JPH11110718A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH11110718A JPH11110718A JP10226556A JP22655698A JPH11110718A JP H11110718 A JPH11110718 A JP H11110718A JP 10226556 A JP10226556 A JP 10226556A JP 22655698 A JP22655698 A JP 22655698A JP H11110718 A JPH11110718 A JP H11110718A
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 非磁性ギャップ層42により分離された
第1及び第2ポール先端層26、30を有する磁気ヘッ
ド。両ポール先端層は高磁気モーメント材料で形成され
る。第1及び第2ポール先端層の左側壁26A、30A
は互いに垂直方向に整合し、同様に第1及び第2ポール
先端層26B、30Bの左側壁は互いに垂直方向に整合
している。 【効果】 一方のポール先端層から他方へのサイドフリ
ンジ磁束が実質的に低減され、データを書き込む際にト
ラックの境界を良好に画定し得る磁気ヘッドが得られ
る。高磁気モーメント材料で形成されたポール先端層は
高い保磁力を提供し得るので、ポール先端層が磁気飽和
状態で動作する可能性が少なくなる。この磁気ヘッド
は、反転型ヘッド又は非反転型ヘッドとして製造するこ
とができ、高い飽和保磁力をもって高データ転送速度で
磁気媒体に書き込むことができる。
第1及び第2ポール先端層26、30を有する磁気ヘッ
ド。両ポール先端層は高磁気モーメント材料で形成され
る。第1及び第2ポール先端層の左側壁26A、30A
は互いに垂直方向に整合し、同様に第1及び第2ポール
先端層26B、30Bの左側壁は互いに垂直方向に整合
している。 【効果】 一方のポール先端層から他方へのサイドフリ
ンジ磁束が実質的に低減され、データを書き込む際にト
ラックの境界を良好に画定し得る磁気ヘッドが得られ
る。高磁気モーメント材料で形成されたポール先端層は
高い保磁力を提供し得るので、ポール先端層が磁気飽和
状態で動作する可能性が少なくなる。この磁気ヘッド
は、反転型ヘッド又は非反転型ヘッドとして製造するこ
とができ、高い飽和保磁力をもって高データ転送速度で
磁気媒体に書き込むことができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに
関し、特に高面密度及び高飽和保磁力で磁気媒体上に書
き込むことができる、ポール幅が狭く飽和閾値レベルが
高い磁気ヘッドアセンブリ及びかかる磁気ヘッドを製造
する方法に関する。
関し、特に高面密度及び高飽和保磁力で磁気媒体上に書
き込むことができる、ポール幅が狭く飽和閾値レベルが
高い磁気ヘッドアセンブリ及びかかる磁気ヘッドを製造
する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的なインダクティブ薄膜磁気ヘッド
は、第1磁気ポール層及び第2磁気ポール層を備え、こ
れら両ポール層の間に電気コイルが設けられている。前
記両ポール層は、その一端がバッククロージュアにおい
て互いに接して連続的な磁路を形成し、かつ他端に狭い
変換ギャップを有する。前記変換ギャップにより分離さ
れた第1及び第2ポールの部分は、それぞれ第1及び第
2ポール先端部と呼ばれる。
は、第1磁気ポール層及び第2磁気ポール層を備え、こ
れら両ポール層の間に電気コイルが設けられている。前
記両ポール層は、その一端がバッククロージュアにおい
て互いに接して連続的な磁路を形成し、かつ他端に狭い
変換ギャップを有する。前記変換ギャップにより分離さ
れた第1及び第2ポールの部分は、それぞれ第1及び第
2ポール先端部と呼ばれる。
【0003】データを狭トラック幅及び高線記録密度で
書き込むためには、ポール先端部の狭い磁気ヘッドを提
供することが必要である。しかしながら、ポール先端部
の狭い磁気ヘッドを製造することに関して技術的な問題
がある。製造時に直面する主な問題は、前記両ポール先
端部の整合である。この問題を解消するために様々な方
法が提案されている。
書き込むためには、ポール先端部の狭い磁気ヘッドを提
供することが必要である。しかしながら、ポール先端部
の狭い磁気ヘッドを製造することに関して技術的な問題
がある。製造時に直面する主な問題は、前記両ポール先
端部の整合である。この問題を解消するために様々な方
法が提案されている。
【0004】上述した磁気ヘッドはインダクティブヘッ
ドと呼ばれている。インダクティブヘッドは、データ読
取り変換器と組み合わせて、複合ヘッドを形成すること
ができる。
ドと呼ばれている。インダクティブヘッドは、データ読
取り変換器と組み合わせて、複合ヘッドを形成すること
ができる。
【0005】図14Aは、第1ポール先端部4の横方向
の寸法を第2ポール先端部6より広くした磁気ヘッドを
製造する従来の方法を示している。第1ポール先端部4
の幅が広いことにより、第2ポール先端部6の付着時に
おける位置の不整合がある程度許容される。磁気ヘッド
2において、第2ポール先端部6の幅TWは、磁気ヘッ
ド2のトラック幅を画定するものである。
の寸法を第2ポール先端部6より広くした磁気ヘッドを
製造する従来の方法を示している。第1ポール先端部4
の幅が広いことにより、第2ポール先端部6の付着時に
おける位置の不整合がある程度許容される。磁気ヘッド
2において、第2ポール先端部6の幅TWは、磁気ヘッ
ド2のトラック幅を画定するものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来方法の問題点は、第1ポール先端部4の幅が大きいこ
とにより、第2ポール先端部6の幅を超えた磁束の漏れ
を回避できないことである。図14Bに示すように、第
2ポール先端部6から第1ポール先端部4に向かう磁束
線Fのような漏れ磁束が、トラックの境界が不明確な幅
Wのデータトラック8を記録させることになり、これに
より記録媒体10におけるトラック間の分離が非常に制
限される。
来方法の問題点は、第1ポール先端部4の幅が大きいこ
とにより、第2ポール先端部6の幅を超えた磁束の漏れ
を回避できないことである。図14Bに示すように、第
2ポール先端部6から第1ポール先端部4に向かう磁束
線Fのような漏れ磁束が、トラックの境界が不明確な幅
Wのデータトラック8を記録させることになり、これに
より記録媒体10におけるトラック間の分離が非常に制
限される。
【0007】最近は、常に物理的寸法を小さくしかつ記
憶容量を増大させた記録装置が製造される。磁気ヘッド
は、顕微鏡的に制限された領域に組み立てられる。磁気
ヘッドの感度を増すために、コイルの巻数を増やすこと
ができる。しかしながら、コイル巻数の増加は、常に領
域の制限により制限される。更に、コイル巻数が多くな
ればなるほど、それに付随する磁気ヘッドのインダクタ
ンスが大きくなる。高インダクタンスの磁気ヘッドは、
データ書込み電流に対する応答が鈍く、かつ高周波数範
囲で動作させることができない。
憶容量を増大させた記録装置が製造される。磁気ヘッド
は、顕微鏡的に制限された領域に組み立てられる。磁気
ヘッドの感度を増すために、コイルの巻数を増やすこと
ができる。しかしながら、コイル巻数の増加は、常に領
域の制限により制限される。更に、コイル巻数が多くな
ればなるほど、それに付随する磁気ヘッドのインダクタ
ンスが大きくなる。高インダクタンスの磁気ヘッドは、
データ書込み電流に対する応答が鈍く、かつ高周波数範
囲で動作させることができない。
【0008】磁気ヘッドの書込み感度を増大させる別の
方法は、書込み電流の大きさを増大させることである。
書込み電流が高いと、発生するジュール熱が高くなり、
これが熱の消散に関して、制限された空間に形成された
磁気ヘッドの負担を大きくする。しかしながら、最も重
