JPS5971118A - 垂直磁化再生ヘツド - Google Patents

垂直磁化再生ヘツド

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JPS5971118A
JPS5971118A JP18072082A JP18072082A JPS5971118A JP S5971118 A JPS5971118 A JP S5971118A JP 18072082 A JP18072082 A JP 18072082A JP 18072082 A JP18072082 A JP 18072082A JP S5971118 A JPS5971118 A JP S5971118A
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JP
Japan
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thin film
magnetic
magnetically permeable
reproducing head
recording medium
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Pending
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JP18072082A
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English (en)
Inventor
Kenji Kanai
金井 謙二
Kiyoshi Sasaki
清志 佐々木
Takeshi Takahashi
健 高橋
Ryuji Sugita
龍二 杉田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3916Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
    • G11B5/3919Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、垂直磁気記録媒体に記録された信号の再生に
好適な垂直磁化再生ヘッドに関する。
従来例の構成とその問題点 垂直磁気記録は従来の長手方向磁気記録よシ本質的に高
密度記録に適していることが知られている。しかし、再
生過程においてはまだいろいろ問題があった。例えば、
電磁誘導による巻線形磁気ヘッドで再生する場合には、
単磁極形ヘッドや、リング形ヘッドが提案されている。
リング形ヘッドで再生する場合、垂直記録の特徴である
短波長信号を再生するためには、ギャップ長を極端に小
さくする必要があり、その場合磁気ヘッドの磁気回路能
率が非常に悪くなる。再生感度を上げるために巻線数を
増やしていくと、ヘッドインダクタンスの増大による自
己共振周波数が低下する。一方、記録波長の短波長化に
伴い信号周波数が高く31″−1 なるため、磁気ヘッドの自己共振周波数の低下は信号再
生において、極めて不都合であった。まだ単磁極形ヘッ
ドにおいても、巻線形であるため、同様の問題をもって
いる。電磁誘導形ヘッドで共通したさらに大きな問題は
、ヘッドと記録媒体間の相対速度が小さい場合、再生出
力電圧が小さくなり、その対策としては巻線数の増大と
なり、上記問題を大きくする。一方、磁気ヘッドを多数
並設するヤルチトラック構成においては、巻線スペース
が問題となる。さらに、薄膜技術で構成する場合には、
巻線数が限られ、高感度々再生ヘッドを実現できない。
これらの問題を解決するために、最近、磁気抵抗効果(
以下MRと略記する)ヘッドが注目されている。従来の
MRヘッドは、例えば、短冊状MR素子の長手方向に電
流を流し、記録媒体にMR素子を垂直に配し、信号磁界
が素子面内に、長手方向と直角に入る素子単体形MRヘ
ッドがある。このタイプのMRヘッドでは、ヘッド構造
のみに起因する波長応答特性はMR素子幅Wによって決
定されることが知られている。この波長損失を充分小さ
くするためには素子幅Wを波長λ程度にする必要があり
、これは短波長指向のヘッドにとっては極めて不利であ
る。一方、MR素子の厚さ方向の両側に高透磁率の磁性
体を配置したシールド形MRヘッドがある。このタイプ
のMRヘッドは従来のリング形巻線ヘッドと略同じ波長
応答を示し、かなり短波長寸で、高感度に使用できるこ
とが知られている。しかし、MR素子と両側の高透磁率
磁性体との間には磁気的、電気的な絶縁を施す必要があ
り、この間の絶縁層厚’J1+ 92が従来のリング形
巻線ヘッドのギャップ長に相当する。さらに、近似的に
はql  のギャップ損失と92のギャップ損失の積の
形になるだめ、短波長におけるギャップ損失を充分小さ
くするためには、ql。
q2共極端に小さくする必要があり、この状況下で、磁
気的、電気的にリークのない狭ギャップ長を形成するこ
とは極めて困難である。
更に、MR素子の非直線性歪を低減するバイアス磁界を
印加する手段とし、導電体層を用いた場677−・ 合、従来構造においては、MR素子とバイアス用導電体
層との電気的リークが問題となったり、磁気的には狭ギ
ャップを実現する妨げとなるなどの問題を有していた。
発明の目的 本発明は、上記のように、電気的リークがなくMR素子
幅損失、ギャップ損失のない垂直磁化再生用MRヘッド
