JPH08329426A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH08329426A JPH08329426A JP7153835A JP15383595A JPH08329426A JP H08329426 A JPH08329426 A JP H08329426A JP 7153835 A JP7153835 A JP 7153835A JP 15383595 A JP15383595 A JP 15383595A JP H08329426 A JPH08329426 A JP H08329426A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＧＭＲ(Giant Magneto Resistive)ヘッドに
おいて、ＣＰＰ(currentperpendicular to the film pl
ane)-ＭＲ効果に基づく高い信号検出感度が得られる構
造を提供する。 【構成】 従来のＧＭＲヘッドではセンス電流を通電す
る２本の電極をＧＭＲ膜の片面の両側部に配設させた構
成を採用していたが、本発明は各電極5,6(端部5a,6a)を
ＧＭＲ膜4の表裏面の側部領域に読取り幅に相当する間
隔を隔てて形成する。伝導電子はＧＭＲ膜4の対角方向
へ移動し、伝導電子がＧＭＲ膜4の磁性層と非磁性層の
界面を横切る確率が大きくなるためにＧＭＲ膜4の抵抗
変化率をより大きくすることができ、引いてはハードデ
ィスクに対する記録密度をそれだけ高くすることが可能
になる。
おいて、ＣＰＰ(currentperpendicular to the film pl
ane)-ＭＲ効果に基づく高い信号検出感度が得られる構
造を提供する。 【構成】 従来のＧＭＲヘッドではセンス電流を通電す
る２本の電極をＧＭＲ膜の片面の両側部に配設させた構
成を採用していたが、本発明は各電極5,6(端部5a,6a)を
ＧＭＲ膜4の表裏面の側部領域に読取り幅に相当する間
隔を隔てて形成する。伝導電子はＧＭＲ膜4の対角方向
へ移動し、伝導電子がＧＭＲ膜4の磁性層と非磁性層の
界面を横切る確率が大きくなるためにＧＭＲ膜4の抵抗
変化率をより大きくすることができ、引いてはハードデ
ィスクに対する記録密度をそれだけ高くすることが可能
になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果型ヘッドに
係り、ハードディスク装置(ＨＤＤ)等の読取りヘッドと
して適用され、従来の磁気抵抗(ＭＲ:Magneto Resistiv
e)ヘッドより信号検出感度を大幅に向上させることが可
能な巨大磁気抵抗(ＧＭＲ:Giant Magneto Resistive)ヘ
ッドに関する。
係り、ハードディスク装置(ＨＤＤ)等の読取りヘッドと
して適用され、従来の磁気抵抗(ＭＲ:Magneto Resistiv
e)ヘッドより信号検出感度を大幅に向上させることが可
能な巨大磁気抵抗(ＧＭＲ:Giant Magneto Resistive)ヘ
ッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ＨＤＤの読取り用ヘッドには誘導
型薄膜ヘッドやＭＲヘッドが適用されているが、ＭＲヘ
ッドの信号検出素子であるＭＲ膜は異方性磁気抵抗効果
を示す磁性体(例えば、Ｆｅ,Ｎi,Ｃo,一部の希土類金
属)の単層構造からなり、ＭＲヘッドはＭＲ膜の片面の
両側部に設けた２本の電極で再生信号を検出する。即
ち、ＭＲ膜の抵抗値が各電極間の電流方向と磁化方向が
垂直に交わるときに最小になり、同一方向又は180度逆
になるときに最大になることを利用しており、ＭＲヘッ
ドの信号検出感度は誘導型薄膜ヘッドと比較して数倍に
なる。
型薄膜ヘッドやＭＲヘッドが適用されているが、ＭＲヘ
ッドの信号検出素子であるＭＲ膜は異方性磁気抵抗効果
を示す磁性体(例えば、Ｆｅ,Ｎi,Ｃo,一部の希土類金
属)の単層構造からなり、ＭＲヘッドはＭＲ膜の片面の
両側部に設けた２本の電極で再生信号を検出する。即
ち、ＭＲ膜の抵抗値が各電極間の電流方向と磁化方向が
垂直に交わるときに最小になり、同一方向又は180度逆
になるときに最大になることを利用しており、ＭＲヘッ
ドの信号検出感度は誘導型薄膜ヘッドと比較して数倍に
なる。
【０００３】一方、最近、複数の材料を組み合わせた多
層構造のＧＭＲ膜が提案されており、磁気ヘッドとして
適用すれば３.５インチ型ＨＤＤで１０〜１００Ｇバイ
トの容量を実現できることから、動画や音声等の大量の
マルチメディア・データをＨＤＤに格納できる技術とし
て注目されている。
層構造のＧＭＲ膜が提案されており、磁気ヘッドとして
適用すれば３.５インチ型ＨＤＤで１０〜１００Ｇバイ
トの容量を実現できることから、動画や音声等の大量の
マルチメディア・データをＨＤＤに格納できる技術とし
て注目されている。
【０００４】このＧＭＲ膜のＧＭＲ効果発生原理は図４
及び図５に示される。先ず、ＧＭＲ膜は、強磁性層F,P
が所定の膜厚の非磁性層Nを介して多数積層させた超格
子膜になっている。そして、ＧＭＲ膜に対して所定の外
部磁界を加えると、図４に示すように、各磁性層F,Pは
共にそれらの磁化方向(二点鎖線)が一致した強磁性配列
となり、磁化と同じ向きのスピンを持つ伝導電子が散乱
されにくくなって、ＧＭＲ膜の抵抗が小さくなる。一
方、前記の外部磁界を弱くしてゆくと、図５に示すよう
に、非磁性層Nを介した各磁性層F,Pが反強磁性配列とな
り、何れのスピン方向を持つ伝導電子も反対方向のスピ
ンをもった磁性原子によって同等に散乱せしめられるた
めに前記の場合の抵抗値より大きくなる。
及び図５に示される。先ず、ＧＭＲ膜は、強磁性層F,P
が所定の膜厚の非磁性層Nを介して多数積層させた超格
子膜になっている。そして、ＧＭＲ膜に対して所定の外
部磁界を加えると、図４に示すように、各磁性層F,Pは
共にそれらの磁化方向(二点鎖線)が一致した強磁性配列
となり、磁化と同じ向きのスピンを持つ伝導電子が散乱
されにくくなって、ＧＭＲ膜の抵抗が小さくなる。一
方、前記の外部磁界を弱くしてゆくと、図５に示すよう
に、非磁性層Nを介した各磁性層F,Pが反強磁性配列とな
り、何れのスピン方向を持つ伝導電子も反対方向のスピ
ンをもった磁性原子によって同等に散乱せしめられるた
めに前記の場合の抵抗値より大きくなる。
【０００５】このＧＭＲ膜によれば、層の材料や層厚に
よって異なるが、層数が多いとそれだけ伝導電子の散乱
の発生箇所(非磁性層と磁性層の界面)が増大するために
抵抗変化率[(最大抵抗値−最小抵抗値)／最小抵抗値]を
１０％程度と大きくすることができ、ＭＲ膜の抵抗変化
率が２〜３％程度程度であることから、ＧＭＲヘッドで
はＭＲヘッドと比較して４〜５倍の信号再生感度が得ら
れる。換言すれば、信号再生感度が高くなれば、それに
ほぼ比例してハードディスクに対する記録ヘッド側での
高密度記録が可能になる。
よって異なるが、層数が多いとそれだけ伝導電子の散乱
の発生箇所(非磁性層と磁性層の界面)が増大するために
抵抗変化率[(最大抵抗値−最小抵抗値)／最小抵抗値]を
１０％程度と大きくすることができ、ＭＲ膜の抵抗変化
率が２〜３％程度程度であることから、ＧＭＲヘッドで
はＭＲヘッドと比較して４〜５倍の信号再生感度が得ら
れる。換言すれば、信号再生感度が高くなれば、それに
ほぼ比例してハードディスクに対する記録ヘッド側での
高密度記録が可能になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＧＭＲヘッ
ドの電極の配置については、従来のＭＲヘッドと同様に
図６に示すような構成が採用されている。即ち、同図に
おいて、11は基板、12は基板保護膜、13は下部シールド
膜であり、その下部シールド膜13の表面に前記のＧＭＲ
膜14が積層形成されると共に、ＧＭＲ膜14の上側面の両
側部領域に各電極15,16が配設された構成になってお
り、各電極15,16の間隔が再生時における読取り幅Ｒwに
設定されている。そして、実際にＨＤＤのＲ／Ｗ用ヘッ
ドとして適用される際には、図７に示すように記録ヘッ
