープの使用が可能である。

なお実施例ではマルチトラック構造にて説明したが、シ
ングルトラックヘッドにおいても同様のことが言える。

″また、共通バイアス線３４は単独のバイアス線を複数
個設けることもできる。

発明の効果本発明は記録ヘッド上に再生ヘッドをそれぞれ独立に構
成したことにより、磁気抵抗効果素子の製造中の劣化を
防止し、高感度な再生ヘッドとすることができ、同時に
記録ヘッドの熱処理の自由度が増大し、センダスト薄膜
、アモルファス薄膜の使用が可能となった。さらに記録
ヘッドと再生ヘッド間の絶縁層の厚さを制御することに
より、記録磁界が再生ヘッドに混入するのを防止できる
。

またヘッド先端部で最も軟質な保護基板用接着剤層は磁
気テープ走行方向に対し、記録ヘッドと再生ヘッドの下
流となることから、はく離された接着剤粒子によりギヤ
ツブ目づまりや付着によるテープ走行の不安定性は防止
でき、高密度記録用ヘッドとして磁気テープ間のインタ
ーフェイスに高い信頼性が得られる。また溝を有する強
磁性基板としたことにより、本発明の構成に起因する特
有の溝効果が得られ、記録ヘッド効率は向上し低記鎌“
電流で磁気テープへの飽和記録が可能になると同時に再
生出力も増大せしめることができる。特に高密度記録対
応の高保磁力を有する磁気テープにも効果を得ることが
できる。また再生ヘッドにおける磁気抵抗効果素子をヘ
ッド先端から奥まった位置に設け、導電性蒸着テープの
使用が可能であるなど、数々の優れた効果を得ることが
できる一体化薄膜磁気へノドを実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における一体化薄膜磁気ヘノ
ドの断面図、第２図は第１図における記録ヘッドの導電
性コイル形成時の斜視図、第３図は第１図における再生
ヘッドの磁気抵抗効果素子とそのリード線、リード線端
子形成時の斜視図、第４図は従来の一体化薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。２ｏ・・・・・・強磁性基板、２１・・・　溝、２２，
３３゜３５　、３７　　・・・第１．第２．第３．第４
の絶縁層、２５．２７・・・・・・第１層、第２層導電
性薄膜コイル、２５ｃ　、４２ｃ　、４３ｃ　、４４ｃ
・・・・・・リード線端子、２６．２９・・・・・・第
１．第２のコイル絶縁層、３ｏ・・・・・・磁気ポール
、３１．４０・・・・・・第１．第２の保護層、３２・
・・・・・強磁性薄膜層、３６・・・・・・磁気抵抗効
果素子、３８．３９・・・・・・フロント、バック磁気
ヨーク、４１・・・・・・保護基板、４６・・・・・・
フロントギャップ、４６・・・・・・バックギャップ。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）強磁性基板上に第１の絶縁層を形成し、上記第１
の絶縁層上に薄膜コイルと、上記強磁性基板とバックギ
ャップで磁気的に結合される高透磁性の磁気ポールを有
し、上記薄膜コイルは上記磁気ポールとコイル絶縁層を
はさんで、第１の絶縁層或いはコイル絶縁層で形成され
る記録用磁気ギャップに記録磁界を発生するように巻回
された構造から成る記録ヘッド部と、上記磁気ポール上
に平坦化された非磁性絶縁体から成る第１の保護層と、
第１の保護層上に順次積層された高透磁性の強磁性薄膜
と第２の絶縁層と、第２或いは第３又は第４の絶縁層で
形成される再生用磁気ギャップから奥まって帯状の導電
性薄膜から成り、かつトラック幅方向に延びたバイアス
線と上記バイアス線上に第３の絶縁層を介して上記バイ
アス線とほぼ同一幅に設けられた磁気抵抗効果素子と、
上記磁気抵抗効果素子の両端にはトラック幅方向にセン
ス電流を流す一対のリード線電極手段を有し、第４の絶
縁層を介して上記磁気抵抗効果素子上のほぼ中央で２分
割された高透磁性磁気ヨークを形成して構成される再生
ヘッドと、前記記録ヘッド部とが複合化されたことを特
徴とする一体化薄膜磁気ヘッド。
（２）強磁性基板の記録ヘッド部フロントギャップと、
バックギャップとを結ぶ少なくとも最短距離幅の溝を上
記強磁性基板の上面に形成し、上記溝部に非磁性絶縁物
質を充填したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の一体化薄膜磁気ヘッド。
（３）強磁性基板上に複数個の記録ヘッド部と、上記記
録ヘッド部上に第１の保護層と強磁性薄膜と第２の絶縁
層を介し、かつ、バイアス線上に第３の絶縁層を介して
磁気抵抗効果素子を用いた複数個の再生ヘッド部を並べ
、マルチトラック構造としたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項または第２項記載の一体化薄膜磁気ヘッド
。