JP2008098618A - 磁気トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の磁性領域と、第2の磁性領域と、導電領域と、第1の金属端子と、第2の金属端子とを備えた磁気トランジスタである。導電領域は第1の磁性領域と第2の磁性領域との間に配設されるとともに、第1の磁性領域および第2の磁性領域に直接接触している。第1の金属端子は第1の磁性領域における導電領域に対向する表面の一端に配設されている。第2の金属端子は第2の磁性領域における導電領域に対向する表面の一端に配設されるとともに、第2の金属端子と第1の金属端子とはほぼ対角関係となっている。磁気トランジスタが作動すると、電流は導電領域から第1の磁性領域および第2の磁性領域に流れる。
【選択図】図2A
Description
102 第1の磁性領域
104 第2の磁性領域
106 導電領域
108 第1の金属
110 第2の金属
112 第3の金属
114 第4の金属
200 磁気トランジスタ
202 第1の磁性領域
204 第2の磁性領域
206 導電領域
208 第1の金属端子
210 第2の金属端子
212 第3の金属端子
214 第4の金属端子
230 第1の金属
240 第2の金属
300 磁気トランジスタ
Claims (18)
- 第1の磁性領域と、
第2の磁性領域と、
前記第1の磁性領域と前記第2の磁性領域との間に配設されるとともに、前記第1の磁性領域および前記第2の磁性領域のいずれにも直接接触している導電領域と、
前記第1の磁性領域における前記導電領域に対向する表面の一端に配設されている第1の金属端子と、
前記第2の磁性領域における前記導電領域に対向する表面の一端に配設されるとともに、前記第1の金属端子とほぼ対角関係となる第2の金属端子と、を少なくとも備えた磁気トランジスタであって、
前記磁気トランジスタが作動すると、電流は前記導電領域を介して前記第1の磁性領域および前記第2の磁性領域に流れる、ことを特徴とする磁気トランジスタ。 - 前記第1の磁性領域、前記導電領域および前記第2の磁性領域は略同じ長さである、ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トランジスタ。
- 前記第1の金属端子が前記第1の磁性領域の右端に配設されるとともに、前記第2の金属端子が前記第2の磁性領域の左端に配設される、ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トランジスタ。
- 前記磁気トランジスタが作動すると、前記電流が第2の金属端子から流れて前記第1の金属端子から出力される、ことを特徴とする請求項3に記載の磁気トランジスタ。
- 前記磁気トランジスタが作動すると、前記電流が第1の金属端子から流れて前記第2の金属端子から出力される、ことを特徴とする請求項3に記載の磁気トランジスタ。
- 前記第1の金属端子が前記第1の磁性領域の左端に配設されるとともに、前記第2の金属端子が前記第2の磁性領域の右端に配設される、ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トランジスタ。
- 前記磁気トランジスタが作動すると、前記電流が第2の金属端子から流れて前記第1の金属端子から出力される、ことを特徴とする請求項6に記載の磁気トランジスタ。
- 前記磁気トランジスタが作動すると、前記電流が第1の金属端子から流れて前記第2の金属端子から出力される、ことを特徴とする請求項6に記載の磁気トランジスタ。
- 前記磁気トランジスタが更に、前記第1の磁性領域における前記導電領域に対向する前記表面の他端に配設されている第3の金属端子と、前記第2の磁性領域における前記導電領域に対向する前記表面の他端に配設されている第4の金属端子とを少なくとも備え、前記第4の金属端子と前記第3の金属端子とがほぼ対角関係となる、ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トランジスタ。
- 前記第1の磁性領域に位置している前記第1の金属端子と前記第3の金属端子との間に空間が設けられ、前記第2の磁性領域に位置している前記第2の金属端子と前記第4の金属端子との間に空間が設けられている、ことを特徴とする請求項9に記載の磁気トランジスタ。
- 前記磁気トランジスタが作動すると、前記電流が第4の金属端子から流れて前記第3の金属端子から出力される、ことを特徴とする請求項9に記載の磁気トランジスタ。
- 前記磁気トランジスタが作動すると、前記電流が第3の金属端子から流れて前記第4の金属端子から出力される、ことを特徴とする請求項11に記載の磁気トランジスタ。
- 第1の磁性領域と、
第2の磁性領域と、
前記第1の磁性領域と前記第2の磁性領域との間に配設されるとともに、前記第1の磁性領域および前記第2の磁性領域のいずれにも直接接触しており、前記第1の磁性領域、導電領域および前記第2の磁性領域は略同じ長さである、導電領域と、
前記第1の磁性領域における前記導電領域に対向する表面の一端に配設されている第1の金属端子と、
前記第2の磁性領域における前記導電領域に対向する表面の一端に配設されるとともに、前記第1の金属端子とほぼ対角関係となる第2の金属端子と、
前記第1の磁性領域における前記導電領域に対向する前記表面の他端に配設されている第3の金属端子と、
前記第2の磁性領域における前記導電領域に対向する前記表面の他端に配設されるとともに、前記第3の金属端子とほぼ対角関係となる第4の金属端子と、を少なくとも備えた磁気トランジスタであって、
前記磁気トランジスタが作動すると、電流が前記導電領域を介して前記第1の磁性領域および前記第2の磁性領域に流れるとともに、前記第1の金属端子、前記第2の金属端子、前記第3の金属端子または前記第4の金属端子から出力される、ことを特徴とする磁気トランジスタ。 - 前記第1の磁性領域に位置している前記第1の金属端子と前記第3の金属端子との間に空間が設けられ、前記第2の磁性領域に位置している前記第4の金属端子と前記第2の金属端子との間に空間が設けられている、ことを特徴とする請求項13に記載の磁気トランジスタ。
- 前記磁気トランジスタが作動すると、前記電流が第2の金属端子から流れて前記第1の金属端子から出力される、ことを特徴とする請求項13に記載の磁気トランジスタ。
- 前記磁気トランジスタが作動すると、前記電流が第1の金属端子から流れて前記第2の金属端子から出力される、ことを特徴とする請求項13に記載の磁気トランジスタ。
- 前記磁気トランジスタが作動すると、前記電流が第4の金属端子から流れて前記第3の金属端子から出力される、ことを特徴とする請求項13に記載の磁気トランジスタ。
- 前記磁気トランジスタが作動すると、前記電流が第3の金属端子から流れて前記第4の金属端子から出力される、ことを特徴とする請求項13に記載の磁気トランジスタ。
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US9064512B2 (en) * | 2011-06-28 | 2015-06-23 | Seagate Technology Llc | Methods and devices for controlling asymmetry in a magnetic reader |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08226960A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-09-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁界センサー及びその製造方法 |
JPH08329426A (ja) * | 1995-05-29 | 1996-12-13 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド |
JP2004289100A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-10-14 | Japan Science & Technology Agency | Cpp型巨大磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気部品並びに磁気装置 |
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---|---|---|---|---|
US5390061A (en) | 1990-06-08 | 1995-02-14 | Hitachi, Ltd. | Multilayer magnetoresistance effect-type magnetic head |
US5432373A (en) | 1992-12-15 | 1995-07-11 | Bell Communications Research, Inc. | Magnetic spin transistor |
US5587943A (en) | 1995-02-13 | 1996-12-24 | Integrated Microtransducer Electronics Corporation | Nonvolatile magnetoresistive memory with fully closed flux operation |
JPH1098220A (ja) | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果素子 |
US5783460A (en) * | 1996-10-25 | 1998-07-21 | Headway Technologies, Inc. | Method of making self-aligned dual stripe magnetoresistive (DRMR) head for high density recording |
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JPH08226960A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-09-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁界センサー及びその製造方法 |
JPH08329426A (ja) * | 1995-05-29 | 1996-12-13 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド |
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