ド17側のコアや電極と一体的に薄膜形成され、記録ヘッ
ド17側でディスクのトラックに磁気記録された信号をＧ
ＭＲヘッド10側で再生することになる。尚、通常、ＧＭ
Ｒ膜のＭＲ変化率の測定についても、従来のＭＲ膜と同
様の方法で行われる。
ドの電極の配置については、従来のＭＲヘッドと同様に
図６に示すような構成が採用されている。即ち、同図に
おいて、11は基板、12は基板保護膜、13は下部シールド
膜であり、その下部シールド膜13の表面に前記のＧＭＲ
膜14が積層形成されると共に、ＧＭＲ膜14の上側面の両
側部領域に各電極15,16が配設された構成になってお
り、各電極15,16の間隔が再生時における読取り幅Ｒwに
設定されている。そして、実際にＨＤＤのＲ／Ｗ用ヘッ
ドとして適用される際には、図７に示すように記録ヘッ
ド17側のコアや電極と一体的に薄膜形成され、記録ヘッ
ド17側でディスクのトラックに磁気記録された信号をＧ
ＭＲヘッド10側で再生することになる。尚、通常、ＧＭ
Ｒ膜のＭＲ変化率の測定についても、従来のＭＲ膜と同
様の方法で行われる。
【０００７】その場合、各電極15,16がＧＭＲ膜14の同
一面側に配設されているため、図８に示すように各伝導
電子が各層内又は散乱の発生し難い層間で移動する距離
が長くなる傾向があり、所謂ＣＩＰ(current inplane t
o the film plane)-ＭＲ効果として抵抗変化率が得られ
ることになる。しかし、前記のＧＭＲ効果発生原理から
みると、伝導電子がより多くの層界面を横切る態様で移
動して電流が流れる方が大きな抵抗変化率が得られるこ
とになる。即ち、ＣＰＰ(current perpendicular to th
e film plane)-ＭＲ効果が得られるような条件での利用
態様の方が信号検出感度を高くすることができる。具体
的には、ＣＩＰ-ＭＲ効果では各電極15,16の配設面から
離れるほど層に垂直な方向へ移動する伝導電子の数が少
なくなる傾向があるが、ＣＰＰ-ＭＲ効果が得られるよ
うにすれば、伝導電子が層界面を横切る確率が大きくな
り、より大きな抵抗変化率が得られることになる。ま
た、その事実は実験的にも確認されており、ＣＰＰ-Ｍ
Ｒ効果での抵抗変化率がＣＩＰ-ＭＲ効果でのそれより
も約４倍近く大きくなることが報告されている。
一面側に配設されているため、図８に示すように各伝導
電子が各層内又は散乱の発生し難い層間で移動する距離
が長くなる傾向があり、所謂ＣＩＰ(current inplane t
o the film plane)-ＭＲ効果として抵抗変化率が得られ
ることになる。しかし、前記のＧＭＲ効果発生原理から
みると、伝導電子がより多くの層界面を横切る態様で移
動して電流が流れる方が大きな抵抗変化率が得られるこ
とになる。即ち、ＣＰＰ(current perpendicular to th
e film plane)-ＭＲ効果が得られるような条件での利用
態様の方が信号検出感度を高くすることができる。具体
的には、ＣＩＰ-ＭＲ効果では各電極15,16の配設面から
離れるほど層に垂直な方向へ移動する伝導電子の数が少
なくなる傾向があるが、ＣＰＰ-ＭＲ効果が得られるよ
うにすれば、伝導電子が層界面を横切る確率が大きくな
り、より大きな抵抗変化率が得られることになる。ま
た、その事実は実験的にも確認されており、ＣＰＰ-Ｍ
Ｒ効果での抵抗変化率がＣＩＰ-ＭＲ効果でのそれより
も約４倍近く大きくなることが報告されている。
【０００８】一方、図９に示すように、基板にＶ字状の
溝を形成しておくことで各磁性層F,Pと非磁性層Nを蛇行
させて層形成し、より大きな抵抗変化率が得られるＧＭ
Ｒヘッドが提案されている(特開平6-69563号)。その提
案では、大きな抵抗変化率が得られる理由が明らかにさ
れていないが、各層の蛇行によって伝導電子が層界面を
横切る確率を大きくできるためであろうと推察される。
しかし、磁気ヘッドとして用いられるＧＭＲ膜は、その
厚みが数百Åと非常に薄く、また高密度記録されるディ
スクのトラック幅は数μmと非常に狭くなってきている
ため、異方性エッチングによって形成される前記の溝は
極めて微小なものとなり、現在の薄膜形成技術等をもっ
てしてもその製造が非常に困難であると共に、単結晶基
板を用いなければならない等の制約が伴う。
溝を形成しておくことで各磁性層F,Pと非磁性層Nを蛇行
させて層形成し、より大きな抵抗変化率が得られるＧＭ
Ｒヘッドが提案されている(特開平6-69563号)。その提
案では、大きな抵抗変化率が得られる理由が明らかにさ
れていないが、各層の蛇行によって伝導電子が層界面を
横切る確率を大きくできるためであろうと推察される。
しかし、磁気ヘッドとして用いられるＧＭＲ膜は、その
厚みが数百Åと非常に薄く、また高密度記録されるディ
スクのトラック幅は数μmと非常に狭くなってきている
ため、異方性エッチングによって形成される前記の溝は
極めて微小なものとなり、現在の薄膜形成技術等をもっ
てしてもその製造が非常に困難であると共に、単結晶基
板を用いなければならない等の制約が伴う。
【０００９】また、ＣＰＰ-ＭＲ効果での抵抗変化率が
得られる磁界センサとして、図１０に示すような構造が
提案されている(特開平5-275769号)。この磁気センサ20
は、基板21上に第１の電極22を設け、その第１の電極22
の端部22aにＧＭＲ膜23を形成し、そのＧＭＲ膜23の上
面を第２の電極24の端部24aで覆い、且つ前記の各電極2
2,24の間に電気絶縁層25を設けた構成を有している。こ
の磁気センサ20をＧＭＲヘッドとして用いた場合、電極
22,24の端部22a,24aがＧＭＲ膜23の両面に配設されてい
ることからＣＰＰ-ＭＲ効果での抵抗変化率が得られる
ことは明らかであるが、その各端部22a,24aがＧＭＲ膜2
3の表裏全面に形成されているために、図１０に示すよ
うに層方向がディスクのトラック方向になるように配置
されねばならない。その場合、読取り幅Ｒwを記録ヘッ
ド17側の書込み幅(トラック幅)Ｗwに対応させて所望の
信号再生感度を得るにはＧＭＲ膜23を数百から数千層と
しなければならず、精度管理及び製造工数からみて現実
的でなく、また電極22が記録ヘッド17側へ伸びることか
ら記録ヘッド17と磁気センサ20の間隔ｄ2が図７の場合
の間隔ｄ1と比較して極端に大きくなり、集積化及び高
密度記録を図る上でも現実的でない。
得られる磁界センサとして、図１０に示すような構造が
提案されている(特開平5-275769号)。この磁気センサ20
は、基板21上に第１の電極22を設け、その第１の電極22
の端部22aにＧＭＲ膜23を形成し、そのＧＭＲ膜23の上
面を第２の電極24の端部24aで覆い、且つ前記の各電極2
2,24の間に電気絶縁層25を設けた構成を有している。こ
の磁気センサ20をＧＭＲヘッドとして用いた場合、電極
22,24の端部22a,24aがＧＭＲ膜23の両面に配設されてい
ることからＣＰＰ-ＭＲ効果での抵抗変化率が得られる
ことは明らかであるが、その各端部22a,24aがＧＭＲ膜2
3の表裏全面に形成されているために、図１０に示すよ
うに層方向がディスクのトラック方向になるように配置
されねばならない。その場合、読取り幅Ｒwを記録ヘッ
ド17側の書込み幅(トラック幅)Ｗwに対応させて所望の
信号再生感度を得るにはＧＭＲ膜23を数百から数千層と
しなければならず、精度管理及び製造工数からみて現実
的でなく、また電極22が記録ヘッド17側へ伸びることか
ら記録ヘッド17と磁気センサ20の間隔ｄ2が図７の場合
の間隔ｄ1と比較して極端に大きくなり、集積化及び高
密度記録を図る上でも現実的でない。
【００１０】そこで、本発明は、ＣＰＰ-ＭＲ効果に近
い効果が得られて信号再生感度が高く、且つ記録ヘッド
と集積化が容易なＧＭＲヘッドを提供し、ハードディス
クへの高密度記録を実現することを目的として創作され
た。
い効果が得られて信号再生感度が高く、且つ記録ヘッド
と集積化が容易なＧＭＲヘッドを提供し、ハードディス
クへの高密度記録を実現することを目的として創作され
た。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、強磁性層を非
磁性層を介して多数積層させた構造を有し、各磁性層が
反強磁性配列となることにより磁気抵抗効果が生じる巨
大磁気抵抗膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
センス電流を通電する２本の電極を前記巨大磁気抵抗膜
の表面側と裏面側に読取り幅に相当する間隔を隔てて形
成したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドに係る。
磁性層を介して多数積層させた構造を有し、各磁性層が
反強磁性配列となることにより磁気抵抗効果が生じる巨
大磁気抵抗膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
センス電流を通電する２本の電極を前記巨大磁気抵抗膜
の表面側と裏面側に読取り幅に相当する間隔を隔てて形
成したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドに係る。
【００１２】
【作用】各電極がＧＭＲ膜の表裏面に形成されているた
め、センス電流によって移動する伝導電子は全ての層を
横切らねばならず、ＣＰＰ-ＭＲ効果に近い状態での抵
抗変化率が得られる。また、各電極はＧＭＲ膜の層方向
に読取り幅に相当する間隔を隔てて形成されているた
め、磁気抵抗効果型ヘッドをＧＭＲ膜の層方向が磁気記
録媒体のトラック方向と垂直になるように配置させて信
号を読取ることができる。従って、積層数を大きくする
ことなく信号再生感度を高くすることができ、記録ヘッ
ドとの間隔を狭くした集積化も可能になる。
め、センス電流によって移動する伝導電子は全ての層を
横切らねばならず、ＣＰＰ-ＭＲ効果に近い状態での抵
抗変化率が得られる。また、各電極はＧＭＲ膜の層方向
に読取り幅に相当する間隔を隔てて形成されているた
め、磁気抵抗効果型ヘッドをＧＭＲ膜の層方向が磁気記
録媒体のトラック方向と垂直になるように配置させて信
号を読取ることができる。従って、積層数を大きくする
ことなく信号再生感度を高くすることができ、記録ヘッ
ドとの間隔を狭くした集積化も可能になる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの実施
例を図１から図３を用いて詳細に説明する。先ず、図１
は実施例に係るＨＤＤ用ＧＭＲヘッドの斜視図を示す。
同図において、1は基板、2は基板保護膜、3は下部シー
ルド膜であり、その下部シールド膜3に一方の電極6が埋
設されていると共に、その電極6の端部6aの埋設領域を
含む下部シールド膜3の表面にＧＭＲ膜4が積層形成され
ており、更にそのＧＭＲ膜4の表面に他方の電極5の端部
5aが形成されている。ここで、ＧＭＲ膜4の表裏面の側
部領域に各電極5,6の端部5a,6aが接合しているが、その
各端部5a,6aのＧＭＲ膜4の層方向に係る間隔は読取り幅
Ｒwとして設定されている。
例を図１から図３を用いて詳細に説明する。先ず、図１
は実施例に係るＨＤＤ用ＧＭＲヘッドの斜視図を示す。
同図において、1は基板、2は基板保護膜、3は下部シー
ルド膜であり、その下部シールド膜3に一方の電極6が埋
設されていると共に、その電極6の端部6aの埋設領域を
含む下部シールド膜3の表面にＧＭＲ膜4が積層形成され
ており、更にそのＧＭＲ膜4の表面に他方の電極5の端部
5aが形成されている。ここで、ＧＭＲ膜4の表裏面の側
部領域に各電極5,6の端部5a,6aが接合しているが、その
各端部5a,6aのＧＭＲ膜4の層方向に係る間隔は読取り幅
Ｒwとして設定されている。
【００１４】そして、実際にＨＤＤの読取りヘッドとし
て適用される場合には、ＧＭＲ膜4の層方向がディスク
の回転方向に垂直となる態様で組込まれが、一般的に
は、図７の場合と同様にそのＧＭＲヘッドの上面にギャ
ップ膜等を介して記録ヘッドが積層形成されたＲ／Ｗヘ
ッドとして構成される。
て適用される場合には、ＧＭＲ膜4の層方向がディスク
の回転方向に垂直となる態様で組込まれが、一般的に
は、図７の場合と同様にそのＧＭＲヘッドの上面にギャ
ップ膜等を介して記録ヘッドが積層形成されたＲ／Ｗヘ
ッドとして構成される。
【００１５】ところで、このＧＭＲヘッドの信号検出部
の拡大図は図２に示されるように、ＧＭＲ膜4の対角位
置に各電極5,6の端部5a,6aが接合せしめられており、各
電極5,6に通電されるセンス電流は同図に示すように対
角方向へ流れ、ほぼＣＰＰ-ＭＲ効果に近似した状態で
の抵抗変化率が得られる。即ち、ディスクのトラック
(ＧＭＲヘッドの読取り幅Ｒwがトラック幅に相当)に記
録されている磁化方向に対応して強磁性層Fの磁化方向
が変化することによりＧＭＲ膜4が強磁性配列と反強磁
性的配列になるが、伝導電子はＧＭＲ膜4の全ての層界
面を横切って一方の電極6の端部6aから他方の電極5の端
部5aへ移動するため、図８に示したＣＩＰ-ＭＲ効果の
場合より大きな抵抗変化率が得られる。
の拡大図は図２に示されるように、ＧＭＲ膜4の対角位
置に各電極5,6の端部5a,6aが接合せしめられており、各
電極5,6に通電されるセンス電流は同図に示すように対
角方向へ流れ、ほぼＣＰＰ-ＭＲ効果に近似した状態で
の抵抗変化率が得られる。即ち、ディスクのトラック
(ＧＭＲヘッドの読取り幅Ｒwがトラック幅に相当)に記
録されている磁化方向に対応して強磁性層Fの磁化方向
が変化することによりＧＭＲ膜4が強磁性配列と反強磁
性的配列になるが、伝導電子はＧＭＲ膜4の全ての層界
面を横切って一方の電極6の端部6aから他方の電極5の端
部5aへ移動するため、図８に示したＣＩＰ-ＭＲ効果の
場合より大きな抵抗変化率が得られる。
【００１６】次に、本実施例に係るＧＭＲヘッドは図３
に示される工程で製造される。 (Ａ) 基板1の面に基板保護膜2と下部シールド膜3を形成
した後、パターンエッチングで下部シールド膜3に電極6
に相当する凹部領域31を形成する。 (Ｂ) スパッタリング等によって電極材料を凹部領域31
に充填した後、表面全体をラッピングして平坦化された
下部シールド膜3と埋込み電極6を形成する。また、ラッ
ピング後の面にバイアス膜を成膜しておく。 (Ｃ) 所定位置にパターンを設定して強磁性層F,Pと非磁
性層Nを交互に成膜し、多数層のＧＭＲ膜4を形成する。 (Ｄ) 所定位置にパターンを設定してＧＭＲ膜4上に電極
材料をスパッタリング等することによって電極5を形成
する。 (Ｅ) ヘッドの先端面に相当する位置(点線)で裁断して
完成品を得る。
に示される工程で製造される。 (Ａ) 基板1の面に基板保護膜2と下部シールド膜3を形成
した後、パターンエッチングで下部シールド膜3に電極6
に相当する凹部領域31を形成する。 (Ｂ) スパッタリング等によって電極材料を凹部領域31
に充填した後、表面全体をラッピングして平坦化された
下部シールド膜3と埋込み電極6を形成する。また、ラッ
ピング後の面にバイアス膜を成膜しておく。 (Ｃ) 所定位置にパターンを設定して強磁性層F,Pと非磁
性層Nを交互に成膜し、多数層のＧＭＲ膜4を形成する。 (Ｄ) 所定位置にパターンを設定してＧＭＲ膜4上に電極
材料をスパッタリング等することによって電極5を形成
する。 (Ｅ) ヘッドの先端面に相当する位置(点線)で裁断して
完成品を得る。
【００１７】尚、記録ヘッドと一体化したＲ／Ｗ用ヘッ
ドを得る場合には、(Ｄ)の工程後に上部ギャップ膜を成
膜し、その上に下部コアとライト・ギャップ膜と上部コ
アを形成して記録ヘッド用を構成する。また、図３では
単数のＧＭＲヘッドを得る場合について説明したが、ウ
ェハ上に多数個分のＧＭＲヘッド(又はＧＭＲヘッドと
記録ヘッド)の層構造を形成しておき、ウェハからの切
出しによって多数個のヘッドを量産することができる。
ドを得る場合には、(Ｄ)の工程後に上部ギャップ膜を成
膜し、その上に下部コアとライト・ギャップ膜と上部コ
アを形成して記録ヘッド用を構成する。また、図３では
単数のＧＭＲヘッドを得る場合について説明したが、ウ
ェハ上に多数個分のＧＭＲヘッド(又はＧＭＲヘッドと
記録ヘッド)の層構造を形成しておき、ウェハからの切
出しによって多数個のヘッドを量産することができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、以上
の構成を有していることにより、次のような効果を奏す
る。ＧＭＲ膜に対する各電極の配設構成によって、ＣＰ
Ｐ-ＭＲ効果に基づいた高い信号再生感度が得られ、記
録ヘッドとの集積化も容易なＧＭＲヘッドが実現でき、
引いてはハードディスクに対する更なる高密度記録を可
能にする。また、従来のフォトリソグラフィ技術や成膜
技術をそのまま利用して製造することができ、製造が簡
単で低価格のＧＭＲヘッドを提供する。
の構成を有していることにより、次のような効果を奏す
る。ＧＭＲ膜に対する各電極の配設構成によって、ＣＰ
Ｐ-ＭＲ効果に基づいた高い信号再生感度が得られ、記
録ヘッドとの集積化も容易なＧＭＲヘッドが実現でき、
引いてはハードディスクに対する更なる高密度記録を可
能にする。また、従来のフォトリソグラフィ技術や成膜
技術をそのまま利用して製造することができ、製造が簡
単で低価格のＧＭＲヘッドを提供する。
【図１】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの実施例に係る
ＨＤＤ用ＧＭＲヘッドの斜視図である。
ＨＤＤ用ＧＭＲヘッドの斜視図である。
【図２】ＧＭＲヘッドの信号検出部の拡大図(ＣＰＰ-Ｍ
Ｒ効果での伝導電子の移動態様も示す)である。
Ｒ効果での伝導電子の移動態様も示す)である。
【図３】ＧＭＲヘッドの製造工程図である。
【図４】ＧＭＲ膜における強磁性配列状態での伝導電子
の移動態様を示す図である。
の移動態様を示す図である。
【図５】ＧＭＲ膜における反強磁性的配列状態での伝導
電子の移動態様を示す図である。
電子の移動態様を示す図である。
【図６】従来のＧＭＲヘッドの斜視図である。
【図７】従来のＧＭＲヘッドがＲ／Ｗ用ヘッドに組込ま
れる際の記録ヘッドとのアッセンブリ状態を示す概略図
である。
れる際の記録ヘッドとのアッセンブリ状態を示す概略図
である。
【図８】従来のＧＭＲヘッドの信号検出部の拡大図(Ｃ
ＩＰ-ＭＲ効果での伝導電子の移動態様も示す)である。
ＩＰ-ＭＲ効果での伝導電子の移動態様も示す)である。
【図９】特開平6-69536号のＧＭＲヘッドの構造図であ
る。
る。
【図１０】特開平5-275769号の磁界センサの構造図及び
その磁界センサと記録ヘッドを組合わせる場合の概略配
置図である。
その磁界センサと記録ヘッドを組合わせる場合の概略配
置図である。
1,11,21…基板、2,12…基板保護膜、3,13…下部シール
ド膜、4,14,23…ＧＭＲ膜、5,6,15,16,22,24…電極、5
a,6a,22a,24a…電極の端部、10…ＧＭＲヘッド、17…記
録ヘッド、20…磁気センサ、25…電気絶縁層、31…凹部
領域、ｄ1,ｄ2…記録ヘッドとＧＭＲヘッド(磁気セン
サ)の間隔、F,P…強磁性層、N…非磁性層、Ｒw…読取り
幅、Ｗw…書込み幅。
ド膜、4,14,23…ＧＭＲ膜、5,6,15,16,22,24…電極、5
a,6a,22a,24a…電極の端部、10…ＧＭＲヘッド、17…記
録ヘッド、20…磁気センサ、25…電気絶縁層、31…凹部
領域、ｄ1,ｄ2…記録ヘッドとＧＭＲヘッド(磁気セン
サ)の間隔、F,P…強磁性層、N…非磁性層、Ｒw…読取り
幅、Ｗw…書込み幅。
Claims (1)
- 【請求項１】 強磁性層を非磁性層を介して多数積層さ
せた構造を有し、各磁性層が反強磁性配列となることに
より磁気抵抗効果が生じる巨大磁気抵抗膜を用いた磁気
抵抗効果型ヘッドにおいて、センス電流を通電する２本
の電極を前記巨大磁気抵抗膜の表面側と裏面側に読取り
幅に相当する間隔を隔てて形成したことを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7153835A JPH08329426A (ja) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7153835A JPH08329426A (ja) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08329426A true JPH08329426A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15571140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7153835A Pending JPH08329426A (ja) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08329426A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198609B1 (en) * | 1998-11-09 | 2001-03-06 | Read-Rite Corporation | CPP Magnetoresistive device with reduced edge effect and method for making same |
| US6219212B1 (en) | 1998-09-08 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction head structure with insulating antiferromagnetic layer |
| US6538856B1 (en) | 2000-06-21 | 2003-03-25 | International Business Machines Corporation | Read head with spin valve sensor having sense current in plane (CIP) thence sense current perpendicular to plane (CPP) |
| US6920021B2 (en) | 2002-08-26 | 2005-07-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Sunken electrical lead defined narrow track width magnetic head |
| KR100520017B1 (ko) * | 2000-09-29 | 2005-10-11 | 가부시끼가이샤 도시바 | 자기 저항 효과 소자, 자기 헤드 및 자기 재생 장치 |
| CN100364130C (zh) * | 2004-09-14 | 2008-01-23 | 清华大学 | 具有室温低场巨磁电阻效应的C/Co/Si多层膜材料 |
| JP2008098618A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Northern Lights Semiconductor Corp | 磁気トランジスタ |
-
1995
- 1995-05-29 JP JP7153835A patent/JPH08329426A/ja active Pending
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| US7745893B2 (en) | 2005-10-17 | 2010-06-29 | Northern Lights Semiconductor Corp. | Magnetic transistor structure |
| JP2008098618A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Northern Lights Semiconductor Corp | 磁気トランジスタ |
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