JPH1083518A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JPH1083518A JPH1083518A JP23942096A JP23942096A JPH1083518A JP H1083518 A JPH1083518 A JP H1083518A JP 23942096 A JP23942096 A JP 23942096A JP 23942096 A JP23942096 A JP 23942096A JP H1083518 A JPH1083518 A JP H1083518A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの再生出力の向上
及び信頼性の向上を図る。 【解決手段】 本発明にかかる磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド１は、基板１３上に相対向して積層される下側磁気シ
ールド５と上側磁気シールド１０間に磁気抵抗効果素子
４を配し、下側磁気シールド５には磁気抵抗効果素子４
に対向して形成された溝部１１を備える磁気抵抗効果型
磁気ヘッドであって、磁気抵抗効果素子４と下側磁気シ
ールド５との最小間隔をｔ1とし、下側磁気シールド５
に形成された溝部１１の深さ寸法をｔ2としたとき、ｔ2
／ｔ1が、０．７〜３．６の範囲内になるように形成さ
れている。
及び信頼性の向上を図る。 【解決手段】 本発明にかかる磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド１は、基板１３上に相対向して積層される下側磁気シ
ールド５と上側磁気シールド１０間に磁気抵抗効果素子
４を配し、下側磁気シールド５には磁気抵抗効果素子４
に対向して形成された溝部１１を備える磁気抵抗効果型
磁気ヘッドであって、磁気抵抗効果素子４と下側磁気シ
ールド５との最小間隔をｔ1とし、下側磁気シールド５
に形成された溝部１１の深さ寸法をｔ2としたとき、ｔ2
／ｔ1が、０．７〜３．６の範囲内になるように形成さ
れている。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、磁気記録媒体からの記
録磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果薄膜を用
い、その抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁気抵
抗効果型磁気ヘッドに関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、磁気抵抗効果素子は、例えば磁気
センサー等に使用されており、更に、この磁気抵抗効果
素子は、ハードディスクに記録された情報信号の再生を
行う薄膜磁気ヘッド等の分野において、磁気抵抗効果型
磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称する。）として使用
されるようになっている。 【０００３】特に、ハードディスクドライブ用の記録再
生磁気ヘッドの分野においては、記録密度の急激な向上
に対応可能な磁気ヘッドが要望されている。 【０００４】しかしながら、例えばＭｎＺｎフェライト
でヘッドスライダ毎に一体加工したモノリシック型磁気
ヘッド、フェライトで形成した磁気コアをセラミックで
形成したヘッドスライダに埋め込んでガラス溶着したコ
ンポジット型磁気ヘッド、薄膜形成プロセスによって形
成される薄膜誘導型磁気ヘッド等の磁気ヘッドでは高密
度に記録された磁気記録媒体の再生に限界を生じるよう
になった。 【０００５】そこで、この磁気記録媒体の記録密度向上
に対して磁気抵抗効果素子を用いたＭＲヘッドが提案さ
れている。 【０００６】このＭＲヘッドは、印加される磁界の大き
さによって抵抗が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁
気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加するための
