JPS6034165B2 - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6034165B2 JPS6034165B2 JP9196880A JP9196880A JPS6034165B2 JP S6034165 B2 JPS6034165 B2 JP S6034165B2 JP 9196880 A JP9196880 A JP 9196880A JP 9196880 A JP9196880 A JP 9196880A JP S6034165 B2 JPS6034165 B2 JP S6034165B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetoresistive element
- magnetic
- element film
- magnetoresistive
- core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘッド特に磁束収束型
の磁気へッドーこ関する。
の磁気へッドーこ関する。
第１図に、この種の磁気ヘッドの従来例を斜視図で示す
。
。
図において、１及び２は夫々下前部コァ及び下後部コア
であってフェライト等の磁性体で構成され、ガラス等の
絶縁層３で突合せ接合されて下部コア４を形成している
。５は磁気抵抗素子膜でパーマロィ等の強磁性材からな
り、絶縁層３をまたいで下部コア４上に形成されている
。
であってフェライト等の磁性体で構成され、ガラス等の
絶縁層３で突合せ接合されて下部コア４を形成している
。５は磁気抵抗素子膜でパーマロィ等の強磁性材からな
り、絶縁層３をまたいで下部コア４上に形成されている
。
６，６は信号取出導体、７は上部コァであって、第２図
に示す如く、基板４上にかぶせられ、媒体対向面Ａでは
磁気ギャップを形成するガラス層８で下部コァ４上に接
着されている。なお、磁気抵抗素子膜５には信号取出導
体６，６を通して一定の検知電流が流される。この磁気
ヘッドの動作を第２図について説明すると、記録媒体９
からの磁束■は、下前部コアー、磁気抵抗素子膜５、下
後部コア２、上部コア７からなる磁気回路を通って流れ
、この磁束■によって磁気抵抗素子膜５の抵抗が変化す
る。
に示す如く、基板４上にかぶせられ、媒体対向面Ａでは
磁気ギャップを形成するガラス層８で下部コァ４上に接
着されている。なお、磁気抵抗素子膜５には信号取出導
体６，６を通して一定の検知電流が流される。この磁気
ヘッドの動作を第２図について説明すると、記録媒体９
からの磁束■は、下前部コアー、磁気抵抗素子膜５、下
後部コア２、上部コア７からなる磁気回路を通って流れ
、この磁束■によって磁気抵抗素子膜５の抵抗が変化す
る。
磁気抵抗素子膜５には一定の検知電流が流れているから
、信号取出導体６，６間の電圧が、上記抵抗変化に対応
して変化し、記録媒体９の信号がこの電圧変化として信
号取出導体６，６間に現われる。ところが、この磁気抵
抗素子膜５は、例えばパーマロィ（電気抵抗：約３０ム
○伽）で構成した場合、中：１側、長さ１側の素子膜に
１０のＡの検知電流を流して１のＶの再生出力を得る為
には、これを３００Ａの薄膜に形成しなければならない
。しかしこのように薄くすると今度はその磁気抵抗が大
きくなる。この為、上記従釆構成の磁気ヘッドではヘッ
ド効率を高くすることが難しいという欠点があった。こ
の発明は、上記した従釆のものの欠点を除去する為にな
されたもので、磁気回路の一部を、巻回状に伸びる磁気
抵抗素子膜で構成することによって、従来のものに比し
て磁気抵抗素子膜の磁気抵抗を減少してヘッド効率を高
めることができる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。
、信号取出導体６，６間の電圧が、上記抵抗変化に対応
して変化し、記録媒体９の信号がこの電圧変化として信
号取出導体６，６間に現われる。ところが、この磁気抵
抗素子膜５は、例えばパーマロィ（電気抵抗：約３０ム
○伽）で構成した場合、中：１側、長さ１側の素子膜に
１０のＡの検知電流を流して１のＶの再生出力を得る為
には、これを３００Ａの薄膜に形成しなければならない
。しかしこのように薄くすると今度はその磁気抵抗が大
きくなる。この為、上記従釆構成の磁気ヘッドではヘッ
ド効率を高くすることが難しいという欠点があった。こ
の発明は、上記した従釆のものの欠点を除去する為にな
されたもので、磁気回路の一部を、巻回状に伸びる磁気
抵抗素子膜で構成することによって、従来のものに比し
て磁気抵抗素子膜の磁気抵抗を減少してヘッド効率を高
