JPS61182620A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPS61182620A JPS61182620A JP2227585A JP2227585A JPS61182620A JP S61182620 A JPS61182620 A JP S61182620A JP 2227585 A JP2227585 A JP 2227585A JP 2227585 A JP2227585 A JP 2227585A JP S61182620 A JPS61182620 A JP S61182620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- track width
- ferromagnetic
- film
- thin film
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気記録媒体に記録された信号磁化の再生に
好適な磁気抵抗効果（ＭＲ）型の薄膜磁気ヘッドに関す
る。
好適な磁気抵抗効果（ＭＲ）型の薄膜磁気ヘッドに関す
る。
従来の技術
磁気記録媒体に記録された信号をヘッドと記録媒体との
相対速度が遅くても高能率に再生可能な狭トラツク幅の
ＭＲヘッドが提案されている。
相対速度が遅くても高能率に再生可能な狭トラツク幅の
ＭＲヘッドが提案されている。
（特願昭５８−１９８２０１号）
このヘッド、は垂直磁化再生に用いられるものであり、
第３図、第４図（断面図）に示すようにフェライトなど
の強磁性体よりなる基板１０表面に切欠き溝２が設けら
れ、その中に導電体３を埋込んで非磁性材４が充填され
ている。この上に絶縁膜５を介してパーマロイなどの強
磁性膜６が形成されている。さらに非磁性絶縁膜７を介
してパーマロイなどの強磁性膜が形成され、ＭＲ素子８
となるＯＭＲ素子８の記録媒体１３に垂直方向の両端に
電極１０．１１が絶縁膜９をはさんで形成されている。
第３図、第４図（断面図）に示すようにフェライトなど
の強磁性体よりなる基板１０表面に切欠き溝２が設けら
れ、その中に導電体３を埋込んで非磁性材４が充填され
ている。この上に絶縁膜５を介してパーマロイなどの強
磁性膜６が形成されている。さらに非磁性絶縁膜７を介
してパーマロイなどの強磁性膜が形成され、ＭＲ素子８
となるＯＭＲ素子８の記録媒体１３に垂直方向の両端に
電極１０．１１が絶縁膜９をはさんで形成されている。
ＭＲ素子８の上端は基板１の切欠き溝２の上部１２と重
なシを持って配されておシ、他端は強磁性膜６の上端と
重なりを持って配されている。
なシを持って配されておシ、他端は強磁性膜６の上端と
重なりを持って配されている。
このヘッドにおいては、記録媒体１３の垂直磁化膜１４
に記録された信号磁化によって発生した磁束は強磁性膜
６の下端部に導かれ、強磁性膜６を通シ、ＭＲ素子８を
通シ、切欠き溝２の上部１２を通シ、基板１を通り、記
録媒体との当接面１６に導かれ、記録媒体の強磁性膜１
６を通り、垂直磁化膜に戻る。この信号磁束は上記のよ
うな閉磁路を通るため、ＭＲ素子のみの単体型ＭＲヘッ
ドにおける素子幅損失が無い。ま、た、ＭＲ素子８の上
下端に電極を有する構造であるため、電極幅の大きさま
でトラック幅を狭くすることが可能であるＯ 発明が解決しようとする問題点 このような従来のヘッドではＭＲ素子８はトラック幅方
向が磁化容易方向となるように形成され、導線３にバイ
アス電流を流してＭＲ素子８内の磁化の方向を略４６°
の方向に向けておき、信号磁束の変化により磁化の方向
は４５°ｙ５向を中心にして変化する。このとき生じる
抵抗変化を検出している０ トラック幅を狭くしていくとＭＲ素子８の形状は、トラ
ック幅Ｗとトラック幅に垂直方向の長さＬとの比Ｗ／Ｌ
が小さくなっていく。その場合、第５図に示すように
ＭＲ素子８内の磁区構造は、静磁エネルギーを低下させ
るために還流磁区を形成する。三角磁区部分１７の磁化
の方向は信号磁束の方向１８と平行であるため抵抗変化
への寄与はない。Ｗ／Ｌ が小さくなるにつれて三角
磁区部分の割合が増え、効率が低下する。また、磁壁の
移動にともなうバルクハウゼン効果によってノイズが増
大する。
に記録された信号磁化によって発生した磁束は強磁性膜
６の下端部に導かれ、強磁性膜６を通シ、ＭＲ素子８を
通シ、切欠き溝２の上部１２を通シ、基板１を通り、記
録媒体との当接面１６に導かれ、記録媒体の強磁性膜１
６を通り、垂直磁化膜に戻る。この信号磁束は上記のよ
うな閉磁路を通るため、ＭＲ素子のみの単体型ＭＲヘッ
ドにおける素子幅損失が無い。ま、た、ＭＲ素子８の上
下端に電極を有する構造であるため、電極幅の大きさま
でトラック幅を狭くすることが可能であるＯ 発明が解決しようとする問題点 このような従来のヘッドではＭＲ素子８はトラック幅方
向が磁化容易方向となるように形成され、導線３にバイ
アス電流を流してＭＲ素子８内の磁化の方向を略４６°
の方向に向けておき、信号磁束の変化により磁化の方向
は４５°ｙ５向を中心にして変化する。このとき生じる
抵抗変化を検出している０ トラック幅を狭くしていくとＭＲ素子８の形状は、トラ
ック幅Ｗとトラック幅に垂直方向の長さＬとの比Ｗ／Ｌ
が小さくなっていく。その場合、第５図に示すように
ＭＲ素子８内の磁区構造は、静磁エネルギーを低下させ
るために還流磁区を形成する。三角磁区部分１７の磁化
の方向は信号磁束の方向１８と平行であるため抵抗変化
への寄与はない。Ｗ／Ｌ が小さくなるにつれて三角
