JP2001217479A - 磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリ - Google Patents
磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＴＪ素子の微細化にともない両端部の磁極
による反磁界の影響が大きくなり、メモリ層の磁化が不
安定になる。 【解決手段】 ＭＴＪ素子１のメモリ層となる強磁性層
１１をロの字状の閉磁路構造とし、その上に絶縁層１２
を介して強磁性層１３、１４を形成して、２つのトンネ
ル接合部を形成するとともに、この２つのトンネル接合
部を直列接続して、抵抗変化を検出する。
による反磁界の影響が大きくなり、メモリ層の磁化が不
安定になる。 【解決手段】 ＭＴＪ素子１のメモリ層となる強磁性層
１１をロの字状の閉磁路構造とし、その上に絶縁層１２
を介して強磁性層１３、１４を形成して、２つのトンネ
ル接合部を形成するとともに、この２つのトンネル接合
部を直列接続して、抵抗変化を検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気トンネル接合素
子及びそれを用いた磁気メモリに関するものである。
子及びそれを用いた磁気メモリに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子
は、従来の異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子や巨大磁
気抵抗効果（ＧＭＲ）素子に比べて大きな出力が得られ
ることから、ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）用
再生ヘッドや磁気メモリへの応用が考えられている。
は、従来の異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子や巨大磁
気抵抗効果（ＧＭＲ）素子に比べて大きな出力が得られ
ることから、ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）用
再生ヘッドや磁気メモリへの応用が考えられている。
【０００３】特に、磁気メモリは、半導体メモリと同じ
く稼動部の無い固体メモリであるが、電源が断たれても
情報を失わない、繰り返し回数が無限回である、放射線
が入射しても記録内容が消失する危険性が無い等、半導
体メモリと比較して有効である。
く稼動部の無い固体メモリであるが、電源が断たれても
情報を失わない、繰り返し回数が無限回である、放射線
が入射しても記録内容が消失する危険性が無い等、半導
体メモリと比較して有効である。
【０００４】従来のＭＴＪ素子の構成について、特開平
９―１０６５１４号公報に記載されたものを一例として
図２に示す。
９―１０６５１４号公報に記載されたものを一例として
図２に示す。
【０００５】図２のＭＴＪ素子２は、反強磁性層２１、
強磁性層２２、絶縁層２３、強磁性層２４を積層したも
のである。ここで、反強磁性層２１としてはＦｅＭｎ、
ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ等の合金が用いられ、強
磁性層２２及び強磁性層２４としてはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
或はこれらの合金が用いられる。絶縁層２３としては各
種の酸化物や窒化物が検討されているが、Ａｌ2Ｏ3膜の
場合に最も高い磁気抵抗（ＭＲ）比が得られている。
強磁性層２２、絶縁層２３、強磁性層２４を積層したも
のである。ここで、反強磁性層２１としてはＦｅＭｎ、
ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ等の合金が用いられ、強
磁性層２２及び強磁性層２４としてはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
或はこれらの合金が用いられる。絶縁層２３としては各
種の酸化物や窒化物が検討されているが、Ａｌ2Ｏ3膜の
場合に最も高い磁気抵抗（ＭＲ）比が得られている。
