JPH0441411B2 - - Google Patents
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- JPH0441411B2 JPH0441411B2 JP59000455A JP45584A JPH0441411B2 JP H0441411 B2 JPH0441411 B2 JP H0441411B2 JP 59000455 A JP59000455 A JP 59000455A JP 45584 A JP45584 A JP 45584A JP H0441411 B2 JPH0441411 B2 JP H0441411B2
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- thin film
- ferromagnetic material
- magnetic
- recording medium
- film magnetic
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/332—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は垂直磁気記録媒体に記録された信号
磁化の再生に好適な磁気抵抗効果型の再生用の薄
膜磁気ヘツドに関するものである。
磁化の再生に好適な磁気抵抗効果型の再生用の薄
膜磁気ヘツドに関するものである。
従来例の構成とその問題点
垂直磁気記録は従来の長手方向磁気記録より本
質的に高密度記録に適していることが知られてい
る。しかし、再生過程においてはまだいろいろ問
題があつた。例えば、電磁誘導による巻線型磁気
ヘツドで再生する場合には、単磁極型ヘツドや、
リング型ヘツドが提案されている。リング型ヘツ
ドで再生する場合、垂直磁気記録の特徴である短
波長信号を再生するためには、ギヤツプ長を極端
に小さくする必要があり、その場合磁気ヘツドの
磁気回路能率が非常に悪くなる。再生感度を上げ
るために巻線数を増やしていくと、ヘツドインダ
クタンスの増大により自己共振周波数が低下す
る。一方、記録波長の短波長化に伴い信号周波数
は高くなるため、磁気ヘツドの自己共振周波数の
低下は信号再生において、極めて不都合であつ
た。また、単磁極型ヘツドにおいても、巻線型で
あるため、同様の問題をもつている。電磁誘導型
ヘツドで共通したさらに大きい問題は、ヘツドと
記録媒体間の相対速度が小さい場合、再生出力電
圧が小さくなり、上記問題を大きくする。一方、
磁気ヘツドを多数並設するマルチトラツク構成に
おいては、巻線スペースが問題となる。さらに、
薄膜技術で構成する場合には、巻線数が限られ、
高感度な再生ヘツドを実現できない。
質的に高密度記録に適していることが知られてい
る。しかし、再生過程においてはまだいろいろ問
題があつた。例えば、電磁誘導による巻線型磁気
ヘツドで再生する場合には、単磁極型ヘツドや、
リング型ヘツドが提案されている。リング型ヘツ
ドで再生する場合、垂直磁気記録の特徴である短
波長信号を再生するためには、ギヤツプ長を極端
に小さくする必要があり、その場合磁気ヘツドの
磁気回路能率が非常に悪くなる。再生感度を上げ
るために巻線数を増やしていくと、ヘツドインダ
クタンスの増大により自己共振周波数が低下す
る。一方、記録波長の短波長化に伴い信号周波数
は高くなるため、磁気ヘツドの自己共振周波数の
低下は信号再生において、極めて不都合であつ
た。また、単磁極型ヘツドにおいても、巻線型で
あるため、同様の問題をもつている。電磁誘導型
ヘツドで共通したさらに大きい問題は、ヘツドと
記録媒体間の相対速度が小さい場合、再生出力電
圧が小さくなり、上記問題を大きくする。一方、
磁気ヘツドを多数並設するマルチトラツク構成に
おいては、巻線スペースが問題となる。さらに、
薄膜技術で構成する場合には、巻線数が限られ、
高感度な再生ヘツドを実現できない。
これらの問題を解決するために、最近、磁気抵
抗効果（以下MRと略記する）ヘツドが注目され
ている。従来のMRヘツドは、例えば、短冊状
MR素子の長手方向に電流を流し、記録媒体に
MR素子を垂直に配置し、信号磁界が素子面内
に、長手方向と直角に入る素子単体型MRヘツド
がある。このタイプのMRヘツドでは、ヘツド構
造のみに起因する波長応答特性はMR素子幅ｗに
よつて決定されることが知られている。この波長
損失を充分小さくするためには素子幅ｗを波長λ
程度にする必要があり、これは短波長指向のヘツ
ドにとつては極めて不利である。一方、MR素子
の厚さ方向の両側に高透磁率の磁性体を配置した
シールド型MRヘツドがある。このタイプのMR
ヘツドは従来のリング型巻線ヘツドと略同じ波長
応答を示し、かなり短波長まで高感度に使用でき
ることが知られている。しかし、MR素子と両側
の高透磁率磁性体との間には磁気的、電気的な絶
縁を施す必要があり。この間の絶縁層厚g1，g2が
従来のリング型巻線ヘツドのギヤツプ長に相当す
る。さらに、近似的にはg1のギヤツプ損失とg2の
ギヤツプ損失の積の形になるため、短波長におけ
るギヤツプ損失を充分小さくするためには、g1，
g2共極端に小さくする必要があり、この状況下
で、磁気的、電気的にリークのない狭ギヤツプ長
を形成することは極めて困難である。
抗効果（以下MRと略記する）ヘツドが注目され
ている。従来のMRヘツドは、例えば、短冊状
MR素子の長手方向に電流を流し、記録媒体に
MR素子を垂直に配置し、信号磁界が素子面内
に、長手方向と直角に入る素子単体型MRヘツド
がある。このタイプのMRヘツドでは、ヘツド構
造のみに起因する波長応答特性はMR素子幅ｗに
よつて決定されることが知られている。この波長
損失を充分小さくするためには素子幅ｗを波長λ
程度にする必要があり、これは短波長指向のヘツ
ドにとつては極めて不利である。一方、MR素子
の厚さ方向の両側に高透磁率の磁性体を配置した
シールド型MRヘツドがある。このタイプのMR
ヘツドは従来のリング型巻線ヘツドと略同じ波長
応答を示し、かなり短波長まで高感度に使用でき
ることが知られている。しかし、MR素子と両側
の高透磁率磁性体との間には磁気的、電気的な絶
縁を施す必要があり。この間の絶縁層厚g1，g2が
従来のリング型巻線ヘツドのギヤツプ長に相当す
る。さらに、近似的にはg1のギヤツプ損失とg2の
ギヤツプ損失の積の形になるため、短波長におけ
るギヤツプ損失を充分小さくするためには、g1，
g2共極端に小さくする必要があり、この状況下
で、磁気的、電気的にリークのない狭ギヤツプ長
を形成することは極めて困難である。
発明の目的
この発明は上記のようなMR素子幅損失やギヤ
ツプ損失を解消し、短波長領域で効率良く垂直磁
化を再生することができる薄膜磁気ヘツドを提供
することを目的とする。
ツプ損失を解消し、短波長領域で効率良く垂直磁
化を再生することができる薄膜磁気ヘツドを提供
することを目的とする。
発明の構成
この発明の薄膜磁気ヘツドは、前面を記録媒体
走行面とする強磁性体と、この強磁性体の一側面
から前面にかけて設けた切欠に充填した非磁性材
と、一端が前記強磁性体の一側面に付着形成され
て前記強磁性体に磁気結合するとともに他端が前
記強磁性体に連なる前記非磁性材の側面に付着形
成されて記録媒体に対向する薄膜磁気検出部とを
備え、前記記録媒体走行面における前記強磁性体
端部から前記薄膜磁気検出部までの距離が前記薄
膜磁気検出部近傍における前記強磁性体から前記
記録媒体走行面までの距離の５倍以上に設定した
ことを特徴とする。
走行面とする強磁性体と、この強磁性体の一側面
から前面にかけて設けた切欠に充填した非磁性材
と、一端が前記強磁性体の一側面に付着形成され
て前記強磁性体に磁気結合するとともに他端が前
記強磁性体に連なる前記非磁性材の側面に付着形
成されて記録媒体に対向する薄膜磁気検出部とを
備え、前記記録媒体走行面における前記強磁性体
端部から前記薄膜磁気検出部までの距離が前記薄
膜磁気検出部近傍における前記強磁性体から前記
記録媒体走行面までの距離の５倍以上に設定した
ことを特徴とする。
この発明によれば、薄膜磁気検出部の近傍に信
号磁束を還流させるための強磁性体を配置するこ
とにより高密度に記録された垂直磁化からの信号
磁束を効率良く再生できるわけであるが、特に記
録媒体走行面における前記強磁性体端部から前記
磁気検出部までの距離を薄膜磁気検出部近傍にお
ける前記強磁性体から記録媒体走行面までの距離
の５倍以上とすることにより、還流磁束が強磁性
体端部に集中するのを防ぎ、信号磁束の干渉によ
る記録密度特性上の凹凸を解消し、良好な記録密
度特性が得られるものである。
号磁束を還流させるための強磁性体を配置するこ
とにより高密度に記録された垂直磁化からの信号
磁束を効率良く再生できるわけであるが、特に記
録媒体走行面における前記強磁性体端部から前記
磁気検出部までの距離を薄膜磁気検出部近傍にお
ける前記強磁性体から記録媒体走行面までの距離
の５倍以上とすることにより、還流磁束が強磁性
