JPH05266437A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH05266437A JPH05266437A JP6006692A JP6006692A JPH05266437A JP H05266437 A JPH05266437 A JP H05266437A JP 6006692 A JP6006692 A JP 6006692A JP 6006692 A JP6006692 A JP 6006692A JP H05266437 A JPH05266437 A JP H05266437A
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- magnetoresistive effect
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気抵抗効果型ヘッドに関し、磁気抵抗効果素
子と磁気シールド層との間の絶縁性を確保し、ビット方
向の分解能を向上させることを目的とする。 【構成】２つの金属強磁性材で形成した磁気シールド層
１，１′の間に、絶縁層２，２′を介して磁気抵抗効果
素子３を配置した磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記
少なくとも一方の磁気シールド層１の磁気抵抗効果素子
３側の表面に絶縁性磁性層４を配置した磁気抵抗効果型
ヘッド。
子と磁気シールド層との間の絶縁性を確保し、ビット方
向の分解能を向上させることを目的とする。 【構成】２つの金属強磁性材で形成した磁気シールド層
１，１′の間に、絶縁層２，２′を介して磁気抵抗効果
素子３を配置した磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記
少なくとも一方の磁気シールド層１の磁気抵抗効果素子
３側の表面に絶縁性磁性層４を配置した磁気抵抗効果型
ヘッド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえばコンピュー
タの外部記憶装置として利用される磁気ディスク装置あ
るいは磁気テ−プ装置などに用いられる磁気抵抗効果型
ヘッドに関するものである。
タの外部記憶装置として利用される磁気ディスク装置あ
るいは磁気テ−プ装置などに用いられる磁気抵抗効果型
ヘッドに関するものである。
【０００２】近年、コンピュータの外部記憶装置である
磁気記憶装置の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドが要
求されている。この要求を満足させるものとして、磁気
記録媒体の速度に依存せず、小径の磁気ディスクに対し
ても利用でき、高い出力が得られる磁気抵抗効果型ヘッ
ドが注目されている。
磁気記憶装置の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドが要
求されている。この要求を満足させるものとして、磁気
記録媒体の速度に依存せず、小径の磁気ディスクに対し
ても利用でき、高い出力が得られる磁気抵抗効果型ヘッ
ドが注目されている。
【０００３】
【従来の技術】一般に磁気抵抗効果型ヘッドは、図２の
（Ａ）に示すような構造である。すなわち、２１は矩形
状の磁気抵抗効果素子で、図２の（Ｂ）に破線矢印で示
すように、その長手方向（図２の（Ａ）におけるｙ軸方
向）に磁化方向が一致するように矩形に形成されてい
る。
（Ａ）に示すような構造である。すなわち、２１は矩形
状の磁気抵抗効果素子で、図２の（Ｂ）に破線矢印で示
すように、その長手方向（図２の（Ａ）におけるｙ軸方
向）に磁化方向が一致するように矩形に形成されてい
る。
【０００４】磁気抵抗効果素子２１にセンス電流Ｉを流
すために、磁気抵抗効果素子２１の長手方向に対して所
定幅（磁気ディスクのトラック幅に相当）で切除され
て、磁気抵抗効果素子２１の両端部に金などの引き出し
導電体２２，２２′が接続され、この引き出し導電体２
２，２２′の間の磁気抵抗効果素子２１の部分が信号検
知領域２１ａとなっている。前記磁気抵抗効果素子２１
および引き出し導電体２２，２２′は、非磁性絶縁層２
３（図３参照）を介して金属強磁性材の磁気シールド層
２４，２４′の間（再生ギャップに相当）に配置されて
いる。
すために、磁気抵抗効果素子２１の長手方向に対して所