を実現す、ること、さらにMR素子の非直線性歪を低減
する信頼性に富む垂直磁化再生ヘッドを提供することを
目的とする。
発明の構成 本発明は上記の目的を達成するために、以下の部材によ
って構成することを特徴とする。
(a)  磁気抵抗効果を有するMR素子の長手方向に
電流を流し、記録媒体上の信号磁化から発生した磁束が
MR素子に導かれ、信号電圧を発生する磁性薄膜。
[有]ン垂直磁気記録媒体に記録されている信号磁化か
ら発生する信号磁束をMR素子に導く透磁性薄膜。
6ページ (c)MR素子を通過した信号磁束を再び記録媒体に導
く透磁性体。
(d)MR素子にバイアス磁界を与える導電体。
(e) Ca)〜(d)の薄膜を電気的に絶縁する絶縁
体。
(f)  (a)〜(8)の部材からなる磁気抵抗効果
形再生・・、ヘッド0 (q)  記録媒体裏面に透磁性薄膜または透磁性体を
有する垂直記録媒体。
本発明によれば、記録媒体裏面に透磁性薄膜または透磁
性体を有する2層膜垂直記録媒体に記録された信号磁化
によって発生した磁束は透磁性薄膜の下端部に導かれ、
その上端部からMR素子の下端部へ導かれ、その上端部
から透磁性体を通り媒体裏面の透磁性薄膜または透磁性
体に戻る閉磁路を通るため、単体形MRヘッドにおける
MR素子幅損失、シールド形MRへノドにおけるギャッ
プ損失がない。さらに、導電性記録媒体と組合わせだ場
合でも電気的リークの問題がなく、まだMR素子に安定
に非直線性歪を低減でき、高密度垂直磁化再生が行える
77・ 、・ 実施例の説明 記録媒体裏面に第1の透磁性薄膜または、第1の透磁性
体を配置した本質的に2層構成の水直記録媒体の垂直磁
化再生において、MR効果を有する第2の磁性薄膜の長
手方向に電流を流し、その幅方向上端部を第2の透磁性
体と磁気的に結合し、第2の透磁性薄膜の幅方向下端部
を第3の透磁性薄膜の幅方向上端部と磁気的に結合し、
その幅方向下端部を記録媒体に当接または近接せしめ、
第2の磁性薄膜幅方向上端部と第2の透磁性体との磁気
的空隙長と第2の透磁性体と第2の磁性薄膜の幅方向中
央部以下との距離より小さく構成し、少なくとも、第2
の磁性薄膜と第2の透磁性体の間に導電体をMR素子長
手方向に配置するものである。
以下に具体的実施例を第1図および第2図を用いて説明
する。
図に示すように、フェライトのような絶縁性磁性基板1
の表面に切欠き部にガラスなどの非磁性材3を充填し基
板1の表面と同一面に仕上げられた新た力表面に例えば
、A l * A u + Cuなどの良導電性物質を
蒸着力どの手段で被着し、写真食刻法によりバイアス導
電体層4を切欠き溝2と平行に形成する。その上に絶縁
層(図示せず)を介して、Ni−Fe合金を蒸着手段で
500八〇程度の厚さに被着し、写真食刻技術で電極6
,7をMR素子5の長手方向の両端に配置し、MR素子
5を切欠き溝2の長さ方向と平行に設ける。MR素子5
の上端部を磁性基板中に設けられた切欠き溝2の端部9
と磁気的に結合し、MR素子5の下端部は絶縁層(図示
せず)を介して略同−厚さの透磁性薄膜8の上端部と電
気的に絶縁され、磁気的に結合されている。
ペース材10上に配設されたNi−Fe合金などよりな
る透磁性薄膜11上にCo−Crなどよりなる垂直磁化
媒体12を有する2層構造垂直記録媒体の表面に透磁性
薄膜8の下端部が当接し、矢印13の方向に媒体を移動
させて垂直磁化信号を再生するものである。
本発明ヘッドの構造をより明確にするためにMR素子6
の中央部大−へ1 での断面を第2図に示し、バイアス
導電体層4.および導電体14の配置関係を示した。
第2図C)はバイアス用導電体層4がMR素子5と平行
に磁性基板1との間に配置された断面図を示し、導電体
層4に流れる電流により、MR素子6、透磁性薄膜8.
垂直磁化媒体裏面の透磁性薄膜11.磁性基板1を通る
閉磁気ループで効率よ(MR素子已にバイアス磁界が印
加される。)くイアス導電体層4とMR素子6は絶縁層
で完全に電気的に分離され、安定にバイアス磁界を印加
できる。同図すでは、バイアス用導電体層4がMR素子
5と平行に磁性基板1との間に配置された断面図を示し
、導電体層4に流れる電流により、MR素子6.2層構
造垂直記録媒体の透磁性薄膜11゜磁性基板1を通る閉
磁気ループで効率よ<ノ(イアスされる。この場合も、
バイアス導電体4とMR素子6は絶縁層(図示せず)を
充分大きくしてもギヤツブ損失に関係ないため、電気的
リークの問題を生じない。
10ベーソ 第2図(C)は、基板の切欠き溝2中に、バイアス導電
体14をガラス等でモールドした場合の断面図である。
導電体中の電流により、MR素子5゜透磁性薄膜8.垂
直磁気記録媒体中の透磁性薄膜11、磁性基板1を通る
バイアス磁界がMR素子5中に印加される。
第2図(d)は、基板の溝中にバイアス導電体層15を
形成し、その上にSi0 .3102等の耐圧純性に富
む絶縁層16を被着し、その上にMR素子6゜透磁性薄
膜8を形成した場合の断面図である。導電体層15がM
R素子5と完全に電気的に分離しているためリーク問題
を生じない。
第3図は各種ヘッドの波長応答特性を示す。MR素子単
体形ヘッドの波長特性をイに、従来のリング形ヘッドの
ギャップ損失まだは単磁極形垂直磁気ヘッドの厚み損失
をもつ波長特性を同図口に、本発明の垂直磁化再生ヘッ
ドの波長特性を71に夫々示す。なお、同図λは記録媒
体上の波長をμmで表示したものである。
なお、本発明の一実施例においては磁性基板を11べ゛ 用いた例を示しているが、本発明の思想は磁性基板に限
ったことではない。例えば、非磁性基板の上に磁性薄膜
を被着し、その上に必要部分に絶縁層を必要な厚さ被着
して、同一思想で垂直磁化再生ヘッドを構成できること
は明らかである。
発明の効果 以上のように本発明によれば、MR素子を閉磁路内に構
成されているため、MR素子幅損失がなく、従来の磁気
ヘッドのようなギャップ損失のない波長特性を実現する
ことができる。また、バイアス磁路も、閉磁路が構成さ
れているため効率よくバイアス磁界をMR素子に印加で
きるなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例の斜視図、第2図(a)、
 (b)、 (c)、 td)は第1図の要部を示す断
面図、第3図は本発明による垂直磁化再生ヘッドと従来
の磁気ヘッドとの波長応答特性を比較した図である。 1・・・・・・磁性基板、3・・・・・・非磁性材、6
・・・・・・MR素子、8・・・・・・透磁性薄膜、6
,7・・・・・・電極、4・・・・・・バイアス導電体
層、14・・・・・・バイアス導電体、12・・・・・
・垂直記録媒体、11・・・・・・透磁性薄膜、1゜・
・・・・・ベース材。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが1名第1
図 ハ 第 2 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)・記録媒体裏面に第1の透磁性薄膜まだは、第1
    の透磁性体を配置し、磁気抵抗効果を有する第2の磁性
    薄膜の長手方向に電流を流し、その幅方向上端部を第2
    の透磁性薄膜の幅方向下端部を第3の透磁性薄膜の幅方
    向上端部と磁気的に結合し、その幅方向下端部を記録媒
    体に当接または、近接せしめ、第2の磁性薄膜幅方向上
    端部と第2の透磁性との磁気的空隙長を第2の透磁性体
    と第2の磁性薄膜の幅方向中央部以下との距離より小さ
    く構成し、少なくとも第2の磁性薄膜と第2の透磁性体
    の間に導電体を前期長手方向に配置したことを特徴とす
    る垂直磁化再生ヘッド。 範囲第1項記載の垂直磁化再生ヘッド。 (3)第2の磁性薄膜部のみに導電体層を対向配設2ペ
    ージ することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の垂直
    磁化再生ヘッド。
JP18072082A 1982-04-14 1982-10-14 垂直磁化再生ヘツド Pending JPS5971118A (ja)

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JP18072082A JPS5971118A (ja) 1982-10-14 1982-10-14 垂直磁化再生ヘツド
US06/483,614 US4613918A (en) 1982-04-14 1983-04-11 Perpendicular magnetic playback head and a perpendicular magnetic recording and reproducing device
DE8383302024T DE3374622D1 (en) 1982-04-14 1983-04-11 A playback head for perpendicular magnetic recordings
EP83302024A EP0091812B1 (en) 1982-04-14 1983-04-11 A playback head for perpendicular magnetic recordings

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JP18072082A JPS5971118A (ja) 1982-10-14 1982-10-14 垂直磁化再生ヘツド

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JP18072082A Pending JPS5971118A (ja) 1982-04-14 1982-10-14 垂直磁化再生ヘツド

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798895A (en) * 1994-02-28 1998-08-25 Commissariat A L'energie Atomique Magnetic reading head having a magnetoresistant element and improved polarization means

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798895A (en) * 1994-02-28 1998-08-25 Commissariat A L'energie Atomique Magnetic reading head having a magnetoresistant element and improved polarization means

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