JP2002123904A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁極幅を極微小化しつつ、優れたオーバーラ
イト特性を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を
提供する。 【解決手段】 下部磁極１０に設けられた窪み領域１０
Ｈに薄膜コイル１２を配設する。第２の磁極先端部１６
Ａの厚みを薄くしつつ、薄膜コイル１２の厚みを適正に
確保することが可能となるため、極微小な一定幅を有す
るように第２の磁極先端部１６Ａを形成することができ
ると共に、優れたオーバーライト特性を確保することが
できる。
イト特性を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を
提供する。 【解決手段】 下部磁極１０に設けられた窪み領域１０
Ｈに薄膜コイル１２を配設する。第２の磁極先端部１６
Ａの厚みを薄くしつつ、薄膜コイル１２の厚みを適正に
確保することが可能となるため、極微小な一定幅を有す
るように第２の磁極先端部１６Ａを形成することができ
ると共に、優れたオーバーライト特性を確保することが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと、読み出し用の磁気
抵抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと、読み出し用の磁気
抵抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】記録ヘッドは、例えば、記録ギャップ（wr
ite gap)を挟んでその上下に配設された上部磁極（トッ
プポール）および下部磁極（ボトムポール）と、上部磁
極と下部磁極との間に絶縁層を介して配設された磁束発
生用のコイルとを含んで構成されている。上部磁極およ
び下部磁極は、磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」
という。）に対向する記録媒体対向面（エアベアリング
面）に近い側の領域の記録ギャップ近傍において互いに
同一の一定幅を有しており、これらの部位により記録ト
ラック幅を画定する「磁極先端部」が構成されている。
ite gap)を挟んでその上下に配設された上部磁極（トッ
プポール）および下部磁極（ボトムポール）と、上部磁
極と下部磁極との間に絶縁層を介して配設された磁束発
生用のコイルとを含んで構成されている。上部磁極およ
び下部磁極は、磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」
という。）に対向する記録媒体対向面（エアベアリング
面）に近い側の領域の記録ギャップ近傍において互いに
同一の一定幅を有しており、これらの部位により記録ト
ラック幅を画定する「磁極先端部」が構成されている。
【０００４】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁極先端部の幅（磁極幅）をサブミクロンオー
ダーまで極微小化し、記録媒体におけるトラック密度を
上げる必要がある。このような場合には、磁極幅を磁極
先端部の全域に渡って高精度に一定とするのが好まし
い。磁極幅が部分的に大きいと、書き込み対象のトラッ
ク領域のみならずその隣接トラック領域にまで書き込み
が行われ、隣接トラック領域に書き込まれていた情報が
上書きされて消去してしまうというサイドイレーズ現象
が生じるからである。
るには、磁極先端部の幅（磁極幅）をサブミクロンオー
ダーまで極微小化し、記録媒体におけるトラック密度を
上げる必要がある。このような場合には、磁極幅を磁極
先端部の全域に渡って高精度に一定とするのが好まし
い。磁極幅が部分的に大きいと、書き込み対象のトラッ
ク領域のみならずその隣接トラック領域にまで書き込み
が行われ、隣接トラック領域に書き込まれていた情報が
上書きされて消去してしまうというサイドイレーズ現象
が生じるからである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、磁極幅の
極微小化が進むにつれ、製造上の問題から磁極自体の厚
みも薄くすることが要求され、その結果、ヘッド全体の
構成部品（例えばコイル等）の寸法が軒並み極微細化さ
れる傾向にある。記録ヘッドの性能のうち、記録媒体に
対する情報の重ね書き特性、すなわちオーバーライト特
性を良好に確保するためには、コイルを通電させること
により十分な量の磁束を発生させ、発生した磁束を磁極
部分へ供給する必要がある。しかしながら、上記した構
成部品の極微細化傾向に応じてコイルの断面積が小さく
なりすぎると、電気抵抗値が大きくなりすぎることによ
りコイルを流れる電流量が減少し、磁束の発生量が著し
く減少してしまうという問題がある。磁束の発生量が減
少すると、情報の記録時において記録媒体を磁化させる
ための磁束が不足するため、オーバーライト特性は著し
く劣化する。
極微小化が進むにつれ、製造上の問題から磁極自体の厚
みも薄くすることが要求され、その結果、ヘッド全体の
構成部品（例えばコイル等）の寸法が軒並み極微細化さ
れる傾向にある。記録ヘッドの性能のうち、記録媒体に
対する情報の重ね書き特性、すなわちオーバーライト特
性を良好に確保するためには、コイルを通電させること
により十分な量の磁束を発生させ、発生した磁束を磁極
部分へ供給する必要がある。しかしながら、上記した構
成部品の極微細化傾向に応じてコイルの断面積が小さく
なりすぎると、電気抵抗値が大きくなりすぎることによ
りコイルを流れる電流量が減少し、磁束の発生量が著し
く減少してしまうという問題がある。磁束の発生量が減
少すると、情報の記録時において記録媒体を磁化させる
ための磁束が不足するため、オーバーライト特性は著し
く劣化する。
【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁極幅を極微小化しつつ、優れたオ
ーバーライト特性を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製
造方法を提供することにある。
ので、その目的は、磁極幅を極微小化しつつ、優れたオ
ーバーライト特性を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製
造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体に対向する記録媒体対向面に近い側の一部
に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を有する、
互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁
性層と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に配設され
た薄膜コイルと、薄膜コイルを第１の磁性層および第２
の磁性層から絶縁する絶縁層とを有すると共に、第１の
磁性層が、ギャップ層より遠い側から順に配設された第
１の磁性層部分および第２の磁性層部分の積層体を含
み、第２の磁性層部分が、記録媒体の記録トラック幅を
規定するための一定幅を保ちつつ記録媒体対向面からこ
の面より離れる方向にギャップ層に隣接ながら延在して
第１の位置で終端し、第１の磁性層部分が、第２の磁性
層部分の一定幅と同一の幅を保ちつつ記録媒体対向面ま
たはその近傍位置からこの面より離れる方向に延在して
第１の位置と同一または近傍の第２の位置で終端する一
定幅部分と、一定幅部分の幅よりも大きな幅を有すると
共に、第２の位置から記録媒体対向面より離れる方向に
延在して第３の位置で終端する拡幅部分とを含む薄膜磁
気ヘッドであって、第２の磁性層のうちの第１の磁性層
に近い側に窪み領域が形成されており、薄膜コイルが、
窪み領域に配設された第１の薄膜コイルを含むようにし
たものである。
は、記録媒体に対向する記録媒体対向面に近い側の一部
に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を有する、
互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁
性層と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に配設され
た薄膜コイルと、薄膜コイルを第１の磁性層および第２
の磁性層から絶縁する絶縁層とを有すると共に、第１の
磁性層が、ギャップ層より遠い側から順に配設された第
１の磁性層部分および第２の磁性層部分の積層体を含
み、第２の磁性層部分が、記録媒体の記録トラック幅を
規定するための一定幅を保ちつつ記録媒体対向面からこ
の面より離れる方向にギャップ層に隣接ながら延在して
第１の位置で終端し、第１の磁性層部分が、第２の磁性
層部分の一定幅と同一の幅を保ちつつ記録媒体対向面ま
たはその近傍位置からこの面より離れる方向に延在して
第１の位置と同一または近傍の第２の位置で終端する一
定幅部分と、一定幅部分の幅よりも大きな幅を有すると
共に、第２の位置から記録媒体対向面より離れる方向に
延在して第３の位置で終端する拡幅部分とを含む薄膜磁
気ヘッドであって、第２の磁性層のうちの第１の磁性層
に近い側に窪み領域が形成されており、薄膜コイルが、
窪み領域に配設された第１の薄膜コイルを含むようにし
たものである。
【０００８】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第２の磁性
層のうちの第１の磁性層に近い側に窪み領域が形成さ
れ、この窪み領域に薄膜コイルの一部をなす第１の薄膜
コイルが配設される。
層のうちの第１の磁性層に近い側に窪み領域が形成さ
れ、この窪み領域に薄膜コイルの一部をなす第１の薄膜
コイルが配設される。
【０００９】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、絶縁層が、
第１の薄膜コイルを覆うように配設された第１の絶縁層
部分を含み、第１の絶縁層部分における第１の磁性層に
近い側の表面が、第２の磁性層における第１の磁性層に
近い側の表面と同一の平面内にあるようにしてもよい。
第１の薄膜コイルを覆うように配設された第１の絶縁層
部分を含み、第１の絶縁層部分における第１の磁性層に
近い側の表面が、第２の磁性層における第１の磁性層に
近い側の表面と同一の平面内にあるようにしてもよい。
【００１０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、絶縁
層が、さらに、少なくとも第２の磁性層部分の厚みに対
応する領域に、第１の絶縁層部分および第２の磁性層部
分と隣接するように配設された第２の絶縁層部分を含
み、第２の絶縁層部分における記録媒体対向面に近い側
の端縁の位置が第２の磁性層部分における第１の位置と
一致するようにしてもよい。
層が、さらに、少なくとも第２の磁性層部分の厚みに対
応する領域に、第１の絶縁層部分および第２の磁性層部
分と隣接するように配設された第２の絶縁層部分を含
み、第２の絶縁層部分における記録媒体対向面に近い側
の端縁の位置が第２の磁性層部分における第１の位置と
一致するようにしてもよい。
【００１１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第２
の磁性層部分と第２の絶縁層部分との境界面が平面をな
すようにしてもよい。このような場合には、第２の磁性
層部分と第２の絶縁層部分との境界面が、第２の磁性層
部分の延在方向に対して垂直になるようにしてもよい。
の磁性層部分と第２の絶縁層部分との境界面が平面をな
すようにしてもよい。このような場合には、第２の磁性
層部分と第２の絶縁層部分との境界面が、第２の磁性層
部分の延在方向に対して垂直になるようにしてもよい。
【００１２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１
の磁性層部分における第３の位置が、第１の薄膜コイル
よりも記録媒体対向面に近い側に位置し、薄膜コイル
が、さらに、第１の薄膜コイルと電気的に接続された第
２の薄膜コイルを含み、第２の薄膜コイルが、その最も
多くの部分が第１の磁性層部分の厚みに対応する領域に
含まれるように第２の絶縁層部分に隣接して配設される
ようにしてもよい。
の磁性層部分における第３の位置が、第１の薄膜コイル
よりも記録媒体対向面に近い側に位置し、薄膜コイル
が、さらに、第１の薄膜コイルと電気的に接続された第
２の薄膜コイルを含み、第２の薄膜コイルが、その最も
多くの部分が第１の磁性層部分の厚みに対応する領域に
含まれるように第２の絶縁層部分に隣接して配設される
ようにしてもよい。
【００１３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第２
の薄膜コイルと第２の絶縁層部分との隣接面が、第１の
磁性層部分と第２の磁性層部分との境界面と同一の平面
内にあるようにしてもよい。
の薄膜コイルと第２の絶縁層部分との隣接面が、第１の
磁性層部分と第２の磁性層部分との境界面と同一の平面
内にあるようにしてもよい。
【００１４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、絶縁
層が、さらに、第２の薄膜コイルを覆うように配設され
た第３の絶縁層部分を含み、第３の絶縁層部分における
第２の絶縁層部分から遠い側の表面が、第１の磁性層部
分における第２の磁性層部分から遠い側の表面と同一の
平面内にあるようにしてもよい。
層が、さらに、第２の薄膜コイルを覆うように配設され
た第３の絶縁層部分を含み、第３の絶縁層部分における
第２の絶縁層部分から遠い側の表面が、第１の磁性層部
分における第２の磁性層部分から遠い側の表面と同一の
平面内にあるようにしてもよい。
【００１５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第２
の磁性層部分の厚みが１．０ミクロン以下の範囲内であ
るようにしてもよい。
の磁性層部分の厚みが１．０ミクロン以下の範囲内であ
るようにしてもよい。
【００１６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第２
の磁性層が、ギャップ層より遠い側から順に配設された
第１の磁性膜パターンおよび第２の磁性膜パターンの積
層体を含み、第１の磁性膜パターンが、記録媒体対向面
からこの面より離れる方向に延在し、第２の磁性膜パタ
ーンが、窪み領域以外の空間領域の少なくとも一部を占
めるように記録媒体対向面からこの面より離れる方向に
延在し、窪み領域が少なくとも第２の磁性膜パターンの
厚みを利用して形成されるようにしてもよい。このよう
な場合には、特に、窪み領域が、第１の磁性膜パターン
の厚みの一部と第２の磁性膜パターンの厚みとを利用し
て形成されるようにしてもよい。
の磁性層が、ギャップ層より遠い側から順に配設された
第１の磁性膜パターンおよび第２の磁性膜パターンの積
層体を含み、第１の磁性膜パターンが、記録媒体対向面
からこの面より離れる方向に延在し、第２の磁性膜パタ
ーンが、窪み領域以外の空間領域の少なくとも一部を占
めるように記録媒体対向面からこの面より離れる方向に
延在し、窪み領域が少なくとも第２の磁性膜パターンの
厚みを利用して形成されるようにしてもよい。このよう
な場合には、特に、窪み領域が、第１の磁性膜パターン
の厚みの一部と第２の磁性膜パターンの厚みとを利用し
て形成されるようにしてもよい。
【００１７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第２
の磁性層部分を構成する磁性材料が、第１の磁性層部分
を構成する磁性材料の飽和磁束密度以上の飽和磁束密度
を有するものであるようにしてもよい。このような場合
には、第１の磁性層部分が、鉄、ニッケルおよびコバル
トを含む磁性材料よりなるものであるようにし、第２の
磁性層部分が、ニッケル鉄合金またはコバルト鉄合金の
いずれか１つを含む磁性材料よりなるものであるように
してもよい。
の磁性層部分を構成する磁性材料が、第１の磁性層部分
を構成する磁性材料の飽和磁束密度以上の飽和磁束密度
を有するものであるようにしてもよい。このような場合
には、第１の磁性層部分が、鉄、ニッケルおよびコバル
トを含む磁性材料よりなるものであるようにし、第２の
磁性層部分が、ニッケル鉄合金またはコバルト鉄合金の
いずれか１つを含む磁性材料よりなるものであるように
してもよい。
【００１８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１
の磁性層および第２の磁性層のうちの少なくとも一部
が、窒化鉄、ニッケル鉄合金またはアモルファス合金の
いずれか１つを含む磁性材料よりなるものであるように
してもよい。アモルファス合金としては、コバルト鉄合
金、ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金またはジルコニ
ウム鉄窒化物合金のいずれかであるようにするのが好適
である。
の磁性層および第２の磁性層のうちの少なくとも一部
が、窒化鉄、ニッケル鉄合金またはアモルファス合金の
いずれか１つを含む磁性材料よりなるものであるように
してもよい。アモルファス合金としては、コバルト鉄合
金、ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金またはジルコニ
ウム鉄窒化物合金のいずれかであるようにするのが好適
である。
【００１９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１
の磁性層および第２の磁性層のうちの少なくとも一部
が、鉄、ニッケルおよびコバルトを含む磁性材料よりな
るものであるようにしてもよい。
の磁性層および第２の磁性層のうちの少なくとも一部
が、鉄、ニッケルおよびコバルトを含む磁性材料よりな
るものであるようにしてもよい。
【００２０】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記
録媒体に対向する記録媒体対向面に近い側の一部に、ギ
ャップ層を介して対向する２つの磁極を有する、互いに
磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性層
と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に配設された薄
膜コイルと、薄膜コイルを第１の磁性層および第２の磁
性層から絶縁する絶縁層とを有すると共に、第１の磁性
層がギャップ層より遠い側から順に配設された第１の磁
性層部分および第２の磁性層部分を含み、第２の磁性層
部分が記録媒体の記録トラック幅を規定するための一定
幅を保ちつつ記録媒体対向面からこの面より離れる方向
にギャップ層に隣接して延在して第１の位置で終端し、
第１の磁性層部分が、第２の磁性層部分の一定幅と同一
の幅を保ちつつ記録媒体対向面またはその近傍位置から
この面より離れる方向に延在して第１の位置と同一また
は近傍の第２の位置で終端する一定幅部分と、一定幅部
分の幅よりも大きな幅を有すると共に第２の位置から記
録媒体対向面より離れる方向に延在して第３の位置で終
端する拡幅部分とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であ
って、第２の磁性層のうちの第１の磁性層に近い側に窪
み領域を形成する第１の工程と、窪み領域に薄膜コイル
の一部をなす第１の薄膜コイルを形成する第２の工程と
を含むようにしたものである。
録媒体に対向する記録媒体対向面に近い側の一部に、ギ
ャップ層を介して対向する２つの磁極を有する、互いに
磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性層
と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に配設された薄
膜コイルと、薄膜コイルを第１の磁性層および第２の磁
性層から絶縁する絶縁層とを有すると共に、第１の磁性
層がギャップ層より遠い側から順に配設された第１の磁
性層部分および第２の磁性層部分を含み、第２の磁性層
部分が記録媒体の記録トラック幅を規定するための一定
幅を保ちつつ記録媒体対向面からこの面より離れる方向
にギャップ層に隣接して延在して第１の位置で終端し、
第１の磁性層部分が、第２の磁性層部分の一定幅と同一
の幅を保ちつつ記録媒体対向面またはその近傍位置から
この面より離れる方向に延在して第１の位置と同一また
は近傍の第２の位置で終端する一定幅部分と、一定幅部
分の幅よりも大きな幅を有すると共に第２の位置から記
録媒体対向面より離れる方向に延在して第３の位置で終
端する拡幅部分とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であ
って、第２の磁性層のうちの第１の磁性層に近い側に窪
み領域を形成する第１の工程と、窪み領域に薄膜コイル
の一部をなす第１の薄膜コイルを形成する第２の工程と
を含むようにしたものである。
【００２１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
第１の工程において、第２の磁性層のうちの第１の磁性
層に近い側に窪み領域が形成され、第２の工程におい
て、窪み領域に薄膜コイルの一部をなす第１の薄膜コイ
ルが形成される。
第１の工程において、第２の磁性層のうちの第１の磁性
層に近い側に窪み領域が形成され、第２の工程におい
て、窪み領域に薄膜コイルの一部をなす第１の薄膜コイ
ルが形成される。
【００２２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
絶縁層が、第１の薄膜コイルを覆う第１の絶縁層部分を
含む場合には、さらに、少なくとも、第１の薄膜コイル
が形成された第２の磁性層の窪み領域およびその周辺領
域を覆うように、第１の絶縁層部分の前準備層としての
第１の前駆絶縁層を形成する第３の工程と、少なくとも
第２の磁性層が露出するまで第１の前駆絶縁層を研磨し
て平坦化することにより第１の絶縁層部分を形成する第
４の工程とを含むようにしてもよい。
絶縁層が、第１の薄膜コイルを覆う第１の絶縁層部分を
含む場合には、さらに、少なくとも、第１の薄膜コイル
が形成された第２の磁性層の窪み領域およびその周辺領
域を覆うように、第１の絶縁層部分の前準備層としての
第１の前駆絶縁層を形成する第３の工程と、少なくとも
第２の磁性層が露出するまで第１の前駆絶縁層を研磨し
て平坦化することにより第１の絶縁層部分を形成する第
４の工程とを含むようにしてもよい。
【００２３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、絶縁層が、さらに、第１の絶縁層部分に隣接する
第２の絶縁層部分を含む場合には、さらに、ギャップ層
上における記録媒体対向面が形成されるべき位置の近傍
から第１の位置に至る領域に、第２の磁性層部分の前準
備層としての前駆磁性層を形成する第５の工程と、少な
くとも前駆磁性層およびその周辺領域を覆うように、第
２の絶縁層部分の前準備層としての第２の前駆絶縁層を
形成する第６の工程と、少なくとも前駆磁性層が露出す
るまで第２の前駆絶縁層を研磨して平坦化することによ
り第２の絶縁層部分を形成する第７の工程とを含むよう
にしてもよい。
では、絶縁層が、さらに、第１の絶縁層部分に隣接する
第２の絶縁層部分を含む場合には、さらに、ギャップ層
上における記録媒体対向面が形成されるべき位置の近傍
から第１の位置に至る領域に、第２の磁性層部分の前準
備層としての前駆磁性層を形成する第５の工程と、少な
くとも前駆磁性層およびその周辺領域を覆うように、第
２の絶縁層部分の前準備層としての第２の前駆絶縁層を
形成する第６の工程と、少なくとも前駆磁性層が露出す
るまで第２の前駆絶縁層を研磨して平坦化することによ
り第２の絶縁層部分を形成する第７の工程とを含むよう
にしてもよい。
【００２４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、第１の磁性層部分における第３の位置が、薄膜コ
イルよりも記録媒体対向面に近い側に位置し、薄膜コイ
ルが、さらに、第１の薄膜コイルと電気的に接続された
第２の薄膜コイルを含む場合には、さらに、第２の薄膜
コイルを、その最も多くの部分が第１の磁性層部分にお
ける一定幅部分の厚みに対応する領域に含まれるように
第２の絶縁層部分に隣接して形成する第８の工程を含む
ようにしてもよい。
では、第１の磁性層部分における第３の位置が、薄膜コ
イルよりも記録媒体対向面に近い側に位置し、薄膜コイ
ルが、さらに、第１の薄膜コイルと電気的に接続された
第２の薄膜コイルを含む場合には、さらに、第２の薄膜
コイルを、その最も多くの部分が第１の磁性層部分にお
ける一定幅部分の厚みに対応する領域に含まれるように
第２の絶縁層部分に隣接して形成する第８の工程を含む
ようにしてもよい。
【００２５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、絶縁層が、さらに、第２の薄膜コイルを覆う第３
の絶縁層部分を含む場合には、さらに、少なくとも前駆
磁性層上に第１の磁性層部分を形成する第９の工程と、
少なくとも第１の磁性層部分および第２の薄膜コイルを
覆うように第３の絶縁層部分の前準備層としての第３の
前駆絶縁層を形成する第１０の工程と、少なくとも第１
の磁性層部分が露出するまで第３の前駆絶縁層の表面を
研磨して平坦化することにより第３の絶縁層部分を形成
する第１１の工程とを含むようにしてもよい。
では、絶縁層が、さらに、第２の薄膜コイルを覆う第３
の絶縁層部分を含む場合には、さらに、少なくとも前駆
磁性層上に第１の磁性層部分を形成する第９の工程と、
少なくとも第１の磁性層部分および第２の薄膜コイルを
覆うように第３の絶縁層部分の前準備層としての第３の
前駆絶縁層を形成する第１０の工程と、少なくとも第１
の磁性層部分が露出するまで第３の前駆絶縁層の表面を
研磨して平坦化することにより第３の絶縁層部分を形成
する第１１の工程とを含むようにしてもよい。
【００２６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、さらに、第９の工程ののち、第１の磁性層部分に
おける一定幅部分をマスクとして用いて前駆磁性層を選
択的にエッチングすることにより第２の磁性層部分を形
成する第１２の工程を含むようにしてもよい。
では、さらに、第９の工程ののち、第１の磁性層部分に
おける一定幅部分をマスクとして用いて前駆磁性層を選
択的にエッチングすることにより第２の磁性層部分を形
成する第１２の工程を含むようにしてもよい。
【００２７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、第１２の工程において、ギャップ層および第２の
磁性膜パターンのうちの第２の磁性層部分に対応する部
分以外の領域をその厚み方向における所定の位置まで選
択的に除去するようにしてもよい。
では、第１２の工程において、ギャップ層および第２の
磁性膜パターンのうちの第２の磁性層部分に対応する部
分以外の領域をその厚み方向における所定の位置まで選
択的に除去するようにしてもよい。
【００２８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、第１２の工程を反応性イオンエッチングを用いて
行うようにしてもよい。このような場合には、塩素を含
むガス雰囲気中、かつ５０°Ｃないし３００°Ｃの範囲
内の温度下において第１２の工程を行うようにするのが
好適である。
では、第１２の工程を反応性イオンエッチングを用いて
行うようにしてもよい。このような場合には、塩素を含
むガス雰囲気中、かつ５０°Ｃないし３００°Ｃの範囲
内の温度下において第１２の工程を行うようにするのが
好適である。
【００２９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、第１の工程が、第２の磁性層の一部となる第１の
磁性膜パターンを形成する工程と、第１の磁性膜の上
の、窪み領域以外の領域に、第２の磁性層の他の一部と
なる第２の磁性膜パターンを選択的に形成する工程とを
含むようにしてもよいし、あるいは、第２の磁性層の一
部となる第１の磁性膜パターンを形成する工程と、第１
の磁性膜パターンの上の、窪み領域以外の領域に、第２
の磁性層の他の一部となる第２の磁性膜パターンを選択
的に形成する工程と、第２の磁性膜パターンをマスクと
して用いて、第１の磁性膜パターンをその厚み方向にお
ける所定の位置までエッチングして掘り下げる工程とを
含むようにしてもよい。
では、第１の工程が、第２の磁性層の一部となる第１の
磁性膜パターンを形成する工程と、第１の磁性膜の上
の、窪み領域以外の領域に、第２の磁性層の他の一部と
なる第２の磁性膜パターンを選択的に形成する工程とを
含むようにしてもよいし、あるいは、第２の磁性層の一
部となる第１の磁性膜パターンを形成する工程と、第１
の磁性膜パターンの上の、窪み領域以外の領域に、第２
の磁性層の他の一部となる第２の磁性膜パターンを選択
的に形成する工程と、第２の磁性膜パターンをマスクと
して用いて、第１の磁性膜パターンをその厚み方向にお
ける所定の位置までエッチングして掘り下げる工程とを
含むようにしてもよい。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
て、図面を参照して詳細に説明する。
【００３１】［第１の実施の形態］まず、図１〜図１３
を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一例について説明する。
を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一例について説明する。
【００３２】図１〜図８において、（Ａ）はエアベアリ
ング面（記録媒体対向面）に垂直な断面を示し、（Ｂ）
は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示してい
る。図９〜図１２は主要な製造工程に対応する斜視構造
を示している。ここで、図９は図３に示した状態に対応
し、図１０は図４に示した状態に対応し、図１１は図５
に示した状態に対応し、図１２は図６に示した状態に対
応する。ただし、図１０では図４における第２の前駆絶
縁層１７Ｐの図示を省略し、図１１および図１２では、
図５および図６のそれぞれにおけるにフォトレジスト膜
９０の図示を省略している。図１３は、図３に示した状
態に対応する平面構造を示している。
ング面（記録媒体対向面）に垂直な断面を示し、（Ｂ）
は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示してい
る。図９〜図１２は主要な製造工程に対応する斜視構造
を示している。ここで、図９は図３に示した状態に対応
し、図１０は図４に示した状態に対応し、図１１は図５
に示した状態に対応し、図１２は図６に示した状態に対
応する。ただし、図１０では図４における第２の前駆絶
縁層１７Ｐの図示を省略し、図１１および図１２では、
図５および図６のそれぞれにおけるにフォトレジスト膜
９０の図示を省略している。図１３は、図３に示した状
態に対応する平面構造を示している。
【００３３】以下の説明では、図１〜図１３の各図中に
おけるＸ軸方向を「幅方向」、Ｙ軸方向を「長さ方
向」、Ｚ軸方向を「厚み（深さ）方向または高さ方向」
として表記すると共に、Ｙ軸方向のうちのエアベアリン
グ面７０に近い側（または後工程においてエアベアリン
グ面７０となる側）を「前側（または前方）」、その反
対側を「後側（または後方）」と表記するものとする。
おけるＸ軸方向を「幅方向」、Ｙ軸方向を「長さ方
向」、Ｚ軸方向を「厚み（深さ）方向または高さ方向」
として表記すると共に、Ｙ軸方向のうちのエアベアリン
グ面７０に近い側（または後工程においてエアベアリン
グ面７０となる側）を「前側（または前方）」、その反
対側を「後側（または後方）」と表記するものとする。
【００３４】＜薄膜磁気ヘッドの製造方法＞本実施の形
態では、まず、図１に示したように、例えばアルティッ
ク（Ａｌ2Ｏ3 ・ＴｉＣ）よりなる基板１上に、例えば
アルミナよりなる絶縁層２を約３．０μｍ〜５．０μｍ
の厚みで形成する。次に、絶縁層２上に、例えばフレー
ムめっき法を用いて、例えばパーマロイ（Ｎｉ：８０重
量％，Ｆｅ：２０重量％）よりなる再生ヘッド用の下部
シールド層３を約２．０μｍ〜３．０μｍの厚みで選択
的に形成して、形成する。フレームめっき法に関する詳
細については、後述する。下部シールド層３を形成する
際には、例えば、後述する図１４に示したような平面形
状を有するようにする。なお、下部シールド層３を形成
するためのパーマロイとしては、上記したＮｉ：８０重
量％，Ｆｅ：２０重量％の組成を有するものの他、例え
ば、Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％の組成を有す
るものを用いるようにしてもよい。次に、全体を覆うよ
うに、例えばアルミナ層を約４．０μｍ〜５．０μｍの
厚みで形成したのち、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）法
により、下部シールド層３が露出するまでアルミナ層の
表面を研磨して全体を平坦化する。これにより、下部シ
ールド層３の周辺領域を埋め込むように絶縁膜４が形成
される。
態では、まず、図１に示したように、例えばアルティッ
ク（Ａｌ2Ｏ3 ・ＴｉＣ）よりなる基板１上に、例えば
アルミナよりなる絶縁層２を約３．０μｍ〜５．０μｍ
の厚みで形成する。次に、絶縁層２上に、例えばフレー
ムめっき法を用いて、例えばパーマロイ（Ｎｉ：８０重
量％，Ｆｅ：２０重量％）よりなる再生ヘッド用の下部
シールド層３を約２．０μｍ〜３．０μｍの厚みで選択
的に形成して、形成する。フレームめっき法に関する詳
細については、後述する。下部シールド層３を形成する
際には、例えば、後述する図１４に示したような平面形
状を有するようにする。なお、下部シールド層３を形成
するためのパーマロイとしては、上記したＮｉ：８０重
量％，Ｆｅ：２０重量％の組成を有するものの他、例え
ば、Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％の組成を有す
るものを用いるようにしてもよい。次に、全体を覆うよ
うに、例えばアルミナ層を約４．０μｍ〜５．０μｍの
厚みで形成したのち、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）法
により、下部シールド層３が露出するまでアルミナ層の
表面を研磨して全体を平坦化する。これにより、下部シ
ールド層３の周辺領域を埋め込むように絶縁膜４が形成
される。
【００３５】次に、図１に示したように、下部シールド
層３上に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミ
ナよりなるシールドギャップ膜５を約１００ｎｍ〜２０
０ｎｍの厚みで形成する。次に、シールドギャップ膜４
上に、高精度のフォトリソグラフィ処理を用いて、再生
ヘッド部の要部であるＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜
６を所望の形状となるように形成する。次に、ＭＲ膜６
の両側に、このＭＲ膜６と電気的に接続する引き出し電
極層としてのリード層（図示せず）を形成する。次に、
このリード層、シールドギャップ膜５およびＭＲ膜６上
にシールドギャップ膜７を形成して、ＭＲ膜６をシール
ドギャップ膜５，７内に埋設する。シールドギャップ膜
７の形成材料および形成方法等は、シールドギャップ膜
５の場合とほぼ同様である。
層３上に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミ
ナよりなるシールドギャップ膜５を約１００ｎｍ〜２０
０ｎｍの厚みで形成する。次に、シールドギャップ膜４
上に、高精度のフォトリソグラフィ処理を用いて、再生
ヘッド部の要部であるＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜
６を所望の形状となるように形成する。次に、ＭＲ膜６
の両側に、このＭＲ膜６と電気的に接続する引き出し電
極層としてのリード層（図示せず）を形成する。次に、
このリード層、シールドギャップ膜５およびＭＲ膜６上
にシールドギャップ膜７を形成して、ＭＲ膜６をシール
ドギャップ膜５，７内に埋設する。シールドギャップ膜
７の形成材料および形成方法等は、シールドギャップ膜
５の場合とほぼ同様である。
【００３６】次に、図１に示したように、シールドギャ
ップ膜７上に、上部シールド層８を約１．０μｍ〜１．
５μｍの厚みで選択的に形成する。上部シールド層８の
形成材料および形成方法等は、下部シールド層３の場合
とほぼ同様である。次に、上部シールド層８上に、例え
ばスパッタリングにより、例えばアルミナよりなる絶縁
膜９を約０．１μｍ〜０．２μｍの厚みで形成する。
ップ膜７上に、上部シールド層８を約１．０μｍ〜１．
５μｍの厚みで選択的に形成する。上部シールド層８の
形成材料および形成方法等は、下部シールド層３の場合
とほぼ同様である。次に、上部シールド層８上に、例え
ばスパッタリングにより、例えばアルミナよりなる絶縁
膜９を約０．１μｍ〜０．２μｍの厚みで形成する。
【００３７】次に、図１に示したように、例えばフレー
ムめっき法により、絶縁膜９上に、高飽和磁束密度を有
する磁性材料、例えばパーマロイ（Ｎｉ：４５重量％，
Ｆｅ：５５重量％）よりなる下部磁性層１０Ａを約０．
８μｍ〜１．５μｍの厚みで選択的に形成する。この下
部磁性層１０Ａは、下部磁極１０の一部を構成するもの
である。下部磁性層１０Ａを形成する際には、例えば、
後述する図１４に示したような平面形状を有するように
する。なお、下部磁性層１０Ａを形成するためのパーマ
ロイとしては、上記したＮｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５
重量％の組成を有するものの他、例えば、Ｎｉ：８０重
量％，Ｆｅ：２０重量％の組成を有するものを用いるよ
うにしてもよい。ここで、下部磁性層１０Ａが、本発明
における「第１の磁性膜パターン」の一具体例に対応す
る。
ムめっき法により、絶縁膜９上に、高飽和磁束密度を有
する磁性材料、例えばパーマロイ（Ｎｉ：４５重量％，
Ｆｅ：５５重量％）よりなる下部磁性層１０Ａを約０．
８μｍ〜１．５μｍの厚みで選択的に形成する。この下
部磁性層１０Ａは、下部磁極１０の一部を構成するもの
である。下部磁性層１０Ａを形成する際には、例えば、
後述する図１４に示したような平面形状を有するように
する。なお、下部磁性層１０Ａを形成するためのパーマ
ロイとしては、上記したＮｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５
重量％の組成を有するものの他、例えば、Ｎｉ：８０重
量％，Ｆｅ：２０重量％の組成を有するものを用いるよ
うにしてもよい。ここで、下部磁性層１０Ａが、本発明
における「第１の磁性膜パターン」の一具体例に対応す
る。
【００３８】次に、図１に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばスパッタリングにより、高飽和磁束密度を
有する磁性材料、例えば窒化鉄よりなる下部前駆磁性層
１１０を約１．０μｍ〜１．５μｍの厚みで形成する。
下部前駆磁性層１１０を形成する際には、特に、その厚
みが、後工程において形成される薄膜コイル１２の厚み
よりも大きくなるようにする。下部前駆磁性層１１０
は、後工程においてエッチング処理を用いてパターニン
グされることにより下部磁性層１０Ｂおよび下部接続部
１０Ｃとなる前準備層である。以下の説明では、このよ
うに後工程で所定の形状となるようにパターニングされ
ることとなる前準備層を「前駆層」と称呼し、同様に表
記するものとする。なお、下部前駆磁性層１１０の形成
材料としては、窒化鉄の他、例えば、窒化鉄と同様に高
飽和磁束密度を有するコバルト鉄合金（ＦｅＣｏ）、ジ
ルコニウムコバルト鉄酸化物合金（ＦｅＣｏＺｒＯ）ま
たはジルコニウム鉄窒化物合金（ＦｅＺｒＮ）などのア
モルファス合金などを用いるようにしてもよい。
うに、例えばスパッタリングにより、高飽和磁束密度を
有する磁性材料、例えば窒化鉄よりなる下部前駆磁性層
１１０を約１．０μｍ〜１．５μｍの厚みで形成する。
下部前駆磁性層１１０を形成する際には、特に、その厚
みが、後工程において形成される薄膜コイル１２の厚み
よりも大きくなるようにする。下部前駆磁性層１１０
は、後工程においてエッチング処理を用いてパターニン
グされることにより下部磁性層１０Ｂおよび下部接続部
１０Ｃとなる前準備層である。以下の説明では、このよ
うに後工程で所定の形状となるようにパターニングされ
ることとなる前準備層を「前駆層」と称呼し、同様に表
記するものとする。なお、下部前駆磁性層１１０の形成
材料としては、窒化鉄の他、例えば、窒化鉄と同様に高
飽和磁束密度を有するコバルト鉄合金（ＦｅＣｏ）、ジ
ルコニウムコバルト鉄酸化物合金（ＦｅＣｏＺｒＯ）ま
たはジルコニウム鉄窒化物合金（ＦｅＺｒＮ）などのア
モルファス合金などを用いるようにしてもよい。
【００３９】次に、図１に示したように、下部前駆磁性
層１１０上の所定の位置に、無機材料、例えばアルミナ
よりなるマスク８０Ａ，８０Ｂを選択的に形成する。マ
スク８０Ａ，８０Ｂを形成する際には、それぞれの形成
領域が後工程において形成される下部磁性層１０Ｂ，下
部接続部１０Ｃの形成領域（図１４参照）に対応するよ
うにする。具体的には、例えば、後述する下部磁性層１
０Ｂ（図２参照）の後端の位置Ｐ４（第４の位置）がＭ
Ｒ膜６の後端の位置よりも約０．５μｍ以下の範囲内に
おいて後退するようにマスク８０Ａを位置合わせする。
なお、下部磁性層１０Ｂの後端の位置Ｐ４をＭＲ膜６の
後端の位置に一致させるようにしてもよい。マスク８０
Ａ，８０Ｂの形成材料としては、上記したアルミナの
他、窒化アルミニウムなどを用いるようにしてもよい。
層１１０上の所定の位置に、無機材料、例えばアルミナ
よりなるマスク８０Ａ，８０Ｂを選択的に形成する。マ
スク８０Ａ，８０Ｂを形成する際には、それぞれの形成
領域が後工程において形成される下部磁性層１０Ｂ，下
部接続部１０Ｃの形成領域（図１４参照）に対応するよ
うにする。具体的には、例えば、後述する下部磁性層１
０Ｂ（図２参照）の後端の位置Ｐ４（第４の位置）がＭ
Ｒ膜６の後端の位置よりも約０．５μｍ以下の範囲内に
おいて後退するようにマスク８０Ａを位置合わせする。
なお、下部磁性層１０Ｂの後端の位置Ｐ４をＭＲ膜６の
後端の位置に一致させるようにしてもよい。マスク８０
Ａ，８０Ｂの形成材料としては、上記したアルミナの
他、窒化アルミニウムなどを用いるようにしてもよい。
【００４０】ここで、マスク８０Ａ，８０Ｂの形成は、
例えば、以下のような手順により行う。すなわち、ま
ず、例えばスパッタリングにより、下部前駆磁性層１１
０の表面を覆うようにアルミナ層を形成する。続いて、
このアルミナ層の表面を覆うようにフォトレジスト膜を
形成したのち、このフォトレジスト膜をフォトリソグラ
フィ処理によりパターニングし、アルミナ層をエッチン
グするためのマスクを形成する。このとき形成するマス
クの平面形状は、最終的に形成するマスク８０Ａ，８０
Ｂの平面形状とほぼ同様となるようにする。続いて、フ
ォトレジスト膜よりなるマスクを用いて、例えばリアク
ティブイオンエッチング（Reactive Ion Etching；以
下、単に「ＲＩＥ」という）によりアルミナ層をエッチ
ングすることによりマスク８０Ａ，８０Ｂを形成する。
例えば、以下のような手順により行う。すなわち、ま
ず、例えばスパッタリングにより、下部前駆磁性層１１
０の表面を覆うようにアルミナ層を形成する。続いて、
このアルミナ層の表面を覆うようにフォトレジスト膜を
形成したのち、このフォトレジスト膜をフォトリソグラ
フィ処理によりパターニングし、アルミナ層をエッチン
グするためのマスクを形成する。このとき形成するマス
クの平面形状は、最終的に形成するマスク８０Ａ，８０
Ｂの平面形状とほぼ同様となるようにする。続いて、フ
ォトレジスト膜よりなるマスクを用いて、例えばリアク
ティブイオンエッチング（Reactive Ion Etching；以
下、単に「ＲＩＥ」という）によりアルミナ層をエッチ
ングすることによりマスク８０Ａ，８０Ｂを形成する。
【００４１】次に、マスク８０Ａ，８０Ｂを用いて、例
えばＲＩＥにより、例えば下部磁性層１０Ａが露出する
まで下部前駆磁性層１１０をエッチングしてパターニン
グする。このエッチング処理により、下部前駆磁性層１
１０のうち、マスク８０Ａ，８０Ｂの形成領域以外の領
域が選択的に除去され、図２に示したように、下部磁性
層１０Ａ上における前方の領域に下部磁性層１０Ｂが選
択的に形成されると共に、後方の領域に下部接続部１０
Ｃが選択的に形成される。下部磁性層１０Ａ上における
下部磁性層１０Ｂおよび下部接続部１０Ｃ周辺の領域
は、下部磁性層１０Ｂ等の厚みに相当する深さを有する
窪み領域１０Ｈとなる。下部磁性層１０Ｂおよび下部接
続部１０Ｃは、共に下部磁極１０の一部を構成するもの
である。下部磁性層１０Ｂおよび下部接続部１０Ｃを形
成する際には、例えば、それぞれ後述する図１４に示し
たような平面形状を有するようにする。
えばＲＩＥにより、例えば下部磁性層１０Ａが露出する
まで下部前駆磁性層１１０をエッチングしてパターニン
グする。このエッチング処理により、下部前駆磁性層１
１０のうち、マスク８０Ａ，８０Ｂの形成領域以外の領
域が選択的に除去され、図２に示したように、下部磁性
層１０Ａ上における前方の領域に下部磁性層１０Ｂが選
択的に形成されると共に、後方の領域に下部接続部１０
Ｃが選択的に形成される。下部磁性層１０Ａ上における
下部磁性層１０Ｂおよび下部接続部１０Ｃ周辺の領域
は、下部磁性層１０Ｂ等の厚みに相当する深さを有する
窪み領域１０Ｈとなる。下部磁性層１０Ｂおよび下部接
続部１０Ｃは、共に下部磁極１０の一部を構成するもの
である。下部磁性層１０Ｂおよび下部接続部１０Ｃを形
成する際には、例えば、それぞれ後述する図１４に示し
たような平面形状を有するようにする。
【００４２】一般に、ＲＩＥを用いた場合のエッチング
速度は、イオンミリングを用いた場合のエッチング速度
よりも速い。このため、エッチング方法としてＲＩＥを
用いることにより、イオンミリングを用いる場合より
も、下部磁性層１０Ｂ等を短時間で形成することができ
る。ＲＩＥによるエッチング処理を用いて下部磁性層１
０等を形成する場合には、特に、エッチング時に使用す
るエッチングガスの種類やエッチング時の加工温度など
のエッチング条件を適正化することにより、下部磁性層
１０Ｂ等の形成に要する時間をより短縮させることが可
能となる。このようなエッチング条件の適正化に関する
詳細については、後述する。なお、下部前駆磁性層１１
０を形成するためのエッチング処理によりマスク８０
Ａ，８０Ｂのそれぞれ自体もエッチングされ、それらの
厚みは減少することとなる。エッチング処理が完了した
時点で、マスク８０Ａ，８０Ｂが残存するようにしても
よいし（図２参照）、残存しないようにしてもよい。下
部前駆磁性層１１０をパターニングするためのエッチン
グ方法としては、必ずしもＲＩＥを用いなければならな
いものではなく、イオンミリングを用いるようにしても
よい。ここで、下部磁性層１０Ｂが、本発明における
「第２の磁性膜パターン」の一具体例に対応し、下部磁
性層１０Ａ，１０Ｂおよび下部接続部１０Ｃによって構
成される下部磁極１０が、本発明における「第２の磁性
層」の一具体例に対応する。
速度は、イオンミリングを用いた場合のエッチング速度
よりも速い。このため、エッチング方法としてＲＩＥを
用いることにより、イオンミリングを用いる場合より
も、下部磁性層１０Ｂ等を短時間で形成することができ
る。ＲＩＥによるエッチング処理を用いて下部磁性層１
０等を形成する場合には、特に、エッチング時に使用す
るエッチングガスの種類やエッチング時の加工温度など
のエッチング条件を適正化することにより、下部磁性層
１０Ｂ等の形成に要する時間をより短縮させることが可
能となる。このようなエッチング条件の適正化に関する
詳細については、後述する。なお、下部前駆磁性層１１
０を形成するためのエッチング処理によりマスク８０
Ａ，８０Ｂのそれぞれ自体もエッチングされ、それらの
厚みは減少することとなる。エッチング処理が完了した
時点で、マスク８０Ａ，８０Ｂが残存するようにしても
よいし（図２参照）、残存しないようにしてもよい。下
部前駆磁性層１１０をパターニングするためのエッチン
グ方法としては、必ずしもＲＩＥを用いなければならな
いものではなく、イオンミリングを用いるようにしても
よい。ここで、下部磁性層１０Ｂが、本発明における
「第２の磁性膜パターン」の一具体例に対応し、下部磁
性層１０Ａ，１０Ｂおよび下部接続部１０Ｃによって構
成される下部磁極１０が、本発明における「第２の磁性
層」の一具体例に対応する。
【００４３】次に、図２に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばアルミナよりなる絶縁膜１１を約０．２μ
ｍ〜０．３μｍの厚みで形成する。
うに、例えばアルミナよりなる絶縁膜１１を約０．２μ
ｍ〜０．３μｍの厚みで形成する。
【００４４】次に、図２に示したように、下部磁性層１
０Ｂの形成領域よりも後方の領域（下部接続部１０Ｃの
形成領域を除く）における平坦な絶縁膜１１上に、例え
ば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導
型の記録ヘッド用の薄膜コイル１２を約０．８μｍ〜
１．２μｍの厚みで選択的に形成する。薄膜コイル１２
を形成する際には、例えば、後述する図１４に示したよ
うな巻線構造を有するようにし、その厚みが、下部磁性
層１０Ｂの厚みから絶縁膜１１の厚みを差し引いた値よ
りも小さくなるようにする。また、例えば、薄膜コイル
１２の各巻線の幅を約０．５μｍとすると共に、巻線間
の隙間を約０．３μｍとする。なお、図２では、薄膜コ
イル１２の一部分のみを図示している。薄膜コイル１２
を形成する際には、同時に、その内側の終端部をなすコ
イル接続部１２Ｓを絶縁膜１１上に薄膜コイル１２と一
体に形成すると共に、その外側の終端部をなす端子１２
Ｘ（図２では図示せず。図１４参照）を薄膜コイル１２
と一体に形成する。ここで、薄膜コイル１２が、本発明
における「薄膜コイル」または「第１の薄膜コイル」の
一具体例に対応する。
０Ｂの形成領域よりも後方の領域（下部接続部１０Ｃの
形成領域を除く）における平坦な絶縁膜１１上に、例え
ば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導
型の記録ヘッド用の薄膜コイル１２を約０．８μｍ〜
