JPS61126618A - 磁気抵抗効果薄膜ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果薄膜ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61126618A JPS61126618A JP24614284A JP24614284A JPS61126618A JP S61126618 A JPS61126618 A JP S61126618A JP 24614284 A JP24614284 A JP 24614284A JP 24614284 A JP24614284 A JP 24614284A JP S61126618 A JPS61126618 A JP S61126618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield
- films
- film
- head
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、磁化信号に応じて電気抵抗が変化する磁気
抵抗効果素子を利用した磁気抵抗効果薄膜ヘッドに関す
る。
抵抗効果素子を利用した磁気抵抗効果薄膜ヘッドに関す
る。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕磁界の強弱によ
って電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子を再生用磁気
ヘッドとして応用した磁気抵抗効果型の薄膜ヘッド（以
下、ＭＲヘッドと略称する）は、一般に通常のインダク
テイブ型の磁気ｌ＼ラッド比べて狭トラツク再生、短波
長再生および低速再生において高い感度が得られるとい
う利点がある。
って電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子を再生用磁気
ヘッドとして応用した磁気抵抗効果型の薄膜ヘッド（以
下、ＭＲヘッドと略称する）は、一般に通常のインダク
テイブ型の磁気ｌ＼ラッド比べて狭トラツク再生、短波
長再生および低速再生において高い感度が得られるとい
う利点がある。
従来から一般に使用されている高密度信号再生用のＭＲ
ヘッドにシールド形ＭＲヘッドがある。
ヘッドにシールド形ＭＲヘッドがある。
この２−ルド型ＭＲヘッドは、第２図に示すように、高
透磁率の磁性膜よりなる第１および第２のシールド膜２
１１３よび２３の間に、磁気抵抗効果素子２５およびこ
の磁気抵抗効果素子２５の両端側に略り字状の折曲した
端部が接触し他端が上方に延出した一対の信号用導体２
７．２９が挾持されて構成されている。すなわち、この
シールド形ＭＲ＝＼ツドにおいては、信号用導体２７→
磁気抵抗効果素子２５→信号用導体２９の信号経路が形
成さｈており、磁界の変化による磁気抵抗効果素子２５
の抵抗変化が磁気抵抗効果素子２５の両端に接触してい
る信号用導体２７．２９から出力されるようになってい
る。したがって、このシールド形ＭＲヘッドにあっては
、磁気記録媒体上に高密度記録された磁化信号を磁気抵
抗効果素子２５の抵抗変化に応じた信号として検出する
ことで、記録された情報を読み出すのである。
透磁率の磁性膜よりなる第１および第２のシールド膜２
１１３よび２３の間に、磁気抵抗効果素子２５およびこ
の磁気抵抗効果素子２５の両端側に略り字状の折曲した
端部が接触し他端が上方に延出した一対の信号用導体２
７．２９が挾持されて構成されている。すなわち、この
シールド形ＭＲ＝＼ツドにおいては、信号用導体２７→
磁気抵抗効果素子２５→信号用導体２９の信号経路が形
成さｈており、磁界の変化による磁気抵抗効果素子２５
の抵抗変化が磁気抵抗効果素子２５の両端に接触してい
る信号用導体２７．２９から出力されるようになってい
る。したがって、このシールド形ＭＲヘッドにあっては
、磁気記録媒体上に高密度記録された磁化信号を磁気抵
抗効果素子２５の抵抗変化に応じた信号として検出する
ことで、記録された情報を読み出すのである。
ところで、一般にこのように構成されるＭＲヘッドに要
求・される条件としては、信号再生時の分解能に優れて
いること、信号再生出力が大きくそのＳＮ比が良好であ
ること、歩留り向上のために構成する部材、例えば膜の
数および製造の工程数が少ないこと等があげられる。し
かし、上述した従来のシールド型ＭＲヘッドにおいては
、磁性膜からなるシールド１１！２１．２３と信号用導
体２７．２９とは電気的に別々に設けられているめ、構
成部材の低減が図れず、かつこれらを製造したり組立て
る工程数を低減することができないという問題があった
。
求・される条件としては、信号再生時の分解能に優れて
いること、信号再生出力が大きくそのＳＮ比が良好であ
ること、歩留り向上のために構成する部材、例えば膜の
数および製造の工程数が少ないこと等があげられる。し
かし、上述した従来のシールド型ＭＲヘッドにおいては
、磁性膜からなるシールド１１！２１．２３と信号用導
体２７．２９とは電気的に別々に設けられているめ、構
成部材の低減が図れず、かつこれらを製造したり組立て
る工程数を低減することができないという問題があった
。
また、前記信号用導体２７．２９はＡｎ等で形成され数
μｍの厚さを有しているが、前記従来のＭＲヘッドを狭
トラツクヘッドとして使用・する場合には、前記シール
ド１！２１．２３の間に挟持された信号用導体２７．２
９の端部によってシールド膜２１の側部に段部３１が図
に示すように形成されるため、このシールドＩｌ！！１
２１の膜厚が不均一になって不規則な内部応力が発生し
、シールド作用が不安定になるという問題がある。
μｍの厚さを有しているが、前記従来のＭＲヘッドを狭
トラツクヘッドとして使用・する場合には、前記シール