めることができる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。
以下、この発明の１実施例を図について説明する。
第３図において、９は上部コア、１０は下部コァである
。
。
両者はフェライト等の磁性体で側面視Ｌ字型に形成され
ており、媒体対向面Ａ側端９ａ，１０ａが磁気ギャップ
を形成するガラス等の絶縁層８を介して対向し、反媒体
対向面側端９ｂ，１０ｂ、が棒状の検出体１１で磁気的
に連結されている。検出体１１は反媒体対向面倒機９ｂ
，１０ｂに夫々形成した溝部９ｂ，，１０ｂ，間に橋格
するかたちで上部コア９と下部コア１０を磁気的に連結
している。検出体１１は、第４図に示す如く、非磁性の
導電性部材からなる円筒状若しくは円柱状の基材１１１
、パーマロィ等の強磁性材で作られた磁気抵抗素子膜１
１２、Ｓｊ０２、ガラス等で構成された絶縁膜１１３を
備えている。
ており、媒体対向面Ａ側端９ａ，１０ａが磁気ギャップ
を形成するガラス等の絶縁層８を介して対向し、反媒体
対向面側端９ｂ，１０ｂ、が棒状の検出体１１で磁気的
に連結されている。検出体１１は反媒体対向面倒機９ｂ
，１０ｂに夫々形成した溝部９ｂ，，１０ｂ，間に橋格
するかたちで上部コア９と下部コア１０を磁気的に連結
している。検出体１１は、第４図に示す如く、非磁性の
導電性部材からなる円筒状若しくは円柱状の基材１１１
、パーマロィ等の強磁性材で作られた磁気抵抗素子膜１
１２、Ｓｊ０２、ガラス等で構成された絶縁膜１１３を
備えている。
磁気抵抗素子膜１１２は絶縁膜１１３をはさんで基材１
１１上に巻回されたかたちとなっている。この検出体１
１は例えば第５図に示す方法で形成する。第５図におい
て、１２はついたてであって、その１側縁を基材１１１
の周面に近接せしめ、基村１１１を矢印方向にある定速
度で回転させながら、この基材１１１についたて１２の
両側から、夫々、パーマロイ等の磁気抵抗を有する金属
１３とガラス、Ｓｉ０２等の絶縁物１４を蒸着又はスパ
ッタにより被着せしめて形成する。信号取出導体６，６
は夫々、基材１１１及び磁気抵抗素子膜１１２の最外面
に接着剤等で取付けられており、両者を通して一定の検
知電流が供給される。この検知電流は、磁気抵抗素子膜
１１２を第６図に矢印１で示す方向に流れる。磁束■は
図示矢印方向に流れる。この磁気ヘッドでは、記録媒体
９からの磁束■は第７図に示す如く、下部コア１０、検
出体１１の磁気抵抗素子膜１１２、上部コア９を通って
流れる。
１１上に巻回されたかたちとなっている。この検出体１
１は例えば第５図に示す方法で形成する。第５図におい
て、１２はついたてであって、その１側縁を基材１１１
の周面に近接せしめ、基村１１１を矢印方向にある定速
度で回転させながら、この基材１１１についたて１２の
両側から、夫々、パーマロイ等の磁気抵抗を有する金属
１３とガラス、Ｓｉ０２等の絶縁物１４を蒸着又はスパ
ッタにより被着せしめて形成する。信号取出導体６，６
は夫々、基材１１１及び磁気抵抗素子膜１１２の最外面
に接着剤等で取付けられており、両者を通して一定の検
知電流が供給される。この検知電流は、磁気抵抗素子膜
１１２を第６図に矢印１で示す方向に流れる。磁束■は
図示矢印方向に流れる。この磁気ヘッドでは、記録媒体
９からの磁束■は第７図に示す如く、下部コア１０、検
出体１１の磁気抵抗素子膜１１２、上部コア９を通って
流れる。
従って、前記従来の場合と同様、磁気抵抗素子膜１１２
に抵抗変化が生じ、この抵抗変化に対応した電圧変化が
信号取出導体６，６間に現わされる。磁気抵抗素子膜１
１２はその全長を任意の長さにすることができるから
、例えば基村１１１の直径を１側とし該基材１１１上に
、厚さ０．１仏の、中１側の磁気抵抗素子膜１ １２を
１０００ターン巻回した状態とすると、電気抵抗は従来
の場合の約９０坊音、磁気抵抗は従来の場合の約１／１
００００に低減される。
に抵抗変化が生じ、この抵抗変化に対応した電圧変化が
信号取出導体６，６間に現わされる。磁気抵抗素子膜１
１２はその全長を任意の長さにすることができるから
、例えば基村１１１の直径を１側とし該基材１１１上に
、厚さ０．１仏の、中１側の磁気抵抗素子膜１ １２を
１０００ターン巻回した状態とすると、電気抵抗は従来
の場合の約９０坊音、磁気抵抗は従来の場合の約１／１
００００に低減される。
なお、基村１１１は、上記実施例では、導電性部材で構
成したが、前もって信号取出導体６，６を取付けるよう
にすればガラス等の絶縁物で構成することができる。
成したが、前もって信号取出導体６，６を取付けるよう
にすればガラス等の絶縁物で構成することができる。
以上の如く、この発明によれば、磁気回路の一部を構成
する磁気抵抗素子膜を、基材上に絶縁膜をはさんで巻回
状に形成するようにしたことによって、磁気抵抗素子膜
の長さを任意に長くしてその電気抵抗値を下げることな
く磁気回路を従釆の場合に比して大中に低減することが
できるので、再生出力を下げることなく、ヘッド効率を
高めることができる。
する磁気抵抗素子膜を、基材上に絶縁膜をはさんで巻回
状に形成するようにしたことによって、磁気抵抗素子膜
の長さを任意に長くしてその電気抵抗値を下げることな
く磁気回路を従釆の場合に比して大中に低減することが
できるので、再生出力を下げることなく、ヘッド効率を
高めることができる。
図面の簡単な説頚
第１図は磁束収束型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの従釆
例を示す斜視図、第２図は上記従来例の動作説明図、第
３図はこの発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの実施
例の斜視図、第４図は上記実施例における検出体の側面
図、第５図は上記検出体の製造方法の１例を示す図、第
６図及び第７図は上記実施例の動作説明図である。
例を示す斜視図、第２図は上記従来例の動作説明図、第
３図はこの発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの実施
例の斜視図、第４図は上記実施例における検出体の側面
図、第５図は上記検出体の製造方法の１例を示す図、第
６図及び第７図は上記実施例の動作説明図である。
図において、６・・・・・・信号取出導体、９・・・・
・・上部コア、１０・・・・・・下部コア、ｇ・・・・
・・磁気ギャップ、１１・・…・検出体、１１１・・・
・・・基材、１１２・・・・・・磁気抵抗素子膜、１１
３・・・・・・絶縁膜。
・・上部コア、１０・・・・・・下部コア、ｇ・・・・
・・磁気ギャップ、１１・・…・検出体、１１１・・・
・・・基材、１１２・・・・・・磁気抵抗素子膜、１１
３・・・・・・絶縁膜。
なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。第１
図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
Claims (1)
- １ 磁気回路の一部が、非磁性の基材上に絶縁膜をはさ
んで巻回状に形成された磁気抵抗素子膜で構成され、該
磁気抵抗素子膜と上記基材の夫々に信号取出導体が接続
されていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘツド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9196880A JPS6034165B2 (ja) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9196880A JPS6034165B2 (ja) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5715227A JPS5715227A (en) | 1982-01-26 |
| JPS6034165B2 true JPS6034165B2 (ja) | 1985-08-07 |
Family
ID=14041332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9196880A Expired JPS6034165B2 (ja) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6034165B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2664677B2 (ja) * | 1987-03-30 | 1997-10-15 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
| JP5761846B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-08-12 | Fdk株式会社 | 磁気センサ並びにそれを用いた電流センサ |
-
1980
- 1980-07-02 JP JP9196880A patent/JPS6034165B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5715227A (en) | 1982-01-26 |
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