JPH07262520A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH07262520A JPH07262520A JP7012736A JP1273695A JPH07262520A JP H07262520 A JPH07262520 A JP H07262520A JP 7012736 A JP7012736 A JP 7012736A JP 1273695 A JP1273695 A JP 1273695A JP H07262520 A JPH07262520 A JP H07262520A
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- G—PHYSICS
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- B82—NANOTECHNOLOGY
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は薄膜型磁気抵抗素子を含む薄膜磁気
ヘッドに関し、読み出し／書き込み時のオフセットを少
なくすること、リード線・磁気抵抗素子とシールド部と
の短絡、素子加熱およびマイグレーションを回避するこ
とを目的とする。 【構成】 本発明の薄膜磁気ヘッドが、磁気回路を提供
する第１および第２のポール／シールド／リード層と、
２種のポール／シールド／リード層間に配置される巨大
感度形の磁気抵抗素子層を含む読み出し用ヘッド部と、
第１のポール／シールド／リード層と磁気抵抗素子層の
間に配置される第１の導電体層と、第２のポール／シー
ルド／リード層と磁気抵抗素子層の間に配置される第２
の導電体層とを備える。ポール／シールド／リード層
は、磁気回路の外周部の磁束から磁気抵抗素子層をシー
ルドし、かつ、センス電流を流すための導電経路をな
す。トラック幅を磁気抵抗素子層で規定し、オフ−トラ
ック読み出しを最小限に抑える。
ヘッドに関し、読み出し／書き込み時のオフセットを少
なくすること、リード線・磁気抵抗素子とシールド部と
の短絡、素子加熱およびマイグレーションを回避するこ
とを目的とする。 【構成】 本発明の薄膜磁気ヘッドが、磁気回路を提供
する第１および第２のポール／シールド／リード層と、
２種のポール／シールド／リード層間に配置される巨大
感度形の磁気抵抗素子層を含む読み出し用ヘッド部と、
第１のポール／シールド／リード層と磁気抵抗素子層の
間に配置される第１の導電体層と、第２のポール／シー
ルド／リード層と磁気抵抗素子層の間に配置される第２
の導電体層とを備える。ポール／シールド／リード層
は、磁気回路の外周部の磁束から磁気抵抗素子層をシー
ルドし、かつ、センス電流を流すための導電経路をな
す。トラック幅を磁気抵抗素子層で規定し、オフ−トラ
ック読み出しを最小限に抑える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜タイプの磁気抵抗
素子を有するデータ読み出し／書き込み用の薄膜磁気ヘ
ッドに関する。このような構造の磁気ヘッドは、通常、
ディスク等の記録媒体上のデータの読み出し動作および
書き込み動作を行う際に使用されており、磁気ヘッドア
センブリともよばれている。特に、本発明は、磁束の大
きさに応答する磁気抵抗効果を利用してデータの感知
（センス）を行うためのデータ読み出し用素子を一体化
形成した読み出し／書き込み用ヘッド、すなわち、電気
磁気量変換用のトランスジューサに関するものである。
素子を有するデータ読み出し／書き込み用の薄膜磁気ヘ
ッドに関する。このような構造の磁気ヘッドは、通常、
ディスク等の記録媒体上のデータの読み出し動作および
書き込み動作を行う際に使用されており、磁気ヘッドア
センブリともよばれている。特に、本発明は、磁束の大
きさに応答する磁気抵抗効果を利用してデータの感知
（センス）を行うためのデータ読み出し用素子を一体化
形成した読み出し／書き込み用ヘッド、すなわち、電気
磁気量変換用のトランスジューサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】これまでに知られている従来の磁気ヘッ
ドアセンブリは、誘導性の書き込み用ヘッド部と、磁気
抵抗効果を利用した（Magnetoresistive：通常、ＭＲと
略記する）読み出し用素子とにより作製されている。代
表的な誘導性の書き込み用ヘッド部は、それぞれＰ１お
よびＰ２とよばれる複数の薄膜のパーマロイ層を有す
る。これらのパーマロイ層は、周知のように、電気磁気
量変換用のギャップを有する磁気回路を形成する。書き
込みモードの期間中は、所定のデータ信号を表す磁束
が、磁気回路内の書き込み用のギャップから送出され
る。さらに、この磁束に対応するデータ信号が、電気磁
気量変換を利用した書き込み用のギャップに近接して配
置されかつ回転するディスク上のトラックに記録され
る。
ドアセンブリは、誘導性の書き込み用ヘッド部と、磁気
抵抗効果を利用した（Magnetoresistive：通常、ＭＲと
略記する）読み出し用素子とにより作製されている。代
表的な誘導性の書き込み用ヘッド部は、それぞれＰ１お
よびＰ２とよばれる複数の薄膜のパーマロイ層を有す
る。これらのパーマロイ層は、周知のように、電気磁気
量変換用のギャップを有する磁気回路を形成する。書き
込みモードの期間中は、所定のデータ信号を表す磁束
が、磁気回路内の書き込み用のギャップから送出され
る。さらに、この磁束に対応するデータ信号が、電気磁
気量変換を利用した書き込み用のギャップに近接して配
置されかつ回転するディスク上のトラックに記録され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような薄膜タイ
プのＭＲ読み出し用素子を使用した薄膜磁気ヘッドアセ
ンブリにおいては、導電性のリード線の幾何学的形態
（Topology：トポロジー）による問題が発生する。この
問題とは、導電性のリード線の幾何学的形態の結果とし