【０００６】なお、この他に、反強磁性層２１を除いた
構成で、強磁性層２２と強磁性層２４の保磁力差を利用
したＭＴＪ素子も知られている。
構成で、強磁性層２２と強磁性層２４の保磁力差を利用
したＭＴＪ素子も知られている。
【０００７】図２の構造のＭＴＪ素子２を磁気メモリに
使用する場合の動作原理は以下の通りである。
使用する場合の動作原理は以下の通りである。
【０００８】強磁性層２２及び強磁性層２４の磁化はい
ずれも膜面内にあり、平行もしくは反平行となるように
実効的な一軸磁気異方性を有している。強磁性層２２の
磁化は反強磁性層２１との交換結合により実質的に一方
向に固定され、強磁性層２４の磁化の方向で記憶を保持
する。
ずれも膜面内にあり、平行もしくは反平行となるように
実効的な一軸磁気異方性を有している。強磁性層２２の
磁化は反強磁性層２１との交換結合により実質的に一方
向に固定され、強磁性層２４の磁化の方向で記憶を保持
する。
【０００９】メモリ層となる強磁性層２４の磁化が強磁
性層２２の磁化と平行もしくは反平行でＭＴＪ素子２の
抵抗が異なることを検出することにより、読み出しを行
う。
性層２２の磁化と平行もしくは反平行でＭＴＪ素子２の
抵抗が異なることを検出することにより、読み出しを行
う。
【００１０】書込みについては、ＭＴＪ素子２の近傍に
配置した電流線が発生する磁界を利用して強磁性層２４
の磁化の向きを変えることで実現される。
配置した電流線が発生する磁界を利用して強磁性層２４
の磁化の向きを変えることで実現される。
【００１１】ところで、半導体メモリの代表的な例であ
るＤＲＡＭと同等の出力を得るためにＭＴＪ素子のＭＲ
比は１００％近い値が必要となるが、現在までに報告さ
れているＭＴＪ素子のＭＲ比は最大でも４０％前後であ
る。今後更に改善されると予想されるが、単一のＭＴＪ
素子で上記の要求を満足することは困難と考えられる。
るＤＲＡＭと同等の出力を得るためにＭＴＪ素子のＭＲ
比は１００％近い値が必要となるが、現在までに報告さ
れているＭＴＪ素子のＭＲ比は最大でも４０％前後であ
る。今後更に改善されると予想されるが、単一のＭＴＪ
素子で上記の要求を満足することは困難と考えられる。
【００１２】そこで、ＧＭＲ素子で既に採用されている
デュアルスピンバルブ構造と同様に、図３に示す構造と
することにより実質的に二倍のＭＲ比を得ることができ
る。
デュアルスピンバルブ構造と同様に、図３に示す構造と
することにより実質的に二倍のＭＲ比を得ることができ
る。
【００１３】図３に示す構造のＴＭＲ素子３では、反強
磁性層３１、強磁性層３２、絶縁層３３、強磁性層３
４、絶縁層３５、強磁性層３６、反強磁性層３７が積層
されている。各磁性層及び絶縁層には図２と同様の材料
を使用することができる。
磁性層３１、強磁性層３２、絶縁層３３、強磁性層３
４、絶縁層３５、強磁性層３６、反強磁性層３７が積層
されている。各磁性層及び絶縁層には図２と同様の材料
を使用することができる。
【００１４】ＴＭＲ素子３を磁気メモリとして使用する
場合には、強磁性層３４の磁化方向で記憶を保持し、強
磁性層３２、３６の磁化との平行、反平行でＴＭＲ素子
３の抵抗が変化することを検出する。ＴＭＲ素子３は２
個所のトンネル接合部が直列に接続されていることか
ら、図２に示す単一のトンネル接合部を有する従来のＴ
ＭＲ素子２と比較して、略２倍の出力を得ることができ
る。
場合には、強磁性層３４の磁化方向で記憶を保持し、強
磁性層３２、３６の磁化との平行、反平行でＴＭＲ素子
３の抵抗が変化することを検出する。ＴＭＲ素子３は２
個所のトンネル接合部が直列に接続されていることか
ら、図２に示す単一のトンネル接合部を有する従来のＴ
ＭＲ素子２と比較して、略２倍の出力を得ることができ
る。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】図３に示す構造のＭＴ
Ｊ素子３では強磁性層３２、３４、３６の磁化が面内方
向であるため、両端部には磁極が発生する。磁気メモリ
の高密度化を図るにはＭＴＪ素子３を微細化する必要が
あるが、素子の微細化にともない両端部の磁極による反
磁界の影響が大きくなってしまう。
Ｊ素子３では強磁性層３２、３４、３６の磁化が面内方
向であるため、両端部には磁極が発生する。磁気メモリ
の高密度化を図るにはＭＴＪ素子３を微細化する必要が
あるが、素子の微細化にともない両端部の磁極による反
磁界の影響が大きくなってしまう。
【００１６】強磁性層３２、３６は反強磁性層３１、３
７と交換結合していることから、上記の反磁界の影響は
少なく、また米国特許５８４１６９２号公報に開示され
ているように、強磁性層３２、３６を反強磁性結合する
二つの強磁性層で構成することにより、端部に発生する
磁極の影響を実質的にゼロにすることができる。
７と交換結合していることから、上記の反磁界の影響は
少なく、また米国特許５８４１６９２号公報に開示され
ているように、強磁性層３２、３６を反強磁性結合する
二つの強磁性層で構成することにより、端部に発生する
磁極の影響を実質的にゼロにすることができる。
【００１７】しかしながら、メモリ層となる強磁性層３
４については同様の手法を取ることができないことか
ら、パターンが微細化するに連れて端部磁極の影響によ
り磁化が不安定となり、記憶の保持が困難となる。
４については同様の手法を取ることができないことか
ら、パターンが微細化するに連れて端部磁極の影響によ
り磁化が不安定となり、記憶の保持が困難となる。
【００１８】そこで、本発明は、パターンが微細化して
もメモリ層に記録された磁化状態が安定に存在すること
のできるデュアルスピンバルブ構造のＭＴＪ素子及びそ
れを用いた磁気メモリを提供することを目的とする。
もメモリ層に記録された磁化状態が安定に存在すること
のできるデュアルスピンバルブ構造のＭＴＪ素子及びそ
れを用いた磁気メモリを提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気トンネル接
合素子は、閉磁路構造を有する第１の強磁性層上に、絶
縁層を介して、磁化の方向が固定された２つの第２の磁
性層を互い電気的に分離するように積層したことを特徴
とする。
合素子は、閉磁路構造を有する第１の強磁性層上に、絶
縁層を介して、磁化の方向が固定された２つの第２の磁
性層を互い電気的に分離するように積層したことを特徴
とする。
【００２０】さらに、前記第２の強磁性層上に交換結合
する反強磁性層をそれぞれ積層したことを特徴とする。
する反強磁性層をそれぞれ積層したことを特徴とする。
【００２１】また、本発明の磁気メモリは、閉磁路構造
を有する第１の強磁性層上に、絶縁層を介して、磁化の
方向が固定された２つの第２の磁性層を互い電気的に分
離するように積層した磁気トンネル接合素子を用いたこ
とを特徴とする。
を有する第１の強磁性層上に、絶縁層を介して、磁化の
方向が固定された２つの第２の磁性層を互い電気的に分
離するように積層した磁気トンネル接合素子を用いたこ
とを特徴とする。
【００２２】さらに、書込み用電流線を第１の強磁性層
の中央部に配置することを特徴とする。
の中央部に配置することを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図をもとに本発明について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２４】本発明のＭＴＪ素子の構成例を図１に示
す。
す。
【００２５】図１に示すように、本発明のＭＴＪ素子１
は、ロの字型の強磁性層１１の２辺上に絶縁層１２、強
磁性層１３、１４、反強磁性層１５、１６をそれぞれ電
気的に分離して積層した。なお、上記とは逆の順序に各
層を積層してもよい。
は、ロの字型の強磁性層１１の２辺上に絶縁層１２、強
磁性層１３、１４、反強磁性層１５、１６をそれぞれ電
気的に分離して積層した。なお、上記とは逆の順序に各
層を積層してもよい。
【００２６】強磁性層１１は、平面内で閉磁路構造（右
回りまたは左回りの磁化）を有しており、端部での磁極
の発生が回避できるようになっている。また、強磁性層
１３、１４はそれぞれ反強磁性層１５、１６と交換結合
しているため、磁化方向は固定されている。
回りまたは左回りの磁化）を有しており、端部での磁極
の発生が回避できるようになっている。また、強磁性層
１３、１４はそれぞれ反強磁性層１５、１６と交換結合
しているため、磁化方向は固定されている。
【００２７】強磁性層１１、１３、１４の材料として
は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ或はこれらの合金を用いることが
できる。なお、強磁性層１３、１４はそれれぞれ別の材
料で構成することも可能であるが、同一の材料で構成す
る方が素子の作成が容易になる。
は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ或はこれらの合金を用いることが
できる。なお、強磁性層１３、１４はそれれぞれ別の材
料で構成することも可能であるが、同一の材料で構成す
る方が素子の作成が容易になる。
【００２８】反強磁性層１５、１６の材料としては、Ｆ
ｅＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ等の合金を用い
ることができる。なお、反強磁性層１５、１６はそれぞ
れ別の材料で構成することも可能であるが、同一の材料
で構成する方が素子の作成が容易になる。
ｅＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ等の合金を用い
ることができる。なお、反強磁性層１５、１６はそれぞ
れ別の材料で構成することも可能であるが、同一の材料
で構成する方が素子の作成が容易になる。
【００２９】絶縁層１２としてはＭＲ比の点からＡｌ2
Ｏ3膜が望ましいが、その他の酸化膜、窒化膜等の絶縁
膜も使用できる。また、Ｓｉ膜、ダイヤモンド膜、ダイ
ヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜等の単一元素の絶
縁膜も使用できる。
Ｏ3膜が望ましいが、その他の酸化膜、窒化膜等の絶縁
膜も使用できる。また、Ｓｉ膜、ダイヤモンド膜、ダイ
ヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜等の単一元素の絶
縁膜も使用できる。
【００３０】本発明の各磁性層の膜厚は、膜厚が薄すぎ
ると熱エネルギーの影響で超常磁性化するため１０Å以
上であることが望ましく、膜厚が厚すぎると素子作成が
困難となるため１０００Å以下であることが望ましい。
また、各磁性層を多層膜で構成することも可能であり、
この場合には合計の膜厚を１０Å以上１０００Å以下に
設定すれば良い。
ると熱エネルギーの影響で超常磁性化するため１０Å以
上であることが望ましく、膜厚が厚すぎると素子作成が
困難となるため１０００Å以下であることが望ましい。
また、各磁性層を多層膜で構成することも可能であり、
この場合には合計の膜厚を１０Å以上１０００Å以下に
設定すれば良い。
【００３１】また、絶縁層１２は、膜厚が３Å以下であ
る場合、強磁性層間が電気的にショートする可能性があ
り、３０Å以上である場合、電子のトンネルが起きにく
く、ＭＲ比が小さくなってしまうので、３Å以上３０Å
以下であることが望ましい。
る場合、強磁性層間が電気的にショートする可能性があ
り、３０Å以上である場合、電子のトンネルが起きにく
く、ＭＲ比が小さくなってしまうので、３Å以上３０Å
以下であることが望ましい。
【００３２】また、図示していないが、反強磁性層１
５、１６上に更に電極層を設けてもよい。
５、１６上に更に電極層を設けてもよい。
【００３３】次に、本発明のＭＴＪ素子を磁気メモリに
用いた場合について説明する。
用いた場合について説明する。
【００３４】強磁性層１１の磁化は、環状の閉磁路構造
を有し、右回りまたは左回りの磁化となり、この磁化の
方向によって“０”、“１”の情報を記憶する。さら
に、この強磁性層１１は環状の閉磁路構造を有している
ことから、磁化方向は右回りもしくは左回りの閉じた磁
化となり、端部磁極は発生しない。
を有し、右回りまたは左回りの磁化となり、この磁化の
方向によって“０”、“１”の情報を記憶する。さら
に、この強磁性層１１は環状の閉磁路構造を有している
ことから、磁化方向は右回りもしくは左回りの閉じた磁
化となり、端部磁極は発生しない。
【００３５】強磁性層１３、１４の磁化方向は反強磁性
層１５、１６との交換結合で固定されている。特に、強
磁性層１３、１４の磁化方向は互いに反平行となるよう
に固定されている。
層１５、１６との交換結合で固定されている。特に、強
磁性層１３、１４の磁化方向は互いに反平行となるよう
に固定されている。
【００３６】本発明のＭＴＪ素子に情報を書込む場合に
は、書きこむ情報に応じて、強磁性層１１の磁化方向が
右回りまたは左回りの磁化となるように、ＴＭＲ素子１
の近傍に配置された電流線に電流を流して、所望の磁界
を発生させる。特に、環状構造を有する強磁性層１１の
中央に電流線を通すことにより、書込みに必要な電流値
を低減することが可能である。
は、書きこむ情報に応じて、強磁性層１１の磁化方向が
右回りまたは左回りの磁化となるように、ＴＭＲ素子１
の近傍に配置された電流線に電流を流して、所望の磁界
を発生させる。特に、環状構造を有する強磁性層１１の
中央に電流線を通すことにより、書込みに必要な電流値
を低減することが可能である。
【００３７】次に、情報の読み出しについて説明する。
強磁性層１１の磁化が右回りの場合には、強磁性層１１
の磁化と、強磁性層１３、１４の磁化とが平行となり、
ＭＴＪ素子の抵抗値は低くなる。一方、強磁性層１１の
磁化が左回りの場合（図１の状態）には、強磁性層１１
の磁化と、強磁性層１３、１４の磁化とが反平行とな
り、ＭＴＪ素子の抵抗値が高くなることを利用して情報
を読み出す。
強磁性層１１の磁化が右回りの場合には、強磁性層１１
の磁化と、強磁性層１３、１４の磁化とが平行となり、
ＭＴＪ素子の抵抗値は低くなる。一方、強磁性層１１の
磁化が左回りの場合（図１の状態）には、強磁性層１１
の磁化と、強磁性層１３、１４の磁化とが反平行とな
り、ＭＴＪ素子の抵抗値が高くなることを利用して情報
を読み出す。
【００３８】ＭＴＪ素子１の抵抗値を検出するための電
流は、反強磁性層１６、強磁性層１４、絶縁層１２、強
磁性層１１と図１紙面の上から下へ、その後、強磁性層
１１内を図１紙面の左から右へ、その後、絶縁層１２、
強磁性層１３、反強磁性層１５と図１紙面の下から上へ
の方向、或いはその逆方向に流される。
流は、反強磁性層１６、強磁性層１４、絶縁層１２、強
磁性層１１と図１紙面の上から下へ、その後、強磁性層
１１内を図１紙面の左から右へ、その後、絶縁層１２、
強磁性層１３、反強磁性層１５と図１紙面の下から上へ
の方向、或いはその逆方向に流される。
【００３９】このように電流を流すことによって、トン
ネル接合部が２個所直列に接続されることから、単一の
トンネル接合を有する従来のＴＭＲ素子に比較して略２
倍の出力を得ることができる。
ネル接合部が２個所直列に接続されることから、単一の
トンネル接合を有する従来のＴＭＲ素子に比較して略２
倍の出力を得ることができる。
【００４０】図１では、強磁性層１１の形状はロの字状
であるが、本発明はこれに限定されるものではなく、そ
の外形は三角形、円や楕円等であってもよく、少なくと
も強磁性層１１の磁化が閉じる構造となるような形状で
あればどんな形状でもよい。
であるが、本発明はこれに限定されるものではなく、そ
の外形は三角形、円や楕円等であってもよく、少なくと
も強磁性層１１の磁化が閉じる構造となるような形状で
あればどんな形状でもよい。
【００４１】また、本発明のＭＴＪ素子は、強磁性層１
１上のいずれかの２箇所の位置に、それぞれ電気的に分
離するように、絶縁層１２を介して磁化の方向が固定さ
れた強磁性層１３、１４を積層したものであればよい。
また、固定される強磁性層１３、１４の磁化の向きは、
強磁性層１１のある磁化の向きに平行で、他の磁化の向
きと反平行となるようにすればよい。
１上のいずれかの２箇所の位置に、それぞれ電気的に分
離するように、絶縁層１２を介して磁化の方向が固定さ
れた強磁性層１３、１４を積層したものであればよい。
また、固定される強磁性層１３、１４の磁化の向きは、
強磁性層１１のある磁化の向きに平行で、他の磁化の向
きと反平行となるようにすればよい。
【００４２】また、上述では、ＭＴＪ素子１の抵抗を検
出するための電流は、強磁性層１１を流れる構成となっ
ており、強磁性層１１の膜厚が薄い場合には素子の抵抗
値が増加する可能性が有る。そこで、強磁性層１１の下
にＴａ、Ｔｉ等の導電層を設けることにより、素子の抵
抗を低減することができる。
出するための電流は、強磁性層１１を流れる構成となっ
ており、強磁性層１１の膜厚が薄い場合には素子の抵抗
値が増加する可能性が有る。そこで、強磁性層１１の下
にＴａ、Ｔｉ等の導電層を設けることにより、素子の抵
抗を低減することができる。
【００４３】また、上述では、強磁性層１３、１４の磁
化は反強磁性層１５、１６との交換結合により固定され
ているが、保持力の大きい強磁性材料を使用する等のそ
の他の手段をとることも可能である。
化は反強磁性層１５、１６との交換結合により固定され
ているが、保持力の大きい強磁性材料を使用する等のそ
の他の手段をとることも可能である。
【００４４】また、金属層を介して反強磁性結合する二
つの強磁性層で強磁性層１３、１４を構成することによ
り、端部に生じる磁極の影響を軽減できる。
つの強磁性層で強磁性層１３、１４を構成することによ
り、端部に生じる磁極の影響を軽減できる。
【００４５】また、強磁性層１３、１４を例えば補償点
近傍組成の希土類−遷移金属合金膜のようなフェリ磁性
材料で構成しても同様に端部の磁極の影響を低減でき
る。
近傍組成の希土類−遷移金属合金膜のようなフェリ磁性
材料で構成しても同様に端部の磁極の影響を低減でき
る。
【００４６】上述では、ＭＴＪ素子部分のみを示した
が、実際の素子形成においては電流供給用のリード、基
板、保護層及び密着層等が必要となることは明らかであ
る。
が、実際の素子形成においては電流供給用のリード、基
板、保護層及び密着層等が必要となることは明らかであ
る。
【００４７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、従来の
素子に比較して略２倍の出力が得られると同時に、端部
磁極の影響を低減できることから、パターンが微細化さ
れても十分大きな出力が得られるとともに、安定した磁
化状態を保持することができる。従って、より高い集積
度の磁気メモリを実現することができる。また、メモリ
層となる強磁性層が閉磁路構造を取ることから、外部漏
洩磁界に対して安定となる。
素子に比較して略２倍の出力が得られると同時に、端部
磁極の影響を低減できることから、パターンが微細化さ
れても十分大きな出力が得られるとともに、安定した磁
化状態を保持することができる。従って、より高い集積
度の磁気メモリを実現することができる。また、メモリ
層となる強磁性層が閉磁路構造を取ることから、外部漏
洩磁界に対して安定となる。
【図１】本発明のＭＴＪ素子の構成例を示す図である。
【図２】従来のＭＴＪ素子の構成例を示す図である。
【図３】従来のＭＴＪ素子の他の構成例を示す図であ
る。
る。
１、２、３：ＭＴＪ素子 １１、１３、１４：強磁性層 １２：絶縁層 １５、１６：反強磁性層 ２１：反強磁性層 ２２、２４：強磁性層 ２３：絶縁層 ３１、３７：反強磁性層 ３２、３４、３６：強磁性層 ３３、３５：絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 秀和 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D034 BA03 BA05 BA08 BA15
Claims (4)
- 【請求項１】 閉磁路構造を有する第１の強磁性層上
に、絶縁層を介して、磁化の方向が固定された２つの第
２の磁性層を互い電気的に分離するように積層したこと
を特徴とする磁気トンネル接合素子。 - 【請求項２】 前記第２の強磁性層上に交換結合する反
強磁性層をそれぞれ積層したことを特徴とする請求項１
記載の磁気トンネル接合素子。 - 【請求項３】 閉磁路構造を有する第１の強磁性層上
に、絶縁層を介して、磁化の方向が固定された２つの第
２の磁性層を互い電気的に分離するように積層した磁気
トンネル接合素子を用いたことを特徴とする磁気メモ
リ。 - 【請求項４】 書込み用電流線を前記第１の強磁性層の
中央部に配置することを特徴とする請求項３記載の磁気
メモリ。
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