ド１！２１．２３の間に挟持された信号用導体２７．２
９の端部によってシールド膜２１の側部に段部３１が図
に示すように形成されるため、このシールドＩｌ！！１
２１の膜厚が不均一になって不規則な内部応力が発生し
、シールド作用が不安定になるという問題がある。
この発明は、上記に鑑みてなされたもので、その目的と
しては、経済的で高信頼性を有する磁気抵抗効果薄膜ヘ
ッドを提供することにある。
しては、経済的で高信頼性を有する磁気抵抗効果薄膜ヘ
ッドを提供することにある。
上記目的を達成するため、この発明は、磁気抵抗効果素
子を一対の磁気シールド膜でサンドイッチ状に挾持して
なる磁気抵抗効果薄膜ヘッドにおいて、前記磁気シール
ド膜を導電材で構成し、前記磁気抵抗効果素子の一方の
端部を前記磁気シールド膜の一方と接続し、磁気抵抗効
果素子の他方の端部を磁気シールド膜の他方と接続する
ことにより、前記一対の磁気シールド膜を磁気抵抗効果
素子の信号用導体として使用することを要旨どする。
子を一対の磁気シールド膜でサンドイッチ状に挾持して
なる磁気抵抗効果薄膜ヘッドにおいて、前記磁気シール
ド膜を導電材で構成し、前記磁気抵抗効果素子の一方の
端部を前記磁気シールド膜の一方と接続し、磁気抵抗効
果素子の他方の端部を磁気シールド膜の他方と接続する
ことにより、前記一対の磁気シールド膜を磁気抵抗効果
素子の信号用導体として使用することを要旨どする。
以下、図面を用いてこの発明の詳細な説明する。
第１図はこの発明の一実施例に係るシールド型ＭＲヘッ
ドを示すものである。同図に示すシールド型ＭＲヘッド
は、磁気記録媒体の摺動面側から、すなわち前記第２図
に示すＸ、Ｙ、Ｚの座標軸においてＹ軸方向からＭＲヘ
ッドを見た場合の構成図である。同図において、符号１
は例えばＳｉ。
ドを示すものである。同図に示すシールド型ＭＲヘッド
は、磁気記録媒体の摺動面側から、すなわち前記第２図
に示すＸ、Ｙ、Ｚの座標軸においてＹ軸方向からＭＲヘ
ッドを見た場合の構成図である。同図において、符号１
は例えばＳｉ。
Ｚｎ−１”ｅ等で形成される基板であり、この基板１の
上に例えばＮｉ−Ｆｅ等の薄膜からなる磁気抵抗効果素
子５を挾んでその両外側に一対の絶縁膜７、アー、更に
この一対の絶縁膜７．７′の外側にそれぞれＮｉ−Ｆｅ
膜等からなる第１および第２のシールドＩＩ！３および
１１がそれぞれ積層されて形成されている。絶縁膜７．
７′は磁気抵抗効果素子５とシールド１９３．１１との
絶縁を得る１〔めのものであり、Ｓｉ ０２ 、Ａｎ２
０２等で形成されている。また、符号９は磁気抵抗効果
素子５の一端寄りと第１のシールド膜３との電気的接合
部であり、符号９−は磁気抵抗効果素子５の他端寄りと
第２のシールド膜１１との電気接合部９′である。そし
て、このように磁気抵抗効果素子５と電気的接合部９．
９−を介してそれぞれ接続されている第１、第２のシー
ルドＩＩ＊３．１１は、それぞれ前記第２図に示した従
来の信号用導体２７．２９を兼用して構成しているもの
であり、従来のものに比較してその弁構成部品およびそ
の製造・組立：［数が低減するとともに、更に従来のよ
うな段部３１が除去されているものである。そして、こ
のような構造のものにおいては、シールド膜における凹
凸の変化は絶縁膜７，７′の膜厚に相当し、例えば１μ
ｍ以下に低減することができるので、シールドｌｌｌ３
の膜厚およびその内部応力を均一にすることができる。
上に例えばＮｉ−Ｆｅ等の薄膜からなる磁気抵抗効果素
子５を挾んでその両外側に一対の絶縁膜７、アー、更に
この一対の絶縁膜７．７′の外側にそれぞれＮｉ−Ｆｅ
膜等からなる第１および第２のシールドＩＩ！３および
１１がそれぞれ積層されて形成されている。絶縁膜７．
７′は磁気抵抗効果素子５とシールド１９３．１１との
絶縁を得る１〔めのものであり、Ｓｉ ０２ 、Ａｎ２
０２等で形成されている。また、符号９は磁気抵抗効果
素子５の一端寄りと第１のシールド膜３との電気的接合
部であり、符号９−は磁気抵抗効果素子５の他端寄りと
第２のシールド膜１１との電気接合部９′である。そし
て、このように磁気抵抗効果素子５と電気的接合部９．
９−を介してそれぞれ接続されている第１、第２のシー
ルドＩＩ＊３．１１は、それぞれ前記第２図に示した従
来の信号用導体２７．２９を兼用して構成しているもの
であり、従来のものに比較してその弁構成部品およびそ
の製造・組立：［数が低減するとともに、更に従来のよ
うな段部３１が除去されているものである。そして、こ
のような構造のものにおいては、シールド膜における凹
凸の変化は絶縁膜７，７′の膜厚に相当し、例えば１μ
ｍ以下に低減することができるので、シールドｌｌｌ３
の膜厚およびその内部応力を均一にすることができる。
以上のように構成されたシールド型ＭＲヘッドは、第１
のシールド膜３および第２のシールド膜１１がそれぞれ
図示しない外部回路に接続され、この外部回路から定電
流が流される。この定電流は例７ｔば外部回路→第１の
シールド膜３→電気的接合部９→磁気抵抗効果素子５→
電気的接合部９→第２のシールド膜１１→外部回路の経
路で流れる。この結果、この定電流の磁気抵抗効果素子
５の抵抗による電圧降下が第１および第２のシールド膜
３および１１の間で測定することができるので、磁気紙
・抗効果素子５が磁気記録媒体に記録された磁化信号に
感応してその抵抗を変化した場合には第１および第２の
シールド膜３，１１の間から電圧の変化として再生信号
を取りだすことができるのである。
のシールド膜３および第２のシールド膜１１がそれぞれ
図示しない外部回路に接続され、この外部回路から定電
流が流される。この定電流は例７ｔば外部回路→第１の
シールド膜３→電気的接合部９→磁気抵抗効果素子５→
電気的接合部９→第２のシールド膜１１→外部回路の経
路で流れる。この結果、この定電流の磁気抵抗効果素子
５の抵抗による電圧降下が第１および第２のシールド膜