バイアス導体とを備えている。そして、ＭＲヘッドで磁
気記録媒体から情報信号を再生する際は、バイアス導体
にバイアス電流を印加することによってバイアス磁界を
磁気抵抗効果素子に印加した状態で、磁気抵抗効果素子
にセンス電流を印加する。このとき、磁気抵抗効果素子
は、磁気記録媒体からの磁界の大きさによって抵抗値が
変化するので、センス電流の電圧変化を検出することに
よって、磁気記録媒体に記録された情報信号の再生がな
されることになる。 【０００７】このように構成されるＭＲヘッドにおい
て、磁気抵抗効果素子を記録媒体に対して垂直方向に再
生電流を流すように配設すれば、磁気記録媒体の狭トラ
ック化に対して安定して情報信号の再生を行うことが可
能となる。 【０００８】このような観点から、磁気抵抗効果素子を
記録媒体に対して垂直方向に再生電流を流すように配設
したいわゆる縦型のＭＲヘッドが提案されている。この
縦型のＭＲヘッドでは、磁気抵抗効果素子とバイアス電
流とを直列に接続することによってセンス電流用配線の
端子とバイアス電流用配線の端子とを共通化することが
可能となるので、端子数を削減することが可能となり、
小型化が容易であるという特徴も有している。 【０００９】ところで、このように構成されたＭＲヘッ
ドは、磁気抵抗効果素子に印加されて、ノイズの原因と
なる余計な磁界を遮蔽するように、磁気シールドである
下側磁気シールドと上側磁気シールドとの間隔に配設す
るような構造となっている。 【００１０】この下側磁気シールドには、磁気抵抗効果
素子に対向する部分に溝部が形成されている。このＭＲ
ヘッドは、下側磁気シールド５に下側溝部１１を形成す
ることによって、下側磁気シールド５と磁気抵抗効果素
子との間隔が大きくなり、磁気記録媒体の再生時にて磁
気抵抗効果素子に印加されるバイアス磁界及び信号磁界
のうち下側シールドに漏洩する割合が大幅に減少し、磁
気抵抗効果素子のバイアス特性及び再生出力が向上す
る。 【００１１】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成されたＭＲヘッドおいて、この磁気シールド
は、再生部の磁気抵抗効果素子の再生感度に対する形状
の影響の詳細について確認されていない。中でも、磁気
抵抗効果素子とこの磁気抵抗効果素子を挟むように配設
される磁気シールド間との電気的絶縁性を確保するため
に形成される溝部が磁気抵抗効果素子に与える影響は未
だに明らかでない。 【００１２】そこで、本発明は、上述のような実情に鑑
みて提案されたものであり、磁気シールドの形状を最適
化させることによって再生感度が向上した磁気ヘッドを
提供することを目的とする。 【００１３】 【課題を解決するための手段】上述のような問題点を解
決する本発明にかかる磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、基
板上に相対向して積層される下側磁気シールドと上側磁
気シールド間に磁気抵抗効果素子を配し、下側磁気シー
ルドには磁気抵抗効果素子に対向して形成された溝部を
備える磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、磁気抵抗効
果素子と下側磁気シールドとの最小間隔をｔ1とし、下
側磁気シールドに形成された溝部の深さ寸法をｔ2とし
たとき、ｔ2／ｔ1が、０．７〜３．６の範囲内になるよ
うに形成されていることを特徴とする。 【００１４】このように形成された磁気抵抗効果型磁気
ヘッドは、ｔ2／ｔ1が０．７以上３．６以下になるよう
に溝部を形成することによって再生出力を向上させるこ
とが可能となる。 【００１５】また、このように構成される磁気抵抗効果
型磁気ヘッドは、ｔ2／ｔ1が０．７以上になるように形
成することによって、磁気抵抗素子と下側磁気シールド
との絶縁性が十分に保持される。 【００１６】このように構成された磁気抵抗効果型磁気
ヘッドは、下側磁気シールドに形成される溝部の深さが
最適化されて形成されているので、磁気抵抗効果素子の
再生感度を向上させるとともに、磁気抵抗効果素子と下
側磁気シールドとのショートを防止することが可能とな
る信頼性が向上する。 【００１７】 【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる磁気抵抗効
果型磁気ヘッドについて図面を参照しながら詳細に説明
する。 【００１８】本実施の形態にかかる複合型薄膜磁気ヘッ
ド１は、図１に示すように、磁気記録媒体に対して情報
信号を記録する薄膜インダクティブヘッド２と、磁気記
録媒体に記録された情報信号を再生するＭＲヘッド３と
からなる。 【００１９】ＭＲヘッド３は、磁気抵抗効果素子４（以
下、ＭＲ素子４と称する）が下側磁気シールド５と上側
磁気シールド６とで挟まれた構造となっている。 【００２０】このＭＲヘッド３は、磁気記録媒体からの
磁気信号を検出するＭＲ素子４と、このＭＲ素子４の両
端に形成されてセンス電流を印加する先端電極７及び後
端電極８と、ＭＲ素子４から上層に絶縁層を介して配設
されるバイアス導体９とを備える。そしてこのＭＲヘッ
ド３は、これらＭＲ素子４、先端電極７及び後端電極
８、バイアス導体９を挟み込むように下側磁気シールド
５及び上側磁気シールド６が配設されている。また、こ
れらの下側磁気シールド５及び上側磁気シールド６に
は、それぞれ上側溝部１０及び下側溝部１１が形成され
ている。 【００２１】ＭＲ素子４は、磁気記録媒体からの磁気信
号を検出するために磁気抵抗効果を有する材料からな
る。このＭＲ素子４は、その長手方向を磁気記録媒体と
の対向面、すなわち磁気記録媒体摺動面１２と垂直にな
るように配設され、その一方の端面を磁気記録媒体摺動
面１２に露出させるようになっている。また、このＭＲ
素子４には、磁気記録媒体摺動面１２側部分と、その先
端部分から所定距離隔てた箇所に、それぞれ軟磁性膜に
よる先端電極７及び後端電極８が形成されている。 【００２２】なお、このＭＲ素子４は、磁気抵抗効果を
有する材料のみからなる単層構造または、磁壁の移動に
基づくノイズであるバルクハウゼンノイズの発生を防止
するために、例えばＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等からなる絶縁
層を介して磁気抵抗効果を有する材料を積層した積層構
造であっても良い。 【００２３】先端電極７及び後端電極８は、ＭＲ素子４
の長手方向に沿って、すなわち磁気記録媒体と直交する
ようにセンス電流を流すように形成される。これら先端
電極７及び後端電極８は、例えば良導電性の非磁性材料
からなる。 【００２４】バイアス導体９は、ＭＲ素子４の上側に形
成され、ＭＲ素子４にバイアス磁界を印加する。このバ
イアス導体９には、電流が印加されることによって磁界
が生じ、ＭＲ素子４の長軸方向に対して略直交するよう
にバイアス磁界を印加する。このバイアス導体９は、Ｍ
Ｒ素子４との電気的な絶縁性を保持する為に、ＭＲ素子
４と絶縁層を介して形成される。 【００２５】このバイアス導体９上に形成された上側磁
気シールド６は、先端電極７と接続するように形成さ
れ、ＭＲ素子４の上層を磁気的に遮蔽するものであり、
例えばセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）のような良
導体の磁性材料からなる。また、この上側磁気シールド
６は、ＭＲ素子４の上側を磁気的に遮蔽するだけでな
く、先端電極７とともに、ＭＲ素子４の先端の電極とし
ても機能する。ここで、上側磁気シールド６は、薄膜イ
ンダクティブヘッド２の磁気コアとしても機能する。 【００２６】下側磁気シールド５は、非磁性基板にて形
成されたスライダー１３上に、例えばセンダスト（Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ合金）よりなる磁性層にて形成される。ま
た、下側磁気シールド５は、ＭＲ素子４から絶縁層を隔
てて下側ギャップ長ｔ1を介して形成されている。この
下側ギャップ長ｔ1は、ＭＲ素子４と、下側磁気シール
ド５との絶縁性を保持するために、非磁性材料であると
ともに、絶縁性材料にて形成されてなる。 【００２７】この下側磁気シールド５は、ＭＲ素子４の
対向する部分に下側溝部１１が形成されている。この下
側溝部１１は、ＭＲ素子４と下側磁気シールド５との最
