JP2000156531A - 磁気素子、磁気メモリ装置、磁気抵抗効果ヘッド、磁気ヘッドジンバルアッセンブリ、及び磁気記録システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 強磁性トンネル接合を有する磁気素子におい
て、磁気抵抗変化率の増大を図ると共に素子抵抗を低減
し、さらに磁気抵抗変化率の電圧依存性を抑える。 【解決手段】 保磁力をもつ強磁性体６と誘電体７との
混合体からなり、誘電体７と体積にして同等以上の強磁
性体６を含む強磁性体−誘電体混合層３と、誘電体層
２、４とが交互に積層された層状構造を有する積層膜５
を具備する磁気素子である。積層膜５中の強磁性体−誘
電体混合層３には、誘電体層２を介して強磁性層１が近
接配置されており、これら強磁性体−誘電体混合層３と
強磁性層１との間にトンネル電流を流すと共に、これら
のうち保磁力の小さい磁性層のスピンをスイッチさせる
ことで磁気抵抗効果を発現させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、強磁性体と誘電体
を含む磁気素子、及びそれを用いた磁気メモリ装置、磁
気ヘッド、磁気ヘッドアッセンブリ、及び磁気記録シス
テムに関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗効果は、ある種の磁性体に磁界
を加えることにより電気抵抗が変化する現象である。こ
のような磁性層の磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果
素子（ＭＲ素子）は、磁気ヘッド、磁気センサなどに使
用されており、さらには磁気記憶素子（磁気抵抗効果メ
モリ）などが提案されている。このようなＭＲ素子に
は、外部磁界に対する感度が大きいこと、応答速度が早
いことなどが要求されている。

【０００３】強磁性体を用いたＭＲ素子は、温度安定性
に優れ、使用温度範囲が広いというような特徴を有して
おり、従来からＮｉＦｅ合金などの強磁性合金の薄膜が
使用されてきた。しかし、その磁気抵抗変化率は 2〜3%
程度と小さいため、これを用いた磁気ヘッドでは十分な
感度が得られないという問題があった。

【０００４】一方、近年、磁性層と非磁性層とを数nmの
周期で積層した積層膜がスピンの方向に依存して巨大磁
気抵抗効果（ＧＭＲ）を示す材料として注目されてい
る。例えば、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子膜(Phys. Rev. Lett.6
1, 2472(1988))、Ｃｏ／Ｃｕ人工格子膜(J.Mag. Mag. M
ater.94, L1(1991))などの磁性層間の相互作用を反強磁
性結合させたものが見出されている。しかし、磁性層間
の反強磁性結合を利用した金属人工格子膜は反強磁性交
換結合定数が大きいため、飽和磁界が大きく、またヒス
テリシスも非常に大きいという問題を有している。

【０００５】また、強磁性層／非磁性層／強磁性層のサ
ンドイッチ膜において、非磁性層の膜厚を厚くすると共
に、一方の強磁性層に接して反強磁性層などを設け、交
換異方性により強磁性層の磁化を固着し、他方の強磁性
層の磁化のみを外部磁界で容易にスイッチさせるように
したスピンバルブ膜が開発されている。しかし、スピン
バルブ膜は抵抗が小さく出力電圧が小さいために、大き
な出力電圧を得るためにはセンス電流を大きくする必要
がある。このため、スピンバルブ膜を使用した磁気ヘッ
ドなどでは、ＥＳＤピン反転などの問題が存在する。Ｍ
Ｒ素子を用いたメモリなどを考慮しても、非磁性金属を
中間層とした場合には大きな出力電圧が得られないとい
う同様の問題が存在する。

【０００６】また、上述したような多層膜（例えば金属
人工格子膜）に対して電流を膜面に垂直方向に流す、い
わゆる垂直磁気抵抗効果を利用すると、非常に大きな磁
気抵抗変化率が得られることが知られている(Phys. Re
v. Lett.66, 3060(1991))。しかし、この場合には電流
パスが小さく、また各層が金属であるために抵抗が小さ
いことから、サブミクロン以下に微細加工しないと室温
で磁気抵抗効果を測定できないという問題がある。

【０００７】さらに、上述した多層膜構造とは異なり、
非磁性金属マトリックス中に磁性超微粒子を分散させた
グラニュラー膜においても、スピンに依存した伝導に基
づく巨大磁気抵抗効果が見出されている（Phys. Rev. L
ett.68, 3745(1992)）。このようなグラニュラー膜にお
いては、磁界を加えない状態では磁性超微粒子の性質に
より、各磁性超微粒子のスピンが互いに不規則な方向を
向いているために電気抵抗が大きく、磁界を加えて各ス
ピンを磁界の方向に揃えると抵抗が低下し、その結果ス
ピンに依存した磁気抵抗効果が発現する。しかし、この
場合の磁性超微粒子は超常磁性を示すため、飽和磁界が
本質的に非常に大きいという問題を有している。

【０００８】一方、スピン依存散乱とはメカニズムを異
にする、強磁性トンネル効果に基く巨大磁気抵抗効果が
見出されている。これは 2つの強磁性金属層の間に誘電
体層を挿入したサンドイッチ膜において、膜面に垂直に
電流を流して誘電体層のトンネル電流を利用するもので
ある。例えば、保磁力の小さい強磁性金属層のスピンの
みを反転させると、 2つの強磁性金属層のスピンが互い
に平行なときと反平行なときでトンネル電流が大きく異
なるために巨大磁気抵抗効果が得られる。

【０００９】このような強磁性トンネル接合素子は、比
較的大きな磁気抵抗変化率が得られるものの、数μm 2
程度の微細素子に加工すると抵抗値が 1〜 10MΩと大き
くなり、応答速度や雑音などの点で問題がある。さら
に、トンネル効果を発現させるためには誘電体層の厚さ
を数nm以下と薄くする必要があり、そのような誘電体層
を均一にしかも安定して作製することは困難であるた
め、磁気抵抗変化率のバラツキが大きいという問題があ
る。また、所望の出力電圧値を得るために、強磁性トン
ネル接合素子に流す電流値を増やすと磁気抵抗変化率が
かなり減少するという問題がある（Phys. Rev. Lett.7
4, 3273(1995)）。

【００１０】また、誘電体中に分散させた 2〜 4nm程度
のＣｏ微粒子を介した強磁性トンネル接合が提案されて
いる(Phys. Rev. B56(10), R5747(1997)）。しかし、こ
のようなＣｏ微粒子は粒径が小さいために超常磁性を示
し、前述したグラニュラー膜と同様に、飽和磁界が本質
的に大きいという問題を有している。

【００１１】さらに、Ｆｅ／Ｇｅ／Ｆｅ／Ｇｅ／強磁性
体構造の 2重トンネル接合において、スピン偏極共鳴ト
ンネル効果により大きな磁気抵抗変化率が得られること
が理論上予想されている(Phys. Rev. B56, 5484(199
7))。しかし、これは8K程度の極低温での結果であり、
室温でこのような現象が起こることは予想されていない
と共に、 2重トンネル接合を実際に作製した例は報告さ
れていない。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のスピン依存散乱を利用した磁気抵抗効果素子におい
て、反強磁性結合を利用した金属人工格子膜は、飽和磁
界やヒステリシスが非常に大きいという問題を有してい
る。また、スピンバルプ膜では大きなセンス電流を流さ
ないと大きな出力電圧が得られず、ＥＳＤピン反転が発
生しやすいというような問題がある。さらに、グラニュ
ラー膜は磁性微粒子が超常磁性を示すため、飽和磁界が
本質的に大きいという問題を有している。

【００１３】一方、強磁性トンネル接合素子は、室温で
比較的大きな磁気抵抗変化率が得られ、また飽和磁界が
小さいというような特徴を有する反面、微細素子に加工
した際に抵抗が MΩと大きくなり、これにより応答速度
や雑音などの点で問題があると共に、所望の出力電圧値
を得るために素子に流す電流値を増やすと磁気抵抗変化
率が大幅に減少するという問題を有している。

【００１４】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、大きな磁気抵抗変化率および小さい飽
和磁界を有し、かつ素子抵抗値が比較的小さく、また素
子に流す電流（または電圧）値を増やしても磁気抵抗変
化率の減少が少なく、大きな出力電圧（または出力電
流）が得られ、さらにはバラツキが小さく安定した特性
が得られる磁気素子、およびそれを用いた磁気ヘッドや
磁気記憶素子などの磁気装置を提磁気部品、電子部品を
提供することを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、請求項１に記
載したように、誘電体と、誘電体と同体積以上の強磁性
体とを備える強磁性体―誘電体混合層と、強磁性体―誘
電体混合層と積層された第一及び第二のトンネル誘電体
層と、強磁性体−誘電体混合層と前記第一のトンネル誘
電体層を介して近接配置された第１の強磁性層と、強磁
性体―誘電体混合層と第二のトンネル誘電体層を介して
近接配置された第２の強磁性層とを備えることを特徴と
する磁気素子を提供する。

【００１６】本発明の磁気素子は、強磁性体−誘電体混
合層と強磁性層との間に誘電体トンネル障壁を介してト
ンネル電流を流すと共に、これらのうち保磁力の小さい
層のスピンをスイッチさせることにより、磁気抵抗効果
を発現させるものである。従って、強磁性体―誘電体混
合層の強磁性体はスピン（磁化）の固着あるいは自由回
転を持つために、所定の保磁力を備えるものである。

【００１７】本発明の磁気素子において、強磁性体−誘
電体混合層中の誘電体は請求項２に記載したように、強
磁性体からなるマトリックス中に分散配置されているこ
とが好ましい。

【００１８】また、本発明の磁気素子において、強磁性
体−誘電体混合層と誘電体層との積層膜は、複数層の強
磁性体−誘電体混合層を有していてもよく、この場合は
多重接合を構成し積層膜構造は誘電体層／（強磁性体−
誘電体混合層／誘電体層）N(N≧1:積層数)となる。

【００１９】本発明の磁気素子の具体的な構造として
は、誘電体層／（強磁性体−誘電体混合層／誘電体層）
N 構造の積層膜と強磁性層とを積層配置した構造、ある
いは請求項４に記載したような、第一及び第二の誘電体
トンネル障壁層が同一層からなり、その単一膜面に沿っ
て第１及び第２の強磁性層を配置した構造（プラーナ型
構造）などが挙げられる。

【００２０】本発明の磁気素子は、磁気抵抗効果ヘッ
ド、磁界センサ、磁気ヘッドアッセンブリ、及び磁気デ
ィスク装置等の磁気記録システムに用いることができ、
その高性能化、及び高信頼性化等に大きく寄与するもの
である。

【００２１】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）まず、第一
の実施形態により、本発明の磁気素子が低磁界で大きな
磁気抵抗変化率を発現する原理について説明する。

【００２２】図１は本発明の磁気素子の基本構造を示す
図であり、電圧供給手段、及び電圧計が接続された強磁
性トンネル接合の断面図を示す。強磁性トンネル接合
は、強磁性層１と、誘電体トンネル障壁層２／（強磁性
体−誘電体混合層３／誘電体トンネル障壁層４）1 の積
層膜５と、電極層８をからなる２重の強磁性トンネル接
合を備える。図中の矢印はスピン方向を示している。電
源９は上記２重トンネル接合に電圧を付与するものであ
り、電圧計１０はその結果、強磁性層１と電極層８との
間の電位差を測定する手段である。

【００２３】本実施形態の磁気素子の強磁性体−誘電体
混合層３は、例えば図２（ａ）乃至（ｃ）に示すよう
に、強磁性体６を誘電体７と体積において同等以上含む
ものであり、超常磁性を示さず有限の保磁力を持つ強磁
性体である。理想的には、強磁性体６のスピンは一方向
に揃って向いていることが望ましい。

【００２４】このような構造において、強磁性層１と、
誘電体層２／（強磁性体−誘電体混合層３／誘電体層
４）1 の積層膜５を介して隣接する電極層８との間に電
源９を用いて電圧を印加すると、強磁性層１の伝導電子
は誘電体トンネル障壁２を介して強磁性体−誘電体混合
層３へ伝導し、トンネル電流が流れる。本発明の強磁性
体−誘電体混合層３は 2つの薄い誘電体トンネル障壁層
２、４によって挟まれており各誘電体トンネル層２、４
を介して強磁性体電極層１と強磁性体−誘電体混合層３
との間および強磁性体−誘電体混合層３と電極層５との
間にそれぞれトンネル電流が流れるように構成されてい
る。

【００２５】各トンネル障壁層を介した電子のトンネル
伝導においてスピンの方向は一般に保存される。このよ
うに伝導する電子のスピンが保存される状態で外部から
磁界を印加することを次に説明する。

【００２６】初期状態では、図１（ａ）に示すように、
強磁性層１と強磁性体６のスピンが同じ方向を向いてい
るものとする。このとき、強磁性層１および強磁性体６
のスピンは保存されたままトンネル伝導するので、図３
（ａ）に示すように、状態密度の大きいスピンバンドの
電子（図３（ａ）では↓で示したスピン電子）が大きく
伝導に寄与し、電子はトンネル伝導しやすい。すなわち
抵抗は小さい。

【００２７】次に、図１（ｂ）に示すように、強磁性層
１と強磁性体３のうち保磁力が相対的に小さい方のスピ
ン（図１では強磁性層１のスピンとした。）のみが反転
する程度の小さな外部磁界を印加する。このとき、図３
（ｂ）に示すように、各磁性層１、５のいずれのスピン
バンドも状態密度が小さいスピンバンドを経るので、電
子は図３（ａ）に比べてトンネル伝導しにくくなる。す
なわち抵抗は大きくなる。

【００２８】このように、外部磁界により保磁力の小さ
い磁性層のスピンのみ反転させることによって、巨大な
磁気抵抗変化率を得ることができる。また、以上の機構
は強磁性体６の保磁力を強磁性層１のそれよりも小さい
ものとし、強磁性体６の磁化をスピン反転しても同様で
ある。保磁力の小さい軟磁性体を材料として選択すれば
飽和磁界は小さくなるため、高感度化することが可能で
ある。

【００２９】以上説明したような、強磁性体６を誘電体
７と体積にして同等以上含む強磁性体−誘電体混合層３
は、超常磁性ではなく、強磁性体であるため、従来のグ
ラニュラーＧＭＲ材料やグラニュラーＴＭＲ材料のよう
に飽和磁界が大きいという問題はない。

【００３０】また、本発明の誘電体を２層以上含む多重
トンネル接合は、通常のトンネル接合に比較して電気抵
抗が１桁から２桁小さく、またバラツキが小さく安定し
た特性が得られる。また、誘電体トンネル障壁層２，４
が少なくとも 2層以上存在するため、接合に実効的に付
与される電圧が小さく、磁気抵抗変化率の電圧依存性に
よる減少も小さく、所望の出力電圧値を得るために磁気
素子に流す電流値を増やしても磁気抵抗変化率の低下が
少ない。

【００３１】そして、強磁性体−誘電体混合層３は、誘
電体７と同等以上の体積を有する強磁性体６を含むた
め、強磁性体のスピンが揃いやすくなり、これにより大
きな磁気抵抗効果を得ることができる。ここで、強磁性
体６と誘電体７との比率（体積比）は、具体的には１：
１より強磁性体が多くなるように設定することが好まし
い。このような場合において、上記したように強磁性体
６のスピンが揃いやすくなり、より大きな磁気抵抗効果
を得ることかできる。強磁性体−誘電体混合層３は、特
に強磁性体６からなるマトリックス中に誘電体７が分散
したような状態（例えば図２（ａ）や（ｂ）の平面概念
図に示したような状態）であることが好ましく、このよ
うな場合には強磁性体のスピンが特に揃いやすくなると
共に、強磁性体６の結晶性が向上するため、より大きな
磁気抵抗効果を得ることが可能となる。

【００３２】本発明の磁気素子は、磁気抵抗効果型磁気
ヘッド、磁界センサ、磁気記録素子などに適用すること
ができる。この場合、特に本発明の磁気素子を構成する
磁性層には一軸異方性が付与されていることが好まし
い。また、これら磁性層のうちの 1層を磁化固着層（ピ
ン層）として設計する場合には、強磁性層１または強磁
性体−誘電体混合層３に接して反強磁性層を付与し、バ
イアス磁界を印加するようにしてもよい。

【００３３】（第２の実施の形態）図４は本発明の第２
の実施形態に関る抵抗変化を電流計１１にて測定する磁
気素子に関る。図４に示す磁気素子は、強磁性体電極層
１／誘電体トンネル障壁層１／強磁性体−誘電体混合層
３／誘電体トンネル障壁層４／電極層５からなる積層膜
１６を有している。第２の電極層５は強磁性体金属およ
び非磁性体金属のいずれでもよい。

【００３４】このように、強磁性体電極層１と強磁性体
−誘電体混合層３のうち、一方の磁性層のスピンを反転
させることによって、巨大磁気抵抗効果が得られる。外
部磁界などによりスピン反転させる磁性層は、強磁性体
電極層１と強磁性体−誘電体混合層３のうち保磁力が小
さい方の磁性層であればよく、特に上記したように強磁
性体電極層１に限定されるものではない。

【００３５】尚、図４には便宜的に、抵抗の変化を測定
する手段として電流計及び電圧計を共に示したが、用途
に応じて適宜いずれかの測定手段を選択して設ければす
ればよい。図４以降の図面においても同様である。

【００３６】本発明の磁気素子において、強磁性体−誘
電体混合層３は１層に限られるものではなく、例えば図
５に示すように、複数の強磁性体−誘電体混合層３ａ、
３ｂ、３ｃと誘電体層２、４ａ、４ｂ、４ｃとを交互に
積層配置して、３重以上の多重強磁性トンネル接合を有
する構成とすることもできる。すなわち、本発明の磁気
素子では、強磁性体電極層１／誘電体層２／ （強磁性
体−誘電体混合層３／誘電体層４）N ／電極層５構造の
積層膜(積層数：Ｎ≧１）を採用してＮ＋１重トンネル
接合とすることができる。

【００３７】（第３の実施の形態）図６は、本発明の第
３の実施の形態に関る、膜面に沿って電流を流すプラー
ナ型の素子であり、強磁性体−誘電体混合層１３と積層
された誘電体トンネル層１４の上表面上に、強磁性体電
極層１１、１５が分離された状態で配置されている。こ
こで、強磁性体電極１１と強磁性体―誘電体混合層１３
との間には第一の誘電体トンネル障壁が、強磁性体電極
１５と強磁性体―誘電体混合層１３との間には第二の誘
電体トンネル障壁が存在することとなり、誘電体トンネ
ル層１４によって二つのトンネル障壁を得ている。電極
１、１５が同一膜面上に形成されることからここではプ
ラーナ型素子と称する。尚、この素子において、トンネ
ル電流は各トンネル障壁を介して夫々誘電体トンネル層
１４の主面と垂直方向に流れ、強磁性体―誘電体混合層
１３中の電流の流れは、膜面と平行方向に流れる。

【００３８】プラーナ型磁気素子は微細加工技術を用い
て容易に作製することができるため、安定した特性が得
られると共に、素子の高密度化を容易に達成することが
可能である。図６において１７は基板であり、この基板
１７が誘電体からなる場合には、下側の誘電体層を省略
することができ、図６に示すように基板１７主面上に強
磁性体―誘電体混合層１３が形成されている。このよう
な場合には、第一及び第２の実施形態の素子において用
いられた誘電体層２は必ずしも必要でなく、（強磁性体
−誘電体混合層１３／誘電体トンネル層１４）N の積層
膜（積層数Ｎ≧１）が用いられる。

【００３９】また、このようなプラーナ型の素子構造に
おいては、図７に示すように誘電体層１２／強磁性体−
誘電体混合層１３／誘電体層１４の積層膜の下側に、低
抵抗の下地層１８を設けてもよい。下地層１８は強磁性
金属であっても、また非磁性金属であってもよい。 （第４の実施の形態）プラーナ型磁気素子の応用例とし
ては、図８にその断面図を示すように、エッジ接合型素
子構造を適用することもできる。図８に示すエッジ接合
型磁気素子において、基板１７上には強磁性体電極層１
１と絶縁層１９が順に積層されており、これらの積層膜
の端面は基板面に対して所定の角度θで傾斜された傾斜
端面である。誘電体層１２／（強磁性体−誘電体混合層
１３／誘電体層１４）の積層膜と上側の電極層１５は、
下側の強磁性体電極層１１と絶縁層１９との積層膜の傾
斜端面を覆うように順に積層形成されている。

【００４０】上記したエッジ接合型磁気素子では、傾斜
部において基板面と平行な方向に接続された強磁性体電
極層１１と強磁性体−誘電体混合層１３との接合部がト
ンネル障壁層１２を介して強磁性トンネル接合を構成し
ている。なお、上下 2層の電極層１１、１５のうち、一
方の電極層には強磁性体に代えて非磁性金属を用いても
よい。このようなエッジ接合型磁気素子においても、第
３の実施形態において説明したプラーナ型磁気素子と同
様な効果が得られる。

【００４１】また、プラーナ型磁気素子やエッジ接合型
磁気素子においても、バイアス磁界印加膜（反強磁性層
など）を必要に応じて付与することができる。そして、
強磁性体電極層１１と強磁性体−誘電体混合層１３との
間にトンネル電流を流し、保磁力の小さい磁性層、例え
ば強磁性体電極層１１のスピンの方向を外部磁界などで
変化させることによって、大きな磁気抵抗変化率を発現
させることができる。

【００４２】以上、第１乃至第４の実施形態により本発
明の磁気素子の基本構造と変形例を説明したが、次に本
発明の磁気素子に用いられる好ましい層材料と層構成に
ついて、次に説明する。

【００４３】強磁性体電極層１、１１や強磁性体−誘電
体混合層３、３ｎ、１３中の強磁性体６には、種々の強
磁性材料を使用することができる。例えば、強磁性体電
極層１、１１もしくは強磁性体−誘電体混合層３、３
ｎ、１３を磁化固着層（ピン層）とする場合には、磁気
異方性の大きいＣｏ、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｐｔ合
金、遷移金属−希土類合金などを用いることが好まし
い。

【００４４】また、磁化自由層（フリー層）として用い
る場合には、特に強磁性材料に制限はなく、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉおよびそれらを含む合金、スピン分極率の大き
いマグネタイト、ＣｒＯ2 、ＲＸＭｎＯ3-y （Ｒは希土
類金属、ＸはＣａ、ＢａおよびＳｒから選ばれる少なく
とも 1種の元素、 yは 0に近い値）などの酸化物系磁性
材料、ＮｉＭｎＳｂ、ＰｔＭｎＳｂなどのホイスラー合
金などを使用することができる。磁性層に酸化物やホイ
スラー合金などのハーフメタルを用いると、さらにバイ
アス電圧に伴う磁気抵抗変化率の低減を抑制することが
できる。磁性層をソフト層とするために、ハード膜に接
してソフト層を付与した 2層以上の積層磁性膜を用いる
こともできる。また、ソフト磁性層自体に反強磁性結合
した 2層以上の多層膜を使用することも可能である。こ
のような反平行に結合させた積層膜によれば、強磁性膜
から磁束が外部にもれることを防ぐことができ、例えば
記録層をより安定化することができる。

【００４５】なお、上記したような磁性材料は、Ａｇ、
Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｂ、Ｃ、
Ｏ、Ｎ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎ
ｂなどの非磁性元素を多少含んでいても、強磁性を失わ
ない限り特に問題はない。

【００４６】磁性層をハード層として膜設計する場合に
おいても、磁性層の磁化を一方向に固着する方法、つま
りＦｅＭｎ、ＰｔＭｎ、ＰｔＣｒＭｎ、ＮｉＭｎ、Ｉｒ
Ｍｎ、ＮｉＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 などの反強磁性膜を付与した
場合には、基本的に磁性体に制限はなく、上記したよう
な各種の磁性材料を使用することができる。さらに、磁
性層の磁化を一方向に固着する際に、Ｃｏ／Ｒｕ／Ｃ
ｏ、Ｃｏ／Ｉｒ／Ｃｏなどの積層膜を介して反強磁性膜
を設けてもよい。

【００４７】また、電極層１５には強磁性金属もしくは
非磁性金属が用いられる。電極層１５を強磁性金属で構
成する場合、強磁性体電極層１１と必ずしも同じ材料で
構成する必要はない。これら強磁性体電極層１１、１５
は単層構造に限らず、非磁性層を介して配置した２以上
の強磁性層を有し、これら強磁性層の磁化を互いに反平
行となるように結合させた積層膜で構成することもでき
る。このような反平行に結合させた積層膜によれば、強
磁性体電極層１１，１５から磁束が外部に漏れることを
防ぐことができる。

【００４８】強磁性体電極層１、１１や強磁性体−誘電
体混合層３、３ｎ、１３（強磁性体で構成した場合の電
極層１６を含む）は、それぞれ膜面内に一軸磁気異方性
を有することが望ましい。これによって、急峻な磁化反
転を起こすことができると共に、磁化状態を安定して保
持することができる。

【００４９】強磁性体−誘電体混合層３、３ｎ、１３中
の誘電体７や誘電体層２、４、４ｎ、１２、１４には、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ、ＡｌＮ、Ｂｉ2 Ｏ3 、
ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 などの種々の誘電体材料を使用する
ことができる。強磁性体−誘電体混合層１３は、このよ
うな誘電体７で強磁性体６を分断することにより得られ
る。なお、上記した酸化物、窒化物、フッ化物などで
は、それぞれの元素の欠損が一般的に存在するが、その
ような誘電体であっても何等問題はない。

【００５０】強磁性体−誘電体混合層３、３ｎ、１３の
膜厚は、超常磁性にならない程度の厚さが必要であり、
例えば０．４ｎｍ以上とすることが好ましい。また、作
製上は５０ｎｍ以下とすることが好ましい。特に、強磁
性体−誘電体混合層１３の膜厚が３．５ｎｍ以下のと
き、強磁性体−誘電体混合層１３中の薄い強磁性体６
（強磁性マトリックス）中に量子準位が形成される。強
磁性体電極層１１のスピンがマグノン励起により揺らい
だスピンは、この量子準位を介してトンネルしにくいた
め、ＭＲ変化率のマグノン励起による低下をさらに抑え
ることができる。また、強磁性体マトリックス６中に誘
電体７を分散させた面内構造を得る上で、強磁性体−誘
電体混合層１３の膜厚は１．９ｎｍ以上とすることが好
ましい。

【００５１】また、電極層１、５、１１、１５の厚さは
例えば０．１〜１００ｎｍ程度とすることが好ましい。
誘電体層２、４、４ｎ、１２、１４の厚さは薄い方が好
ましいが、特に制限はなく、作製上１０ｎｍ以下とする
ことが好ましい。より好ましくは３ｎｍ以下である。基
板は特に限定されるものではなく、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、スピネル、ＭｇＯ、ＡｌＮなどの各種基板上
に本発明の積層膜を作製することができる。

【００５２】このような各層からなる磁気素子は典型的
には薄膜状であり、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、
各種スパッタ法、蒸着法などの通常の薄膜形成方法を適
用して作製することができる。誘電体７と同等以上の強
磁性体６を含む強磁性体−誘電体混合層３、３ｎ、１
３、特に強磁性体マトリックス６中に誘電体７を分散さ
せた強磁性体−誘電体混合層３、３ｎ、１３は、強磁性
体６と誘電体７を交互積層させることにより容易に作製
することができる。

【００５３】誘電体トンネル障壁層は、Ａｌ等の金属
層、Ｍｇなどの希土類元素層、Ｓｉ等の半導体層やこれ
らの元素を含む合金層等を成膜した後、酸素ガスまたは
酸素とＡｒなどの希ガスの混合ガスを導入して酸化する
方法や、Ａｌ等の金属層、Ｍｇなどの希土類元素層、Ｓ
ｉ等の半導体層やこれらの元素を含む合金層等を成膜し
た後、酸素ガスまたは酸素とＡｒなどの希ガスの混合ガ
スを導入してプラズマ酸化する方法や、誘電体ターゲッ
トを用いてダイレクトスパッタする方法や、このダイレ
クトスパッタを行った後に高純度酸素を用いて酸化す
る、あるいはプラズマ酸化する等の様々な方法を用いる
ことができる。

【００５４】以上、第一乃至第四の実施形態を通して説
明した磁気素子は、続いて説明する磁気抵抗効果ヘッド
やこれを搭載した磁気ヘッドアッセンブリ、磁気記録シ
ステム、さらには、磁気記憶素子や集積化磁気記憶装置
に用いることができる。

【００５５】（第５の実施の形態）次に、本発明の磁気
素子を磁気ヘッドに適用する場合の素子構造について説
明する。図９乃至図１１は本発明の磁気素子を磁気抵抗
効果ヘッドとして使用する場合の膜構造を示す断面図で
ある。これらの図において、２１は強磁性体−誘電体混
合層（誘電体と強磁性体―誘電体混合層の多層積層膜で
置き換えてもよい）、２２は強磁性体電極層、２３は例
えば強磁性体からなる電極層、２４は誘電体トンネル障
壁層である。なお、図１１において、２５は強磁性体−
誘電体混合層と誘電体トンネル障壁層との多層積層膜で
ある。このような膜構造において、強磁性体−誘電体混
合層２１または（強磁性体−誘電体混合層／誘電体トン
ネル障壁層）からなる積層膜２５と、強磁性体電極層２
２、２３との間に実効的に電圧が印加されると、誘電体
トンネル障壁層に挟まれた強磁性体の伝導電子はトンネ
ル効果によって伝導する。

【００５６】図９乃至図１１に示すように、本発明の磁
気素子を磁気ヘッドとして使用する場合には、強磁性体
電極層２２、２３や強磁性体−誘電体混合層２１、２５
に接して、ＦｅＭｎ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ、ＰｔＣｒＭ
ｎ、ＮｉＭｎ、ＮｉＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 などの反強磁性材料
を含む反強磁性膜２６を配置し、この反強磁性膜２６か
らバイアス磁界を印加することによって、磁性層のスピ
ンを一方向に固着することが好ましい。

【００５７】また、図９乃至図１１に示す膜構造におい
て、各層の磁気特性 （ソフト磁性およびハード磁性）
を組合せることで良好な磁気ヘッドを構成することがで
きる。例えば、図９において強磁性体−誘電体混合層２
１はソフト磁性層、強磁性体電極層２２、２３はハード
磁性層である。図１０において、強磁性体電極層２２は
ソフト磁性層、強磁性体−誘電体混合層２１と強磁性体
電極層２３はハード磁性層である。図１０において、強
磁性体電極層２２はソフト磁性層、強磁性体−誘電体混
合層と誘電体との多層積層膜２５はハード磁性層であ
る。

【００５８】上述の組合せにおいて、磁場中成膜、磁場
中熱処理により隣り合う磁性層のスピンを略直交させる
ことによって、ＨＤＤの記録媒体からの漏れ磁束に対し
て良好な線形応答性が得られる。このような構造はいか
なる磁気ヘッド構造においても使用することができる。

【００５９】図１２は、以上説明したような磁気抵抗効
果ヘッドを搭載した磁気ヘッドアッセンブリの斜視図を
示す。

【００６０】アクチュエータアームは、磁気ディスク装
置内の固定軸に固定されるための穴を有し、アクチュエ
ータアームの一端にはサスペンションが接続されてい
る。

【００６１】サスペンションの先端には上述の各形態に
ある磁気抵抗効果ヘッドを搭載したヘッドスライダが取
り付けられている。また、サスペンションは信号の書き
込み及び読み取り用のリード線が配線され、このリード
線の一端とヘッドスライダに組み込まれた磁気抵抗効果
ヘッドの各電極とが電気的に接続され、リード線の他端
は電極パッドに接続されている。

【００６２】図１３は、本発明の磁気記録システムの一
種である、図１２に示す磁気ヘッドアッセンブリを搭載
した磁気ディスク装置の内部構造を示す斜視図である。

【００６３】磁気ディスクはスピンドルに装着され、図
示せぬ駆動装置制御部からの制御信号に応答する図示せ
ぬモータにより回転する。磁気ディスクが浮上した状態
で情報の記録再生を行うヘッドスライダは薄膜状のサス
ペンションの先端に取り付けられている。ここで、ヘッ
ドスライダは上記磁気抵抗効果再生ヘッドを具備してい
る。

【００６４】磁気ディスクが回転すると、ヘッドスライ
ダの媒体対向面は磁気ディスクの表面から所定量浮上し
た状態で保持される。

【００６５】サスペンションは図示せぬ駆動コイルを保
持するボビン部等を有するアクチュエータアームの一端
に接続されている。アクチュエータアームの他端にはリ
ニアモータの１種であるボイスコイルモータが設けられ
ている。ボイスコイルモータはアクチュエータアームの
ボビン部に巻き上げられた図示せぬ駆動コイルとこのコ
イルを挟み込むように対向して配置された永久磁石及び
対向ヨークからなる磁気回路とから構成される。

【００６６】アクチュエータアームは固定軸の上下２ヶ
所に設けられた図示せぬボールベアリングによって保持
され、ボイスコイルモータにより回転摺動が自在にでき
るようになっている。 （第６の実施の形態）次に、本発明の磁気素子を磁気記
憶素子に適用する場合の素子構造について説明する。図
１４〜図１７は本発明の磁気素子を磁気記憶素子として
使用する場合の膜構造例を示す断面図である。

【００６７】図１４及び図１５は破壊読出しを想定した
場合の磁気記憶素子の素子構造である。この場合には、
強磁性体電極層２２、２３や強磁性体−誘電体混合層２
１、２５に接して、ＦｅＭｎ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ、Ｐ
ｔＣｒＭｎ、ＮｉＭｎ、ＮｉＯなどの反強磁性膜２６を
配置し、この反強磁性膜２６からバイアス磁界を印加す
ることによって、磁性層のスピンを一方向に固着するこ
とが好ましい。図１４において、強磁性体電極層２２は
ソフト磁性層、強磁性体−誘電体混合層２１と強磁性体
電極層２３はハード磁性層である。図１５において、強
磁性体電極層２２はソフト磁性層、強磁性体−誘電体混
合層と誘電体との多層積層膜２５はハード磁性層であ
る。

【００６８】また、図１６および図１７は非破壊読出し
を想定した場合の磁気記憶素子の素子構造であり、ソフ
ト磁性層とハード磁性層とを適当に組合せることによっ
て、読み出し層および書き込み層を設け、電流磁界でソ
フト磁性層の磁化を反転させることにより、書き込み層
の情報を非破壊で読み出すことができる。図１６におい
て、強磁性体電極層２２はソフト磁性層、強磁性体−誘
電体混合層２１と強磁性体電極層２３はハード磁性層で
ある。図１７において、強磁性体電極層２２はソフト磁
性層、強磁性体−誘電体混合層２１はハード磁性層であ
る。下側の電極層は非磁性金属層２７である。

【００６９】図１８及び図１９は夫々、非破壊読み出し
に用いる磁気記憶素子の他の例を示す断面図である。

【００７０】強磁性体電極２２、２３、強磁性体―誘電
体混合層２１中の強磁性体の磁化を一方向に固着する手
段としてＦｅＭｎ、ＰｔＭｎ、ＰｔＣｒＭｎ、ＮｉＭ
ｎ、ＩｒＭｎなどの反強磁性体材料を含む反強磁性体膜
２６を積層形成することにより、強磁性体電極２２、２
３や強磁性体―誘電体混合層２１は複数回の印加磁界を
受けても磁化反転を阻止でき、安定した信号強度を得る
ことができる。図１８に示す構造では、強磁性体―誘電
体混合層２１が保磁力を有する記憶層である。図１９に
示す構造では、強磁性体層２２が保磁力を有する記録層
である。各保磁力は電流磁界の消費エネルギーを小さく
するために、１００Ｏｅ以下であることが好ましい。

【００７１】図１８及び図１９に示すいずれの構造にお
いても、電圧計１０を用いてその絶対値を測定すること
により、隣り合った磁性層のスピン方向が平行か反平行
か判断できる。尚、図１８、図１９では、電圧計１０を
用いた抵抗変化を測定する手段を示したが、電流計を用
いて抵抗変化を測定することも可能である。

【００７２】以上、図１４乃至図１９の断面図を用いて
磁気記憶素子の膜構造を説明した。これらの磁気記憶素
子（セル）を単一基板上にアレイ状に複数個配置するこ
とで集積化された磁気記憶装置が得られる。この際、複
数個の磁気記憶素子は一方向（ワード線方向）に互いに
隣接する素子（セル）どうしでワード線を共有し、また
ワード線方向と同一方向あるいは直交する方向に互いに
隣接する素子（セル）どうしでビット線を共有すること
により集積化され、また低消費電力の磁気記憶装置を提
供することが可能となる。

【００７３】図２０は図１８に示す断面構造を備えるセ
ルを用いて、各セルとビット線及びワード線との配置を
説明するための一例の断面図である。

【００７４】反強磁性膜２６と強磁性層２２の一部２２
ｂをビット線３４と兼ねることで、微細加工する積層部
を強磁性層２２ａ、誘電体トンネル障壁層２４、強磁性
体―誘電体混合層２１のみの薄い膜とすることが可能と
なり、加工精度の向上、エッチング等による加工ダメー
ジの低減が可能となる。さらに、ピン層である反強磁性
膜２６と積層された強磁性体層２３と、強磁性体―誘電
体混合層２１の面積を異なるものとしたことで加工精
度、加工ダメージを低減することができる。尚、図２０
では、反強磁性層２６と積層した強磁性体層２３は、金
属下地層３０、コンタクトメタルを介して、図示を省略
した、Ｓｉ基板の主表面に形成された半導体技術による
ＣＭＯＳ電界効果トランジスタと接続されている。ま
た、フリー層である強磁性体―誘電体混合層２１の磁化
反転はビット線（読み出し線）３４とワード線３５との
合成磁界により行うものである。従って、ビット線３４
とワード線３５とは直交する方向に配置され、ワード線
３５は図２０の紙面垂直方向に延びている。既に述べた
ように、ビット線３４は、紙面横方向にアレイ状に配置
された他のセルと共有され、一方のワード線３５は、紙
面垂直方向にアレイ状に配置された他のセルと共有され
る。各セルの選択は、選択すべきセルにて互いに交叉す
るワード線３５とビット線３４に電流を流して行う。

【００７５】図２１は、図２０に示したセルをアレイ状
に配置した回路の回路図である。磁気素子３１をトラン
ジスタ３２、書き込みライン３５、読み出しライン３４
などと共にアレイ状に複数個（本）微細加工することに
よって、集積化された磁気記録装置を作製することがで
きる。

【００７６】以上は図２０、図２１を用いてＣＭＯＳ電
界効果トランジスタと接続された磁気素子について説明
したが、次に、図２２の斜視図を用いてダイオードと接
続された磁気記素子（セル）について説明する。

【００７７】ワード線とビット線とが交叉した領域にＳ
ｉ−ダイオードと接続されたセルが配置されている。Ｃ
ＭＯＳ電界効果トランジスタにかえてＳｉ-ダイオード
を適用した以外のセルへ電流磁界の与える方法、アレイ
状の配置等については、図２０において説明した形態と
同様とすることが可能であり、その詳細な説明は省略す
る。

【００７８】このようなダイオードを用いた磁気記憶素
子の回路図は、図２３（ａ）に示すようなものとなる。
図２３において、Ｉｓはセンス電流、Ｉｂはビット線電
流、Ｉｗはワード線電流を示す。また、図２３（ｂ）に
は、この磁気記憶素子の斜視図を示す。各素子間、及び
各信号線間には、互いを電気的に絶縁する層間絶縁膜が
配置される。

【００７９】

【実施例】次に、本発明の具体的な実施例およびその評
価結果について述べる。

【００８０】実施例１ スパッタ装置およびメタルマスクを用いて、Ｓｉ／Ｓｉ
Ｏ2 基板またはＳｉＯ2 基板上に２重強磁性トンネル接
合を作製した例を示す。

【００８１】まず、幅0.1mmの下部強磁性電極４１とし
てＦｅ(11nm)／Ｃｏ80Ｐｔ20(2nm)を磁場中成膜した。
次いで、メタルマスクを交換して下部電極４１表面の酸
化膜をバイアスエッチングした後、Ａｌ2 Ｏ3 とＣｏ80
Ｐｔ20をターゲットとして、Ａｌ2 Ｏ3 (1.5nm) ／Ｃｏ
80Ｐｔ20−Ａｌ2 Ｏ3 混合層(1.7〜3.2nm)／Ａｌ2 Ｏ3
(2.5nm) の積層膜４２を成膜した。成膜は交互スパッタ
により実施した。

【００８２】その際、Ｃｏ80Ｐｔ20の成膜時には基板バ
イアス400Wを印加した。基板バイアスを印加すると、Ｃ
ｏ80Ｐｔ20の膜厚を 2nm以上に厚くしても平坦なＣｏ80
Ｐｔ20−Ａｌ2 Ｏ3 混合層が作製できると共に、図２
（ａ）〜（ｃ）に示したように強磁性マトリックス中に
Ａｌ2 Ｏ3 が分散したＣｏＰｔ−Ａｌ2 Ｏ3 混合層が得
られ、バイアスを印加しないときに比べてＭＲ変化率が
向上する。

【００８３】この後、メタルマスクを交換して、上部強
磁性電極４３としてＣｏ90Ｆｅ10(30nm)を成膜した。各
層の成膜はＡｒガス圧 2×10-3Torrのスパッタガス中で
スパッタすることにより実施した。

【００８４】このようにして、Ｆｅ／Ｃｏ80Ｐｔ20／
（Ａｌ2 Ｏ3 ／ＣｏＰｔ−Ａｌ2 Ｏ3混合層／Ａｌ2 Ｏ3
）／Ｃｏ9 Ｆｅ構造の 100μｍ2 角の 2重トンネル接
合を作製した。強磁性体−誘電体混合層であるＣｏＰｔ
−Ａｌ2 Ｏ3 混合層は、Ｃｏ80Ｐｔ20の設計膜厚 1.7〜
3.2nmに対して、それぞれ図２（ａ）〜（ｃ）に示した
構造を有していた。

【００８５】また、下部強磁性体電極を磁場中成膜して
一軸異方性を付与すると、その有効磁場（静磁場）によ
り上部のＣｏＰｔ−Ａｌ2 Ｏ3 混合層および上部強磁性
体電極（Ｃｏ9 Ｆｅ）にも一軸異方性が付与されること
が分かった。

【００８６】このような磁気素子のカー効果を測定した
結果、保磁力が大きいＣｏＰｔと保磁力が比較的小さい
Ｆｅ／Ｃｏ80Ｐｔ20、Ｃｏ9 Ｆｅのヒステリシス曲線の
足し合わせである保磁力差が存在する 2段のヒステリシ
ス曲線が観測された。各試料の磁気抵抗効果曲線を図２
４〜図２６に、また素子電圧の印加電流依存性の測定結
果を図２７に示す。なお、図２４はＣｏＰｔ−Ａｌ2 Ｏ
3 混合層が図２（ａ）に示した面内構造を有する場合、
図２５はＣｏＰｔ−Ａｌ2 Ｏ3 混合層が図２（ｂ）に示
した面内構造を有する場合、図２６はＣｏＰｔ−Ａｌ2
Ｏ3 混合層が図２（ｃ）に示した面内構造を有する場合
である。

【００８７】素子抵抗は、通常のＡｌをプラズマ酸化し
て作製した 1重トンネル接合に比べて 1桁〜 2桁小さ
く、大きなＭＲ変化率が得られた。電圧依存性に伴う磁
気抵抗変化率の減少の度合いも通常の 1重トンネル接合
に比べて 1/2程度小さく、所望の電圧変化を得るために
電流を流しても磁気抵抗の減少が小さく、磁気抵抗効果
型ヘッド、磁界センサ、磁気記憶素子として用いた場合
に有効であることが分かった。

【００８８】また、図２４〜図２６に示した磁気抵抗効
果曲線を見ると、ＦｅおよびＣｏ9Ｆｅは数10Ｏe とい
う小さな磁場で急峻に磁気抵抗が変化し、磁気抵抗効果
型ヘッド、磁界センサ、磁気記憶素子として良好な特性
を示した。

【００８９】なお、誘電体としてＳｉＯ2 、ＡｌＮ、Ｍ
ｇＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 を用いた場合に
おいても、同様の傾向を示した。

【００９０】実施例２ スパッタ装置とメタルマスクを用いて、熱酸化Ｓｉ基板
上に下部電極としてＮｉ80Ｆｅ10(10nm)／Ｃｏ8 Ｐｔ2
(10nm)を成膜した後、Ｃｏ80Ｐｔ20とＳｉＯ2をターゲ
ットとして、ＳｉＯ2 ／ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 混合層／Ｓ
ｉＯ2 積層膜の成膜を行った。成膜条件は実施例１と同
様とした。この上に、上部電極としてＣｏ90Ｆｅ10／Ｎ
ｉ80Ｆｅ20を成膜した。

【００９１】このようにして、Ｎｉ80Ｆｅ20／Ｃｏ80Ｐ
ｔ20／（ＳｉＯ2 ／Ｃｏ80Ｐｔ20−ＳｉＯ2 混合層／Ｓ
ｉＯ2 ）／Ｃｏ90Ｆｅ10／Ｎｉ80Ｆｅ20構造の 100μｍ
2 角の 2重トンネル接合を作製した。強磁性体−誘電体
混合層は、図２（ｂ）に示した面内構造を有していた。

【００９２】得られた磁気素子のカー効果を測定した結
果、保磁力が大きいＣｏ80Ｐｔ20−ＳｉＯ2 混合層と、
保磁力が比較的小さいＮｉ80Ｆｅ20／Ｃｏ80Ｐｔ20、Ｃ
ｏ90Ｆｅ10／Ｎｉ80Ｆｅ20のヒステリシス曲線の足し合
わせである保磁力差が存在する 2段のヒステリシス曲線
が観測された。この試料の磁気抵抗効果曲線を図２８
に、規格化された磁気抵抗変化率の印加電流依存性の測
定結果を図２９に示す。

【００９３】素子抵抗は、通常の 1重トンネル接合に比
べて 1桁〜 2桁小さく、大きなＭＲ変化率が得られた。
電圧依存性に伴う磁気抵抗変化率の減少の度合いも通常
の 1重トンネル接合に比べて 1/2程度小さく、所望の電
圧変化を得るために電流を流しても磁気抵抗の減少が小
さく、磁気抵抗効果型ヘッド、磁界センサ、磁気記憶素
子として用いた場合に有効であることが分かった。

【００９４】また、図２８に示した磁気抵抗効果曲線を
見ると、Ｎｉ80Ｆｅ20／Ｃｏ80Ｐｔ20およびＣｏ90Ｆｅ
10／Ｎｉ80Ｆｅ20は約 7Ｏe という小さな磁場で急峻に
磁気抵抗が変化し、磁気抵抗効果型ヘッド、磁界セン
サ、磁気記憶素子として良好な特性を示した。

【００９５】なお、誘電体としてＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、
ＭｇＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 を用いた場合
においても、同様の傾向を示した。

【００９６】実施例３ スパッタ装置とメタルマスク、さらにリフトオフによる
微細パターンを用いて、熱酸化Ｓｉ基板上に図６に示し
た素子構造を作製した例を示す。

【００９７】まず、熱酸化Ｓｉ基板上にＦｅ30Ｃｏ50Ｐ
ｔ20とＡｌ2 Ｏ3 をターゲットとして、Ｆｅ30Ｃｏ50Ｐ
ｔ20とＡｌ2 Ｏ3 の交互スパッタを行った。その際、基
板にメタルマスクをかぶせ、Ｆｅ30Ｃｏ50Ｐｔ20の成膜
時にはバイアス400Wをかけながら成膜を行い、 100μｍ
2 角のＳｉＯ2 ／Ｆｅ30Ｃｏ50Ｐｔ20−ＳｉＯ2 混合層
／ＳｉＯ2 構造の積層膜を作製した。強磁性体−誘電体
混合層は図２（ａ）に示した面内構造を有していた。そ
の他の成膜条件は実施例１と同様とした。

【００９８】その上に、上部強磁性体電極としてＣｏ／
Ｎｉ80Ｆｅ20／Ａｕを成膜し、Ｃｒマスク露光器を用い
てレジストをパタ−ニングした後、イオンエッチングに
より2μm のギャップ（電極１１と電極１５間の距離）
を作製した。このようにして、図６に示した素子構造の
接合を作製した。その後、試料を 200℃にて磁場中熱処
理を行い、一軸異方性を付与した。

【００９９】この試料の磁気抵抗効果曲線を図３０に、
素子電圧の印加電流依存性の測定結果を図３１に示す。
素子抵抗は通常の 1重トンネル接合に比べて 1桁程度小
さく、大きなＭＲ変化率が得られた。電圧依存性に伴う
磁気抵抗変化率の減少の度合いも通常の 1重トンネル接
合に比べて 1/2程度小さく、所望の電圧変化を得るため
に電流を流しても磁気抵抗の減少が小さく、磁気抵抗効
果型ヘッド、磁界センサ、磁気記憶素子として用いた場
合に有効であることが分かった。

【０１００】また、図３０に示した磁気抵抗効果曲線を
見ると、Ｃｏ／Ｎｉ80Ｆｅ20層は約6Ｏe という小さな
磁場で急峻に磁気抵抗が変化し、磁気抵抗効果型ヘッ
ド、磁界センサ、磁気記憶素子として良好な特性を示し
た。

【０１０１】なお、誘電体としてＳｉＯ2 、ＡｌＮ、Ｍ
ｇＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 を用いた場合に
おいても、同様の傾向を示した。

【０１０２】実施例４ スパッタ装置とメタルマスクを用いて、熱酸化Ｓｉ基板
上にＰｔ−Ｍｎ(20nm)／Ｃｏ90Ｆｅ10(10nm)をＡｒガス
圧2×10-3Torrで成膜した後、Ｃｏ90Ｆｅ10とＡｌ2 Ｏ3
、およびＮｉ81Ｆｅ19とＡｌ2 Ｏ3 をターゲットとし
て、Ｃｏ90Ｆｅ10とＡｌ2 Ｏ3 の交互スパッタ、および
Ｎｉ81Ｆｅ19とＡｌ2 Ｏ3 の交互スパッタを行った。そ
の他の条件は実施例１と同様とした。

【０１０３】上記した各交互スパッタによって、Ａｌ2
Ｏ3 ／Ｃｏ90Ｆｅ10−Ａｌ2 Ｏ3 混合層／Ａｌ2 Ｏ3 層
状積層膜、Ａｌ2 Ｏ3 ／Ｎｉ81Ｆｅ19−Ａｌ2 Ｏ3 混合
層／Ａｌ2 Ｏ3 層状積層膜をそれぞれ作製した。これら
の上にＣｏ(5nm) ／Ｐｔ−Ｍｎ(20nm)をそれぞれ作製し
た。

【０１０４】このようにして、図１０に示した素子構造
の 100μｍ2 角の 2重トンネル接合を作製した。その
後、試料を 300℃にて磁場中熱処理を行い、一方向異方
性および一軸異方性を付与した。

【０１０５】これら各試料の磁気抵抗変化率を図３２
に、素子電圧の印加電流依存性の測定結果を図３３に示
す。素子抵抗は通常の 1重トンネル接合に比べて 1桁〜
2桁小さく、大きなＭＲ変化率が得られた。電圧依存性
に伴う磁気抵抗変化率の減少の度合いも通常の 1重トン
ネル接合に比べて 1/2〜 1/3程度小さく、所望の電圧変
化を得るために電流を流しても磁気抵抗の減少が小さ
く、磁気抵抗効果型ヘッド、磁界センサ、磁気記憶素子
として用いた場合に有効であることが分かった。

【０１０６】また、図３２に示した磁気抵抗効果曲線を
見ると、Ｃｏ90Ｆｅ10層およびＮｉ81Ｆｅ19層は約 9Ｏ
e 、 5.5Ｏe という小さな磁場で急峻に磁気抵抗が変化
し、磁気抵抗効果型ヘッド、磁界センサ、磁気記憶素子
として良好な特性を示した。

【０１０７】なお、誘電体としてＳｉＯ² 、ＡｌＮ、Ｍ
ｇＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 を用いた場合に
おいても、同様の傾向を示した。

【０１０８】実施例５ スパッタ装置およびメタルマスクを用いて、熱酸化Ｓｉ
基板上に表１に膜構造を示す 100μm 2 角の多重トンネ
ル接合を作製した。これら各試料の磁気抵抗変化率と素
子抵抗の測定結果を表１に併せて示す。なお、各素子の
作製方法は実施例１と同様にした。

【０１０９】

【表１】

【０１１０】素子抵抗は通常の 1重トンネル接合に比べ
て 1桁〜２桁小さく、大きなＭＲ変化率が得られた。電
圧依存性に伴う磁気抵抗変化率の減少の度合いも通常の
1重トンネル接合に比べて 1/2程度小さく、所望の電圧
変化を得るために電流を流しても磁気抵抗の減少が小さ
く、磁気抵抗効果型ヘッド、磁界センサ、磁気記憶素子
として用いた場合に有効であることが分かった。これら
はＭＲ値が大きくかつ低抵抗の素子を提供できることを
示しており、磁気抵抗効果型ヘッド、磁界センサ、磁気
記憶素子として良好な特性を示した。

【０１１１】実施例６ スパッタ装置およびメタルマスクを用いて、熱酸化Ｓｉ
基板上にＮｉ80Ｆｅ20／Ｃｏ90Ｆｅ10／Ａｌ2 Ｏ3 (1.5
nm) ／ＣｏＰｔ−Ａｌ2 Ｏ3 (tnm) ／Ａｌ2 Ｏ3 (2nm)
／Ｃｏ90Ｆｅ10／Ｎｉ80Ｆｅ20構造を有する 100μm 2
角の 2重トンネル接合を作製した。このような磁気素子
を強磁性体−誘電体混合層の膜厚を変化させて複数作製
し、磁気抵抗変化率の強磁性体−誘電体混合層の膜厚に
対する依存性を測定、評価した。その結果を図３４に示
す。各試料の作製方法は実施例１と同様とした。

【０１１２】素子抵抗は通常の 1重トンネル接合に比べ
て 1桁〜 2桁小さく、大きなＭＲ変化率が得られた。電
圧依存性に伴う磁気抵抗変化率の減少の度合いも通常の
1重トンネル接合に比べて 1/2程度小さく、所望の電圧
変化を得るために電流を流しても磁気抵抗の減少が小さ
く、磁気抵抗効果型ヘッド、磁界センサ、磁気記憶素子
として用いた場合に有効であることが分かった。

【０１１３】また、強磁性体−誘電体混合層の膜厚が
3.5nm以下のとき、強磁性体−誘電体混合層の薄い強磁
性体（強磁性体マトリックス）中に量子準位が形成さ
れ、強磁性体電極のマグノン励起して揺らいだスピン
は、この量子準位を介してトンネルし難くなり、ＭＲ変
化率のマグノン励起による低下をさらに抑えることがで
きることを示している。これらは、ＭＲ値が大きく低抵
抗の素子を提供できることを示しており、磁気抵抗効果
型ヘッド、磁界センサ、磁気記憶素子として良好な特性
を示した。 実施例７ スパッタ装置を用いて、シリコン基板主表面の酸化シリ
コン膜上にＴａ下地膜を介して、図１９の断面図に示す
ような、ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ強磁性体電極層２２、Ａｌ
₂Ｏ₃誘電体トンネル障壁層２４、ＣｏＦｅ−Ａｌ₂Ｏ₃混
合層２１、ＩｒＭｎ反強磁性膜２６を順次スパッタ法に
より形成した後、Ｔａ保護層をＩｒＭｎ膜２６上に形成
して積層膜とした。初期真空度２×１０^-7Torrにおい
て、公知のフォトリソグラフィー技術、及びイオンミリ
ング法により５０μm幅の配線形状に加工して磁気素子
を形成した。素子は設計膜厚をＴａ5nm/ＮｉＦｅ15nm/
ＣｏＦｅ5nm/Ａｌ₂Ｏ₃1.8nm/ＣｏＦｅ−Ａｌ₂Ｏ₃混合層
4nm/Ｉｒ₂₂Ｍｎ₇₈18nm/Ｔａ5nmとした本実施例のＡ素子
と、その比較例としてＢ素子：Ｔａ5nm/ＮｉＦｅ15nm/
ＣｏＦｅ5nm/Ａｌ₂Ｏ₃1.8nm/ＣｏＦｅ3nm/Ｉｒ₂₂Ｍｎ₇₈
18nm/Ｔａ5nmとした。

【０１１４】トンネル障壁層２４は、純Ａｒガスを導入
した真空雰囲気にて、Ａｌターゲットを用いてＣｏＦｅ
層上に連続成膜した後、真空を破ることなく、つまり大
気開放せずに酸素を導入してプラズマ雰囲気中にてＡｌ
を酸化することにより形成した。また、続く4nmの混合
層２１の成膜は、ＣｏＦｅを3nm、Ａｌ₂Ｏ₃を1nmの成膜
レートでＲＦバイアスを印加しながら行うことでＣｏＦ
ｅリッチの膜とした。さらに、続くＩｒＭｎ反強磁性膜
２６のスパッタ成膜には分圧１×１０^-3Torrの純Ａｒガ
スを用いた。

【０１１５】これらの層の成膜後、公知のフォトグラフ
ィー技術、及びイオンミリング法によりＴａ保護膜上に
トンネル接合の寸法を規定するレジストパターンを形成
して、ＣｏＦｅ−Ａｌ₂Ｏ₃混合層4nm/Ｉｒ₂₂Ｍｎ₇₈18nm
/Ｔａ5nmをこのレジストパターンをマスクとして加工し
た。そして、このレジストパターンを残したまま300nm
厚のＡｌ₂Ｏ₃膜からなる層間絶縁膜を電子ビーム蒸着法
等により蒸着した後、レジストパターンをリフトオフ法
により除去した。続いて、上部配線を形成するためのレ
ジストパターンを形成し、その後逆スパッタ法により基
板表面をクリーニングを経てＡｌ電極配線を形成した。
続いて、ピン層に一方向異方性を導入するために上記積
層膜を形成した基板を磁場中熱処理炉に導入して、磁場
中にて熱処理することでピン層に一方向異方性を付与し
た。

【０１１６】図３５はＡ素子の印加磁界Ｈ（Ｏｅ）と得
られた抵抗変化率ＭＲ（％）による磁気抵抗効果曲線を
示す。約１７（Ｏｅ）という小さい磁場で急峻に磁気抵
抗が変化していることがわかる。尚、このような傾向は
誘電体トンネル層の材料にＳｉＯ₂、ＡｌＮ、ＭｇＯを
用いた素子でも同様の傾向を示した。

【０１１７】また、図３６には、Ａ素子とＢ素子の印加
電圧Ｖ（Ｖ）と規格化された抵抗変化率の関係を示す。
Ａ素子の抵抗変化率は印加電圧の変化に伴う減少度合い
は、比較例であるＢ素子に比べて小さく、所望の出力電
圧変化を得るために所定の電圧を印加しても磁気抵抗の
減少が小さくとどまることがわかる。 実施例８ スパッタ装置を用いて、シリコン基板主表面上に酸化シ
リコン膜を介してＴａ50nmの下地膜を形成し、さらに図
１８に示す積層構造の、ＦｅＭｎ20nm/ＮｉＦｅ5nm/Ｃ
ｏＦｅ3nm/Ａｌ₂Ｏ₃1.8nm/Ｃｏ₉Ｆｅ−Ａｌ₂Ｏ₃混合層
3.5nm/Ａｌ₂Ｏ₃2.5nm/ＣｏＦｅ3nm/ＮｉＦｅ5nm/ＦｅＭ
ｎ20nmなる２重トンネル接合を備える積層膜を形成し
た。さらに、この積層膜上にＴａ5nmの保護層を形成し
た。その後、実施例７と同一の真空度において、同一技
術を用いて５０μｍ幅の下部配線形状にした。尚、Ｃｏ
₉Ｆｅ−Ａｌ₂Ｏ₃混合層は実施例７と同一方法にて行っ
た。

【０１１８】Ａｌ₂Ｏ₃トンネル障壁層は純Ａｒガスを導
入し、Ａｌターゲットを用いてＡｌ層を真空中で成膜し
その後真空を破ることなく酸素を導入し純酸素に曝すこ
とにより薄く、かつ酸素欠陥のないトンネル障壁層を作
成した。

【０１１９】次に、実施例７と同一方法によりＣｏＦｅ
3nm/ＮｉＦｅ5nm/ＦｅＭｎ20nm/Ｔａ5nm上に、トンネル
接合面積を規定するためのレジストパターンを形成して
Ｃｏ₉Ｆｅ層までイオンミリングした。さらにこのレジ
ストを残したまま300nm厚のＡｌ₂Ｏ₃膜からなる層間絶
縁膜を電子ビーム蒸着した後、レジストのリフトオフを
行った。次に上部配線を形成するためのレジストパター
ンを形成し、その後、表面を逆スパッタ法を用いてクリ
ーニングした後に、Ａｌ電極配線を形成した。そして、
続いて磁場中熱処理炉に導入して、ピン層に一方向異方
性を導入して磁気素子を形成した。

【０１２０】この磁気素子における、印加磁界Ｈ（Ｏ
ｅ）と得られた抵抗変化率ＭＲ（％）による磁気抵抗効
果曲線を図３７に、また、印加電圧Ｖ（Ｖ）と規格化さ
れた抵抗変化率の関係を図３８に示す。素子抵抗は通常
のプラズマ酸化の方法に比べて１桁〜２桁小さく、大き
なＭＲ変化率が得られた。

【０１２１】電圧依存性に伴う磁気抵抗変化率の減少の
度合いも通常の１重トンネル接合に比べて１／２程度小
さく、所望の電圧変化を得るため電流を流しても磁気抵
抗の減少が小さく、磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサ、
磁気メモリ装置の素子として用いると有効であることが
わかる。また、図３７によると、Ｃｏ₉Ｆｅ−Ａｌ₂Ｏ ₃
混合層は約３０Ｏｅという小さい磁場で急峻に磁気抵抗
が変化し、磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサ、磁気メモ
リ装置の素子として用いると有効であることがわかる。
尚、誘電体層にＳｉＯ₂、ＡｌＮ、あるいはＭｇＯの他
の誘電体を用いた素子においても上記と同様の傾向を示
した。 実施例９ スパッタ装置を用いて、表面を熱酸化Ｓｉで覆われたＳ
ｉ基板主表面上に表１に示す構成の積層膜を形成した。
各積層膜の平面形状は１００μm²角とした。表１中、Ｎ
ｏ．１〜Ｎｏ．５の積層膜は一重トンネル接合を備え、
Ｎｏ．６〜Ｎｏ．１１の積層膜は二重トンネル接合を備
える。これら各積層膜の磁気抵抗変化率（％）、及び磁
気抵抗変化率が半分の値になる電圧Ｖ_1/2（Ｖ）の測定
結果を併せて表１に示す。各層の含む材料は実施例１と
異なるが、形成方法は実施例１と同一である。

【０１２２】

【表２】

【０１２３】電圧Ｖ_1/2は一重トンネル接合よりも二重
トンネル接合のほうが高く、高電圧においても大きなＭ
Ｒ変化率が得られた。所望の電圧変化を得るために電流
を流しても磁気抵抗の減少が小さいことから、高い印加
電圧を素子に与えても大きい磁気抵抗変化率が得られる
ことを示しており磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサ、磁
気メモリ素子として有効であることがわかる。

【０１２４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気素子
によれば、大きな磁気抵抗変化率および比較的小さな素
子抵抗を得ることができ、さらには磁気抵抗変化率の電
圧依存性を抑制することが可能となる。従って、大きな
出力電圧が安定して得られる磁気素子が提供でき、この
ような磁気素子は磁気抵抗効果型ヘッド、磁界センサ、
磁気メモリ装置、磁気ヘッドアッセンブリ、磁気記録シ
ステム等の磁気装置の高性能化、及び高信頼性化等に大
きく寄与するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施形態に関る磁気素子の基
本構造図である。

【図２】 本発明の磁気素子における強磁性体−誘電体
混合層の面内構造を示す図である。

【図３】 本発明の磁気素子における磁気抵抗効果の発
現を説明するための図である。

【図４】 本発明の第２の実施形態に関る磁気素子を示
す断面図である。

【図５】 図４に示す磁気素子の変形例を示す断面図で
ある。

【図６】 本発明の第３の実施形態に関るプラーナ型素
子の主要部を示す断面図である。

【図７】 図６に示す磁気素子の変形例の主要部を模式
的に示す断面図である。

【図８】 本発明の第４の実施形態に関る磁気素子の第
３の実施形態の主要部を模式的に示す断面図である。

【図９】 本発明の第５の実施形態に関る磁気抵抗効果
へッドの膜構造を示す断面図である。

【図１０】 本発明の第５の実施形態に関る磁気抵抗効
果へッドの膜構造を示す断面図である。

【図１１】 本発明の第５の実施形態に関る磁気抵抗効
果へッドの膜構造を示す断面図である。

【図１２】 本発明の磁気抵抗効果ヘッドを搭載した磁
気ヘッドアッセンブリを示す斜視図である。

【図１３】 本発明の磁気抵抗効果ヘッドを搭載した磁
気ディスク装置を示す斜視図である。

【図１４】 本発明の第６の実施形態に関る磁気メモリ
素子の膜構造を示す断面図である。

【図１５】 本発明の第６の実施形態に関る磁気メモリ
素子の膜構造を示す断面図である。

【図１６】 本発明の第６の実施形態に関る磁気メモリ
素子の膜構造を示す断面図である。

【図１７】 本発明の第６の実施形態に関る磁気メモリ
素子の膜構造を示す断面図である。

【図１８】 本発明の第６の実施形態に関る磁気メモリ
素子の膜構造を示す断面図である。

【図１９】 本発明の第６の実施形態に関る磁気メモリ
素子の膜構造を示す断面図である。

【図２０】 本発明の第６の実施形態に関る磁気メモリ
セルの構造を示す断面図である。

【図２１】 本発明の第６の実施形態に関る集積化され
た磁気メモリ装置の回路図である。

【図２２】 本発明の第６の実施形態に関る磁気メモリ
装置を示す断面図である。

【図２３】 本発明の第６の実施形態に関る磁気メモリ
装置を示す回路図である。

【図２４】 本発明の実施例１による磁気素子の磁気抵
抗効果曲線を示す図である。

【図２５】 本発明の実施例１による磁気素子の磁気抵
抗効果曲線を示す図である。

【図２６】 本発明の実施例１による磁気素子の磁気抵
抗効果曲線を示す図である。

【図２７】 本発明の実施例１による磁気素子の規格化
された磁気抵抗変化率の印加電圧依存性を示す図であ
る。

【図２８】 本発明の実施例２による磁気素子の磁気抵
抗効果曲線を示す図である。

【図２９】 本発明の実施例２による磁気素子の規格化
された磁気抵抗変化率の印加電圧依存性を示す図であ
る。

【図３０】 本発明の実施例３による磁気素子の磁気抵
抗効果曲線を示す図である。

【図３１】 本発明の実施例３による磁気素子の規格化
された磁気抵抗変化率の印加電圧依存性を示す図であ
る。

【図３２】 本発明の実施例４による磁気素子の磁気抵
抗効果曲線を示す図である。

【図３３】 本発明の実施例４による磁気素子の規格化
された磁気抵抗変化率の印加電圧依存性を示す図であ
る。

【図３４】 本発明の実施例６による磁気素子の混合層
の膜厚を変化させてえた磁気抵抗効果曲線を示す図であ
る。

【図３５】 本発明の実施例７による磁気素子の磁気抵
抗効果曲線を示す図である。

【図３６】 本発明の実施例７による磁気素子の印加電
圧と規格化された抵抗変化率との関係を示す。

【図３７】 本発明の実施例８による磁気素子の磁気抵
抗効果曲線を示す図である。

【図３８】 本発明の実施例８による磁気素子の印加電
圧と規格化された抵抗変化率の関係を示す図である。

【符号の説明】

１、１１…強磁性体電極層 ２、４、１２、１４…トンネル障壁層 ３、１３…強磁性体−誘電体混合層 ８、１５…強磁性電極層 ６…強磁性体 ７…誘電体

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】誘電体と、前記誘電体と同体積以上の強磁
   性体とを備える強磁性体―誘電体混合層と、 前記強磁性体―誘電体混合層と積層された第一及び第二
   の誘電体トンネル障壁と、 前記強磁性体−誘電体混合層と前記第一の誘電体トンネ
   ル障壁を介して近接配置された第１の強磁性層と、 前記強磁性体―誘電体混合層と前記第二の誘電体トンネ
   ル障壁を介して近接配置された第２の強磁性層とを備え
   ることを特徴とする磁気素子。
2. 【請求項２】前記強磁性体−誘電体混合層中の誘電体
   は、前記強磁性体からなるマトリックス中に分散配置さ
   れていることを特徴とする請求項１記載の磁気素子。
3. 【請求項３】前記第１の強磁性層、前記第２の強磁性
   層、及び前記強磁性体―誘電体混合層中の強磁性体のい
   ずれか一との交換結合によって、前記いずれか一に交換
   バイアスを付与する反強磁性膜を備えることを特徴とす
   る請求項１または２に記載の磁気素子。
4. 【請求項４】前記第一及び第二の誘電体トンネル障壁は
   同一の誘電体層からなり、前記第１及び第２の強磁性層
   は前記誘電体層の同一表面に離れて形成されていること
   を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の磁気素
   子。
5. 【請求項５】誘電体と、前記誘電体と同体積以上の強磁
   性体とを備える強磁性体―誘電体混合層と、前記強磁性
   体―誘電体混合層と積層された第一及び第二のトンネル
   誘電体層と、前記強磁性体−誘電体混合層と前記第一の
   トンネル誘電体層を介して近接配置された第１の強磁性
   層と、前記強磁性体―誘電体混合層と前記第二のトンネ
   ル誘電体層を介して近接配置された第２の強磁性層とを
   備える磁気メモリセルを基板上に複数個備えることを特
   徴とする集積化された磁気メモリ装置。
6. 【請求項６】誘電体と、前記誘電体と同体積以上の強磁
   性体とを備える強磁性体―誘電体混合層と、前記強磁性
   体―誘電体混合層と積層された第一及び第二のトンネル
   誘電体層と、前記強磁性体−誘電体混合層と前記第一の
   トンネル誘電体層を介して近接配置された第１の強磁性
   層と、前記強磁性体―誘電体混合層と前記第二のトンネ
   ル誘電体層を介して近接配置された第２の強磁性層とを
   備えることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
7. 【請求項７】誘電体と、前記誘電体と同体積以上の強磁
   性体とを備える強磁性体―誘電体混合層と、前記強磁性
   体―誘電体混合層と積層された第一及び第二のトンネル
   誘電体層と、前記強磁性体−誘電体混合層と前記第一の
   トンネル誘電体層を介して近接配置された第１の強磁性
   層と、前記強磁性体―誘電体混合層と前記第二のトンネ
   ル誘電体層を介して近接配置された第２の強磁性層とを
   備える磁気抵抗効果ヘッドであって、前記磁気記録媒体
   に記録された磁気情報を再生する磁気抵抗効果ヘッド
   と、 前記磁気抵抗効果ヘッドを支持するアームを備えること
   を特徴とする磁気ヘッドジンバルアッセンブリ。
8. 【請求項８】磁気記録媒体と、 誘電体と、前記誘電体と同体積以上の強磁性体とを備え
   る強磁性体―誘電体混合層と、前記強磁性体―誘電体混
   合層と積層された第一及び第二のトンネル誘電体層と、
   前記強磁性体−誘電体混合層と前記第一のトンネル誘電
   体層を介して近接配置された第１の強磁性層と、前記強
   磁性体―誘電体混合層と前記第二のトンネル誘電体層を
   介して近接配置された第２の強磁性層とを備える磁気抵
   抗効果ヘッドであって、前記磁気記録媒体に記録された
   磁気情報を再生する磁気抵抗効果ヘッドを備えることを
   特徴とする磁気記録システム。