て、リード線の高電流密度により生ずるイオン移動、す
なわち、エレクトロマイグレーション（Electromigrati
on）や、リード線およびＭＲ読み出し用素子とシールド
部分との電気的な短絡（ショート）や、リード線および
ＭＲ読み出し用素子の電気抵抗による加熱が起こり得る
という事実である。
プのＭＲ読み出し用素子を使用した薄膜磁気ヘッドアセ
ンブリにおいては、導電性のリード線の幾何学的形態
（Topology：トポロジー）による問題が発生する。この
問題とは、導電性のリード線の幾何学的形態の結果とし
て、リード線の高電流密度により生ずるイオン移動、す
なわち、エレクトロマイグレーション（Electromigrati
on）や、リード線およびＭＲ読み出し用素子とシールド
部分との電気的な短絡（ショート）や、リード線および
ＭＲ読み出し用素子の電気抵抗による加熱が起こり得る
という事実である。
【０００４】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、簡易な構造を有し、かつ、読み出し／書き込み
動作時のオフセットができる限り少なくなるような高密
度記録用の薄膜磁気ヘッドを提供することを第１の目的
とするものである。さらに、本発明は、リード線および
ＭＲ読み出し用素子とシールド部分との電気的な短絡の
おそれを効果的に回避することが可能な薄膜磁気ヘッド
を提供することを第２の目的とするものである。
であり、簡易な構造を有し、かつ、読み出し／書き込み
動作時のオフセットができる限り少なくなるような高密
度記録用の薄膜磁気ヘッドを提供することを第１の目的
とするものである。さらに、本発明は、リード線および
ＭＲ読み出し用素子とシールド部分との電気的な短絡の
おそれを効果的に回避することが可能な薄膜磁気ヘッド
を提供することを第２の目的とするものである。
【０００５】さらにまた、本発明は、動作中のリード線
の電流密度を減らすことにより加熱を少なくしたりエレ
クトロマイグレーションを低減したりすることが可能な
薄膜磁気ヘッドを提供することを第３の目的とするもの
である。
の電流密度を減らすことにより加熱を少なくしたりエレ
クトロマイグレーションを低減したりすることが可能な
薄膜磁気ヘッドを提供することを第３の目的とするもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段、および、作用】上記目的
を達成するために、記録媒体のトラック上のデータに対
し読み出しおよび書き込みを行うための本発明の薄膜磁
気ヘッドは、ギャップを有する磁気回路を提供するため
の磁気的な第１のポール／シールド／リード層と第２の
ポール／シールド／リード層を備えている。これらの第
１および第２のポール／シールド／リード層の各々は、
書き込み用の磁気的なポールを有している。
を達成するために、記録媒体のトラック上のデータに対
し読み出しおよび書き込みを行うための本発明の薄膜磁
気ヘッドは、ギャップを有する磁気回路を提供するため
の磁気的な第１のポール／シールド／リード層と第２の
ポール／シールド／リード層を備えている。これらの第
１および第２のポール／シールド／リード層の各々は、
書き込み用の磁気的なポールを有している。
【０００７】さらに、本発明の薄膜磁気ヘッドは、上記
第１のポール／シールド／リード層と第２のポール／シ
ールド／リード層との間に配置される巨大感度形磁気抵
抗素子層を含む読み出し用ヘッド部を備え、上記第１お
よび第２のポール／シールド／リード層の各々は、磁気
回路の外周部にて生ずる磁束から巨大感度形磁気抵抗素
子層をシールドする機能を有し、かつ、この巨大感度形
磁気抵抗素子層に対しデータ感知用のセンス電流を流す
ための導電性経路を提供する。
第１のポール／シールド／リード層と第２のポール／シ
ールド／リード層との間に配置される巨大感度形磁気抵
抗素子層を含む読み出し用ヘッド部を備え、上記第１お
よび第２のポール／シールド／リード層の各々は、磁気
回路の外周部にて生ずる磁束から巨大感度形磁気抵抗素
子層をシールドする機能を有し、かつ、この巨大感度形
磁気抵抗素子層に対しデータ感知用のセンス電流を流す
ための導電性経路を提供する。
【０００８】さらにまた、本発明の薄膜磁気ヘッドは、
上記第１のポール／シールド／リード層と巨大感度形磁
気抵抗素子層との間に配置される第１の導電体層と、上
記第２のポール／シールド／リード層と巨大感度形磁気
抵抗素子層との間に配置される第２の導電体層とを備え
ている。換言すれば、本発明の薄膜磁気ヘッド、すなわ
ち、データ読み出し／書き込み用の薄膜磁気ヘッドアセ
ンブリは、誘導形の書き込み用ヘッド部と、磁気抵抗形
の読み出し用ヘッド部とを備えている。この読み出し用
ヘッド部は、書き込み用ヘッド部のギャップの中に、セ
ンサ素子としての巨大感度形磁気抵抗（以下、ＧＭＲと
略記することもある）素子からなるＧＭＲ素子層を形成
した構造になっている。上記の誘導性の書き込み用ヘッ
ド部は、それぞれ、パーマロイのような強磁性材料によ
り作製されたＰ１層およびＰ２層とよばれる第１のポー
ル／シールド／リード層（通常、第１のポール層または
Ｐ１層と略記する）および第１のポール／シールド／リ
ード層（通常、第２のポール層またはＰ２層と略記す
る）を有している。これらの第１および第２のポール層
の各々は、電気磁気量変換用のギャップを有する磁気回
路を形成する。上記のＰ１層およびＰ２層とよばれる磁
気的なポール層（磁極層）は、高い透磁率を有する高磁
化（通常、磁化はＢｓで表される）材料で作られてお
り、かつ、電流を通すことが可能である。これらの高磁
化材料として、例えば、ＮｉＦｅ（パーマロイ）、Ｆｅ
ＮまたはＦｅＮＴａが使用可能である。
上記第１のポール／シールド／リード層と巨大感度形磁
気抵抗素子層との間に配置される第１の導電体層と、上
記第２のポール／シールド／リード層と巨大感度形磁気
抵抗素子層との間に配置される第２の導電体層とを備え
ている。換言すれば、本発明の薄膜磁気ヘッド、すなわ
ち、データ読み出し／書き込み用の薄膜磁気ヘッドアセ