小間隔である下側ギャップ長ｔ1を隔てて深さｔ2にて形
成されている。ここで、最小間隔ｔ1とは、ＭＲヘッド
３の磁気記録媒体摺動面１２におけるＭＲ素子４と下側
磁気シールド５との間隔に相当する。 【００２８】このように下側磁気シールド５に下側溝部
１１を変化させて形成することによって、ＭＲ素子４と
下側磁気シールド５との距離を変化させることが可能と
なる。この下側溝部１１は、非磁性材料により充填され
ているので、ＭＲ素子４と下側磁気シールド５とが磁気
的に分離され、再生時において、ＭＲ素子４に印加され
るバイアス磁界及び磁界信号のうち下側磁気シールド５
に漏洩する割合が減少し、ＭＲ素子４の再生出力を向上
させることが可能となる。 【００２９】このように構成されたＭＲヘッド３は、図
２に示すように、下側ギャップ長をｔ1とし、下側溝部
１１の深さをｔ2として計算機シミュレーションによる
再生出力の規格化グルーブ深さｔ2／ｔ1の依存性を示
す。この規格化グルーブ深さは、ｔ2／ｔ1で表され、下
側磁気シールド５の下側溝部１１の深さｔ2を下側ギャ
ップ長ｔ1にて規格化したものである。ここで、下側ギ
ャップ長ｔ1は、磁気記録媒体摺動面１２に設けられた
ＭＲ素子４と下側磁気シールド５とのギャップ長であ
る。 【００３０】図２に示すように、再生出力値は、規格化
グルーブ深さが０のときと比較して規格化グルーブ深さ
が約０．７〜３．６の範囲内にて大きくなっている。 【００３１】ここで、下側磁気シールド５の下側溝部１
１の深さｔ2を下側ギャップ長ｔ1の１．５倍〜２．５倍
程度にすることにより、再生出力値は最大を示す。ま
た、下側磁気シールド５の下側溝部１１の深さｔ2を下
側ギャップ長ｔ1の１倍以下又は３．５倍以上にするこ
とにより、再生出力値は最小を示す。したがって、規格
化グルーブ深さｔ2／ｔ1を変化させて再生出力値の最大
値と最小値とを比較すると、再生出力値が最大で約１．
６倍増加することになる。 【００３２】例えば、下側ギャップ長ｔ1が０．１３５
μｍのとき、下側磁気シールド５の下側溝部１１の深さ
ｔ2が０．２〜０．３μｍ程度であれば、高い再生出力
値を得ることが可能である。 【００３３】したがって、このように構成されたＭＲヘ
ッド３は、下側溝部１１の深さｔ2を変化させることに
より、図２に示すように再生感度が変化することから、
下側磁気シールド５の下側溝部１１の深さを最適化する
ことにより、より再生感度を向上させることが可能とな
る。また、このＭＲヘッド３の下側磁気シールド５の深
さを最適化することにより、例えば磁気センサー、薄膜
磁気ヘッド、特に、ハードディスク上の信号の記録再生
を行う薄膜磁気ヘッドにおいて、再生感度を向上させる
ことが可能であるとともに、ＭＲ素子４と下側磁気シー
ルド５とのショートを防止することが可能となる。 【００３４】 【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明にか
かる磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、基板上に相対向して
積層される下側磁気シールドと上側磁気シールド間に磁
気抵抗効果素子を配し、下側磁気シールドには磁気抵抗
効果素子に対向して形成された溝部を備える磁気抵抗効
果型磁気ヘッドであって、磁気抵抗効果素子と下側磁気
シールドとの最小間隔をｔ1とし、下側磁気シールドに
形成された溝部の深さ寸法をｔ2としたとき、ｔ2／ｔ1
が、０．７〜３．６の範囲内になるように形成されてい
る。 【００３５】このように構成された磁気抵抗効果型磁気
ヘッドは、下側磁気シールドに形成された溝部の深さを
最適化させることにより、磁気抵抗効果素子の再生出力
を向上させることが可能となるとともに、ｔ2／ｔ1が
０．７以上とするように溝部を形成することによって磁
気抵抗効果素子と下側磁気シールドとの磁気的な分離を
確実に保持することが可能となるとともに、磁気抵抗効
果素子と下側磁気シールドとの電気的な絶縁性を確実に
保持することが可能である。
録磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果薄膜を用
い、その抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁気抵
抗効果型磁気ヘッドに関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、磁気抵抗効果素子は、例えば磁気
センサー等に使用されており、更に、この磁気抵抗効果
素子は、ハードディスクに記録された情報信号の再生を
行う薄膜磁気ヘッド等の分野において、磁気抵抗効果型
磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称する。）として使用
されるようになっている。 【０００３】特に、ハードディスクドライブ用の記録再
生磁気ヘッドの分野においては、記録密度の急激な向上
に対応可能な磁気ヘッドが要望されている。 【０００４】しかしながら、例えばＭｎＺｎフェライト
でヘッドスライダ毎に一体加工したモノリシック型磁気
ヘッド、フェライトで形成した磁気コアをセラミックで
形成したヘッドスライダに埋め込んでガラス溶着したコ
ンポジット型磁気ヘッド、薄膜形成プロセスによって形
成される薄膜誘導型磁気ヘッド等の磁気ヘッドでは高密
度に記録された磁気記録媒体の再生に限界を生じるよう
になった。 【０００５】そこで、この磁気記録媒体の記録密度向上
に対して磁気抵抗効果素子を用いたＭＲヘッドが提案さ
れている。 【０００６】このＭＲヘッドは、印加される磁界の大き
さによって抵抗が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁
気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加するための
バイアス導体とを備えている。そして、ＭＲヘッドで磁
気記録媒体から情報信号を再生する際は、バイアス導体
にバイアス電流を印加することによってバイアス磁界を
磁気抵抗効果素子に印加した状態で、磁気抵抗効果素子
にセンス電流を印加する。このとき、磁気抵抗効果素子
は、磁気記録媒体からの磁界の大きさによって抵抗値が
変化するので、センス電流の電圧変化を検出することに
よって、磁気記録媒体に記録された情報信号の再生がな
されることになる。 【０００７】このように構成されるＭＲヘッドにおい
て、磁気抵抗効果素子を記録媒体に対して垂直方向に再
生電流を流すように配設すれば、磁気記録媒体の狭トラ
ック化に対して安定して情報信号の再生を行うことが可
能となる。 【０００８】このような観点から、磁気抵抗効果素子を
記録媒体に対して垂直方向に再生電流を流すように配設
したいわゆる縦型のＭＲヘッドが提案されている。この
縦型のＭＲヘッドでは、磁気抵抗効果素子とバイアス電
流とを直列に接続することによってセンス電流用配線の
端子とバイアス電流用配線の端子とを共通化することが
可能となるので、端子数を削減することが可能となり、
小型化が容易であるという特徴も有している。 【０００９】ところで、このように構成されたＭＲヘッ
ドは、磁気抵抗効果素子に印加されて、ノイズの原因と
なる余計な磁界を遮蔽するように、磁気シールドである
下側磁気シールドと上側磁気シールドとの間隔に配設す
るような構造となっている。 【００１０】この下側磁気シールドには、磁気抵抗効果
素子に対向する部分に溝部が形成されている。このＭＲ
ヘッドは、下側磁気シールド５に下側溝部１１を形成す
ることによって、下側磁気シールド５と磁気抵抗効果素
子との間隔が大きくなり、磁気記録媒体の再生時にて磁
気抵抗効果素子に印加されるバイアス磁界及び信号磁界
のうち下側シールドに漏洩する割合が大幅に減少し、磁
気抵抗効果素子のバイアス特性及び再生出力が向上す
る。 【００１１】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成されたＭＲヘッドおいて、この磁気シールド
は、再生部の磁気抵抗効果素子の再生感度に対する形状
の影響の詳細について確認されていない。中でも、磁気
抵抗効果素子とこの磁気抵抗効果素子を挟むように配設
される磁気シールド間との電気的絶縁性を確保するため
に形成される溝部が磁気抵抗効果素子に与える影響は未
だに明らかでない。 【００１２】そこで、本発明は、上述のような実情に鑑
みて提案されたものであり、磁気シールドの形状を最適
化させることによって再生感度が向上した磁気ヘッドを
提供することを目的とする。 【００１３】 【課題を解決するための手段】上述のような問題点を解
決する本発明にかかる磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、基
板上に相対向して積層される下側磁気シールドと上側磁
気シールド間に磁気抵抗効果素子を配し、下側磁気シー
ルドには磁気抵抗効果素子に対向して形成された溝部を
備える磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、磁気抵抗効
果素子と下側磁気シールドとの最小間隔をｔ1とし、下
側磁気シールドに形成された溝部の深さ寸法をｔ2とし
たとき、ｔ2／ｔ1が、０．７〜３．６の範囲内になるよ
うに形成されていることを特徴とする。 【００１４】このように形成された磁気抵抗効果型磁気
ヘッドは、ｔ2／ｔ1が０．７以上３．６以下になるよう
に溝部を形成することによって再生出力を向上させるこ
とが可能となる。 【００１５】また、このように構成される磁気抵抗効果
型磁気ヘッドは、ｔ2／ｔ1が０．７以上になるように形
成することによって、磁気抵抗素子と下側磁気シールド
との絶縁性が十分に保持される。 【００１６】このように構成された磁気抵抗効果型磁気
ヘッドは、下側磁気シールドに形成される溝部の深さが
最適化されて形成されているので、磁気抵抗効果素子の
再生感度を向上させるとともに、磁気抵抗効果素子と下
側磁気シールドとのショートを防止することが可能とな
る信頼性が向上する。 【００１７】 【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる磁気抵抗効
果型磁気ヘッドについて図面を参照しながら詳細に説明
する。 【００１８】本実施の形態にかかる複合型薄膜磁気ヘッ
ド１は、図１に示すように、磁気記録媒体に対して情報
信号を記録する薄膜インダクティブヘッド２と、磁気記
録媒体に記録された情報信号を再生するＭＲヘッド３と
からなる。 【００１９】ＭＲヘッド３は、磁気抵抗効果素子４（以
下、ＭＲ素子４と称する）が下側磁気シールド５と上側
磁気シールド６とで挟まれた構造となっている。 【００２０】このＭＲヘッド３は、磁気記録媒体からの
磁気信号を検出するＭＲ素子４と、このＭＲ素子４の両
端に形成されてセンス電流を印加する先端電極７及び後
端電極８と、ＭＲ素子４から上層に絶縁層を介して配設
されるバイアス導体９とを備える。そしてこのＭＲヘッ
ド３は、これらＭＲ素子４、先端電極７及び後端電極
８、バイアス導体９を挟み込むように下側磁気シールド
５及び上側磁気シールド６が配設されている。また、こ
れらの下側磁気シールド５及び上側磁気シールド６に
は、それぞれ上側溝部１０及び下側溝部１１が形成され
ている。 【００２１】ＭＲ素子４は、磁気記録媒体からの磁気信
号を検出するために磁気抵抗効果を有する材料からな
る。このＭＲ素子４は、その長手方向を磁気記録媒体と
の対向面、すなわち磁気記録媒体摺動面１２と垂直にな
るように配設され、その一方の端面を磁気記録媒体摺動
面１２に露出させるようになっている。また、このＭＲ
素子４には、磁気記録媒体摺動面１２側部分と、その先
端部分から所定距離隔てた箇所に、それぞれ軟磁性膜に
よる先端電極７及び後端電極８が形成されている。 【００２２】なお、このＭＲ素子４は、磁気抵抗効果を
有する材料のみからなる単層構造または、磁壁の移動に
基づくノイズであるバルクハウゼンノイズの発生を防止
するために、例えばＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等からなる絶縁
層を介して磁気抵抗効果を有する材料を積層した積層構
造であっても良い。 【００２３】先端電極７及び後端電極８は、ＭＲ素子４
の長手方向に沿って、すなわち磁気記録媒体と直交する
ようにセンス電流を流すように形成される。これら先端
電極７及び後端電極８は、例えば良導電性の非磁性材料
からなる。 【００２４】バイアス導体９は、ＭＲ素子４の上側に形
成され、ＭＲ素子４にバイアス磁界を印加する。このバ
イアス導体９には、電流が印加されることによって磁界
が生じ、ＭＲ素子４の長軸方向に対して略直交するよう
にバイアス磁界を印加する。このバイアス導体９は、Ｍ
Ｒ素子４との電気的な絶縁性を保持する為に、ＭＲ素子
４と絶縁層を介して形成される。 【００２５】このバイアス導体９上に形成された上側磁
気シールド６は、先端電極７と接続するように形成さ
れ、ＭＲ素子４の上層を磁気的に遮蔽するものであり、
例えばセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）のような良
導体の磁性材料からなる。また、この上側磁気シールド
６は、ＭＲ素子４の上側を磁気的に遮蔽するだけでな
く、先端電極７とともに、ＭＲ素子４の先端の電極とし
ても機能する。ここで、上側磁気シールド６は、薄膜イ
ンダクティブヘッド２の磁気コアとしても機能する。 【００２６】下側磁気シールド５は、非磁性基板にて形
成されたスライダー１３上に、例えばセンダスト（Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ合金）よりなる磁性層にて形成される。ま
た、下側磁気シールド５は、ＭＲ素子４から絶縁層を隔
てて下側ギャップ長ｔ1を介して形成されている。この
下側ギャップ長ｔ1は、ＭＲ素子４と、下側磁気シール
ド５との絶縁性を保持するために、非磁性材料であると
ともに、絶縁性材料にて形成されてなる。 【００２７】この下側磁気シールド５は、ＭＲ素子４の
対向する部分に下側溝部１１が形成されている。この下
側溝部１１は、ＭＲ素子４と下側磁気シールド５との最
小間隔である下側ギャップ長ｔ1を隔てて深さｔ2にて形
成されている。ここで、最小間隔ｔ1とは、ＭＲヘッド
３の磁気記録媒体摺動面１２におけるＭＲ素子４と下側
磁気シールド５との間隔に相当する。 【００２８】このように下側磁気シールド５に下側溝部
１１を変化させて形成することによって、ＭＲ素子４と
下側磁気シールド５との距離を変化させることが可能と
なる。この下側溝部１１は、非磁性材料により充填され
ているので、ＭＲ素子４と下側磁気シールド５とが磁気
的に分離され、再生時において、ＭＲ素子４に印加され
るバイアス磁界及び磁界信号のうち下側磁気シールド５
に漏洩する割合が減少し、ＭＲ素子４の再生出力を向上
させることが可能となる。 【００２９】このように構成されたＭＲヘッド３は、図
２に示すように、下側ギャップ長をｔ1とし、下側溝部
１１の深さをｔ2として計算機シミュレーションによる
再生出力の規格化グルーブ深さｔ2／ｔ1の依存性を示
す。この規格化グルーブ深さは、ｔ2／ｔ1で表され、下
側磁気シールド５の下側溝部１１の深さｔ2を下側ギャ
ップ長ｔ1にて規格化したものである。ここで、下側ギ
ャップ長ｔ1は、磁気記録媒体摺動面１２に設けられた
ＭＲ素子４と下側磁気シールド５とのギャップ長であ
る。 【００３０】図２に示すように、再生出力値は、規格化
グルーブ深さが０のときと比較して規格化グルーブ深さ
が約０．７〜３．６の範囲内にて大きくなっている。 【００３１】ここで、下側磁気シールド５の下側溝部１
１の深さｔ2を下側ギャップ長ｔ1の１．５倍〜２．５倍
程度にすることにより、再生出力値は最大を示す。ま
た、下側磁気シールド５の下側溝部１１の深さｔ2を下
側ギャップ長ｔ1の１倍以下又は３．５倍以上にするこ
とにより、再生出力値は最小を示す。したがって、規格
化グルーブ深さｔ2／ｔ1を変化させて再生出力値の最大
値と最小値とを比較すると、再生出力値が最大で約１．
６倍増加することになる。 【００３２】例えば、下側ギャップ長ｔ1が０．１３５
μｍのとき、下側磁気シールド５の下側溝部１１の深さ
ｔ2が０．２〜０．３μｍ程度であれば、高い再生出力
値を得ることが可能である。 【００３３】したがって、このように構成されたＭＲヘ
ッド３は、下側溝部１１の深さｔ2を変化させることに
より、図２に示すように再生感度が変化することから、
下側磁気シールド５の下側溝部１１の深さを最適化する
ことにより、より再生感度を向上させることが可能とな
る。また、このＭＲヘッド３の下側磁気シールド５の深
さを最適化することにより、例えば磁気センサー、薄膜
磁気ヘッド、特に、ハードディスク上の信号の記録再生
を行う薄膜磁気ヘッドにおいて、再生感度を向上させる
ことが可能であるとともに、ＭＲ素子４と下側磁気シー
ルド５とのショートを防止することが可能となる。 【００３４】 【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明にか
かる磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、基板上に相対向して
積層される下側磁気シールドと上側磁気シールド間に磁
気抵抗効果素子を配し、下側磁気シールドには磁気抵抗
効果素子に対向して形成された溝部を備える磁気抵抗効
果型磁気ヘッドであって、磁気抵抗効果素子と下側磁気
シールドとの最小間隔をｔ1とし、下側磁気シールドに
形成された溝部の深さ寸法をｔ2としたとき、ｔ2／ｔ1
が、０．７〜３．６の範囲内になるように形成されてい
る。 【００３５】このように構成された磁気抵抗効果型磁気
ヘッドは、下側磁気シールドに形成された溝部の深さを
最適化させることにより、磁気抵抗効果素子の再生出力
を向上させることが可能となるとともに、ｔ2／ｔ1が
０．７以上とするように溝部を形成することによって磁
気抵抗効果素子と下側磁気シールドとの磁気的な分離を
確実に保持することが可能となるとともに、磁気抵抗効
果素子と下側磁気シールドとの電気的な絶縁性を確実に
保持することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを示
す断面図である。 【図２】同磁気抵抗効果型磁気ヘッドの再生出力値の規
格化グルーブ深さ依存性を示す図である。 【符号の説明】 １ 複合型薄膜磁気ヘッド、３ ＭＲヘッド、４ 磁気
抵抗効果素子、５ 下側磁気シールド、６ 上側磁気シ
ールド、１１ 溝部
す断面図である。 【図２】同磁気抵抗効果型磁気ヘッドの再生出力値の規
格化グルーブ深さ依存性を示す図である。 【符号の説明】 １ 複合型薄膜磁気ヘッド、３ ＭＲヘッド、４ 磁気
抵抗効果素子、５ 下側磁気シールド、６ 上側磁気シ
ールド、１１ 溝部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に相対向して積層される下側磁気シールドと上側
磁気シールド間に磁気抵抗効果素子を配し、上記下側磁
気シールドには上記磁気抵抗効果素子に対向して形成さ
れた溝部を備える磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子と上記下側磁気シールドとの最小
間隔をｔ1とし、上記下側磁気シールドに形成された上
記溝部の深さ寸法をｔ2としたとき、 これらの比ｔ2／ｔ1が、０．７〜３．６の範囲内になる
ように形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23942096A JPH1083518A (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23942096A JPH1083518A (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1083518A true JPH1083518A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=17044515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23942096A Withdrawn JPH1083518A (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1083518A (ja) |
-
1996
- 1996-09-10 JP JP23942096A patent/JPH1083518A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031202 |