JPH027213A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH027213A JPH027213A JP15838388A JP15838388A JPH027213A JP H027213 A JPH027213 A JP H027213A JP 15838388 A JP15838388 A JP 15838388A JP 15838388 A JP15838388 A JP 15838388A JP H027213 A JPH027213 A JP H027213A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録媒体中に磁化信号の記録再生を行う薄
膜磁気ヘッドに関するものである。
膜磁気ヘッドに関するものである。
従来の技術
上記薄Ｗｉ磁気ヘッドは、半導体の製法である薄膜形成
技術や、エツチング技術を駆使し高精度な磁気ヘッドを
実現したものである。従来磁気ヘッドは、フェライト、
センダストなどの磁性材料を研削加工、ラッピングなど
の機械加工によって磁気コアを形成し、この磁気コアに
巻線をほどこして製作していた。このため、高精度化、
量産化に限界があり、近年は薄膜磁気ヘッドに関心が集
まり、一部吊産も始まっている。薄膜磁気ヘッドｔよ、
薄膜形成技術、エツチング技術を用いて製作するため、
磁気ヘッドの小型化、高粘度化が容易であり、さらに磁
気コアが薄膜で形成されるため、（１）高周波での透磁
率の劣化が少ない、（２）記録に寄与Ｊるヘッド磁界が
急峻であり、高分解能な記録ができる、 （３）マルチトラックにした場合ｌ１ｇ接トラックとの
対向面積が小さいので各ヘッド間のクロストークが問題
にならない、 などの特徴がある。
技術や、エツチング技術を駆使し高精度な磁気ヘッドを
実現したものである。従来磁気ヘッドは、フェライト、
センダストなどの磁性材料を研削加工、ラッピングなど
の機械加工によって磁気コアを形成し、この磁気コアに
巻線をほどこして製作していた。このため、高精度化、
量産化に限界があり、近年は薄膜磁気ヘッドに関心が集
まり、一部吊産も始まっている。薄膜磁気ヘッドｔよ、
薄膜形成技術、エツチング技術を用いて製作するため、
磁気ヘッドの小型化、高粘度化が容易であり、さらに磁
気コアが薄膜で形成されるため、（１）高周波での透磁
率の劣化が少ない、（２）記録に寄与Ｊるヘッド磁界が
急峻であり、高分解能な記録ができる、 （３）マルチトラックにした場合ｌ１ｇ接トラックとの
対向面積が小さいので各ヘッド間のクロストークが問題
にならない、 などの特徴がある。
以下、従来の薄膜磁気ヘッドの構成について第２図の断
面図に基づいて説明する。
面図に基づいて説明する。
第２図において、１はラッピングなどの機械加■により
平坦化ｈｎ工した非ｖＡ性の基板であり、基板１の上に
スパッタ、贋者などの１！Ｉ膜形成技術およびエツチン
グ技術を用いて磁気コア、巻線などを形成し、薄膜磁気
ヘッドを構成している。づなわち、基板１の上に、飽和
磁束密度や透磁率の高い材料、たとえは’Ｆｅ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−／ＩＳｉ合金、アモルファス磁性材料などの
金属磁性材料により下部磁気コアとなる下部！１′Ｉｉ
λヤ膜２を形成し、この下部磁性薄膜２の上にＡρ２０
３．５ｉ０２などの耐摩耗材料により磁気ギャップとな
るギャップ層３を形成し、さらに前端部を除くギャップ
層３の上に、フィトレジストなどの有機材料または５ｉ
０２、Ａρ２０３などの勲機材斜により第１の絶縁薄膜
４と、その上の一部に微細化を考慮した比抵抗の小さい
ＣＩＪ、 八Ωなどの材料により＠線となる４電性薄膜
５ど、さらにその上に第１の絶縁Ｍ膜４と同材料により
第２の絶縁薄膜６とを形成し、ざらに前端部のギャップ
層３および第２の絶縁薄膜６の上に下部磁性薄膜２と同
材料により上部磁性コアとなる上部磁性薄ｇ！７を形成
し、後部で上部磁性薄膜２と結合させる。
平坦化ｈｎ工した非ｖＡ性の基板であり、基板１の上に
スパッタ、贋者などの１！Ｉ膜形成技術およびエツチン
グ技術を用いて磁気コア、巻線などを形成し、薄膜磁気
ヘッドを構成している。づなわち、基板１の上に、飽和
磁束密度や透磁率の高い材料、たとえは’Ｆｅ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−／ＩＳｉ合金、アモルファス磁性材料などの
金属磁性材料により下部磁気コアとなる下部！１′Ｉｉ
λヤ膜２を形成し、この下部磁性薄膜２の上にＡρ２０
３．５ｉ０２などの耐摩耗材料により磁気ギャップとな
るギャップ層３を形成し、さらに前端部を除くギャップ
層３の上に、フィトレジストなどの有機材料または５ｉ
０２、Ａρ２０３などの勲機材斜により第１の絶縁薄膜
４と、その上の一部に微細化を考慮した比抵抗の小さい
ＣＩＪ、 八Ωなどの材料により＠線となる４電性薄膜
５ど、さらにその上に第１の絶縁Ｍ膜４と同材料により
第２の絶縁薄膜６とを形成し、ざらに前端部のギャップ
層３および第２の絶縁薄膜６の上に下部磁性薄膜２と同
材料により上部磁性コアとなる上部磁性薄ｇ！７を形成
し、後部で上部磁性薄膜２と結合させる。
この上部磁性薄膜７の上にΔρ２０３、ＳｉＯ２などの
耐摩耗材により上部、下部磁性薄膜２，７を記録媒体と
の摺動による摩耗から保護する保護薄膜８を形成して、
薄膜磁気ヘッドを構成する。
耐摩耗材により上部、下部磁性薄膜２，７を記録媒体と
の摺動による摩耗から保護する保護薄膜８を形成して、
薄膜磁気ヘッドを構成する。
発明が解決しようとする課題
しかし、第２図に示でように、平坦な基板１の上に薄膜
ヘッドを形成すると、保護１９膜８の膜厚が厚くなり保
護薄膜８の形成時間が長くなるという問題や、基板１と
上部磁性薄膜７の段差が大きくなり、保護薄膜８の被覆
状態が劣化し、機械的強度が低下するという問題があっ
た。
ヘッドを形成すると、保護１９膜８の膜厚が厚くなり保
護薄膜８の形成時間が長くなるという問題や、基板１と
上部磁性薄膜７の段差が大きくなり、保護薄膜８の被覆
状態が劣化し、機械的強度が低下するという問題があっ
た。
本発明は上記問題を解決するものであり、基板と下部磁
性薄膜の段差を小８−くシ、保護薄膜の被覆状態を良化
せしめ機械的強度を向上させるとともに、保護薄膜の形
成時間を減らした薄膜磁気ヘッドを提供することを目的
とするものである。
性薄膜の段差を小８−くシ、保護薄膜の被覆状態を良化
せしめ機械的強度を向上させるとともに、保護薄膜の形
成時間を減らした薄膜磁気ヘッドを提供することを目的
とするものである。
課題を解決で−るための手段
上記問題を解決するため本発明は、非磁性基板上に平」
■な前端部をおいて溝部を形成し、前記基板の前端部お
よび溝部上に下部磁性薄膜を形成し、前記基板前端部の
下部磁性薄膜上にギャップ層を形成し、前記基板溝部の
下部磁性薄膜上に、第１の絶縁薄膜とその上の一部に導
電性薄膜とさらにその上に第２の絶縁薄膜とを基板面部
内に充填形成し、前記ギャップ層および第２の絶縁薄膜
上に上部磁性薄膜を形成したものである。
■な前端部をおいて溝部を形成し、前記基板の前端部お
よび溝部上に下部磁性薄膜を形成し、前記基板前端部の
下部磁性薄膜上にギャップ層を形成し、前記基板溝部の
下部磁性薄膜上に、第１の絶縁薄膜とその上の一部に導
電性薄膜とさらにその上に第２の絶縁薄膜とを基板面部
内に充填形成し、前記ギャップ層および第２の絶縁薄膜
上に上部磁性薄膜を形成したものである。
作用
上記構成により、基板の溝δ！Ｓ内に下部磁性薄膜、第
１．第２の絶縁Ｍ膜おＪ：び導電性薄膜を形成すること
によって、基板と上部磁性薄膜の段差が小さくなる。し
たがって、保護薄膜を薄くでき保護薄膜を形成づる時間
が短縮され、かつ保護薄膜の被覆状態の良化による橢械
的強度の向上が計れる。
１．第２の絶縁Ｍ膜おＪ：び導電性薄膜を形成すること
によって、基板と上部磁性薄膜の段差が小さくなる。し
たがって、保護薄膜を薄くでき保護薄膜を形成づる時間
が短縮され、かつ保護薄膜の被覆状態の良化による橢械
的強度の向上が計れる。
実施例
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例を示ｖ１膜磁気ヘッドの断面
図であり、この薄膜磁気ヘッドの＠造および製造方法を
説明プる。
図であり、この薄膜磁気ヘッドの＠造および製造方法を
説明プる。
セラミックやガラスなどの月利をラッピングなどで平坦
化加工をほどこして非磁性の基板１１を形成し、この基
板１１に研削などの機械加工またはイオンミーリングな
どのエツチング加工によって平坦な前端部を残して深さ
２０μｍ程度の溝部を設け、基板１１の前端部および溝
部の上に蒸着、スパッタなどの方法を用いて、Ｆｅ−８
ｉ−Ａ２合金、ＦＣ”Ｎ１合金などを３〜１０μｍ程度
付看し、エツチング、リフトオフなどの方法で下部磁気
コアとなる下部磁性薄Ｉｌ！１１２を形成する。さらに
基板１１の前端部の下部磁性薄膜１２の上にギャップ層
１３を５ｉ０２などの烈機材利で０．５μｍ程度スパッ
タなどにより形成し、基板１１の溝部の下部磁性薄膜１
２の上に第１の絶縁油Ｗｉ１４を溝内に配置でるように
、フォトレジストなどの有機絶縁材料で形成する。さら
に第１の絶縁油ｇ！１４の一部の上に巻線となるＣｕ、
Ａρなどの′４＃電材料を蒸着、贋者の方法で付着し、
エツチング、リフトオフなどにより所定の導電性薄膜１
５を形成し、導電性Ｍ膜１５と上部磁性薄膜１６とを電
気的に絶縁するために、第２の絶縁薄膜１７をフォトレ
ジストなどの有機絶縁材料を用いてアペックス部１８が
溝とギャップ層１３の境界に位置するように充填形成し
、ざらに上部磁性薄膜１６がギャップ層１３と平坦かも
しくは凹状になるように膜厚制御を回転数などのフォト
レジストの塗布条件により行う。なお、導電性簿膜１５
は、小面積にて多巻線を考えて、二層、四層と有機絶縁
材料で形成した第２の絶縁薄膜１７を介して重ねる場合
が多く、現在２０〜３０タ一ン程度まで実現されている
。
化加工をほどこして非磁性の基板１１を形成し、この基
板１１に研削などの機械加工またはイオンミーリングな
どのエツチング加工によって平坦な前端部を残して深さ
２０μｍ程度の溝部を設け、基板１１の前端部および溝
部の上に蒸着、スパッタなどの方法を用いて、Ｆｅ−８
ｉ−Ａ２合金、ＦＣ”Ｎ１合金などを３〜１０μｍ程度
付看し、エツチング、リフトオフなどの方法で下部磁気
コアとなる下部磁性薄Ｉｌ！１１２を形成する。さらに
基板１１の前端部の下部磁性薄膜１２の上にギャップ層
１３を５ｉ０２などの烈機材利で０．５μｍ程度スパッ
タなどにより形成し、基板１１の溝部の下部磁性薄膜１
２の上に第１の絶縁油Ｗｉ１４を溝内に配置でるように
、フォトレジストなどの有機絶縁材料で形成する。さら
に第１の絶縁油ｇ！１４の一部の上に巻線となるＣｕ、
Ａρなどの′４＃電材料を蒸着、贋者の方法で付着し、
エツチング、リフトオフなどにより所定の導電性薄膜１
５を形成し、導電性Ｍ膜１５と上部磁性薄膜１６とを電
気的に絶縁するために、第２の絶縁薄膜１７をフォトレ
ジストなどの有機絶縁材料を用いてアペックス部１８が
溝とギャップ層１３の境界に位置するように充填形成し
、ざらに上部磁性薄膜１６がギャップ層１３と平坦かも
しくは凹状になるように膜厚制御を回転数などのフォト
レジストの塗布条件により行う。なお、導電性簿膜１５
は、小面積にて多巻線を考えて、二層、四層と有機絶縁
材料で形成した第２の絶縁薄膜１７を介して重ねる場合
が多く、現在２０〜３０タ一ン程度まで実現されている
。
さらに、第２絶縁薄脱１７の上に、下部磁性薄膜１２と
後部で直接結合しかつ前部でギャップ層１３を介して磁
気的に結合するように上部磁性薄膜１６をＦｅ−Ｎｒ含
金、Ｆｅ−ＡＵ−３ｉ合金などの金属磁性材料で形成し
、エツチング、リフトオフなどで形状を整える。さらに
、下部磁性層１２、導電性７１Ｗｉ１５、上部磁性９１
１９１６などからなるヘッド素子部を保護するために、
ＡΩ２０３．５ｉ０２などによる保ｆｉ［膜１９を２０
〜４０μｍ付肴し、さらに薄膜形成によりできた１５μ
ｍ程度の凹凸をなくすため、ラッピングやプラズマｈｎ
■により保護薄膜１９を平坦化し、記録媒体２０とのＭ
初の安定化および薄膜部の保護の！こめに、樹脂やガラ
スなどの接着剤２１を用いてカバー材２２を接肴してい
る。
後部で直接結合しかつ前部でギャップ層１３を介して磁
気的に結合するように上部磁性薄膜１６をＦｅ−Ｎｒ含
金、Ｆｅ−ＡＵ−３ｉ合金などの金属磁性材料で形成し
、エツチング、リフトオフなどで形状を整える。さらに
、下部磁性層１２、導電性７１Ｗｉ１５、上部磁性９１
１９１６などからなるヘッド素子部を保護するために、
ＡΩ２０３．５ｉ０２などによる保ｆｉ［膜１９を２０
〜４０μｍ付肴し、さらに薄膜形成によりできた１５μ
ｍ程度の凹凸をなくすため、ラッピングやプラズマｈｎ
■により保護薄膜１９を平坦化し、記録媒体２０とのＭ
初の安定化および薄膜部の保護の！こめに、樹脂やガラ
スなどの接着剤２１を用いてカバー材２２を接肴してい
る。
上記構成の薄膜磁気ヘッドは、下部、上部磁性薄膜１２
．１６と略直角な面２３をラッピングなどて鏡面に仕上
げて記録媒体２０と当接する面とする。この結果、導電
性薄膜１５に電流を流づことにより誘導される磁束は、
上部磁性薄膜１６より記録媒体２０を通って下部磁性薄
膜１２と導びかれ、下部磁性層ＷＡ１６へと戻る。
．１６と略直角な面２３をラッピングなどて鏡面に仕上
げて記録媒体２０と当接する面とする。この結果、導電
性薄膜１５に電流を流づことにより誘導される磁束は、
上部磁性薄膜１６より記録媒体２０を通って下部磁性薄
膜１２と導びかれ、下部磁性層ＷＡ１６へと戻る。
このＪ：うに、基板１１に設けた溝部内にヘッド素子部
を形成したことによって、基板１１と上部磁性薄膜１６
との段差を小さくすることができ、したがって保護薄膜
１９の膜厚を薄くできるため保護薄膜１９の形成時間を
短縮でき、さらに保護薄膜１９の被覆状態が良くなり、
記録媒体２０との摺動などによる外力に対して機械的強
度を向上させることができる。
を形成したことによって、基板１１と上部磁性薄膜１６
との段差を小さくすることができ、したがって保護薄膜
１９の膜厚を薄くできるため保護薄膜１９の形成時間を
短縮でき、さらに保護薄膜１９の被覆状態が良くなり、
記録媒体２０との摺動などによる外力に対して機械的強
度を向上させることができる。
発明の効果
以上のＪ：うに本発明によれば、基板に設けた溝部内に
、下部ｒａ性薄膜、第１．第２の絶縁薄膜、およびＭ９
−Ｆ、性薄膜を形成することにより、基板と上部磁性薄
膜の段差を小さくすることができ、保護薄膜を薄くでき
ることによる保護薄膜の形成時間の短縮、保護薄膜の被
覆状態の良化にＪ：るぼ械的強度の向上を計ることかで
き、その実用的効梁は大きい。
、下部ｒａ性薄膜、第１．第２の絶縁薄膜、およびＭ９
−Ｆ、性薄膜を形成することにより、基板と上部磁性薄
膜の段差を小さくすることができ、保護薄膜を薄くでき
ることによる保護薄膜の形成時間の短縮、保護薄膜の被
覆状態の良化にＪ：るぼ械的強度の向上を計ることかで
き、その実用的効梁は大きい。
第１図ｔよ本発明の一実施例を示す薄膜磁気ヘッドの断
面図、第２図は従来の薄膜磁気ヘッドの断面図である。 １１・・・基板、１２・・・下部磁性薄膜、１３・・・
ギャップ層、１４・・・第１の絶縁薄膜、１５・・・４
電性薄膜、１６・・・上部磁性薄膜、１７・・・第２の
絶縁薄膜、１９・・・保護薄膜。 代理人 森 本 ｉ 弘
面図、第２図は従来の薄膜磁気ヘッドの断面図である。 １１・・・基板、１２・・・下部磁性薄膜、１３・・・
ギャップ層、１４・・・第１の絶縁薄膜、１５・・・４
電性薄膜、１６・・・上部磁性薄膜、１７・・・第２の
絶縁薄膜、１９・・・保護薄膜。 代理人 森 本 ｉ 弘
Claims (1)
- １、非磁性基板上に平坦な前端部をおいて溝部を形成し
、前記基板の前端部および溝部上に下部磁性薄膜を形成
し、前記基板前端部の下部磁性薄膜上にギャップ層を形
成し、前記基板溝部の下部磁性薄膜上に、第１の絶縁薄
膜とその上の一部に導電性薄膜とさらにその上に第２の
絶縁薄膜とを基板溝部内に充填形成し、前記ギャップ層
および第２の絶縁薄膜上に上部磁性薄膜を形成した薄膜
磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15838388A JPH027213A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15838388A JPH027213A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027213A true JPH027213A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15670517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15838388A Pending JPH027213A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH027213A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04192105A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びそれを搭載した磁気ディスク装置 |
| EP0894319A1 (en) * | 1996-04-18 | 1999-02-03 | Storage Technology Corporation | Thin film tape head with reduced pole-tip recession |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6284415A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-17 | Seiko Epson Corp | 薄膜磁気ヘツド |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP15838388A patent/JPH027213A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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