ンブリは、誘導形の書き込み用ヘッド部と、磁気抵抗形
の読み出し用ヘッド部とを備えている。この読み出し用
ヘッド部は、書き込み用ヘッド部のギャップの中に、セ
ンサ素子としての巨大感度形磁気抵抗（以下、ＧＭＲと
略記することもある）素子からなるＧＭＲ素子層を形成
した構造になっている。上記の誘導性の書き込み用ヘッ
ド部は、それぞれ、パーマロイのような強磁性材料によ
り作製されたＰ１層およびＰ２層とよばれる第１のポー
ル／シールド／リード層（通常、第１のポール層または
Ｐ１層と略記する）および第１のポール／シールド／リ
ード層（通常、第２のポール層またはＰ２層と略記す
る）を有している。これらの第１および第２のポール層
の各々は、電気磁気量変換用のギャップを有する磁気回
路を形成する。上記のＰ１層およびＰ２層とよばれる磁
気的なポール層（磁極層）は、高い透磁率を有する高磁
化（通常、磁化はＢｓで表される）材料で作られてお
り、かつ、電流を通すことが可能である。これらの高磁
化材料として、例えば、ＮｉＦｅ（パーマロイ）、Ｆｅ
ＮまたはＦｅＮＴａが使用可能である。
【０００９】さらに、Ｐ１層およびＰ２層の２種のポー
ル層は、書き込み用ポールとして機能すると共に、磁気
的なシールドおよびリード線としても機能する。それゆ
えに、以後、必要に応じて、上記のＰ１層およびＰ２層
を、それぞれＰ１／Ｓ１層およびＰ２／Ｓ２層とよぶこ
ととする。この場合、磁気的なシールドとして作用する
シールド部Ｓ１およびＳ２は、ＧＭＲ素子のサイド読み
出し（Side Reading）を減少させ、かつ、信号波形を整
形するために寄与する。書き込み動作期間中は、ＧＭＲ
素子は飽和状態になっている。この場合、電気磁気量変
換を利用した書き込み用のギャップは、ＧＭＲ素子の厚
さ、および、このＧＭＲ素子に隣接して配置されるよう
な同ＧＭＲ素子に関係する導電性のリード線の厚さによ
り決定される。
ル層は、書き込み用ポールとして機能すると共に、磁気
的なシールドおよびリード線としても機能する。それゆ
えに、以後、必要に応じて、上記のＰ１層およびＰ２層
を、それぞれＰ１／Ｓ１層およびＰ２／Ｓ２層とよぶこ
ととする。この場合、磁気的なシールドとして作用する
シールド部Ｓ１およびＳ２は、ＧＭＲ素子のサイド読み
出し（Side Reading）を減少させ、かつ、信号波形を整
形するために寄与する。書き込み動作期間中は、ＧＭＲ
素子は飽和状態になっている。この場合、電気磁気量変
換を利用した書き込み用のギャップは、ＧＭＲ素子の厚
さ、および、このＧＭＲ素子に隣接して配置されるよう
な同ＧＭＲ素子に関係する導電性のリード線の厚さによ
り決定される。
【００１０】本発明によれば、厚さの厚い２種のポール
層であるＰ１／Ｓ１層およびＰ２／Ｓ２層は、磁気的な
ポールおよびシールドとして機能すると共に、導電性の
リード線としても機能する。上記の書き込み用ポールと
して機能するＰ１層／Ｓ１層およびＰ２／Ｓ２層の厚さ
は、比較的厚く作られている。このために、低い電流密
度と最小限度の加熱でもって、比較的大きな電流を流す
ことが可能になる。したがって、薄膜磁気ヘッドの動作
中は、厚さの厚いポール層に対し、最小限度の加熱と低
い電流密度でもって大きな電流を通すことができる。
層であるＰ１／Ｓ１層およびＰ２／Ｓ２層は、磁気的な
ポールおよびシールドとして機能すると共に、導電性の
リード線としても機能する。上記の書き込み用ポールと
して機能するＰ１層／Ｓ１層およびＰ２／Ｓ２層の厚さ
は、比較的厚く作られている。このために、低い電流密
度と最小限度の加熱でもって、比較的大きな電流を流す
ことが可能になる。したがって、薄膜磁気ヘッドの動作
中は、厚さの厚いポール層に対し、最小限度の加熱と低
い電流密度でもって大きな電流を通すことができる。
【００１１】好ましくは、本発明の薄膜磁気ヘッドにお
けるＰ１／Ｓ１層第１およびＰ２／Ｓ２層の各々は、約
２ミクロンの厚さを有する。さらに、好ましくは、本発
明の薄膜磁気ヘッドにおけるＧＭＲ素子層は、約５００
オングストロームの厚さを有する。さらに、好ましく
は、本発明のＧＭＲ素子層は、約０．５ミクロンから約
２ミクロンまでの幅を有しており、このＧＭＲ素子層の
長さ対幅の比は、１：１から５：１までの範囲にある。
けるＰ１／Ｓ１層第１およびＰ２／Ｓ２層の各々は、約
２ミクロンの厚さを有する。さらに、好ましくは、本発
明の薄膜磁気ヘッドにおけるＧＭＲ素子層は、約５００
オングストロームの厚さを有する。さらに、好ましく
は、本発明のＧＭＲ素子層は、約０．５ミクロンから約
２ミクロンまでの幅を有しており、このＧＭＲ素子層の
長さ対幅の比は、１：１から５：１までの範囲にある。
【００１２】さらに、好ましくは、本発明のＧＭＲ素子
層は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）または銀（Ａｇ）のグル
ープから形成される導電体と、鉄（Ｆｅ）、コバルト
（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）により実質的に作製さ
れる合金のグループから形成される磁性合金とを交互に
配置してなる交互層により構成される。さらに、好まし
くは、本発明の薄膜磁気ヘッドは、さらに、上記ギャッ
プを含むギャップ層上に配置される導電性のコイル素子
を備えている。
層は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）または銀（Ａｇ）のグル
ープから形成される導電体と、鉄（Ｆｅ）、コバルト
（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）により実質的に作製さ
れる合金のグループから形成される磁性合金とを交互に
配置してなる交互層により構成される。さらに、好まし
くは、本発明の薄膜磁気ヘッドは、さらに、上記ギャッ
プを含むギャップ層上に配置される導電性のコイル素子
を備えている。
【００１３】読み出し用のセンサ素子であるＧＭＲ素子
は、その高い感度によって特徴づけられる。代表的なＧ
ＭＲ素子は、「ジャーナル オブ アプライド フィジ
ックス（Journal of Applied Physics）（１９９３年５
月１５日発行）」のＶｏｌ．７３、Ｎｏ．１０、５３０
９頁〜５３１４頁、および、「ＩＥＥＥ ジャーナルオ
ン マグネティックス イン ジャパン（IEEE Journal
on Magnetics in Japan）（１９９２年９月発行）」の
Ｖｏｌ．７、Ｎｏ．９、２４８２頁〜２４８７頁に記載
されている。
は、その高い感度によって特徴づけられる。代表的なＧ
ＭＲ素子は、「ジャーナル オブ アプライド フィジ
ックス（Journal of Applied Physics）（１９９３年５
月１５日発行）」のＶｏｌ．７３、Ｎｏ．１０、５３０
９頁〜５３１４頁、および、「ＩＥＥＥ ジャーナルオ
ン マグネティックス イン ジャパン（IEEE Journal
on Magnetics in Japan）（１９９２年９月発行）」の
Ｖｏｌ．７、Ｎｏ．９、２４８２頁〜２４８７頁に記載
されている。
【００１４】本発明のＧＭＲ素子を有する読み出し用ヘ
ッド部に対して使用され得るタイプの改良されたＧＭＲ
センサ素子は、カルフォルニア州のリバーモア（Liverm
ore）に設立されているリバーモア・ラボラトリ（Liver
more Laboratories）にて開発されたものである。この
種のＧＭＲ素子（ＧＭＲセンサ素子）は、代表的には、
パターン形成がなされた多層構造でもって構成される。
この多層構造においては、例えば、Ｃｕ／ＣｏまたはＦ
ｅ／Ｃｒ材料が使用され得る。本発明を実施するに際
し、ＧＭＲ素子からなるＧＭＲ膜は、このＧＭＲ膜に印
加されるバイアス電流が、同ＧＭＲ膜の平面に対し垂直
になるように、すなわち、Ｃｐｐモードにて動作するよ
うに方向付けられる。このような手法により、シールド
部であるＳ１およびＳ２を、導電性のリード線として使
用することが可能になる。
ッド部に対して使用され得るタイプの改良されたＧＭＲ
センサ素子は、カルフォルニア州のリバーモア（Liverm
ore）に設立されているリバーモア・ラボラトリ（Liver
more Laboratories）にて開発されたものである。この
種のＧＭＲ素子（ＧＭＲセンサ素子）は、代表的には、
パターン形成がなされた多層構造でもって構成される。
この多層構造においては、例えば、Ｃｕ／ＣｏまたはＦ
ｅ／Ｃｒ材料が使用され得る。本発明を実施するに際
し、ＧＭＲ素子からなるＧＭＲ膜は、このＧＭＲ膜に印
加されるバイアス電流が、同ＧＭＲ膜の平面に対し垂直
になるように、すなわち、Ｃｐｐモードにて動作するよ
うに方向付けられる。このような手法により、シールド
部であるＳ１およびＳ２を、導電性のリード線として使
用することが可能になる。
【００１５】このようにして、本発明の薄膜磁気ヘッド
によれば、従来技術のＭＲ読み出し用素子を有する薄膜
磁気ヘッドアセンブリにおいて経験した幾何学的形態、
エレクトロマイグレーション、加熱および電気的短絡と
いったような代表的な問題点は実質的に除去される。さ
らに、本発明では、Ｐ１／Ｓ１層とＧＭＲ膜との間に導
電体層が形成されると共に、Ｐ２／Ｓ２層とＧＭＲ膜と
の間にも別の導電体層が形成される。これらの導電体層
は、シールドＳ１およびＳ２からＧＭＲ膜を所定の間隔
だけ離すことにより、ＧＭＲ膜とシールド部のＳ１およ
びＳ２との間の磁気的結合をなくし、かつ、書き込み用
のギャップの一部（ギャップ層）を形成する。この場
合、ディスク等の記録媒体上に形成されるトラックのト
ラック幅は、ＧＭＲ膜の幅によって規定される。このこ
とにより、記録媒体上のトラックに記録された信号のオ
フ−トラック読み出し（Off-track Reading ）、すなわ
ち、目的とするトラック以外のトラックからの不要なデ
ータ読み出しを最小限に抑えることができる。
によれば、従来技術のＭＲ読み出し用素子を有する薄膜
磁気ヘッドアセンブリにおいて経験した幾何学的形態、
エレクトロマイグレーション、加熱および電気的短絡と
いったような代表的な問題点は実質的に除去される。さ
らに、本発明では、Ｐ１／Ｓ１層とＧＭＲ膜との間に導
電体層が形成されると共に、Ｐ２／Ｓ２層とＧＭＲ膜と
の間にも別の導電体層が形成される。これらの導電体層
は、シールドＳ１およびＳ２からＧＭＲ膜を所定の間隔
だけ離すことにより、ＧＭＲ膜とシールド部のＳ１およ
びＳ２との間の磁気的結合をなくし、かつ、書き込み用
のギャップの一部（ギャップ層）を形成する。この場
合、ディスク等の記録媒体上に形成されるトラックのト
ラック幅は、ＧＭＲ膜の幅によって規定される。このこ
とにより、記録媒体上のトラックに記録された信号のオ
フ−トラック読み出し（Off-track Reading ）、すなわ
ち、目的とするトラック以外のトラックからの不要なデ
ータ読み出しを最小限に抑えることができる。
【００１６】
【実施例】本発明は、添付の図面（図１〜図８）により
例示される具体的な実施例をこれから説明することによ
り、容易に理解されるであろう。以下添付図面を用いて
本発明の実施例に関連する事項を詳細に説明することと
する。図１は、本発明に従い誘導性の書き込みセクショ
ンとＧＭＲ素子を使用した読み出しセクションを有する
磁気ヘッドアセンブリの構造の一実施例を等角投影によ
り示す図である。
例示される具体的な実施例をこれから説明することによ
り、容易に理解されるであろう。以下添付図面を用いて
本発明の実施例に関連する事項を詳細に説明することと
する。図１は、本発明に従い誘導性の書き込みセクショ
ンとＧＭＲ素子を使用した読み出しセクションを有する
磁気ヘッドアセンブリの構造の一実施例を等角投影によ
り示す図である。
【００１７】図１を参照すれば明らかように、非磁性の
セラミック基板（図示していない）上に形成されるよう
な薄膜磁気ヘッドアセンブリの構造では、書き込み用の
磁気的なポールを有する誘導性の書き込み用ヘッド部
（書き込みセクション）と、磁気抵抗形のＧＭＲ素子を
有する読み出し用ヘッド部（読み出しセクション）とを
一体化により形成している。誘導性の書き込み用ヘッド
部は第１のポール層１０を有する。この第１のポール層
１０は、Ｐ１／Ｓ１層とよばれており、好ましくは、基
板の上に真空蒸着またはメッキを行うことにより形成さ
れたパーマロイから作製される。上記の第１のポール層
１０（説明の都合上、Ｐ１／Ｓ１層１０とよぶこともあ
る）は、第１の書き込み用ポールＰ１およびシールドＳ
１として機能する。さらに、第１の導電体層１２が、Ｐ
１／Ｓ１層１０上に形成される。ついで、巨大感度形磁
気抵抗（ＧＭＲ）素子層１４が、真空蒸着によって上記
第１の導電体層１２上に形成される。ついで、第２の導
電体層１６が、巨大感度形磁気抵抗素子層１４上に形成
される。
セラミック基板（図示していない）上に形成されるよう
な薄膜磁気ヘッドアセンブリの構造では、書き込み用の
磁気的なポールを有する誘導性の書き込み用ヘッド部
（書き込みセクション）と、磁気抵抗形のＧＭＲ素子を
有する読み出し用ヘッド部（読み出しセクション）とを
一体化により形成している。誘導性の書き込み用ヘッド
部は第１のポール層１０を有する。この第１のポール層
１０は、Ｐ１／Ｓ１層とよばれており、好ましくは、基
板の上に真空蒸着またはメッキを行うことにより形成さ
れたパーマロイから作製される。上記の第１のポール層
１０（説明の都合上、Ｐ１／Ｓ１層１０とよぶこともあ
る）は、第１の書き込み用ポールＰ１およびシールドＳ
１として機能する。さらに、第１の導電体層１２が、Ｐ
１／Ｓ１層１０上に形成される。ついで、巨大感度形磁
気抵抗（ＧＭＲ）素子層１４が、真空蒸着によって上記
第１の導電体層１２上に形成される。ついで、第２の導
電体層１６が、巨大感度形磁気抵抗素子層１４上に形成
される。
【００１８】上記の第１および第２の導電体層１２およ
び１６は、第１のポール層１０および第２のポール層１
８とそれぞれ関係するシールドＳ１およびシールドＳ２
からＧＭＲ素子層１４を一定の間隔だけ離すことによ
り、ＧＭＲ膜とシールド部のＳ１およびＳ２との間の磁
気的結合をなくすようにしている。磁気ヘッドアセンブ
リの構造における誘導性の書き込み用ヘッド部は、第２
のポール層１８（説明の都合上、Ｐ２／Ｓ２層１８とよ
ぶこともある）をメッキするかまたは真空蒸着すること
により完成する。この第２のポール層１８は、第２の書
き込み用ポールＰ２およびシールドＳ２として機能す
る。上記の第１および第２の書き込み用ポールＰ１およ
びＰ２は、互いに絶縁され、かつ、第１および第２の導
電性のリード線をそれぞれ形成する。よく知られている
ように、裏面側のギャップ（Back Gap）は、磁気回路内
に低い磁気抵抗でもって形成される。
び１６は、第１のポール層１０および第２のポール層１
８とそれぞれ関係するシールドＳ１およびシールドＳ２
からＧＭＲ素子層１４を一定の間隔だけ離すことによ
り、ＧＭＲ膜とシールド部のＳ１およびＳ２との間の磁
気的結合をなくすようにしている。磁気ヘッドアセンブ
リの構造における誘導性の書き込み用ヘッド部は、第２
のポール層１８（説明の都合上、Ｐ２／Ｓ２層１８とよ
ぶこともある）をメッキするかまたは真空蒸着すること
により完成する。この第２のポール層１８は、第２の書
き込み用ポールＰ２およびシールドＳ２として機能す
る。上記の第１および第２の書き込み用ポールＰ１およ
びＰ２は、互いに絶縁され、かつ、第１および第２の導
電性のリード線をそれぞれ形成する。よく知られている
ように、裏面側のギャップ（Back Gap）は、磁気回路内
に低い磁気抵抗でもって形成される。
【００１９】図２は、図１の構造の上に配置すべきフォ
トレジストマスクが付加された状態を等角投影により示
す図であり、図３は、図２の構造に対して複数の異なる
層のマスクされた部分を形成するように処理がなされた
状態を等角投影により示す図である。なお、前述した構
成要素と同様のものについては、同一の参照番号を付し
て表すこととする。
トレジストマスクが付加された状態を等角投影により示
す図であり、図３は、図２の構造に対して複数の異なる
層のマスクされた部分を形成するように処理がなされた
状態を等角投影により示す図である。なお、前述した構
成要素と同様のものについては、同一の参照番号を付し
て表すこととする。
【００２０】図２を参照すれば明らかように、本発明の
薄膜磁気ヘッドアセンブリの構造では、Ｐ２／Ｓ２層１
８、ＧＭＲ素子層１４、第１および第２の導電体層１
２、１６、およびＰ１／Ｓ１層１０を形成するために、
フォトレジストマスク２０が上記Ｐ２／Ｓ２層１８上に
配置される。これらのすべての層をエッチングすること
により、図３に示すような平面方向に延長された形状の
Ｐ１／Ｓ１層１０が残る。上記のようなエッチング・プ
ロセスが実行されている間中、第１および第２の導電体
層１２、１６、ならびにＰ２／Ｓ２層１８は、ＧＭＲ素
子層１４を保護する。上記のエッチング・プロセスは、
Ｐ１／Ｓ１層１０を部分的に貫通し、ＧＭＲ素子層１４
の周囲に書き込み構造を形成する。
薄膜磁気ヘッドアセンブリの構造では、Ｐ２／Ｓ２層１
８、ＧＭＲ素子層１４、第１および第２の導電体層１
２、１６、およびＰ１／Ｓ１層１０を形成するために、
フォトレジストマスク２０が上記Ｐ２／Ｓ２層１８上に
配置される。これらのすべての層をエッチングすること
により、図３に示すような平面方向に延長された形状の
Ｐ１／Ｓ１層１０が残る。上記のようなエッチング・プ
ロセスが実行されている間中、第１および第２の導電体
層１２、１６、ならびにＰ２／Ｓ２層１８は、ＧＭＲ素
子層１４を保護する。上記のエッチング・プロセスは、
Ｐ１／Ｓ１層１０を部分的に貫通し、ＧＭＲ素子層１４
の周囲に書き込み構造を形成する。
【００２１】上記のＰ１／Ｓ１層１０およびＰ２／Ｓ２
層１８の各々は、例えば、ＮｉＦｅ、ＦｅＮまたはＦｅ
ＮＴａのような高い透磁率を有する高磁化（Ｂｓ）材料
により作られている。好ましくは、Ｐ１／Ｓ１層１０
は、約２ミクロンの厚さを有する。さらに、好ましく
は、ＧＭＲ素子層１４は、約５００オングストロームの
厚さを有し、かつ、約０．５ミクロンから約２ミクロン
までの幅を有している。さらに、好ましくは、上記ＧＭ
Ｒ素子層の長さ対幅の比は、１：１から５：１までの範
囲で変化する。このような構造では、記録媒体上のデー
タ読み出しおよび書き込み用のトラック、すなわち、デ
ータトラックのトラック幅は、ＧＭＲ素子層１４の幅に
よって規定される。それゆえに、オフ−トラック読み出
しを最小限に抑えることができる。データトラックのト
ラック幅のパターン形成は、プレーナ幾何学構造（Plan
ar Geometry ）を用いた単一のステップ（工程）により
達成することが可能になる。このプレーナ幾何学構造を
用いたステップによって、トラック幅に関し高い精度を
得ることが期待できる。
層１８の各々は、例えば、ＮｉＦｅ、ＦｅＮまたはＦｅ
ＮＴａのような高い透磁率を有する高磁化（Ｂｓ）材料
により作られている。好ましくは、Ｐ１／Ｓ１層１０
は、約２ミクロンの厚さを有する。さらに、好ましく
は、ＧＭＲ素子層１４は、約５００オングストロームの
厚さを有し、かつ、約０．５ミクロンから約２ミクロン
までの幅を有している。さらに、好ましくは、上記ＧＭ
Ｒ素子層の長さ対幅の比は、１：１から５：１までの範
囲で変化する。このような構造では、記録媒体上のデー
タ読み出しおよび書き込み用のトラック、すなわち、デ
ータトラックのトラック幅は、ＧＭＲ素子層１４の幅に
よって規定される。それゆえに、オフ−トラック読み出
しを最小限に抑えることができる。データトラックのト
ラック幅のパターン形成は、プレーナ幾何学構造（Plan
ar Geometry ）を用いた単一のステップ（工程）により
達成することが可能になる。このプレーナ幾何学構造を
用いたステップによって、トラック幅に関し高い精度を
得ることが期待できる。
【００２２】さらに、図３において、ＧＭＲ素子層１４
は、互いに反対の方向に磁化が生成されるような複数の
磁化の交互層を提供する。この交互層に印加される電界
は、すべての磁化を同じ方向に切り換える（スイッチン
グする）。この結果として、前述のポール／シールド／
リード層を通して感知される磁化の変化が大きなものに
なる。好ましくは、ＧＭＲ素子層１４は、複数の銅の層
とコバルトの層を交互に配置してなる交互層により構成
される。この場合、銅の層とコバルトの層の各々は、２
０オングストロームの厚さを有している。第１および第
２の導電体層１２、１６の各々は、例えば銅のような導
電性材料により作製される。さらに、好ましくは、上記
第１および第２の導電体層１２、１６の各々は、おおよ
そ１００〜２００オングストロームの厚さを有する。あ
るいは、書き込み用ギャップに対しても上記導電体層が
必要とされる場合、導電体層は、より厚くすることが好
ましく、かつ、ＧＭＲ素子層１４と同じ長さおよび幅を
有することが好ましい。
は、互いに反対の方向に磁化が生成されるような複数の
磁化の交互層を提供する。この交互層に印加される電界
は、すべての磁化を同じ方向に切り換える（スイッチン
グする）。この結果として、前述のポール／シールド／
リード層を通して感知される磁化の変化が大きなものに
なる。好ましくは、ＧＭＲ素子層１４は、複数の銅の層
とコバルトの層を交互に配置してなる交互層により構成
される。この場合、銅の層とコバルトの層の各々は、２
０オングストロームの厚さを有している。第１および第
２の導電体層１２、１６の各々は、例えば銅のような導
電性材料により作製される。さらに、好ましくは、上記
第１および第２の導電体層１２、１６の各々は、おおよ
そ１００〜２００オングストロームの厚さを有する。あ
るいは、書き込み用ギャップに対しても上記導電体層が
必要とされる場合、導電体層は、より厚くすることが好
ましく、かつ、ＧＭＲ素子層１４と同じ長さおよび幅を
有することが好ましい。
【００２３】図４は、図３に図示されるＰ１／Ｓ１層中
の延長された部分の上に配置されたフォトレジストマス
クを等角投影により示す図、図５は、図４の構造におい
てＰ１／Ｓ１層中の延長された部分が切り取られた状態
を等角投影により示す図、そして、図６は、図４の構造
においてＰ１／Ｓ１層の上に配置すべき導電性のコイル
素子が形成された状態を等角投影により示す図である。
の延長された部分の上に配置されたフォトレジストマス
クを等角投影により示す図、図５は、図４の構造におい
てＰ１／Ｓ１層中の延長された部分が切り取られた状態
を等角投影により示す図、そして、図６は、図４の構造
においてＰ１／Ｓ１層の上に配置すべき導電性のコイル
素子が形成された状態を等角投影により示す図である。
【００２４】図４においては、フォトレジストマスク２
２が、延長された形状のＰ１／Ｓ１層１０の上に付着さ
れる。このフォトレジストマスク２２は、図５に示すよ
うな薄膜磁気ヘッドアセンブリの構造を形成する目的で
現像される。さらに、非磁性の電気磁気量変換用のギャ
ップを形成するために、絶縁層として機能するギャップ
層２６が、延長された形状のＰ１／Ｓ１層１０の上部に
配置される。この場合、上記絶縁層は、例えば酸化アル
ミニウムから作製され得るか、または、ベンゾシクロブ
テン（Benzocyclobutene：ＢＣＢ）のような良好なプレ
ーナ特性を有する熱硬化性樹脂から作製され得る。ギャ
ップ層２６は、Ｐ１／Ｓ１層１０の上部であってＧＭＲ
素子層１４の周囲部に配置される。さらに、上記ギャッ
プ層２６は、ヘッドアセンブリの構造全体を覆うような
形状を有する。さらに、上記ギャップ層２６は、エッチ
ングにより、Ｐ２／Ｓ２層１８まで空けられた状態にな
る。
２が、延長された形状のＰ１／Ｓ１層１０の上に付着さ
れる。このフォトレジストマスク２２は、図５に示すよ
うな薄膜磁気ヘッドアセンブリの構造を形成する目的で
現像される。さらに、非磁性の電気磁気量変換用のギャ
ップを形成するために、絶縁層として機能するギャップ
層２６が、延長された形状のＰ１／Ｓ１層１０の上部に
配置される。この場合、上記絶縁層は、例えば酸化アル
ミニウムから作製され得るか、または、ベンゾシクロブ
テン（Benzocyclobutene：ＢＣＢ）のような良好なプレ
ーナ特性を有する熱硬化性樹脂から作製され得る。ギャ
ップ層２６は、Ｐ１／Ｓ１層１０の上部であってＧＭＲ
素子層１４の周囲部に配置される。さらに、上記ギャッ
プ層２６は、ヘッドアセンブリの構造全体を覆うような
形状を有する。さらに、上記ギャップ層２６は、エッチ
ングにより、Ｐ２／Ｓ２層１８まで空けられた状態にな
る。
【００２５】さらに、ギャップ層２６の上部には、導電
性の複数のコイル素子２４（例えば、図６に示す２つ
（２ターン）の素子、および、後述の図７および図８に
示す４つ（４ターン）の素子）が設けられる。これらの
コイル素子２４は、磁気ヘッドへのデータ信号、およ
び、磁気ヘッドからのデータ信号を伝達するための書き
込み用コイルとして動作する。上記コイル素子２４のタ
ーン数は、記録媒体上のデータの読み出し／書き込みシ
ステムに要求される書き込み用磁界の大きさに応じて、
２ターンまたは４ターンより多くすることも可能であ
る。
性の複数のコイル素子２４（例えば、図６に示す２つ
（２ターン）の素子、および、後述の図７および図８に
示す４つ（４ターン）の素子）が設けられる。これらの
コイル素子２４は、磁気ヘッドへのデータ信号、およ
び、磁気ヘッドからのデータ信号を伝達するための書き
込み用コイルとして動作する。上記コイル素子２４のタ
ーン数は、記録媒体上のデータの読み出し／書き込みシ
ステムに要求される書き込み用磁界の大きさに応じて、
２ターンまたは４ターンより多くすることも可能であ
る。
【００２６】図７は、Ｐ２／Ｓ２層の上方部分を含む磁
気ヘッドアセンブリの構造を等角投影により示す図であ
る。図７の磁気ヘッドアセンブリの構造においては、よ
く知られているように、Ｐ２／Ｓ２構造の上方部分２８
が、書き込み用のコイル素子２４を取り囲む絶縁物（絶
縁層）の上に付着される。このような構成によって磁気
回路が完成し、第２の導電性のリード線が提供される。
気ヘッドアセンブリの構造を等角投影により示す図であ
る。図７の磁気ヘッドアセンブリの構造においては、よ
く知られているように、Ｐ２／Ｓ２構造の上方部分２８
が、書き込み用のコイル素子２４を取り囲む絶縁物（絶
縁層）の上に付着される。このような構成によって磁気
回路が完成し、第２の導電性のリード線が提供される。
【００２７】図８は、一部が除去された状態のＰ２／Ｓ
２層の上方部分を等角投影により示す図である。図８で
は、図７の磁気ヘッドアセンブリの構造におけるＰ２／
Ｓ２層１８の一部（Ｐ２／Ｓ２層１８の上方部分２８の
一部を意味する）を除去した状態が図示されている。こ
の場合、Ｐ２／Ｓ２層１８の側部が、ＧＭＲ素子層１４
の側部と第１および第２の導電体層１２、１６の側部に
一致するように、Ｐ２／Ｓ２層１８の一部が除去され
る。上記の導電性のリード線は、外部の回路への信号伝
送が可能になるように、コイル素子２４に取り付けられ
ている。薄膜磁気ヘッドの動作中は、コイル素子２４を
通して書き込み用電流が供給される。また一方で、セン
ス電流は、第１および第２の書き込み用ポールＰ１およ
びＰ２のいずれか一方、ならびにＧＭＲ素子層１４を通
して所定の方向に差し向けられる。さらに、センス電流
は、上記書き込み用ポールＰ１およびＰ２の他方を通っ
て流れていく。この場合、ＧＭＲ素子層１４をＣｐｐモ
ードにて動作させることにより、ある変化が磁気ヘッド
を励磁する際に、ＧＭＲ効果によって素子自体の抵抗が
変化するようになっている。このようにして、第１およ
び第２の書き込み用ポールＰ１およびＰ２は、書き込み
用ポール、読み出し用ポールおよび導電性リード線とし
て作用する。
２層の上方部分を等角投影により示す図である。図８で
は、図７の磁気ヘッドアセンブリの構造におけるＰ２／
Ｓ２層１８の一部（Ｐ２／Ｓ２層１８の上方部分２８の
一部を意味する）を除去した状態が図示されている。こ
の場合、Ｐ２／Ｓ２層１８の側部が、ＧＭＲ素子層１４
の側部と第１および第２の導電体層１２、１６の側部に
一致するように、Ｐ２／Ｓ２層１８の一部が除去され
る。上記の導電性のリード線は、外部の回路への信号伝
送が可能になるように、コイル素子２４に取り付けられ
ている。薄膜磁気ヘッドの動作中は、コイル素子２４を
通して書き込み用電流が供給される。また一方で、セン
ス電流は、第１および第２の書き込み用ポールＰ１およ
びＰ２のいずれか一方、ならびにＧＭＲ素子層１４を通
して所定の方向に差し向けられる。さらに、センス電流
は、上記書き込み用ポールＰ１およびＰ２の他方を通っ
て流れていく。この場合、ＧＭＲ素子層１４をＣｐｐモ
ードにて動作させることにより、ある変化が磁気ヘッド
を励磁する際に、ＧＭＲ効果によって素子自体の抵抗が
変化するようになっている。このようにして、第１およ
び第２の書き込み用ポールＰ１およびＰ２は、書き込み
用ポール、読み出し用ポールおよび導電性リード線とし
て作用する。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明にて示される
薄膜磁気ヘッドの構造によれば、単純化された読み出し
／書き込み用ヘッド部において、ＧＭＲ素子層を収容す
るための充分大きな単一のギャップ層が提供される。こ
の場合、ギャップ層内にＧＭＲ素子層が配置されるの
で、回転形のヘッド位置決め装置（Rotary Head Positi
oner Drives ）における補正を通常必要とするような読
み出し用ギャップ対書き込みギャップのオフセットを除
去することができる。このために、ディスク装置の性能
の向上が実現される。さらに、ＧＭＲ素子層を構成する
ＧＭＲ素子のパターン形成および方向付けにより、読み
出し／書き込み制御が容易に行えるような良好に形成さ
れたトラックが提供される。この結果、一般のＭＲ読み
出し用素子を有する薄膜磁気ヘッドにおいて経験した電
気的短絡およびその他の問題点が解消される。
薄膜磁気ヘッドの構造によれば、単純化された読み出し
／書き込み用ヘッド部において、ＧＭＲ素子層を収容す
るための充分大きな単一のギャップ層が提供される。こ
の場合、ギャップ層内にＧＭＲ素子層が配置されるの
で、回転形のヘッド位置決め装置（Rotary Head Positi
