JPS5821328B2 - タソシジキヘツド - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気空隙の幅方向と基板平面を直立させないで
傾斜させて交錯させることによって稠密な記録密度を得
るものである。

磁気抵抗効果を利用した従来の磁気ヘッドの原理図を第
１図に示す。

記録媒体１と垂直（Ｚ方向）に強磁性体薄板よりなる磁
気抵抗効果素子２を当接または接近させ、磁気抵抗効果
素子（ＭＲ素子）の長手方向（Ｚ方向）の両端に電極３
，４を設け、電極３，４間に定電流１を流す。

記録媒体１からのＺ方向の信号磁界は、ＭＲ素子のＺ方
向の抵抗を変化させ、定電流によって電極３，４の間に
電圧変化を検出する。

この方式では、ＭＲ素子２あＺ方向の幅をＷとすると、
記録媒体１からし信号磁界強度は指数関数的に減少し、
特に記録媒体上の記録波長が短い領域では、ＭＲ素子２
の幅方向；の信号磁界減衰は非常に大きなものとなる。

また、ＭＲ素子をこのように構成すると、ＭＲ素子が直
接記録媒体１に当接するため、摩耗によって、使用中に
特性が変化する。

第２図に、前記従来例を用いて、多素子磁気ヘッドを形
成した場合の構成図を示す。

非磁性体基板５上に、パーマロイ等の強磁性体を蒸着等
の方法を利用して被着し、フォトエツチング等の方法を
利用して、第２図のようなコの字形に形成し、パーマロ
イ等の磁気抵抗効果を持つ材料の磁化容易軸方向を、Ｍ
Ｒ素子２の幅方向ａに形成し、記録媒体との当接面６を
ラッピング等の方法で設ける。

このような従来例では、ヘッドトラック幅に相当するＷ
を極端に小さくすることは構造上難しく、多素子化した
場合のトラックピッチが大きくなり、また、ＭＲ素子の
幅方向の信号磁界の減衰及び、摩耗の問題も重なって、
実用が困難であった。

本発明は、記録媒体から発生する磁束をＭＲ素子に導く
磁束収束コアをＭＲ素子の両端に設ける事によって、Ｍ
Ｒ素子を記録媒体と直接当接しないようにした磁気ヘッ
ド（第６図に示す）を、磁気空隙部を基板平面に対して
傾斜するように構成して、多素子化を実現する事を目的
としている。

先ず、第６図に示したＭＲ素子の両端に磁束収束コアを
持つ磁気ヘッドから説明する。

カラス、シリコン等の基板または金属基板上に設けたＳ
ｉＯやＳ ｉＯ２等の非導電体層の上に、パーマロイ等
の導電性強磁性体を蒸着や電着等の手段で被着し、ＭＲ
素子部７．磁束収束コア部８，９、空隙部１０、電極部
１１．１２をフォトエツチングや電子ビーム加工技術を
用いて形成し、ＭＲ電子７の長手方向が記録媒体にほぼ
垂直に、また、磁束収束コア８．９は、記録媒体に接触
するように、磁気空隙部１０が記録媒体に垂直になるよ
うに形成し、磁束収束コア８，９と電気的に接して電極
１１．１２を各々設ける。

この構成では、記録媒体からの信号磁界を、磁気空隙部
１０をはさんで磁束収束コア８，９で検出して、磁束を
ＭＲ素子の両端に磁気的なポテンシャルを生じ、ＭＲ素
子中の磁気抵抗が変化する。

この抵抗変化を電極１１．１２に定電流を流し検知する
。

このヘッドでは、磁気空隙部１０の幅方向は基板のなす
平面に対して平行であるので、フォトエツチング等の方
法を利用して、大量にヘッドを形成しても、トラックが
同一平面内にあるため、多素子磁気ヘッドの構成には貢
献しない。

第３図に、磁気空隙部の幅方向が基板平面と垂直に交わ
らない本発明による多素子磁気ヘッドの一実施例の平面
図を示し、第４図に、第３図の矢印すから見た、本発明
による多素子磁気ヘッドの一素子についての正面図を示
した。

まず、非磁性絶縁体基板１３の上に、アルミニウム、銅
等の非磁性導電体層を設け、フォトエツチング等の技術
を利用して、共通電極１４とバイアスコイル１６を形成
する。

バイアスコイル１５と共通電極１４の一部分、すなわち
信号電極１７と重なっている部分、をＳｉＯやＳｉＯ□
等の非磁性。

絶縁物質で絶縁する。

次に、パーマロイ等の導電性強磁性体膜を蒸着やスパッ
タリング等の方法で被着し、フォトエツチングや電子ビ
ーム加工技術等を利用して、磁束収束コア２０および共
通電極と接触する接合部 。

１８を形成する。

このとき、フォトエツチング加工の過程で、パーマロイ
等の磁束収束コア２０の空隙部２２との対向面が、第４
図に示したように、基板表面１３′と角度θ（ただしθ
は鋭角）をなすように、エツチング液やエツチング速度
を制御す・る。

この角度を形成する工程は、イオンビームや、電子ビー
ムを用いる場合、ビームの入射角を必要な角θになるよ
うにして行なう事もできる。

次に、傾ｉ＋のある磁束収束コア２０の一部分を覆うよ
うに、非磁性絶縁物質層を蒸着等の方法を用いて形成し
、空隙部２２および絶縁部２２′を設ける。

磁気空隙部２２の他端に、パーマロイ等の磁束収束コア
１９が対向するように、パーマロイ等の強磁性（本材料
）を蒸着やスパックリング等の方法を利用して被着し、
フォトエツチングや電子ビーム加工技術を利用して接合
部１８に電気的、磁気的に接触する接合部１８′と、Ｍ
Ｒ素子２１．磁束収束コア１９および、信号電極１７を
持つように、夕前記強磁性体膜を形成する。

この場合、パーマロイ等の強磁性体の蒸着膜は、第４図
の部分２３と磁束収束コア１９のように、必要部分より
太きく形成し、フォトエツチングや電子ビーム加工技術
等を利用して、部分２３を取り除く。

そして、取り除いた後の形状を、アジムス及びトラック
が一意に定まるようにする。

第５図に、本発明による多素子磁気ヘッドで実際に磁気
信号を再生する場合の、記録媒体との相対位置を示す図
を表わした。

前述のような方法で作られた多素子磁気ヘッドを、基板
表面１３′と記録媒体２４の走行方向、矢印Ｃと垂直な
方向ｄとのなす角をθとすると、磁気空隙部２２の幅方
向が、記録媒体２４の走行方向と平行となり、すなわち
、トラック２５の長手方向と平行となり、トラック２５
に記録された信号は、本発明による多素子磁気ヘッドで
再生することができる。

方向ｄと基板平面１３′と磁束収束コア２０のエツチン
グされた角θを大きくとれば、記録媒体２４上のトラッ
ク２５のピッチを大きくする事ができ、この限界は、磁
気空隙部２２のトラック幅によって定まる。

従来からの１１ＶｆＲ素子２では、トラック幅方向Ｚに
対して垂直に記録媒体が移動し、多素子磁気ヘッド２６
のトラックピッチは、すなわち、ＭＲ素子２のＺ方向の
長さＷとなる。

ＭＲ素子２を第２図のように構成すれば、素子２の長さ
および、各部回路との接触部の大きさでトラックピッチ
の限界が定まっていた。

本発明による多素子磁気ヘッドでは強磁性体による磁束
収束コア１９および２０の厚みで、はぼ限界が定まり、
トラック幅は５ミクロン以下にでき、トラックピッチは
１０ミクロン以下にする事ができる。

以上のように、本発明では、基板上に、磁気空隙を持つ
磁気薄板と、磁性薄板に磁気的に結合された磁気抵抗効
果素子とを設けるとともに、磁気空隙の幅方向と前記基
板平面の延長とが斜めに交差するよう形成しているため
、同一基板を用いて多素子磁気ヘッドを構成することが
できる。

そして、磁性薄板や磁気空隙部をそれぞれで磁性材料や
非磁性材料を堆積させ積層することにより、きわめて狭
い磁気空隙をもつ磁気ヘッドを得ることができ、磁気記
録密度の向上に容易に対応することができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は従来からの磁気抵抗効果型磁気ヘッドの原理図
、第２図は従来からの磁気抵抗効果型磁気ヘッドを多素
子化した構成図、第３図は、本発明の一実施例の多素子
磁気ヘッドの一実施例の平面図、第４図は第３図の矢印
すからの正面図、第５図は本発明の一実施例の多素子磁
気ヘッドと記録媒体との相対図、第６図は本発明の一実
施例の磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドの原理図で
ある。 １３・・・・・・非磁性絶縁体基板、１３′・・・・・
・基板表面、１９．２０・・・・・・磁束収束コア、２
１・・・・・・ＭＲ素子、２２・・・・・・空隙部、２
２′・・・・・・絶縁部、２４・・・・・・記録媒体、
２５・・・・・・トラック、２６・・・・・・多素子磁
気ヘラ ド。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 基板上に、磁気空隙を持つ磁性薄板と、前記磁性薄
   板に磁気的に結合された磁気抵抗効果素子とを設け、前
   記磁気空隙の幅方向と前記基板平面の延長とが斜めに交
   差していることを特徴とする多素子磁気ヘッド。