JPH0441415B2 - - Google Patents
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- JPH0441415B2 JPH0441415B2 JP2227585A JP2227585A JPH0441415B2 JP H0441415 B2 JPH0441415 B2 JP H0441415B2 JP 2227585 A JP2227585 A JP 2227585A JP 2227585 A JP2227585 A JP 2227585A JP H0441415 B2 JPH0441415 B2 JP H0441415B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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-
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- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気記録媒体に記録された信号磁化
の再生に好適な磁気抵抗効果（MR）型の薄膜磁
気ヘツドに関する。
の再生に好適な磁気抵抗効果（MR）型の薄膜磁
気ヘツドに関する。
従来の技術
磁気記録媒体に記録された信号をヘツドと記録
媒体との相対速度が遅くても高能率に再生可能な
狭トラツク幅のMRヘツドが提案されている（特
願昭58−198201号明細書および図面）。
媒体との相対速度が遅くても高能率に再生可能な
狭トラツク幅のMRヘツドが提案されている（特
願昭58−198201号明細書および図面）。
この磁気ヘツドは垂直磁化再生に用いられるも
のであり、第３図、第４図（断面図）に示すよう
にフエライトなどの強磁性基板１の表面に切り欠
き溝２が設けられ、その中に導電体３を埋込んで
非磁性材４が充填されている。この上に絶縁膜５
を介してパーマロイなどの強磁性膜６が形成され
ている。さらに非磁性絶縁膜７を介してパーマロ
イなどの強磁性膜が形成され、MR素子８とな
る。MR素子８の磁気記録媒体１３に垂直方向の
両端に電極１０，１１が絶縁膜９をはさんで形成
されている。MR素子８の上端は基板１の切り欠
き溝２の上部１２と重なりをもつて配されてお
り、他端は強磁性膜６の上端と重なりをもつて配
されている。
のであり、第３図、第４図（断面図）に示すよう
にフエライトなどの強磁性基板１の表面に切り欠
き溝２が設けられ、その中に導電体３を埋込んで
非磁性材４が充填されている。この上に絶縁膜５
を介してパーマロイなどの強磁性膜６が形成され
ている。さらに非磁性絶縁膜７を介してパーマロ
イなどの強磁性膜が形成され、MR素子８とな
る。MR素子８の磁気記録媒体１３に垂直方向の
両端に電極１０，１１が絶縁膜９をはさんで形成
されている。MR素子８の上端は基板１の切り欠
き溝２の上部１２と重なりをもつて配されてお
り、他端は強磁性膜６の上端と重なりをもつて配
されている。
この磁気ヘツドにおいては、磁気記録媒体１３
の垂直磁化膜１４に記録された信号磁化によつて
発生した磁束は強磁性膜６の下端部に導かれ、強
磁性膜６を通り、MR素子８を通り、切り欠き溝
２の上部１２を通り、基板１を通り、磁気記録媒
体との当接面１６に導かれ、磁気記録媒体の強磁
性膜１５を通り、垂直磁化膜に戻る。この信号磁
束は上記のような閉磁路を通るため、MR素子の
みの単体型MRヘツドにおける素子幅損失が無
い。また、MR素子８の上下端に電極を有する構
造であるため、電極幅の大きさまでトラツク幅を
狭くすることが可能である。
の垂直磁化膜１４に記録された信号磁化によつて
発生した磁束は強磁性膜６の下端部に導かれ、強
磁性膜６を通り、MR素子８を通り、切り欠き溝
２の上部１２を通り、基板１を通り、磁気記録媒
体との当接面１６に導かれ、磁気記録媒体の強磁
性膜１５を通り、垂直磁化膜に戻る。この信号磁
束は上記のような閉磁路を通るため、MR素子の
みの単体型MRヘツドにおける素子幅損失が無
い。また、MR素子８の上下端に電極を有する構
造であるため、電極幅の大きさまでトラツク幅を
狭くすることが可能である。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の磁気ヘツドでは、MR素子８
はトラツク幅方向が磁化容易方向となるように形
成され、導線３にバイアス電流を流してMR素子
８内の磁化の方向を略45°の方向に向けておき、
信号磁束の変化により磁化の方向は45°方向を中
心にして変化する。このとき生じる抵抗変化を検
出している。
はトラツク幅方向が磁化容易方向となるように形
成され、導線３にバイアス電流を流してMR素子
８内の磁化の方向を略45°の方向に向けておき、
信号磁束の変化により磁化の方向は45°方向を中
心にして変化する。このとき生じる抵抗変化を検
出している。
トラツク幅を狭くしていくとMR素子８の形状
は、トラツク幅Ｗとトラツク幅に垂直方向の長さ
Ｌとの比Ｗ／Ｌが小さくなつていく。その場合、
第５図に示すようにMR素子８内の磁区構造は、
静磁エネルギーを低下させるために還流磁区を形
成する。三角磁区部分１７の磁化の方向は信号磁
束の方向１８と平行であるため抵抗変化への寄与
はない。Ｗ／Ｌが小さくなるにつれて三角磁区部
分の割合が増え、効率が低下する。また、磁壁の
移動にともなうバルクハウゼン効果によつてノイ
ズが増大する。
は、トラツク幅Ｗとトラツク幅に垂直方向の長さ
Ｌとの比Ｗ／Ｌが小さくなつていく。その場合、
第５図に示すようにMR素子８内の磁区構造は、
静磁エネルギーを低下させるために還流磁区を形
成する。三角磁区部分１７の磁化の方向は信号磁
束の方向１８と平行であるため抵抗変化への寄与
はない。Ｗ／Ｌが小さくなるにつれて三角磁区部
分の割合が増え、効率が低下する。また、磁壁の
移動にともなうバルクハウゼン効果によつてノイ
ズが増大する。
本発明は上記点に鑑みてなされたもので、狭ト
ラツク化した場合でも効率の低下が少なく、ノイ
ズの少ないMRヘツドを提供することを目的とし
ている。
ラツク化した場合でも効率の低下が少なく、ノイ
ズの少ないMRヘツドを提供することを目的とし
ている。
問題点を解決するための手段
本発明の上記問題点を解決するための手段は、
切り欠き溝を有する強磁性基板の垂直面に絶縁膜
を設け、その絶縁膜上で磁気記録媒体に対向する
面に強磁性薄膜からなる主磁極を設け、その主磁
極の垂直面上に絶縁膜を設け、その絶縁膜上に他
の絶縁膜を介して一組の強磁性薄膜とその強磁性
薄膜の一枚に垂直方向に電流を流す一組の電極と
からなる磁気抵抗効果素子を設け、その磁気抵抗
効果素子の上端の一部は上記強磁性基板と重な
り、下端の一部は上記主磁極と重なる構成とし、
上記切り欠き溝内に導電体を設け、かつ非磁性材
を充填した構成とする。
切り欠き溝を有する強磁性基板の垂直面に絶縁膜
を設け、その絶縁膜上で磁気記録媒体に対向する
面に強磁性薄膜からなる主磁極を設け、その主磁
極の垂直面上に絶縁膜を設け、その絶縁膜上に他
の絶縁膜を介して一組の強磁性薄膜とその強磁性
薄膜の一枚に垂直方向に電流を流す一組の電極と
からなる磁気抵抗効果素子を設け、その磁気抵抗
効果素子の上端の一部は上記強磁性基板と重な
り、下端の一部は上記主磁極と重なる構成とし、
上記切り欠き溝内に導電体を設け、かつ非磁性材
を充填した構成とする。
作 用
本発明によれば、狭トラツク化し、Ｗ／Ｌが小
さくなつてもMR素子を構成する２枚の強磁性薄
膜が絶縁膜を介して静磁的に結合し、第６図に示
すように２枚の強磁性薄膜２４中の磁化の向き２
３はトラツク幅方向で互いに反平行になり、第５
図のような還流磁区の発生を抑えることができ
る。また、２枚の強磁性薄膜に流れる電流２２が
トラツク幅に垂直方向の同じ向きにすると、一方
の強磁性薄膜に流れる電流によつて発生した磁界
が、他方の強磁性薄膜の磁化の向きをトラツク幅
方向に向け、互いに反平行になる。このように２
枚の強磁性薄膜の静磁的結合に加え、MR電流に
よる磁界のために２枚の強磁性薄膜は、単磁区に
なり、さらにバイアス磁界印加手段により、強磁
性薄膜の磁化方向と電流方向とを略45°傾斜させ
て再動作を行うと、三角磁区による効率の低下、
磁壁移動によるバルクハウゼンノイズがなくな
る。
さくなつてもMR素子を構成する２枚の強磁性薄
膜が絶縁膜を介して静磁的に結合し、第６図に示
すように２枚の強磁性薄膜２４中の磁化の向き２
３はトラツク幅方向で互いに反平行になり、第５
図のような還流磁区の発生を抑えることができ
る。また、２枚の強磁性薄膜に流れる電流２２が
トラツク幅に垂直方向の同じ向きにすると、一方
の強磁性薄膜に流れる電流によつて発生した磁界
が、他方の強磁性薄膜の磁化の向きをトラツク幅
方向に向け、互いに反平行になる。このように２
枚の強磁性薄膜の静磁的結合に加え、MR電流に
よる磁界のために２枚の強磁性薄膜は、単磁区に
なり、さらにバイアス磁界印加手段により、強磁
性薄膜の磁化方向と電流方向とを略45°傾斜させ
て再動作を行うと、三角磁区による効率の低下、
磁壁移動によるバルクハウゼンノイズがなくな
る。
実施例
本発明の一実施例を第１図、第２図（断面図）
に示す。Mn−Znフエライトなどの強磁性基板１
の一部に切り欠き溝が設けられており、その中に
導電体３を埋込んでSiO2などの非磁性材４が充
填される。この上に0.5μm厚さのSiO2やAl2O3な
どの絶縁膜５を介して、0.1μm厚さのパーマロイ
やアモルフアス磁性体などの強磁性薄膜からなる
主磁極６が形成される。さらに0.5μm厚さのSiO2
やAl2O3などの絶縁膜７が形成される。その上に
0.03μm厚のパーマロイやNi−Coなどの強磁性薄
膜１９，２０を、層間に約0.005μm厚のSiO2，
Al2O3などの絶縁膜２１を入れて形成し、MR素
子８とする。ただし、MR素子８のトラツク幅に
垂直方向の上下端部で強磁性薄膜１９，２０は電
気的に結合している。MR素子８のトラツク幅Ｗ
は15μmであり、トラツク幅に垂直方向の長さＬ
は30μmである。MR素子は強磁性基板１の切り
欠き溝２の上部１２で約3μm、トラツク幅に垂直
方向の長さ10μmの強磁性薄膜６と約3μm重なつ
ている。
に示す。Mn−Znフエライトなどの強磁性基板１
の一部に切り欠き溝が設けられており、その中に
導電体３を埋込んでSiO2などの非磁性材４が充
填される。この上に0.5μm厚さのSiO2やAl2O3な
どの絶縁膜５を介して、0.1μm厚さのパーマロイ
やアモルフアス磁性体などの強磁性薄膜からなる
主磁極６が形成される。さらに0.5μm厚さのSiO2
やAl2O3などの絶縁膜７が形成される。その上に
0.03μm厚のパーマロイやNi−Coなどの強磁性薄
膜１９，２０を、層間に約0.005μm厚のSiO2，
Al2O3などの絶縁膜２１を入れて形成し、MR素
子８とする。ただし、MR素子８のトラツク幅に
垂直方向の上下端部で強磁性薄膜１９，２０は電
気的に結合している。MR素子８のトラツク幅Ｗ
は15μmであり、トラツク幅に垂直方向の長さＬ
は30μmである。MR素子は強磁性基板１の切り
欠き溝２の上部１２で約3μm、トラツク幅に垂直
方向の長さ10μmの強磁性薄膜６と約3μm重なつ
ている。
MR素子の上下端にはAuやAlなどの導電性膜
よりなる電極１０，１１が絶縁膜９をはさんで形
成されている。
よりなる電極１０，１１が絶縁膜９をはさんで形
成されている。
本実施例は、垂直磁化再生ヘツドであるが、面
内媒体再生ヘツドにも適用可能である。また本実
施例ではバイアス印加の導電体３を埋込んだが、
別のバイアス印加手段でもよい。
内媒体再生ヘツドにも適用可能である。また本実
施例ではバイアス印加の導電体３を埋込んだが、
別のバイアス印加手段でもよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、トラツク幅を電
極幅程度に狭くできるので10μm以下の超狭トラ
ツクの磁気ヘツドも実現可能であり、MR素子を
２層構造にすることによつて狭トラツク化したと
きに生じる還流磁区の発生を無くし、効率の低
下、バルクハウゼンノイズの発生をおさえること
ができる。
極幅程度に狭くできるので10μm以下の超狭トラ
ツクの磁気ヘツドも実現可能であり、MR素子を
２層構造にすることによつて狭トラツク化したと
きに生じる還流磁区の発生を無くし、効率の低
下、バルクハウゼンノイズの発生をおさえること
ができる。
第１図は本発明の薄膜磁気ヘツドの実施例を示
す斜視図、第２図は本発明の薄膜磁気ヘツドの実
施例を示す断面図、第３図は従来の垂直磁化再生
ヘツドを示す斜視図、第４図は従来の垂直磁化再
生ヘツドを示す断面図、第５図は従来のMR素子
内の磁区構造を示す図、第６図は本発明の薄膜磁
気ヘツドの原理を示す図である。 １……強磁性基板、２……切り欠き溝、３……
導電体、４……非磁性材、５，７，９……絶縁
膜、６……主磁極、１５，１９，２０，２４……
強磁性薄膜、８……MR素子、１０，１１……電
極。
す斜視図、第２図は本発明の薄膜磁気ヘツドの実
施例を示す断面図、第３図は従来の垂直磁化再生
ヘツドを示す斜視図、第４図は従来の垂直磁化再
生ヘツドを示す断面図、第５図は従来のMR素子
内の磁区構造を示す図、第６図は本発明の薄膜磁
気ヘツドの原理を示す図である。 １……強磁性基板、２……切り欠き溝、３……
導電体、４……非磁性材、５，７，９……絶縁
膜、６……主磁極、１５，１９，２０，２４……
強磁性薄膜、８……MR素子、１０，１１……電
極。
Claims (1)
- １ 切り欠き溝を有する強磁性基板の垂直面に絶
縁膜を設け、その絶縁膜上で磁気記録媒体に対向
する面に強磁性薄膜からなる主磁極を設け、その
主磁極の垂直面上に絶縁膜を設け、その絶縁膜上
に他の絶縁膜を介して一組の強磁性薄膜とその強
磁性薄膜の一枚に垂直方向に電流を流す一組の電
極とからなる磁気抵抗効果素子を設け、その磁気
抵抗効果素子の上端の一部は上記強磁性基板と重
なり、下端の一部は上記主磁極と重なる構成と
し、上記切り欠き溝内に導電体を設け、かつ非磁
性材を充填した薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2227585A JPS61182620A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2227585A JPS61182620A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182620A JPS61182620A (ja) | 1986-08-15 |
| JPH0441415B2 true JPH0441415B2 (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=12078204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2227585A Granted JPS61182620A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61182620A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105006B2 (ja) * | 1985-11-05 | 1995-11-13 | ソニー株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| JP2668897B2 (ja) * | 1987-10-29 | 1997-10-27 | ソニー株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| US5218497A (en) * | 1988-12-02 | 1993-06-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head having two or more magnetoresistive films for use therewith |
| EP0777213A1 (en) * | 1995-11-29 | 1997-06-04 | Eastman Kodak Company | Flux-guided paired magnetoresistive head |
-
1985
- 1985-02-07 JP JP2227585A patent/JPS61182620A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61182620A (ja) | 1986-08-15 |
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