要な問題は、高い書込み電流に応答する磁気ヨークが直
面する早期磁気飽和である。
方法は、書込み電流の大きさを増大させることである。
書込み電流が高いと、発生するジュール熱が高くなり、
これが熱の消散に関して、制限された空間に形成された
磁気ヘッドの負担を大きくする。しかしながら、最も重
要な問題は、高い書込み電流に応答する磁気ヨークが直
面する早期磁気飽和である。
【0009】図15Aは、高い透磁率勾配特性を有する
パーマロイ(MiFe)のような磁気材料のヒステリシ
ス曲線12を示しており、パーマロイは磁気ヘッドの磁
気ヨーク又は先端部の材料として一般に使用されてい
る。図15Bは、従来の磁気ヘッド2の先端部分を示す
部分的斜視図である。コイル14を流れる書込み電流I
が増加したとき、インダクティブコイル14により誘導
される磁束が同様に増加する。磁気ヨーク層16、18
に保磁力を作用させる磁束も同様に増加する。
パーマロイ(MiFe)のような磁気材料のヒステリシ
ス曲線12を示しており、パーマロイは磁気ヘッドの磁
気ヨーク又は先端部の材料として一般に使用されてい
る。図15Bは、従来の磁気ヘッド2の先端部分を示す
部分的斜視図である。コイル14を流れる書込み電流I
が増加したとき、インダクティブコイル14により誘導
される磁束が同様に増加する。磁気ヨーク層16、18
に保磁力を作用させる磁束も同様に増加する。
【0010】例えば図15Aに示すように、飽和保磁力
が5エルステッドを超えると、前記磁気ヨーク層は20
0ナノウェーバーで完全に飽和し、書込み電流の増加に
全く応答できなくなる。通常、磁気飽和は物理的寸法が
最も小さい領域で起こる。例えば、磁気飽和が起こる
と、これは第1及び第2ポール先端層4、6で起こり、
次にゆっくりと、ヨーク部分16、18のような物理的
にかさの大きい領域に進行する。狭データトラックで書
き込むためにポール先端部をより小さく形成すること
は、磁気飽和の問題を一層悪化させる。
が5エルステッドを超えると、前記磁気ヨーク層は20
0ナノウェーバーで完全に飽和し、書込み電流の増加に
全く応答できなくなる。通常、磁気飽和は物理的寸法が
最も小さい領域で起こる。例えば、磁気飽和が起こる
と、これは第1及び第2ポール先端層4、6で起こり、
次にゆっくりと、ヨーク部分16、18のような物理的
にかさの大きい領域に進行する。狭データトラックで書
き込むためにポール先端部をより小さく形成すること
は、磁気飽和の問題を一層悪化させる。
【0011】側壁を垂直方向に整合させたポール先端部
を有する磁気ヘッドが提案されている。1995年9月19日
発行のコール(Cole)他による米国特許第5,452,
164号、発明の名称:「The Thin Film Magnetic Writ
e Head」には、テンプレートとして上に置いたマスクを
介してイオンミリングを行う方法により、第1及び第2
ポール先端部の側壁を垂直に整合させることができる磁
気ヘッドが開示されている。しかしながら、このコール
他による磁気ヘッドは、上述した磁気飽和の問題を解消
するものではない。
を有する磁気ヘッドが提案されている。1995年9月19日
発行のコール(Cole)他による米国特許第5,452,
164号、発明の名称:「The Thin Film Magnetic Writ
e Head」には、テンプレートとして上に置いたマスクを
介してイオンミリングを行う方法により、第1及び第2
ポール先端部の側壁を垂直に整合させることができる磁
気ヘッドが開示されている。しかしながら、このコール
他による磁気ヘッドは、上述した磁気飽和の問題を解消
するものではない。
【0012】磁気ヘッドにより書き込まれるデータトラ
ックの境界が不明瞭であるという問題、及び磁気ヘッド
の物理的寸法を小さく製造したときに該ヘッドが早期磁
気飽和状態で動作することを防止するという問題を解消
する必要がある。これらの問題は、現在の記憶装置が寸
法をより小さくかつ記憶容量を増大させるように製造さ
れていることから、より深刻になっている。
ックの境界が不明瞭であるという問題、及び磁気ヘッド
の物理的寸法を小さく製造したときに該ヘッドが早期磁
気飽和状態で動作することを防止するという問題を解消
する必要がある。これらの問題は、現在の記憶装置が寸
法をより小さくかつ記憶容量を増大させるように製造さ
れていることから、より深刻になっている。
【0013】トラックの境界を不明瞭にして書き込まれ
たデータトラックは、トラック間の分離を非常に危うく
し、これが次に記録装置の全記憶容量を低下させること
になる。早期に磁気飽和した磁気ヘッドは高周波数で動
作することができず、高面密度で記録媒体に高速でデー
タを転送するには不向きである。そこで、トラックの境
界を充分に画定してデータトラックを書き込むことがで
き、しかも高価でない適当なコストで製造することがで
きる磁気ヘッドを提供する必要がある。
たデータトラックは、トラック間の分離を非常に危うく
し、これが次に記録装置の全記憶容量を低下させること
になる。早期に磁気飽和した磁気ヘッドは高周波数で動
作することができず、高面密度で記録媒体に高速でデー
タを転送するには不向きである。そこで、トラックの境
界を充分に画定してデータトラックを書き込むことがで
き、しかも高価でない適当なコストで製造することがで
きる磁気ヘッドを提供する必要がある。
【0014】本発明の目的は、狭データトラックを高線
記録密度で書き込むことができる磁気ヘッドを提供する
ことにある。本発明の別の目的は、高い飽和閾値容量を
有し、かつ高飽和保磁力及び高面密度で媒体への高速デ
ータ転送を実行し得る磁気ヘッドを提供することにあ
る。
記録密度で書き込むことができる磁気ヘッドを提供する
ことにある。本発明の別の目的は、高い飽和閾値容量を
有し、かつ高飽和保磁力及び高面密度で媒体への高速デ
ータ転送を実行し得る磁気ヘッドを提供することにあ
る。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明によれは、薄膜磁
気ヘッドは非磁性ギャップ層で分離された第1及び第2
ポール先端部を有する。前記ポール先端部は高磁気モー
メント材料で形成される。前記第1及び第2ポール先端
部の左右側壁部は、それぞれ互いに垂直方向に整合して
いる。
気ヘッドは非磁性ギャップ層で分離された第1及び第2
ポール先端部を有する。前記ポール先端部は高磁気モー
メント材料で形成される。前記第1及び第2ポール先端
部の左右側壁部は、それぞれ互いに垂直方向に整合して
いる。
【0016】一方のポール先端部から他方への磁束のサ
イドフリンジが実質的に低減され、その結果充分に境界
を画定したデータトラックを書き込むことができる磁気
ヘッドが得られる。更に、高磁気モーメント材料で形成
されたポール先端部は高飽和保磁力媒体に対する許容度
を有するので、前記ポール先端部が磁気飽和に陥る可能
性が少なくなる。
イドフリンジが実質的に低減され、その結果充分に境界
を画定したデータトラックを書き込むことができる磁気
ヘッドが得られる。更に、高磁気モーメント材料で形成
されたポール先端部は高飽和保磁力媒体に対する許容度
を有するので、前記ポール先端部が磁気飽和に陥る可能
性が少なくなる。
【0017】本発明の磁気ヘッドは、反転型又は非反転
型ヘッドとして製造することができる。いずれの場合に
も、整合させたポール先端部は最初に第1ポール層及び
第2ポール層間にギャップ層を有する3層サンドイッチ
構造を基板上に付着させることにより形成される。次
に、この3層サンドイッチ構造をマスク層を介して、少
なくとも基板上に形成された積層構造を残すようにエッ
チングする。この積層構造は、ポール先端部の側壁を整
合させた磁気ヘッドの磁気ポール先端領域を構成する。
型ヘッドとして製造することができる。いずれの場合に
も、整合させたポール先端部は最初に第1ポール層及び
第2ポール層間にギャップ層を有する3層サンドイッチ
構造を基板上に付着させることにより形成される。次
に、この3層サンドイッチ構造をマスク層を介して、少
なくとも基板上に形成された積層構造を残すようにエッ
チングする。この積層構造は、ポール先端部の側壁を整
合させた磁気ヘッドの磁気ポール先端領域を構成する。
【0018】本発明によれば、ポール先端部を狭く画定
することにより、本発明の磁気ヘッドは記憶媒体上に狭
データトラック幅で書き込むことができる。早期磁気飽
和の問題は、前記ポール先端部を高磁気モーメント材料
で形成したことから回避される。
することにより、本発明の磁気ヘッドは記憶媒体上に狭
データトラック幅で書き込むことができる。早期磁気飽
和の問題は、前記ポール先端部を高磁気モーメント材料
で形成したことから回避される。
【0019】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しつつ、本
発明について詳細に説明する。添付図面において、類似
の部分には類似の参照符号を付すこととする。図1は、
本発明より形成された磁気ヘッド20の上面を示してい
る。説明を簡単にするため、磁気ヘッド20の関連する
構成要素が見えるように、図1では上部の保護層及び絶
縁層が示されていない。しかしながら、これら上部の各
層は、それぞれ図1の2−2線及び3−3線において正
面及び側面方向から見た断面図である図2及び図3に示
されている。
発明について詳細に説明する。添付図面において、類似
の部分には類似の参照符号を付すこととする。図1は、
本発明より形成された磁気ヘッド20の上面を示してい
る。説明を簡単にするため、磁気ヘッド20の関連する
構成要素が見えるように、図1では上部の保護層及び絶
縁層が示されていない。しかしながら、これら上部の各
層は、それぞれ図1の2−2線及び3−3線において正
面及び側面方向から見た断面図である図2及び図3に示
されている。
【0020】磁気ヘッド20は、第1ポール先端層26
を有しかつ基板24上に付着させて形成された第1ヨー
ク層22を備える。基板24は、アルミナ・チタン・カ
ーバイド(Al2O3TiC)又は炭化ケイ素(SiC)
のような非磁性かつ電気的絶縁材料で形成することがで
きる。基板24には、構成要素を予め形成しておくこと
ができる。例えば、複合ヘッドでは、第1シールド層3
8及び読取り変換器39のような様々な構成要素の膜層
を予め組み付けた後、第1ヨーク層22の基板として使
用することができる。
を有しかつ基板24上に付着させて形成された第1ヨー
ク層22を備える。基板24は、アルミナ・チタン・カ
ーバイド(Al2O3TiC)又は炭化ケイ素(SiC)
のような非磁性かつ電気的絶縁材料で形成することがで
きる。基板24には、構成要素を予め形成しておくこと
ができる。例えば、複合ヘッドでは、第1シールド層3
8及び読取り変換器39のような様々な構成要素の膜層
を予め組み付けた後、第1ヨーク層22の基板として使
用することができる。
【0021】第1ヨーク層22の上には、第2ポール先
端層30を有する第2ポール層28が形成される。第1
ヨーク層22と第2ヨーク層28との間には、絶縁材料
34により互いに分離されたインダクティブコイル32
A、32Bが挟設される(図3)。両インダクティブコ
イル32A、32Bは、電気的フィードスルー36を用
いて互いに電気的に接続されている。電流は、一対の電
気リード38A、38Bを介して直列に接続されたコイ
ル32A、32Bに向けてまたは該コイルから流れる。
端層30を有する第2ポール層28が形成される。第1
ヨーク層22と第2ヨーク層28との間には、絶縁材料
34により互いに分離されたインダクティブコイル32
A、32Bが挟設される(図3)。両インダクティブコ
イル32A、32Bは、電気的フィードスルー36を用
いて互いに電気的に接続されている。電流は、一対の電
気リード38A、38Bを介して直列に接続されたコイ
ル32A、32Bに向けてまたは該コイルから流れる。
【0022】第1及び第2ヨーク層22、28は、バッ
ククロージュア領域40において直接接しているが、ポ
ール先端層26、30において変換ギャップ層42によ
り分離されている。データ書込みモードの際には、磁気
ヘッド20が、記録媒体46の表面上を空気の薄い膜を
介して浮上する。データ信号を表す電流がリード38A
及び38Bを介してインダクティブコイル32A、32
Bを流れ、磁束を発生させる。ギャプ42における磁束
が、記録媒体46上に被覆された磁気材料に記録され
る。
ククロージュア領域40において直接接しているが、ポ
ール先端層26、30において変換ギャップ層42によ
り分離されている。データ書込みモードの際には、磁気
ヘッド20が、記録媒体46の表面上を空気の薄い膜を
介して浮上する。データ信号を表す電流がリード38A
及び38Bを介してインダクティブコイル32A、32
Bを流れ、磁束を発生させる。ギャプ42における磁束
が、記録媒体46上に被覆された磁気材料に記録され
る。
【0023】データ読取りモードの際には、記録媒体表
面46から発生する磁束が変換ギャップ層42において
感知される。前記磁束がインダクティブコイル32A、
32Bに電流を発生させ、これが記録されていたデータ
を表す。インダクティブコイル32A、32Bに発生し
た電流は、リード38A、38Bを流れて更に処理され
る。
面46から発生する磁束が変換ギャップ層42において
感知される。前記磁束がインダクティブコイル32A、
32Bに電流を発生させ、これが記録されていたデータ
を表す。インダクティブコイル32A、32Bに発生し
た電流は、リード38A、38Bを流れて更に処理され
る。
【0024】本発明の磁気ヘッド20は、図2及び図3
に示すように、第1及び第2ポール先端層26、30に
ついて垂直方向に整合する側壁を備える。具体的には、
第1ポール先端層26の左側壁26Aが、第2ポール先
端層30の左側壁30Aと垂直方向に整合している。同
様に、第1ポール先端層26の左側壁26Bが、第2ポ
ール先端層30の左側壁30Bと整合している。側壁2
6A、30A及び26B、30Bが整合していることに
より、一方のポールから他方への磁束の漏れが減少し、
それにより磁気ヘッド20は充分に画定されたデータト
ラックで記録媒体表面46にデータを書き込むことがで
きる。
に示すように、第1及び第2ポール先端層26、30に
ついて垂直方向に整合する側壁を備える。具体的には、
第1ポール先端層26の左側壁26Aが、第2ポール先
端層30の左側壁30Aと垂直方向に整合している。同
様に、第1ポール先端層26の左側壁26Bが、第2ポ
ール先端層30の左側壁30Bと整合している。側壁2
6A、30A及び26B、30Bが整合していることに
より、一方のポールから他方への磁束の漏れが減少し、
それにより磁気ヘッド20は充分に画定されたデータト
ラックで記録媒体表面46にデータを書き込むことがで
きる。
【0025】図4A〜E、図5F〜J及び図6K〜M
は、本発明の磁気ヘッド20の製造方法を工程順に示し
ている。先ず、図4Aに示すように基板24を設ける。
基板24は、予め構成要素を形成したものであってもそ
うでなくてもよい。次に、第1ヨーク層22をスパッタ
リングにより基板24の上面に、例えば約0.4μm〜
3.5μmの厚さに付着させる。これにより得られた構
造を図4Bに示す。
は、本発明の磁気ヘッド20の製造方法を工程順に示し
ている。先ず、図4Aに示すように基板24を設ける。
基板24は、予め構成要素を形成したものであってもそ
うでなくてもよい。次に、第1ヨーク層22をスパッタ
リングにより基板24の上面に、例えば約0.4μm〜
3.5μmの厚さに付着させる。これにより得られた構
造を図4Bに示す。
【0026】図4Cに示すように、第1ポール先端層2
6をスパッタリング又は電気めっきにより第1ヨーク層
22上に約0.8μm〜2.5μmの厚さに付着させ
る。第1ヨーク層22及び第1ポール先端層26の材料
は、コバルト・ジルコニウム・タンタル合金(CoZr
Ta)、コバルト・ジルコニウム・ニオブ合金(CoZ
rMb)及び窒化鉄タンタル合金(FeTaN)のよう
な高磁気モーメントを有する材料が好ましい。
6をスパッタリング又は電気めっきにより第1ヨーク層
22上に約0.8μm〜2.5μmの厚さに付着させ
る。第1ヨーク層22及び第1ポール先端層26の材料
は、コバルト・ジルコニウム・タンタル合金(CoZr
Ta)、コバルト・ジルコニウム・ニオブ合金(CoZ
rMb)及び窒化鉄タンタル合金(FeTaN)のよう
な高磁気モーメントを有する材料が好ましい。
【0027】次に、従来のフォトリソグラフィ技術によ
りフォトレジスト層48を第1ポール先端層22上にパ
ターン形成する。その後、図4Dに示すようにスパッタ
リングによりギャップ層42を付着させる。次に、フォ
トレジスト溶剤を用いてフォレジスト層48を除去す
る。この除去される前記フォトレジスト材料と共に、フ
ォトレジスト層48上に付着させたギャップ層42が除
去される。ここまでの過程で得られた構造を図4Eに示
す。
りフォトレジスト層48を第1ポール先端層22上にパ
ターン形成する。その後、図4Dに示すようにスパッタ
リングによりギャップ層42を付着させる。次に、フォ
トレジスト溶剤を用いてフォレジスト層48を除去す
る。この除去される前記フォトレジスト材料と共に、フ
ォトレジスト層48上に付着させたギャップ層42が除
去される。ここまでの過程で得られた構造を図4Eに示
す。
【0028】この構造上に第2ポール先端層30を、図
5Fに示すようにスパッタリングにより例えば約0.8
μm〜2.5μmの厚さに付着させる。別のマスク50
を、図5Gに示すように第2ポール先端層30上にパタ
ーン形成する。マスク50の材料はフォトレジスト又は
金属とすることができる。次に、マスクした前記構造に
イオンミリング加工を施す。マスク層50は、イオンミ
リングに対して耐久性を有する。その結果、マスク層5
0で保護されない領域が除去され、その結果図5Hに示
すように、基板24上に2つの積層構造52、54が形
成される。この時点において、第1ポール先端層26
が、ポール先端領域44における積層構造52のギャッ
プ層42により第2ポール先端層30から分離されてい
る点に注目する。しかしながら、第1ポール先端層26
は、バックギャップ領域40における積層構造54の第
2ポール先端層30に接している。
5Fに示すようにスパッタリングにより例えば約0.8
μm〜2.5μmの厚さに付着させる。別のマスク50
を、図5Gに示すように第2ポール先端層30上にパタ
ーン形成する。マスク50の材料はフォトレジスト又は
金属とすることができる。次に、マスクした前記構造に
イオンミリング加工を施す。マスク層50は、イオンミ
リングに対して耐久性を有する。その結果、マスク層5
0で保護されない領域が除去され、その結果図5Hに示
すように、基板24上に2つの積層構造52、54が形
成される。この時点において、第1ポール先端層26
が、ポール先端領域44における積層構造52のギャッ
プ層42により第2ポール先端層30から分離されてい
る点に注目する。しかしながら、第1ポール先端層26
は、バックギャップ領域40における積層構造54の第
2ポール先端層30に接している。
【0029】スパッタリング又はプラズマエンハンスト
化学蒸着法(PECVD)のいずれかの方法を用いて、
保護層56を積層構造52及び54を有する前記構造上
に付着させる。好適な方法では、スパッタリングを用い
て、保護層56を積層構造52、54の上及び周囲に約
3μm〜4μmの厚さに付着させる。これまでの過程で
得られた構造を図5Iに示す。
化学蒸着法(PECVD)のいずれかの方法を用いて、
保護層56を積層構造52及び54を有する前記構造上
に付着させる。好適な方法では、スパッタリングを用い
て、保護層56を積層構造52、54の上及び周囲に約
3μm〜4μmの厚さに付着させる。これまでの過程で
得られた構造を図5Iに示す。
【0030】次に、前記構造に2段階のレベリング即ち
高さ調整方法を施す。ここでは、大よその材料を除去す
るために、例えばアルミナ(Al2O3)又は二酸化珪素
(SiO2 )を含むスラリを補助的に用いて機械的なラ
ッピング加工により平坦化する。その後、材料を精確な
高さに除去するためにイオンミリングを使用し、それに
より第2ポール先端層30を露出させる。これまでの過
程で得られた構造を図5Jに示す。
高さ調整方法を施す。ここでは、大よその材料を除去す
るために、例えばアルミナ(Al2O3)又は二酸化珪素
(SiO2 )を含むスラリを補助的に用いて機械的なラ
ッピング加工により平坦化する。その後、材料を精確な
高さに除去するためにイオンミリングを使用し、それに
より第2ポール先端層30を露出させる。これまでの過
程で得られた構造を図5Jに示す。
【0031】次に、下地層と呼ばれる銅(Cu)の薄膜
(図示せず)を、前記構造の研磨面上にスパッタする。
次に、図6Kに示すように、前記構造上にフォトレジス
トマスク58をパターン形成する。
(図示せず)を、前記構造の研磨面上にスパッタする。
次に、図6Kに示すように、前記構造上にフォトレジス
トマスク58をパターン形成する。
【0032】次に、図6Lに示すように、パターン形成
したフォトレジスト層58上に第1コイル層32Aを電
気めっきする。その後、フォトレジスト層58を除去
し、前記構造上に付着させた第1コイル層32Aが形成
されることになる。これまでの過程による構造を図6M
に示す。
したフォトレジスト層58上に第1コイル層32Aを電
気めっきする。その後、フォトレジスト層58を除去
し、前記構造上に付着させた第1コイル層32Aが形成
されることになる。これまでの過程による構造を図6M
に示す。
【0033】次に、過硫酸アンモニウム((NH4)2S
2O8)を充填したエッチング液槽内に、前記Cu下地層
を有する基板を軽く浸漬することにより、前記Cu下地
層をエッチング除去する。次に、PECVD又はスパッ
タリング法により、第1コイル層32A上に絶縁材料層
60を付着させる。絶縁材料60は、アルミナ(Al2
O3)、二酸化珪素(SiO2 )、窒化珪素(Si
3N4)、窒化アルミニウム(AlN)又はダイアモンド
状カーボン(DLC)のような様々な絶縁材料から選択
することができる。
2O8)を充填したエッチング液槽内に、前記Cu下地層
を有する基板を軽く浸漬することにより、前記Cu下地
層をエッチング除去する。次に、PECVD又はスパッ
タリング法により、第1コイル層32A上に絶縁材料層
60を付着させる。絶縁材料60は、アルミナ(Al2
O3)、二酸化珪素(SiO2 )、窒化珪素(Si
3N4)、窒化アルミニウム(AlN)又はダイアモンド
状カーボン(DLC)のような様々な絶縁材料から選択
することができる。
【0034】次に、従来のフォトリソグラフィ及びエッ
チング法を用いて、図6Nに示すように、フィードスル
ー62を絶縁層60に形成する。フィードスルー62の
形成は、後で付着される第2コイル層32Bに第1コイ
ル層32Aを電気的に接続することを目的とする。
チング法を用いて、図6Nに示すように、フィードスル
ー62を絶縁層60に形成する。フィードスルー62の
形成は、後で付着される第2コイル層32Bに第1コイ
ル層32Aを電気的に接続することを目的とする。
【0035】第2コイル層32Bを形成する方法は、第
1コイル層32Aを形成する方法と実質的に同じであ
る。説明を簡単にするため、第2コイル層32Bを形成
する方法は省略する。これまでの過程で得られた構造を
図6Oに示す。
1コイル層32Aを形成する方法と実質的に同じであ
る。説明を簡単にするため、第2コイル層32Bを形成
する方法は省略する。これまでの過程で得られた構造を
図6Oに示す。
【0036】第2ヨーク層28を付着させる工程は次の
通りである。先ず、図7Pに示すように、フォトレジス
トマスク64を絶縁材料66上にパターン形成する。ウ
ェットエッチング又は反応性イオンビームエッチング
(RIBE)技術を用いて、図7Qに示すように、第2
ヨーク層28の頂部の角度α、βを画定する。次に、フ
ォトレジスト層64を除去する。
通りである。先ず、図7Pに示すように、フォトレジス
トマスク64を絶縁材料66上にパターン形成する。ウ
ェットエッチング又は反応性イオンビームエッチング
(RIBE)技術を用いて、図7Qに示すように、第2
ヨーク層28の頂部の角度α、βを画定する。次に、フ
ォトレジスト層64を除去する。
【0037】次に、図7Rに示すように、コバルト・ジ
ルコニウム・タンタル合金(CoZrTa)、コバルト
・ジルコニウム・ニオブ合金(CoZrNb)又は窒化
鉄タンタル合金(FeTaN)のような高磁気モーメン
ト材料28の層を前記構造上にスパッタする。その後、
第2ヨーク層28を、例えば従来のフォトリソグラフィ
技術を用いてパターン形成することができる。図1に
は、このパターン形成後の第2ヨーク層28が平面示さ
れている。パターン形成した第2ヨーク層28上にオー
バコート層68を付着させると、図7Sに示すような構
造が得られる。
ルコニウム・タンタル合金(CoZrTa)、コバルト
・ジルコニウム・ニオブ合金(CoZrNb)又は窒化
鉄タンタル合金(FeTaN)のような高磁気モーメン
ト材料28の層を前記構造上にスパッタする。その後、
第2ヨーク層28を、例えば従来のフォトリソグラフィ
技術を用いてパターン形成することができる。図1に
は、このパターン形成後の第2ヨーク層28が平面示さ
れている。パターン形成した第2ヨーク層28上にオー
バコート層68を付着させると、図7Sに示すような構
造が得られる。
【0038】図3に示すような円滑な空気ベアリング面
(ABS)70を確保するために、磁気ヘッド20の先
端部分44に最後のラッピング工程を行う。
(ABS)70を確保するために、磁気ヘッド20の先
端部分44に最後のラッピング工程を行う。
【0039】図8及び図9は、反転型ヘッド72として
製造した本発明の第2実施例を示している。この実施例
の磁気ヘッド72は、基板76上に付着させた第2ヨー
ク層74を有する。図8に示すように、第2ヨーク層7
4は、第2ポール先端層78に結合している。第1実施
例の場合と同様に、基板76は、アルミナ・タンタル・
カーバイド(Al2O3TiC)又は炭化ケイ素(Si
C)のような非磁性かつ電気的絶縁材料で形成すること
ができる。
製造した本発明の第2実施例を示している。この実施例
の磁気ヘッド72は、基板76上に付着させた第2ヨー
ク層74を有する。図8に示すように、第2ヨーク層7
4は、第2ポール先端層78に結合している。第1実施
例の場合と同様に、基板76は、アルミナ・タンタル・
カーバイド(Al2O3TiC)又は炭化ケイ素(Si
C)のような非磁性かつ電気的絶縁材料で形成すること
ができる。
【0040】第2ヨーク層74上には、第1ポール先端
層82に結合した第1ヨーク層80が設けられる。本実
施例では、第2ヨーク層74と第1ヨーク層80との間
に、絶縁材料86で互いに分離されたインダクティブコ
イル層84A、84Bが挟設される。インダクティブコ
イル84A、84Bは、電気的フィードスルー84を用
いて電気的に接続されている。
層82に結合した第1ヨーク層80が設けられる。本実
施例では、第2ヨーク層74と第1ヨーク層80との間
に、絶縁材料86で互いに分離されたインダクティブコ
イル層84A、84Bが挟設される。インダクティブコ
イル84A、84Bは、電気的フィードスルー84を用
いて電気的に接続されている。
【0041】前記第1実施例の場合と同様に、第2及び
第1ヨーク層74、80は、バッククロージュア領域4
0において直接接している。しかしながら、ポール先端
領域44では、第1及び第2ポール先端層78、82が
ギャップ層90により分離されている。また、磁気ヘッ
ド72は、図9に示すように、第2及び第1ポール先端
層78、82について垂直方向に整合する側壁を備え
る。具体的には、第1ポール先端層82の左側壁82A
が第2ポール先端層78の左側壁78Aと垂直方向に整
合している。同様に、第1ポール先端層82の左側壁8
2Bが、第2ポール先端層78の右側壁78Bと同一面
で整合している。
第1ヨーク層74、80は、バッククロージュア領域4
0において直接接している。しかしながら、ポール先端
領域44では、第1及び第2ポール先端層78、82が
ギャップ層90により分離されている。また、磁気ヘッ
ド72は、図9に示すように、第2及び第1ポール先端
層78、82について垂直方向に整合する側壁を備え
る。具体的には、第1ポール先端層82の左側壁82A
が第2ポール先端層78の左側壁78Aと垂直方向に整
合している。同様に、第1ポール先端層82の左側壁8
2Bが、第2ポール先端層78の右側壁78Bと同一面
で整合している。
【0042】図10A〜E、図11F〜H、図12I〜
K、及び図13L〜Mは、磁気ヘッド72の製造方法の
各過程を工程順に示している。この製造方法は、最初に
図10Aに示すように基板76を設ける。図10Bに示
すように、イオンミリングを用いた従来の方法により、
基板76にキャビティ92を形成する。
K、及び図13L〜Mは、磁気ヘッド72の製造方法の
各過程を工程順に示している。この製造方法は、最初に
図10Aに示すように基板76を設ける。図10Bに示
すように、イオンミリングを用いた従来の方法により、
基板76にキャビティ92を形成する。
【0043】図10Cに示すように、例えばスパッタリ
ングにより第2ヨーク層74を基板76に約0.5μm
〜3.5μmの厚さに付着させて、キャビティ92をラ
イニングする。次に、図10Dに示すように第2ヨーク
74上に第2ポール先端層78を電気めっき又はスパッ
タする。
ングにより第2ヨーク層74を基板76に約0.5μm
〜3.5μmの厚さに付着させて、キャビティ92をラ
イニングする。次に、図10Dに示すように第2ヨーク
74上に第2ポール先端層78を電気めっき又はスパッ
タする。
【0044】従来のフォトリソグラフィ及びエッチング
による方法を用いて、第2ヨーク層74及び第2ポール
先端層78をパターン形成する。第2ヨーク層74及び
第2ポール先端層78の材料は、コバルト・ジルコニウ
ム・タンタル合金(CoZrTa)、コバルト・ジルコ
ニウム・ニオブ合金(CoZrNb)、又は窒化鉄タン
タル合金(FeTaN)のような高磁気モーメントを有
する材料が好ましい。これまでの過程で得られた構造を
図10Eに示す。
による方法を用いて、第2ヨーク層74及び第2ポール
先端層78をパターン形成する。第2ヨーク層74及び
第2ポール先端層78の材料は、コバルト・ジルコニウ
ム・タンタル合金(CoZrTa)、コバルト・ジルコ
ニウム・ニオブ合金(CoZrNb)、又は窒化鉄タン
タル合金(FeTaN)のような高磁気モーメントを有
する材料が好ましい。これまでの過程で得られた構造を
図10Eに示す。
【0045】次に、第2ポール先端層78の上及びキャ
ビティ92内に第1及び第2コイル層84A、84Bを
形成する。コイル層84A、84Bを形成する方法は、
上述した実施例の対応する方法と実質的に同じである。
説明を簡単にするため、この方法の説明は省略する。コ
イル層84A、84Bを付着させて得られた構造を図1
1Fに示す。
ビティ92内に第1及び第2コイル層84A、84Bを
形成する。コイル層84A、84Bを形成する方法は、
上述した実施例の対応する方法と実質的に同じである。
説明を簡単にするため、この方法の説明は省略する。コ
イル層84A、84Bを付着させて得られた構造を図1
1Fに示す。
【0046】次に、この構造の上にフォトレジスト層9
4を、従来のフォトリソグラフィ技術を用いてパターン
形成する。その後、図11Gに示すように、このマスク
を施した基板上に書込みギャップ層90を付着させる。
次に、フォトレジスト溶剤を用いて、フォトレジスト層
94を除去する。次に、フォトレジスト層94上に付着
させた書込みギャップ層90を除去される前記フォトレ
ジスト材料と共に除去する。次に、書込みギャップ層9
0及び第2ポール先端層78上に第1ポール先端層82
をスパッタする。ここまでの過程で得られた構造を図1
1Hに示す。
4を、従来のフォトリソグラフィ技術を用いてパターン
形成する。その後、図11Gに示すように、このマスク
を施した基板上に書込みギャップ層90を付着させる。
次に、フォトレジスト溶剤を用いて、フォトレジスト層
94を除去する。次に、フォトレジスト層94上に付着
させた書込みギャップ層90を除去される前記フォトレ
ジスト材料と共に除去する。次に、書込みギャップ層9
0及び第2ポール先端層78上に第1ポール先端層82
をスパッタする。ここまでの過程で得られた構造を図1
1Hに示す。
【0047】第1ポール先端層82上に別のマスク96
をパターン形成する。マスク96の材料は、フォトレジ
スト又は金属とすることができる。次に、このマスクし
た構造にイオンミリングを施す。マスク層96は、図1
2Iに示すようにイオンミリングに対して耐久性を有す
る。その結果、マスク層96で保護されていない領域が
除去され、その結果図12Jに示すように2つの積層構
造98、100が基板24上に形成される。前記イオン
ミリング過程の後、第2ポール先端層78は、ポール先
端領域44における積層構造98のギャップ層90によ
り第1ポール先端層82から分離される。しかしなが
ら、第2ポール先端層78は、バックギャップ領域40
における積層構造100の第1ポール先端層82と接し
ている。
をパターン形成する。マスク96の材料は、フォトレジ
スト又は金属とすることができる。次に、このマスクし
た構造にイオンミリングを施す。マスク層96は、図1
2Iに示すようにイオンミリングに対して耐久性を有す
る。その結果、マスク層96で保護されていない領域が
除去され、その結果図12Jに示すように2つの積層構
造98、100が基板24上に形成される。前記イオン
ミリング過程の後、第2ポール先端層78は、ポール先
端領域44における積層構造98のギャップ層90によ
り第1ポール先端層82から分離される。しかしなが
ら、第2ポール先端層78は、バックギャップ領域40
における積層構造100の第1ポール先端層82と接し
ている。
【0048】スパッタリング又はPECVDの工程によ
り、積層構造98、100を有する前記構造上に保護層
56を付着させる。保護層56は、図12Kに示すよう
に、積層構造98、100の上及び周囲に約3μm〜4
μmの厚さに付着される。
り、積層構造98、100を有する前記構造上に保護層
56を付着させる。保護層56は、図12Kに示すよう
に、積層構造98、100の上及び周囲に約3μm〜4
μmの厚さに付着される。
【0049】次に、前記構造に2段階のレベリング即ち
高さ調整工程を行う。ここでは、保護層56を、アルミ
ナ(Al2O3)又は二酸化ケイ素(SiO3)を含むス
ラリを補助的に用いて機械的なラッピング加工により平
坦化する。その後、材料を精確な高さに除去するために
イオンミリング加工を使用し、第2ポール先端層82を
露出させる。これまでの過程で得られた構造を図13L
に示す。
高さ調整工程を行う。ここでは、保護層56を、アルミ
ナ(Al2O3)又は二酸化ケイ素(SiO3)を含むス
ラリを補助的に用いて機械的なラッピング加工により平
坦化する。その後、材料を精確な高さに除去するために
イオンミリング加工を使用し、第2ポール先端層82を
露出させる。これまでの過程で得られた構造を図13L
に示す。
【0050】次に、スパッタリングにより前記構造上に
第1ヨーク層80を付着させる。第1ヨーク層80は、
ポール先端領域44及びバックギャップ領域40におい
てポール先端層82と接するように付着される。上記実
施例の場合と同様に、第1ヨーク層80及び第ポール先
端層82の材料が、コバルト・ジルコニウム・タンタル
合金(CoZrTa)、コバルト・ジルコニウム・ニオ
ブ合金(CoZrNb)、又は窒化鉄タンタル合金(F
eTaN)のような高磁気モーメントを有する材料であ
ると好都合である。その後、従来のフォトリソグラフィ
及びエッチング技術を用いて、第1ヨーク層80をパタ
ーン形成する。これまでの過程による構造を図13Mに
示す。
第1ヨーク層80を付着させる。第1ヨーク層80は、
ポール先端領域44及びバックギャップ領域40におい
てポール先端層82と接するように付着される。上記実
施例の場合と同様に、第1ヨーク層80及び第ポール先
端層82の材料が、コバルト・ジルコニウム・タンタル
合金(CoZrTa)、コバルト・ジルコニウム・ニオ
ブ合金(CoZrNb)、又は窒化鉄タンタル合金(F
eTaN)のような高磁気モーメントを有する材料であ
ると好都合である。その後、従来のフォトリソグラフィ
及びエッチング技術を用いて、第1ヨーク層80をパタ
ーン形成する。これまでの過程による構造を図13Mに
示す。
【0051】磁気ヘッド72を複合ヘッドとして製造す
る場合には、第1ヨーク層80が第2シールド層として
機能する。更に、第1ヨーク層80上に読取り変換器1
02及び第1シールド層104を形成する。読取り変換
器102及び第1シールド層104を形成する方法は従
来のものであり、更に詳細に説明する必要はない。複合
ヘッドとして製造された構造72を図13Nに示す。
る場合には、第1ヨーク層80が第2シールド層として
機能する。更に、第1ヨーク層80上に読取り変換器1
02及び第1シールド層104を形成する。読取り変換
器102及び第1シールド層104を形成する方法は従
来のものであり、更に詳細に説明する必要はない。複合
ヘッドとして製造された構造72を図13Nに示す。
【0052】反転型ヘッドとして複合磁気ヘッドを製造
することには大きな利点がある。磁気ヘッドの製造にお
いて、コイル層84A、84B及び充填絶縁層86のよ
うな書込み変換器部分の膜層を付着させる工程は、高温
での処理サイクルを含む場合が非常に多い。他方、読取
り変換器102の膜層を付着させる工程は、高温処理に
より悪影響を受ける虞れがある、極薄い脆弱な膜層を付
着させかつパターン形成することが要求される。読取り
変換器102の製造を工程の最後に残しておくことは、
読取り変換器が高温の処理サイクルにさらされる虞れを
防止できる利点があり、最終的な製造歩止まり及び磁気
ヘッド72の信頼性が改善される。
することには大きな利点がある。磁気ヘッドの製造にお
いて、コイル層84A、84B及び充填絶縁層86のよ
うな書込み変換器部分の膜層を付着させる工程は、高温
での処理サイクルを含む場合が非常に多い。他方、読取
り変換器102の膜層を付着させる工程は、高温処理に
より悪影響を受ける虞れがある、極薄い脆弱な膜層を付
着させかつパターン形成することが要求される。読取り
変換器102の製造を工程の最後に残しておくことは、
読取り変換器が高温の処理サイクルにさらされる虞れを
防止できる利点があり、最終的な製造歩止まり及び磁気
ヘッド72の信頼性が改善される。
【0053】本発明は、その技術的範囲内において様々
な変形・変更が可能である。例えば、絶縁材料66、8
6は、上述したアルミナである必要はない。二酸化珪素
(SiO2 )又は窒化珪素(SiN)もしくはハードベ
ークしたフォトレジストのような別の材料を代替物とし
て十分に用いることができる。これらの変更を含む他の
様々な変形・変更を本発明の技術的範囲内において行う
ことができる。
な変形・変更が可能である。例えば、絶縁材料66、8
6は、上述したアルミナである必要はない。二酸化珪素
(SiO2 )又は窒化珪素(SiN)もしくはハードベ
ークしたフォトレジストのような別の材料を代替物とし
て十分に用いることができる。これらの変更を含む他の
様々な変形・変更を本発明の技術的範囲内において行う
ことができる。
【0054】
【発明の効果】上述した本発明の磁気ヘッドでは、ポー
ル先端部が側壁を整合させて狭く画定される。それによ
り、本発明の磁気ヘッドは、高面密度で磁気媒体上に書
き込むことができる。ポール先端部が狭いにも拘わら
ず、本発明の磁気ヘッドは、ポール先端部が高磁気モー
メント材料から形成されていることから、早期磁気飽和
に陥る虞れが少なく、それにより本発明の磁気ヘッド
は、高飽和保磁力かつ高データ転送速度で磁気媒体に書
き込むことができる。
ル先端部が側壁を整合させて狭く画定される。それによ
り、本発明の磁気ヘッドは、高面密度で磁気媒体上に書
き込むことができる。ポール先端部が狭いにも拘わら
ず、本発明の磁気ヘッドは、ポール先端部が高磁気モー
メント材料から形成されていることから、早期磁気飽和
に陥る虞れが少なく、それにより本発明の磁気ヘッド
は、高飽和保磁力かつ高データ転送速度で磁気媒体に書
き込むことができる。
【図1】非反転型ヘッドとして製造した本発明の実施例
による磁気ヘッドを部分的に示す上面図である。
による磁気ヘッドを部分的に示す上面図である。
【図2】図1の2−2線における断面図である。
【図3】図1の3−3線における断面図である。
【図4】図1乃至図3に示す本発明の磁気ヘッドを形成
する方法の一部の過程を順に示すA図乃至E図からなる
工程図である。
する方法の一部の過程を順に示すA図乃至E図からなる
工程図である。
【図5】図4に続く一部の過程を示すF図乃至J図から
なる工程図である。
なる工程図である。
【図6】図5に続く一部の過程を示すK図乃至O図から
なる工程図である。
なる工程図である。
【図7】図6に続く過程の最後の部分を示すP図乃至S
図からなる工程図である。
図からなる工程図である。
【図8】反転型ヘッドとして製造した本発明の別の実施
例による磁気ヘッドを部分的に示す断面図である。
例による磁気ヘッドを部分的に示す断面図である。
【図9】図8の9−9線における断面図である。
【図10】図8及び図9に示す本発明の磁気ヘッドを形
成する方法の一部の過程を順に示すA図乃至E図からな
る工程図である。
成する方法の一部の過程を順に示すA図乃至E図からな
る工程図である。
【図11】図10に続く一部の過程を示すF図乃至H図
からなる工程図である。
からなる工程図である。
【図12】図11に続く一部の過程を示すI図乃至K図
からなる工程図である。
からなる工程図である。
【図13】図12に続く一部の過程を示すL図乃至N図
からなる工程図である。
からなる工程図である。
【図14】A図は、第1ポール先端部の横方向の寸法が
第2ポール先端部より広く、製造時に第2ポール先端部
の位置が整合しないことを特徴とする従来の磁気ヘッド
を示す断面図、B図は、A図の従来の磁気ヘッドにより
書き込まれて記録されたデータトラックへの磁束のサイ
ドフリンジの影響を概略的に示す平面図である。
第2ポール先端部より広く、製造時に第2ポール先端部
の位置が整合しないことを特徴とする従来の磁気ヘッド
を示す断面図、B図は、A図の従来の磁気ヘッドにより
書き込まれて記録されたデータトラックへの磁束のサイ
ドフリンジの影響を概略的に示す平面図である。
【図15】A図は、従来の磁気ヘッドに使用されている
強磁性材料のヒステリシス特性を示す線図、B図は、ポ
ール先端領域から開始して磁気飽和に陥る磁気ヘッドの
傾向を説明する図14Aの磁気ヘッドを部分的に示す斜
視図である。
強磁性材料のヒステリシス特性を示す線図、B図は、ポ
ール先端領域から開始して磁気飽和に陥る磁気ヘッドの
傾向を説明する図14Aの磁気ヘッドを部分的に示す斜
視図である。
2 磁気ヘッド 4 第1ポール先端部 6 第2ポール先端部 8 データトラック 10 記録媒体 12 ヒステリシス曲線 14 コイル 16、18 磁気ヨーク層 20 磁気ヘッド 22 第1ヨーク層 24 基板 26 第1ポール先端層 28 第2ヨーク層 30 第2ポール先端層 32A、32B インダクティブコイル 34 絶縁材料 36 フィードスルー 38 第1シールド層 38A、38B 電気リード 39 読取り変換器 40 バッククロージュア領域 42 変換ギャップ層 44 ポール先端領域 46 記録媒体 48 フォトレジスト層 50 マスク層 52、54 積層構造 56 保護層 58 フォトレジスト層 60 絶縁材料層 62 フィードスルー 64 フォトレジストマスク 66、86 絶縁材料 68 オーバコート層 70 空気ベアリング面(ABS) 72 反転型ヘッド 76 基板 74 第2ヨーク層 78 第2ポール先端層 78A 左側壁 78B 右側壁 80 第1ヨーク層 82 第1ポール先端層 82A、82B 左側壁 84 フィードスルー 84A、84B インダクティブコイル層 90 ギャップ層 92 キャビティ 94 フォトレジスト層 96 マスク 98、100 積層構造 102 読取り変換器 104 第1シールド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ドゥルガ・ピー・ラビパティ アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 95070,サラトガ,エイトリアム・ドライ ブ・12138 (72)発明者 マーク・ディー・トーマス アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 95035,ホリスター,ファルコーニ・ウェ イ・170 (72)発明者 カルロス・コロナ アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 94588,プレザントン,ランズダウン・コ ート・3195 (72)発明者 ウィリアム・ディー・ジェンセン アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 94539,フリーモント,オロ・ドライブ・ 1834
Claims (21)
- 【請求項1】 (a)基板を提供する過程と、(b)高
磁気モーメント材料で形成された第1ポール先端層を前
記基板上に付着させる過程と、(c)前記第1ポール先
端層上にギャップ層を付着させる過程と、(d)高磁気
モーメント材料で形成された第2ポール先端層を前記ギ
ャップ層上に付着させる過程と、(e)前記第2ポール
先端層上に第1マスク層をパターン形成する過程と、
(f)前記第1マスク層を介して前記ギャップ層、前記
第1及び第2ポール先端層をエッチングすることによ
り、前記第1マスク層により画定される表面領域を有す
る積層構造を前記基板上に形成する過程と、(g)前記
積層構造の上及び周囲に保護層を付着させる過程と、
(h)前記積層構造の前記第2ポール先端層が露出する
ように前記保護層を高さ調整する過程と、(i)前記保
護層の上にコイル層をパターン形成する過程と、(j)
前記コイル層の上に絶縁層をパターン形成する過程と、
(k)前記保護層の上に第2ヨーク層を、該第2ヨーク
層の一部分が前記第2ポール先端層と接するようにパタ
ーン形成する過程とからなるを特徴とする磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項2】 前記過程(a)が、高磁気モーメント材
料で第1ヨーク層を形成する過程を含むことを特徴とす
る請求項1に記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項3】 前記過程(k)が、高磁気モーメント材
料で形成された前記第2ヨーク層を、該第2ヨーク層の
一部分が前記第2ポール先端層と接するようにパターン
形成する過程を含むことを特徴とする請求項1に記載の
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項4】 前記過程(f)が、イオンビームエッチ
ングにより前記第1マスク層を介して前記ギャップ層、
前記第1及び第2ポール先端層をエッチングする過程を
含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項5】 前記過程(b)及び(d)が、それぞれ
前記基板及び前記ギャップ層上の前記第1及び第2ポー
ル先端層をスパッタする過程を含むことを特徴とする請
求項1に記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項6】 予め形成された読取り変換器を設けるこ
とを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項7】 前記第1及び第2ポール先端層が、コバ
ルト・ジルコニウム・タンタル合金、コバルト・ジルコ
ニウム・ニオブ合金、及び窒化鉄タンタル合金からなる
群から選択した材料で形成されていることを特徴とする
請求項1に記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項8】 (a)基板に平坦な面を設ける過程と、
(b)前記基板に少なくとも1つのキャビティを形成す
る過程と、(c)前記少なくとも1つのキャビティ及び
前記平坦面に第2ポール先端層をライニングする過程
と、(d)前記少なくとも1つのキャビティ内にインダ
クティブコイルをパターン形成し、かつ前記コイルを前
記第2ポール先端層から絶縁分離する過程と、(e)前
記平坦面の前記第2ポール先端層上にギャップ層を付着
させる過程と、(f)前記ギャップ層上に第1ポール先
端層を付着させる過程と、(g)前記第1ポール先端層
上にマスク層をパターン形成する過程と、(h)前記マ
スク層を介して前記平坦面上の前記第1ポール先端層、
前記ギャップ層及び前記第2ポール先端層をエッチング
することにより、磁気ヘッドのポール先端部を構成する
積層構造を前記平坦面上に形成する過程と、(i)前記
積層構造の上及び周囲に保護層を付着させる過程と、
(j)前記積層構造の前記第1ポール先端層が露出する
ように前記保護層を高さ調整する過程と、(k)前記保
護層上に第1ヨーク層を、該第1ヨーク層の一部分が前
記第1ポール先端層と接するようにパターン形成する過
程とからなることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項9】 前記過程(c)及び(f)において、前
記第2ポール先端層及び前記第1ポール先端層が高磁気
モーメント材料で形成されることを特徴とする請求項8
に記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項10】 前記過程(k)が、高磁気モーメント
材料で形成された前記第1ヨーク層をパターン形成する
過程を含むことを特徴とする請求項8に記載の磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項11】 前記第1ヨーク層上に読取り変換器を
形成する過程を含むことを特徴とする請求項8に記載の
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項12】 前記過程(c)の前に、前記少なくと
も1つのキャビティ及び前記基板の前記平坦面を第2ヨ
ーク層でライニングする過程を含むことを特徴とする請
求項8に記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項13】 前記第1及び第2ヨーク層並びに前記
第1及び第2ポール層が高磁気モーメント材料で形成さ
れることを特徴とする請求項12に記載の磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項14】 前記過程(c)及び(f)が、それぞ
れ前記少なくとも1つのキャビティ及び前記ギャップ層
の上に前記第1及び第2ポール先端層をスパッタする過
程を含むことを特徴とする請求項8に記載の磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項15】 前記第1及び第2ポール先端層が、コ
バルト・ジルコニウム・タンタル合金、コバルト・ジル
コニウム・ニオブ合金、及び窒化鉄タンタル合金からな
る群から選択した材料で形成されていることを特徴とす
る請求項8に記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項16】 その上に第1ヨーク層を形成した基板
と、 前記第1ヨーク層上に形成された積層構造とを備え、 前記積層構造が、第1ポール先端層と第2ポール先端層
との間に配置されたギャップ層を有し、前記第2ポール
先端層が、前記第1ポール先端層よりも前記第1ヨーク
層から離隔配置され、前記第1及び第2ポール先端層が
高磁気モーメント材料で形成され、前記第1ポール先端
層が更に第1及び第2側壁を有し、かつ前記第2ポール
層が第3及び第4側壁を更に有し、前記第1側壁が前記
第3側壁と同一面上にあり、かつ前記第2側壁が前記第
4側壁と同一面上にあり、 その一部分を前記第2ポール先端層と接するように配置
した第2ヨーク層と、前記第1及び第2ヨーク層間に配
置され、前記第1及び第2ポール先端層から絶縁分離さ
れた第1コイル層とを更に備えることを特徴とする磁気
ヘッド。 - 【請求項17】 前記磁気ヘッドが非反転型ヘッドであ
ること特徴とするを請求項16に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項18】 前記磁気ヘッドが反転型ヘッドであ
り、前記第1ポール層及び前記コイル層が、前記基板に
形成された少なくとも1つのキャビティ内に形成されて
いることを特徴とする請求項16に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項19】 前記コイル層が第1コイル層であり、
前記第1コイル層の上に配置されかつ該第1コイル層か
ら絶縁分離された第2コイル層を更に備えることを特徴
とする請求項16に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項20】 前記基板が予め形成された読取り変換
器を備えることを特徴とする請求項16に記載の磁気ヘ
ッド。 - 【請求項21】 前記第1及び第2ポール先端層並びに
前記第1及び第2ヨーク層が、コバルト・ジルコニウム
・タンタル合金、コバルト・ジルコニウム・ニオブ合
金、及び窒化鉄タンタル合金からなる群から選択した材
料で形成されていることを特徴とする請求項16に記載
の磁気ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/901,462 US5966800A (en) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | Method of making a magnetic head with aligned pole tips and pole layers formed of high magnetic moment material |
US08/901,462 | 1997-07-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11110718A true JPH11110718A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=25414234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10226556A Pending JPH11110718A (ja) | 1997-07-28 | 1998-07-28 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5966800A (ja) |
JP (1) | JPH11110718A (ja) |
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