１．２μｍの厚みで選択的に形成する。薄膜コイル１２
を形成する際には、例えば、後述する図１４に示したよ
うな巻線構造を有するようにし、その厚みが、下部磁性
層１０Ｂの厚みから絶縁膜１１の厚みを差し引いた値よ
りも小さくなるようにする。また、例えば、薄膜コイル
１２の各巻線の幅を約０．５μｍとすると共に、巻線間
の隙間を約０．３μｍとする。なお、図２では、薄膜コ
イル１２の一部分のみを図示している。薄膜コイル１２
を形成する際には、同時に、その内側の終端部をなすコ
イル接続部１２Ｓを絶縁膜１１上に薄膜コイル１２と一
体に形成すると共に、その外側の終端部をなす端子１２
Ｘ（図２では図示せず。図１４参照）を薄膜コイル１２
と一体に形成する。ここで、薄膜コイル１２が、本発明
における「薄膜コイル」または「第１の薄膜コイル」の
一具体例に対応する。
【００４５】次に、薄膜コイル１２（コイル接続部１２
Ｓを含む）の巻線間およびその周辺に、加熱時に流動性
を示す材料、例えばフォトレジストなどの有機絶縁材料
を高精度のフォトリソグラフィ処理により約０．５μｍ
〜１．２μｍの厚みで所定のパターンとなるように形成
する。次に、このフォトレジスト膜に対して、例えば２
００°Ｃ〜２５０°Ｃの範囲内における温度で加熱処理
を施す。この加熱処理により、図２に示したように、フ
ォトレジストが流動して薄膜コイル１２等の各巻線間を
隙間なく埋めつくし、薄膜コイル１２等の各巻線間を絶
縁化するための絶縁膜１３が形成される。絶縁膜１３を
形成する際には、絶縁膜１３が薄膜コイル１２およびコ
イル接続部１２Ｓの双方の上面を覆わないようにしても
よいし（図２参照）、覆うようにしてもよい。
Ｓを含む）の巻線間およびその周辺に、加熱時に流動性
を示す材料、例えばフォトレジストなどの有機絶縁材料
を高精度のフォトリソグラフィ処理により約０．５μｍ
〜１．２μｍの厚みで所定のパターンとなるように形成
する。次に、このフォトレジスト膜に対して、例えば２
００°Ｃ〜２５０°Ｃの範囲内における温度で加熱処理
を施す。この加熱処理により、図２に示したように、フ
ォトレジストが流動して薄膜コイル１２等の各巻線間を
隙間なく埋めつくし、薄膜コイル１２等の各巻線間を絶
縁化するための絶縁膜１３が形成される。絶縁膜１３を
形成する際には、絶縁膜１３が薄膜コイル１２およびコ
イル接続部１２Ｓの双方の上面を覆わないようにしても
よいし（図２参照）、覆うようにしてもよい。
【００４６】次に、図２に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナよ
りなる第１の前駆絶縁層１４Ｐを約２．０μｍ〜３．０
μｍの厚みで形成して、下部磁性層１０Ｂ、下部接続部
１０Ｃおよび薄膜コイル１２等によって構成された凹凸
構造領域を埋設する。
うに、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナよ
りなる第１の前駆絶縁層１４Ｐを約２．０μｍ〜３．０
μｍの厚みで形成して、下部磁性層１０Ｂ、下部接続部
１０Ｃおよび薄膜コイル１２等によって構成された凹凸
構造領域を埋設する。
【００４７】次に、例えばＣＭＰ法により、第１の前駆
絶縁層１４Ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研
磨処理により、図３に示したように、薄膜コイル１２等
を埋設する絶縁膜１４が形成される。このときの研磨処
理は、少なくとも下部磁性層１０Ｂおよび下部接続部１
０Ｃが露出するまで行う。ここで、絶縁膜１１，１３，
１４を合わせた部分が、本発明における「第１の絶縁層
部分」の一具体例に対応する。
絶縁層１４Ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研
磨処理により、図３に示したように、薄膜コイル１２等
を埋設する絶縁膜１４が形成される。このときの研磨処
理は、少なくとも下部磁性層１０Ｂおよび下部接続部１
０Ｃが露出するまで行う。ここで、絶縁膜１１，１３，
１４を合わせた部分が、本発明における「第１の絶縁層
部分」の一具体例に対応する。
【００４８】次に、図３に示したように、研磨後の平坦
面上に、例えばスパッタリングにより、非磁性材料、例
えばアルミナよりなる記録ギャップ層１５を約０．１μ
ｍ〜０．１５μｍの厚みで平坦に形成する。記録ギャッ
プ層１５を形成する際には、下部接続部１０Ｃの表面を
覆わないようにする。この領域は、下部接続部１０Ｃと
後工程において形成される上部磁極１６とを接続させる
ための開口部１５Ｋとなる。なお、記録ギャップ層１５
の形成材料としては、上記したアルミナの他、アルミナ
と同様の非磁性金属材料、例えばニッケル銅合金（Ｎｉ
Ｃｕ）などを用いるようにしてもよい。
面上に、例えばスパッタリングにより、非磁性材料、例
えばアルミナよりなる記録ギャップ層１５を約０．１μ
ｍ〜０．１５μｍの厚みで平坦に形成する。記録ギャッ
プ層１５を形成する際には、下部接続部１０Ｃの表面を
覆わないようにする。この領域は、下部接続部１０Ｃと
後工程において形成される上部磁極１６とを接続させる
ための開口部１５Ｋとなる。なお、記録ギャップ層１５
の形成材料としては、上記したアルミナの他、アルミナ
と同様の非磁性金属材料、例えばニッケル銅合金（Ｎｉ
Ｃｕ）などを用いるようにしてもよい。
【００４９】次に、図３に示したように、例えばＲＩＥ
またはイオンミリングを用いたエッチング処理により、
コイル接続部１２Ｓの上方を覆っている記録ギャップ層
１５および絶縁膜１４を部分的に除去し、コイル接続部
１２Ｓと後工程において形成されるコイル接続部１６Ｓ
とを接続させるための開口部１４Ｋを形成する。
またはイオンミリングを用いたエッチング処理により、
コイル接続部１２Ｓの上方を覆っている記録ギャップ層
１５および絶縁膜１４を部分的に除去し、コイル接続部
１２Ｓと後工程において形成されるコイル接続部１６Ｓ
とを接続させるための開口部１４Ｋを形成する。
【００５０】次に、図３に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばスパッタリングにより基礎磁性層１１６を
約０．３μｍ〜１．０μｍの厚みで形成する。基礎磁性
層１１６の形成材料としては、例えば、後工程において
形成される上部磁性層１６Ｃを構成する磁性材料（例え
ば鉄ニッケルコバルト合金）の飽和磁束密度よりも大き
い飽和磁束密度を有するもの（例えば窒化鉄）を用いる
ようにする。なお、基礎磁性層１１６の形成材料として
は、窒化鉄の他、例えば、窒化鉄と同様に高飽和磁束密
度を有するコバルト鉄合金（ＦｅＣｏ）、ジルコニウム
コバルト鉄酸化物合金（ＦｅＣｏＺｒＯ）またはジルコ
ニウム鉄窒化物合金（ＦｅＺｒＮ）などのアモルファス
合金などを用いるようにしてもよい。
うに、例えばスパッタリングにより基礎磁性層１１６を
約０．３μｍ〜１．０μｍの厚みで形成する。基礎磁性
層１１６の形成材料としては、例えば、後工程において
形成される上部磁性層１６Ｃを構成する磁性材料（例え
ば鉄ニッケルコバルト合金）の飽和磁束密度よりも大き
い飽和磁束密度を有するもの（例えば窒化鉄）を用いる
ようにする。なお、基礎磁性層１１６の形成材料として
は、窒化鉄の他、例えば、窒化鉄と同様に高飽和磁束密
度を有するコバルト鉄合金（ＦｅＣｏ）、ジルコニウム
コバルト鉄酸化物合金（ＦｅＣｏＺｒＯ）またはジルコ
ニウム鉄窒化物合金（ＦｅＺｒＮ）などのアモルファス
合金などを用いるようにしてもよい。
【００５１】次に、図３、図９および図１３に示したよ
うに、基礎磁性層１１６上の所定の位置にマスク８１
Ａ，８１Ｂ，８１Ｃを選択的に形成する。マスク８１Ａ
を形成する際には、その形成領域が、後工程において形
成される第２の磁極先端部１６Ａの形成領域を含むよう
にする。具体的には、例えば、マスク８１Ａの後端の位
置がＭＲ膜６の後端の位置よりも約０．５μｍ以下の範
囲内において後退するようにすると共に、マスク８１Ａ
の幅Ｗ１が後述する第２の磁極先端部１６Ａの幅Ｗ２
（図６および図１２参照）よりも十分に大きくなるよう
にする。また、マスク８１Ｂの形成領域が後工程におい
て形成される磁路接続部１６Ｂの形成領域に対応するよ
うにすると共に、マスク８１Ｃの形成領域が後工程にお
いて形成されるコイル接続部１６Ｓの形成領域に対応す
るようにする。なお、マスク８１Ａの後端の位置を必ず
しもＭＲ膜６の後端の位置より後退させなければならな
いものではなく、ＭＲ膜６の後端の位置と一致させるよ
うにしてもよい。マスク８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃの形成
材料および形成方法等は、例えば、上記したマスク８０
Ａ，８０Ｂの場合とほぼ同様である。
うに、基礎磁性層１１６上の所定の位置にマスク８１
Ａ，８１Ｂ，８１Ｃを選択的に形成する。マスク８１Ａ
を形成する際には、その形成領域が、後工程において形
成される第２の磁極先端部１６Ａの形成領域を含むよう
にする。具体的には、例えば、マスク８１Ａの後端の位
置がＭＲ膜６の後端の位置よりも約０．５μｍ以下の範
囲内において後退するようにすると共に、マスク８１Ａ
の幅Ｗ１が後述する第２の磁極先端部１６Ａの幅Ｗ２
（図６および図１２参照）よりも十分に大きくなるよう
にする。また、マスク８１Ｂの形成領域が後工程におい
て形成される磁路接続部１６Ｂの形成領域に対応するよ
うにすると共に、マスク８１Ｃの形成領域が後工程にお
いて形成されるコイル接続部１６Ｓの形成領域に対応す
るようにする。なお、マスク８１Ａの後端の位置を必ず
しもＭＲ膜６の後端の位置より後退させなければならな
いものではなく、ＭＲ膜６の後端の位置と一致させるよ
うにしてもよい。マスク８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃの形成
材料および形成方法等は、例えば、上記したマスク８０
Ａ，８０Ｂの場合とほぼ同様である。
【００５２】次に、マスク８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃを用
いて、例えばＲＩＥにより、基礎磁性層１１６をエッチ
ングしてパターニングする。このエッチング処理によ
り、基礎磁性層１１６のうち、マスク８１Ａ，８１Ｂ，
８１Ｃの形成領域以外の領域が選択的に除去され、図４
および図１０に示したように、記録ギャップ層１５上に
おける前方の領域に上部前駆磁性層１１６Ａが選択的に
形成され、開口部１５Ｋ上に上部磁極１６の一部を構成
する磁路接続部１６Ｂが選択的に形成され、開口部１４
Ｋにコイル接続部１６Ｓが形成される。上部前駆磁性層
１１６Ａを形成する際には、その後端部の幅方向に延び
る端縁１１６ＡＴが直線状をなすようにする。特に、基
礎磁性層１１６をエッチングするための手法としてＲＩ
Ｅを用いることにより、形成される上部前駆磁性層１１
６Ａの後端面１１６ＡＭは平面をなすと共に、記録ギャ
ップ層１５の平坦な表面１５Ｍに対して垂直になる。エ
ッチング方法としてＲＩＥを用いることにより、上部前
駆磁性層１１６Ａ等を高精度かつ短時間で形成すること
ができる。なお、上部前駆磁性層１１６Ａを形成するた
めのエッチング処理によりマスク８１Ａ，８１Ｂ，８１
Ｃのそれぞれ自体もエッチングされ、それらの厚みは減
少することとなる。エッチング処理が完了した時点で、
マスク８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃが残存するようにしても
よいし（図４および図１０参照）、残存しないようにし
てもよい。ここで、記録ギャップ層１５における上部前
駆磁性層１１６Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）より
も前方の部分が、本発明における「ギャップ層」の一具
体例に対応し、上部前駆磁性層１１６Ａが、本発明にお
ける「前駆磁性層」の一具体例に対応する。
いて、例えばＲＩＥにより、基礎磁性層１１６をエッチ
ングしてパターニングする。このエッチング処理によ
り、基礎磁性層１１６のうち、マスク８１Ａ，８１Ｂ，
８１Ｃの形成領域以外の領域が選択的に除去され、図４
および図１０に示したように、記録ギャップ層１５上に
おける前方の領域に上部前駆磁性層１１６Ａが選択的に
形成され、開口部１５Ｋ上に上部磁極１６の一部を構成
する磁路接続部１６Ｂが選択的に形成され、開口部１４
Ｋにコイル接続部１６Ｓが形成される。上部前駆磁性層
１１６Ａを形成する際には、その後端部の幅方向に延び
る端縁１１６ＡＴが直線状をなすようにする。特に、基
礎磁性層１１６をエッチングするための手法としてＲＩ
Ｅを用いることにより、形成される上部前駆磁性層１１
６Ａの後端面１１６ＡＭは平面をなすと共に、記録ギャ
ップ層１５の平坦な表面１５Ｍに対して垂直になる。エ
ッチング方法としてＲＩＥを用いることにより、上部前
駆磁性層１１６Ａ等を高精度かつ短時間で形成すること
ができる。なお、上部前駆磁性層１１６Ａを形成するた
めのエッチング処理によりマスク８１Ａ，８１Ｂ，８１
Ｃのそれぞれ自体もエッチングされ、それらの厚みは減
少することとなる。エッチング処理が完了した時点で、
マスク８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃが残存するようにしても
よいし（図４および図１０参照）、残存しないようにし
てもよい。ここで、記録ギャップ層１５における上部前
駆磁性層１１６Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）より
も前方の部分が、本発明における「ギャップ層」の一具
体例に対応し、上部前駆磁性層１１６Ａが、本発明にお
ける「前駆磁性層」の一具体例に対応する。
【００５３】次に、図４に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばアルミナよりなる第２の前駆絶縁層１７Ｐ
を約０．８μｍ〜２．０μｍの厚みで形成する。
うに、例えばアルミナよりなる第２の前駆絶縁層１７Ｐ
を約０．８μｍ〜２．０μｍの厚みで形成する。
【００５４】次に、例えばＣＭＰ法により、第２の前駆
絶縁層１７Ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研
磨処理により、図５に示したように、上部前駆磁性層１
１６Ａ、磁路接続部１６Ｂおよびコイル接続部１６Ｓの
周辺領域を埋設する絶縁膜１７が形成される。絶縁膜１
７を形成するための研磨処理を行う際には、上部前駆磁
性層１１６Ａ，磁路接続部１６Ｂおよびコイル接続部１
６Ｓが露出する。上部前駆磁性層１１６Ａと絶縁膜１７
との境界面１６７Ｙは平面をなし、かつ記録ギャップ層
１５の平坦な表面１５Ｍに対して垂直になる。絶縁膜１
７の前端の位置は、記録ヘッドの性能を決定する因子の
うちの１つであるスロートハイト（ＴＨ）を決定するた
めの基準の位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（Ｔ
Ｈ０位置）となる。ここで、記録ギャップ層１５におけ
る上部前駆磁性層１１６Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位
置）よりも後方の部分および絶縁膜１７を合わせた部分
が、本発明における「第２の絶縁層部分」の一具体例に
対応する。
絶縁層１７Ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研
磨処理により、図５に示したように、上部前駆磁性層１
１６Ａ、磁路接続部１６Ｂおよびコイル接続部１６Ｓの
周辺領域を埋設する絶縁膜１７が形成される。絶縁膜１
７を形成するための研磨処理を行う際には、上部前駆磁
性層１１６Ａ，磁路接続部１６Ｂおよびコイル接続部１
６Ｓが露出する。上部前駆磁性層１１６Ａと絶縁膜１７
との境界面１６７Ｙは平面をなし、かつ記録ギャップ層
１５の平坦な表面１５Ｍに対して垂直になる。絶縁膜１
７の前端の位置は、記録ヘッドの性能を決定する因子の
うちの１つであるスロートハイト（ＴＨ）を決定するた
めの基準の位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（Ｔ
Ｈ０位置）となる。ここで、記録ギャップ層１５におけ
る上部前駆磁性層１１６Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位
置）よりも後方の部分および絶縁膜１７を合わせた部分
が、本発明における「第２の絶縁層部分」の一具体例に
対応する。
【００５５】次に、図５および図１１に示したように、
上部前駆磁性層１１６Ａ上から磁路接続部１６Ｂ上にか
けての平坦領域に、例えばフレームめっき法により、鉄
（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）およびコバルト（Ｃｏ）を
含んで高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えば鉄ニッ
ケルコバルト合金（ＣｏＮｉＦｅ；Ｃｏ：４５重量％，
Ｎｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％）よりなる上部磁
性層１６Ｃを約２．０μｍ〜３．０μｍの厚みで選択的
に形成する。上部磁性層１６Ｃを形成する際には、同時
に、コイル接続部１６Ｓ上から図示しない外部回路にか
けての領域にコイル接続配線１６ＣＨを選択的に形成す
る。上部磁性層１６Ｃは、上部磁極１６の一部を構成す
るものである。なお、上部磁性層１６Ｃ等の形成材料と
しては、上記した３つの金属元素と共に、クロム（Ｃ
ｒ）、ボロン（Ｂ）、金（Ａｕ）および銅のうちの少な
くとも１種を含むものを用いるようにしてもよい。
上部前駆磁性層１１６Ａ上から磁路接続部１６Ｂ上にか
けての平坦領域に、例えばフレームめっき法により、鉄
（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）およびコバルト（Ｃｏ）を
含んで高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えば鉄ニッ
ケルコバルト合金（ＣｏＮｉＦｅ；Ｃｏ：４５重量％，
Ｎｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％）よりなる上部磁
性層１６Ｃを約２．０μｍ〜３．０μｍの厚みで選択的
に形成する。上部磁性層１６Ｃを形成する際には、同時
に、コイル接続部１６Ｓ上から図示しない外部回路にか
けての領域にコイル接続配線１６ＣＨを選択的に形成す
る。上部磁性層１６Ｃは、上部磁極１６の一部を構成す
るものである。なお、上部磁性層１６Ｃ等の形成材料と
しては、上記した３つの金属元素と共に、クロム（Ｃ
ｒ）、ボロン（Ｂ）、金（Ａｕ）および銅のうちの少な
くとも１種を含むものを用いるようにしてもよい。
【００５６】上部磁性層１６Ｃを形成する際には、例え
ば、後述する図１４に示したような平面形状を有するよ
うにし、後工程においてエアベアリング面７０となる側
（図５における左側）から順に、第１の磁極先端部１６
Ｃ(1) 、中間部１６Ｃ(2) 、後端部１６Ｃ(3) およびヨ
ーク部１６Ｃ(4) を含むようにする。このとき、記録媒
体の記録トラック幅を規定する一定幅（約０．１μｍ〜
０．２μｍ）を有するように第１の磁極先端部１６Ｃ
(1) を形成する。また、第１の磁極先端部１６Ｃ(1) と
中間部１６Ｃ(2) との連結位置Ｐ２（第２の位置）が上
部前駆磁性層１１６Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）
より後退するようにすると共に、例えば、ヨーク部１６
Ｃ(4) の後端の位置Ｐ３（第３の位置）が、磁路接続部
１６Ｂの後端の位置と一致するようにする。上部磁性層
１６Ｃは、その後方部分において、開口部１５Ｋを通じ
て磁路接続部１６Ｂおよび下部接続部１０Ｃを介して下
部磁性層１０Ａ，１０Ｂと磁気的に連結されると共に、
その前方部分において第２の磁極先端部１６Ａと磁気的
に連結される。すなわち、上部磁極１６（第２の磁極先
端部１６Ａ，磁路接続部１６Ｂ，上部磁性層１６Ｃ）と
下部磁極１０（下部磁性層１０Ａ，１０Ｂ，下部接続部
１０Ｃ）とが接続されることにより磁路が形成される。
なお、上部磁性層１６Ｃの構造的特徴については後述す
る。
ば、後述する図１４に示したような平面形状を有するよ
うにし、後工程においてエアベアリング面７０となる側
（図５における左側）から順に、第１の磁極先端部１６
Ｃ(1) 、中間部１６Ｃ(2) 、後端部１６Ｃ(3) およびヨ
ーク部１６Ｃ(4) を含むようにする。このとき、記録媒
体の記録トラック幅を規定する一定幅（約０．１μｍ〜
０．２μｍ）を有するように第１の磁極先端部１６Ｃ
(1) を形成する。また、第１の磁極先端部１６Ｃ(1) と
中間部１６Ｃ(2) との連結位置Ｐ２（第２の位置）が上
部前駆磁性層１１６Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）
より後退するようにすると共に、例えば、ヨーク部１６
Ｃ(4) の後端の位置Ｐ３（第３の位置）が、磁路接続部
１６Ｂの後端の位置と一致するようにする。上部磁性層
１６Ｃは、その後方部分において、開口部１５Ｋを通じ
て磁路接続部１６Ｂおよび下部接続部１０Ｃを介して下
部磁性層１０Ａ，１０Ｂと磁気的に連結されると共に、
その前方部分において第２の磁極先端部１６Ａと磁気的
に連結される。すなわち、上部磁極１６（第２の磁極先
端部１６Ａ，磁路接続部１６Ｂ，上部磁性層１６Ｃ）と
下部磁極１０（下部磁性層１０Ａ，１０Ｂ，下部接続部
１０Ｃ）とが接続されることにより磁路が形成される。
なお、上部磁性層１６Ｃの構造的特徴については後述す
る。
【００５７】ここで、第１の磁極先端部１６Ｃ(1) が、
本発明における「一定幅部分」の一具体例に対応し、中
間部１６Ｃ(2) 、後端部１６Ｃ(3) およびヨーク部１６
Ｃ(4) を合わせた部分が、本発明における「拡幅部分」
の一具体例に対応する。また、上部磁性層１６Ｃが、本
発明における「第１の磁性層部分」の一具体例に対応す
る。
本発明における「一定幅部分」の一具体例に対応し、中
間部１６Ｃ(2) 、後端部１６Ｃ(3) およびヨーク部１６
Ｃ(4) を合わせた部分が、本発明における「拡幅部分」
の一具体例に対応する。また、上部磁性層１６Ｃが、本
発明における「第１の磁性層部分」の一具体例に対応す
る。
【００５８】フレームめっき法によって上部磁性層１６
Ｃを形成する際には、まず、例えば、スパッタリングに
より、電解めっき法におけるシード層となる電極膜（図
示せず）を約７０μｍの厚みに形成する。この電極膜の
形成材料としては、例えば、高飽和磁束密度を有する鉄
ニッケルコバルト合金（Ｃｏ：４５重量％，Ｎｉ：３０
重量％，Ｆｅ：２５重量％）などを用いるようにする。
次に、この電極膜上に、例えばポジティブ型のフォトレ
ジスト（以下、単に「フォトレジスト」という。）を塗
布して、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。次
に、所定の形状パターンを有するマスク（図示せず）を
用いて、フォトレジスト膜の所定の領域を選択的に露光
する。次に、フォトレジスト膜の露光領域を現像するこ
とにより、フレームめっき法においてめっき処理を行う
際に用いるフレームパターン（外枠）（図示せず）を形
成する。このフレームパターンは、上記の露光領域に対
応した開口部を備えるものである。次に、フレームパタ
ーンをマスクとして用いると共に先工程において形成し
た電極膜をシード層として用いて、電解めっき法によ
り、鉄ニッケルコバルト合金（Ｃｏ：４５重量％，Ｎ
ｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％）よりなる上部磁性
層１６Ｃを形成する。最後に、フレームパターンを除去
する。なお、コイル接続配線１６ＣＨもまた、上記した
上部磁性層１６Ｃの場合と同様の形成材料および形成方
法を用いて形成する。
Ｃを形成する際には、まず、例えば、スパッタリングに
より、電解めっき法におけるシード層となる電極膜（図
示せず）を約７０μｍの厚みに形成する。この電極膜の
形成材料としては、例えば、高飽和磁束密度を有する鉄
ニッケルコバルト合金（Ｃｏ：４５重量％，Ｎｉ：３０
重量％，Ｆｅ：２５重量％）などを用いるようにする。
次に、この電極膜上に、例えばポジティブ型のフォトレ
ジスト（以下、単に「フォトレジスト」という。）を塗
布して、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。次
に、所定の形状パターンを有するマスク（図示せず）を
用いて、フォトレジスト膜の所定の領域を選択的に露光
する。次に、フォトレジスト膜の露光領域を現像するこ
とにより、フレームめっき法においてめっき処理を行う
際に用いるフレームパターン（外枠）（図示せず）を形
成する。このフレームパターンは、上記の露光領域に対
応した開口部を備えるものである。次に、フレームパタ
ーンをマスクとして用いると共に先工程において形成し
た電極膜をシード層として用いて、電解めっき法によ
り、鉄ニッケルコバルト合金（Ｃｏ：４５重量％，Ｎ
ｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％）よりなる上部磁性
層１６Ｃを形成する。最後に、フレームパターンを除去
する。なお、コイル接続配線１６ＣＨもまた、上記した
上部磁性層１６Ｃの場合と同様の形成材料および形成方
法を用いて形成する。
【００５９】次に、図５に示したように、例えば、上部
前駆磁性層１１６Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）よ
りも後方の領域を覆うようにフォトレジスト膜９０を選
択的に形成する。
前駆磁性層１１６Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）よ
りも後方の領域を覆うようにフォトレジスト膜９０を選
択的に形成する。
【００６０】次に、上部磁性層１６Ｃおよびフォトレジ
スト膜９０の双方をマスクとして、例えばＲＩＥによ
り、上部前駆磁性層１１６Ａおよびその周辺領域を選択
的にエッチングする。このエッチング処理により、上部
前駆磁性層１１６Ａのうち、上部磁性層１６Ｃにおける
第１の磁極先端部１６Ｃ(1) に対応する部分以外の部分
が選択的に除去され、図６および図１２に示したよう
に、上部磁極１６の一部を構成する第２の磁極先端部１
６Ａが形成される。エッチング方法としてＲＩＥを用い
ることにより、第２の磁極先端部１６Ａを高精度かつ短
時間で形成することができる。第２の磁極先端部１６Ａ
は、上部磁性層１６Ｃにおける第１の磁極先端部１６Ｃ
(1) と同様に、記録媒体上の記録トラック幅を規定する
一定幅Ｗ２を有することとなる。エッチング処理によ
り、マスク自体、すなわち上部磁性層１６Ｃおよびフォ
トレジスト膜９０のそれぞれ自体もエッチングされ、そ
の膜厚は減少する。また、このエッチング処理により、
フォトレジスト膜９０は前方側からもエッチングされ、
その前端の位置は後退する。ここで、第２の磁極先端部
１６Ａが、本発明における「第２の磁性層部分」の一具
体例に対応、第２の磁極先端部１６Ａ，磁路接続部１６
Ｂ，上部磁性層１６Ｃによって構成される上部磁極１６
が、本発明における「第１の磁性層」の一具体例に対応
する。
スト膜９０の双方をマスクとして、例えばＲＩＥによ
り、上部前駆磁性層１１６Ａおよびその周辺領域を選択
的にエッチングする。このエッチング処理により、上部
前駆磁性層１１６Ａのうち、上部磁性層１６Ｃにおける
第１の磁極先端部１６Ｃ(1) に対応する部分以外の部分
が選択的に除去され、図６および図１２に示したよう
に、上部磁極１６の一部を構成する第２の磁極先端部１
６Ａが形成される。エッチング方法としてＲＩＥを用い
ることにより、第２の磁極先端部１６Ａを高精度かつ短
時間で形成することができる。第２の磁極先端部１６Ａ
は、上部磁性層１６Ｃにおける第１の磁極先端部１６Ｃ
(1) と同様に、記録媒体上の記録トラック幅を規定する
一定幅Ｗ２を有することとなる。エッチング処理によ
り、マスク自体、すなわち上部磁性層１６Ｃおよびフォ
トレジスト膜９０のそれぞれ自体もエッチングされ、そ
の膜厚は減少する。また、このエッチング処理により、
フォトレジスト膜９０は前方側からもエッチングされ、
その前端の位置は後退する。ここで、第２の磁極先端部
１６Ａが、本発明における「第２の磁性層部分」の一具
体例に対応、第２の磁極先端部１６Ａ，磁路接続部１６
Ｂ，上部磁性層１６Ｃによって構成される上部磁極１６
が、本発明における「第１の磁性層」の一具体例に対応
する。
【００６１】第２の磁極先端部１６Ａを形成するための
ＲＩＥによるエッチング処理を行う際には、特に、例え
ば、塩素（Ｃｌ2 ）、三塩化ボロン（ＢＣｌ2 ）、塩化
水素（ＨＣｌ）、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、六フッ化硫
黄（ＳＦ6 ）および三臭化ボロン（ＢＢｒ3 ）のうちの
少なくとも１種に水素（Ｈ2 ）、酸素（Ｏ2 ）、窒素
（Ｎ2 ）およびアルゴン（Ａｒ）などを添加したものを
含むエッチングガスを用いると共に、加工温度を５０°
Ｃ〜３００°Ｃの範囲内となるようにするのが好適であ
る。このようなガス雰囲気中および温度下においてＲＩ
Ｅによるエッチング処理を行うことにより、特に、窒化
鉄よりなる上部前駆磁性層１１６Ａ（図５参照）に対す
るエッチング処理の化学反応が促進されるため、第２の
磁極先端部１６Ａの形成に要する時間をより短縮するこ
とができる。
ＲＩＥによるエッチング処理を行う際には、特に、例え
ば、塩素（Ｃｌ2 ）、三塩化ボロン（ＢＣｌ2 ）、塩化
水素（ＨＣｌ）、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、六フッ化硫
黄（ＳＦ6 ）および三臭化ボロン（ＢＢｒ3 ）のうちの
少なくとも１種に水素（Ｈ2 ）、酸素（Ｏ2 ）、窒素
（Ｎ2 ）およびアルゴン（Ａｒ）などを添加したものを
含むエッチングガスを用いると共に、加工温度を５０°
Ｃ〜３００°Ｃの範囲内となるようにするのが好適であ
る。このようなガス雰囲気中および温度下においてＲＩ
Ｅによるエッチング処理を行うことにより、特に、窒化
鉄よりなる上部前駆磁性層１１６Ａ（図５参照）に対す
るエッチング処理の化学反応が促進されるため、第２の
磁極先端部１６Ａの形成に要する時間をより短縮するこ
とができる。
【００６２】さらに、上部磁性層１６Ｃおよびフォトレ
ジスト膜９０をマスクとして、例えばＲＩＥにより、全
体を約０．３μｍ〜０．４μｍ程度エッチングする。こ
のエッチング処理により、第２の磁極先端部１６Ａ周辺
における記録ギャップ層１５、下部磁性層１０Ｂおよび
絶縁膜１７のそれぞれの一部が選択的に除去され、図６
および図１２に示したように、トリム構造を有する磁極
部分１００が形成される。磁極部分１００を形成する際
には、例えば、フォトレジスト膜９０の前端の位置が、
上部磁性層１６Ｃにおける第１の磁極先端部１６Ｃ(1)
と中間部１６Ｃ(2) との連結位置Ｐ２と一致するように
する。この磁極部分１００は、上部磁性層１６Ｃにおけ
る第１の磁極先端部１６Ｃ(1) と、第２の磁極先端部１
６Ａと、記録ギャップ層１５の一部と、下部磁性層１０
Ｂのうちの第２の磁極先端部１６Ａ等に対応する部分と
によって構成される。磁極部分１００を構成する上記の
各部位は、互いにほぼ同様の幅を有している。エッチン
グ方法としてＲＩＥを用いることにより、磁極部分１０
０を高精度かつ短時間で形成することができる。
ジスト膜９０をマスクとして、例えばＲＩＥにより、全
体を約０．３μｍ〜０．４μｍ程度エッチングする。こ
のエッチング処理により、第２の磁極先端部１６Ａ周辺
における記録ギャップ層１５、下部磁性層１０Ｂおよび
絶縁膜１７のそれぞれの一部が選択的に除去され、図６
および図１２に示したように、トリム構造を有する磁極
部分１００が形成される。磁極部分１００を形成する際
には、例えば、フォトレジスト膜９０の前端の位置が、
上部磁性層１６Ｃにおける第１の磁極先端部１６Ｃ(1)
と中間部１６Ｃ(2) との連結位置Ｐ２と一致するように
する。この磁極部分１００は、上部磁性層１６Ｃにおけ
る第１の磁極先端部１６Ｃ(1) と、第２の磁極先端部１
６Ａと、記録ギャップ層１５の一部と、下部磁性層１０
Ｂのうちの第２の磁極先端部１６Ａ等に対応する部分と
によって構成される。磁極部分１００を構成する上記の
各部位は、互いにほぼ同様の幅を有している。エッチン
グ方法としてＲＩＥを用いることにより、磁極部分１０
０を高精度かつ短時間で形成することができる。
【００６３】磁極部分１００を形成するためのＲＩＥに
よるエッチング処理を行う際には、特に、例えば、塩素
と三塩化ボロンとの混合ガスをエッチングガスとして用
いると共に、加工温度を１００°Ｃ〜２００°Ｃの範囲
内となるようにするのが好適である。このようなガス雰
囲気中および温度下においてＲＩＥによるエッチング処
理を行うことにより、磁極部分１００の形成に要する時
間をより短縮することができる。
よるエッチング処理を行う際には、特に、例えば、塩素
と三塩化ボロンとの混合ガスをエッチングガスとして用
いると共に、加工温度を１００°Ｃ〜２００°Ｃの範囲
内となるようにするのが好適である。このようなガス雰
囲気中および温度下においてＲＩＥによるエッチング処
理を行うことにより、磁極部分１００の形成に要する時
間をより短縮することができる。
【００６４】次に、フォトレジスト膜９０を除去したの
ち、図７に示したように、全体を覆うように、絶縁材
料、例えばアルミナなどの無機絶縁材料よりなるオーバ
ーコート層１８を約２０μｍ〜４０μｍの厚みで形成す
る。
ち、図７に示したように、全体を覆うように、絶縁材
料、例えばアルミナなどの無機絶縁材料よりなるオーバ
ーコート層１８を約２０μｍ〜４０μｍの厚みで形成す
る。
【００６５】最後に、図８に示したように、機械加工や
研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベア
リング面７０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベア
リング面７０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００６６】＜薄膜磁気ヘッドの構造＞次に、図１４を
参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面構
造について説明する。
参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面構
造について説明する。
【００６７】図１４は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。なお、図１４では、絶縁
膜１１，１３，１４およびオーバーコート層１８等の図
示を省略している。また、薄膜コイル１２については、
その最外周の一部のみを図示している。図８（Ａ）は、
図１４におけるVIIIA−VIIIA線に沿った矢視断面に相当
する。なお、図１４中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関するそれ
ぞれの表記については、図１〜図１３の場合と同様とす
る。
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。なお、図１４では、絶縁
膜１１，１３，１４およびオーバーコート層１８等の図
示を省略している。また、薄膜コイル１２については、
その最外周の一部のみを図示している。図８（Ａ）は、
図１４におけるVIIIA−VIIIA線に沿った矢視断面に相当
する。なお、図１４中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関するそれ
ぞれの表記については、図１〜図１３の場合と同様とす
る。
【００６８】絶縁膜１７の前端の位置（第２の磁極先端
部１６Ａの後端の位置Ｐ１）は、スロートハイト（Ｔ
Ｈ）を決定する際の基準となる位置、すなわちスロート
ハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）である。スロートハイト
（ＴＨ）は、絶縁膜１７の前端の位置（ＴＨ０位置）か
らエアベアリング面７０までの長さとして規定される。
図１４における「ＭＲＨ０位置」は、ＭＲ膜６の後端の
位置、すなわちＭＲハイトゼロ位置を表している。ＭＲ
ハイト（ＭＲＨ）は、ＭＲハイトゼロ位置からエアベア
リング面７０までの長さである。スロートハイトゼロ位
置（ＴＨ０位置）とＭＲハイトゼロ位置（ＭＲＨ０位
置）とは、例えば、ほぼ一致している。
部１６Ａの後端の位置Ｐ１）は、スロートハイト（Ｔ
Ｈ）を決定する際の基準となる位置、すなわちスロート
ハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）である。スロートハイト
（ＴＨ）は、絶縁膜１７の前端の位置（ＴＨ０位置）か
らエアベアリング面７０までの長さとして規定される。
図１４における「ＭＲＨ０位置」は、ＭＲ膜６の後端の
位置、すなわちＭＲハイトゼロ位置を表している。ＭＲ
ハイト（ＭＲＨ）は、ＭＲハイトゼロ位置からエアベア
リング面７０までの長さである。スロートハイトゼロ位
置（ＴＨ０位置）とＭＲハイトゼロ位置（ＭＲＨ０位
置）とは、例えば、ほぼ一致している。
【００６９】下部磁極１０は、上記したように、例え
ば、それぞれ別個に形成された下部磁性層１０Ａ，１０
Ｂおよび下部接続部１０Ｃによって構成されている。下
部磁性層１０Ｂは、エアベアリング面７０から位置Ｐ４
に至る領域において幅方向に広く延在している。
ば、それぞれ別個に形成された下部磁性層１０Ａ，１０
Ｂおよび下部接続部１０Ｃによって構成されている。下
部磁性層１０Ｂは、エアベアリング面７０から位置Ｐ４
に至る領域において幅方向に広く延在している。
【００７０】上部磁極１６は、上記したように、例え
ば、それぞれ別個に形成された第２の磁極先端部１６
Ａ、磁路接続部１６Ｂおよび上部磁性層１６Ｃによって
構成されている。
ば、それぞれ別個に形成された第２の磁極先端部１６
Ａ、磁路接続部１６Ｂおよび上部磁性層１６Ｃによって
構成されている。
【００７１】第２の磁極先端部１６Ａは、例えば、矩形
状の平面形状を有し、全域にわたって一定幅を有してい
る。上部磁性層１６Ｃは、上記したように、エアベアリ
ング面７０から順に、第１の磁極先端部１６Ｃ(1) 、中
間部１６Ｃ(2) 、後端部１６Ｃ(3) およびヨーク部１６
Ｃ(4) を含んでいる。これらのうち、第１の磁極先端部
１６Ｃ(1) 、中間部１６Ｃ(2) および後端部１６Ｃ(3)
は、例えば矩形状の平面形状を有している。第１の磁極
先端部１６Ｃ(1) は、第２の磁極先端部１６Ａの幅と同
様の一定幅を有すると共に、第２の磁極先端部１６Ａの
長さよりも大きな長さを有している。中間部１２Ｃ(2)
は、例えば第１の磁極先端部１６Ｃ(1)の幅よりも大き
な幅を有し、後端部１６Ｃ(3) は、例えば中間部１６Ｃ
(2) の幅よりも大きな幅を有している。すなわち、第１
の磁極先端部１６Ｃ(1) と中間部１６Ｃ(2) との連結部
分には、幅方向の段差が形成されている。ヨーク部１６
Ｃ(4) は、薄膜コイル１２により発生した磁束を収容す
るものであり、後端部１６Ｃ(3) の幅よりも大きな幅を
有している。ヨーク部１６Ｃ(4) の幅は、例えば、その
後方部においてほぼ一定であり、その前方部においてエ
アベアリング面７０に近づくにつれて徐々に狭まるよう
になっている。上部磁性層１６Ｃを構成する各部位の幅
方向の中心は互いに一致している。
状の平面形状を有し、全域にわたって一定幅を有してい
る。上部磁性層１６Ｃは、上記したように、エアベアリ
ング面７０から順に、第１の磁極先端部１６Ｃ(1) 、中
間部１６Ｃ(2) 、後端部１６Ｃ(3) およびヨーク部１６
Ｃ(4) を含んでいる。これらのうち、第１の磁極先端部
１６Ｃ(1) 、中間部１６Ｃ(2) および後端部１６Ｃ(3)
は、例えば矩形状の平面形状を有している。第１の磁極
先端部１６Ｃ(1) は、第２の磁極先端部１６Ａの幅と同
様の一定幅を有すると共に、第２の磁極先端部１６Ａの
長さよりも大きな長さを有している。中間部１２Ｃ(2)
は、例えば第１の磁極先端部１６Ｃ(1)の幅よりも大き
な幅を有し、後端部１６Ｃ(3) は、例えば中間部１６Ｃ
(2) の幅よりも大きな幅を有している。すなわち、第１
の磁極先端部１６Ｃ(1) と中間部１６Ｃ(2) との連結部
分には、幅方向の段差が形成されている。ヨーク部１６
Ｃ(4) は、薄膜コイル１２により発生した磁束を収容す
るものであり、後端部１６Ｃ(3) の幅よりも大きな幅を
有している。ヨーク部１６Ｃ(4) の幅は、例えば、その
後方部においてほぼ一定であり、その前方部においてエ
アベアリング面７０に近づくにつれて徐々に狭まるよう
になっている。上部磁性層１６Ｃを構成する各部位の幅
方向の中心は互いに一致している。
【００７２】第１の磁極先端部１６Ｃ(1) と中間部１６
Ｃ(2) との連結部分に形成された段差の段差面１６ＣＤ
と、第１の磁極先端部１６Ｃ(1) の側縁面とが交わるコ
ーナー部の角度γは、例えば９０度である。なお、この
コーナー部の角度γは必ずしもこれに限られるものでは
なく、例えば９０度ないし１２０度の範囲内となるよう
にするのが好適である。角度γを上記の範囲内とするこ
とにより、中間部１６Ｃ(2) から第１の磁極先端部１６
Ｃ(1) に流入する磁束の流れを円滑化することができる
からである。
Ｃ(2) との連結部分に形成された段差の段差面１６ＣＤ
と、第１の磁極先端部１６Ｃ(1) の側縁面とが交わるコ
ーナー部の角度γは、例えば９０度である。なお、この
コーナー部の角度γは必ずしもこれに限られるものでは
なく、例えば９０度ないし１２０度の範囲内となるよう
にするのが好適である。角度γを上記の範囲内とするこ
とにより、中間部１６Ｃ(2) から第１の磁極先端部１６
Ｃ(1) に流入する磁束の流れを円滑化することができる
からである。
【００７３】薄膜コイル１２は、上記したように、極微
細化された巻線構造を有するものである。薄膜コイル１
２における外側の終端部をなす端子１２Ｘとコイル接続
配線１２ＣＨの後端部とは、共に図示しない外部回路に
接続されており、この外部回路によって薄膜コイル１２
を通電させることができるようになっている。
細化された巻線構造を有するものである。薄膜コイル１
２における外側の終端部をなす端子１２Ｘとコイル接続
配線１２ＣＨの後端部とは、共に図示しない外部回路に
接続されており、この外部回路によって薄膜コイル１２
を通電させることができるようになっている。
【００７４】＜薄膜磁気ヘッドの作用＞この薄膜磁気ヘ
ッドでは、情報の記録動作時に図示しない外部回路を通
じて薄膜コイル１２に電流が流れると、これに応じて磁
束が発生する。このとき発生した磁束は、上部磁性層１
６Ｃ内をヨーク部１６Ｃ(4) から第１の磁極先端部１６
Ｃ(1) まで伝播し、第１の磁極先端部１６Ｃ(1) のエア
ベアリング面７０側の先端部分に到達する。第１の磁極
先端部１６Ｃ(1) の先端部分に到達した磁束により、記
録ギャップ層１５近傍の外部に記録用の信号磁界が発生
する。この信号磁界により、磁気記録媒体を部分的に磁
化して、情報を記録することができる。
ッドでは、情報の記録動作時に図示しない外部回路を通
じて薄膜コイル１２に電流が流れると、これに応じて磁
束が発生する。このとき発生した磁束は、上部磁性層１
６Ｃ内をヨーク部１６Ｃ(4) から第１の磁極先端部１６
Ｃ(1) まで伝播し、第１の磁極先端部１６Ｃ(1) のエア
ベアリング面７０側の先端部分に到達する。第１の磁極
先端部１６Ｃ(1) の先端部分に到達した磁束により、記
録ギャップ層１５近傍の外部に記録用の信号磁界が発生
する。この信号磁界により、磁気記録媒体を部分的に磁
化して、情報を記録することができる。
【００７５】一方、再生時においては、再生ヘッド部の
ＭＲ膜６にセンス電流を流す。ＭＲ膜６の抵抗値は、磁
気記録媒体からの再生信号磁界に応じて変化するので、
その抵抗変化をセンス電流の変化によって検出すること
により、磁気記録媒体に記録されている情報を読み出す
ことができる。
ＭＲ膜６にセンス電流を流す。ＭＲ膜６の抵抗値は、磁
気記録媒体からの再生信号磁界に応じて変化するので、
その抵抗変化をセンス電流の変化によって検出すること
により、磁気記録媒体に記録されている情報を読み出す
ことができる。
【００７６】＜第１の実施の形態の効果＞本実施の形態
の薄膜磁気ヘッドでは、図８に示したように、下部磁極
１０に設けられた窪み領域１０Ｈ、すなわち下部磁性層
１０Ｂの厚みに対応する後方領域に、絶縁膜１１，１
３，１４中に埋設させるように薄膜コイル１２を配設し
ているため、以下のような理由により、薄膜コイル１２
の巻線幅を極微細化した場合においても、第２の磁極部
分１６Ａの幅を高精度に一定としつつ、優れたオーバー
ライト特性を確保することができる。すなわち、上記し
たように、薄膜コイル１２の巻線幅は、薄膜磁気ヘッド
の小型化等を目的として極微細化（巻線幅＝約０．５μ
ｍ）されている。このような場合において、優れたオー
バーライト特性を得るためには、薄膜コイル１２の断面
積厚みを確保するために、その厚みを適正に確保（例え
ば、０．８μｍ以上）する必要がある。
の薄膜磁気ヘッドでは、図８に示したように、下部磁極
１０に設けられた窪み領域１０Ｈ、すなわち下部磁性層
１０Ｂの厚みに対応する後方領域に、絶縁膜１１，１
３，１４中に埋設させるように薄膜コイル１２を配設し
ているため、以下のような理由により、薄膜コイル１２
の巻線幅を極微細化した場合においても、第２の磁極部
分１６Ａの幅を高精度に一定としつつ、優れたオーバー
ライト特性を確保することができる。すなわち、上記し
たように、薄膜コイル１２の巻線幅は、薄膜磁気ヘッド
の小型化等を目的として極微細化（巻線幅＝約０．５μ
ｍ）されている。このような場合において、優れたオー
バーライト特性を得るためには、薄膜コイル１２の断面
積厚みを確保するために、その厚みを適正に確保（例え
ば、０．８μｍ以上）する必要がある。
【００７７】ここで、下部磁性層１０Ｂの厚みに対応す
る後方領域（窪み領域１０Ｈ）以外の領域、例えば、第
２の磁極先端部１６Ａの厚みに対応する後方領域に、絶
縁膜１７中に埋設させるように薄膜コイル１２等を配設
する場合において、薄膜コイル１２が適正な厚み（例え
ば０．８μｍ以上）を有し、かつ薄膜コイル１２の上方
に十分な厚みの絶縁膜１７を確保するためには、図１５
に示したように、第２の磁極先端部１６Ａの厚みを上記
の「薄膜磁気ヘッドの製造方法」において説明した場合
よりも大きく（例えば１．０μｍ以上）しなければなら
ない。しかしながら、第２の磁極先端部１６Ａの厚みを
大きくすると、その幅を高精度に一定とすることが困難
となる。なぜなら、第２の磁極先端部１６Ａの厚みを大
きくするために上部前駆磁性層１１６Ａの厚みを大きく
すると、上部前駆磁性層１６Ａに対するエッチング処理
が進行するにつれてエッチングかすの発生量が多くな
り、このエッチングかすの再付着現象に起因して第２の
磁極先端部１６Ａの形成幅が実質的に拡張してしまうか
らである。なお、図１５に示した場合において、第２の
磁極先端部１６Ａの厚みを小さくする（例えば０．５μ
ｍ〜０．６μｍ）と、薄膜コイル１２の形成厚みは第２
の磁極先端部１６Ａの厚みよりも小さくなる。薄膜コイ
ル１２の厚みが小さすぎると、その電気抵抗値が過大に
なり、薄膜コイル１２中を流れる電流量が低下すること
により磁束の発生量が減少してしまう。この磁束の発生
量の減少は、オーバーライト特性の低下を招くこととな
る。
る後方領域（窪み領域１０Ｈ）以外の領域、例えば、第
２の磁極先端部１６Ａの厚みに対応する後方領域に、絶
縁膜１７中に埋設させるように薄膜コイル１２等を配設
する場合において、薄膜コイル１２が適正な厚み（例え
ば０．８μｍ以上）を有し、かつ薄膜コイル１２の上方
に十分な厚みの絶縁膜１７を確保するためには、図１５
に示したように、第２の磁極先端部１６Ａの厚みを上記
の「薄膜磁気ヘッドの製造方法」において説明した場合
よりも大きく（例えば１．０μｍ以上）しなければなら
ない。しかしながら、第２の磁極先端部１６Ａの厚みを
大きくすると、その幅を高精度に一定とすることが困難
となる。なぜなら、第２の磁極先端部１６Ａの厚みを大
きくするために上部前駆磁性層１１６Ａの厚みを大きく
すると、上部前駆磁性層１６Ａに対するエッチング処理
が進行するにつれてエッチングかすの発生量が多くな
り、このエッチングかすの再付着現象に起因して第２の
磁極先端部１６Ａの形成幅が実質的に拡張してしまうか
らである。なお、図１５に示した場合において、第２の
磁極先端部１６Ａの厚みを小さくする（例えば０．５μ
ｍ〜０．６μｍ）と、薄膜コイル１２の形成厚みは第２
の磁極先端部１６Ａの厚みよりも小さくなる。薄膜コイ
ル１２の厚みが小さすぎると、その電気抵抗値が過大に
なり、薄膜コイル１２中を流れる電流量が低下すること
により磁束の発生量が減少してしまう。この磁束の発生
量の減少は、オーバーライト特性の低下を招くこととな
る。
【００７８】これに対して、本実施の形態では、下部磁
性層１０Ｂの厚みに対応する後方領域（窪み領域１０
Ｈ）に薄膜コイル１２を配設しているため、第２の磁極
先端部１６Ａの厚みは薄膜コイル１２の厚みに依存しな
い。すなわち、第２の磁極先端部１６Ａの厚みを適正に
小さくすることにより、上記したエッチングかすの再付
着現象による悪影響を抑制し、第２の磁極先端部１６Ａ
の幅を高精度に一定とすることができる。しかも、薄膜
コイル１２の厚みが十分に確保されるため、薄膜コイル
１２を介して十分な量の磁束を発生させ、優れたオーバ
ーライト特性が確保される。なお、極微小な幅を有する
第２の磁極先端部１６Ａとは異なり、下部磁性層１０Ｂ
は大きな幅を有するため、第２の磁極先端部１６Ａの厚
みとその形成精度とに起因する不具合は下部磁性層１０
Ｂの形成時においては問題にならないものと想定され
る。
性層１０Ｂの厚みに対応する後方領域（窪み領域１０
Ｈ）に薄膜コイル１２を配設しているため、第２の磁極
先端部１６Ａの厚みは薄膜コイル１２の厚みに依存しな
い。すなわち、第２の磁極先端部１６Ａの厚みを適正に
小さくすることにより、上記したエッチングかすの再付
着現象による悪影響を抑制し、第２の磁極先端部１６Ａ
の幅を高精度に一定とすることができる。しかも、薄膜
コイル１２の厚みが十分に確保されるため、薄膜コイル
１２を介して十分な量の磁束を発生させ、優れたオーバ
ーライト特性が確保される。なお、極微小な幅を有する
第２の磁極先端部１６Ａとは異なり、下部磁性層１０Ｂ
は大きな幅を有するため、第２の磁極先端部１６Ａの厚
みとその形成精度とに起因する不具合は下部磁性層１０
Ｂの形成時においては問題にならないものと想定され
る。
【００７９】また、本実施の形態では、記録媒体の記録
トラック幅を規定する一定幅を有する部分を２層構造
（第２の磁極先端部１６Ａ，第１の磁極先端部１６Ｃ
(1) ）としているので、主要な磁束の伝播経路をなす上
部磁性層１６Ｃの構造を変更することなく、第２の磁極
先端部１６Ａの長さのみを変更することにより絶縁膜１
７の前端の位置（ＴＨ０位置）が変更される。このた
め、記録ヘッドの性能を決定する因子のうちの１つであ
るスロートハイト（ＴＨ）を容易に調整することができ
る。
トラック幅を規定する一定幅を有する部分を２層構造
（第２の磁極先端部１６Ａ，第１の磁極先端部１６Ｃ
(1) ）としているので、主要な磁束の伝播経路をなす上
部磁性層１６Ｃの構造を変更することなく、第２の磁極
先端部１６Ａの長さのみを変更することにより絶縁膜１
７の前端の位置（ＴＨ０位置）が変更される。このた
め、記録ヘッドの性能を決定する因子のうちの１つであ
るスロートハイト（ＴＨ）を容易に調整することができ
る。
【００８０】さらに、上記の２層構造における上層部分
（第１の磁極先端部１６Ｃ(1) ）の形成材料として鉄ニ
ッケルコバルト合金を用い、下層部分（第２の磁極先端
部１６Ａ）の形成材料としてニッケル鉄を用いるように
したので、以下のような理由により、この観点において
も優れたオーバーライト特性の確保に寄与する。すなわ
ち、第１の磁極先端部１６Ｃ(1) の形成材料として用い
られる鉄ニッケルコバルト合金は、上記したように、そ
の高い硬度特性によりエッチングマスクとして利用する
ことが可能な反面、めっき処理時におけるその組成制御
が困難である。組成制御が十分でないと、鉄ニッケルコ
バルト合金中において部分的に磁束密度の差異が生じ、
磁束の伝播特性に偏りが生じてしまう可能性がある。一
方、第２の磁極先端部１６Ａの形成材料として用いられ
るニッケル鉄は、形成手法としてスパッタリングを用い
ることにより、その組成を比較的容易に制御することが
できる。これらのことから、鉄ニッケルコバルト合金の
組成が多少乱れ、第１の磁極先端部１６Ｃ(1) 内におけ
る磁束の伝播特性にばらつきが生じたとしても、組成が
適正に制御されたニッケル鉄よりなる第２の磁極先端部
１６Ａにおいて円滑な磁束の伝播が確保され、その先端
部分まで十分な磁束が到達することとなる。このような
効果は、特に、第２の磁極先端部１６Ａを構成する磁性
材料（窒化鉄）として、上部磁性層１６Ｃを構成する磁
性材料（鉄ニッケルコバルト合金）の飽和磁束密度より
も大きい飽和磁束密度を有するものを用いることにより
顕著となる。
（第１の磁極先端部１６Ｃ(1) ）の形成材料として鉄ニ
ッケルコバルト合金を用い、下層部分（第２の磁極先端
部１６Ａ）の形成材料としてニッケル鉄を用いるように
したので、以下のような理由により、この観点において
も優れたオーバーライト特性の確保に寄与する。すなわ
ち、第１の磁極先端部１６Ｃ(1) の形成材料として用い
られる鉄ニッケルコバルト合金は、上記したように、そ
の高い硬度特性によりエッチングマスクとして利用する
ことが可能な反面、めっき処理時におけるその組成制御
が困難である。組成制御が十分でないと、鉄ニッケルコ
バルト合金中において部分的に磁束密度の差異が生じ、
磁束の伝播特性に偏りが生じてしまう可能性がある。一
方、第２の磁極先端部１６Ａの形成材料として用いられ
るニッケル鉄は、形成手法としてスパッタリングを用い
ることにより、その組成を比較的容易に制御することが
できる。これらのことから、鉄ニッケルコバルト合金の
組成が多少乱れ、第１の磁極先端部１６Ｃ(1) 内におけ
る磁束の伝播特性にばらつきが生じたとしても、組成が
適正に制御されたニッケル鉄よりなる第２の磁極先端部
１６Ａにおいて円滑な磁束の伝播が確保され、その先端
部分まで十分な磁束が到達することとなる。このような
効果は、特に、第２の磁極先端部１６Ａを構成する磁性
材料（窒化鉄）として、上部磁性層１６Ｃを構成する磁
性材料（鉄ニッケルコバルト合金）の飽和磁束密度より
も大きい飽和磁束密度を有するものを用いることにより
顕著となる。
【００８１】また、本実施の形態では、上部磁性層１６
Ｃを構成するヨーク部１６Ｃ(4) ，後端部１６Ｃ(3) ，
中間部１６Ｃ(2) ，第１の磁極先端部１６Ｃ(1) の各部
位の幅がこの順に小さくなるようにしているので、各部
位の磁気ボリューム、すなわち、各部位の内部に収容可
能な磁束の許容量もまた同じ順に小さくなる。このよう
な場合には、上部磁性層１６Ｃに流入した磁束は、ヨー
ク部１６Ｃ(4) から第１の磁極先端部１６Ｃ(1) まで伝
播する過程において、磁気ボリュームの段階的な減少に
応じて段階的に集束され、磁束の伝播過程における磁束
の飽和減少が抑制される。これにより、第１の磁極先端
部１６Ｃ(1) および第２の磁極先端部１６Ａには十分な
量の磁束が供給されるため、この点もまた、優れたオー
バーライト特性の確保に寄与する。
Ｃを構成するヨーク部１６Ｃ(4) ，後端部１６Ｃ(3) ，
中間部１６Ｃ(2) ，第１の磁極先端部１６Ｃ(1) の各部
位の幅がこの順に小さくなるようにしているので、各部
位の磁気ボリューム、すなわち、各部位の内部に収容可
能な磁束の許容量もまた同じ順に小さくなる。このよう
な場合には、上部磁性層１６Ｃに流入した磁束は、ヨー
ク部１６Ｃ(4) から第１の磁極先端部１６Ｃ(1) まで伝
播する過程において、磁気ボリュームの段階的な減少に
応じて段階的に集束され、磁束の伝播過程における磁束
の飽和減少が抑制される。これにより、第１の磁極先端
部１６Ｃ(1) および第２の磁極先端部１６Ａには十分な
量の磁束が供給されるため、この点もまた、優れたオー
バーライト特性の確保に寄与する。
【００８２】また、本実施の形態では、第２の磁極先端
部１６Ａおよび上部磁性層１６Ｃの形成材料として、共
に高飽和磁束密度を有する磁性材料（例えば、窒化鉄お
よび鉄ニッケルコバルト合金）を用いるようにしたの
で、記録密度を高めるために磁極幅を極微小化した場合
においても、磁束の飽和現象が抑制され、磁束の伝播が
円滑化される。このため、磁気ボリュームの小さい第２
の磁極先端部１６Ａおよび上部磁性層１６Ｃにおける第
１の磁極先端部１６Ｃ(1) のそれぞれの先端部まで十分
な量の磁束が供給され、この観点においても優れたオー
バーライト特性の確保に寄与する。
部１６Ａおよび上部磁性層１６Ｃの形成材料として、共
に高飽和磁束密度を有する磁性材料（例えば、窒化鉄お
よび鉄ニッケルコバルト合金）を用いるようにしたの
で、記録密度を高めるために磁極幅を極微小化した場合
においても、磁束の飽和現象が抑制され、磁束の伝播が
円滑化される。このため、磁気ボリュームの小さい第２
の磁極先端部１６Ａおよび上部磁性層１６Ｃにおける第
１の磁極先端部１６Ｃ(1) のそれぞれの先端部まで十分
な量の磁束が供給され、この観点においても優れたオー
バーライト特性の確保に寄与する。
【００８３】本実施の形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、後端部の幅方向に延びる後端縁１１６ＡＴが直線
状をなすように形成された上部前駆磁性層１１６Ａ（図
４および図１０参照）の一部として第２の磁極先端部１
６Ａが形成されるため、後端縁１１６ＡＴの一部が第２
の磁極先端部１６Ａの一部として残存することとなる。
このような場合には、第２の磁極先端部１６Ａの後端の
位置において、絶縁膜１７の前端の位置（スロートハイ
トゼロ位置）を一義的に決定することが可能となる。
では、後端部の幅方向に延びる後端縁１１６ＡＴが直線
状をなすように形成された上部前駆磁性層１１６Ａ（図
４および図１０参照）の一部として第２の磁極先端部１
６Ａが形成されるため、後端縁１１６ＡＴの一部が第２
の磁極先端部１６Ａの一部として残存することとなる。
このような場合には、第２の磁極先端部１６Ａの後端の
位置において、絶縁膜１７の前端の位置（スロートハイ
トゼロ位置）を一義的に決定することが可能となる。
【００８４】また、本実施の形態では、特に、基礎磁性
層１１６をエッチングするための手法としてＲＩＥを用
いるようにしているので、形成される上部前駆磁性層１
１６Ａのエッチング端面（後端面１１６ＡＭ）は丸みを
帯びることなく平面をなす（図４および図１０参照）。
このとき、特に、上部前駆磁性層１１６Ａのエッチング
端面（後端面１１６ＡＭ）が記録ギャップ層１５の平坦
な表面１５Ｍに対して垂直になるようにすることによ
り、上部前駆磁性層１１６Ａの一部として形成される第
２の磁極先端部１６Ａの後端面１６ＡＭ（図７および図
１２参照）もまた、平面をなすと共に記録ギャップ層１
５の平坦な表面１５Ｍに対して垂直をなすこととなる。
このような場合には、上記したスロートハイトゼロ位置
の決定がより容易になる。
層１１６をエッチングするための手法としてＲＩＥを用
いるようにしているので、形成される上部前駆磁性層１
１６Ａのエッチング端面（後端面１１６ＡＭ）は丸みを
帯びることなく平面をなす（図４および図１０参照）。
このとき、特に、上部前駆磁性層１１６Ａのエッチング
端面（後端面１１６ＡＭ）が記録ギャップ層１５の平坦
な表面１５Ｍに対して垂直になるようにすることによ
り、上部前駆磁性層１１６Ａの一部として形成される第
２の磁極先端部１６Ａの後端面１６ＡＭ（図７および図
１２参照）もまた、平面をなすと共に記録ギャップ層１
５の平坦な表面１５Ｍに対して垂直をなすこととなる。
このような場合には、上記したスロートハイトゼロ位置
の決定がより容易になる。
【００８５】さらに、エッチング手法としてＲＩＥを用
いることにより、イオンミリングを用いる場合よりも、
上部前駆磁性層１１６Ａを高精度かつ短時間で形成する
ことができる。エッチング手法としてＲＩＥを用いた場
合の形成精度の向上および形成時間の短縮に関する効果
は、第２の磁極先端部１６Ａ、下部磁性層１０Ｂ、下部
接続部１０Ｃおよび磁極部分１００等を形成する場合に
おいても同様である。特に、ＲＩＥによるエッチング処
理を適正なエッチング条件下において行うことにより、
上部前駆磁性層１１６Ａ等の形成に要する時間をより短
縮することができる。
いることにより、イオンミリングを用いる場合よりも、
上部前駆磁性層１１６Ａを高精度かつ短時間で形成する
ことができる。エッチング手法としてＲＩＥを用いた場
合の形成精度の向上および形成時間の短縮に関する効果
は、第２の磁極先端部１６Ａ、下部磁性層１０Ｂ、下部
接続部１０Ｃおよび磁極部分１００等を形成する場合に
おいても同様である。特に、ＲＩＥによるエッチング処
理を適正なエッチング条件下において行うことにより、
上部前駆磁性層１１６Ａ等の形成に要する時間をより短
縮することができる。
【００８６】また、本実施の形態では、記録ギャップ層
１５の平坦な表面に上部磁性層１６Ｃを形成しているの
で、凹凸構造を有する下地上に上部磁性層１６Ｃを形成
する場合とは異なり、上部磁性層１６Ｃを高精度に形成
することができる。なぜなら、下地が凹凸構造を有する
場合には、フォトレジストパターンを形成するためにフ
ォトレジスト膜を選択的に露光しようとしても、下地か
ら斜め方向または横方向に反射する反射光の影響により
露光領域が拡大または縮小してしまい、フォトレジスト
パターンを高精度に形成することができない。これに対
して、下地が平坦な場合には、下地が凹凸構造を有する
場合よりも、反射光に起因する露光精度に係る悪影響が
抑制されるため、フォトレジストパターンを高精度に形
成することができる。
１５の平坦な表面に上部磁性層１６Ｃを形成しているの
で、凹凸構造を有する下地上に上部磁性層１６Ｃを形成
する場合とは異なり、上部磁性層１６Ｃを高精度に形成
することができる。なぜなら、下地が凹凸構造を有する
場合には、フォトレジストパターンを形成するためにフ
ォトレジスト膜を選択的に露光しようとしても、下地か
ら斜め方向または横方向に反射する反射光の影響により
露光領域が拡大または縮小してしまい、フォトレジスト
パターンを高精度に形成することができない。これに対
して、下地が平坦な場合には、下地が凹凸構造を有する
場合よりも、反射光に起因する露光精度に係る悪影響が
抑制されるため、フォトレジストパターンを高精度に形
成することができる。
【００８７】また、本実施の形態では、上部磁性層１６
Ｃの形成材料として、鉄、ニッケルおよびコバルトを含
む磁性材料、例えば鉄ニッケルコバルト合金（ＣｏＮｉ
Ｆｅ）を用いるようにしている。一般に、この鉄ニッケ
ルコバルト合金は、パーマロイやニッケル鉄等の磁性材
料よりも硬い磁性材料であるため、鉄ニッケルコバルト
合金に対するエッチング速度は、パーマロイや窒化鉄等
に対するエッチング速度よりも遅くなる。このため、基
礎磁性層１１６をパターニングするためのエッチング処
理時において、基礎磁性層１１６に対するエッチング量
よりも上部磁性層１６Ｃ（第１の磁極先端部１６Ｃ(1)
）に対するエッチング量を小さくし、上部磁性層１６
Ｃ（第１の磁極先端部１６Ｃ(1) ）の膜減りを抑制する
ことができる。ただし、上部磁性層１６Ｃの形成時に
は、エッチング処理時における「膜減り」を見越して、
上部磁性層１６Ｃの厚みを必要かつ十分に確保しておく
必要がある。上部磁性層１６Ｃ（第１の磁極先端部１６
Ｃ(1) ）に対するエッチング量（膜減り量）は、エッチ
ングガスの種類や加工温度などのエッチング条件を変更
することにより調整可能である。
Ｃの形成材料として、鉄、ニッケルおよびコバルトを含
む磁性材料、例えば鉄ニッケルコバルト合金（ＣｏＮｉ
Ｆｅ）を用いるようにしている。一般に、この鉄ニッケ
ルコバルト合金は、パーマロイやニッケル鉄等の磁性材
料よりも硬い磁性材料であるため、鉄ニッケルコバルト
合金に対するエッチング速度は、パーマロイや窒化鉄等
に対するエッチング速度よりも遅くなる。このため、基
礎磁性層１１６をパターニングするためのエッチング処
理時において、基礎磁性層１１６に対するエッチング量
よりも上部磁性層１６Ｃ（第１の磁極先端部１６Ｃ(1)
）に対するエッチング量を小さくし、上部磁性層１６
Ｃ（第１の磁極先端部１６Ｃ(1) ）の膜減りを抑制する
ことができる。ただし、上部磁性層１６Ｃの形成時に
は、エッチング処理時における「膜減り」を見越して、
上部磁性層１６Ｃの厚みを必要かつ十分に確保しておく
必要がある。上部磁性層１６Ｃ（第１の磁極先端部１６
Ｃ(1) ）に対するエッチング量（膜減り量）は、エッチ
ングガスの種類や加工温度などのエッチング条件を変更
することにより調整可能である。
【００８８】なお、上部磁性層１６Ｃの形成材料として
の鉄ニッケルコバルト合金は、形成されることとなる上
部磁性層１６Ｃの膜厚が適度に薄い場合（例えば３．０
μｍ以下）にのみ使用するのが好ましい。なぜなら、例
えば、鉄ニッケルコバルト合金を形成材料として用い
て、約３．０μｍよりも大きい厚みを有する上部磁性層
１６Ｃを形成しようとすると、内部応力の蓄積に起因し
て鉄ニッケルコバルト合金が部分的に割れたり、剥がれ
てしまい、上部磁性層１６Ｃを正常に形成することが困
難になるからである。本実施の形態では、約２．０μｍ
〜３．０μｍの厚みを有するように上部磁性層１６Ｃを
形成しているので、鉄ニッケルコバルト合金などの硬い
磁性材料を用いた場合においても、上記の「割れ」また
は「剥がれ」等を回避し、上部磁性層１６Ｃの形成を安
定化させることができる。
の鉄ニッケルコバルト合金は、形成されることとなる上
部磁性層１６Ｃの膜厚が適度に薄い場合（例えば３．０
μｍ以下）にのみ使用するのが好ましい。なぜなら、例
えば、鉄ニッケルコバルト合金を形成材料として用い
て、約３．０μｍよりも大きい厚みを有する上部磁性層
１６Ｃを形成しようとすると、内部応力の蓄積に起因し
て鉄ニッケルコバルト合金が部分的に割れたり、剥がれ
てしまい、上部磁性層１６Ｃを正常に形成することが困
難になるからである。本実施の形態では、約２．０μｍ
〜３．０μｍの厚みを有するように上部磁性層１６Ｃを
形成しているので、鉄ニッケルコバルト合金などの硬い
磁性材料を用いた場合においても、上記の「割れ」また
は「剥がれ」等を回避し、上部磁性層１６Ｃの形成を安
定化させることができる。
【００８９】また、本実施の形態では、薄膜コイル１２
（コイル接続部１２Ｓを含む）の各巻線間を埋め込む絶
縁膜１３の形成材料として、加熱時に流動性を示すフォ
トレジストなどの有機絶縁材料を用いるようにしたの
で、加熱時に流動性を示さないアルミナなどの無機絶縁
材料を用いる場合とは異なり、薄膜コイル１２等の各巻
線間を隙間なく埋めつくすことができ、確実に絶縁する
ことができる。
（コイル接続部１２Ｓを含む）の各巻線間を埋め込む絶
縁膜１３の形成材料として、加熱時に流動性を示すフォ
トレジストなどの有機絶縁材料を用いるようにしたの
で、加熱時に流動性を示さないアルミナなどの無機絶縁
材料を用いる場合とは異なり、薄膜コイル１２等の各巻
線間を隙間なく埋めつくすことができ、確実に絶縁する
ことができる。
【００９０】また、本実施の形態では、絶縁膜１４の形
成材料としてアルミナなどの無機絶縁材料を用いるよう
にしたので、フォトレジストなどの軟絶縁材料を用いる
場合とは異なり、ＣＭＰ研磨盤の研磨面が目詰まりを起
こすことを防止できると共に、研磨後の表面をより平滑
に形成することができる。
成材料としてアルミナなどの無機絶縁材料を用いるよう
にしたので、フォトレジストなどの軟絶縁材料を用いる
場合とは異なり、ＣＭＰ研磨盤の研磨面が目詰まりを起
こすことを防止できると共に、研磨後の表面をより平滑
に形成することができる。
【００９１】＜第１の実施の形態に関する変形例＞な
お、本実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、図１４に示し
たように、上部磁性層１６Ｃにおける中間部１６Ｃ(2)
と後端部１６Ｃ(3) との連結位置Ｐ４よりも前方の領域
に下部磁性層１０Ｂが配設されるようにしたが、必ずし
もこれに限られるものではなく、下部磁性層１０Ｂの配
設領域は自由に変更可能である。例えば、図１６に示し
たように、薄膜コイル１２の周囲を囲むように下部磁性
層１０Ｂが配設されるようにしてもよい。このような場
合においても、上記実施の形態の場合とほぼ同様の効果
を得ることができる。なお、図１６において、上記以外
の構造等は図１４に示した場合と同様である。
お、本実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、図１４に示し
たように、上部磁性層１６Ｃにおける中間部１６Ｃ(2)
と後端部１６Ｃ(3) との連結位置Ｐ４よりも前方の領域
に下部磁性層１０Ｂが配設されるようにしたが、必ずし
もこれに限られるものではなく、下部磁性層１０Ｂの配
設領域は自由に変更可能である。例えば、図１６に示し
たように、薄膜コイル１２の周囲を囲むように下部磁性
層１０Ｂが配設されるようにしてもよい。このような場
合においても、上記実施の形態の場合とほぼ同様の効果
を得ることができる。なお、図１６において、上記以外
の構造等は図１４に示した場合と同様である。
【００９２】なお、本実施の形態の薄膜磁気ヘッドの製
造方法では、図２に示したように、下部磁性層１０Ｂ等
を形成するためのエッチング工程において、下部磁性層
１０Ａが露出した時点でエッチング処理を終了するよう
にしたが、必ずしもこれに限られるものではない。例え
ば、図１７に示したように、下部磁性層１０Ｂ等を形成
したのち、さらに下部磁性層１０Ａの一部をエッチング
して掘り下げることにより窪み領域１０Ｈを形成するよ
うにしてもよい。窪み領域１０Ｈを形成する際には、例
えば、その深さが約０．５μｍ〜１．５μｍになるよう
にする。窪み領域１０Ｈを形成したのち、上記実施の形
態の場合と同様の手法を用いて絶縁膜１１および薄膜コ
イル１２等を形成することにより、図１８に示したよう
な構造を有する薄膜磁気ヘッドが完成する。図１８は、
上記実施の形態における図８に対応するものである。窪
み領域１０Ｈを形成した場合には、薄膜コイル１２を形
成することとなる下地の表面の位置は、窪み領域１０Ｈ
を形成しない場合における下地の表面の位置よりも低く
なる。このため、薄膜コイル１２の上方に、薄膜コイル
１２の厚みを増大させるための空間領域が確保されるこ
ととなるので、上記実施の形態の場合よりも薄膜コイル
１２の厚みをより大きくすることができる。
造方法では、図２に示したように、下部磁性層１０Ｂ等
を形成するためのエッチング工程において、下部磁性層
１０Ａが露出した時点でエッチング処理を終了するよう
にしたが、必ずしもこれに限られるものではない。例え
ば、図１７に示したように、下部磁性層１０Ｂ等を形成
したのち、さらに下部磁性層１０Ａの一部をエッチング
して掘り下げることにより窪み領域１０Ｈを形成するよ
うにしてもよい。窪み領域１０Ｈを形成する際には、例
えば、その深さが約０．５μｍ〜１．５μｍになるよう
にする。窪み領域１０Ｈを形成したのち、上記実施の形
態の場合と同様の手法を用いて絶縁膜１１および薄膜コ
イル１２等を形成することにより、図１８に示したよう
な構造を有する薄膜磁気ヘッドが完成する。図１８は、
上記実施の形態における図８に対応するものである。窪
み領域１０Ｈを形成した場合には、薄膜コイル１２を形
成することとなる下地の表面の位置は、窪み領域１０Ｈ
を形成しない場合における下地の表面の位置よりも低く
なる。このため、薄膜コイル１２の上方に、薄膜コイル
１２の厚みを増大させるための空間領域が確保されるこ
ととなるので、上記実施の形態の場合よりも薄膜コイル
１２の厚みをより大きくすることができる。
【００９３】さらに、薄膜コイル１２を形成することと
なる下地の表面の位置を低くすることにより、薄膜コイ
ル１２の上方における絶縁膜１４の厚みを適正に確保し
つつ、下部磁性層１０Ｂの厚みを薄くすることが可能と
なる。このような場合には、上記実施の形態において説
明した上部前駆磁性層１１６Ａの厚みと第２の磁極先端
部１６Ａの形成精度との関係と同様の理由により、下部
前駆磁性層１１０の厚みを薄くすることにより下部磁性
層１０Ｂ等を高精度に形成することができる。
なる下地の表面の位置を低くすることにより、薄膜コイ
ル１２の上方における絶縁膜１４の厚みを適正に確保し
つつ、下部磁性層１０Ｂの厚みを薄くすることが可能と
なる。このような場合には、上記実施の形態において説
明した上部前駆磁性層１１６Ａの厚みと第２の磁極先端
部１６Ａの形成精度との関係と同様の理由により、下部
前駆磁性層１１０の厚みを薄くすることにより下部磁性
層１０Ｂ等を高精度に形成することができる。
【００９４】また、本実施の形態では、下部磁性層１０
Ａの形成材料としてパーマロイを用いるようにしたが、
必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、窒化鉄
やアモルファス合金（例えばコバルト鉄合金）を用いる
ようにしてもよいし、鉄、ニッケルおよびコバルトを含
む合金（例えば鉄ニッケルコバルト合金）を用いるよう
にしてもよい。なお、下部磁性層１０Ａの形成方法とし
ては、上記したフレームめっき法の他、例えば、下部磁
性層１０Ｂ等を形成した場合と同様に、エッチング処理
によるスパッタ膜のパターニングを用いるようにしても
よい。
Ａの形成材料としてパーマロイを用いるようにしたが、
必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、窒化鉄
やアモルファス合金（例えばコバルト鉄合金）を用いる
ようにしてもよいし、鉄、ニッケルおよびコバルトを含
む合金（例えば鉄ニッケルコバルト合金）を用いるよう
にしてもよい。なお、下部磁性層１０Ａの形成方法とし
ては、上記したフレームめっき法の他、例えば、下部磁
性層１０Ｂ等を形成した場合と同様に、エッチング処理
によるスパッタ膜のパターニングを用いるようにしても
よい。
【００９５】また、本実施の形態では、下部磁性層１０
Ｂおよび下部接続部１０Ｃの形成材料として、窒化鉄や
アモルファス合金を用いるようにしたが、必ずしもこれ
に限られるものではなく、例えば、パーマロイを用いる
ようにしてもよいし、鉄、ニッケルおよびコバルトを含
む合金（例えば鉄ニッケルコバルト合金）を用いるよう
にしてもよい。なお、下部磁性層１０Ｂおよび下部接続
部１０Ｃの形成方法としては、上記したエッチング処理
によるスパッタ膜のパターニング他、例えば、フレーム
めっき法を用いるようにしてもよい。
Ｂおよび下部接続部１０Ｃの形成材料として、窒化鉄や
アモルファス合金を用いるようにしたが、必ずしもこれ
に限られるものではなく、例えば、パーマロイを用いる
ようにしてもよいし、鉄、ニッケルおよびコバルトを含
む合金（例えば鉄ニッケルコバルト合金）を用いるよう
にしてもよい。なお、下部磁性層１０Ｂおよび下部接続
部１０Ｃの形成方法としては、上記したエッチング処理
によるスパッタ膜のパターニング他、例えば、フレーム
めっき法を用いるようにしてもよい。
【００９６】また、本実施の形態では、基礎磁性層１１
６（第２の磁極先端部１６Ａ）の形成材料として窒化鉄
またはアモルファス合金（コバルト鉄合金等）を用いる
ようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、
例えば、パーマロイを用いるようにしてもよいし、鉄、
ニッケルおよびコバルトを含む磁性材料（例えば、鉄ニ
ッケルコバルト合金）を用いるようにしてもよい。ただ
し、基礎磁性層１１６の組成を適正に制御し、最終的に
形成される第２の磁極先端部１６Ａの内部における磁束
の伝播性を良好に確保しようとするならば、基礎磁性層
１１６の形成材料として窒化鉄やアモルファス合金を用
いるようにするのが好適である。なお、基礎磁性層１１
６の形成方法としては、必ずしもスパッタリングおよび
エッチング処理を用いる必要はなく、例えば、フレーム
めっき法を用いるようにしてもよい。
６（第２の磁極先端部１６Ａ）の形成材料として窒化鉄
またはアモルファス合金（コバルト鉄合金等）を用いる
ようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、
例えば、パーマロイを用いるようにしてもよいし、鉄、
ニッケルおよびコバルトを含む磁性材料（例えば、鉄ニ
ッケルコバルト合金）を用いるようにしてもよい。ただ
し、基礎磁性層１１６の組成を適正に制御し、最終的に
形成される第２の磁極先端部１６Ａの内部における磁束
の伝播性を良好に確保しようとするならば、基礎磁性層
１１６の形成材料として窒化鉄やアモルファス合金を用
いるようにするのが好適である。なお、基礎磁性層１１
６の形成方法としては、必ずしもスパッタリングおよび
エッチング処理を用いる必要はなく、例えば、フレーム
めっき法を用いるようにしてもよい。
【００９７】また、本実施の形態では、上部磁性層１６
Ｃの形成材料として鉄ニッケルコバルト合金を用いるよ
うにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例
えば、パーマロイ、窒化鉄またはアモルファス合金（例
えばコバルト鉄合金）のいずれかを用いるようにしても
よい。ただし、上部前駆磁性層１１６Ａのパターニング
時においてマスクとして機能する上部磁性層１６Ｃの膜
減り量を抑制するならば、上記実施の形態において説明
したように、上部磁性層１６Ｃの形成材料として鉄ニッ
ケルコバルト合金を用いるようにするのが好適である。
なお、上部磁性層１６Ｃの形成方法としては、上記した
フレームめっき法の他、例えば、下部磁性層１０Ｂ等を
形成した場合と同様に、エッチング処理によるスパッタ
膜のパターニングを用いるようにしてもよい。もちろ
ん、フレームめっき法を用いる場合においても、上部前
駆磁性層１１６Ａの後端部の幅方向に延びる端縁１１６
ＡＴが直線状をなすようにする。
Ｃの形成材料として鉄ニッケルコバルト合金を用いるよ
うにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例
えば、パーマロイ、窒化鉄またはアモルファス合金（例
えばコバルト鉄合金）のいずれかを用いるようにしても
よい。ただし、上部前駆磁性層１１６Ａのパターニング
時においてマスクとして機能する上部磁性層１６Ｃの膜
減り量を抑制するならば、上記実施の形態において説明
したように、上部磁性層１６Ｃの形成材料として鉄ニッ
ケルコバルト合金を用いるようにするのが好適である。
なお、上部磁性層１６Ｃの形成方法としては、上記した
フレームめっき法の他、例えば、下部磁性層１０Ｂ等を
形成した場合と同様に、エッチング処理によるスパッタ
膜のパターニングを用いるようにしてもよい。もちろ
ん、フレームめっき法を用いる場合においても、上部前
駆磁性層１１６Ａの後端部の幅方向に延びる端縁１１６
ＡＴが直線状をなすようにする。
【００９８】また、本実施の形態では、基礎磁性層１１
６（第２の磁極先端部１６Ａ）および上部磁性層１６Ｃ
の形成材料として、共に高飽和磁束密度を有する磁性材
料を用いるようにしている。ここで、上記のそれぞれの
部位を形成するために用いる磁性材料の飽和磁束密度は
自由に設定することが可能である。具体的には、例え
ば、それぞれの部位の形成材料として、互いに等しい飽
和磁束密度を有する２種類の磁性材料を用いるようにし
てもよいし、または互いに異なる飽和磁束密度を有する
２種類の磁性材料を用いるようにしてもよい。いずれの
場合においても、上記実施の形態の場合とほぼ同様の効
果を得ることができる。ただし、互いに異なる飽和磁束
密度を有する磁性材料を用いる場合には、例えば、以下
のような理由により、基礎磁性層１１６を構成する磁性
材料の飽和磁束密度が、上部磁性層１６Ｃを構成する磁
性材料の飽和磁束密度よりも大きくなるようにするのが
好ましい。すなわち、一般に、薄膜磁気ヘッドの動作
（例えば情報の記録等）は、主に、第２の磁極先端部１
６Ａおよび上部磁性層１６Ｃにおける第１の磁極先端部
１６Ｃ(1) のうち、記録ギャップ層１５に近い第２の磁
極先端部１６Ａの内部を伝播する磁束の作用により実行
されることとなる。このため、互いに異なる飽和磁束密
度を有する２種類の磁性材料を用いる場合には、記録媒
体の記録トラック幅を規定する一定幅部分（第２の磁極
先端部１６Ａ，第１の磁極先端部１６Ｃ(1) ）におい
て、上層領域としての第１の磁極先端部１６Ｃ(1) より
も下層領域としての第２の磁極先端部１６Ａにおいて飽
和磁束密度が大きくなるように磁束の分布状態（以下、
「磁束密度プロファイル」ともいう。）を構築するのが
好ましい。ただし、これに限定されるものではなく、異
なる飽和磁束密度を有する２種類の磁性材料を選択的に
用いて２層構造よりなる一定幅部分を構成するようにす
ることにより、この一定幅部分の磁束密度プロファイル
を自由に調整することが可能となる。
６（第２の磁極先端部１６Ａ）および上部磁性層１６Ｃ
の形成材料として、共に高飽和磁束密度を有する磁性材
料を用いるようにしている。ここで、上記のそれぞれの
部位を形成するために用いる磁性材料の飽和磁束密度は
自由に設定することが可能である。具体的には、例え
ば、それぞれの部位の形成材料として、互いに等しい飽
和磁束密度を有する２種類の磁性材料を用いるようにし
てもよいし、または互いに異なる飽和磁束密度を有する
２種類の磁性材料を用いるようにしてもよい。いずれの
場合においても、上記実施の形態の場合とほぼ同様の効
果を得ることができる。ただし、互いに異なる飽和磁束
密度を有する磁性材料を用いる場合には、例えば、以下
のような理由により、基礎磁性層１１６を構成する磁性
材料の飽和磁束密度が、上部磁性層１６Ｃを構成する磁
性材料の飽和磁束密度よりも大きくなるようにするのが
好ましい。すなわち、一般に、薄膜磁気ヘッドの動作
（例えば情報の記録等）は、主に、第２の磁極先端部１
６Ａおよび上部磁性層１６Ｃにおける第１の磁極先端部
１６Ｃ(1) のうち、記録ギャップ層１５に近い第２の磁
極先端部１６Ａの内部を伝播する磁束の作用により実行
されることとなる。このため、互いに異なる飽和磁束密
度を有する２種類の磁性材料を用いる場合には、記録媒
体の記録トラック幅を規定する一定幅部分（第２の磁極
先端部１６Ａ，第１の磁極先端部１６Ｃ(1) ）におい
て、上層領域としての第１の磁極先端部１６Ｃ(1) より
も下層領域としての第２の磁極先端部１６Ａにおいて飽
和磁束密度が大きくなるように磁束の分布状態（以下、
「磁束密度プロファイル」ともいう。）を構築するのが
好ましい。ただし、これに限定されるものではなく、異
なる飽和磁束密度を有する２種類の磁性材料を選択的に
用いて２層構造よりなる一定幅部分を構成するようにす
ることにより、この一定幅部分の磁束密度プロファイル
を自由に調整することが可能となる。
【００９９】また、本実施の形態では、下部シールド層
４および上部シールド層８の形成方法として電解めっき
法を用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるもの
ではない。例えば、双方またはいずれか一方の部位の形
成方法として、下部磁性層１０Ｂ等を形成する場合と同
様の手法、すなわちスパッタリングおよびエッチング処
理を用いるようにしてもよい。このような場合における
上記の各部位の形成材料としては、上記したパーマロイ
の他、窒化鉄やアモルファス合金（例えばコバルト鉄合
金）等を用いるようにしてもよい。下部磁性層１０Ｂ等
の場合と同様の手法を用いることにより、上記の各部位
を高精度かつ短時間で形成することができ、この点でも
薄膜磁気ヘッド全体の製造時間の短縮に寄与することと
なる。
４および上部シールド層８の形成方法として電解めっき
法を用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるもの
ではない。例えば、双方またはいずれか一方の部位の形
成方法として、下部磁性層１０Ｂ等を形成する場合と同
様の手法、すなわちスパッタリングおよびエッチング処
理を用いるようにしてもよい。このような場合における
上記の各部位の形成材料としては、上記したパーマロイ
の他、窒化鉄やアモルファス合金（例えばコバルト鉄合
金）等を用いるようにしてもよい。下部磁性層１０Ｂ等
の場合と同様の手法を用いることにより、上記の各部位
を高精度かつ短時間で形成することができ、この点でも
薄膜磁気ヘッド全体の製造時間の短縮に寄与することと
なる。
【０１００】また、本実施の形態では、絶縁膜１３の形
成材料としてフォトレジストを用いるようにしたが、必
ずしもこれに限られるものではなく、例えば、フォトレ
ジストと同様に加熱時に流動性を示すポリイミド樹脂や
ＳＯＧ（Spin on glass ）などを用いるようにしてもよ
い。このような場合においても、上記実施の形態の場合
と同様の効果を得ることができる。
成材料としてフォトレジストを用いるようにしたが、必
ずしもこれに限られるものではなく、例えば、フォトレ
ジストと同様に加熱時に流動性を示すポリイミド樹脂や
ＳＯＧ（Spin on glass ）などを用いるようにしてもよ
い。このような場合においても、上記実施の形態の場合
と同様の効果を得ることができる。
【０１０１】また、本実施の形態では、加熱処理により
流動したフォトレジストを薄膜コイル１２の各巻線間に
埋め込むことにより絶縁膜１３を形成するようにした
が、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、Ｃ
ＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を用いてアルミ
ナよりなる絶縁膜１３を形成するようにしてもよい。Ｃ
ＶＤ法を用いることにより、加熱処理等を必要とせずに
薄膜コイル１４の各巻線間にアルミナを埋め込むことが
できる。なお、ＣＶＤ法を用いてアルミナよりなる絶縁
膜１３を形成する場合には、後工程において形成される
絶縁膜１４を絶縁膜１３が兼ねるようにしてもよい。こ
のような場合には、絶縁膜１３，１４を別個に形成する
場合よりも製造工程を削減することができる。
流動したフォトレジストを薄膜コイル１２の各巻線間に
埋め込むことにより絶縁膜１３を形成するようにした
が、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、Ｃ
ＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を用いてアルミ
ナよりなる絶縁膜１３を形成するようにしてもよい。Ｃ
ＶＤ法を用いることにより、加熱処理等を必要とせずに
薄膜コイル１４の各巻線間にアルミナを埋め込むことが
できる。なお、ＣＶＤ法を用いてアルミナよりなる絶縁
膜１３を形成する場合には、後工程において形成される
絶縁膜１４を絶縁膜１３が兼ねるようにしてもよい。こ
のような場合には、絶縁膜１３，１４を別個に形成する
場合よりも製造工程を削減することができる。
【０１０２】また、本実施の形態では、記録ギャップ層
１５の形成材料としてアルミナを用い、またその形成手
法としてスパッタリングを用いるようにしたが、必ずし
もこれに限られるものではない。記録ギャップ層１１の
形成材料としては、アルミナの他、例えば窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）、シリコン酸化物、シリコン窒化物など
の無機絶縁材料を用いるようにしてもよいし、またはタ
ンタル（ＴＡ），チタンタングステン（ＷＴｉ），窒化
チタン（ＴｉＮ）などの非磁性金属を用いるようにして
もよい。また、記録ギャップ層１５の形成方法として
は、スパッタリングの他、ＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition ）法を用いるようにしてもよい。このような方
法を用いて記録ギャップ層１５を形成することにより、
ギャップ層内にピンホールなどが含有されることを抑制
できるので、記録ギャップ層１５を介する磁束の漏れを
回避することができる。このような効果は、特に、記録
ギャップ層１５の厚みを薄くした場合に有益である。
１５の形成材料としてアルミナを用い、またその形成手
法としてスパッタリングを用いるようにしたが、必ずし
もこれに限られるものではない。記録ギャップ層１１の
形成材料としては、アルミナの他、例えば窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）、シリコン酸化物、シリコン窒化物など
の無機絶縁材料を用いるようにしてもよいし、またはタ
ンタル（ＴＡ），チタンタングステン（ＷＴｉ），窒化
チタン（ＴｉＮ）などの非磁性金属を用いるようにして
もよい。また、記録ギャップ層１５の形成方法として
は、スパッタリングの他、ＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition ）法を用いるようにしてもよい。このような方
法を用いて記録ギャップ層１５を形成することにより、
ギャップ層内にピンホールなどが含有されることを抑制
できるので、記録ギャップ層１５を介する磁束の漏れを
回避することができる。このような効果は、特に、記録
ギャップ層１５の厚みを薄くした場合に有益である。
【０１０３】また、本実施の形態では、薄膜コイル１２
の内側の終端部にコイル接続部１２Ｓを配設するように
したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例え
ば、薄膜コイル１２の外側の終端部にコイル接続部１２
Ｓを配設するようにしてもよい。このような場合におい
ても、コイル接続部１２Ｓと接続されるようにコイル接
続配線１６ＣＨを配設することにより、上記実施の形態
の場合とほぼ同様の効果を得ることができる。
の内側の終端部にコイル接続部１２Ｓを配設するように
したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例え
ば、薄膜コイル１２の外側の終端部にコイル接続部１２
Ｓを配設するようにしてもよい。このような場合におい
ても、コイル接続部１２Ｓと接続されるようにコイル接
続配線１６ＣＨを配設することにより、上記実施の形態
の場合とほぼ同様の効果を得ることができる。
【０１０４】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態について説明する。
の実施の形態について説明する。
【０１０５】まず、図１９〜図２５を参照して、本発明
の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と
しての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。図
１９〜図２２において、（Ａ）はエアベアリング面に垂
直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面
に平行な断面を示している。図２３〜図２５は、主要な
製造工程に対応する斜視図である。ここで、図２３は図
１９に示した状態に対応し、図２４は図２０に示した状
態に対応し、図２５は図２１に示した状態に対応する。
ただし、図２３では図１９におけるフォトレジスト膜９
１の図示を省略し、図２４では図２０における第３の前
駆絶縁層２４Ｐの図示を省略し、図２５では図２１にお
けるオーバーコート層２８の図示を省略している。な
お、図１９〜図２５において、各図中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方
向に関する表記は、上記第１の実施の形態の場合と同様
とし、また各図中の上記第１の実施の形態における構成
要素と同一部分には同一の符号を付すものとする。
の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と
しての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。図
１９〜図２２において、（Ａ）はエアベアリング面に垂
直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面
に平行な断面を示している。図２３〜図２５は、主要な
製造工程に対応する斜視図である。ここで、図２３は図
１９に示した状態に対応し、図２４は図２０に示した状
態に対応し、図２５は図２１に示した状態に対応する。
ただし、図２３では図１９におけるフォトレジスト膜９
１の図示を省略し、図２４では図２０における第３の前
駆絶縁層２４Ｐの図示を省略し、図２５では図２１にお
けるオーバーコート層２８の図示を省略している。な
お、図１９〜図２５において、各図中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方
向に関する表記は、上記第１の実施の形態の場合と同様
とし、また各図中の上記第１の実施の形態における構成
要素と同一部分には同一の符号を付すものとする。
【０１０６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図１９における絶縁膜１７を形成すると
ころまでの工程は、上記第１の実施の形態における図５
に示した同工程までと同様であるので、その説明を省略
する。
方法において、図１９における絶縁膜１７を形成すると
ころまでの工程は、上記第１の実施の形態における図５
に示した同工程までと同様であるので、その説明を省略
する。
【０１０７】本実施の形態では、絶縁膜１７を形成した
のち、図１９および図２３に示したように、上部前駆磁
性層１１６Ａ上から絶縁膜１７上にかけての領域に、例
えばフレームめっき法により、鉄、ニッケルおよびコバ
ルトを含んで高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えば
鉄ニッケルコバルト合金（例えば、Ｃｏ：４５重量％，
Ｎｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％の組成を有するも
の）よりなる上部磁性層２６Ｃを約１．０μｍ〜２．０
μｍの厚みで選択的に形成する。上部磁性層２６Ｃを形
成する際には、同時に、磁路接続部１６Ｂ上に磁路接続
部２６Ｄを選択的に形成する。上部磁性層２６Ｃおよび
磁路接続部２６Ｄは、共に上部磁極２６の一部を構成す
るものである。なお、上部磁性層２６Ｃ等の形成材料と
しては、上記した３つの金属元素と共に、クロム（Ｃ
ｒ）、ボロン（Ｂ）、金（Ａｕ）および銅（Ｃｕ）のう
ちの少なくとも１種を含むものを用いるようにしてもよ
い。
のち、図１９および図２３に示したように、上部前駆磁
性層１１６Ａ上から絶縁膜１７上にかけての領域に、例
えばフレームめっき法により、鉄、ニッケルおよびコバ
ルトを含んで高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えば
鉄ニッケルコバルト合金（例えば、Ｃｏ：４５重量％，
Ｎｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％の組成を有するも
の）よりなる上部磁性層２６Ｃを約１．０μｍ〜２．０
μｍの厚みで選択的に形成する。上部磁性層２６Ｃを形
成する際には、同時に、磁路接続部１６Ｂ上に磁路接続
部２６Ｄを選択的に形成する。上部磁性層２６Ｃおよび
磁路接続部２６Ｄは、共に上部磁極２６の一部を構成す
るものである。なお、上部磁性層２６Ｃ等の形成材料と
しては、上記した３つの金属元素と共に、クロム（Ｃ
ｒ）、ボロン（Ｂ）、金（Ａｕ）および銅（Ｃｕ）のう
ちの少なくとも１種を含むものを用いるようにしてもよ
い。
【０１０８】上部磁性層２６Ｃを形成する際には、例え
ば、後述する図２６に示したような平面形状を有するよ
うにし、後工程においてエアベアリング面７０となる側
（図１９における左側）から順に、第１の磁極先端部２
６Ｃ(1) 、中間部２６Ｃ(2)および後端部２６Ｃ(3) を
含むようにする。また、第１の磁極先端部２６Ｃ(1)と
中間部２６Ｃ(2) との連結位置Ｐ２（第２の位置）が上
部前駆磁性層１１６Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）
より後退するようにすると共に、後端部２６Ｃ(3) の後
端の位置Ｐ３（第３の位置）が薄膜コイル１２よりも前
方に位置するようにする。なお、上部磁性層２６Ｃの構
造的特徴については後述する。ここで、第１の磁極先端
部２６Ｃ(1) が、本発明における「一定幅部分」の一具
体例に対応し、中間部２６Ｃ(2) および後端部２６Ｃ
(3) を合わせた部分が、本発明における「拡幅部分」の
一具体例に対応する。また、上部磁性層２６Ｃが、本発
明における「第１の磁性層部分」の一具体例に対応す
る。
ば、後述する図２６に示したような平面形状を有するよ
うにし、後工程においてエアベアリング面７０となる側
（図１９における左側）から順に、第１の磁極先端部２
６Ｃ(1) 、中間部２６Ｃ(2)および後端部２６Ｃ(3) を
含むようにする。また、第１の磁極先端部２６Ｃ(1)と
中間部２６Ｃ(2) との連結位置Ｐ２（第２の位置）が上
部前駆磁性層１１６Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）
より後退するようにすると共に、後端部２６Ｃ(3) の後
端の位置Ｐ３（第３の位置）が薄膜コイル１２よりも前
方に位置するようにする。なお、上部磁性層２６Ｃの構
造的特徴については後述する。ここで、第１の磁極先端
部２６Ｃ(1) が、本発明における「一定幅部分」の一具
体例に対応し、中間部２６Ｃ(2) および後端部２６Ｃ
(3) を合わせた部分が、本発明における「拡幅部分」の
一具体例に対応する。また、上部磁性層２６Ｃが、本発
明における「第１の磁性層部分」の一具体例に対応す
る。
【０１０９】次に、図１９に示したように、例えば、上
部前駆磁性層１１６Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）
よりも後方の領域を覆うようにフォトレジスト膜９１を
選択的に形成する。このフォトレジスト膜９１の存在に
より、後工程における第２の磁極先端部１６Ａおよび磁
極部分２００等を形成するためのエッチング処理時にお
いて、絶縁膜１７がエッチングされることを防止するこ
とができる。
部前駆磁性層１１６Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）
よりも後方の領域を覆うようにフォトレジスト膜９１を
選択的に形成する。このフォトレジスト膜９１の存在に
より、後工程における第２の磁極先端部１６Ａおよび磁
極部分２００等を形成するためのエッチング処理時にお
いて、絶縁膜１７がエッチングされることを防止するこ
とができる。
【０１１０】次に、上部磁性層２６Ｃおよびフォトレジ
スト膜９１をマスクとして、例えばＲＩＥにより、全体
にエッチング処理を施す。ＲＩＥによるエッチング処理
を行う際には、例えば、上記第１の実施の形態において
第２の磁極先端部１６Ａおよび磁極部分１００を形成し
た場合と同様に、エッチング条件（エッチングガスのガ
ス種および加工温度等）を調整するようにする。このエ
ッチング処理により、第１の磁極先端部２６Ｃ(1) と中
間部２６Ｃ(2) との連結位置Ｐ２よりも前方の領域にお
ける上部前駆磁性層１１６Ａ、絶縁膜１７、記録ギャッ
プ層１５および下部磁性層１０Ｂのそれぞれの一部が除
去され、図２０および図２４に示したように、上部磁極
２６の一部を構成する第２の磁極先端部１６Ａが形成さ
れると共に、トリム構造を有する磁極部分２００が形成
される。第２の磁極先端部１６Ａ等を形成するためのエ
ッチング処理を行う際には、例えば、上部磁性層２６Ｃ
に対するエッチング量が周辺領域に対するエッチング量
よりも極めて小さくなるようにエッチング条件を調整
し、上部磁性層２６Ｃの膜厚が減少しないようにする。
スト膜９１をマスクとして、例えばＲＩＥにより、全体
にエッチング処理を施す。ＲＩＥによるエッチング処理
を行う際には、例えば、上記第１の実施の形態において
第２の磁極先端部１６Ａおよび磁極部分１００を形成し
た場合と同様に、エッチング条件（エッチングガスのガ
ス種および加工温度等）を調整するようにする。このエ
ッチング処理により、第１の磁極先端部２６Ｃ(1) と中
間部２６Ｃ(2) との連結位置Ｐ２よりも前方の領域にお
ける上部前駆磁性層１１６Ａ、絶縁膜１７、記録ギャッ
プ層１５および下部磁性層１０Ｂのそれぞれの一部が除
去され、図２０および図２４に示したように、上部磁極
２６の一部を構成する第２の磁極先端部１６Ａが形成さ
れると共に、トリム構造を有する磁極部分２００が形成
される。第２の磁極先端部１６Ａ等を形成するためのエ
ッチング処理を行う際には、例えば、上部磁性層２６Ｃ
に対するエッチング量が周辺領域に対するエッチング量
よりも極めて小さくなるようにエッチング条件を調整
し、上部磁性層２６Ｃの膜厚が減少しないようにする。
【０１１１】次に、フォトレジスト膜９１を除去したの
ち、図２０に示したように、薄膜コイル１２の上方にお
ける平坦化された絶縁膜１７上に、例えば電解めっき法
により、例えば銅よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜
コイル２２を約０．８μｍ〜１．５μｍの厚みで選択的
に形成する。このとき、同時に、例えば、薄膜コイル２
２の内側の終端部をなすコイル接続部２２Ｓをコイル接
続部１６Ｓ上および外側の終端部をなす端子２２Ｘ（図
２０では図示せず。図２６参照）をそれぞれ薄膜コイル
２２と一体に形成する。薄膜コイル１２と薄膜コイル２
２とは、開口部１４Ｋを通じてコイル接続部１６Ｓを介
して接続される。薄膜コイル２２を形成する際には、例
えば、後述する図２６に示したような巻線構造を有する
ようにする。ここで、薄膜コイル２２が、本発明におけ
る「第２の薄膜コイル」の一具体例に対応し、薄膜コイ
ル１２，２２が、本発明における「薄膜コイル」の一具
体例に対応する。
ち、図２０に示したように、薄膜コイル１２の上方にお
ける平坦化された絶縁膜１７上に、例えば電解めっき法
により、例えば銅よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜
コイル２２を約０．８μｍ〜１．５μｍの厚みで選択的
に形成する。このとき、同時に、例えば、薄膜コイル２
２の内側の終端部をなすコイル接続部２２Ｓをコイル接
続部１６Ｓ上および外側の終端部をなす端子２２Ｘ（図
２０では図示せず。図２６参照）をそれぞれ薄膜コイル
２２と一体に形成する。薄膜コイル１２と薄膜コイル２
２とは、開口部１４Ｋを通じてコイル接続部１６Ｓを介
して接続される。薄膜コイル２２を形成する際には、例
えば、後述する図２６に示したような巻線構造を有する
ようにする。ここで、薄膜コイル２２が、本発明におけ
る「第２の薄膜コイル」の一具体例に対応し、薄膜コイ
ル１２，２２が、本発明における「薄膜コイル」の一具
体例に対応する。
【０１１２】次に、図２０に示したように、薄膜コイル
２２等の各巻線間を絶縁化するための絶縁膜２３を形成
する。絶縁膜２３の形成材料、形成方法および構造的特
徴等は、上記第１の実施の形態において絶縁膜１３を形
成した場合とほぼ同様である。
２２等の各巻線間を絶縁化するための絶縁膜２３を形成
する。絶縁膜２３の形成材料、形成方法および構造的特
徴等は、上記第１の実施の形態において絶縁膜１３を形
成した場合とほぼ同様である。
【０１１３】次に、図２０に示したように、全体を覆う
ように、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナ
よりなる第３の前駆絶縁層２４Ｐを約３．０μｍ〜４．
０μｍの厚みで形成して、上部磁性層２６Ｃ、磁路接続
部２６Ｄ、薄膜コイル２２およびコイル接続部２２Ｓ等
によって構成された凹凸構造領域を埋設する。
ように、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナ
よりなる第３の前駆絶縁層２４Ｐを約３．０μｍ〜４．
０μｍの厚みで形成して、上部磁性層２６Ｃ、磁路接続
部２６Ｄ、薄膜コイル２２およびコイル接続部２２Ｓ等
によって構成された凹凸構造領域を埋設する。
【０１１４】次に、例えばＣＭＰ法により、第３の前駆
絶縁層２４Ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研
磨処理により、図２１に示したように、薄膜コイル２２
等を埋設する絶縁膜２４が形成される。このときの研磨
処理は、少なくとも上部磁性層２６Ｃおよび磁路接続部
２６Ｄが露出するまで行う。ここで、絶縁膜２４が、本
発明における「第３の絶縁層部分」の一具体例に対応
し、記録ギャップ層１５における第２の磁極先端部１６
Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）よりも後方の部分お
よび絶縁膜１１，１３，１４，１７，２３，２４を合わ
せた部分が、本発明における「絶縁層」の一具体例に対
応する。
絶縁層２４Ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研
磨処理により、図２１に示したように、薄膜コイル２２
等を埋設する絶縁膜２４が形成される。このときの研磨
処理は、少なくとも上部磁性層２６Ｃおよび磁路接続部
２６Ｄが露出するまで行う。ここで、絶縁膜２４が、本
発明における「第３の絶縁層部分」の一具体例に対応
し、記録ギャップ層１５における第２の磁極先端部１６
Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）よりも後方の部分お
よび絶縁膜１１，１３，１４，１７，２３，２４を合わ
せた部分が、本発明における「絶縁層」の一具体例に対
応する。
【０１１５】次に、図２１に示したように、上部磁性層
２６Ｃ上から磁路接続部２６Ｄ上にかけての平坦領域
に、上部磁極２６の一部を構成する上部ヨーク２６Ｅを
約２．０μｍ〜３．０μｍの厚みで選択的に形成する。
上部ヨーク２６Ｅの形成材料および形成方法は、例え
ば、上記第１の実施の形態における上部磁性層１６Ｃの
場合とほぼ同様である。上部ヨーク２６Ｅを形成する際
には、例えば、後述する図２６に示したような平面形状
を有するようにする。上部ヨーク２６Ｅは、開口部１５
Ｋを通じて、磁路接続部２６Ｄ，１６Ｂおよび下部接続
部１０Ｃを介して下部磁性層１０Ａと磁気的に連結され
ると共に、上部磁性層２６Ｃを介して第２の磁極先端部
１６Ａとも磁気的に連結される。すなわち、上部磁極２
６（第２の磁極先端部１６Ａ，磁路接続部１６Ｂ，２６
Ｄ，上部磁性層２６Ｃ，上部ヨーク２６Ｅ）と下部磁極
１０（下部磁性層１０Ａ，１０Ｂ，下部接続部１０Ｃ）
とが接続されることにより磁路が形成される。上部ヨー
ク２６Ｅの構造的特徴については、後述する。ここで、
第２の磁極先端部１６Ａ，磁路接続部１６Ｂ，２６Ｄ，
上部磁性層２６Ｃおよび上部ヨーク２６Ｅによって構成
される上部磁極２６が、本発明における「第１の磁性
層」の一具体例に対応する。
２６Ｃ上から磁路接続部２６Ｄ上にかけての平坦領域
に、上部磁極２６の一部を構成する上部ヨーク２６Ｅを
約２．０μｍ〜３．０μｍの厚みで選択的に形成する。
上部ヨーク２６Ｅの形成材料および形成方法は、例え
ば、上記第１の実施の形態における上部磁性層１６Ｃの
場合とほぼ同様である。上部ヨーク２６Ｅを形成する際
には、例えば、後述する図２６に示したような平面形状
を有するようにする。上部ヨーク２６Ｅは、開口部１５
Ｋを通じて、磁路接続部２６Ｄ，１６Ｂおよび下部接続
部１０Ｃを介して下部磁性層１０Ａと磁気的に連結され
ると共に、上部磁性層２６Ｃを介して第２の磁極先端部
１６Ａとも磁気的に連結される。すなわち、上部磁極２
６（第２の磁極先端部１６Ａ，磁路接続部１６Ｂ，２６
Ｄ，上部磁性層２６Ｃ，上部ヨーク２６Ｅ）と下部磁極
１０（下部磁性層１０Ａ，１０Ｂ，下部接続部１０Ｃ）
とが接続されることにより磁路が形成される。上部ヨー
ク２６Ｅの構造的特徴については、後述する。ここで、
第２の磁極先端部１６Ａ，磁路接続部１６Ｂ，２６Ｄ，
上部磁性層２６Ｃおよび上部ヨーク２６Ｅによって構成
される上部磁極２６が、本発明における「第１の磁性
層」の一具体例に対応する。
【０１１６】次に、図２２に示したように、全体を覆う
ように、絶縁材料、例えばアルミナなどの無機絶縁材料
よりなるオーバーコート層２８を約２０μｍ〜４０μｍ
の厚みで形成する。このときの上部ヨーク２６Ｅ周辺の
構造は、図２５に示したようになる。
ように、絶縁材料、例えばアルミナなどの無機絶縁材料
よりなるオーバーコート層２８を約２０μｍ〜４０μｍ
の厚みで形成する。このときの上部ヨーク２６Ｅ周辺の
構造は、図２５に示したようになる。
【０１１７】最後に、図２２に示したように、機械加工
や研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベ
アリング面７０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。
や研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベ
アリング面７０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。
【０１１８】図２６は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。図２６において、上記第
１の実施の形態における図１４に示した構成要素と同一
部分には同一の符号を付すものとする。なお、図２６で
は、絶縁膜１１，１３，１４，２３，２４およびオーバ
ーコート層２８等の図示を省略している。また、薄膜コ
イル２２については、その最外周の一部のみを図示して
いる。図２２（Ａ）は、図２６におけるXXIIA−XXIIA線
に沿った矢視断面に相当する。なお、図２６中のＸ，
Ｙ，Ｚ軸方向に関するそれぞれの表記については、図１
９〜図２５の場合と同様とする。
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。図２６において、上記第
１の実施の形態における図１４に示した構成要素と同一
部分には同一の符号を付すものとする。なお、図２６で
は、絶縁膜１１，１３，１４，２３，２４およびオーバ
ーコート層２８等の図示を省略している。また、薄膜コ
イル２２については、その最外周の一部のみを図示して
いる。図２２（Ａ）は、図２６におけるXXIIA−XXIIA線
に沿った矢視断面に相当する。なお、図２６中のＸ，
Ｙ，Ｚ軸方向に関するそれぞれの表記については、図１
９〜図２５の場合と同様とする。
【０１１９】上部磁極２６は、上記したように、例え
ば、それぞれ別個に形成された第２の磁極先端部１６
Ａ，磁路接続部１６Ｂ，２６Ｄ、上部磁性層２６Ｃおよ
び上部ヨーク２６Ｅによって構成されている。
ば、それぞれ別個に形成された第２の磁極先端部１６
Ａ，磁路接続部１６Ｂ，２６Ｄ、上部磁性層２６Ｃおよ
び上部ヨーク２６Ｅによって構成されている。
【０１２０】上部磁性層２６Ｃは、エアベアリング面７
０から順に、第１の磁極先端部２６Ｃ(1) 、中間部２６
Ｃ(2) および後端部２６Ｃ(3) を含んでいる。これらの
各部位は、例えば、上記第１の実施の形態における上部
磁性層１６Ｃのうちの対応する各部位（例えば、第１の
磁極先端部２６Ｃ(1) に対する第１の磁極先端部１６Ｃ
(1) ）とほぼ同様の構造的特徴を有するものである。
０から順に、第１の磁極先端部２６Ｃ(1) 、中間部２６
Ｃ(2) および後端部２６Ｃ(3) を含んでいる。これらの
各部位は、例えば、上記第１の実施の形態における上部
磁性層１６Ｃのうちの対応する各部位（例えば、第１の
磁極先端部２６Ｃ(1) に対する第１の磁極先端部１６Ｃ
(1) ）とほぼ同様の構造的特徴を有するものである。
【０１２１】上部ヨーク２６Ｅは、薄膜コイル１２，２
２により発生した磁束を収容するための大きな面積を有
するヨーク部２６Ｅ(1) と、ヨーク部２６Ｅ(1) の幅よ
りも小さい一定幅を有する接続部２６Ｅ(2) とを含んで
いる。ヨーク部２６Ｅ(1) は、上記第１の実施の形態に
おける上部磁性層１６Ｃのヨーク部１６Ｃ(4) とほぼ同
様の構造的特徴を有するものである。接続部２６Ｅ(2)
の幅は、例えば、上部磁性層２６Ｃの後端部２６Ｃ(3)
の幅よりも大きくなっている。ただし、必ずしもこのよ
うな場合に限らず、例えば、前者の幅が後者の幅よりも
小さくなるようにしてもよい。上部ヨーク２６Ｅの前側
の端縁面２６ＥＴの位置は、例えば、上部磁性層２６Ｃ
における中間部２６Ｃ(2) と後端部２６Ｃ(3) との連結
位置よりも後退している。すなわち、上部ヨーク２６Ｅ
は、エアベアリング面７０から離れて位置している。な
お、上部ヨーク２６Ｅの配設位置は、必ずしも上記のよ
うな場合に限らず、例えば、端縁面２６ＥＴの位置が中
間部２６Ｃ(2) と後端部２６Ｃ(3) との連結位置とほぼ
一致するようにしてもよい。上部ヨーク２６Ｅおよび上
部磁性層２６Ｃの各幅方向の中心は、互いに一致してい
る。
２により発生した磁束を収容するための大きな面積を有
するヨーク部２６Ｅ(1) と、ヨーク部２６Ｅ(1) の幅よ
りも小さい一定幅を有する接続部２６Ｅ(2) とを含んで
いる。ヨーク部２６Ｅ(1) は、上記第１の実施の形態に
おける上部磁性層１６Ｃのヨーク部１６Ｃ(4) とほぼ同
様の構造的特徴を有するものである。接続部２６Ｅ(2)
の幅は、例えば、上部磁性層２６Ｃの後端部２６Ｃ(3)
の幅よりも大きくなっている。ただし、必ずしもこのよ
うな場合に限らず、例えば、前者の幅が後者の幅よりも
小さくなるようにしてもよい。上部ヨーク２６Ｅの前側
の端縁面２６ＥＴの位置は、例えば、上部磁性層２６Ｃ
における中間部２６Ｃ(2) と後端部２６Ｃ(3) との連結
位置よりも後退している。すなわち、上部ヨーク２６Ｅ
は、エアベアリング面７０から離れて位置している。な
お、上部ヨーク２６Ｅの配設位置は、必ずしも上記のよ
うな場合に限らず、例えば、端縁面２６ＥＴの位置が中
間部２６Ｃ(2) と後端部２６Ｃ(3) との連結位置とほぼ
一致するようにしてもよい。上部ヨーク２６Ｅおよび上
部磁性層２６Ｃの各幅方向の中心は、互いに一致してい
る。
【０１２２】薄膜コイル１２における外側の終端部をな
す端子１２Ｘと薄膜コイル２２における外側の終端部を
なす端子２２Ｘとは、共に図示しない外部回路に接続さ
れており、この外部回路を通じて薄膜コイル１２，２２
を通電させることができるようになっている。
す端子１２Ｘと薄膜コイル２２における外側の終端部を
なす端子２２Ｘとは、共に図示しない外部回路に接続さ
れており、この外部回路を通じて薄膜コイル１２，２２
を通電させることができるようになっている。
【０１２３】なお、図２６に示した上記以外の配設物に
関する構造的特徴は、上記第１の実施の形態の場合（図
１４参照）と同様である。
関する構造的特徴は、上記第１の実施の形態の場合（図
１４参照）と同様である。
【０１２４】本実施の形態では、磁束発生用のコイルを
２層構造（薄膜コイル１２，２２）としたので、上記第
１の実施の形態における１層構造の場合よりもコイル長
が長くなる。これにより、磁束の発生量を増大させ、優
れたオーバーライト特性の確保に寄与することとなる。
２層構造（薄膜コイル１２，２２）としたので、上記第
１の実施の形態における１層構造の場合よりもコイル長
が長くなる。これにより、磁束の発生量を増大させ、優
れたオーバーライト特性の確保に寄与することとなる。
【０１２５】また、本実施の形態では、上部磁性層２６
Ｃを研磨後の平坦面上に形成するようにしたので、上記
第１の実施の形態において上部磁性層１６Ｃ等を平坦面
上に形成した場合と同様の作用により、上部磁性層２６
Ｃを高精度に形成することができる。なお、この上部磁
性層２６Ｃの形成精度に係る効果は、上部ヨーク２６Ｅ
を形成する場合においても同様である。
Ｃを研磨後の平坦面上に形成するようにしたので、上記
第１の実施の形態において上部磁性層１６Ｃ等を平坦面
上に形成した場合と同様の作用により、上部磁性層２６
Ｃを高精度に形成することができる。なお、この上部磁
性層２６Ｃの形成精度に係る効果は、上部ヨーク２６Ｅ
を形成する場合においても同様である。
【０１２６】なお、本実施の形態では、上部ヨーク（２
６Ｅ）が窒化鉄の単層構造からなる場合（図２２参照）
について説明したが、必ずしもこれに限られるものでは
なく、例えば図２７に示したように、上部ヨークが、例
えば窒化鉄などの高飽和磁束密度材層９１と、例えばア
ルミナなどの無機絶縁材層９２とが交互に積層された構
造よりなる（１２６Ｅ）ようにしてもよい。上部ヨーク
をこのような構造とすることにより、磁路における渦電
流の発生を防止し、高周波特性を向上させることができ
る。なお、上記の高飽和磁束密度材層９１および無機絶
縁材層９２の双方の形成もＲＩＥによって行うことによ
り、形成時間を短縮することができる。なお、図２７に
おいて、上部ヨーク１２６Ｅ以外の部分は、上記の図２
２の場合と同様である。
６Ｅ）が窒化鉄の単層構造からなる場合（図２２参照）
について説明したが、必ずしもこれに限られるものでは
なく、例えば図２７に示したように、上部ヨークが、例
えば窒化鉄などの高飽和磁束密度材層９１と、例えばア
ルミナなどの無機絶縁材層９２とが交互に積層された構
造よりなる（１２６Ｅ）ようにしてもよい。上部ヨーク
をこのような構造とすることにより、磁路における渦電
流の発生を防止し、高周波特性を向上させることができ
る。なお、上記の高飽和磁束密度材層９１および無機絶
縁材層９２の双方の形成もＲＩＥによって行うことによ
り、形成時間を短縮することができる。なお、図２７に
おいて、上部ヨーク１２６Ｅ以外の部分は、上記の図２
２の場合と同様である。
【０１２７】なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
またはその製造方法に関する上記以外の作用、効果およ
び変形例等は、上記第１の実施の形態の場合と同様であ
るので、その説明を省略する。
またはその製造方法に関する上記以外の作用、効果およ
び変形例等は、上記第１の実施の形態の場合と同様であ
るので、その説明を省略する。
【０１２８】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。
【０１２９】例えば、上記各実施の形態およびその変形
例では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明
したが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換素子を
有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼用の誘
導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用する
ことができる。また、本発明は、書き込み用の素子と読
み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気
ヘッドにも適用することができる。
例では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明
したが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換素子を
有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼用の誘
導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用する
ことができる。また、本発明は、書き込み用の素子と読
み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気
ヘッドにも適用することができる。
【０１３０】また、上記の各実施の形態で示した上部磁
極および下部磁極を構成する各磁性層部分（第２の磁極
先端部，上部磁性層，磁路接続部，上部ヨーク，下部磁
性層，下部接続部等）の平面形状は、必ずしも図１４お
よび図２６に示したものに限られるものではなく、各磁
性層部分の磁気ボリュームを適正化し、薄膜コイルで発
生した磁束を先端部の先端部分まで十分に供給し得る限
り、自由に変更することが可能である。
極および下部磁極を構成する各磁性層部分（第２の磁極
先端部，上部磁性層，磁路接続部，上部ヨーク，下部磁
性層，下部接続部等）の平面形状は、必ずしも図１４お
よび図２６に示したものに限られるものではなく、各磁
性層部分の磁気ボリュームを適正化し、薄膜コイルで発
生した磁束を先端部の先端部分まで十分に供給し得る限
り、自由に変更することが可能である。
【０１３１】また、上記各実施の形態では、１層または
２層のコイル構造を有する薄膜磁気ヘッドの構造につい
て説明したが、各実施の形態における薄膜コイルの層数
は自由に変更することが可能である。薄膜コイルの層数
を増加させることにより、磁束の発生量を増加させるこ
とができる。
２層のコイル構造を有する薄膜磁気ヘッドの構造につい
て説明したが、各実施の形態における薄膜コイルの層数
は自由に変更することが可能である。薄膜コイルの層数
を増加させることにより、磁束の発生量を増加させるこ
とができる。
【０１３２】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項１６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドまたは
請求項１７ないし請求項２８のいずれか１項に記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２の磁性層に設け
られた窪み領域に第１の薄膜コイルを配設するようにし
たので、第１の薄膜コイルを窪み領域に配設しない場合
とは異なり、第２の磁性層部分を高精度に形成しつつ、
第１の薄膜コイルの厚みを適正に確保することが可能と
なる。したがって、極微小な一定幅を有するように第２
の磁性層部分を形成することができると共に、優れたオ
ーバーライト特性を確保することができるという効果を
奏する。
求項１６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドまたは
請求項１７ないし請求項２８のいずれか１項に記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２の磁性層に設け
られた窪み領域に第１の薄膜コイルを配設するようにし
たので、第１の薄膜コイルを窪み領域に配設しない場合
とは異なり、第２の磁性層部分を高精度に形成しつつ、
第１の薄膜コイルの厚みを適正に確保することが可能と
なる。したがって、極微小な一定幅を有するように第２
の磁性層部分を形成することができると共に、優れたオ
ーバーライト特性を確保することができるという効果を
奏する。
【０１３３】特に、請求項４または請求項５に記載の薄
膜磁気ヘッドによれば、第２の磁性層部分と第２の絶縁
層部分との境界面が平面をなすようにしたので、上記の
境界面が平面をなしていない場合とは異なり、第２の絶
縁層部分における記録媒体対向面に近い側の位置、すな
わち記録ヘッドの性能を決定する要因のうちの一つであ
るスロートハイトゼロ位置を一義的に決定することがで
きるという効果を奏する。
膜磁気ヘッドによれば、第２の磁性層部分と第２の絶縁
層部分との境界面が平面をなすようにしたので、上記の
境界面が平面をなしていない場合とは異なり、第２の絶
縁層部分における記録媒体対向面に近い側の位置、すな
わち記録ヘッドの性能を決定する要因のうちの一つであ
るスロートハイトゼロ位置を一義的に決定することがで
きるという効果を奏する。
【０１３４】また、請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、窪み領域が、第１の磁性膜パターンの厚みの一部と
第２の磁性膜パターンの厚みとを利用して形成されるよ
うにしたので、第１の薄膜コイルを形成することとなる
下地の表面の位置は、窪み領域が第２の磁性膜パターン
の厚みのみを利用して形成される場合における下地の表
面の位置よりも低くなる。このような場合には、第１の
薄膜コイルの上方に、第１の薄膜コイルの厚みを増大さ
せるための空間領域が確保されるため、第１の薄膜コイ
ルの厚みをより大きくすることができるという効果を奏
する。
たは請求項２８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、窪み領域が、第１の磁性膜パターンの厚みの一部と
第２の磁性膜パターンの厚みとを利用して形成されるよ
うにしたので、第１の薄膜コイルを形成することとなる
下地の表面の位置は、窪み領域が第２の磁性膜パターン
の厚みのみを利用して形成される場合における下地の表
面の位置よりも低くなる。このような場合には、第１の
薄膜コイルの上方に、第１の薄膜コイルの厚みを増大さ
せるための空間領域が確保されるため、第１の薄膜コイ
ルの厚みをより大きくすることができるという効果を奏
する。
【０１３５】また、請求項１２または請求項１３に記載
の薄膜磁気ヘッドによれば、第２の磁性層部分を構成す
る磁性材料が、第１の磁性層部分を構成する磁性材料の
飽和磁束密度以上の飽和磁束密度を有するようにしたの
で、第１の磁性層部分内における磁束の伝播特性にばら
つきが生じたとしても、第２の磁性層部分において円滑
な磁束の伝播が確保される。したがって、この観点にお
いても優れたオーバーライト特性の確保に寄与すること
となる。
の薄膜磁気ヘッドによれば、第２の磁性層部分を構成す
る磁性材料が、第１の磁性層部分を構成する磁性材料の
飽和磁束密度以上の飽和磁束密度を有するようにしたの
で、第１の磁性層部分内における磁束の伝播特性にばら
つきが生じたとしても、第２の磁性層部分において円滑
な磁束の伝播が確保される。したがって、この観点にお
いても優れたオーバーライト特性の確保に寄与すること
となる。
【０１３６】また、請求項２４記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第２の磁性層部分の形成を行う第１
２の工程を反応性イオンエッチングを用いて行うように
したので、第２の磁性層部分を高精度かつ短時間で形成
することができるという効果を奏する。
製造方法によれば、第２の磁性層部分の形成を行う第１
２の工程を反応性イオンエッチングを用いて行うように
したので、第２の磁性層部分を高精度かつ短時間で形成
することができるという効果を奏する。
【０１３７】また、請求項２５記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、塩素を含むガス雰囲気中において、
第２の磁性層部分の形成を行う第１２の工程を第１２の
エッチング工程を行うようにしたので、第２の磁性層部
分をより高精度かつ短時間で形成することができるとい
う効果を奏する。
製造方法によれば、塩素を含むガス雰囲気中において、
第２の磁性層部分の形成を行う第１２の工程を第１２の
エッチング工程を行うようにしたので、第２の磁性層部
分をより高精度かつ短時間で形成することができるとい
う効果を奏する。
【０１３８】また、請求項２６記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、５０°Ｃないし３００°Ｃの範囲内
の温度下において、第２の磁性層部分の形成を行うよう
にしたので、第２の磁性層部分をより高精度かつ短時間
で形成することができるという効果を奏する。
製造方法によれば、５０°Ｃないし３００°Ｃの範囲内
の温度下において、第２の磁性層部分の形成を行うよう
にしたので、第２の磁性層部分をより高精度かつ短時間
で形成することができるという効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図９】図１に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１０】図２に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
る。
【図１１】図５に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
る。
【図１２】図７に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
る。
【図１３】図３に示した断面図に対応する平面図であ
る。
る。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構造を表す平面図である。
ッドの平面構造を表す平面図である。
【図１５】薄膜コイルの配設位置を変更した場合の薄膜
磁気ヘッドの断面構造を表す断面図である。
磁気ヘッドの断面構造を表す断面図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造に関する変形例を表す平面図である。
ッドの構造に関する変形例を表す平面図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する変形例における一工程を説明す
るための断面図である。
ッドの製造方法に関する変形例における一工程を説明す
るための断面図である。
【図１８】図１７に示した変形例としての薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの構造を
表す断面図である。
ドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの構造を
表す断面図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図２２】図２１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図２３】図１９に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
る。
【図２４】図２０に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
る。
【図２５】図２１に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
る。
【図２６】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構造を表す平面図である。
ッドの平面構造を表す平面図である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造に関する変形例を表す断面図である。
ッドの構造に関する変形例を表す断面図である。
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４，９，
１１，１３，１４，１７，２３…絶縁膜、５，７…シー
ルドギャップ膜、６…ＭＲ膜、８…上部シールド層、１
０…下部磁極、１０Ａ，１０Ｂ…下部磁性層、１０Ｃ…
下部接続部、１０Ｈ…窪み領域、１２，２２…薄膜コイ
ル、１２Ｓ，１６Ｓ…コイル接続部、１４Ｐ…第１の前
駆絶縁層、１５…記録ギャップ層、１６，２６…上部磁
極、１６Ａ…第２の磁極先端部、１６Ｂ，２６Ｄ…磁路
接続部、１６Ｃ，２６Ｃ…上部磁性層、１６Ｃ(1) ，２
６Ｃ(1) …第１の磁極先端部、１６Ｃ(2) ，２６Ｃ(2)
…中間部、１６Ｃ(3) ，２６Ｃ(3) …後端部、１６Ｃ
(4) ，２６Ｅ(1) …ヨーク部、１６ＣＨ…コイル接続配
線、１７Ｐ…第２の前駆絶縁層、１８，２８…オーバー
コート層、２４Ｐ…第３の前駆絶縁層、２６Ｅ…上部ヨ
ーク、２６Ｅ(2) …接続部、７０…エアベアリング面、
８０Ａ，８０Ｂ，８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃ…マスク、９
０，９１…フォトレジスト膜、１００，２００…磁極部
分、１１０…下部前駆磁性層、１１６…基礎磁性層、１
１６Ａ…上部前駆磁性層、ＭＲＨ…ＭＲハイト、ＴＨ…
スロートハイト。
１１，１３，１４，１７，２３…絶縁膜、５，７…シー
ルドギャップ膜、６…ＭＲ膜、８…上部シールド層、１
０…下部磁極、１０Ａ，１０Ｂ…下部磁性層、１０Ｃ…
下部接続部、１０Ｈ…窪み領域、１２，２２…薄膜コイ
ル、１２Ｓ，１６Ｓ…コイル接続部、１４Ｐ…第１の前
駆絶縁層、１５…記録ギャップ層、１６，２６…上部磁
極、１６Ａ…第２の磁極先端部、１６Ｂ，２６Ｄ…磁路
接続部、１６Ｃ，２６Ｃ…上部磁性層、１６Ｃ(1) ，２
６Ｃ(1) …第１の磁極先端部、１６Ｃ(2) ，２６Ｃ(2)
…中間部、１６Ｃ(3) ，２６Ｃ(3) …後端部、１６Ｃ
(4) ，２６Ｅ(1) …ヨーク部、１６ＣＨ…コイル接続配
線、１７Ｐ…第２の前駆絶縁層、１８，２８…オーバー
コート層、２４Ｐ…第３の前駆絶縁層、２６Ｅ…上部ヨ
ーク、２６Ｅ(2) …接続部、７０…エアベアリング面、
８０Ａ，８０Ｂ，８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃ…マスク、９
０，９１…フォトレジスト膜、１００，２００…磁極部
分、１１０…下部前駆磁性層、１１６…基礎磁性層、１
１６Ａ…上部前駆磁性層、ＭＲＨ…ＭＲハイト、ＴＨ…
スロートハイト。
Claims (28)
- 【請求項１】 記録媒体に対向する記録媒体対向面に近
い側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極
を有する、互いに磁気的に連結された第１の磁性層およ
び第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層と
の間に配設された薄膜コイルと、前記薄膜コイルを前記
第１の磁性層および第２の磁性層から絶縁する絶縁層と
を有すると共に、前記第１の磁性層が、前記ギャップ層
より遠い側から順に配設された第１の磁性層部分および
第２の磁性層部分の積層体を含み、前記第２の磁性層部
分が、記録媒体の記録トラック幅を規定するための一定
幅を保ちつつ前記記録媒体対向面からこの面より離れる
方向に前記ギャップ層に隣接ながら延在して第１の位置
で終端し、前記第１の磁性層部分が、前記第２の磁性層
部分の前記一定幅と同一の幅を保ちつつ前記記録媒体対
向面またはその近傍位置からこの面より離れる方向に延
在して前記第１の位置と同一または近傍の第２の位置で
終端する一定幅部分と、前記一定幅部分の幅よりも大き
な幅を有すると共に、前記第２の位置から前記記録媒体
対向面より離れる方向に延在して第３の位置で終端する
拡幅部分とを含む薄膜磁気ヘッドであって、 前記第２の磁性層のうちの前記第１の磁性層に近い側に
窪み領域が形成されており、 前記薄膜コイルは、前記窪み領域に配設された第１の薄
膜コイルを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記絶縁層は、前記第１の薄膜コイルを
覆うように配設された第１の絶縁層部分を含み、 前記第１の絶縁層部分における前記第１の磁性層に近い
側の表面は、前記第２の磁性層における前記第１の磁性
層に近い側の表面と同一の平面内にあることを特徴とす
る請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記絶縁層は、さらに、少なくとも前記
第２の磁性層部分の厚みに対応する領域に、前記第１の
絶縁層部分および前記第２の磁性層部分と隣接するよう
に配設された第２の絶縁層部分を含み、 前記第２の絶縁層部分における前記記録媒体対向面に近
い側の端縁の位置は、前記第２の磁性層部分における前
記第１の位置と一致していることを特徴とする請求項２
記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記第２の磁性層部分と前記第２の絶縁
層部分との境界面は平面をなしていることを特徴とする
請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記第２の磁性層部分と前記第２の絶縁
層部分との境界面は、前記第２の磁性層部分の延在方向
に対して垂直になっていることを特徴とする請求項４記
載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記第１の磁性層部分における前記第３
の位置は、前記第１の薄膜コイルよりも前記記録媒体対
向面に近い側に位置し、前記薄膜コイルは、さらに、前
記第１の薄膜コイルと電気的に接続された第２の薄膜コ
イルを含み、 前記第２の薄膜コイルは、その最も多くの部分が前記第
１の磁性層部分の厚みに対応する領域に含まれるように
前記第２の絶縁層部分に隣接して配設されていることを
特徴とする請求項３ないし請求項５のいずれか１項に記
載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記第２の薄膜コイルと前記第２の絶縁
層部分との隣接面は、前記第１の磁性層部分と前記第２
の磁性層部分との境界面と同一の平面内にあることを特
徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記絶縁層は、さらに、前記第２の薄膜
コイルを覆うように配設された第３の絶縁層部分を含
み、 前記第３の絶縁層部分における前記第２の絶縁層部分か
ら遠い側の表面は、前記第１の磁性層部分における前記
第２の磁性層部分から遠い側の表面と同一の平面内にあ
ることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 前記第２の磁性層部分の厚みは１．０ミ
クロン以下の範囲内であることを特徴とする請求項１な
いし請求項８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 前記第２の磁性層は、前記ギャップ層
より遠い側から順に配設された第１の磁性膜パターンお
よび第２の磁性膜パターンの積層体を含み、 前記第１の磁性膜パターンは、前記記録媒体対向面から
この面より離れる方向に延在し、 前記第２の磁性膜パターンは、前記窪み領域以外の空間
領域の少なくとも一部を占めるように前記記録媒体対向
面からこの面より離れる方向に延在し、 前記窪み領域は、少なくとも前記第２の磁性膜パターン
の厚みを利用して形成されていることを特徴とする請求
項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項１１】 前記窪み領域は、前記第１の磁性膜パ
ターンの厚みの一部と前記第２の磁性膜パターンの厚み
とを利用して形成されていることを特徴とする請求項１
０記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 前記第２の磁性層部分を構成する磁性
材料は、前記第１の磁性層部分を構成する磁性材料の飽
和磁束密度以上の飽和磁束密度を有するものであること
を特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項
に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１３】 前記第１の磁性層部分は、鉄、ニッケ
ルおよびコバルトを含む磁性材料よりなるものであり、 前記第２の磁性層部分は、ニッケル鉄合金またはコバル
ト鉄合金のいずれか１つを含む磁性材料よりなるもので
あることを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項１４】 前記第１の磁性層および第２の磁性層
のうちの少なくとも一部は、窒化鉄、ニッケル鉄合金ま
たはアモルファス合金のいずれか１つを含む磁性材料よ
りなるものであることを特徴とする請求項１ないし請求
項１１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１５】 前記アモルファス合金は、コバルト鉄
合金、ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金またはジルコ
ニウム鉄窒化物合金のいずれかであることを特徴とする
請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１６】 前記第１の磁性層および第２の磁性層
のうちの少なくとも一部は、鉄、ニッケルおよびコバル
トを含む磁性材料よりなるものであることを特徴とする
請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項１７】 記録媒体に対向する記録媒体対向面に
近い側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁
極を有する、互いに磁気的に連結された第１の磁性層お
よび第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層
との間に配設された薄膜コイルと、前記薄膜コイルを前
記第１の磁性層および第２の磁性層から絶縁する絶縁層
とを有すると共に、前記第１の磁性層が前記ギャップ層
より遠い側から順に配設された第１の磁性層部分および
第２の磁性層部分を含み、前記第２の磁性層部分が記録
媒体の記録トラック幅を規定するための一定幅を保ちつ
つ前記記録媒体対向面からこの面より離れる方向に前記
ギャップ層に隣接して延在して第１の位置で終端し、前
記第１の磁性層部分が、前記第２の磁性層部分の前記一
定幅と同一の幅を保ちつつ前記記録媒体対向面またはそ
の近傍位置からこの面より離れる方向に延在して前記第
１の位置と同一または近傍の第２の位置で終端する一定
幅部分と、前記一定幅部分の幅よりも大きな幅を有する
と共に前記第２の位置から前記記録媒体対向面より離れ
る方向に延在して第３の位置で終端する拡幅部分とを含
む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記第２の磁性層のうちの前記第１の磁性層に近い側に
窪み領域を形成する第１の工程と、 前記窪み領域に前記薄膜コイルの一部をなす第１の薄膜
コイルを形成する第２の工程とを含むことを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１８】 前記絶縁層が、前記第１の薄膜コイル
を覆う第１の絶縁層部分を含む場合において、 さらに、 少なくとも、前記第１の薄膜コイルが形成された前記第
２の磁性層の前記窪み領域およびその周辺領域を覆うよ
うに、前記第１の絶縁層部分の前準備層としての第１の
前駆絶縁層を形成する第３の工程と、 少なくとも前記第２の磁性層が露出するまで前記第１の
前駆絶縁層を研磨して平坦化することにより前記第１の
絶縁層部分を形成する第４の工程とを含むことを特徴と
する請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１９】 前記絶縁層が、さらに、前記第１の絶
縁層部分に隣接する第２の絶縁層部分を含む場合におい
て、 さらに、 前記ギャップ層上における前記記録媒体対向面が形成さ
れるべき位置の近傍から前記第１の位置に至る領域に、
前記第２の磁性層部分の前準備層としての前駆磁性層を
形成する第５の工程と、 少なくとも前記前駆磁性層およびその周辺領域を覆うよ
うに、前記第２の絶縁層部分の前準備層としての第２の
前駆絶縁層を形成する第６の工程と、 少なくとも前記前駆磁性層が露出するまで前記第２の前
駆絶縁層を研磨して平坦化することにより前記第２の絶
縁層部分を形成する第７の工程とを含むことを特徴とす
る請求項１８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２０】 前記第１の磁性層部分における前記第
３の位置が、前記第１の薄膜コイルよりも前記記録媒体
対向面に近い側に位置し、 前記薄膜コイルが、さらに、前記第１の薄膜コイルと電
気的に接続された第２の薄膜コイルを含む場合におい
て、 さらに、 前記第２の薄膜コイルを、その最も多くの部分が前記第
１の磁性層部分における前記一定幅部分の厚みに対応す
る領域に含まれるように前記第２の絶縁層部分に隣接し
て形成する第８の工程を含むことを特徴とする請求項１
９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２１】 前記絶縁層が、さらに、前記第２の薄
膜コイルを覆う第３の絶縁層部分を含む場合において、 さらに、 少なくとも前記前駆磁性層上に前記第１の磁性層部分を
形成する第９の工程と、 少なくとも前記第１の磁性層部分および前記第２の薄膜
コイルを覆うように前記第３の絶縁層部分の前準備層と
しての第３の前駆絶縁層を形成する第１０の工程と、 少なくとも前記第１の磁性層部分が露出するまで前記第
３の前駆絶縁層の表面を研磨して平坦化することにより
前記第３の絶縁層部分を形成する第１１の工程とを含む
ことを特徴とする請求項２０記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項２２】 さらに、 前記第９の工程ののち、前記第１の磁性層部分における
前記一定幅部分をマスクとして用いて前記前駆磁性層を
選択的にエッチングすることにより前記第２の磁性層部
分を形成する第１２の工程を含むことを特徴とする請求
項２１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２３】 前記第１２の工程において、 前記ギャップ層および前記第２の磁性膜パターンのうち
の前記第２の磁性層部分に対応する部分以外の領域をそ
の厚み方向における所定の位置まで選択的に除去するこ
とを特徴とする請求項２２記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項２４】 前記第１２の工程を反応性イオンエッ
チングを用いて行うことを特徴とする請求項２２または
請求項２３に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２５】 塩素を含むガス雰囲気中において前記
第１２の工程を行うことを特徴とする請求項２４記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２６】 ５０°Ｃないし３００°Ｃの範囲内の
温度下において前記第１２の工程を行うことを特徴とす
る請求項２４または請求項２５に記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項２７】 前記第１の工程は、 前記第２の磁性層の一部となる第１の磁性膜パターンを
形成する工程と、 前記第１の磁性膜の上の、前記窪み領域以外の領域に、
前記第２の磁性層の他の一部となる第２の磁性膜パター
ンを選択的に形成する工程とを含むことを特徴とする請
求項１７ないし請求項２６のいずれか１項に記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２８】 前記第１の工程は、 前記第２の磁性層の一部となる第１の磁性膜パターンを
形成する工程と、 前記第１の磁性膜パターンの上の、前記窪み領域以外の
領域に、前記第２の磁性層の他の一部となる第２の磁性
膜パターンを選択的に形成する工程と、 前記第２の磁性膜パターンをマスクとして用いて、前記
第１の磁性膜パターンをその厚み方向における所定の位
置までエッチングして掘り下げる工程とを含むことを特
徴とする請求項１７ないし請求項２６のいずれか１項に
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020191334A1 (en) * | 2001-06-18 | 2002-12-19 | Yimin Hsu | Magnetic transducer with pedestal pole piece structure |
| US6757134B2 (en) * | 2002-03-11 | 2004-06-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | High density thin film inductive head structure having a planarized coil insulation structure including hard baked photoresist and a filler material |
| US7199973B2 (en) * | 2003-09-26 | 2007-04-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording head with trailing shield throat height less than shaping layer distance from ABS |
| US20050099727A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-12 | Headway Technologies, Inc. | Write-head having recessed magnetic material in gap region |
| US7468863B2 (en) * | 2005-07-05 | 2008-12-23 | Headway Technologies, Inc. | Thin-film magnetic head structure adapted to manufacture a thin-film head having a base magnetic pole part, a yoke magnetic pole part, and an intervening insulative film |
| JP2008165923A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JP2009181623A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッドおよび磁気ヘッドの製造方法 |
| US20100155232A1 (en) * | 2008-12-23 | 2010-06-24 | Aron Pentek | Method for manufacturing a magnetic write head having a write pole trailing edge taper |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5075956A (en) * | 1988-03-16 | 1991-12-31 | Digital Equipment Corporation | Method of making recording heads with side shields |
| JPH06131610A (ja) * | 1992-10-20 | 1994-05-13 | Sony Corp | 光磁気記録用ヘッド |
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| US5831801A (en) | 1997-01-21 | 1998-11-03 | Yamaha Corporation | Thin film magnetic head with special pole configuration |
| US5966800A (en) * | 1997-07-28 | 1999-10-19 | Read-Rite Corporation | Method of making a magnetic head with aligned pole tips and pole layers formed of high magnetic moment material |
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2001
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009090738A1 (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-23 | Fujitsu Limited | 磁気記録ヘッドの製造方法 |
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