定幅（磁気ディスクのトラック幅に相当）で切除され
て、磁気抵抗効果素子２１の両端部に金などの引き出し
導電体２２，２２′が接続され、この引き出し導電体２
２，２２′の間の磁気抵抗効果素子２１の部分が信号検
知領域２１ａとなっている。前記磁気抵抗効果素子２１
および引き出し導電体２２，２２′は、非磁性絶縁層２
３（図３参照）を介して金属強磁性材の磁気シールド層
２４，２４′の間（再生ギャップに相当）に配置されて
いる。
【０００５】そして、この引き出し導電体２２，２２′
を介して磁気抵抗効果素子２１にセンス電流Ｉを流し、
この信号検知領域２１ａに図２の（Ａ）において磁気抵
抗効果素子２１の下方をｘ方向に移動する磁気記録媒体
（図示しない）から信号磁界が入ると、この信号検知領
域２１ａの部分の電気抵抗が変化し、磁気抵抗効果素子
２１の両端の電圧が変化する。この電圧変化を磁気記録
媒体からの信号出力として検出する。
を介して磁気抵抗効果素子２１にセンス電流Ｉを流し、
この信号検知領域２１ａに図２の（Ａ）において磁気抵
抗効果素子２１の下方をｘ方向に移動する磁気記録媒体
（図示しない）から信号磁界が入ると、この信号検知領
域２１ａの部分の電気抵抗が変化し、磁気抵抗効果素子
２１の両端の電圧が変化する。この電圧変化を磁気記録
媒体からの信号出力として検出する。
【０００６】磁気記録媒体すなわち磁気テープや磁気デ
ィスクに記録された磁気記録情報を前記のような磁気抵
抗効果型ヘッドを用いて再生するためには、図２の
（Ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子２１に流すセン
ス電流Ｉと磁気抵抗効果素子２１の磁化方向のなす角度
θ（磁気バイアス角度）を実線で示すように４５度程度
傾けて、磁気抵抗効果素子の線型性および再生効率を向
上させる必要がある。磁気抵抗効果素子の磁化を傾ける
ことを磁気バイアス（磁気バイアス法）と呼ぶ。
ィスクに記録された磁気記録情報を前記のような磁気抵
抗効果型ヘッドを用いて再生するためには、図２の
（Ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子２１に流すセン
ス電流Ｉと磁気抵抗効果素子２１の磁化方向のなす角度
θ（磁気バイアス角度）を実線で示すように４５度程度
傾けて、磁気抵抗効果素子の線型性および再生効率を向
上させる必要がある。磁気抵抗効果素子の磁化を傾ける
ことを磁気バイアス（磁気バイアス法）と呼ぶ。
【０００７】前記磁気バイアス法にはさまざまな方法が
考えられるが、その一例を図３によって説明する。ま
ず、図３の（Ａ）に示すように、磁気抵抗効果素子２１
にセンス電流Ｉが、紙面に垂直に手前から向こうに流れ
ると、この磁気抵抗効果素子２１の回りに矢印で示す方
向の磁界Ｈ1 が生じ、金属強磁性材の磁気シールド層２
４，２４′は太い矢印で示す方向に磁化される。
考えられるが、その一例を図３によって説明する。ま
ず、図３の（Ａ）に示すように、磁気抵抗効果素子２１
にセンス電流Ｉが、紙面に垂直に手前から向こうに流れ
ると、この磁気抵抗効果素子２１の回りに矢印で示す方
向の磁界Ｈ1 が生じ、金属強磁性材の磁気シールド層２
４，２４′は太い矢印で示す方向に磁化される。
【０００８】そうすると図３の（Ｂ）において矢印で示
すように、この磁気シールド層２４，２４′の磁化によ
って発生する、互いに反対方向の磁界Ｈ2 ，Ｈ3 が磁気
抵抗効果素子２１に印加される。ここで磁気抵抗効果素
子２１と磁気シールド層２４，２４′間の距離Ｇ1 ，Ｇ
2 が等しくないか、または前記距離Ｇ1 ，Ｇ2 が等しく
ても磁気シールド層２４，２４′の透磁率および飽和磁
束密度が等しくなければ、一方の磁気シールド層からの
磁界が他方の磁気シールド層からの磁界に打ち勝ち、磁
気抵抗効果素子２１に磁気抵抗効果素子が本来有してい
る磁化方向を傾ける磁気バイアスがかかる。
すように、この磁気シールド層２４，２４′の磁化によ
って発生する、互いに反対方向の磁界Ｈ2 ，Ｈ3 が磁気
抵抗効果素子２１に印加される。ここで磁気抵抗効果素
子２１と磁気シールド層２４，２４′間の距離Ｇ1 ，Ｇ
2 が等しくないか、または前記距離Ｇ1 ，Ｇ2 が等しく
ても磁気シールド層２４，２４′の透磁率および飽和磁
束密度が等しくなければ、一方の磁気シールド層からの
磁界が他方の磁気シールド層からの磁界に打ち勝ち、磁
気抵抗効果素子２１に磁気抵抗効果素子が本来有してい
る磁化方向を傾ける磁気バイアスがかかる。
【０００９】この種の磁気抵抗効果型ヘッドの先行技術
としては、特開昭６２−１０７４２２号公報に、図４に
示すように開示されている。この磁気抵抗効果型ヘッド
の構造において、７，８はNi-Zn フェライトなどの磁性
体、９はCo-Mo-Zrなどの非晶質磁性体やパーマロイ、セ
ンダストなどの結晶性磁性体、１０はAl2O3 などの絶縁
体、１１は磁気抵抗効果素子、１２は磁気バイアス用導
電体、１３はガラスあるいは有機物絶縁体、１４はCo-M
o-Zrなどの非晶質磁性体やパーマロイ、センダストなど
の結晶性磁性体である。また、前記磁気抵抗効果素子１
１の配置は、前記非晶質磁性体や結晶性磁性体９，１４
による磁気バイアス効果を上げるために、非晶質磁性体
や結晶性磁性体９，１４の中央からずらし、どちらかの
非晶質磁性体や結晶性磁性体に近づけて配置していた。
としては、特開昭６２−１０７４２２号公報に、図４に
示すように開示されている。この磁気抵抗効果型ヘッド
の構造において、７，８はNi-Zn フェライトなどの磁性
体、９はCo-Mo-Zrなどの非晶質磁性体やパーマロイ、セ
ンダストなどの結晶性磁性体、１０はAl2O3 などの絶縁
体、１１は磁気抵抗効果素子、１２は磁気バイアス用導
電体、１３はガラスあるいは有機物絶縁体、１４はCo-M
o-Zrなどの非晶質磁性体やパーマロイ、センダストなど
の結晶性磁性体である。また、前記磁気抵抗効果素子１
１の配置は、前記非晶質磁性体や結晶性磁性体９，１４
による磁気バイアス効果を上げるために、非晶質磁性体
や結晶性磁性体９，１４の中央からずらし、どちらかの
非晶質磁性体や結晶性磁性体に近づけて配置していた。
【００１０】また、他の磁気抵抗効果型ヘッドの先行技
術としては、図５に示すように、スライダー兼磁気シー
ルド層３１として、Ni-Zn フェライト基板を用い、Al2O
3,SiO2などの絶縁層３２，３２′で磁気抵抗効果素子３
３を挟み、これらの両側にスライダー兼磁気シールド層
３１と高透磁率強磁性材の磁気シールド層３１′とを配
置する構成をとっていた。なお、３４は磁気抵抗効果素
子３３にセンス電流を流すための引き出し導電体であ
る。
術としては、図５に示すように、スライダー兼磁気シー
ルド層３１として、Ni-Zn フェライト基板を用い、Al2O
3,SiO2などの絶縁層３２，３２′で磁気抵抗効果素子３
３を挟み、これらの両側にスライダー兼磁気シールド層
３１と高透磁率強磁性材の磁気シールド層３１′とを配
置する構成をとっていた。なお、３４は磁気抵抗効果素
子３３にセンス電流を流すための引き出し導電体であ
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】前記図４に示したよう
な磁気抵抗効果型ヘッドでは、前記非晶質磁性体や結晶
性磁性体９，１４が導電性であるため、再生出力の分解
能を向上させようとして、非晶質磁性体や結晶性磁性体
９，１４の間隔を狭くすると、磁気抵抗効果素子１１と
非晶質磁性体や結晶性磁性体９，１４の距離が近すぎる
ために、絶縁が確保できなくなる、という問題点があっ
た。
な磁気抵抗効果型ヘッドでは、前記非晶質磁性体や結晶
性磁性体９，１４が導電性であるため、再生出力の分解
能を向上させようとして、非晶質磁性体や結晶性磁性体
９，１４の間隔を狭くすると、磁気抵抗効果素子１１と
非晶質磁性体や結晶性磁性体９，１４の距離が近すぎる
ために、絶縁が確保できなくなる、という問題点があっ
た。
【００１２】また、前記図５に示すようにスライダー兼
磁気シールド層３１としてNi-Zn フェライト基板を用い
た場合は、スライダーの加工時の加工歪みが原因で、Ni
-Znフェライトの透磁率が低下してしまう。このため、
図６に示すように、再生波形のNi-Zn フェライト側に裾
引きが生じ、ビット方向の分解能が減少してしまう、と
いう問題点があった。この発明は、前記のような問題点
をなくし、磁気抵抗効果素子と磁気シールド層との間の
絶縁性を確保し、かつ、ビット方向の分解能を向上させ
ることを目的とする。
磁気シールド層３１としてNi-Zn フェライト基板を用い
た場合は、スライダーの加工時の加工歪みが原因で、Ni
-Znフェライトの透磁率が低下してしまう。このため、
図６に示すように、再生波形のNi-Zn フェライト側に裾
引きが生じ、ビット方向の分解能が減少してしまう、と
いう問題点があった。この発明は、前記のような問題点
をなくし、磁気抵抗効果素子と磁気シールド層との間の
絶縁性を確保し、かつ、ビット方向の分解能を向上させ
ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記目的を
達成するために、図１に示すように、２つの金属強磁性
材で形成した磁気シールド層１，１′の間に、絶縁層
２，２′を介して磁気抵抗効果素子３を配置した磁気抵
抗効果型ヘッドにおいて、前記少なくとも一方の磁気シ
ールド層１の磁気抵抗効果素子３側の表面に、絶縁性磁
性層４を配置した磁気抵抗効果型ヘッドとしたものであ
る。
達成するために、図１に示すように、２つの金属強磁性
材で形成した磁気シールド層１，１′の間に、絶縁層
２，２′を介して磁気抵抗効果素子３を配置した磁気抵
抗効果型ヘッドにおいて、前記少なくとも一方の磁気シ
ールド層１の磁気抵抗効果素子３側の表面に、絶縁性磁
性層４を配置した磁気抵抗効果型ヘッドとしたものであ
る。
【００１４】
【作用】この発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、前記少な
くとも一方の磁気シールド層１の磁気抵抗効果素子３側
の表面に、絶縁性磁性層４を配置したので、磁気シール
ド層１と磁気抵抗効果素子３との間の絶縁性を確保で
き、かつ、この絶縁性磁性層４は、スライダーの加工が
行われる側にないので、その透磁率の劣化を防止できる
ため、ビット方向の分解能を向上させることが可能とな
る。
くとも一方の磁気シールド層１の磁気抵抗効果素子３側
の表面に、絶縁性磁性層４を配置したので、磁気シール
ド層１と磁気抵抗効果素子３との間の絶縁性を確保で
き、かつ、この絶縁性磁性層４は、スライダーの加工が
行われる側にないので、その透磁率の劣化を防止できる
ため、ビット方向の分解能を向上させることが可能とな
る。
【００１５】
【実施例】図１はこの発明の磁気抵抗効果型ヘッドの実
施例を示し、２つの金属強磁性材で形成した磁気シール
ド層１，１′の間に、絶縁層２，２′を介して磁気抵抗
効果素子３を配置した磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
前記少なくとも一方の磁気シールド層１の磁気抵抗効果
素子３側の表面に、絶縁性磁性層４を配置した磁気抵抗
効果型ヘッドとしたものである。
施例を示し、２つの金属強磁性材で形成した磁気シール
ド層１，１′の間に、絶縁層２，２′を介して磁気抵抗
効果素子３を配置した磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
前記少なくとも一方の磁気シールド層１の磁気抵抗効果
素子３側の表面に、絶縁性磁性層４を配置した磁気抵抗
効果型ヘッドとしたものである。
【００１６】さらに、このような磁気抵抗効果型ヘッド
の製法を詳しく説明すると、Al2O3−TiC 基板５の上
に、高周波スパッタリング法によって順次、金属強磁性
材であるNiFe材により下部の磁気シールド層１を形成
し、その上に絶縁性のNiZnフェライト材により絶縁性磁
性層４を形成し、その上にAl2O3 材などの絶縁層２を形
成し、その上に磁気抵抗効果素子３を形成し、その上に
金などの引き出し導電体６を形成し、その上にAl2O3 材
などの絶縁層２′を形成し、その上に前記下部の磁気シ
ールド層１と透磁率が等しい金属強磁性材であるNiFe材
により上部の磁気シールド層１′を形成して、磁気抵抗
効果型ヘッドを構成する。
の製法を詳しく説明すると、Al2O3−TiC 基板５の上
に、高周波スパッタリング法によって順次、金属強磁性
材であるNiFe材により下部の磁気シールド層１を形成
し、その上に絶縁性のNiZnフェライト材により絶縁性磁
性層４を形成し、その上にAl2O3 材などの絶縁層２を形
成し、その上に磁気抵抗効果素子３を形成し、その上に
金などの引き出し導電体６を形成し、その上にAl2O3 材
などの絶縁層２′を形成し、その上に前記下部の磁気シ
ールド層１と透磁率が等しい金属強磁性材であるNiFe材
により上部の磁気シールド層１′を形成して、磁気抵抗
効果型ヘッドを構成する。
【００１７】なお、他の実施例としては、図示しない
が、上部の磁気シールド層１′の磁気抵抗効果素子３側
の表面にも絶縁性磁性層を配置した構成とすることもで
きる。また、前記磁気シールド層１の磁気抵抗効果素子
３側の表面に、絶縁性のNiZnフェライト材で絶縁性磁性
層４を形成することにより、前記実施例のように、この
絶縁性磁性層４の上に形成した前記Al2O3 材などの絶縁
層２を無くすこともできる。
が、上部の磁気シールド層１′の磁気抵抗効果素子３側
の表面にも絶縁性磁性層を配置した構成とすることもで
きる。また、前記磁気シールド層１の磁気抵抗効果素子
３側の表面に、絶縁性のNiZnフェライト材で絶縁性磁性
層４を形成することにより、前記実施例のように、この
絶縁性磁性層４の上に形成した前記Al2O3 材などの絶縁
層２を無くすこともできる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の磁気抵
抗効果型ヘッドは、２つの金属強磁性材で形成した磁気
シールド層の間に、絶縁層を介して磁気抵抗効果素子を
配置した磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記少なくと
も一方の磁気シールド層の磁気抵抗効果素子側の表面
に、絶縁性磁性層を配置して構成したので、磁気抵抗効
果素子と磁気シールド層との間の絶縁性を確保し、か
つ、ビット方向の分解能を向上させることが可能とな
る。これにより、高性能な磁気抵抗効果型ヘッドを提供
し、磁気ディスク装置の大容量化に寄与するところが大
きい。
抗効果型ヘッドは、２つの金属強磁性材で形成した磁気
シールド層の間に、絶縁層を介して磁気抵抗効果素子を
配置した磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記少なくと
も一方の磁気シールド層の磁気抵抗効果素子側の表面
に、絶縁性磁性層を配置して構成したので、磁気抵抗効
果素子と磁気シールド層との間の絶縁性を確保し、か
つ、ビット方向の分解能を向上させることが可能とな
る。これにより、高性能な磁気抵抗効果型ヘッドを提供
し、磁気ディスク装置の大容量化に寄与するところが大
きい。
【図１】この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの実施例を示
す図である。
す図である。
【図２】従来一般の磁気抵抗効果型ヘッドの構造の概略
図である。
図である。
【図３】磁気抵抗効果型ヘッドの磁気バイアスの説明図
である。
である。
【図４】先行技術の磁気抵抗効果型ヘッドの構造の概略
図である。
図である。
【図５】他の先行技術の磁気抵抗効果型ヘッドの構造の
概略図である。
概略図である。
【図６】磁気抵抗効果型ヘッドの先行技術の問題点の説
明図である。
明図である。
１ 磁気シールド層 １′ 磁気シールド層 ２ 絶縁層 ２′ 絶縁層 ３ 磁気抵抗効果素子 ４ 絶縁性磁性層 ５ Al2O3 −TiC 基板 ６ 引き出し導電体 ７ Ni-Zn フェライトなどの磁性体 ８ Ni-Zn フェライトなどの磁性体 ９ 非晶質磁性体や結晶性磁性体 １０ Al2O3 などの絶縁体 １１ 磁気抵抗効果素子 １２ 磁気バイアス用導電体 １３ ガラスあるいは有機物絶縁体 １４ 非晶質磁性体や結晶性磁性体 ２１ 磁気抵抗効果素子 ２１ａ 信号検知領域 ２２ 引き出し導電体 ２２′ 引き出し導電体 ２３ 非磁性絶縁層 ２４ 磁気シールド層 ２４′ 磁気シールド層 ３１ スライダー兼磁気シールド層 ３１′ 磁気シールド層 ３２ 絶縁層 ３２′ 絶縁層 ３３ 磁気抵抗効果素子 ３４ 引き出し導電体
Claims (1)
- 【請求項１】２つの金属強磁性材で形成した磁気シール
ド層（１），（１′）の間に、絶縁層（２），（２′）
を介して磁気抵抗効果素子（３）を配置した磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、 前記少なくとも一方の磁気シールド層（１）の磁気抵抗
効果素子（３）側の表面に、絶縁性磁性層（４）を配置
したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6006692A JPH05266437A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6006692A JPH05266437A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05266437A true JPH05266437A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13131344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6006692A Withdrawn JPH05266437A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05266437A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6501626B1 (en) | 2000-05-03 | 2002-12-31 | International Business Machines Corporation | Read head with a combined second read gap and pinning layer for a top spin valve sensor |
| US6693774B2 (en) | 2000-03-13 | 2004-02-17 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive sensor and magnetic storage apparatus |
| US6870718B2 (en) | 2000-07-06 | 2005-03-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive sensor including magnetic domain control layers having high electric resistivity |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP6006692A patent/JPH05266437A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693774B2 (en) | 2000-03-13 | 2004-02-17 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive sensor and magnetic storage apparatus |
| US6501626B1 (en) | 2000-05-03 | 2002-12-31 | International Business Machines Corporation | Read head with a combined second read gap and pinning layer for a top spin valve sensor |
| US6870718B2 (en) | 2000-07-06 | 2005-03-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive sensor including magnetic domain control layers having high electric resistivity |
| US6947316B2 (en) | 2000-07-06 | 2005-09-20 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive sensor including magnetic domain control layers having high electric resistivity, magnetic head and magnetic disk apparatus |
| US7072155B2 (en) | 2000-07-06 | 2006-07-04 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetoresistive sensor including magnetic domain control layers having high electric resistivity, magnetic head and magnetic disk apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |