DE4244083C2 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrich­ tung.
Verschiedene Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtun­ gen, bei denen durch Ändern der Verbindungsmuster in den letzten Stufen des Herstellungsprozesses in Übereinstimmung mit den Spezi­ fikationen der Halbleitervorrichtungen Funktionen ausgewählt wer­ den, wurden verwendet. Zum Beispiel zeigt Fig. 10 schematisch eine Halbleitervorrichtung des Bonding-Option-Typs (Kontaktierungsop­ tionstyps), die durch Benutzung der Öffentlichkeit zugänglich gemacht worden ist. Die Fig. 11 und 12 zeigen schematisch eine Halbleitervorrichtung des Master-Slize-Typs (kun­ denbeeinflußbarer Universalschaltkreistyp), die durch Benutzung der Öffentlichkeit zugänglich gemacht worden ist. Bezugnehmend auf die Fig. 10 bis 12 ist ein IC-Chip 6 auf seiner Oberfläche mit Bond­ inseln 1a und 1b entsprechend einer Vcc-Versorgungsleitung 7 und einer Referenz (GND)-Versorgungsleitung 8 ausgestattet. Der IC- Chip 6 ist mit einem internen Schaltkreis 2 zur Entscheidung des internen Status versehen. Der interne Schaltkreis 2 empfängt ein Signal entsprechend "H" oder "L". Der interne Schaltkreis 2 unter­ scheidet bzw. erkennt das Niveau des angelegten Signales und er­ zeugt ein Signal zum Ändern der Spezifikation des Schaltungsauf­ baues des IC-Chips 6 in Übereinstimmung mit dem angelegten Signal.
Darum ist die interne Schaltung 2 entweder mit der Vcc-Versor­ gungsleitung 7 oder der GND-Versorgungsleitung 8 verbunden.
Bei dem in Fig. 10 gezeigten Typ sind die Bondinseln 1a und 1b mit der internen Schaltung 2 über eine dazu bestimmte Stromversor­ gungsleitung 5 verbunden. Nur die Vcc-Versorgungsleitung 7 ist mit der Bondinsel 1a durch einen Bonddraht 9, oder nur GND-Versor­ gungsleitung 8 ist mit der Bondinsel 1b über den Bonddraht 9 ver­ bunden, wodurch das an die interne Schaltung 2 angelegte Signal entschieden wird. Der oben beschriebene Typ wird als "Bonding-Op­ tion-Typ" (Kontaktierungsoptionstyp) bezeichnet.
In Fig. 11 und 12 sind beide, die Vcc-Versorgungsleitung 7 und die GND-Versorgungsleitung 8, mit den entsprechenden Bondinseln 1a und 1b über die Bonddrähte 9 verbunden. Nur eine der zu diesem Zweck bestimmten Stromversorgungsleitungen 5a und 5b, welche mit den entsprechenden Bondinseln 1a und 1b verbunden sind, ist mit der internen Schaltung 2 verbunden, wodurch das Niveau des an die in­ terne Schaltung 2 angelegten Signals bestimmt wird. Der oben be­ schriebene Typ wird als "Master-Slize-Typ" (kundenbeeinflußbarer Universalschaltkreistyp) bezeichnet. Zur Herstellung der Stromver­ sorgungsleitungen im Herstellungsprozeß der ICs werden für den "Master-Slize-Typ" Musterungsmasken entsprechend den Spezifikatio­ nen präpariert und dadurch das in Fig. 11 oder 12 gezeigte Verbin­ dungsmuster ausgebildet.
Jedoch benötigt der in Fig. 10 gezeigte Bonding-Option-Typ zur Entscheidung der Spezifikationen des IC-Chip die Leitung 7 (oder 8), welche nicht benutzt wird, genauso wie die entsprechende Bond­ insel 1a (oder 1b), was die Reduzierung der Größe des IC-Chips 6 behindert. Des weiteren benötigt die Stromversorgungsleitung 5, die mit der unbenutzten Bondinsel 1a (oder 1b) verbunden ist, auch einen bestimmten Bereich der Oberfläche des IC-Chips 6, was auch die Reduzierung der Größe des IC-Chips 6 behindert.
Der in den Fig. 11 und 12 gezeigte Master-Slize-Typ benötigt eine Mehrzahl von Musterungsmasken mit verschiedenen Verbindungsmustern entsprechend den Spezifikationen, was angesichts des Her­ stellungsprozesses und der Herstellungskosten nicht wünschenswert ist.
Aufgabe der Erfindung ist es demzufolge eine Halbleitervorrichtung zu ermöglichen, welche in Übereinstimmung mit Änderungen der Spe­ zifikationen leicht hergestellt werden kann und die Reduzierung von unnötigen Verbindungbereichen erlaubt.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Eine Halbleitervorrichtung nach einer Weiterbildung der Erfindung umfaßt ein Halbleitersubstrat mit einer Hauptoberfläche, einen Stromversor­ gungsanschluß, welcher dem Halbleitersubstrat gegenüberliegt, zum Empfang eines vorbestimmten elektrischen Potentials, und eine Stromversorgungskontaktinsel, die auf der Hauptoberfläche des Sub­ strates ausgebildet ist. Die Stromversorgungskontaktinsel und der Stromversorgungsanschluß sind über einen Stromversorgungsdraht ver­ bunden. Auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind die elek­ trisch mit der Stromversorgungskontaktinsel verbundene Stromver­ sorgungsleitung und die interne Schaltung zur Entscheidung der Spezifikation der Halbleitervorrichtung oder zum Unterbinden des Gebrauchs der auf dem Halbleitersubstrat ausgebildeten integrierten Schaltung. Mit der internen Schaltung verbunden ist eine interne Schaltungs­ verbindung mit einem Bereich, welche einem vorbestimmten Bereich der Stromversorgungsleitung mit einem vorbestimmten Raum dazwi­ schen gegenüberliegt. Der Raum zwischen den gegenüberliegenden Bereichen ist kleiner als der Durchmesser des Stromversorgungsdrahtes im Verbindungsbereich zwischen dem Stromversorgungsdraht und der Stromversorgungskontaktinsel (-bondinsel).
Bei der Halbleitervorrichtung nach der Ausführungsform wird die Ver­ bindung zwischen der Stromversorgungsleitung und der internen Schaltung dadurch bestimmt, ob die interne Schaltung mit der Stromversorgungsleitung verbunden wird oder nicht. Darum kann die Stromversorgungsleitung auch als eine mit einer anderen Schaltung verbundene Versorgungsleitung benutzt werden, und darum werden speziell für die interne Schaltung vorgesehene Versorgungsleitun­ gen, Kontaktinseln und anderes nicht benötigt. Dadurch kann ein unnötiger Verbindungsbereich auf dem Halbleitersubstrat entfernt werden. Außerdem haben die Stromversorgungsleitung und die interne Schaltungsverbindung einander gegenüberliegende Bereiche mit einem Raum, der kleiner als der Durchmesser eines Bonddrahtes ist, da­ zwischen. Darum können die Stromversorgungsleitung und die interne Schaltungsverbindung durch Benutzung des Materials des Bonddrahtes im Kontaktierungsschritt zur Kontaktierung des Stromversor­ gungsanschlusses und der Stromversorgungskontaktinsel verbunden wer­ den.
Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren.
Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 schematisch ebene Strukturen entsprechend einer Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2 eine ebene Struktur eines Versorgungsleitungs-Ver­ bindungsbereiches einer Halbleitervorrichtung ent­ sprechend einer ersten Ausführungsform der Erfin­ dung;
Fig. 3 einen Schnitt entlang der Linie X-X in Fig. 2;
Fig. 4 ein Ersatzschaltbild einer internen Schaltung einer Halbleitervorrichtung entsprechend der Erfindung;
Fig. 5 ein Signalwellenformdiagramm, welches die Signal­ wellenformen an entsprechenden Punkten der internen Schaltung aus Fig. 4 zeigt;
Fig. 6 eine ebene Struktur eines Versorgungsleitungs-Ver­ bindungsbereichs einer Halbleitervorrichtung ent­ sprechend einer zweiten Ausführungsform der Erfin­ dung;
Fig. 7 eine ebene Struktur eines Versorgungsleitungs-Ver­ bindungsbereiches einer Halbleitervorrichtung einer dritten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 8 zeigt ebene Strukturen einer Halbleitervorrichtung einer vierten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 9 zeigt ebene Strukturen eines anderen Beispiels ei­ ner Halbleitervorrichtung der vierten Ausführungs­ form;
Fig. 10 zeigt ebene Strukturen einer Halbleitervorrichtung eines Bonding-Option-Typ des Standes der Technik;
Fig. 11 zeigt ebene Strukturen einer Halbleitervorrichtung eines Master-Slice-Typ des Standes der Technik; und
Fig. 12 zeigt ebene Strukturen eines anderen Beispiels ei­ ner Halbleitervorrichtung eines Master-Slice-Typ des Standes der Technik.
Im folgenden wird auf Fig. 1 Bezug genommen. Die Bondinseln 1a und 1b, die auf einer äußeren Oberfläche des IC-Chips 6 ausgebil­ det sind, sind mit einem Anschluß der Vcc-Versorgungsleitung 7 bzw. einem Anschluß der Referenz (GND)-Versorgungsleitung 8 über Bonddrähte 9 verbunden. Andere auf der Oberfläche des IC-Chips 6 ausgebildete Bondinseln und Leitun­ gen sind in den Figuren aus Gründen der Einfachheit nicht darge­ stellt. Auf der Hauptoberfläche des IC-Chips 6 befinden sich die interne Schaltung 2 zur Entscheidung des internen Status genauso wie integrierte Schaltungen 16 und 17 für verschiedene Funktionen. Die mit der Bondinsel 1a verbundene Vcc-Versorgungsleitung 5a und damit die Vcc-Versorgungsleitung 7 ist in die integrierte Schal­ tung 16 geführt und hat ein unterteiltes Ende, welches in den Ver­ sorgungsleitungs-Verbindungsbereich 3 für die interne Schaltung 2 eingeführt ist. Die mit der Bondinsel 1b verbundene Referenz-Ver­ sorgungsleitung 5b und damit GND-Versorgungsleitung 8 wird in die integrierte Schaltung 17 geführt und hat ein unterteiltes Ende, welches in den Versorgungsleitungs-Verbindungsbereich 3 in die interne Schaltung 2 geführt ist. Mit dem Versorgungsleitungs-Ver­ bindungsbereich 3 sind entweder die Vcc-Versorgungsleitung 5a oder die Referenz-Versorgungsleitung 5b und außerdem die Versorgungs­ leitung 4 für die interne Schaltung 2 in Übereinstimmung mit der Spezifikation der Halbleitervorrichtung verbunden, wie später be­ schrieben wird.
Infolge der oben beschriebenen Versorgungsleitungsstrukturen kön­ nen die Vcc-Versorgungsleitung 5a und die Referenz-Versorgungslei­ tung 5b, die in die interne Schaltung 2 geführt sind, durch Ver­ sorgungsleitungen, welche als Versorgungsleitungen in die in­ tegrierten Schaltungen 16 bzw. 17 geführt sind, ohne Benutzung von speziell für die interne Schaltung 2 bestimmten Versorgungsleitun­ gen, ausgebildet werden.
Darum kann in den Fig. 10 gezeigten Strukturen des Standes der Technik der Bereich für die unnötige Bondinsel 1a, die nicht mit der internen Schaltung 2 verbunden ist, und die dazugehörige Stromversorgungsleitung, die von der Bondinsel 1a zu der internen Schaltung 2 führt, entfernt werden. Daraus folgt, daß die Größe des IC-Chips 6 reduziert werden kann.
Nun wird die Struktur des Versorgungsleitungs-Verbindungsbereiches 3 im weiteren beschrieben. Fig. 2 zeigt eine ebene Struktur eines Versorgungsleitungs-Verbindungsbereiches 3 eine Halbleitervorrich­ tung entsprechend einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Die mit der internen Schaltung 2 verbundene Versorgungsleitung 4 hat eine Mehrzahl von kammartigen Enden. Die Vcc-Versorgungsleitung 5a und die Referenz-Versorgungsleitung 5b haben Enden 5c und 5d mit der entsprechenden Form von Kammzacken, welche in die kammartigen Enden der Versorgungsleitung 4 eingreifen. Fig. 3 ist ein Schnitt entlang der Linie X-X in Fig. 2. Unter Bezugnahme auf Fig. 3 ist eines der kammartigen Enden der Versorgungsleitung 4 entweder mit dem kammartigen Ende 5c der Vcc-Versorgungsleitung 5a oder dem kammartigen Ende 5d der Referenz-Versorgungsleitung 5b durch ein aus dem gleichen Material wie der Bonddraht 9 in Fig. 1 gemachtes Verbindungsglied 10 verbunden. Das Verbindungsglied 10 wird durch Bonden des Versorgungsleitungs-Verbindungsbereichs 3, wenn die Leitungen 7 und 8 und die Bondinseln 1a und 1b gebondet werden, ausgebildet. Das Verbindungsglied 10 wird aus dem Bonddraht-Mate­ rial, wie Gold oder Aluminium, gemacht.
Fig. 4 ist ein Schaltbild, das ein Beispiel einer internen Schal­ tung an die entweder die Vcc-Versorgungsleitung 5a oder die Refe­ renz-Versorgungsleitung 5b über den Versorgungsleitungs-Verbin­ dungsbereich 3 angeschlossen ist zeigt. Fig. 5 ist ein Signalwel­ lenformdiagramm, welches die Ausgabesignale an den Punkten A, B, . . ., F in der internen Schaltung 2 und am Ausgabeterminal 12 zeigt. Bezugnehmend auf die Fig. 4 und 5 wird, falls von der Ver­ sorgungsleitung 4 "H" an den Eingabeterminal 13 gelegt wird, ein Signal mit einer, in Fig. 5 "12-H" indizierten Pulswellenform, vom Ausgabeterminal 12 zur Verfügung gestellt. Falls "L" durch das Eingabeterminal 13 angelegt wird, wird ein "12-L" indiziertes Si­ gnal vom Ausgabeterminal 12 zur Verfügung gestellt.
Fig. 6 zeigt eine ebene Struktur eines Versorgungsleitungs-Verbin­ dungsbereiches 3 entsprechend einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. In dieser Ausführungsform ist die mit der internen Schaltung 2 verbundene Versorgungsleitung 4 unterteilt und in Richtung der Vcc-Versorgungsleitung 5a und der Referenz-Versor­ gungsleitung 5c ausgedehnt, so daß die Freiheit beim Layout oder der Anordnung der entsprechenden Verbindungsbereiche verbessert wird.
Des weiteren zeigt Fig. 7 eine ebene Struktur eines Versorgungs­ leitungs-Verbindungsbereiches 3 entsprechend einer dritten Ausfüh­ rungsform der Erfindung. In dieser Ausführungsform sind die Enden der Versorgungsleitung 4 genauso wie das Ende 5b der Stromversor­ gungsleitung 5a und das Ende 5b der Referenz-Versorgungsleitung 5c in Spiralform ausgebildet.
Eine vierte Ausführungsform der Erfindung wird im folgenden be­ schrieben. Die Fig. 8 und 9 zeigen schematisch ebene Strukturen einer Halbleitervorrichtung entsprechend der vierten Ausführungs­ form. In der in Fig. 8 gezeigten Halbleitervorrichtung sind die interne Schaltung 2 und die Vcc-Versorgungsleitung 5a durch ein Element 11 mit hohem Widerstand verbunden. Die Referenz-Versor­ gungsleitung 5b und die interne Schaltung 2 können durch den Ver­ sorgungsleitungs-Verbindungsbereich 3 verbunden werden. Falls das Ende der Referenz-Versorgungsleitung 5b mit dem Ende der sich von der internen Schaltung 2 erstreckenden Versorgungsleitung 4 ver­ bunden wird, wird ein "L"-Signal an die interne Schaltung 2 ange­ legt. Falls nicht verbunden, legt die Vcc-Versorgungsleitung 5a ein "H"-Signal an. Das in Fig. 9 gezeigte Beispiel führt den, zu dem in Fig. 8 gezeigten gegensätzlichen, Fall aus.
In den oben beschriebenen Ausführungsformen haben die Versorgungs­ leitungen und der Versorgungsleitungs-Verbindungsbereich 3 zwi­ schen den Versorgungsleitungen 5a und 5b und der internen Schal­ tung 2 kammähnliche Formen oder Spiralformen, aber sie können auch jedwede andere Form aufweisen, vorausgesetzt, daß die Enden der Versorgungsleitungen einander in der Weise benachbart sein können, daß zwischen ihnen ein vorbestimmter Raum, der kleiner als die Weite des Verbindungsbereiches eines Bonddrahtes ist.
Bei den vorhergehenden Ausführungsformen wurde die Beschreibung für den Fall, daß die Verbindungsstrukturen selektiv in Überein­ stimmung mit den verschiedenen Spezifikationen, die an diesen ei­ nen IC-Chip gestellt werden, ausgebildet werden, gemacht. Jedoch können diese Verbindungsstrukturen auch zur Konstruktion einer Versorgungsleitung oder Verbindung, die mit einer Schaltung ver­ bunden ist, die zum Beispiel im Herstellungsprozeß benutzt wird und während des Gebrauches des Produktes nicht benutzt wird, ver­ wendet werden.
Entsprechend den Ausführungsformen, wie oben beschrieben, sind die interne Schaltung zur Bestimmung des internen Status und der Ver­ bindungsbereich für die Stromversorgungsleitung, der nahe der in­ ternen Schaltung zur Bestimmung des internen Status angeordnet ist, vorgesehen, und die Verbindung und die Nicht-Verbindung zwi­ schen der internen Schaltung und der Versorgungsleitung wird in Übereinstimmung mit der Spezifikation der Halbleitervorrichtung ausgewählt. Darum benötigt die mit der internen Schaltung zur Ent­ scheidung des internen Status verbundene Stromversorgungsleitung keine dafür bestimmte Versorgungsleitung. Daher kann der Raum für die dafür vorgesehene Stromversorgungsleitung, die nicht ange­ schlossen ist, entfernt werden, was die Reduzierung der Fläche des IC-Chips ermöglicht.

Claims (10)

1. Halbleitervorrichtung mit
einer integrierten Schaltung (16, 17) zum Ausführen einer Funktion,
einer Stromversorgungsleitung (5a, 5b), die ein vorbestimmtes Potential empfängt und mit der die integrierte Schaltung (16, 17) verbunden ist,
einer internen Schaltung (2) zur Entscheidung der Spezifikation der Halbleitervorrichtung oder zum Unterbinden des Gebrauchs einer in der Halbleitervorrichtung ausgebildeten Schaltung, und
einer Versorgungsleitung (4) der internen Schaltung, die mit der internen Schaltung (2) verbunden ist, wobei die Versorgungsleitung (4) für die interne Schaltung (2) einen Bereich (3) aufweist, der einem vorbestimmten Bereich der Stromversorgungsleitung (5a, 5b) mit einem vorbestimmten Raum dazwischen gegenüberliegt und
der vorbestimmte Raum schmaler als der Durchmesser eines Stromversorgungsdrahtes (9) im Verbindungsbereich zwischen dem Stromversorgungsdraht (9) und einer Stromversorgungskontaktinsel (1a, 1b) ist.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 mit
einem Halbleitersubstrat mit einer Hauptoberfläche;
einem dem Halbleitersubstrat gegenüberliegenden Stromversorgungsanschluß (7, 8), der das vorbestimmte elektrische Potential empfängt;
der Stromversorgungskontaktinsel (1a, 1b), die auf der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates ausgebildet ist;
dem Stromversorgungsdraht (9), der mit der Stromversorgungskontaktinsel (1a, 1b) und dem Stromversorgungsanschluß (7, 8) verbunden ist;
wobei die Stromversorgungsleitung (5a, 5b) auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet und elektrisch mit der Stromversorgungskontaktinsel (1a, 1b) verbunden ist; und
die integrierte Schaltung (16, 17), die interne Schaltung (2),
und die Versorgungsleitung (4) der internen Schaltung, die mit der internen Schaltung (2) verbunden ist, auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind.
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Versorgungsleitung (4) der internen Schaltung und die Stromversorgungsleitung (5a, 5b) sich linear erstreckende Versorgungsleitungs- Verbindungsbereiche (3) aufweisen, welche einander mit einem Raum dazwischen, der kleiner als der Durchmesser des Stromversorgungsdrahtes (9) im Verbindungsbereich zwischen dem Stromversorgungsdraht (9) und der Stromversorgungskontaktinsel (1a, 1b) ist, gegenüberliegen.
4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Versorgungsleitung (4) der internen Schaltung und die Strom­ versorgungsleitung (5a, 5b) Versorgungsleitungs-Verbindungsberei­ che (3), jeweils in der Form der Zacken eines Kammes, aufweisen, und die Zacken der Versorgungsleitungs-Verbindungsbereiche (3) einander gegenüberliegen und so einander angepaßt sind, daß dazwi­ schen Räume, die kleiner als der Durchmesser des Stromversorgungs­ drahtes (9) im Verbindungsbereich zwischen dem Stromversorgungsdraht (9) und der Stromversorgungskontaktinsel (1a, 1b) sind, liegen.
5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Versorgungsleitung (4) der internen Schaltung und die Strom­ versorgungsleitung (5a, 5b) Versorgungsleitungs-Verbindungsberei­ che (3), jeweils in Spiralform, aufweisen, und die Spiralen der Versorgungsleitungs-Verbindungsbereiche (3) einander gegenüberlie­ gen und so einander angepaßt sind, daß der Raum dazwischen kleiner als der Durchmesser des Stromversorgungsdrahtes (9) im Verbindungsbereich zwischen dem Stromversorgungsdraht (9) und der Stromversorgungskontaktinsel (1a, 1b) ist.
6. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da­ durch gekennzeichnet, daß die Stromversorgungsleitung (5a, 5b) eine erste Stromversorgungs­ leitung (5a) und eine zweite Stromversorgungsleitung (5b) umfaßt, und daß die integrierte Schaltung (16, 17) mit mindestens der ersten oder der zweiten Stromversorgungs­ leitung (5a, 5b) verbunden ist.
7. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Stromversorgungsleitung (5a, 5b) eine erste Stromversorgungs­ leitung (5a) und eine zweite Stromversorgungsleitung (5b) umfaßt, und daß mindestens eine der ersten und zweiten Stromversorgungs­ leitungen (5a, 5b) einen Versorgungsleitungs-Verbindungsbereich (3) aufweist, welcher dem Verbindungsbereich (3) der Versorgungs­ leitung (4) der internen Schaltung mit dem vorbestimmten Raum dazwischen gegenüberliegt.
8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeich­ net, daß die erste Stromversorgungsleitung (5a) und die Versorgungsleitung (4) der internen Schaltung über einen Widerstand mit einem vorbe­ stimmten Widerstandswert verbunden sind, und daß die zweite Strom­ versorgungsleitung (5b) einen Versorgungsleitungs-Verbindungsbe­ reich (3) aufweist, der dem Versorgungsleitungs-Verbindungsbereich (3) der Versorgungsleitung (4) der internen Schaltung mit dem vorbestimmten Raum dazwischen gegenüberliegt.
9. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Stromversorgungsleitung (5a, 5b) Ver­ sorgungsleitungs-Verbindungsbereiche (3) aufweisen, welche einem vorbestimmten Bereich der Versorgungsleitung (4) der internen Schaltung mit den vorbestimmten Räumen dazwischen gegenüberliegen.
10. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 6-9, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die erste Stromversorgungsleitung (5a) eine Vcc-Versorgungsspan­ nung empfängt, und die zweite Stromversorgungsleitung (5b) ein elektrisches Referenz-Potential empfängt.
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