oner Drives ）における補正を通常必要とするような読
み出し用ギャップ対書き込みギャップのオフセットを除
去することができる。このために、ディスク装置の性能
の向上が実現される。さらに、ＧＭＲ素子層を構成する
ＧＭＲ素子のパターン形成および方向付けにより、読み
出し／書き込み制御が容易に行えるような良好に形成さ
れたトラックが提供される。この結果、一般のＭＲ読み
出し用素子を有する薄膜磁気ヘッドにおいて経験した電
気的短絡およびその他の問題点が解消される。
【図１】本発明に従い誘導性の書き込みセクションとＧ
ＭＲ素子を使用した読み出しセクションとを有する磁気
ヘッドアセンブリの構造の一実施例を等角投影により示
す図である。
ＭＲ素子を使用した読み出しセクションとを有する磁気
ヘッドアセンブリの構造の一実施例を等角投影により示
す図である。
【図２】図１の構造の上に配置すべきフォトレジストマ
スクが付加された状態を等角投影により示す図である。
スクが付加された状態を等角投影により示す図である。
【図３】図２の構造に対して複数の異なる層のマスクさ
れた部分を形成するように処理がなされた状態を等角投
影により示す図である。
れた部分を形成するように処理がなされた状態を等角投
影により示す図である。
【図４】図３に図示されるＰ１／Ｓ１層中の延長された
部分の上に配置されたフォトレジストマスクを等角投影
により示す図である。
部分の上に配置されたフォトレジストマスクを等角投影
により示す図である。
【図５】図４の構造においてＰ１／Ｓ１層中の延長され
た部分が切り取られた状態を等角投影により示す図であ
る。
た部分が切り取られた状態を等角投影により示す図であ
る。
【図６】図４の構造においてＰ１／Ｓ１層の上に配置す
べき導電性のコイル素子が形成された状態を等角投影に
より示す図である。
べき導電性のコイル素子が形成された状態を等角投影に
より示す図である。
【図７】Ｐ２／Ｓ２層の上方部分を含む磁気ヘッドアセ
ンブリの構造を等角投影により示す図である。
ンブリの構造を等角投影により示す図である。
【図８】一部が除去された状態のＰ２／Ｓ２層の上方部
分を等角投影により示す図である。
分を等角投影により示す図である。
１０…第１のポール（Ｐ１／Ｓ１）層 １２…第１の導電体層 １４…巨大感度形磁気抵抗（ＧＭＲ）素子層 １６…第２の導電体層 １８…第２のポール（Ｐ２／Ｓ２）層 ２０、２２…フォトレジストマスク ２４…コイル素子 ２６…ギャップ層
Claims (8)
- 【請求項１】 記録媒体のトラック上のデータに対し読
み出しおよび書き込みを行うための薄膜磁気ヘッドであ
って、該薄膜磁気ヘッドは、 ギャップを有する磁気回路を提供するための磁気的な第
１のポール／シールド／リード層と第２のポール／シー
ルド／リード層を備え、該第１および第２のポール／シ
ールド／リード層の各々は、書き込み用の磁気的なポー
ルを有しており、 前記薄膜磁気ヘッドは、さらに、 前記第１のポール／シールド／リード層と前記第２のポ
ール／シールド／リード層との間に配置される巨大感度
形磁気抵抗素子（Giant Magnetoresistive Element）層
を含む読み出し用ヘッド部を備え、前記第１および第２
のポール／シールド／リード層の各々は、前記磁気回路
の外周部にて生ずる磁束（Fringing Magnetic Flux）か
ら前記巨大感度形磁気抵抗素子層をシールドする機能を
有し、かつ、前記巨大感度形磁気抵抗素子層に対しデー
タ感知用のセンス電流を流すための導電性経路を提供し
ており、 前記薄膜磁気ヘッドは、さらに、 前記第１のポール／シールド／リード層と前記巨大感度
形磁気抵抗素子層との間に配置される第１の導電体層
と、 前記第２のポール／シールド／リード層と前記巨大感度
形磁気抵抗素子層との間に配置される第２の導電体層と
を備えており、 前記記録媒体上のトラックに書き込まれているデータの
オフ−トラック読み出しを最小限に抑えるように構成す
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記第１および第２のポール／シールド
／リード層が、実質的に、高い透磁率を有する高磁化材
料から構成されており、かつ、電気的に導電性である請
求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記高磁化材料が、ＮｉＦｅ、ＦｅＮお
よびＦｅＮＴａ中の少なくとも一つである請求項２記載
の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記第１および第２のポール／シールド
／リード層の各々が、約２ミクロン（μｍ）の厚さを有
する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記巨大感度形磁気抵抗素子層が、約５
００オングストローム（Å）の厚さを有する請求項１記
載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記巨大感度形磁気抵抗素子層が、約
０．５ミクロンから約２ミクロンまでの幅を有してお
り、該巨大感度形磁気抵抗素子層の長さ対幅の比は、
１：１から５：１までの範囲にある請求項１記載の磁気
ヘッド。 - 【請求項７】 前記巨大感度形磁気抵抗素子層が、銅、
金または銀のグループから形成される導電体と、鉄、コ
バルトおよびニッケルにより実質的に作製された合金の
グループから形成される磁性合金とを交互に配置してな
る交互層により構成される請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記薄膜磁気ヘッドが、さらに、前記ギ
ャップを含むギャップ層上に配置される導電性のコイル
素子を備える請求項１記載の磁気ヘッド。
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| JP (1) | JPH07262520A (ja) |
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