体端部に集中するのを防ぎ、信号磁束の干渉によ
る記録密度特性上の凹凸を解消し、良好な記録密
度特性が得られるものである。
この発明は、記録媒体走行面における強磁性体
端部から薄膜磁気検出部までの距離を薄膜磁気検
出部近傍における強磁性体から記録媒体走行面ま
での距離の５倍以上とすることにより、強磁性体
と記録媒体との間の漏洩磁束を適度に促進するこ
とにより短波長特性を向上させる効果を見出した
ことによりなされたものである。
端部から薄膜磁気検出部までの距離を薄膜磁気検
出部近傍における強磁性体から記録媒体走行面ま
での距離の５倍以上とすることにより、強磁性体
と記録媒体との間の漏洩磁束を適度に促進するこ
とにより短波長特性を向上させる効果を見出した
ことによりなされたものである。
実施例の説明
第１図および第２図はこの発明の一実施例を示
す斜視図および断面図である。図に示すように、
フエライトのような強磁性体１の側面の媒体側端
部に切欠溝２を設け、この切欠溝２に非磁性材３
を充填し強磁性体１の側面と同一面に仕上げる。
その際、切欠溝２の深さａは最終ヘツド完成時の
媒体走行面までの距離ｂの５倍以上になるように
設定する。このようにして仕上げられた新な側面
上に例えばNi−Fe合金を蒸着手段で500〓程度の
厚さに被着し、写真食刻技術で電極５，６をMR
素子４の長手方向の両端に配置しかつMR素子４
が切欠溝２の長手方向と平行になるように配置し
た薄膜磁気検出部を形成する。MR素子４の上端
部は強磁性体１中に設けられた切欠溝２の上端縁
７と磁気結合し、MR素子４の下端部は記録媒体
１２と当接している。記録媒体１２のうち、９は
Co−Crなどの垂直異方性膜、１０はパーマロイ
などの軟磁性薄膜、１１はベース、また矢印１３
は記録媒体１２の移動方向である。
す斜視図および断面図である。図に示すように、
フエライトのような強磁性体１の側面の媒体側端
部に切欠溝２を設け、この切欠溝２に非磁性材３
を充填し強磁性体１の側面と同一面に仕上げる。
その際、切欠溝２の深さａは最終ヘツド完成時の
媒体走行面までの距離ｂの５倍以上になるように
設定する。このようにして仕上げられた新な側面
上に例えばNi−Fe合金を蒸着手段で500〓程度の
厚さに被着し、写真食刻技術で電極５，６をMR
素子４の長手方向の両端に配置しかつMR素子４
が切欠溝２の長手方向と平行になるように配置し
た薄膜磁気検出部を形成する。MR素子４の上端
部は強磁性体１中に設けられた切欠溝２の上端縁
７と磁気結合し、MR素子４の下端部は記録媒体
１２と当接している。記録媒体１２のうち、９は
Co−Crなどの垂直異方性膜、１０はパーマロイ
などの軟磁性薄膜、１１はベース、また矢印１３
は記録媒体１２の移動方向である。
このような構成にすることにより、垂直異方性
膜９に記録された信号磁化から発生する磁束は、
MR素子４の下端部から導かれてMR素子４を通
り、その上端部から強磁性体１中の切欠溝２の上
端縁７を通つて強磁性体１に流入し、広い面積で
対向している記録媒体１２の軟磁性薄膜１０に導
かれて元の信号磁化にもどる。この際、MR素子
４の近傍における強磁性体１から媒体走行面まで
の距離ｂに対して、媒体走行面における強磁性体
１の端部８からMR素子４までの距離ａが短すぎ
ると、強磁性体１に流入した信号磁束が強磁性体
１の端部８に集中し、リングヘツドにおけるギヤ
ツプ動作と同様の干渉現象を起こし、記録波長が
ａおよびその整数倍の付近でデイツプ現象が発生
することがわかつた。このデイツプ現象のため
に、低密度領域のヘツド出力に対し半分の出力レ
ベルになる記録密度D50が小さくなる。第３図は
波長応答特性を示したもので、横軸に波長λの逆
数、すなわち周波数は対応したものをとり、縦軸
に相対出力をとつている。曲線イはａ／ｂ＝１の
場合でａの整数分の１の波長付近にデイツプ現象
が生じていることがわかる。したがつてD50に相
当する記録密度（＋字印）も非常に小さくなつて
いる。曲線ロはａ／ｂ＝５とした場合で、高密度
領域までデイツプ現象は見られず、D50も大幅に
向上していることがわかる。第４図はｂを固定し
てａを変えた場合のD50の変化を示したもので、
ａ／ｂが大きくなる程高密度特性が伸びているこ
とがわかる。この傾向はｂの大きさを変えても同
様で、実験結果からａがｂの５倍以上であれば、
波長応答特性上に凹凸も無くなり、高密度特性の
優れた垂直磁化再生ヘツドが得られることがわか
つた。また、ｂも固定してａを大きくしていつて
も再生効率がほとんで変化しないこともわかつ
た。これは強磁性体１と記録媒体１２の軟磁性薄
膜１０が非磁性材３を介して大面積で対向してお
り、ほとんどの磁束がこの非磁性材３を通つて記
録媒体１２の軟磁性薄膜１０へ流入するためであ
る。この結果、従来問題となつていた単体型MR
ヘツドにおける素子幅損失およびシールド型MR
ヘツドにおけるギヤツプ損失が解消され、高密度
特性が優れると同時に、凹凸の無い良好な記録密
度特性を実現することができる垂直磁化再生ヘツ
ドが得られる。また、上述したように強磁性体上
に切欠溝２を形成し、これに非磁性材３を充填し
て表面を仕上げ、その上に写真食刻技術で薄膜磁
気検出素子を形成していくので、製造も容易であ
り、薄膜技術を用いた量産にも極めて適してい
る。
膜９に記録された信号磁化から発生する磁束は、
MR素子４の下端部から導かれてMR素子４を通
り、その上端部から強磁性体１中の切欠溝２の上
端縁７を通つて強磁性体１に流入し、広い面積で
対向している記録媒体１２の軟磁性薄膜１０に導
かれて元の信号磁化にもどる。この際、MR素子
４の近傍における強磁性体１から媒体走行面まで
の距離ｂに対して、媒体走行面における強磁性体
１の端部８からMR素子４までの距離ａが短すぎ
ると、強磁性体１に流入した信号磁束が強磁性体
１の端部８に集中し、リングヘツドにおけるギヤ
ツプ動作と同様の干渉現象を起こし、記録波長が
ａおよびその整数倍の付近でデイツプ現象が発生
することがわかつた。このデイツプ現象のため
に、低密度領域のヘツド出力に対し半分の出力レ
ベルになる記録密度D50が小さくなる。第３図は
波長応答特性を示したもので、横軸に波長λの逆
数、すなわち周波数は対応したものをとり、縦軸
に相対出力をとつている。曲線イはａ／ｂ＝１の
場合でａの整数分の１の波長付近にデイツプ現象
が生じていることがわかる。したがつてD50に相
当する記録密度（＋字印）も非常に小さくなつて
いる。曲線ロはａ／ｂ＝５とした場合で、高密度
領域までデイツプ現象は見られず、D50も大幅に
向上していることがわかる。第４図はｂを固定し
てａを変えた場合のD50の変化を示したもので、
ａ／ｂが大きくなる程高密度特性が伸びているこ
とがわかる。この傾向はｂの大きさを変えても同
様で、実験結果からａがｂの５倍以上であれば、
波長応答特性上に凹凸も無くなり、高密度特性の
優れた垂直磁化再生ヘツドが得られることがわか
つた。また、ｂも固定してａを大きくしていつて
も再生効率がほとんで変化しないこともわかつ
た。これは強磁性体１と記録媒体１２の軟磁性薄
膜１０が非磁性材３を介して大面積で対向してお
り、ほとんどの磁束がこの非磁性材３を通つて記
録媒体１２の軟磁性薄膜１０へ流入するためであ
る。この結果、従来問題となつていた単体型MR
ヘツドにおける素子幅損失およびシールド型MR
ヘツドにおけるギヤツプ損失が解消され、高密度
特性が優れると同時に、凹凸の無い良好な記録密
度特性を実現することができる垂直磁化再生ヘツ
ドが得られる。また、上述したように強磁性体上
に切欠溝２を形成し、これに非磁性材３を充填し
て表面を仕上げ、その上に写真食刻技術で薄膜磁
気検出素子を形成していくので、製造も容易であ
り、薄膜技術を用いた量産にも極めて適してい
る。
第５図はこの発明の他の実施例の断面図を示し
たものであり、薄膜磁気検出部がMR素子４の上
端部が強磁性体１の切欠溝２の上端縁７と磁気的
に結合しており、MR素子４の下端部は電気絶縁
体を介して強磁性薄膜１４の上端部と磁気的に結
合しており、強磁性薄膜１４の下端部が記録媒体
１２と当接している構造からなるものである。電
気絶縁体としては、SiO，SiO2などの絶縁薄膜を
用いる。
たものであり、薄膜磁気検出部がMR素子４の上
端部が強磁性体１の切欠溝２の上端縁７と磁気的
に結合しており、MR素子４の下端部は電気絶縁
体を介して強磁性薄膜１４の上端部と磁気的に結
合しており、強磁性薄膜１４の下端部が記録媒体
１２と当接している構造からなるものである。電
気絶縁体としては、SiO，SiO2などの絶縁薄膜を
用いる。
このような構造にすることにより、MR素子４
を流れる電流がCo−Crなどの導電性の良い記録
媒体１２にリークするのを防ぐことができる。ま
た、強磁性薄膜１４としては、高透磁率・高飽和
磁束密度の磁性材料および耐摩耗性・耐食性に優
れた材料が望ましく、これらの条件に適したもの
として非晶質磁性材料を用いることにより高性能
の垂直磁化再生ヘツドが実現できる。
を流れる電流がCo−Crなどの導電性の良い記録
媒体１２にリークするのを防ぐことができる。ま
た、強磁性薄膜１４としては、高透磁率・高飽和
磁束密度の磁性材料および耐摩耗性・耐食性に優
れた材料が望ましく、これらの条件に適したもの
として非晶質磁性材料を用いることにより高性能
の垂直磁化再生ヘツドが実現できる。
また、図には示していないが、薄膜磁気検出部
の両側に前述の強磁性体を配置させることによ
り、外部から誘導ノイズに強い薄膜磁気ヘツドを
実現できるとともに、再生効率を高めるという効
果も合せて有することになる。
の両側に前述の強磁性体を配置させることによ
り、外部から誘導ノイズに強い薄膜磁気ヘツドを
実現できるとともに、再生効率を高めるという効
果も合せて有することになる。
発明の効果
以上のように、この発明による薄膜磁気ヘツド
は、従来の単体型MRヘツドにおける素子幅損失
や、シールド型MRヘツドにおけるギヤツプ損失
が無いため、高密度の垂直磁化をロスが少なく高
効率で再生することができる。さらに、ヘツド・
媒体間の相対速度が小さくても充分な再生出力が
得られると同時にヘツドインダクタンスが小さい
ために回路的な取扱いにおいて有利であり、さら
に今後予想されるマルチトラツク化においても好
適な構成である。また、構造が簡単であるため、
製造が容易で、高感度な再生ヘツドの量産が容易
に実現できる。
は、従来の単体型MRヘツドにおける素子幅損失
や、シールド型MRヘツドにおけるギヤツプ損失
が無いため、高密度の垂直磁化をロスが少なく高
効率で再生することができる。さらに、ヘツド・
媒体間の相対速度が小さくても充分な再生出力が
得られると同時にヘツドインダクタンスが小さい
ために回路的な取扱いにおいて有利であり、さら
に今後予想されるマルチトラツク化においても好
適な構成である。また、構造が簡単であるため、
製造が容易で、高感度な再生ヘツドの量産が容易
に実現できる。
また、薄膜磁気検出部の近傍に信号磁束を還流
させるための強磁性体を配置したことにより、高
密度に記録された信号磁化からの磁束を効率よく
再生でき、かつ、記録媒体走行面における強磁性
体端部から薄膜磁気検出部までの距離を薄膜磁気
検出部近傍における強磁性体から記録媒体走行面
までの距離の５倍以上とすることにより、還流磁
束が強磁性体端部に集中するのを防ぎ、信号磁束
の干渉による記録密度特性上の凹凸を解消し、良
好な記録密度特性が得られる。
させるための強磁性体を配置したことにより、高
密度に記録された信号磁化からの磁束を効率よく
再生でき、かつ、記録媒体走行面における強磁性
体端部から薄膜磁気検出部までの距離を薄膜磁気
検出部近傍における強磁性体から記録媒体走行面
までの距離の５倍以上とすることにより、還流磁
束が強磁性体端部に集中するのを防ぎ、信号磁束
の干渉による記録密度特性上の凹凸を解消し、良
好な記録密度特性が得られる。
第１図はこの発明の一実施例の薄膜磁気ヘツド
の斜視図、第２図は第１図のＡ−A′断面図、第
３図はこの発明の一実施例の薄膜磁気ヘツドの波
長応答特性を示す特性図、第４図はａ／ｂの値を
変えたときのD50の値の変化を示す特性図、第５
図はこの発明の他の実施例の薄膜磁気ヘツドの断
面図である。 １……強磁性体、２……切欠溝、３……非磁性
材、４……MR素子、５，６……電極。
の斜視図、第２図は第１図のＡ−A′断面図、第
３図はこの発明の一実施例の薄膜磁気ヘツドの波
長応答特性を示す特性図、第４図はａ／ｂの値を
変えたときのD50の値の変化を示す特性図、第５
図はこの発明の他の実施例の薄膜磁気ヘツドの断
面図である。 １……強磁性体、２……切欠溝、３……非磁性
材、４……MR素子、５，６……電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 全面を記録媒体走行面とする強磁性体と、こ
の強磁性体の一側面から前面にかけて設けた切欠
に充填した非磁性材と、一端が前記強磁性体の一
側面に付着形成されて前記強磁性体に磁気結合す
るとともに他端が前記強磁性体に連なる前記非磁
性材の側面に付着形成されて記録媒体に対向する
薄膜磁気検出部とを備え、前記記録媒体走行面に
おける前記強磁性体端部から前記薄膜磁気検出部
までの距離が前記薄膜磁気検出部近傍における前
記強磁性体から前記記録媒体走行面までの距離の
５倍以上に設定した薄膜磁気ヘツド。 ２ 前記薄膜磁気検出部は強磁性体よりなる薄膜
磁気抵抗効果素子単体で構成している特許請求の
範囲第１項記載の薄膜磁気ヘツド。 ３ 前記薄膜磁気検出部が強磁性材よりなる薄膜
磁気抵抗効果素子とこの薄膜磁気抵抗効果素子の
幅方向の一端部と電気絶縁体を介して磁気的に結
合しかつその一端部が記録媒体に面した強磁性薄
膜とで構成している特許請求の範囲第１項記載の
薄膜磁気ヘツド。 ４ 前記強磁性薄膜が非晶質磁性材料である特許
請求の範囲第３項記載の薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP45584A JPS60145520A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 薄膜磁気ヘッド |
| US06/687,932 US4654739A (en) | 1984-01-05 | 1984-12-31 | Thin film magnetic head for reproducing perpendicular magnetization |
| DE19853500159 DE3500159A1 (de) | 1984-01-05 | 1985-01-04 | Duennfilm-magnetkopf |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP45584A JPS60145520A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145520A JPS60145520A (ja) | 1985-08-01 |
| JPH0441411B2 true JPH0441411B2 (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=11474265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP45584A Granted JPS60145520A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145520A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011039998A1 (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-07 | パナソニック株式会社 | 照明装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5282318A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-09 | Teac Corp | Magnetic head and method of producing same |
| JPS57172525A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-23 | Canon Inc | Magnetic head for reproduction |
-
1984
- 1984-01-05 JP JP45584A patent/JPS60145520A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5282318A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-09 | Teac Corp | Magnetic head and method of producing same |
| JPS57172525A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-23 | Canon Inc | Magnetic head for reproduction |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011039998A1 (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-07 | パナソニック株式会社 | 照明装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60145520A (ja) | 1985-08-01 |
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