３および１１の間で測定することができるので、磁気紙
・抗効果素子５が磁気記録媒体に記録された磁化信号に
感応してその抵抗を変化した場合には第１および第２の
シールド膜３，１１の間から電圧の変化として再生信号
を取りだすことができるのである。
以上説明したように、この発明によれば、磁気抵抗効果
素子をシールドして挾持している一対の磁気シールド膜
が磁気抵抗効果素子の信号用導体を構成し、従来の別途
設けられた信号用導体を兼用しているので、構成部品お
よびその製造・組立工数が低減し、製造の歩留りを向上
することができる。更に、従来信号用導体を別途設けて
いたことにより形成されていた段部によるシールド膜の
厚さの不均一もなくなることにより内部応力が均一にな
ってシールドの動作が安定化し、轟信頼化を達成するこ
とができる。
素子をシールドして挾持している一対の磁気シールド膜
が磁気抵抗効果素子の信号用導体を構成し、従来の別途
設けられた信号用導体を兼用しているので、構成部品お
よびその製造・組立工数が低減し、製造の歩留りを向上
することができる。更に、従来信号用導体を別途設けて
いたことにより形成されていた段部によるシールド膜の
厚さの不均一もなくなることにより内部応力が均一にな
ってシールドの動作が安定化し、轟信頼化を達成するこ
とができる。
第１図はこの発明の一実施例に係る磁気抵抗効果薄膜ヘ
ッドを示す図、第２図は従来の磁気抵抗効果薄膜ヘッド
の斜視図である。 ３・・・第１のシールド膜、５・・・磁気抵抗効果素子
、７．７′・・・絶縁膜、 ９．９−・・・電気的接
合部、１１・・・第２のシールド膜。 ”；：１ｉＸＷ 第ｉｍｌ 第２図
ッドを示す図、第２図は従来の磁気抵抗効果薄膜ヘッド
の斜視図である。 ３・・・第１のシールド膜、５・・・磁気抵抗効果素子
、７．７′・・・絶縁膜、 ９．９−・・・電気的接
合部、１１・・・第２のシールド膜。 ”；：１ｉＸＷ 第ｉｍｌ 第２図
Claims (1)
- 磁気抵抗効果素子を一対の磁気シールド膜でサンドイッ
チ状に挾持してなる磁気抵抗効果薄膜ヘッドにおいて、
前記磁気シールド膜を導電材で構成し、前記磁気抵抗効
果素子の一方の端部を前記磁気シールド膜の一方と接続
し、磁気抵抗効果素子の他方の端部を磁気シールド膜の
他方と接続することを特徴とする磁気抵抗効果薄膜ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24614284A JPS61126618A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 磁気抵抗効果薄膜ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24614284A JPS61126618A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 磁気抵抗効果薄膜ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61126618A true JPS61126618A (ja) | 1986-06-14 |
Family
ID=17144105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24614284A Pending JPS61126618A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 磁気抵抗効果薄膜ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61126618A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4922606A (en) * | 1987-10-30 | 1990-05-08 | Honeywell Inc. | Method of making a current sensor |
| US5091266A (en) * | 1988-09-02 | 1992-02-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Soft-magnetic film having saturation magnetic-flux density and magnetic head utilizing the same |
| EP0669607A2 (en) * | 1994-02-28 | 1995-08-30 | Read-Rite Corporation | Magnetic head assembly with MR sensor |
| WO2000003387A1 (fr) * | 1998-07-08 | 2000-01-20 | Fujitsu Limited | Capteur magnetique |
| US6639766B2 (en) | 1997-12-05 | 2003-10-28 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect type composite head and production method thereof |
-
1984
- 1984-11-22 JP JP24614284A patent/JPS61126618A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4922606A (en) * | 1987-10-30 | 1990-05-08 | Honeywell Inc. | Method of making a current sensor |
| US5091266A (en) * | 1988-09-02 | 1992-02-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Soft-magnetic film having saturation magnetic-flux density and magnetic head utilizing the same |
| EP0669607A2 (en) * | 1994-02-28 | 1995-08-30 | Read-Rite Corporation | Magnetic head assembly with MR sensor |
| EP0669607A3 (en) * | 1994-02-28 | 1995-12-13 | Read Rite Corp | Magnetic head assembly with MR sensor. |
| US6639766B2 (en) | 1997-12-05 | 2003-10-28 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect type composite head and production method thereof |
| WO2000003387A1 (fr) * | 1998-07-08 | 2000-01-20 | Fujitsu Limited | Capteur magnetique |
| US6441611B2 (en) | 1998-07-08 | 2002-08-27 | Fujitsu Limited | Magnetic sensor having a GMR layer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0484474B1 (en) | Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification | |
| US4686472A (en) | Magnetic sensor having closely spaced and electrically parallel magnetoresistive layers of different widths | |
| US5446613A (en) | Magnetic head assembly with MR sensor | |
| US6078479A (en) | Magnetic tape head with flux sensing element | |
| EP0107982B1 (en) | Magnetic transducer heads utilising magnetoresistance effect | |
| US4987509A (en) | Magnetoresistive head structures for longitudinal and perpendicular transition detection | |
| EP0021392A1 (en) | Magnetic transducing head assemblies | |
| JPH0434713A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| US4700252A (en) | Magnetic thin film head | |
| US6671137B2 (en) | Magnetoresistive head including earth members | |
| JPS61126618A (ja) | 磁気抵抗効果薄膜ヘツド | |
| US4814918A (en) | Multitrack magnetic head having magnetically coupled transducer elements | |
| US5875078A (en) | Magnetoresistance thin film magnetic head having reduced terminal count; and bias characteristics measuring method | |
| JPS6141044B2 (ja) | ||
| JP2982841B2 (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
| EP0482642A2 (en) | Composite magnetoresistive thin-film magnetic head | |
| JP2507710B2 (ja) | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド | |
| KR920001146B1 (ko) | 자기저항효과형 자기헤드 | |
| JP2878738B2 (ja) | 記録再生兼用薄膜磁気ヘッド | |
| JPS626420A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6154012A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPH0817019A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP2602203B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH06150258A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| JPH1083518A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |