DE102007032379B4 - Magnettransistorstruktur - Google Patents

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Abstract

Magnettransistor, umfassend
einen ersten magnetischen Bereich (202) mit einer ersten Fläche und einer zweiten Fläche;
einen zweiten magnetischen Bereich (204) mit einer dritten Fläche und einer vierten Fläche;
einen leitfähigen Bereich (206) mit einer fünften Fläche und einer sechsten Fläche, wobei der leitfähige Bereich (206) zwischen dem ersten magnetischen Bereich (202) und dem zweiten magnetischen Bereich (204) angeordnet ist, und die zweiten Fläche des ersten magnetischen Bereichs (202) steht in Verbindung mit der fünften Fläche des leitfähigen Bereichs (206), und die dritte Fläche des zweiten magnetischen Bereichs (204) steht in Verbindung mit der sechsten Fläche des leitfähigen Bereichs (206);
eine erste Metallschicht (208) und eine zweite Metallschicht (212), die voneinander getrennt sind und auf der ersten Fläche des ersten magnetischen Bereichs (202) angeordnet sind;
eine dritte Metallschicht (214) und eine vierte Metallschicht (210), die voneinander getrennt sind und auf der vierten Fläche des magnetischen Bereichs...

Description

  • HINTERGRUND
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Transistor. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Struktur eines Magnettransistors.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Der Riesenmagnetwiderstand-Effekt (GMR) ist ein quantenmechanischer Effekt, der bei Strukturen mit alternierenden dünnen magnetischen und dünnen nichtmagnetischen Bereichen beobachtet wird. Der GMR-Effekt zeigt eine signifikante Änderung im elektrischen Widerstand vom Nullfeld-Hochwiderstandszustand zum Hochfeld-Niedrigwiderstandszustand entsprechend einem angelegten externen Feld.
  • 1 ist ein Strukturdiagramm, welches einen herkömmlichen Magnettransistor 100 des Standes der Technik darstellt. Der leitfähige Bereich 106 ist auf dem zweiten magnetischen Bereich 104 angeordnet und der erste magnetische Bereich 102 ist auf dem leitfähigen Bereich 106 angeordnet. Das erste Metall 108 grenzt an den ersten magnetischen Bereich 102, den leitfähigen Bereich 106 und den zweiten magnetischen Bereich 104 an und bedeckt eine Seite davon vollständig. Das zweite Metall 110 grenzt an den ersten magnetischen Bereich 102, den leitfähigen Bereich 106 und den zweiten magnetischen Bereich 104 an und bedeckt eine Seite davon vollständig.
  • Der Betrieb des herkömmlichen 2-endigen Magnettransistors 100 wird im Folgenden beschrieben. Der Betrieb des Magnettransistors 100 erfolgt beispielsweise gemäß einem von außen angelegten Feld (beispielsweise unter Verwendung des dritten Metalls 112 und des vierten Metalls 114, um die Richtung der Dipole des ersten magnetischen Bereichs 102 und des zweiten magnetischen Bereichs 104 zu steuern). Wenn der herkömmliche 2-endige Magnettransistor 100 angeschaltet wird, wird ein Strom erzeugt und fließt in Richtung des ersten Metalls und des zweiten Metalls. Der Strom kann vermeiden irgendeine magnetische Grenze zu kreuzen (beispielsweise eine Grenze zwischen dem ersten magnetischen Bereich 102 und dem leitfähigen Bereich 106 oder eine Grenze zwischen dem leitfähigen Bereich 106 und dem zweite magnetischen Bereich 104 oder beide Grenzen) und nur ein geringer Prozentsatz des Strom passiert tatsächlich beide Grenzen, was nur zu einer Änderung des Widerstands von wenigen Prozent führt, was einen geringeren GMR-Effekt bedeutet. Weiterhin hat der herkömmliche 2-endige Magnettransistor 100 nur zwei Ausgabeenden, so dass der Strom nur entweder vom ersten Metall 108 oder vom zweiten Metall 110 ausgegeben werden kann.
  • EP 0 959 475 A2 offenbart einen magnetischen Dünnschichtspeicher mit einem Stapel von magnetischen Dünnschichtvorrichtungen, wobei jede umfasst: eine erste magnetische Schicht, eine zweite magnetische Schicht mit höherer Koerzitivkraft als die erste magnetische Schicht auf der ersten magnetischen Schicht, und eine unmagnetische Schicht zwischen der ersten magnetischen Schicht und der zweiten magnetischen Schicht.
  • DE 102 20 911 A1 offenbart ein Verfahren zur Durchführung eines Funktionstests wenigstens eines in eine Schaltungsanordnung einer Gerätschaft integrierten magnetischen, insbesondere magneto-resistiven Sensorelements während des Betriebs der Schaltungsanordnung bzw. der Gerätschaft, dadurch gekennzeichnet, dass das Sensorelement periodisch oder aperiodisch mit einem von einem dem Sensorelement zugeordneten Magnetfelderzeugungsmittel erzeugten Magnetfeld mit bekannter Feldstärke beaufschlagt wird, dass das hieraus resultierende Sensorsignal in einer Verarbeitungseinrichtung erfasst und ausgewertet wird, und dass in Abhängigkeit vom Auswerteergebnis von der Auswerteeinrichtung ein Funktions- oder ein Fehlfunktionssignal ausgegeben und/oder eine Neukalibrierung des Sensorelements durchgeführt wird.
  • DE 696 09 165 T2 offenbart eine Speicherzelle mit einem Speicherelement, das eine erste Struktur aufweist, wobei die erste Struktur eine Vielzahl von Schichten hat, wobei ausgewählte Schichten einen Magnetvektor aufweisen, der damit verknüpft ist, und die erste Struktur Riesenmagnetwiderstand aufweist, wobei das Speicherelement eine geschlossene Flußstruktur in mindestens einer Dimension aufweist, und wobei die Magnetvektoren im Wesentlichen in mindestens einer Dimension während aller Arbeitsschritte des Speicherelements eingeschränkt sind.
  • Aus den vorhergehenden Gründen besteht ein Bedarf an einem Magnettransistor, welcher den größeren GMR-Effekt zusammen mit einer Mehrfachen-Endausgabefähigkeit besitzt.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Diese Probleme des Standes der Technik werden durch die vorliegende Erfindung gemäß den Ansprüchen, insbesondere Anspruch 1 gelöst.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet ein Magnettransistor einen ersten magnetischen Bereich, einen zweiten magnetischen Bereich, einen leitfähigen Bereich, eine erste Metallendstelle, eine zweite Metallendstelle, eine dritte Metallendstelle und eine vierte Metallendstelle. Der leitfähige Bereich ist zwischen und in direktem Kontakt zu sowohl dem ersten als auch dem zweiten magnetischen Bereich angeordnet. Der erste magnetische Bereich, der leitfähige Bereich und der zweite magnetische Bereich haben ungefähr dieselbe Länge. Die erste Metallendstelle ist auf einem Ende einer, dem leitfähigen Bereich des ersten magnetischen Bereichs, gegenüberliegenden Fläche angeordnet. Die zweite Metallendstelle ist auf einem Ende ungefähr diagonal zu einer ersten Metallendstelle auf einer, dem leitfähigen Bereich des zweiten magnetischen Bereichs, gegenüberliegenden Fläche angeordnet. Die dritte Metallendstelle ist auf dem anderen Ende einer, dem leitfähigen Bereich des ersten magnetischen Bereichs, gegenüberliegenden Fläche angeordnet. Die vierte Metallendstelle ist auf dem anderen Ende ungefähr diagonal zur dritten Metallendstelle auf einer, dem leitfähigen Bereich des zweiten magnetischen Bereichs, gegenüberliegenden Fläche angeordnet. Während die Magnettransistorstruktur angeschaltet ist, wird ein Strom entweder von der ersten Metallendstelle, von der zweiten Metallendstelle, von der dritten Metallendstelle oder von der vierten Metallendstelle ausgegeben indem er über den leitfähigen Bereich durch den ersten magnetischen Bereich und den zweiten magnetischen Bereich fließt.
  • Es muss verstanden werden, dass sowohl die vorhergehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung beispielhaft sind und vorgesehen sind, um eine weitergehende Erklärung der beanspruchten Erfindung zu liefern.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die begleitenden Zeichnungen wurden einbezogen, um ein weitergehendes Verständnis der Erfindung bereitzustellen und sind in die Beschreibung einbezogen und stellen einen Teil von ihr dar. Die Zeichnungen illustrieren Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu die Prinzipien der Erfindung zu erklären. In den Zeichnungen
  • ist 1 ein Strukturdiagramm, das einen Magnettransistor des Standes der Technik darstellt;
  • ist 2A ein Strukturdiagramm, das einen Magnettransistor gemäß einer Ausführungsform dieser Erfindung darstellt;
  • ist 2B ein Strukturdiagramm, das einen Magnettransistor gemäß einer anderen Ausführungsform dieser Erfindung darstellt; und
  • ist 3 ein Strukturdiagramm, das einen Magnettransistor gemäß einer anderen Ausführungsform dieser Erfindung darstellt.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Es wird nun detailliert Bezug auf die vorliegenden bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung genommen, von denen Beispiele in den begleitenden Zeichnungen illustriert sind. Wo immer möglich werden in der Beschreibung und den Zeichnungen dieselben Bezugszeichen verwendet, um Bezug auf gleiche oder ähnliche Teile zu nehmen.
  • Alle Figuren beziehen sich zur Vereinfachung der Erklärung nur auf die zugrunde liegende Lehre der vorliegenden Erfindung; die Erweiterung der Figuren bezüglich Anzahl, Position, Beziehung und Abmessungen der Teile, um die Ausführungsformen zu bilden wird erklärt werden, oder wird sich in der Fähigkeit des Fachmanns befinden, nachdem die folgende Beschreibung gelesen und verstanden wurde. Weiterhin werden sich die exakten Abmessungen und Längenverhältnisse, um spezifischer Kraft, Gewicht, Stärke und ähnlichen Anforderungen zu genügen gleichermaßen in der Fähigkeit des Fachmanns befinden, nachdem die folgende Beschreibung gelesen und verstanden wurde.
  • 2A ist ein Strukturdiagramm, welches einen Magnettransistor 200 zur Erläuterung dieser Erfindung darstellt. Ein Magnettransistor 200 beinhaltet einen ersten magnetischen Bereich 202, einen zweiten magnetischen Bereich 204, einen leitfähigen Bereich 206, eine erste Metallendstelle 208 und eine zweite Metallendstelle 210. Fachleute werden erkennen, dass der erste magnetische Bereich 202 und der zweite magnetische Bereich 204 beispielsweise aus einer Vielzahl magnetischer Schichten besteht.
  • Der leitfähige Bereich 206 ist zwischen dem ersten magnetischen Bereich 202 und dem zweiten magnetischen Bereich 204 angeordnet und befindet sich in direktem Kontakt dazu. Beispielsweise ist der leitfähige Bereich 206 auf dem zweiten magnetischen Bereich 204 angeordnet und der erste magnetische Bereich 202 ist auf dem leitfähigen Bereich 206 angeordnet. Der erste magnetische Bereich 202, der leitfähige Bereich 206 und der zweite magnetische Bereich 204 haben ungefähr dieselbe Länge.
  • Die erste Metallendstelle 208 ist auf einem Ende einer, dem leitfähigen Bereich 206 des ersten magnetischen Bereichs 202, gegenüberliegenden Fläche angeordnet. Die zweite Metallendstelle 210 ist auf einem Ende ungefähr diagonal zu einer ersten Metallendstelle 208 auf einer, dem leitfähigen Bereich des zweiten magnetischen Bereichs 210, gegenüberliegenden Fläche angeordnet. Beispielsweise ist die erste Metallendstelle 208 teilweise auf einem Ende einer, dem leitfähigen Bereich 206 des ersten magnetischen Bereichs 202, gegenüberliegenden Fläche angeordnet und die zweite Metallendstelle 210 auf einem Ende ungefähr diagonal zu einer ersten Metallendstelle 208 auf einer, dem leitfähigen Bereich des zweiten magnetischen Bereichs 210, gegenüberliegenden Fläche angeordnet, wobei die erste Metallendstelle 208 auf der linken Seite des ersten magnetischen Bereichs 202 und die zweite Metallendstelle 210 auf der rechten Seite des zweiten magnetischen Bereichs 204 angeordnet ist.
  • 2B ist eine anderes Beispiel, welche die Anordnung der ersten Metallendstelle 208 und der zweiten Metallendstelle 210 einer Magnettransistorstruktur 200 darstellt. Die erste Metallendstelle 208 ist auf der rechten Seite des ersten magnetischen Bereichs 202 und die zweite Metallendstelle 210 auf der linken Seite des zweiten magnetischen Bereichs 204 angeordnet.
  • Ein Betrieb der Magnettransistorstruktur 200 wird wie folgt offenbart. Fachleute werden sich bewusst sein, dass der Betrieb des Magnettransistors beispielsweise gemäß eines von außen angelegten Feldes erfolgt (beispielsweise unter Verwendung des ersten Metalls 230 und des zweiten Metalls 240, um die Richtung der Dipole des ersten magnetischen Bereichs 202 und des zweiten magnetischen Bereichs 204 zu steuern). Während die Magnettransistorstruktur 200 angeschaltet ist, wird ein Strom von der ersten Metallendstelle 208 oder von der zweiten Metallendstelle 210 ausgegeben indem er über den leitfähigen Bereich 206 durch den ersten magnetischen Bereich 202 und den zweiten magnetischen Bereich 204 fließt. Beispielsweise fließt der Strom in Richtung von der ersten Metallendstelle 208 zur zweiten Metallendstelle 210 oder der Strom fließt in Richtung von der zweiten Metallendstelle 210 zur ersten Metallendstelle 208.
  • Die Beispiele illustrieren das Anordnen der ersten Metallendstelle 208 auf einem Ende einer, dem leitfähigen Bereich 206 des ersten magnetischen Bereichs 202, gegenüberliegenden Fläche, Anordnen der zweiten Metallendstelle 210 auf einem Ende ungefähr diagonal zu einer ersten Metallendstelle 208 auf einer, dem leitfähigen Bereich des zweiten magnetischen Bereichs 210, gegenüberliegenden Fläche, was dazu führt, dass der Strom durch die Grenze zwischen dem ersten magnetischen Bereich 202 und dem leitfähigen Bereich 206 und eine Grenze zwischen dem leitfähigen Bereich 206 und dem zweiten magnetischen Bereich 204 fließt. Folglich weist die Magnettransistorstruktur 200 eine höhere Widerstandswechselrate auf.
  • 3 ist ein Strukturdiagramm, welches einen Magnettransistor 300 gemäß einer Ausführungsform dieser Erfindung darstellt. Ein Magnettransistor 300 beinhaltet einen ersten magnetischen Bereich 202, einen zweiten magnetischen Bereich 204, einen leitfähigen Bereich 206, eine erste Metallendstelle 208, eine zweite Metallendstelle 210, eine dritte Metallendstelle 212 und eine vierte Metallendstelle 214.
  • Die erste Metallendstelle 208 ist auf einem Ende einer, dem leitfähigen Bereich 206 des ersten magnetischen Bereichs 202, gegenüberliegenden Fläche angeordnet. Die zweite Metallendstelle 210 ist auf einem Ende ungefähr diagonal zu einer ersten Metallendstelle 208 auf einer, dem leitfähigen Bereich 206 des zweiten magnetischen Bereichs 204, gegenüberliegenden Fläche angeordnet. Die dritte Metallendstelle 212 ist auf dem anderen Ende einer, dem leitfähigen Bereich 206 des ersten magnetischen Bereichs 202, gegenüberliegenden Fläche angeordnet. Die vierte Metallendstelle 214 ist auf dem anderen Ende ungefähr diagonal zur dritten Metallendstelle 212 auf einer, dem leitfähigen Bereich 206 des zweiten magnetischen Bereichs 214, gegenüberliegenden Fläche angeordnet. Beispielsweise ist die erste Metallendstelle 208 teilweise auf einem Ende einer, dem leitfähigen Bereich 206 des ersten magnetischen Bereichs 202, gegenüberliegenden Fläche angeordnet. Die zweite Metallendstelle 210 ist teilweise auf einem Ende ungefähr diagonal zu einer ersten Metallendstelle 208 auf einer, dem leitfähigen Bereich 206 des zweiten magnetischen Bereichs 204, gegenüberliegenden Fläche angeordnet. Die dritte Metallendstelle 212 ist teilweise auf dem anderen Ende einer, dem leitfähigen Bereich 206 des ersten magnetischen Bereichs 202, gegenüberliegenden Fläche angeordnet. Die vierte Metallendstelle 214 ist teilweise auf dem anderen Ende ungefähr diagonal zur dritten Metallendstelle 212 auf einer, dem leitfähigen Bereich 206 des zweiten magnetischen Bereichs 214, gegenüberliegenden Fläche angeordnet.
  • Zudem existiert ein Raum zwischen der ersten Metallendstelle 208 und der dritten Metallendstelle 212, die auf dem ersten magnetischen Bereich 202 angeordnet sind und ein Raum existiert zwischen der zweiten Metallendstelle 210 und der vierten Metallendstelle 214, die auf dem zweiten magnetischen Bereich 204 angeordnet sind.
  • Ein Betrieb der Magnettransistorstruktur 300 wird wie folgt offenbart. Während die Magnettransistorstruktur 300 angeschaltet ist, wird ein Strom von der ersten Metallendstelle 208, der zweiten Metallendstelle 210, der dritten Metallendstelle 212 oder der vierten Metallendstelle 214 ausgegeben.
  • Die Ausführungsform illustriert, dass die erste Metallendstelle 208 auf einem Ende einer, dem leitfähigen Bereich 206 des ersten magnetischen Bereichs 202, gegenüberliegenden Fläche angeordnet ist, und dass die zweite Metallendstelle 210 auf einem Ende ungefähr diagonal zu einer ersten Metallendstelle 208 auf einer, dem leitfähigen Bereich des zweiten magnetischen Bereichs 210, gegenüberliegenden Fläche angeordnet ist, was dazu führt, dass der Strom über die Grenze zwischen dem ersten magnetischen Bereich 202 und dem leitfähigen Bereich 206 und eine Grenze zwischen dem leitfähigen Bereich 206 und dem zweiten magnetischen Bereich 204 fließt, während der Magnettransistor 300 eingeschaltet ist. Die vorhergehende Anordnung der ersten Metallendstelle 208 und der zweiten Metallendstelle 210 ermöglicht es einem Strom von der zweiten Metallendstelle 210 zu fließen und von der ersten Metallendstelle 208 ausgegeben zu werden oder einem Strom von der ersten Metallendstelle 208 zu fließen und von der zweiten Metallendstelle 210 ausgegeben zu werden.
  • Die dritte Metallendstelle 212 ist auf dem anderen Ende einer, dem leitfähigen Bereich 206 des ersten magnetischen Bereichs 202, gegenüberliegenden Fläche angeordnet und die vierte Metallendstelle 214 ist auf dem anderen Ende ungefähr diagonal zur dritten Metallendstelle 212 auf einer, dem leitfähigen Bereich 206 des zweiten magnetischen Bereichs 214, gegenüberliegenden Fläche angeordnet, was dazu führt, dass der Strom über den leitfähigen Bereich 206 durch den ersten magnetischen Bereich 202 und den zweiten magnetischen Bereich 204 fließt, während der Transistor 300 eingeschaltet ist. Die vorhergehende Anordnung der dritten Metallendstelle 212 und der vierten Metallendstelle 214 ermöglicht es einem Strom von der dritten Metallendstelle 212 zu fließen und von der vierten Metallendstelle 214 ausgegeben zu werden oder einem Strom von der vierten Metallendstelle 214 zu fließen und von der dritten Metallendstelle 212 ausgegeben zu werden.
  • Folglich weist der Magnettransistor 300 eine höhere Widerstandswechselrate mit einer 4-endigen (ein Strom wird entweder von der ersten Metallendstelle 208, der zweiten Metallendstelle 210, der dritten Metallendstelle 212 oder der vierten Metallendstelle 214 ausgegeben) Ausgabefähigkeit auf.
  • Es wird für Fachleute offensichtlich sein, dass verschiedene Modifikationen und Variationen an der Struktur der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne vom Umfang oder dem Geist der Erfindung abzuweichen. Angesichts des vorhergehenden ist vorgesehen, dass die vorliegende Erfindung Modifikationen und Variationen dieser Erfindung abdeckt, sofern sie in den Umfang der folgenden Ansprüche und ihrer Äquivalente fallen.

Claims (9)

  1. Magnettransistor, umfassend einen ersten magnetischen Bereich (202) mit einer ersten Fläche und einer zweiten Fläche; einen zweiten magnetischen Bereich (204) mit einer dritten Fläche und einer vierten Fläche; einen leitfähigen Bereich (206) mit einer fünften Fläche und einer sechsten Fläche, wobei der leitfähige Bereich (206) zwischen dem ersten magnetischen Bereich (202) und dem zweiten magnetischen Bereich (204) angeordnet ist, und die zweiten Fläche des ersten magnetischen Bereichs (202) steht in Verbindung mit der fünften Fläche des leitfähigen Bereichs (206), und die dritte Fläche des zweiten magnetischen Bereichs (204) steht in Verbindung mit der sechsten Fläche des leitfähigen Bereichs (206); eine erste Metallschicht (208) und eine zweite Metallschicht (212), die voneinander getrennt sind und auf der ersten Fläche des ersten magnetischen Bereichs (202) angeordnet sind; eine dritte Metallschicht (214) und eine vierte Metallschicht (210), die voneinander getrennt sind und auf der vierten Fläche des magnetischen Bereichs (204) angeordnet sind wobei ein Strom in der Lage ist, durch den ersten magnetischen Bereich (202) und den zweiten magnetischen Bereich (204) über den leitfähigen Bereich (206) zu fließen und entweder von der ersten Metallschicht (208), von der zweiten Metallschicht (212), von der dritten Metallschicht (214) oder von der vierten Metallschicht (210) ausgegeben werden kann.
  2. Magnettransistor nach Anspruch 1, wobei der Strom in der Lage ist, von der vierten Metallschicht (210) durch den zweiten magnetischen Bereich (204), dem leitfähigen Bereich (206) und dem ersten magnetischen Bereich (202) zur Ausgabe von der ersten Metallschicht (208) zu fließen.
  3. Magnettransistor gemäß Anspruch 1, wobei der erste magnetische Bereich (202), der leitfähige Bereich (206) und der zweite magnetische Bereich (204) in einer ersten Richtung geschichtet sind, wobei die erste Metallschicht (208) und die zweite Metallschicht (212) nacheinander auf der ersten Fläche des ersten magnetischen Bereichs (202) und entlang einer zweiten Richtung senkrecht zur ersten Richtung aufgebracht sind.
  4. Magnettransistor gemäß Anspruch 3, wobei die dritte Metallschicht (214) und die vierte Metallschicht (210) in Folge auf der vierten Fläche des zweiten magnetischen Bereichs (204) entlang einer zweiten Richtung senkrecht zur ersten Richtung angeordnet sind.
  5. Magnettransistor gemäß Anspruch 1, wobei der Strom in der Lage ist von der ersten Metallschicht (208) durch den ersten magnetischen Bereich (202), dem leitfähigen Bereich (206) und dem zweiten magnetischen Bereich (204) zur Ausgabe von der vierten Metallschicht (210) zu fließen.
  6. Magnettransistor gemäß Anspruch 1, wobei der Strom in der Lage ist von der dritten Metallschicht (214) durch den zweiten magnetischen Bereich (204), dem leitfähigen Bereich (206) und dem ersten magnetischen Bereich (202) zur Ausgabe von der zweiten Metallschicht (212) zu fließen.
  7. Magnettransistor gemäß Anspruch 1, wobei der Strom in der Lage ist von der zweiten Metallschicht (212) durch den ersten magnetischen Bereich (202), dem leitfähigen Bereich (206) und dem zweiten magnetischen Bereich (204) zur Ausgabe von der dritten Metallschicht (214) zu fließen.
  8. Magnettransistor gemäß Anspruch 1, weiter umfassend ein erstes Metall (230), um die Richtung der Dipole des ersten magnetischen Bereichs (202) zu steuern.
  9. Magnettransistor gemäß Anspruch 1, weiter umfassend ein zweites Metall (240), um die Richtung der Dipole des zweiten magnetischen Bereichs (204) zu steuern.
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