磁区部分の割合が増え、効率が低下する。また、磁壁の
移動にともなうバルクハウゼン効果によってノイズが増
大する。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、狭トラツク
化した場合でも効率の低下が少なく、ノイズの少ないＭ
Ｒヘッドを提供することを目的としている。
化した場合でも効率の低下が少なく、ノイズの少ないＭ
Ｒヘッドを提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明の上記問題点を解決するための手段は、ＭＲ素子
が、電気的にも磁気的にも絶縁性の層を介して、２枚の
強磁性薄膜から構成され、上記ＭＲ素子の２枚の強磁性
膜に流れるそれぞれの電流の方向が、トラック幅に垂直
方向の同じ向きであ佑ＭＲヘッドである。
が、電気的にも磁気的にも絶縁性の層を介して、２枚の
強磁性薄膜から構成され、上記ＭＲ素子の２枚の強磁性
膜に流れるそれぞれの電流の方向が、トラック幅に垂直
方向の同じ向きであ佑ＭＲヘッドである。
作 用
本発明によれば、狭トラツク化し、Ｗ／Ｌが小さくなっ
てもＭＲ素子を構成する２枚の強磁性薄膜が電気的、磁
気的絶縁層を介して静磁的に結合し、第６図に示すよう
に２枚の強磁性薄膜２４中の磁化の向き２３はトラック
幅方向で互いに反平行になり、第６図のような還流、磁
区の発生を抑えることができる。また、２枚の強磁性薄
膜に流れる電流２２がトラック幅に垂直方向の同じ向き
にすると、一方の強磁性薄膜に流れる電流によって発生
した磁界が他方の強磁性薄膜の磁化の向きをトラック幅
方向に向け、互いに反平行になる。このように２枚の強
磁性薄膜の静磁的結合に加え、ＭＲ雷電流よる磁界のた
めに２枚の強磁性薄膜は、単磁区になシ、三角磁区によ
る効率の低下、磁壁移動によるバルクハウゼンノイズが
なくなる。
てもＭＲ素子を構成する２枚の強磁性薄膜が電気的、磁
気的絶縁層を介して静磁的に結合し、第６図に示すよう
に２枚の強磁性薄膜２４中の磁化の向き２３はトラック
幅方向で互いに反平行になり、第６図のような還流、磁
区の発生を抑えることができる。また、２枚の強磁性薄
膜に流れる電流２２がトラック幅に垂直方向の同じ向き
にすると、一方の強磁性薄膜に流れる電流によって発生
した磁界が他方の強磁性薄膜の磁化の向きをトラック幅
方向に向け、互いに反平行になる。このように２枚の強
磁性薄膜の静磁的結合に加え、ＭＲ雷電流よる磁界のた
めに２枚の強磁性薄膜は、単磁区になシ、三角磁区によ
る効率の低下、磁壁移動によるバルクハウゼンノイズが
なくなる。
実施例
本発明の一実施例を第１図、第２図（断面図）に示す。
Ｍｎ−Ｚｎフェライトなどの強磁性体よりなる基板１は
その一部２が切欠かれておシ、その中に導電体３を埋込
んで９１０２などの非磁性材４が充填される。この上に
Ｏ，Ｓμｍ厚のＳ １０２やＡ１２ｏ３ などの絶縁
膜５を介して、０．１μｍ厚のパーマロイやアモルファ
ス磁性体などの強磁性薄膜６が形成される。さらに０．
５μｍ厚の５ｉｎ２やＡｌ２Ｏ３などの絶縁膜７が形成
される。その上に０．０３μｍ厚のパーマロイやＮｉ−
Ｃｏなどの強磁性薄膜１９．２０を、眉間に約０．００
５μｍ厚のＳｉＯ□、Ａｌ２Ｏ３などの電気的、磁気的
絶縁膜２１を入れて形成し、ＭＲ素子８とする。ただし
、ＭＲ素子８のトラック幅に垂直方向の上下端部で強磁
性薄膜１９．２０は電気的に結合している。ＭＲ素子８
のトラック幅Ｗは、１５μｍであシ、トラック幅に垂直
方向の長さＬは３０μｍである。
その一部２が切欠かれておシ、その中に導電体３を埋込
んで９１０２などの非磁性材４が充填される。この上に
Ｏ，Ｓμｍ厚のＳ １０２やＡ１２ｏ３ などの絶縁
膜５を介して、０．１μｍ厚のパーマロイやアモルファ
ス磁性体などの強磁性薄膜６が形成される。さらに０．
５μｍ厚の５ｉｎ２やＡｌ２Ｏ３などの絶縁膜７が形成
される。その上に０．０３μｍ厚のパーマロイやＮｉ−
Ｃｏなどの強磁性薄膜１９．２０を、眉間に約０．００
５μｍ厚のＳｉＯ□、Ａｌ２Ｏ３などの電気的、磁気的
絶縁膜２１を入れて形成し、ＭＲ素子８とする。ただし
、ＭＲ素子８のトラック幅に垂直方向の上下端部で強磁
性薄膜１９．２０は電気的に結合している。ＭＲ素子８
のトラック幅Ｗは、１５μｍであシ、トラック幅に垂直
方向の長さＬは３０μｍである。
ＭＲ素子は基板１の切欠き溝２の上部１２で約３μｍ、
）ラック幅に垂直方向の長さ１０μｍの強磁性薄膜６と
約３μｍ重なっている。
）ラック幅に垂直方向の長さ１０μｍの強磁性薄膜６と
約３μｍ重なっている。
ＭＲ素子の上下端にはＡｕやＡｌ などの導電性膜よシ
なる電極１０．１１が絶縁膜９をはさんで形成されてい
る。
なる電極１０．１１が絶縁膜９をはさんで形成されてい
る。
本実施例は、垂直磁化再生ヘッドであるが、面内媒体再
生ヘッドにも適用可能である。また本実前例ではバイア
ス印加の導電体３を埋込んだが、別のバイアス印加手段
でもよい。
生ヘッドにも適用可能である。また本実前例ではバイア
ス印加の導電体３を埋込んだが、別のバイアス印加手段
でもよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、トラック幅を電極幅程度
に狭くできるので１０μｍ以下の超狭トラックのヘッド
も実現可能であり、ＭＲ素子を２層構造にすることによ
って狭トラツク化したときに生じる還流磁区の発生を無
くし、効率の低下、バルクハウゼンノイズの発生をおさ
えることができる。
に狭くできるので１０μｍ以下の超狭トラックのヘッド
も実現可能であり、ＭＲ素子を２層構造にすることによ
って狭トラツク化したときに生じる還流磁区の発生を無
くし、効率の低下、バルクハウゼンノイズの発生をおさ
えることができる。
第１図は本発明の薄膜磁気ヘッドの実施例を示す斜視図
、第２図は本発明の薄膜磁気ヘッドの実施例を示す断面
図、第３図は従来の垂直磁化再生ヘッドを示す斜視図、
第４図は従来の垂直磁化再生ヘッドを示す断面図、第６
図は従来のＭＲ素子内の磁区構造を示す図、第６図は本
発明の薄膜磁気ヘッドの原理を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・切欠き溝、３・・
・・・・導電体、４・・・・・・非磁性材、５，７．９
・・・・・・絶縁膜、６゜１５．１９，２０．２４・・
・・・・強磁性薄膜、８・・・・・・ＭＲ素子、１０．
１１・・・・・・電極、１２・・・・・・切欠き溝上部
、１３・・・・・・記録媒体、１４・・・・・・垂直磁
化膜、１６・・・・・・媒体接触面、１７・・・・・・
三角磁区、１８・・・・・・信号磁束方向、２１・・・
・・・電気的磁気的絶縁膜、２２・・・・・・ＭＲ電流
、２３・・・・・・磁化の向き。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ８．−０羞扶 第３図 第５図 第６図
、第２図は本発明の薄膜磁気ヘッドの実施例を示す断面
図、第３図は従来の垂直磁化再生ヘッドを示す斜視図、
第４図は従来の垂直磁化再生ヘッドを示す断面図、第６
図は従来のＭＲ素子内の磁区構造を示す図、第６図は本
発明の薄膜磁気ヘッドの原理を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・切欠き溝、３・・
・・・・導電体、４・・・・・・非磁性材、５，７．９
・・・・・・絶縁膜、６゜１５．１９，２０．２４・・
・・・・強磁性薄膜、８・・・・・・ＭＲ素子、１０．
１１・・・・・・電極、１２・・・・・・切欠き溝上部
、１３・・・・・・記録媒体、１４・・・・・・垂直磁
化膜、１６・・・・・・媒体接触面、１７・・・・・・
三角磁区、１８・・・・・・信号磁束方向、２１・・・
・・・電気的磁気的絶縁膜、２２・・・・・・ＭＲ電流
、２３・・・・・・磁化の向き。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ８．−０羞扶 第３図 第５図 第６図
Claims (1)
- 強磁性薄膜の磁気抵抗効果を利用した再生用薄膜磁気ヘ
ッドであって、磁気抵抗効果素子が、電気的にも磁気的
にも絶縁性の層を介して、２枚の強磁性薄膜から構成さ
れ、上記磁気抵抗効果素子の２枚の強磁性薄膜に流れる
それぞれの電流の方向が、トラック幅に垂直方向の同じ
向きであることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2227585A JPS61182620A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2227585A JPS61182620A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182620A true JPS61182620A (ja) | 1986-08-15 |
| JPH0441415B2 JPH0441415B2 (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=12078204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2227585A Granted JPS61182620A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61182620A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0221540A2 (en) * | 1985-11-05 | 1987-05-13 | Sony Corporation | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| JPH01116915A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| US5218497A (en) * | 1988-12-02 | 1993-06-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head having two or more magnetoresistive films for use therewith |
| EP0777213A1 (en) * | 1995-11-29 | 1997-06-04 | Eastman Kodak Company | Flux-guided paired magnetoresistive head |
-
1985
- 1985-02-07 JP JP2227585A patent/JPS61182620A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0221540A2 (en) * | 1985-11-05 | 1987-05-13 | Sony Corporation | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| JPS62234218A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-10-14 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| EP0221540A3 (en) * | 1985-11-05 | 1991-03-27 | Sony Corporation | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| JPH07105006B2 (ja) * | 1985-11-05 | 1995-11-13 | ソニー株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| JPH01116915A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| US5218497A (en) * | 1988-12-02 | 1993-06-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head having two or more magnetoresistive films for use therewith |
| EP0777213A1 (en) * | 1995-11-29 | 1997-06-04 | Eastman Kodak Company | Flux-guided paired magnetoresistive head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0441415B2 (ja) | 1992-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5936810A (en) | Magnetoresistive effect head | |
| JPH07105006B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| EP0675486A2 (en) | Integrated yoke magnetoresistive transducer with magnetic shunt | |
| US5412524A (en) | Magneto-resistive head | |
| KR0145034B1 (ko) | 자기 트랜스듀서와, 자기 트랜스듀서를 포함하는 매체 드라이브 | |
| JPS61182620A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH05151536A (ja) | 結合読取／書込磁気ヘツド | |
| JPH07201021A (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| US4654739A (en) | Thin film magnetic head for reproducing perpendicular magnetization | |
| JPH05266437A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP3609104B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| JPH07153036A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2596010B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2979966B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP3040892B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH01116912A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS61287025A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘツド | |
| JPH0897487A (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその再生方法 | |
| JPH0572642B2 (ja) | ||
| JPS58179927A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS58179928A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0441411B2 (ja) | ||
| JPH0330109A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッド | |
| JPH06223333A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド | |
| JPS61131217A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |