JP3515940B2 - 磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリ - Google Patents
磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリInfo
- Publication number
- JP3515940B2 JP3515940B2 JP2000039168A JP2000039168A JP3515940B2 JP 3515940 B2 JP3515940 B2 JP 3515940B2 JP 2000039168 A JP2000039168 A JP 2000039168A JP 2000039168 A JP2000039168 A JP 2000039168A JP 3515940 B2 JP3515940 B2 JP 3515940B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- ferromagnetic
- ferromagnetic layer
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気トンネル接合素
子及びそれを用いた磁気メモリに関するものである。
子及びそれを用いた磁気メモリに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子
は、従来の異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子や巨大磁
気抵抗効果（ＧＭＲ）素子に比べて大きな出力が得られ
ることから、ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）用
再生ヘッドや磁気メモリへの応用が考えられている。
は、従来の異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子や巨大磁
気抵抗効果（ＧＭＲ）素子に比べて大きな出力が得られ
ることから、ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）用
再生ヘッドや磁気メモリへの応用が考えられている。
【０００３】特に、磁気メモリにおいては、半導体メモ
リと同じく稼動部の無い固体メモリであるが、電源が断
たれても情報を失わない、繰り返し回数が無限回であ
る、放射線が入射しても記録内容が消失する危険性が無
い等、半導体メモリと比較して有用である。
リと同じく稼動部の無い固体メモリであるが、電源が断
たれても情報を失わない、繰り返し回数が無限回であ
る、放射線が入射しても記録内容が消失する危険性が無
い等、半導体メモリと比較して有用である。
【０００４】従来のＭＴＪ素子の構成として、例えば特
開平９―１０６５１４号公報に示されているものを図６
に示す。
開平９―１０６５１４号公報に示されているものを図６
に示す。
【０００５】図６のＭＴＪ素子は、反強磁性層４１、強
磁性層４２、絶縁層４３、強磁性層４４を積層したもの
である。ここで、反強磁性層４１としてＦeＭn、ＮiＭ
n、ＰtＭn、ＩrＭn等の合金を用い、強磁性層４２及び
強磁性層４４としてＦe、Ｃo、Ｎi或はこれらの合金を
用いた。また、絶縁層４３としては各種の酸化物や窒化
物が検討されているが、Ａl2Ｏ3膜の場合に最も高い磁
気抵抗（ＭＲ）比が得られることが知られている。
磁性層４２、絶縁層４３、強磁性層４４を積層したもの
である。ここで、反強磁性層４１としてＦeＭn、ＮiＭ
n、ＰtＭn、ＩrＭn等の合金を用い、強磁性層４２及び
強磁性層４４としてＦe、Ｃo、Ｎi或はこれらの合金を
用いた。また、絶縁層４３としては各種の酸化物や窒化
物が検討されているが、Ａl2Ｏ3膜の場合に最も高い磁
気抵抗（ＭＲ）比が得られることが知られている。
【０００６】また、この他に、反強磁性層４１を除いた
構成で、強磁性層４２と強磁性層４４の保磁力の差を利
用したＭＴＪ素子の提案もなされている。
構成で、強磁性層４２と強磁性層４４の保磁力の差を利
用したＭＴＪ素子の提案もなされている。
【０００７】次に、図６の構造のＭＴＪ素子を磁気メモ
リに使用する場合の動作原理を図７に示す。
リに使用する場合の動作原理を図７に示す。
【０００８】強磁性層４２及び強磁性層４４の磁化はい
ずれも膜面内にあり、平行もしくは反平行となるように
実効的な一軸磁気異方性を有している。そして、強磁性
層４２の磁化は反強磁性層４１との交換結合により実質
的に一方向に固定され、強磁性層４４の磁化の方向で記
録を保持する。
ずれも膜面内にあり、平行もしくは反平行となるように
実効的な一軸磁気異方性を有している。そして、強磁性
層４２の磁化は反強磁性層４１との交換結合により実質
的に一方向に固定され、強磁性層４４の磁化の方向で記
録を保持する。
【０００９】このメモリ層となる強磁性層４４の磁化が
平行もしくは反平行でＭＴＪ素子４の抵抗が異なること
を検出して情報の読み出しを行い、ＭＴＪ素子の近傍に
配置した電流線が発生する磁界を利用して強磁性層４４
の磁化の向きを変えることで情報の書き込みを行う。
平行もしくは反平行でＭＴＪ素子４の抵抗が異なること
を検出して情報の読み出しを行い、ＭＴＪ素子の近傍に
配置した電流線が発生する磁界を利用して強磁性層４４
の磁化の向きを変えることで情報の書き込みを行う。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構造の
ＭＴＪ素子では強磁性層４２及び強磁性層４４の磁化が
面内方向であるため、両端部には磁極が発生する。磁気
メモリの高密度化を図るにはＭＴＪ素子４を微細化する
必要があるが、素子の微細化にともない両端部の磁極に
よる反磁界の影響が大きくなる。
ＭＴＪ素子では強磁性層４２及び強磁性層４４の磁化が
面内方向であるため、両端部には磁極が発生する。磁気
メモリの高密度化を図るにはＭＴＪ素子４を微細化する
必要があるが、素子の微細化にともない両端部の磁極に
よる反磁界の影響が大きくなる。
【００１１】強磁性層４２については反強磁性層４１と
交換結合していることから、上記の反磁界の影響は少な
く、また、米国特許５８４１６９２号公報に開示されて
いるように、強磁性層４２を反強磁性結合する二つの強
磁性層で構成することにより、端部に発生する磁極を実
質的にゼロにすることができる。
交換結合していることから、上記の反磁界の影響は少な
く、また、米国特許５８４１６９２号公報に開示されて
いるように、強磁性層４２を反強磁性結合する二つの強
磁性層で構成することにより、端部に発生する磁極を実
質的にゼロにすることができる。
【００１２】しかしながら、メモリ層となる強磁性層４
４については同様の手法を取ることができないことか
ら、パターンが微細化するに連れて端部磁極の影響によ
り磁化が不安定となり、記録の保持が困難となってしま
う。
４については同様の手法を取ることができないことか
ら、パターンが微細化するに連れて端部磁極の影響によ
り磁化が不安定となり、記録の保持が困難となってしま
う。
【００１３】そこで、本発明は上記課題を解決するため
に、パターンが微細化してもメモリ層に記録された磁化
状態が安定に存在することのできる磁気トンネル接合素
子及びそれを用いた磁気メモリを提供することを目的と
する。
に、パターンが微細化してもメモリ層に記録された磁化
状態が安定に存在することのできる磁気トンネル接合素
子及びそれを用いた磁気メモリを提供することを目的と
する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気トンネル接
合素子は、少なくとも第１磁性層、絶縁層、第２磁性層
を順に積層した磁気トンネル接合素子であって、少なく
とも前記第１又は第２磁性層の前記絶縁層積層側と異な
る側に、前記第１又は第２磁性層との間における中央部
に前記第１又は第２磁性層と離間した離間部を有すると
共に、上記離間部の両側において前記第１又は第２磁性
層と直接接合した第３磁性層を設けて、前記第１及び第
３磁性層又は前記第２及び第３磁性層により閉磁路を構
成したことを特徴とする。
合素子は、少なくとも第１磁性層、絶縁層、第２磁性層
を順に積層した磁気トンネル接合素子であって、少なく
とも前記第１又は第２磁性層の前記絶縁層積層側と異な
る側に、前記第１又は第２磁性層との間における中央部
に前記第１又は第２磁性層と離間した離間部を有すると
共に、上記離間部の両側において前記第１又は第２磁性
層と直接接合した第３磁性層を設けて、前記第１及び第
３磁性層又は前記第２及び第３磁性層により閉磁路を構
成したことを特徴とする。
【００１５】さらに、前記第１又は第２磁性層と第３磁
性層との間の上記離間部内に、少なくとも１つのリード
線を設けることが望ましい。
性層との間の上記離間部内に、少なくとも１つのリード
線を設けることが望ましい。
【００１６】また、本発明の磁気メモリは、上記本発明
の磁気トンネル接合素子を用いたことを特徴とする。
の磁気トンネル接合素子を用いたことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明について図１から図
５を用いて説明する。
５を用いて説明する。
【００１８】図１に本発明のＭＴＪ素子の構成例を示
す。
す。
【００１９】図１に示すように、本発明のＭＴＪ素子１
は、反強磁性層１１、強磁性層１２、絶縁層１３、強磁
性層１４、閉磁路層（強磁性層）１５からなる。強磁性
層１４と閉磁路層（強磁性層）１５は両端部で直接接合
し、中央部で離間している。
は、反強磁性層１１、強磁性層１２、絶縁層１３、強磁
性層１４、閉磁路層（強磁性層）１５からなる。強磁性
層１４と閉磁路層（強磁性層）１５は両端部で直接接合
し、中央部で離間している。
【００２０】また、図１に示すように、強磁性層１４と
閉磁路層（強磁性層）１５を積層することにより、強磁
性層１４と閉磁路層（強磁性層）１５との磁化は閉ルー
プ（閉磁路）を構成するようになり、これにより強磁性
層１４の端部に磁極が発生することを回避することがで
きる。
閉磁路層（強磁性層）１５を積層することにより、強磁
性層１４と閉磁路層（強磁性層）１５との磁化は閉ルー
プ（閉磁路）を構成するようになり、これにより強磁性
層１４の端部に磁極が発生することを回避することがで
きる。
【００２１】また、反強磁性層１１と強磁性層１２は交
換結合している。
換結合している。
【００２２】反強磁性層１１の材料としてはＦeＭn、Ｎ
iＭn、ＰtＭn、ＩrＭn等の合金を用いることができ、強
磁性層１２、１４及び閉磁路層（強磁性層）１５の材料
としてはＦe、Ｃo、Ｎi或はこれらの合金を用いること
ができる。また、絶縁層１３としてはＭＲ比の点からＡ
l2Ｏ3膜が好ましいが、その他の酸化膜、窒化膜等の絶
縁膜でもあっても、またＳi膜、ダイヤモンド膜、ダイ
ヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜等の絶縁膜であっ
ても構わない。
iＭn、ＰtＭn、ＩrＭn等の合金を用いることができ、強
磁性層１２、１４及び閉磁路層（強磁性層）１５の材料
としてはＦe、Ｃo、Ｎi或はこれらの合金を用いること
ができる。また、絶縁層１３としてはＭＲ比の点からＡ
l2Ｏ3膜が好ましいが、その他の酸化膜、窒化膜等の絶
縁膜でもあっても、またＳi膜、ダイヤモンド膜、ダイ
ヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜等の絶縁膜であっ
ても構わない。
【００２３】強磁性層１２、１４及び閉磁路層１５の膜
厚は、１０Å以上であることが好ましい。これは膜厚が
薄すぎると熱エネルギーの影響で超常磁性化するためで
ある。
厚は、１０Å以上であることが好ましい。これは膜厚が
薄すぎると熱エネルギーの影響で超常磁性化するためで
ある。
【００２４】また、前記絶縁層１３の層厚は３Å以上３
０Å以下であることが好ましい。これは、絶縁層１３の
膜厚が３Å以下である場合、強磁性層１２と強磁性層１
４が電気的にショートする可能性があり、絶縁層１３の
膜厚が３０Å以上である場合、電子のトンネルが起きに
くく、磁気抵抗比が小さくなってしまうからである。
０Å以下であることが好ましい。これは、絶縁層１３の
膜厚が３Å以下である場合、強磁性層１２と強磁性層１
４が電気的にショートする可能性があり、絶縁層１３の
膜厚が３０Å以上である場合、電子のトンネルが起きに
くく、磁気抵抗比が小さくなってしまうからである。
【００２５】また、本発明のＭＴＪ素子としては、図
２、図３に示すように、強磁性層１４と閉磁路層（強磁
性層）１５を両端部で強磁性層１６、１６′を介して接
合し、中央部では離間している構造にすることもでき
る。
２、図３に示すように、強磁性層１４と閉磁路層（強磁
性層）１５を両端部で強磁性層１６、１６′を介して接
合し、中央部では離間している構造にすることもでき
る。
【００２６】次に、本発明のＭＴＪ素子１をランダムア
クセス可能な磁気メモリに用いた場合の概略図を図４に
示す。
クセス可能な磁気メモリに用いた場合の概略図を図４に
示す。
【００２７】トランジスタ２１は読み出し時にＭＴＪ素
子１を選択する役割を有している。“０”、“１”の情
報は図１に示すＭＴＪ素子１の強磁性層１４の磁化方向
によって記録されており、強磁性層１２の磁化方向は固
定されている。そして、強磁性層１２と強磁性層１４の
磁化が平行の時は抵抗値が低く、反平行の時は抵抗値が
高くなるという磁気抵抗効果を利用して情報を読み出
す。一方、書込みは、ビット線２２とワード線２３が形
成する合成磁界によって強磁性層１４及び閉磁路層（強
磁性層）１５の磁化の向きを反転することで実現され
る。なお、２４はプレートラインである。
子１を選択する役割を有している。“０”、“１”の情
報は図１に示すＭＴＪ素子１の強磁性層１４の磁化方向
によって記録されており、強磁性層１２の磁化方向は固
定されている。そして、強磁性層１２と強磁性層１４の
磁化が平行の時は抵抗値が低く、反平行の時は抵抗値が
高くなるという磁気抵抗効果を利用して情報を読み出
す。一方、書込みは、ビット線２２とワード線２３が形
成する合成磁界によって強磁性層１４及び閉磁路層（強
磁性層）１５の磁化の向きを反転することで実現され
る。なお、２４はプレートラインである。
【００２８】図５にビット線２２とワード線２３の配置
の例を示す。図５に示すように、強磁性層１４と閉磁路
層（強磁性層）１５の中央離間部内にビット線２２とワ
ード線２３を貫通させることにより、強磁性層１４及び
閉磁路層（強磁性層）１５の磁化の向きを反転するのに
要する電流値が小さくなり、磁気メモリの消費電力を低
減することができる。
の例を示す。図５に示すように、強磁性層１４と閉磁路
層（強磁性層）１５の中央離間部内にビット線２２とワ
ード線２３を貫通させることにより、強磁性層１４及び
閉磁路層（強磁性層）１５の磁化の向きを反転するのに
要する電流値が小さくなり、磁気メモリの消費電力を低
減することができる。
【００２９】なお、ビット線及びワード線の配置として
は、図５に制限されることはなく、ビット線とワード線
を同一平面上に設けることも可能である。また、両方も
しくはどちらか一方の配線をＭＴＪ素子の外部近傍に設
けることも可能であり、このようにすることにより、プ
ロセスが簡単になる。
は、図５に制限されることはなく、ビット線とワード線
を同一平面上に設けることも可能である。また、両方も
しくはどちらか一方の配線をＭＴＪ素子の外部近傍に設
けることも可能であり、このようにすることにより、プ
ロセスが簡単になる。
【００３０】また、図５ではビット線２２とワード線２
３はともに強磁性層１４及び閉磁路層（強磁性層）１５
から電気的に絶縁されているが、どちらか一方を強磁性
層１４及び閉磁路層（強磁性層）１５と電気的に接続
し、抵抗変化を検出するための電極とすることも可能で
ある。
３はともに強磁性層１４及び閉磁路層（強磁性層）１５
から電気的に絶縁されているが、どちらか一方を強磁性
層１４及び閉磁路層（強磁性層）１５と電気的に接続
し、抵抗変化を検出するための電極とすることも可能で
ある。
【００３１】また、上述では、強磁性層１２の磁化は反
強磁性層１１との交換結合により固定されているが、保
持力の大きい強磁性材料を使用する等のその他の手段を
とることも可能である。
強磁性層１１との交換結合により固定されているが、保
持力の大きい強磁性材料を使用する等のその他の手段を
とることも可能である。
【００３２】また、金属層を介して反強磁性結合する二
つの強磁性層で強磁性層１２を構成することにより、強
磁性層１２の端部に生じる磁極の影響を軽減できる。ま
た、強磁性層１２を例えば補償点近傍組成の希土類−遷
移金属合金膜のようなフェリ磁性材料で構成しても同様
に端部の磁極の影響を低減できる。
つの強磁性層で強磁性層１２を構成することにより、強
磁性層１２の端部に生じる磁極の影響を軽減できる。ま
た、強磁性層１２を例えば補償点近傍組成の希土類−遷
移金属合金膜のようなフェリ磁性材料で構成しても同様
に端部の磁極の影響を低減できる。
【００３３】また、図１の場合とは逆の順序に各層を積
層することも可能である。
層することも可能である。
【００３４】また、図１では一方の強磁性（強磁性層１
４）のみに閉磁路構造を形成したが、両方の強磁性層
（強磁性層１２、１４）に閉磁路構造を形成してもよ
い。
４）のみに閉磁路構造を形成したが、両方の強磁性層
（強磁性層１２、１４）に閉磁路構造を形成してもよ
い。
【００３５】また、上述では、ＭＴＪ素子部分のみを示
したが、実際の素子形成においては電流供給用の電極、
基板、保護層及び密着層等が必要となることは明らかで
ある。
したが、実際の素子形成においては電流供給用の電極、
基板、保護層及び密着層等が必要となることは明らかで
ある。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、端部磁
極の影響を低減できることから、パターンが微細化され
ても安定した磁化状態を保持することができ、メモリ層
となる強磁性層が閉磁路構造を取ることから、外部漏洩
磁界に対して安定となる。
極の影響を低減できることから、パターンが微細化され
ても安定した磁化状態を保持することができ、メモリ層
となる強磁性層が閉磁路構造を取ることから、外部漏洩
磁界に対して安定となる。
【００３７】また、端部磁極の影響を低減できることか
ら、パターンが微細化されても安定した磁化状態を保持
することができることにより、より高い集積度の磁気メ
モリを実現することができ、磁気メモリの消費電力を低
減することができる。
ら、パターンが微細化されても安定した磁化状態を保持
することができることにより、より高い集積度の磁気メ
モリを実現することができ、磁気メモリの消費電力を低
減することができる。
【図１】 本発明によるＭＴＪ素子の構成例を示す図で
ある。
ある。
【図２】 本発明によるＭＴＪ素子の他の構成例を示す
図である。
図である。
【図３】 本発明によるＭＴＪ素子の他の構成例を示す
図である。
図である。
【図４】 本発明のＭＴＪ素子を用いた磁気メモリの構
成例を示す図である。
成例を示す図である。
【図５】 本発明のＭＴＪ素子を用いた磁気メモリのワ
ード線とビット線の配置例を示す図である。
ード線とビット線の配置例を示す図である。
【図６】 従来のＭＴＪ素子の構成例を示す図である。
【図７】 磁気メモリに用いられる従来のＭＴＪ素子の
動作原理を示す図である。
動作原理を示す図である。
１…ＭＴＪ素子
３１…反強磁性層
１２、１４、３２、３４…強磁性層
１３、３３…絶縁層
１５、３５…閉磁路層
２１…トランジスタ
２２…ビット線
２３…ワード線
２４…プレートライン
４１…反強磁性層
４２、４４…強磁性層
４３…絶縁層
フロントページの続き
(56)参考文献 特開2001−67630（ＪＰ，Ａ)
特開2000−90658（ＪＰ，Ａ)
特開2001−134913（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−333304（ＪＰ，Ａ)
特表2002−522915（ＪＰ，Ａ)
国際公開00／004552（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 43/08
G01R 33/09
G11B 5/39
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも第１磁性層、絶縁層、第２磁
性層を順に積層した磁気トンネル接合素子であって、 少なくとも前記第１又は第２磁性層の前記絶縁層積層側
と異なる側に、前記第１又は第２磁性層との間における
中央部に前記第１又は第２磁性層と離間した離間部を有
すると共に、上記離間部の両側において前記第１又は第
２磁性層と直接接合した第３磁性層を設けて、 前記第１及び第３磁性層又は前記第２及び第３磁性層に
より閉磁路を構成したことを特徴とする磁気トンネル接
合素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気トンネル接合素子を
用いたことを特徴とする磁気メモリ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000039168A JP3515940B2 (ja) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | 磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリ |
| DE10106860A DE10106860A1 (de) | 2000-02-17 | 2001-02-14 | MTJ-Element und Magnetspeicher unter Verwendung eines solchen |
| US09/785,635 US6442064B1 (en) | 2000-02-17 | 2001-02-17 | Magnetic tunnel junction element and magnetic memory using the same |
| CNB01111942XA CN1214473C (zh) | 2000-02-17 | 2001-02-17 | 磁隧道结元件和使用它的磁存储器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000039168A JP3515940B2 (ja) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | 磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001230469A JP2001230469A (ja) | 2001-08-24 |
| JP3515940B2 true JP3515940B2 (ja) | 2004-04-05 |
Family
ID=18562778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000039168A Expired - Fee Related JP3515940B2 (ja) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | 磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3515940B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004153181A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ |
| JP4419408B2 (ja) | 2003-03-14 | 2010-02-24 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイス |
| JP4729836B2 (ja) | 2003-03-28 | 2011-07-20 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイスならびに磁気メモリデバイスの製造方法 |
| US7630177B2 (en) | 2006-02-14 | 2009-12-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Tunnel MR head with closed-edge laminated free layer |
-
2000
- 2000-02-17 JP JP2000039168A patent/JP3515940B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001230469A (ja) | 2001-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3679593B2 (ja) | 磁性薄膜素子および磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法 | |
| JP2771128B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気抵抗効果型ヘッド、メモリー素子、及び増幅素子 | |
| US7018725B2 (en) | Magneto-resistance effect element magneto-resistance effect memory cell, MRAM, and method for performing information write to or read from the magneto-resistance effect memory cell | |
| EP1115164A2 (en) | Magnetoresistive device and magnetic memory using the same | |
| JP2003526913A (ja) | バイアス磁性層構造を有する磁気素子 | |
| JP2001195878A (ja) | 磁気抵抗効果メモリ、および、それに記録される情報の再生方法とその再生装置 | |
| JP3693247B2 (ja) | 磁気抵抗効果記憶素子およびその製造方法 | |
| JP3691898B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気情報読み出し方法、及び記録素子 | |
| JP3550524B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気メモリ | |
| JP3977576B2 (ja) | 磁気メモリ装置 | |
| JP2001266566A (ja) | 磁気メモリ素子及びそれを用いた磁気メモリ | |
| JP2001076479A (ja) | 磁気メモリ素子 | |
| JP3891511B2 (ja) | 磁性薄膜メモリ及びその記録再生方法 | |
| JP3515940B2 (ja) | 磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリ | |
| JP2002124716A (ja) | 磁気抵抗素子及び該素子を用いたメモリ素子 | |
| US6442064B1 (en) | Magnetic tunnel junction element and magnetic memory using the same | |
| JP3653442B2 (ja) | 磁気メモリおよびその記録方法 | |
| JP2001217479A (ja) | 磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリ | |
| JP2001267522A (ja) | 磁気メモリ素子及び磁気メモリ | |
| JP2001230468A (ja) | 磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリ | |
| JP3625424B2 (ja) | 磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリ | |
| JPH11154389A (ja) | 磁気抵抗素子、磁性薄膜メモリ素子および該メモリ素子の記録再生方法 | |
| JP3738165B2 (ja) | 磁気メモリセル | |
| JP4136028B2 (ja) | 磁性薄膜メモリ素子、それを用いた磁性薄膜メモリ及びその記録再生方法 | |
| JP3758933B2 (ja) | 磁気メモリおよびその記録方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040113 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040119 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080123 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100123 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110123 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |