JP2002208115A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドの製造方法

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慶一 佐藤
Tetsuya Roppongi
哲也 六本木
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ヨーク部分層を電気めっき法によって形成す
るための電極層を除去する際に、磁極部分層が変形した
りダメージを受けたりすることを防止すると共に、電極
層によって実効的なトラック幅が大きくなることを防止
する。 【解決手段】 薄膜磁気ヘッドの第２の磁性層１４を形
成する工程は、磁極部分層１４Ａを形成する工程と、磁
極部分層１４Ａの媒体対向面ＡＢＳ側の一部を覆うよう
に保護層３３を形成する工程と、電気めっき法によって
ヨーク部分層１４Ｂを形成する際に電極として用いられ
る電極層３４を形成する工程と、電極層３４を電極とし
て用い、電極層３４の上に、電気めっき法によってヨー
ク部分層１４Ｂを形成する工程と、電極層３４の不要な
部分を除去する工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書込み
用の誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録再生装置における記録方式に
は、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）
とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体
の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがあ
る。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、
記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密
度を実現することが可能であると言われている。
【０００３】長手磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッドは、
一般的に、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリ
ング面）と、互いに磁気的に連結され、媒体対向面側に
おいてギャップ部を介して互いに対向する磁極部分を含
む第１および第２の磁性層と、少なくとも一部が第１お
よび第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対
して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた
構造になっている。
【０００４】一方、垂直磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッ
ドには、長手磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッドと同様の
構造のリングヘッドと、一つの主磁極によって記録媒体
の面に対して垂直方向の磁界を印加する単磁極ヘッドと
がある。単磁極ヘッドを用いる場合には、記録媒体とし
ては一般的に、基板上に軟磁性層と磁気記録層とを積層
した２層媒体が用いられる。
【０００５】ところで、近年の高記録密度化に伴い、薄
膜磁気ヘッドではトラック幅の縮小が望まれている。そ
のため、長手磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッドと垂直磁
気記録方式用の薄膜磁気ヘッドのいずれにおいても、ト
ラック幅を規定する磁極の幅の縮小が望まれている。し
かしながら、従来、磁極の幅の縮小を妨げる以下の２つ
の問題点があった。
【０００６】第１の問題点は、磁極の幅を例えば０．５
μｍ以下とするような磁極の高精度のパターニングが困
難なことである。すなわち、磁極部分を含む磁性層は、
例えば、フォトリソグラフィ技術によって形成されたレ
ジストフレームを用いて、電気めっき法（フレームめっ
き法）によって形成される。ところが、従来、磁極部分
を含む磁性層は、コイルを覆って盛り上がった絶縁層の
上に形成されるため、レジストフレームも凹凸の高低差
の大きな絶縁層の上に形成されることになる。この場
合、レジストの膜厚を均一にすることは難しいため、レ
ジストフレームを精度よくパターニングすることが難し
い。そのため、磁極部分を含む磁性層の高精度のパター
ニングが困難になる。
【０００７】第２の問題点は、磁極の幅を縮小すると、
磁束が磁極の先端に到達する前に飽和してしまい、媒体
対向面において磁極の先端より発生される磁界が小さく
なることである。
【０００８】上記の問題点を解決するために、長手磁気
記録方式用の薄膜磁気ヘッドでは、一方の磁性層を、媒
体対向面に露出する磁極部分を含み、媒体対向面におけ
る幅がトラック幅を規定する磁極部分層と、この磁極部
分層へ磁束を導くヨーク部分層とに分けた構造が多く採
用されている。この構造によれば、磁極部分層の飽和磁
束密度をヨーク部分層の飽和磁束密度よりも大きくする
ことで磁束を効率的に磁極部分の先端まで導くことが可
能になり、且つ幅の小さな磁極部分を形成することが可
能になる。このような構造の薄膜磁気ヘッドの例は、特
開平１１−１０２５０６号公報、特開２０００−５７５
２２号公報、特開２０００−６７４１３号公報等に示さ
れている。
【０００９】そこで、垂直磁気記録方式用の単磁極ヘッ
ドにおいても、主磁極を磁極部分層とヨーク部分層とに
分けた構造が提案されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、トラック幅
を規定する磁性層を磁極部分層とヨーク部分層とに分け
た構造の薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層によって磁
束を効率的に導くことができるように、ヨーク部分層の
厚みは均一であることが好ましい。そのため、ヨーク部
分層の形成方法としては電気めっき法が好ましい。電気
めっき法によってヨーク部分層を形成する場合には、ヨ
ーク部分層の下地の大部分は絶縁体であるため、めっき
を行う前に、下地の表面に電極層を形成しておく必要が
ある。電極層の形成方法としては、一般にスパッタ法が
用いられる。めっきを行った後には、電極層のうち、ヨ
ーク部分層の下に存在する部分以外の不要な部分を除去
する必要がある。
【００１１】また、一般に、ヨーク部分層は、磁極部分
層を形成した後に、この磁極部分層に接続されるように
形成される。そのため、電極層をスパッタ法で形成する
場合には、電極層は、磁極部分層のうちのヨーク部分層
に接続される部分だけでなく、媒体対向面の近傍の部分
にも形成されてしまう。磁極部分層のうちの媒体対向面
の近傍の部分に形成された電極層は、ヨーク部分層の形
成後に除去される。そのため、従来は、電極層を除去す
る際に、磁極部分層が変形したり、磁極部分層がダメー
ジを受けて特性が劣化したりするという問題点があっ
た。
【００１２】また、電極層をスパッタ法で形成する場合
には、電極層は、磁極部分層のうち、媒体対向面の近傍
の部分の両側面にも形成される。この両側面に形成され
た電極層を除去するのは難しい。この側面に電極層が残
ると、この電極層からも磁束が記録媒体に流れるため、
実効的なトラック幅が大きくなってしまい、トラック幅
の縮小が困難になる。
【００１３】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、トラック幅を規定する磁性層が磁極
部分層とヨーク部分層とを有する薄膜磁気ヘッドの製造
方法であって、ヨーク部分層を電気めっき法によって形
成するために用いられる電極層のうちの不要な部分を除
去する際に、磁極部分層が変形したりダメージを受けた
りすることを防止できると共に、電極層によって実効的
なトラック幅が大きくなることを防止できるようにした
薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録
媒体に記録する情報に応じた磁界を発生させるコイル
と、トラック幅を規定し、コイルによって発生された磁
界に対応する磁束を通過させると共に、情報を記録媒体
に記録するための磁界を発生させる磁性層とを備え、磁
性層は、媒体対向面に露出する一端部を含み、情報を記
録媒体に記録するための磁界を一端部より発生させると
共に、一端部の幅がトラック幅を規定する磁極部分層
と、媒体対向面に露出せず、磁極部分層に対して磁気的
に接続され、コイルによって発生された磁界に対応する
磁束を磁極部分層に導くヨーク部分層とを有する薄膜磁
気ヘッドを製造する方法であって、コイルを形成する工
程と、磁性層を形成する工程とを備え、磁性層を形成す
る工程は、磁極部分層を形成する工程と、磁極部分層の
一端部側の一部を覆うように保護層を形成する工程と、
電気めっき法によってヨーク部分層を形成する際に電極
として用いられる電極層を、磁極部分層および保護層を
覆うように形成する工程と、電極層を電極として用い、
電極層の上に、電気めっき法によってヨーク部分層を形
成する工程と、電極層の不要な部分を除去する工程とを
含むものである。
【００１５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
電気めっき法によってヨーク部分層を形成する際に電極
として用いられる電極層を形成する前に、磁極部分層の
一端部側の一部を覆うように保護層が形成される。従っ
て、ヨーク部分層の形成後、電極層のうちの不要な部分
を除去する際に、磁極部分層が変形したりダメージを受
けたりすることが防止されると共に、電極層によって実
効的なトラック幅が大きくなることが防止される。
【００１６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、ヨーク部分層は、磁極部分層の上面の一部におい
て、磁極部分層に対して磁気的に接続されてもよい。こ
の場合、磁性層を形成する工程は、更に、磁極部分層を
形成する工程と保護層を形成する工程との間において、
磁極部分層の周囲に非磁性層を形成する工程と、非磁性
層を研磨して、磁極部分層の上面のうち少なくともヨー
ク部分層が磁気的に接続される部分を、非磁性層の上面
と共に平坦化する工程とを含んでいてもよい。
【００１７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、ヨーク部分層は、磁極部分層の媒体対向面と
は反対側の端面および幅方向の両側面のうちの少なくと
も一部において、磁極部分層に対して磁気的に接続され
てもよい。
【００１８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、磁性層を形成する工程は、更に、電極層の不
要な部分を除去する工程の後で保護層を除去する工程を
含んでいてもよい。
【００１９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、電極層の不要な部分を除去する工程は、ドラ
イエッチングによって電極層の不要な部分を除去しても
よい。
【００２０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、保護層は、感光性レジストによって形成され
てもよい。
【００２１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、保護層とこの保護層の下地との接触位置にお
いて、保護層の表面に接する平面と下地の上面とのなす
角度は鋭角であってもよい。
【００２２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、保護層は、角が鈍った形状になっていてもよ
い。
【００２３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、保護層は、ヨーク部分層の媒体対向面側の端
部の位置を規定してもよい。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］始めに、図１および図２を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法が適用される薄膜磁気ヘッドの構成について説
明する。本実施の形態における薄膜磁気ヘッドは、長手
磁気記録方式に適したものである。図１は本実施の形態
における薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。な
お、図１は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示
している。図２は図１に示した薄膜磁気ヘッドの媒体対
向面を示す正面図である。
【００２５】図１および図２に示したように、本実施の
形態における薄膜磁気ヘッドは、アルティック（Ａｌ2
Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１と、
この基板１の上に形成されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の
絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に形成
された磁性材料よりなる下部シールド層３と、この下部
シールド層３の上に、絶縁層４を介して形成された再生
素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ
素子５の上に絶縁層４を介して形成された磁性材料より
なる上部シールド層６とを備えている。下部シールド層
３および上部シールド層６の厚みは、それぞれ例えば１
〜２μｍである。
【００２６】ＭＲ素子５の一端部は、媒体対向面（エア
ベアリング面）ＡＢＳに配置されている。ＭＲ素子５に
は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大
磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗
効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子
を用いることができる。
【００２７】薄膜磁気ヘッドは、更に、上部シールド層
６の上に形成された非磁性層７と、この非磁性層７の上
に形成された磁性材料よりなる第１の磁性層８と、この
第１の磁性層８の上に形成されたギャップ層９と、この
ギャップ層９の上に形成された薄膜コイル１０と、薄膜
コイル１０を覆う絶縁層５１とを備えている。絶縁層５
１の媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒体対向面ＡＢＳに
露出せず、この端部はスロートハイトを規定する。な
お、スロートハイトとは、第１の磁性層８と後述する第
２の磁性層１４がギャップ層９を介して対向する部分
の、媒体対向面ＡＢＳ側の端部から反対側の端部までの
長さ（高さ）をいう。また、ギャップ層９には、媒体対
向面ＡＢＳから離れた位置において、コンタクトホール
９ａが形成されている。
【００２８】第１の磁性層８の厚みは例えば１〜２μｍ
である。第１の磁性層８を構成する磁性材料は、例えば
鉄−ニッケル系合金すなわちパーマロイでもよいし、後
述するような高飽和磁束密度材でもよい。また、第１の
磁性層８は、２つ以上の層で構成してもよい。
【００２９】ギャップ層９は、アルミナ等の非導電性且
つ非磁性の材料よりなり、その厚みは例えば０．０５〜
２μｍである。
【００３０】薄膜コイル１０は、銅等の導電性の材料よ
りなり、その巻線の厚みは例えば０．３〜２μｍであ
る。薄膜コイル１０の巻数は任意であり、巻線のピッチ
も任意である。
【００３１】絶縁層５１は、形成時に流動性を有する非
導電性且つ非磁性の材料よりなる。具体的には、絶縁層
５１は、例えば、感光性レジスト（フォトレジスト）の
ような有機系の非導電性非磁性材料によって形成しても
よいし、塗布ガラスよりなるスピンオングラス（ＳＯ
Ｇ）膜で形成してもよい。
【００３２】薄膜磁気ヘッドは、更に、媒体対向面ＡＢ
Ｓに露出する一端部を含み、情報を記録媒体に記録する
ための磁界を一端部より発生させると共に、一端部の幅
がトラック幅を規定する磁極部分層１４Ａを備えてい
る。磁極部分層１４Ａは、ギャップ層９の上に形成され
ている。また、図１に示したように、磁極部分層１４Ａ
の媒体対向面ＡＢＳとは反対側の一部は絶縁層５１の上
に乗り上げているのが好ましい。媒体対向面ＡＢＳにお
ける磁極部分層１４Ａの厚みは例えば３μｍ以上であ
り、幅は例えば０．５μｍ以下である。
【００３３】薄膜磁気ヘッドは、更に、コンタクトホー
ル９ａが形成された位置において第１の磁性層８の上に
形成された磁性材料よりなる連結部１４Ｃと、ギャップ
層９および絶縁層５１を覆うと共に磁極部分層１４Ａお
よび連結部１４Ｃの周囲に配置された非磁性層５２とを
備えている。薄膜コイル１０は、連結部１４Ｃの回りに
巻回されている。
【００３４】連結部１４Ｃの形状は、例えば、厚みが３
μｍ、奥行き（媒体対向面ＡＢＳに垂直な方向の長さ）
が２〜１０μｍ、幅が５〜２０μｍである。連結部１４
Ｃを構成する磁性材料は、例えば鉄−ニッケル系合金す
なわちパーマロイでもよいし、後述するような高飽和磁
束密度材でもよい。非磁性層５２は、アルミナ等の非導
電性且つ非磁性の材料によって形成されている。磁極部
分層１４Ａ、連結部１４Ｃおよび非磁性層５２の上面は
平坦化されている。
【００３５】薄膜磁気ヘッドは、更に、平坦化された磁
極部分層１４Ａ、連結部１４Ｃおよび非磁性層５２の上
面の上に電極層３４を介して形成され、磁極部分層１４
Ａと連結部１４Ｃとを磁気的に連結するヨーク部分層１
４Ｂとを備えている。磁極部分層１４Ａ、ヨーク部分層
１４Ｂおよび連結部１４Ｃは第２の磁性層１４を構成す
る。ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部は
媒体対向面ＡＢＳに露出していない。ヨーク部分層１４
Ｂは、磁極部分層１４Ａの上面の一部において、磁極部
分層１４Ａに対して磁気的に接続されている。また、ヨ
ーク部分層１４Ｂは電気めっき法によって形成される。
電極層３４は、電気めっき法によってヨーク部分層１４
Ｂを形成する際に電極として用いられる。
【００３６】薄膜磁気ヘッドは、更に、アルミナ等の非
導電性且つ非磁性の材料よりなり、第２の磁性層１４を
覆うように形成された保護層１７を備えている。
【００３７】磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度は、ヨー
ク部分層１４Ｂの飽和磁束密度以上となっている。磁極
部分層１４Ａを構成する磁性材料としては、飽和磁束密
度が１．４Ｔ以上の高飽和磁束密度材を用いるのが好ま
しい。高飽和磁束密度材としては、鉄および窒素原子を
含む材料、鉄、ジルコニアおよび酸素原子を含む材料、
鉄およびニッケル元素を含む材料等を用いることができ
る。具体的には、高飽和磁束密度材としては、例えば、
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）、Ｆ
ｅＮやその化合物、Ｃｏ系アモルファス合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｆｅ−Ｍ（必要に応じてＯ（酸素原子）も含
む。）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ（必要に応じてＯ（酸素原子）
も含む。）の中のうちの少なくとも１種類を用いること
ができる。ここで、Ｍは、Ｎｉ，Ｎ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉ，Ａ
ｌ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｕ（いず
れも化学記号）の中から選択された少なくとも１種類で
ある。
【００３８】ヨーク部分層１４Ｂを構成する磁性材料と
しては、例えば、飽和磁束密度が１．０Ｔ程度となる鉄
およびニッケル元素を含む材料を用いることができる。
このような材料は、耐食性に優れ、且つ磁極部分層１４
Ａを構成する材料よりも高抵抗である。また、このよう
な材料を用いることにより、ヨーク部分層１４Ｂの形成
が容易になる。
【００３９】また、ヨーク部分層１４Ｂを構成する磁性
材料としては、磁極部分層１４Ａを構成する磁性材料と
同じ組成系のものを用いることもできる。この場合に
は、ヨーク部分層１４Ｂの飽和磁束密度を、磁極部分層
１４Ａの飽和磁束密度よりも小さくするために、ヨーク
部分層１４Ｂを構成する磁性材料としては、磁極部分層
１４Ａを構成する磁性材料に比べて、鉄原子の組成比の
小さい材料を用いるのが好ましい。
【００４０】以上説明したように、本実施の形態におけ
る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面Ａ
ＢＳと再生ヘッドと記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）
とを備えている。再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ
素子５と、媒体対向面ＡＢＳ側の一部がＭＲ素子５を挟
んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールド
するための下部シールド層３および上部シールド層６を
備えている。
【００４１】記録ヘッドは、それぞれ媒体対向面ＡＢＳ
側において所定の間隔を開けて互いに対向するように配
置された磁極部分を含むと共に、媒体対向面ＡＢＳから
離れた位置において互いに磁気的に連結された第１の磁
性層８および第２の磁性層１４と、非磁性材料よりな
り、第１の磁性層８の磁極部分と第２の磁性層１４の磁
極部分との間に設けられたギャップ層９と、少なくとも
一部が第１の磁性層８および第２の磁性層１４の間に、
これらの磁性層８，１４に対して絶縁された状態で設け
られた薄膜コイル１０とを備えている。薄膜コイル１０
は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生させ
る。
【００４２】第２の磁性層１４は、トラック幅を規定
し、薄膜コイル１０によって発生された磁界に対応する
磁束を通過させると共に、情報を記録媒体に記録するた
めの磁界を発生させる。また、第２の磁性層１４は、媒
体対向面ＡＢＳに露出する一端部を含み、情報を記録媒
体に記録するための磁界を一端部より発生させると共
に、一端部の幅がトラック幅を規定する磁極部分層１４
Ａと、媒体対向面ＡＢＳに露出せず、磁極部分層１４Ａ
に対して磁気的に接続され、薄膜コイル１０によって発
生された磁界に対応する磁束を磁極部分層１４Ａに導く
ヨーク部分層１４Ｂと、ヨーク部分層１４Ｂと第１の磁
性層８とを磁気的に連結する連結部１４Ｃとを有してい
る。磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度は、ヨーク部分層
１４Ｂの飽和磁束密度以上となっている。
【００４３】本実施の形態における薄膜磁気ヘッドによ
れば、第２の磁性層１４が磁極部分層１４Ａとヨーク部
分層１４Ｂとを有するようにしたので、記録媒体に印加
される磁界の強度を低下させることなくトラック幅を縮
小することが可能になる。
【００４４】また、本実施の形態における薄膜磁気ヘッ
ドでは、第２の磁性層１４が磁極部分層１４Ａとヨーク
部分層１４Ｂとを有し、ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部
分層１４Ａに磁束を導くための十分な体積を有し、ま
た、磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度がヨーク部分層１
４Ｂの飽和磁束密度以上であることから、第２の磁性層
１４の途中における磁束の飽和を防止することができ
る。
【００４５】次に、図３ないし図１２を参照して、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明
する。
【００４６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、基板１の上に絶縁層２を形成する。次
に、絶縁層２の上に下部シールド層３を形成する。次
に、下部シールド層３の上に、絶縁層４の一部となる絶
縁膜を形成し、この絶縁膜の上にＭＲ素子５と、このＭ
Ｒ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。
次に、ＭＲ素子５およびリードを、絶縁層４の他の一部
となる新たな絶縁膜で覆い、ＭＲ素子５およびリードを
絶縁層４内に埋設する。
【００４７】次に、絶縁層４の上に上部シールド層６を
形成し、その上に非磁性層７を形成する。次に、この非
磁性層７の上に、第１の磁性層８を所定の形状に形成す
る。次に、図示しないが、非磁性層７および第１の磁性
層８をアルミナ等の非磁性材料で覆い、第１の磁性層８
が露出するまで非磁性材料を研磨して、第１の磁性層８
の上面を平坦化する。なお、図３ないし図１２では、基
板１ないし非磁性層７を省略している。
【００４８】次に、図３に示したように、第１の磁性層
８の上に、アルミナ等の非導電性且つ非磁性の材料をス
パッタして、ギャップ層９を形成する。次に、周知のフ
ォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術とを用い
て、連結部１４Ｃを形成すべき位置において、ギャップ
層９にコンタクトホール９ａを形成する。次に、周知の
フォトリソグラフィ技術および成膜技術（例えば電気め
っき法）を用いて、ギャップ層９の上に薄膜コイル１０
を形成する。次に、周知のフォトリソグラフィ技術を用
いて、薄膜コイル１０を覆うように絶縁層５１を形成す
る。
【００４９】次に、図４に示したように、周知のフォト
リソグラフィ技術および成膜技術（例えば電気めっき法
やスパッタ法）を用いて、ギャップ層９の上に磁極部分
層１４Ａを形成すると共に、コンタクトホール９ａが形
成された位置において第１の磁性層８の上に連結部１４
Ｃを形成する。
【００５０】次に、図５に示したように、スパッタ法を
用いて、少なくとも磁極部分層１４Ａの周辺部分におい
て、磁極部分層１４Ａおよび絶縁層５１を覆うように、
非磁性層５２を形成する。なお、図５に示した例では、
積層面の全体を覆うように非磁性層５２を形成してい
る。
【００５１】次に、図６に示したように、例えば化学機
械研磨を用いて、連結部１４Ｃと磁極部分層１４Ａとが
露出するまで非磁性層５２を研磨して、磁極部分層１４
Ａの上面のうち、少なくとも後で形成されるヨーク部分
層１４Ｂが磁気的に接続される部分を、非磁性層５２の
上面と共に平坦化する。なお、非磁性層５２は必ずしも
設けなくてもよい。非磁性層５２を設けない場合には、
上述の平坦化処理も不要である。
【００５２】次に、図７に示したように、磁極部分層１
４Ａの媒体対向面ＡＢＳ側の一部を覆うように保護層３
３を形成する。非磁性層５２を設けない場合には、磁極
部分層１４Ａの上面だけではなく、媒体対向面ＡＢＳの
近傍における磁極部分層１４Ａの両側面も覆うように保
護層３３を形成するのが好ましい。
【００５３】保護層３３の材料としては、感光性レジス
トのような有機材料でもよいし、アルミナ等の無機材料
でもよい。ただし、保護層３３は後の工程で除去するこ
とが好ましいため、保護層３３の材料には、容易に除去
できる材料、例えば感光性レジストを用いることが好ま
しい。保護層３３の材料に感光性レジストを用いた場合
には、フォトリソグラフィ技術を用いて容易に磁極部分
層１４Ａの媒体対向面ＡＢＳの近傍部分にのみ保護層３
３を形成することができ、更に、溶剤を用いて容易に除
去することができる。
【００５４】また、後の工程において、後述する電極層
３４をドライエッチングで除去する際に、電極層３４の
除去を容易にするため、図７に示したように、保護層３
３は角が鈍った形状、例えば上面が曲面となった形状に
なっているのが好ましい。保護層３３の材料に感光性レ
ジストを用いた場合には、フォトリソグラフィ技術を用
いてレジストパターンを形成した後に、熱等により感光
性レジストを収縮させることによって、角が鈍った形状
の保護層３３を形成することができる。この場合、使用
する感光性レジストは、熱収縮性に優れたものであるこ
とが好ましい。
【００５５】また、保護層３３の材料にアルミナ等の無
機材料を用いる場合には、リフトオフ法によって保護層
３３を形成することにより、角が鈍った形状の保護層３
３を形成することができる。
【００５６】保護層３３が形成される領域は、後述する
ヨーク部分層１４Ｂを形成するためのフレーム３５が形
成される領域内に収まっているのが好ましい。また、保
護層３３の厚みはフレーム３５の厚み以下とするのが好
ましい。ここでは、一例として、保護層３３の厚みを
３．５μｍとした。
【００５７】次に、図８に示したように、スパッタ法に
より、磁極部分層１４Ａ、連結部１４Ｃ、非磁性層５２
および保護層３３を覆うように、電気めっき法によって
ヨーク部分層１４Ｂを形成する際に電極として用いられ
る電極層３４を形成する。電極層３４は金属等の導電性
の材料によって形成される。電極層３４は、例えば、下
地となるＴｉ（チタン）層を成膜した後に、このＴｉ層
の上に、ヨーク部分層１４Ｂと同じ材料よりなる層を成
膜するすることによって形成される。電極層３４の厚み
は、例えば０．１μｍ以下とする。
【００５８】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
電極層３４の上に、感光性レジストによって、ヨーク部
分層１４Ｂの形状に対応した空隙部を有するフレーム３
５を形成する。フレーム３５の厚みは、ヨーク部分層１
４Ｂの厚み以上であることが好ましい。また、フレーム
３５の厚みは保護層３３の厚み以上であることが好まし
い。これは、保護層３３の上に形成された電極層３４の
上にめっき層が形成されることを防止するためである。
ここでは、一例として、フレーム３５の厚みを７μｍ以
上とした。
【００５９】次に、図９に示したように、フレーム３５
を用いて、電気めっき法（フレームめっき法）によっ
て、電極層３４の上にヨーク部分層１４Ｂを形成する。
【００６０】次に、図１０に示したように、溶剤を用い
てフレーム３５を剥離する。このとき、保護層３３は、
電極層３４の下にあるため、剥離されない。
【００６１】次に、図１１に示したように、電極層３４
のうち、フレーム３５の下に存在していた不要な部分を
ドライエッチングで除去する。これにより、保護層３３
が露出する。そのため、ドライエッチングにおけるイオ
ンのエネルギーにより保護層３３の表面が硬化する場合
がある。しかし、ドライエッチング後、保護層３３の表
面を例えば酸素プラズマでアッシングすると、後の工程
で行う保護層３３の剥離が容易になる。
【００６２】ところで、フレームめっき法を用いてヨー
ク部分層１４Ｂを形成した場合、ヨーク部分層１４Ｂ以
外に、不要な部分にもめっき層が形成される。そこで、
図示しないが、以下のようにして、ウエットエッチング
によって、不要な部分のめっき層を除去する。まず、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて、ヨーク部分層１４Ｂを
覆うように、レジストによるカバーを形成する。このと
き、保護層３３はカバーによって覆われる。次に、ウエ
ットエッチングにより不要な部分のめっき層を除去す
る。電極層３４がめっき層と同じ材料等のエッチングさ
れやすい材料からなる場合には、このウエットエッチン
グ工程において、めっき層の下に存在する電極層３４も
除去することが可能になる。
【００６３】次に、溶剤を用いて上記カバーを除去す
る。このとき、図１２に示したように、一緒に保護層３
３も除去される。なお、保護層３３がアルミナ等の無機
材料よりなる場合には、保護層３３は必ずしも除去しな
くてもよい。次に、図示しないが、不要な電極層３４の
うち、ウエットエッチングで除去できなかった部分、例
えば、電極層３４における下地のチタン層をドライエッ
チングにより除去する。
【００６４】次に、図１に示したように、第２の磁性層
１４を覆うように保護層１７を形成する。次に、保護層
１７の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板
を切断し、媒体対向面ＡＢＳの研磨、浮上用レールの作
製等を行って、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００６５】ここで、図１３ないし図１６を参照して、
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に対する
比較例として、保護層３３を形成しない場合の薄膜磁気
ヘッドの製造方法について説明する。なお、図１３ない
し図１６では、基板１ないし非磁性層７を省略してい
る。この比較例では、図６に示したように、磁極部分層
１４Ａの上面を非磁性層５２の上面と共に平坦化する工
程までは本実施の形態と同様である。
【００６６】比較例では、次に、図１３に示したよう
に、スパッタ法により、磁極部分層１４Ａ、連結部１４
Ｃおよび非磁性層５２を覆うように電極層３４を形成す
る。
【００６７】比較例では、次に、図１４に示したよう
に、フォトリソグラフィ技術を用いて、電極層３４の上
に、感光性レジストによって、ヨーク部分層１４Ｂの形
状に対応した空隙部を有するフレーム３５を形成する。
【００６８】比較例では、次に、図１５に示したよう
に、フレーム３５を用いて、電気めっき法（フレームめ
っき法）によって、電極層３４の上にヨーク部分層１４
Ｂを形成する。
【００６９】比較例では、次に、図１６に示したよう
に、溶剤を用いてフレーム３５を剥離する。比較例にお
けるその後の工程は、本実施の形態と同様である。
【００７０】比較例では、フレーム３５を剥離した後、
電極層３４のうち、フレーム３５の下に存在していた不
要な部分をドライエッチングで除去する際に、磁極部分
層１４Ａが変形したり、磁極部分層１４Ａがダメージを
受けて特性が劣化したりする。また、比較例において、
非磁性層５２を設けない場合には、電極層３４は、磁極
部分層１４Ａのうち、媒体対向面ＡＢＳの近傍の部分の
両側面にも形成される。この両側面に形成された電極層
３４を除去するのは難しい。この側面に電極層３４が残
ると、この電極層３４からも磁束が記録媒体に流れるた
め、実効的なトラック幅が大きくなってしまう。
【００７１】これに対し、本実施の形態では、電極層３
４を形成する前に、磁極部分層１４Ａの媒体対向面ＡＢ
Ｓ側の一部を覆うように保護層３３を形成している。従
って、本実施の形態によれば、ヨーク部分層１４Ｂの形
成後、電極層３４のうちの不要な部分を除去する際に、
磁極部分層１４Ａが変形したりダメージを受けたりする
ことを防止することができる。また、本実施の形態にお
いて、非磁性層５２を設けずに、保護層３３を、磁極部
分層１４Ａのうち、媒体対向面ＡＢＳの近傍の部分の両
側面も覆うように形成した場合には、この側面に電極層
３４が形成されることを防止して、電極層３４によって
実効的なトラック幅が大きくなることを防止することが
できる。
【００７２】また、本実施の形態によれば、比較例に対
して、フォトリソグラフィ技術によって保護層３３を形
成するという簡単な工程を加えるだけで、上記の効果を
得ることができる。
【００７３】また、本実施の形態によれば、保護層３３
は角が鈍った形状になっているので、保護層３３の周囲
に形成された電極層３４を例えばイオンミリングによっ
て除去する場合に、保護層３３の周囲に形成された電極
層３４においてイオンが当たらない部分が生じたり、電
極層３４を構成する物質が保護層３３より除去された後
に保護層３３に再付着したりすることを防止することが
できる。そのため、本実施の形態によれば、保護層３３
の周囲に形成された電極層３４を容易に除去することが
可能になる。なお、これについては、第３の実施の形態
においてより詳しく説明する。
【００７４】ところで、本実施の形態において、図１７
に示したように、保護層３３はヨーク部分層１４Ｂの媒
体対向面ＡＢＳ側の端部の位置を規定するようにしても
よい。図１７は、図９に示した工程と同じ工程を示す断
面図である。図１７に示した工程では、保護層３３のヨ
ーク部分層１４Ｂ側の端部を、電極層３４を介してヨー
ク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部と対向する
位置に配置している。また、図１７に示した工程では、
保護層３３のヨーク部分層１４Ｂ側の端部のうち少なく
ともヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部と
対向する部分が、基板の面に垂直な面となるように、保
護層３３を形成している。
【００７５】図１７に示したように、保護層３３によっ
てヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部の位
置を規定する場合には、フレーム３５によってヨーク部
分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部の位置を規定す
る場合に比べて、ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢ
Ｓ側の端部の位置を精度よく規定することが可能にな
る。以下、その理由について説明する。
【００７６】図９に示したように、フレーム３５によっ
てヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部の位
置を規定する場合には、媒体対向面ＡＢＳの近傍におい
て、フレーム３５の下に、フレーム３５の空隙部側（ヨ
ーク部分層１４Ｂ側）に向いた電極層３４の斜面が存在
する。この斜面は、フレーム３５のパターニングのため
の感光性レジストの露光時に反射面となる。そのため、
感光性レジストの露光時に、フレーム３５の空隙部側の
端部となるべき位置の近傍領域において、感光性レジス
トの露光量が不安定になる。その結果、この領域におい
て、フレーム３５の正確なパターニングが困難になり、
ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部の位置
を精度よく規定することが困難になる。
【００７７】これに対し、図１７に示したように、保護
層３３によってヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ
側の端部の位置を規定する場合には、フレーム３５の下
に、フレーム３５のパターニングのための感光性レジス
トの露光時に反射面となるようなものは存在しない。そ
のため、この場合には、フレーム３５によってヨーク部
分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部の位置を規定す
る場合に比べて、ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢ
Ｓ側の端部の位置を精度よく規定することが可能にな
る。
【００７８】ところで、非磁性層５２を設けた場合にお
いて、電極層３４の除去をイオンミリングによって行う
場合には、磁極部分層１４Ａの材料と非磁性層５２の材
料とではエッチング速度が異なるため、磁極部分層１４
Ａと非磁性層５２のエッチング後、これらの層１４Ａ，
５２の境界で段差を生じる。例えば、非磁性層５２がア
ルミナからなり、磁極部分層１４Ａが鉄−ニッケル合金
からなる場合には、鉄−ニッケル合金のエッチング速度
はアルミナのエッチング速度よりも大きい。例えば、鉄
−ニッケル合金のエッチング速度は、アルミナのエッチ
ング速度の１倍より大きく２倍以下程度である。そのた
め、図１８に示したように、磁極部分層１４Ａの上面に
窪みが発生してしまう。
【００７９】これに対し、本実施の形態によれば、電極
層３４を除去する際に、磁極部分層１４Ａの媒体対向面
ＡＢＳに露出する部分は、保護層３３によって覆われて
いるためエッチングされない。そのため、図１９に示し
たように、媒体対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４
Ａのギャップ層９とは反対側の端部を、図６に示した平
坦化処理後の状態に維持することができる。ところで、
本実施の形態で示した薄膜磁気ヘッドは、長手磁気記録
方式に限らず、垂直磁気記録方式にも使用することが可
能である。この薄膜磁気ヘッドを垂直磁気記録方式に使
用する場合には、補助磁極となる第１の磁性層８を記録
媒体の進行方向の後側（スライダにおける空気流入端
側）に配置し、主磁極となる磁極部分層１４Ａを記録媒
体の進行方向の前側（スライダにおける空気流出端側）
に配置するのが好ましい。この場合、媒体対向面ＡＢＳ
において、主磁極となる磁極部分層１４Ａの記録媒体の
進行方向の前側の端部、すなわち磁極部分層１４Ａのギ
ャップ層９とは反対側の端部を平坦にすることが望まし
い。本実施の形態に係る製造方法では、上述のように、
磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の端部を平
坦にすることができるので、本実施の形態に係る製造方
法は、特に、薄膜磁気ヘッドを垂直磁気記録方式に使用
する場合に有効になる。
【００８０】なお、本実施の形態において、図６に示し
た平坦化処理の後、平坦化された非磁性層５２の上に薄
膜コイルを形成してもよい。この薄膜コイルを電気めっ
き法で形成する際にも、保護層３３を形成する本実施の
形態に係る製造方法が有効であるのは明らかである。
【００８１】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について
説明する。始めに、図２０を参照して、本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法が適用される薄膜磁気ヘ
ッドの構成について説明する。本実施の形態における薄
膜磁気ヘッドは、第１の実施の形態と同様に、長手磁気
記録方式に適したものである。図２０は本実施の形態に
おける薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。な
お、図２０は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を
示している。
【００８２】本実施の形態における薄膜磁気ヘッドで
は、第１の実施の形態における非磁性層５２が設けられ
ておらず、また、第２の磁性層１４の構成が第１の実施
の形態と異なっている。本実施の形態では、第２の磁性
層１４は、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとを
有し、第１の実施の形態における連結部１４Ｃを有して
いない。ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａと第
１の磁性層８とを磁気的に連結する。
【００８３】磁極部分層１４Ａは、第１の実施の形態と
同様に、ギャップ層９の上に形成され、磁極部分層１４
Ａの媒体対向面ＡＢＳとは反対側の一部は絶縁層５１の
上に乗り上げている。
【００８４】ヨーク部分層１４Ｂは、媒体対向面ＡＢＳ
から離れた所定の位置から、少なくともコンタクトホー
ル９ａが形成された位置にかけて、電極層３４を介して
絶縁層５１の上に形成されている。ヨーク部分層１４Ｂ
の媒体対向面ＡＢＳ側の一部は、磁極部分層１４Ａの上
に乗り上げ、磁極部分層１４Ａの上面の一部、媒体対向
面ＡＢＳとは反対側の端面および幅方向の両側面の一部
において、磁極部分層１４Ａに対して磁気的に接続され
ている。
【００８５】本実施の形態における薄膜磁気ヘッドのそ
の他の構成は、第１の実施の形態と同様である。
【００８６】次に、図２１ないし図２８を参照して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。なお、図２１ないし図２８では、基板１ないし
非磁性層７を省略している。本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法では、図２１に示したように絶縁層
５１を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様で
ある。
【００８７】本実施の形態では、次に、図２２に示した
ように、周知のフォトリソグラフィ技術および成膜技術
（例えば電気めっき法やスパッタ法）を用いて、ギャッ
プ層９の上に磁極部分層１４Ａを形成する。次に、磁極
部分層１４Ａの媒体対向面ＡＢＳ側の一部を覆うように
保護層３３を形成する。図２９は図２２に示した状態を
表す斜視図である。図２９に示したように、本実施の形
態では、保護層３３は、媒体対向面ＡＢＳの近傍におけ
る磁極部分層１４Ａの上面および両側面を覆うように形
成される。
【００８８】次に、図２３に示したように、スパッタ法
により、第１の磁性層８のうちコンタクトホール９ａよ
り露出した部分、磁極部分層１４Ａ、絶縁層５１および
保護層３３を覆うように電極層３４を形成する。
【００８９】次に、図２４に示したように、フォトリソ
グラフィ技術を用いて、電極層３４の上に、感光性レジ
ストによって、ヨーク部分層１４Ｂの形状に対応した空
隙部を有するフレーム３５を形成する。
【００９０】次に、図２５に示したように、フレーム３
５を用いて、電気めっき法（フレームめっき法）によっ
て、電極層３４の上にヨーク部分層１４Ｂを形成する。
【００９１】次に、図２６に示したように、溶剤を用い
てフレーム３５を剥離する。このとき、保護層３３は、
電極層３４の下にあるため、剥離されない。
【００９２】次に、図２７に示したように、電極層３４
のうち、フレーム３５の下に存在していた不要な部分を
ドライエッチングで除去する。これにより、保護層３３
が露出する。
【００９３】次に、図２８に示したように、第１の実施
の形態と同様に、ウエットエッチングによって不要な部
分のめっき層を除去し、保護層３３を除去し、更に、不
要な電極層３４のうち、ウエットエッチングで除去でき
なかった部分をドライエッチングによって除去する。
【００９４】次に、図２０に示したように、第２の磁性
層１４を覆うように保護層１７を形成する。次に、保護
層１７の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基
板を切断し、媒体対向面ＡＢＳの研磨、浮上用レールの
作製等を行って、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００９５】ここで、図３０ないし図３４を参照して、
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に対する
比較例として、保護層３３を形成しない場合の薄膜磁気
ヘッドの製造方法について説明する。なお、図３０ない
し図３４では、基板１ないし非磁性層７を省略してい
る。この比較例では、図３０に示したように、磁極部分
層１４Ａを形成する工程までは本実施の形態と同様であ
る。
【００９６】比較例では、次に、図３１に示したよう
に、スパッタ法により、第１の磁性層８のうちコンタク
トホール９ａより露出した部分、磁極部分層１４Ａおよ
び絶縁層５１を覆うように電極層３４を形成する。
【００９７】比較例では、次に、図３２に示したよう
に、フォトリソグラフィ技術を用いて、電極層３４の上
に、感光性レジストによって、ヨーク部分層１４Ｂの形
状に対応した空隙部を有するフレーム３５を形成する。
【００９８】比較例では、次に、図３３に示したよう
に、フレーム３５を用いて、電気めっき法（フレームめ
っき法）によって、電極層３４の上にヨーク部分層１４
Ｂを形成する。
【００９９】比較例では、次に、図３４に示したよう
に、溶剤を用いてフレーム３５を剥離する。比較例にお
けるその後の工程は、本実施の形態と同様である。
【０１００】比較例では、フレーム３５を剥離した後、
電極層３４のうち、フレーム３５の下に存在していた不
要な部分をドライエッチングで除去する際に、磁極部分
層１４Ａが変形したり、磁極部分層１４Ａがダメージを
受けて特性が劣化したりする。また、比較例では、磁極
部分層１４Ａのうち、媒体対向面ＡＢＳの近傍の部分の
両側面に電極層３４が形成される。この両側面に形成さ
れた電極層３４を磁極部分層１４Ａにダメージを与えず
に除去するのは難しい。この側面に電極層３４が残る
と、この電極層３４からも磁束が記録媒体に流れるた
め、実効的なトラック幅が大きくなってしまう。
【０１０１】これに対し、本実施の形態では、電極層３
４を形成する前に、磁極部分層１４Ａの媒体対向面ＡＢ
Ｓ側の一部を覆うように保護層３３を形成している。従
って、本実施の形態によれば、ヨーク部分層１４Ｂの形
成後、電極層３４のうちの不要な部分を除去する際に、
磁極部分層１４Ａが変形したりダメージを受けたりする
ことを防止することができる。また、本実施の形態によ
れば、磁極部分層１４Ａのうち、媒体対向面ＡＢＳの近
傍の部分の両側面に電極層３４が形成されることを防止
して、電極層３４によって実効的なトラック幅が大きく
なることを防止することができる。
【０１０２】また、特に媒体対向面ＡＢＳにおける磁極
部分層１４Ａの幅が０．３μｍの場合には、比較例のよ
うに磁極部分層１４Ａの両側面に形成された電極層３４
をドライエッチングによって除去すると、磁極部分層１
４Ａの幅や形状のばらつきが大きくなる。これに対し、
本実施の形態によれば、磁極部分層１４Ａのうち、媒体
対向面ＡＢＳの近傍の部分の両側面に電極層３４が形成
されないので、電極層３４を除去することによる磁極部
分層１４Ａの幅や形状のばらつきは発生しない。
【０１０３】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１０４】［第３の実施の形態］次に、本発明の第３
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について
説明する。始めに、図３５ないし図３７を参照して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法が適用され
る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。本実施の形
態における薄膜磁気ヘッドは、垂直磁気記録方式に適し
たものである。図３５は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を示す断面図である。なお、図３５は媒体対
向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、
図３５において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方
向を表している。図３６は図３５に示した薄膜磁気ヘッ
ドの媒体対向面を示す正面図である。図３７は図３５に
示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
【０１０５】本実施の形態における薄膜磁気ヘッドにお
いて、基板１から第１の磁性層８までの構成は、第１の
実施の形態と同様である。本実施の形態における薄膜磁
気ヘッドは、更に、第１の磁性層８の上において薄膜コ
イル１０を形成すべき位置に形成された絶縁層９Ａと、
この絶縁層９Ａの上に形成された薄膜コイル１０と、少
なくとも薄膜コイル１０の巻線間に充填された絶縁層９
Ｂとを備えている。絶縁層９Ａには、媒体対向面ＡＢＳ
から離れた位置において、コンタクトホール９ａが形成
されている。
【０１０６】絶縁層９Ａは、アルミナ等の非導電性且つ
非磁性の材料よりなり、その厚みは例えば０．１〜１μ
ｍである。
【０１０７】薄膜コイル１０は、銅等の導電性の材料よ
りなり、その巻線の厚みは例えば０．３〜２μｍであ
る。薄膜コイル１０の巻数は任意であり、巻線のピッチ
も任意である。
【０１０８】絶縁層９Ｂは、形成時に流動性を有する非
導電性且つ非磁性の材料よりなる。具体的には、絶縁層
９Ｂは、例えば、感光性レジストのような有機系の非導
電性非磁性材料によって形成してもよいし、塗布ガラス
よりなるスピンオングラス（ＳＯＧ）膜で形成してもよ
い。
【０１０９】薄膜磁気ヘッドは、更に、コンタクトホー
ル９ａが形成された位置において第１の磁性層８の上に
形成された磁性材料よりなる連結部１４Ｃと、薄膜コイ
ル１０、絶縁層９Ａおよび絶縁層９Ｂを覆うように形成
された絶縁層９Ｃとを備えている。薄膜コイル１０は、
連結部１４Ｃの回りに巻回されている。
【０１１０】連結部１４Ｃの形状は、例えば、厚みが２
〜４μｍ、奥行き（媒体対向面ＡＢＳに垂直な方向の長
さ）が２〜１０μｍ、幅が５〜２０μｍである。連結部
１４Ｃを構成する磁性材料は、例えば鉄−ニッケル系合
金すなわちパーマロイでもよいし、後述するような高飽
和磁束密度材でもよい。
【０１１１】絶縁層９Ｃは、絶縁層９Ｂよりも耐食性、
剛性および絶縁性が優れた非導電性且つ非磁性の材料よ
りなる。このような材料としては、アルミナやシリコン
酸化物（ＳｉＯ2）等の無機系の非導電性非磁性材料を
用いることができる。媒体対向面ＡＢＳにおける絶縁層
９Ａおよび絶縁層９Ｃの合計の厚みは、例えば２〜４μ
ｍである。また、この厚みは、連結部１４Ｃの厚み以上
とする。
【０１１２】絶縁層９Ａ，９Ｂ，９Ｃは、第１の磁性層
８と後述する第２の磁性層１４との間に設けられるギャ
ップ層９を構成する。
【０１１３】薄膜磁気ヘッドは、絶縁層９Ｃの上に形成
された磁性材料よりなる第２の磁性層１４を備えてい
る。第２の磁性層１４は、前述の連結部１４Ｃと、磁極
部分を含む磁極部分層１４Ａと、ヨーク部分となり、連
結部１４Ｃを介して磁極部分層１４Ａと第１の磁性層８
とを磁気的に接続するヨーク部分層１４Ｂとを有してい
る。磁極部分層１４Ａは、媒体対向面ＡＢＳから、媒体
対向面ＡＢＳと連結部１４Ｃとの間の所定の位置にかけ
て、絶縁層９Ｃの上に形成されている。ヨーク部分層１
４Ｂは、連結部１４Ｃの第１の磁性層８とは反対側の端
部（以下、上端部と言う。）と磁極部分層１４Ａの媒体
対向面ＡＢＳとは反対側の端面（以下、後端面と言
う。）とを磁気的に接続する。また、ヨーク部分層１４
Ｂは、その内部において連結部１４Ｃの上端部と磁極部
分層１４Ａの後端面との間を最短距離で結ぶ磁気経路が
形成されるような形状を有している。
【０１１４】薄膜磁気ヘッドは、更に、磁極部分層１４
Ａの上に形成された非磁性層１５を備えている。非磁性
層１５は、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側
の面の全面に接している。ヨーク部分層１４Ｂの媒体対
向面ＡＢＳ側の一部は、非磁性層１５を介して磁極部分
層１４Ａの上面に隣接し、非磁性層１５を介して磁極部
分層１４Ａの上面の一部に磁気的に接続されている。薄
膜磁気ヘッドは、更に、アルミナ等の非導電性且つ非磁
性の材料よりなり、第２の磁性層１４を覆うように形成
された保護層１７を備えている。
【０１１５】薄膜コイル１０の第２の磁性層１４側の面
は、媒体対向面ＡＢＳにおけるギャップ層９の第２の磁
性層１４側の端部（絶縁層９Ｃの磁性層１４側の端部）
の位置および連結部１４Ｃの上端部の位置よりも第１の
磁性層８側の位置に配置されている。
【０１１６】磁極部分層１４Ａの厚みは、好ましくは
０．０５〜０．８μｍであり、更に好ましくは０．１〜
０．５μｍである。ここでは、一例として、磁極部分層
１４Ａの厚みを０．５μｍとする。また、媒体対向面Ａ
ＢＳから磁極部分層１４Ａの後端面までの長さは２μｍ
以上である。
【０１１７】図３７に示したように、磁極部分層１４Ａ
は、媒体対向面ＡＢＳ側に配置された第１の部分１４Ａ
1と、この第１の部分１４Ａ1よりも媒体対向面ＡＢＳか
ら離れた位置に配置された第２の部分１４Ａ2とを含ん
でいる。第１の部分１４Ａ1は、第２の磁性層１４にお
ける磁極部分となる。第１の磁性層８における磁極部分
は、第１の磁性層８のうちギャップ層９を介して上記第
１の部分１４Ａ1に対向する部分を含む。
【０１１８】第１の部分１４Ａ1は、トラック幅と等し
い幅を有している。すなわち、第１の部分１４Ａ1の媒
体対向面ＡＢＳにおける幅がトラック幅を規定してい
る。第２の部分１４Ａ2の幅は、第１の部分１４Ａ1との
境界位置では第１の部分１４Ａ 1の幅と等しく、その位
置から媒体対向面ＡＢＳより遠ざかる程、徐々に大きく
なった後、一定の大きさになっている。ヨーク部分層１
４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の一部は、非磁性層１５を介
して磁極部分層１４Ａの第２の部分１４Ａ2の上に重な
っている。
【０１１９】第１の部分１４Ａ1の媒体対向面ＡＢＳに
おける幅、すなわちトラック幅は、好ましくは０．５μ
ｍ以下であり、更に好ましくは０．３μｍ以下である。
ここでは、一例として、トラック幅を０．３μｍとす
る。ヨーク部分層１４Ｂと重なる部分における第２の部
分１４Ａ2の幅は、第１の部分１４Ａ1の媒体対向面ＡＢ
Ｓにおける幅よりも大きく、例えば２μｍ以上である。
【０１２０】ヨーク部分層１４Ｂの厚みは、例えば１〜
２μｍである。ヨーク部分層１４Ｂは、図３５に示した
ように、磁極部分層１４Ａの後端面に磁気的に接続され
ていると共に、図３７に示したように、磁極部分層１４
Ａの幅方向の両側面に磁気的に接続されている。また、
ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒
体対向面ＡＢＳから例えば１．５μｍ以上離れた位置に
配置されている。
【０１２１】磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度は、ヨー
ク部分層１４Ｂの飽和磁束密度以上となっている。磁極
部分層１４Ａを構成する磁性材料としては、飽和磁束密
度が１．４Ｔ以上の高飽和磁束密度材を用いるのが好ま
しい。高飽和磁束密度材としては、鉄および窒素原子を
含む材料、鉄、ジルコニアおよび酸素原子を含む材料、
鉄およびニッケル元素を含む材料等を用いることができ
る。具体的には、高飽和磁束密度材としては、例えば、
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）、Ｆ
ｅＮやその化合物、Ｃｏ系アモルファス合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｆｅ−Ｍ（必要に応じてＯ（酸素原子）も含
む。）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ（必要に応じてＯ（酸素原子）
も含む。）の中のうちの少なくとも１種類を用いること
ができる。ここで、Ｍは、Ｎｉ，Ｎ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉ，Ａ
ｌ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｕ（いず
れも化学記号）の中から選択された少なくとも１種類で
ある。
【０１２２】ヨーク部分層１４Ｂを構成する磁性材料と
しては、例えば、飽和磁束密度が１．０Ｔ程度となる鉄
およびニッケル元素を含む材料を用いることができる。
このような材料は、耐食性に優れ、且つ磁極部分層１４
Ａを構成する材料よりも高抵抗である。また、このよう
な材料を用いることにより、ヨーク部分層１４Ｂの形成
が容易になる。
【０１２３】また、ヨーク部分層１４Ｂを構成する磁性
材料としては、磁極部分層１４Ａを構成する磁性材料と
同じ組成系のものを用いることもできる。この場合に
は、ヨーク部分層１４Ｂの飽和磁束密度を、磁極部分層
１４Ａの飽和磁束密度よりも小さくするために、ヨーク
部分層１４Ｂを構成する磁性材料としては、磁極部分層
１４Ａを構成する磁性材料に比べて、鉄原子の組成比の
小さい材料を用いるのが好ましい。
【０１２４】非磁性層１５の平面的な形状は、磁極部分
層１４Ａと同様である。また、非磁性層１５は、媒体対
向面ＡＢＳに露出している。非磁性層１５の厚みは、好
ましくは０．５μｍ以下である。ここでは、一例とし
て、非磁性層１５の厚みを０．２μｍとする。また、非
磁性層１５は、省くことも可能である。
【０１２５】非磁性層１５を構成する材料としては、例
えば、チタンまたはタンタルを含む材料（合金および酸
化物を含む。）や、アルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ
2）等の無機系の非導電性非磁性材料を用いることがで
きる。また、磁極部分層１４Ａをドライエッチングによ
って形成する場合には、非磁性層１５を構成する材料と
して、磁極部分層１４Ａを構成する材料、およびギャッ
プ層９のうちの磁極部分層１４Ａに接する絶縁層９Ｃを
構成する材料よりもドライエッチングに対するエッチン
グ速度が小さい材料を用いるのが好ましい。このような
材料としては、例えばチタンまたはタンタルを含む材料
（合金および酸化物を含む。）を用いることができる。
【０１２６】図３７に示したように、媒体対向面ＡＢＳ
に露出する磁極部分層１４Ａの面の形状は、記録媒体の
進行方向Ｔの後側（スライダにおける空気流入端側）に
配置される下辺が上辺よりも小さい台形であることが好
ましい。また、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面
と、媒体対向面ＡＢＳに露出する磁極部分層１４Ａの面
における側辺とのなす角度は９２〜１１０゜が好まし
い。
【０１２７】以上説明したように、本実施の形態におけ
る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面Ａ
ＢＳと再生ヘッドと記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）
とを備えている。
【０１２８】記録ヘッドは、媒体対向面ＡＢＳ側におい
て記録媒体の進行方向Ｔの前後に所定の間隔を開けて互
いに対向するように配置された磁極部分を含むと共に、
媒体対向面ＡＢＳから離れた位置において互いに磁気的
に連結された第１の磁性層８および第２の磁性層１４
と、非磁性材料よりなり、第１の磁性層８と第２の磁性
層１４との間に設けられたギャップ層９と、少なくとも
一部が第１の磁性層８および第２の磁性層１４の間に、
これらの磁性層８，１４に対して絶縁された状態で設け
られた薄膜コイル１０とを備えている。薄膜コイル１０
は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生させ
る。
【０１２９】第２の磁性層１４は、トラック幅を規定
し、薄膜コイル１０によって発生された磁界に対応する
磁束を通過させると共に、情報を記録媒体に記録するた
めの磁界を発生させる。また、第２の磁性層１４は、媒
体対向面ＡＢＳに露出する一端部を含み、情報を記録媒
体に記録するための磁界を一端部より発生させると共
に、一端部の幅がトラック幅を規定する磁極部分層１４
Ａと、媒体対向面ＡＢＳに露出せず、磁極部分層１４Ａ
に対して磁気的に接続され、薄膜コイル１０によって発
生された磁界に対応する磁束を磁極部分層１４Ａに導く
ヨーク部分層１４Ｂと、ヨーク部分層１４Ｂと第１の磁
性層８とを磁気的に連結する連結部１４Ｃとを有してい
る。ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａの後端面
および幅方向の両側面に磁気的に接続されている。ま
た、磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度は、ヨーク部分層
１４Ｂの飽和磁束密度以上となっている。
【０１３０】本実施の形態における薄膜磁気ヘッドによ
れば、第２の磁性層１４が磁極部分層１４Ａとヨーク部
分層１４Ｂとを有するようにしたので、記録媒体に印加
される磁界の強度を低下させることなくトラック幅を縮
小することが可能になる。
【０１３１】また、本実施の形態における薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、媒体対向面ＡＢＳに露出する磁極部分層１
４Ａの面の形状は、記録媒体の進行方向Ｔの後側（スラ
イダにおける空気流入端側）に配置される下辺が上辺よ
りも小さい台形形状とするのが好ましい。これにより、
薄膜磁気ヘッドを垂直磁気記録方式に用いた場合には、
スキュー角が生じたときの記録トラック幅の変化を抑え
ることができる。
【０１３２】本実施の形態における薄膜磁気ヘッドは、
垂直磁気記録方式に用いるのに適している。この薄膜磁
気ヘッドを垂直磁気記録方式に用いる場合、第２の磁性
層１４の磁極部分層１４Ａにおける第１の部分１４Ａ1
が主磁極となり、第１の磁性層８の磁極部分が補助磁極
となる。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを垂
直磁気記録方式に用いる場合には、記録媒体としては２
層媒体と単層媒体のいずれをも使用することが可能であ
る。
【０１３３】本実施の形態における薄膜磁気ヘッドで
は、第２の磁性層１４が磁極部分層１４Ａとヨーク部分
層１４Ｂとを有し、ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層
１４Ａに磁束を導くための十分な体積を有し、また、磁
極部分層１４Ａの飽和磁束密度がヨーク部分層１４Ｂの
飽和磁束密度以上であることから、第２の磁性層１４の
途中における磁束の飽和を防止することができる。
【０１３４】また、本実施の形態における薄膜磁気ヘッ
ドでは、薄膜コイル１０のうち磁性層８，１４の間に配
置された部分の第２の磁性層１４側の面は、媒体対向面
ＡＢＳにおけるギャップ層９の第２の磁性層１４側の端
部の位置および連結部１４Ｃの上端部の位置よりも第１
の磁性層８側の位置に配置されている。そして、ヨーク
部分層１４Ｂは、連結部１４Ｃの上端部と磁極部分層１
４Ａの後端面とを磁気的に接続している。従って、ヨー
ク部分層１４Ｂは、連結部１４Ｃと磁極部分層１４Ａと
の間に短い磁気経路で且つ強い磁気的結合を形成するこ
とができる。
【０１３５】これらのことから、本実施の形態における
薄膜磁気ヘッドによれば、第２の磁性層１４の磁極部分
より発生される、記録媒体の面に垂直な方向の磁界を大
きくし、且つ磁路長を短縮して高周波特性を向上させる
ことが可能になる。磁極部分層１４Ａに高飽和磁束密度
材を用いた場合には、特に、記録媒体の面に垂直な方向
の磁界を大きくすることができ、保磁力の大きな記録媒
体への記録も可能となる。
【０１３６】また、本実施の形態における薄膜磁気ヘッ
ドでは、記録媒体の面に垂直な方向の磁界は長手方向の
磁界よりも大きく、ヘッドが発生する磁気エネルギを効
率よく、記録媒体に伝達することができる。従って、こ
の薄膜磁気ヘッドによれば、熱揺らぎの影響を受けにく
くした高保磁力の垂直記録媒体への記録が容易に行え、
磁気記録の線記録密度を高めることができる。
【０１３７】図３５に示したように、本実施の形態にお
ける薄膜磁気ヘッドは、第１の磁性層８を記録媒体の進
行方向Ｔの後側（薄膜磁気ヘッドを含むスライダにおけ
る空気流入端側）に配置し、第２の磁性層１４を記録媒
体の進行方向Ｔの前側（薄膜磁気ヘッドを含むスライダ
における空気流出端側）に配置するのが好ましい。しか
し、本実施の形態における薄膜磁気ヘッドを垂直磁気記
録方式に用いる場合には、第１の磁性層８と第２の磁性
層１４の配置は、上記の配置とは逆でもよい。
【０１３８】また、本実施の形態における薄膜磁気ヘッ
ドでは、第２の磁性層１４のヨーク部分層１４Ｂは、そ
の内部において連結部１４Ｃの上端部と磁極部分層１４
Ａの後端面との間を最短距離で結ぶ磁気経路が形成され
るような形状を有している。これにより、特に磁路長を
短縮でき、高周波特性を向上させることが可能になる。
【０１３９】また、図３５に示したように、本実施の形
態における薄膜磁気ヘッドでは、媒体対向面ＡＢＳにお
ける磁極部分層１４Ａと第１の磁性層８との間の距離
は、連結部１４Ｃの厚み以上としている。そして、ヨー
ク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａの後端面との接続
位置から連結部１４Ｃとの接続位置にかけて、徐々に第
１の磁性層８に近づいている。これにより、特に磁路長
を短縮でき、高周波特性を向上させることが可能にな
る。
【０１４０】また、図３５に示したように、本実施の形
態における薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層１４Ｂの
少なくとも一部は、第１の磁性層８側に突出する弧状に
形成されている。これにより、ヨーク部分層１４Ｂの一
部が、薄膜コイル１０に近くなり、薄膜コイル１０によ
って発生される磁界をヨーク部分層１４Ｂで効率よく吸
収することが可能になる。
【０１４１】また、図３７に示したように、本実施の形
態における薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層１４Ｂ
は、磁極部分層１４Ａの後端面と幅方向の両側面とに磁
気的に接続されている。これにより、磁極部分層１４Ａ
の体積が小さくても、ヨーク部分層１４Ｂと磁極部分層
１４Ａとの接続部分の面積を増やすことができ、この接
続部分における磁束の飽和を防止することができる。そ
の結果、磁束を効率よくヨーク部分層１４Ｂから磁極部
分層１４Ａへ導くことができ、記録媒体に印加される磁
界を大きくすることができる。
【０１４２】また、図３５に示したように、本実施の形
態における薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層１４Ｂの
媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒体対向面ＡＢＳから離
れた位置に配置されている。これにより、ヨーク部分層
１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部より発生される磁界
によって記録媒体に情報の書き込みが生じることを防止
することができる。
【０１４３】また、図３７に示したように、本実施の形
態における薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層１４Ａのヨ
ーク部分層１４Ｂと接する部分の幅は、磁極部分層１４
Ａの媒体対向面ＡＢＳにおける幅よりも大きくなってい
る。これにより、磁極部分層１４Ａのヨーク部分層１４
Ｂと接する部分の面積を大きくすることができ、この部
分での磁束の飽和を防止することができる。その結果、
磁束を効率よくヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４
Ａへ導くことができ、且つ磁極部分層１４Ａの媒体対向
面ＡＢＳにおける露出面積を小さくすることで、記録媒
体に印加される磁界を大きくすることができる。
【０１４４】また、本実施の形態における薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、媒体対向面ＡＢＳから磁極部分層１４Ａの
後端面までの長さは２μｍ以上とすることにより、磁極
部分層１４Ａの厚みや幅を大きくすることなく、磁極部
分層１４Ａのヨーク部分層１４Ｂと接する部分の面積を
大きくして、この部分での磁束の飽和を防止することが
できる。その結果、磁束を効率よくヨーク部分層１４Ｂ
から磁極部分層１４Ａへ導くことができる。
【０１４５】また、図３５に示したように、本実施の形
態における薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層１４Ａのギ
ャップ層９とは反対側の面の全面に接する非磁性層１５
を備えている。非磁性層１５がない場合には、磁極部分
層１４Ａをドライエッチングによって形成する際や、ヨ
ーク部分層１４Ｂを電気めっき法によって形成する際
に、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面が
ダメージを受け、この面に例えば０．１〜０．３μｍ程
度の凹凸が生じる。本実施の形態では、非磁性層１５を
設けていることから、磁極部分層１４Ａをドライエッチ
ングによって形成する際や、ヨーク部分層１４Ｂを電気
めっき法によって形成する際に、磁極部分層１４Ａのギ
ャップ層９とは反対側の面がダメージを受けることを防
止でき、その面を平坦にすることができる。
【０１４６】また、本実施の形態における薄膜磁気ヘッ
ドでは、非磁性層１５が媒体対向面ＡＢＳに露出してい
るので、媒体対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａ
のギャップ層９とは反対側の端部を平坦に保つことがで
きる。これにより、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部分
層１４Ａより発生される磁界を、トラックに交差する方
向について均一化することができる。その結果、記録媒
体におけるビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録
密度を向上させることができる。
【０１４７】また、本実施の形態における薄膜磁気ヘッ
ドでは、ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の一
部は、非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａのギャッ
プ層９とは反対側の面に隣接し、非磁性層１５を介して
磁極部分層１４Ａに磁気的に接続されている。その結
果、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面か
らも、非磁性層１５を介してヨーク部分層１４Ｂからも
磁極部分層１４Ａの媒体対向面ＡＢＳ側へ磁束を導くこ
とができる。
【０１４８】また、非磁性層１５を、磁極部分層１４Ａ
を構成する材料、およびギャップ層９のうちの磁極部分
層１４Ａと接する部分を構成する材料よりもドライエッ
チングに対するエッチング速度が小さい材料で構成した
場合には、磁極部分層１４Ａをドライエッチングによっ
て形成する際に、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは
反対側の面がダメージを受けることを防止するのに必要
な非磁性層１５の厚みを小さくすることができ、磁極部
分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂの磁気的な接合を向上
できる。
【０１４９】また、図３５に示したように、本実施の形
態における薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイル１０のうち
第１の磁性層８と第２の磁性層１４の間に配置された部
分は、第１の磁性層８と第２の磁性層１４の中間の位置
よりも第１の磁性層８に近い位置に配置されている。こ
れにより、第２の磁性層１４よりも体積の大きな第１の
磁性層８によって、薄膜コイル１０から発生する磁界を
効率よく吸収でき、薄膜コイル１０が第２の磁性層１４
に近い場合に比べて、第１の磁性層８および第２の磁性
層１４における磁界の吸収率を高めることができる。
【０１５０】また、図３５に示したように、本実施の形
態における薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層９は、形成
時に流動性を有する材料よりなり、少なくとも薄膜コイ
ル１０の巻線間に充填された第１の部分（絶縁層９Ｂ）
と、この第１の部分よりも耐食性、剛性および絶縁性が
優れた材料よりなり、薄膜コイル１０および第１の部分
を覆い、第１の磁性層８および第２の磁性層１４に接す
る第２の部分（絶縁層９Ａ，９Ｃ）とを有している。ギ
ャップ層９の第２の部分は、媒体対向面ＡＢＳに露出し
ている。薄膜コイル１０の巻線間に隙間なく非磁性材料
を充填することは、スパッタリング法では困難である
が、有機系の材料のように流動性を有する非磁性材料を
用いた場合には容易である。しかし、有機系の材料は、
ドライエッチングに対する耐性、耐食性、耐熱性、剛性
等の点で信頼性に乏しい。本実施の形態では、上述のよ
うに、形成時に流動性を有する材料によって薄膜コイル
１０の巻線間に充填された第１の部分（絶縁層９Ｂ）を
形成し、この第１の部分よりも耐食性、剛性および絶縁
性が優れた材料によって、薄膜コイル１０および第１の
部分を覆い、第１の磁性層８および第２の磁性層１４に
接する第２の部分（絶縁層９Ａ，９Ｃ）を形成するよう
にしたので、薄膜コイル１０の巻線間に隙間なく非磁性
材料を充填でき、且つギャップ層９の信頼性を高めるこ
とができる。
【０１５１】次に、図３８ないし図４９を参照して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。なお、図３８ないし図４９では、基板１ないし
非磁性層７を省略している。
【０１５２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、第１の磁性層８を形成する工程までは、第１
の実施の形態と同様である。
【０１５３】本実施の形態では、次に、図３８に示した
ように、第１の磁性層８の上に、アルミナ等の非導電性
且つ非磁性の材料をスパッタして、絶縁層９Ａを形成す
る。次に、周知のフォトリソグラフィ技術とドライエッ
チング技術とを用いて、連結部１４Ｃを形成すべき位置
において、絶縁層９Ａにコンタクトホール９ａを形成す
る。次に、周知のフォトリソグラフィ技術および成膜技
術（例えば電気めっき法）を用いて、絶縁層９Ａの上に
薄膜コイル１０を形成する。次に、周知のフォトリソグ
ラフィ技術を用いて、少なくとも薄膜コイル１０の巻線
間に充填される絶縁層９Ｂを形成する。
【０１５４】次に、図３９に示したように、周知のフォ
トリソグラフィ技術および成膜技術（例えば電気めっき
法）を用いて、コンタクトホール９ａが形成された位置
において第１の磁性層８の上に連結部１４Ｃを形成す
る。連結部１４Ｃの厚みは、例えば２〜４μｍとする。
次に、スパッタ法を用いて、薄膜コイル１０、絶縁層９
Ａ、絶縁層９Ｂおよび連結部１４Ｃを覆うように絶縁層
９Ｃを形成する。この時点における絶縁層９Ｃの厚み
は、連結部１４Ｃを十分に覆うことができる厚みであれ
ばよく、例えば５μｍとする。
【０１５５】次に、図４０に示したように、例えば化学
機械研磨を用いて、絶縁層９Ｃおよび連結部１４Ｃの上
面を平坦化する。この時点で、第１の磁性層８の上面か
ら絶縁層９Ｃおよび連結部１４Ｃの上面までの距離は、
例えば２〜４μｍとする。なお、この時点では、必ずし
も連結部１４Ｃを露出させる必要はなく、後の工程で露
出させてもよい。また、媒体対向面における絶縁層９Ａ
および絶縁層９Ｃの厚みの総和は、記録ヘッド（誘導型
電磁変換素子）のギャップ長となる。
【０１５６】次に、図４１に示したように、絶縁層９Ｃ
および連結部１４Ｃの上に、磁極部分層１４Ａを構成す
る材料よりなる被エッチング層１４Ａｅを形成する。被
エッチング層１４Ａｅの厚みは、好ましくは０．１〜
０．８μｍとし、更に好ましくは０．３〜０．８μｍと
する。被エッチング層１４Ａｅの形成方法は、電気めっ
き法でもよいし、スパッタ法でもよい。被エッチング層
１４Ａｅの表面の粗さが大きい場合（例えば、算術平均
粗さＲａが１２オングストローム以上の場合）の場合
は、化学機械研磨等によって被エッチング層１４Ａｅの
表面を研磨して平坦化することが好ましい。
【０１５７】次に、被エッチング層１４Ａｅの上に、非
磁性層１５ｅを形成する。非磁性層１５ｅの厚みは、好
ましくは０．５μｍ以下とする。
【０１５８】次に、図示しないが、非磁性層１５ｅの上
に、スパッタ法により、電気めっき法のための電極層を
形成する。この電極層の厚みは０．１μｍ以下とし、材
料は例えば鉄−ニッケル合金とする。
【０１５９】次に、図４２に示したように、フォトリソ
グラフィ技術を用いて、上記電極層の上に、感光性レジ
ストによって、磁極部分層１４Ａの形状に対応した空隙
部を有するフレーム３１を形成する。次に、このフレー
ム３１を用いて、電気めっき法（フレームめっき法）に
よって、上記電極層の上に、磁極部分層１４Ａの形状に
対応したマスク３２となるめっき膜を形成する。このめ
っき膜の厚みは１〜４μｍとし、材料は例えば鉄−ニッ
ケル合金とする。次に、フレーム３１を除去する。
【０１６０】次に、図４３に示したように、マスク３２
を用いて、イオンミリング等のドライエッチング技術に
よって、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅ
をエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１４
Ａの外形を決定する。このとき、マスク３２のうち、少
なくとも媒体対向面ＡＢＳに対応する部分は完全に除去
することが好ましいが、マスク３２が非磁性で、耐食性
等の点で信頼性が十分にあれば、この限りではない。
【０１６１】上記のエッチングにより、図３６に示した
ように、媒体対向面ＡＢＳに露出する磁極部分層１４Ａ
の面の形状を、長方形あるいは、下辺が上辺よりも小さ
い台形とする。また、上記のエッチングにより、媒体対
向面ＡＢＳにおける磁極部分層１４Ａの幅を、トラック
幅の規格に一致するように規定してもよい。媒体対向面
ＡＢＳに露出する磁極部分層１４Ａの面の形状を、下辺
が上辺よりも小さい台形とする方法としては、例えば、
エッチング方法としてイオンミリングを用いる場合に
は、イオンの照射方向を基板の面（非磁性層１５および
磁極部分層１４Ａの面）に垂直な方向に対して傾いた方
向から照射する方法が挙げられる。
【０１６２】また、上記のエッチングにより、非磁性層
１５および磁極部分層１４Ａの外形が決定されるのと同
時に、連結部１４Ｃが露出する。なお、このときに連結
部１４Ｃが露出するように、連結部１４Ｃの厚みは予め
所望の厚み以上に大きくしておく。
【０１６３】なお、上述のようにめっき膜によるマスク
３２を形成する代りに、フォトリソグラフィ技術を用い
て、非磁性層１５ｅの上に、フォトレジストによって、
磁極部分層１４Ａの形状に対応したレジストパターンを
形成してもよい。そして、このレジストパターンをマス
クとして、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａ
ｅをエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１
４Ａの外形を決定すると共に連結部１４Ｃを露出させ、
その後、レジストパターンを除去してもよい。
【０１６４】次に、図４４に示したように、フォトリソ
グラフィ技術を用いて、磁極部分層１４Ａおよび非磁性
層１５における媒体対向面ＡＢＳ側の一部を覆うように
保護層３３を形成する。保護層３３は、非磁性層１５の
上面だけではなく、媒体対向面ＡＢＳの近傍における磁
極部分層１４Ａの両側面も覆うように形成される。
【０１６５】保護層３３の材料としては、感光性レジス
トのような有機材料でもよいし、アルミナ等の無機材料
でもよい。ただし、保護層３３は後の工程で除去するこ
とが好ましいため、保護層３３の材料には、容易に除去
できる材料、例えば感光性レジストを用いることが好ま
しい。保護層３３の材料に感光性レジストを用いた場合
には、フォトリソグラフィ技術を用いて容易に磁極部分
層１４Ａの媒体対向面ＡＢＳの近傍部分にのみ保護層３
３を形成することができ、更に、溶剤を用いて容易に除
去することができる。
【０１６６】また、後の工程において、後述する電極層
３４をドライエッチングで除去する際に、電極層３４の
除去を容易にするため、図４４に示したように、保護層
３３は角が鈍った形状、例えば上面が曲面となった形状
になっているのが好ましい。保護層３３の材料に感光性
レジストを用いた場合には、フォトリソグラフィ技術を
用いてレジストパターンを形成した後に、熱等により感
光性レジストを収縮させることによって、角が鈍った形
状の保護層３３を形成することができる。この場合、使
用する感光性レジストは、熱収縮性に優れたものである
ことが好ましい。
【０１６７】また、保護層３３の材料にアルミナ等無機
材料を用いる場合には、リフトオフ法によって保護層３
３を形成することにより、角が鈍った形状の保護層３３
を形成することができる。
【０１６８】保護層３３が形成される領域は、後述する
ヨーク部分層１４Ｂを形成するためのフレーム３５が形
成される領域内に収まっているのが好ましい。また、保
護層３３の厚みはフレーム３５の厚み以下とするのが好
ましい。ここでは、一例として、保護層３３の厚みを
３．５μｍとした。
【０１６９】次に、図４５に示したように、保護層３
３、磁極部分層１４Ａ（および非磁性層１５）、絶縁層
９Ｃ（ギャップ層９）および連結部１４Ｃの上に、スパ
ッタ法により、電気めっき法のための電極層３４を形成
する。電極層３４は、例えば、下地となるＴｉ（チタ
ン）層を成膜した後に、このＴｉ層の上に、ヨーク部分
層１４Ｂと同じ材料よりなる層を成膜するすることによ
って形成される。電極層３４の厚みは、例えば０．１μ
ｍ以下とする。
【０１７０】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
電極層３４の上に、感光性レジストによって、ヨーク部
分層１４Ｂの形状に対応した空隙部を有するフレーム３
５を形成する。フレーム３５の厚みは、ヨーク部分層１
４Ｂの厚み以上であることが好ましい。また、フレーム
３５の厚みは保護層３３の厚み以上であることが好まし
い。これは、保護層３３の上に形成された電極層３４の
上にめっき層が形成されることを防止するためである。
ここでは、一例として、フレーム３５の厚みを７μｍ以
上とした。
【０１７１】次に、図４６に示したように、フレーム３
５を用いて、電気めっき法（フレームめっき法）によっ
て、電極層３４の上にヨーク部分層１４Ｂを形成する。
【０１７２】次に、図４７に示したように、溶剤を用い
てフレーム３５を剥離する。このとき、保護層３３は、
電極層３４の下にあるため、剥離されない。
【０１７３】次に、図４８に示したように、電極層３４
のうち、フレーム３５の下に存在していた不要な部分を
ドライエッチングで除去する。これにより、保護層３３
が露出する。そのため、ドライエッチングにおけるイオ
ンのエネルギーにより保護層３３の表面が硬化する場合
がある。しかし、ドライエッチング後、保護層３３の表
面を例えば酸素プラズマでアッシングすると、後の工程
で行う保護層３３の剥離が容易になる。
【０１７４】次に、図示しないが、第１の実施の形態と
同様に、ウエットエッチングによって、不要な部分のめ
っき層を除去する。すなわち、まず、フォトリソグラフ
ィー技術を用いて、ヨーク部分層１４Ｂを覆うように、
レジストによるカバーを形成する。このとき、保護層３
３はカバーによって覆われる。次に、ウエットエッチン
グにより不要な部分のめっき層を除去する。電極層３４
がめっき層と同じ材料等のエッチングされやすい材料か
らなる場合には、このウエットエッチング工程におい
て、めっき層の下に存在する電極層３４も除去すること
が可能になる。
【０１７５】次に、溶剤を用いて上記カバーを除去す
る。このとき、図４９に示したように、一緒に保護層３
３も除去される。なお、保護層３３がアルミナ等の無機
材料よりなる場合には、保護層３３は必ずしも除去しな
くてもよい。次に、図示しないが、不要な電極層３４の
うち、ウエットエッチングで除去できなかった部分、例
えば、電極層３４における下地のチタン層をドライエッ
チングにより除去する。
【０１７６】次に、図３５に示したように、第２の磁性
層１４を覆うように保護層１７を形成する。次に、保護
層１７の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基
板を切断し、媒体対向面ＡＢＳの研磨、浮上用レールの
作製等を行って、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１７７】ここで、図５０ないし図５２を参照して、
本実施の形態において、保護層３３の形状を、断面が矩
形となる形状とした場合における薄膜磁気ヘッドの製造
方法について簡単に説明する。図５０は図４４に示した
工程と同じ工程を示し、図５１は図４５に示した工程と
同じ工程を示し、図５２は図４６に示した工程と同じ工
程を示している。保護層３３の形状を、断面が矩形とな
る形状とした場合の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、保護
層３３の形状が異なること以外は、図３８ないし図４９
に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法と同様である。
【０１７８】次に、図５３および図５４を参照して、保
護層３３の形状を角が鈍った形状とした場合と、保護層
３３の形状を断面が矩形となる形状とした場合とで、保
護層３３の周囲に形成された電極層３４の除去のしやす
さに違いが生じることについて説明する。図５３は、角
が鈍った形状の保護層３３の周囲に形成された電極層３
４をイオンミリングによって除去する様子を示してい
る。図５４は、断面が矩形となる形状の保護層３３の周
囲に形成された電極層３４をイオンミリングによって除
去する様子を示している。なお、保護層３３の周囲に形
成された電極層３４の除去は、ヨーク部分層１４Ｂの形
成およびフレーム３５の除去の後に行われる。
【０１７９】図５３中および図５４中の矢印は、イオン
ミリングにおけるイオンの流れを示している。イオンの
照射角は、基板の法線に対して１０〜６０°が好まし
い。図５３および図５４では、いずれも、図における右
上から左下に向けてイオンを照射している。この場合、
図５４に示したように、保護層３３が、断面が矩形とな
る形状を有する場合には、保護層３３の左側にイオンが
当たらない部分が生じるため、保護層３３の左側面に形
成された電極層３４は除去されにくい。また、図５４に
示した場合には、保護層３３の右側面では、電極層３４
を構成する物質が保護層３３より除去された後に保護層
３３に再付着しやすい。これらのことから、図５４に示
した場合には、基板を回転させながらイオンミリングに
よって電極層３４のエッチングを行ったとしても、保護
層３３の側面に、電極層３４を構成する物質が残りやす
い。この物質は、非常に取れにくく、保護層３３を除去
した後も、バリとなって残る。
【０１８０】これに対し、図５３に示したように、保護
層３３が、角が鈍った形状を有している場合には、保護
層３３の周囲に形成された電極層３４においてイオンが
当たらない部分が生じにくいと共に、電極層３４を構成
する物質が保護層３３より除去された後に保護層３３に
再付着することも発生しにくい。従って、保護層３３の
形状を角が鈍った形状とした方が、保護層３３の周囲に
形成された電極層３４を容易に除去することが可能にな
る。図５３に示したように、保護層３３とこの保護層３
３の下地である非磁性層１５との接触位置において、保
護層３３の表面に接する平面と非磁性層１５の上面との
なす角度（保護層３３の側面と非磁性層１５の上面との
なす角度）θは、鋭角であることが好ましく、２０°〜
６０°であることがより好ましい。これによって、電極
層３４のうちの不要な部分を除去する際にバリが発生す
ることを抑制することができる。
【０１８１】次に、図５５ないし図５７を参照して、本
実施の形態において、電極層３４を形成する前に、磁極
部分層１４Ａの媒体対向面ＡＢＳ側の一部を覆うように
保護層３３を形成することによる効果について説明す
る。図５５は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法における一工程を示し、図４５に示した状態の媒
体対向面ＡＢＳにおける断面を表している。図５６は、
保護層３３を設けなかった場合における薄膜磁気ヘッド
の製造方法における一工程を示し、図５５と同様の状態
の媒体対向面ＡＢＳにおける断面を表している。
【０１８２】図５６に示したように、保護層３３を設け
なかった場合には、媒体対向面ＡＢＳの近傍において、
電極層３４は、非磁性層１５の上面および磁極部分層１
４Ａの両側面を覆うように形成される。ヨーク部分層１
４Ｂの形成後、不要な電極層３４は除去される。その
際、非磁性層１５が変形し、場合によっては、更に磁極
部分層１４Ａが変形したり、磁極部分層１４Ａがダメー
ジを受けて特性が劣化したりする。また、磁極部分層１
４Ａの両側面に形成された電極層３４を除去するのは難
しく、磁極部分層１４Ａの両側面に電極層３４が残りや
すい。特に、図５６に示したように、媒体対向面ＡＢＳ
に露出する磁極部分層１４Ａの面の形状が、下辺が上辺
よりも小さい台形の場合には、磁極部分層１４Ａの両側
面に形成された電極層３４を除去するのは極めて困難で
ある。そのため、最終的に得られる薄膜磁気ヘッドにお
ける媒体対向面ＡＢＳは、図５７に示したようになる。
図５７に示したように、磁極部分層１４Ａの両側面に電
極層３４が残ると、この電極層３４からも磁束が記録媒
体に流れるため、実効的なトラック幅が大きくなってし
まい、トラック幅の縮小が困難になる。
【０１８３】これに対し、本実施の形態によれば、図５
５に示したように、電極層３４を形成する前に、磁極部
分層１４Ａの媒体対向面ＡＢＳ側の一部を覆うように保
護層３３を形成するようにしたので、ヨーク部分層１４
Ｂの形成後、電極層３４のうちの不要な部分を除去する
際に、磁極部分層１４Ａが変形したりダメージを受けた
りすることを防止することができると共に、電極層３４
によって実効的なトラック幅が大きくなることを防止す
ることができる。また、本実施の形態によれば、媒体対
向面ＡＢＳにおける磁極部分層１４Ａの両側には、磁束
の漏れを生じさせる電極層３４が存在しないので、良好
なトラックプロファイルを形成することができる。
【０１８４】また、特に媒体対向面ＡＢＳにおける磁極
部分層１４Ａの幅が０．３μｍ以下の場合には、比較例
のように磁極部分層１４Ａの両側面に形成された電極層
３４をドライエッチングによって除去すると、磁極部分
層１４Ａの幅や形状のばらつきが大きくなる。これに対
し、本実施の形態によれば、磁極部分層１４Ａのうち、
媒体対向面ＡＢＳの近傍の部分の両側面には電極層３４
が形成されないので、電極層３４を除去することによる
磁極部分層１４Ａの幅や形状のばらつきは発生しない。
【０１８５】ところで、本実施の形態において、図５８
に示したように、保護層３３はヨーク部分層１４Ｂの媒
体対向面ＡＢＳ側の端部の位置を規定するようにしても
よい。図５８は、図４６に示した工程と同じ工程を示す
断面図である。図５８に示した工程では、保護層３３の
ヨーク部分層１４Ｂ側の端部を、電極層３４を介してヨ
ーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部と対向す
る位置に配置している。また、図５８に示した工程で
は、保護層３３のヨーク部分層１４Ｂ側の端部のうち少
なくともヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端
部と対向する部分が、基板の面に垂直な面となるよう
に、保護層３３を形成している。
【０１８６】図５８に示したように、保護層３３によっ
てヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部の位
置を規定する場合には、フレーム３５によってヨーク部
分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部の位置を規定す
る場合に比べて、ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢ
Ｓ側の端部の位置を精度よく規定することが可能にな
る。その理由は、第１の実施の形態において説明した通
りである。
【０１８７】また、本実施の形態では、磁極部分層１４
Ａを形成する工程は、ギャップ層９および連結部１４Ｃ
の上に、磁極部分層１４Ａを構成する材料よりなる被エ
ッチング層１４Ａｅを形成する工程と、被エッチング層
１４Ａｅをドライエッチングによって選択的にエッチン
グして、磁極部分層１４Ａの外形を決定すると共に連結
部１４Ｃを露出させる工程とを含む。本実施の形態で
は、被エッチング層１４Ａｅをドライエッチングするこ
とによって、磁極部分層１４Ａの後端面から連結部１４
Ｃの上端部にかけて緩やかな傾斜を持つように、ヨーク
部分層１４Ｂの下地の形状が決定される。従って、この
下地の上にヨーク部分層１４Ｂを形成することにより、
連結部１４Ｃと磁極部分層１４Ａとの間を最短距離で結
ぶ磁気経路を形成することが可能になる。
【０１８８】また、本実施の形態において、被エッチン
グ層１４Ａｅを形成する工程の後で、研磨により、被エ
ッチング層１４Ａｅの上面を平坦化した場合には、媒体
対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギャップ層
９とは反対側の端部を完全に平坦化することができる。
これにより、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部分層１４
Ａより発生される磁界を、トラックに交差する方向につ
いて均一化することができ、その結果、記録媒体におけ
るビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録密度を向
上させることができる。
【０１８９】また、本実施の形態では、被エッチング層
１４Ａｅを形成する工程の前に、研磨により、被エッチ
ング層１４Ａｅの下地となる絶縁層９Ｃおよび連結部１
４Ｃの上面を平坦化している。これにより、媒体対向面
ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の
端部を平坦化することができる。また、被エッチング層
１４Ａｅをスパッタ法によって形成する場合には、被エ
ッチング層１４Ａｅの成膜時の膜厚均一性がよいため、
媒体対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギャッ
プ層９とは反対側の端部も平坦化することができる。こ
れらのことから、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部分層
１４Ａより発生される磁界を、トラックに交差する方向
について均一化することができ、その結果、記録媒体に
おけるビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録密度
を向上させることができる。
【０１９０】また、本実施の形態において、磁極部分層
１４Ａを形成する工程は、被エッチング層１４Ａｅを形
成し、被エッチング層１４Ａｅの上に非磁性層１５ｅを
形成し、非磁性層１５ｅの上に、磁極部分層１４Ａの形
状に対応したマスク３２を形成し、このマスク３２を用
いて、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅを
エッチングして、磁極部分層１４Ａの外形を決定してい
る。従って、本実施の形態によれば、被エッチング層１
４Ａｅの上面を非磁性層１５ｅで保護した状態で磁極部
分層１４Ａの外形を決定でき、磁極部分層１４Ａの後端
面および幅方向の両側面と磁極部分層１４Ａの非磁性層
１５側の面とが交差するエッジを保護することができる
と共に、媒体対向面において磁極部分層１４Ａのギャッ
プ層９とは反対側の端部の平坦性を維持することができ
る。
【０１９１】また、本実施の形態において、ドライエッ
チングに対する耐性に優れたマスク３２を用いた場合に
は、磁極部分層１４Ａを構成する材料がドライエッチン
グに対する耐性に優れている場合でも、マスク３２を用
いたドライエッチングによって磁極部分層１４Ａの外形
を決定することが可能になる。
【０１９２】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は第１の実施の形態と同様である。
【０１９３】［第４の実施の形態］次に、本発明の第４
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について
説明する。始めに、図５９を参照して、本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法が適用される薄膜磁気ヘ
ッドの構成について説明する。本実施の形態における薄
膜磁気ヘッドは、第３の実施の形態と同様に垂直磁気記
録方式に適したものである。図５９は本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図
５９は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示して
いる。また、図５９において記号Ｔで示す矢印は、記録
媒体の進行方向を表している。
【０１９４】本実施の形態における薄膜磁気ヘッドで
は、第２の磁性層１４の構成が第３の実施の形態と異な
っている。本実施の形態では、第２の磁性層１４は、磁
極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとを有し、第３の
実施の形態における連結部１４Ｃを有していない。ヨー
ク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａと第１の磁性層８
とを磁気的に連結する。ヨーク部分層１４Ｂは、第１の
磁性層８と磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面とに
接し、これらに対して磁気的に接続された第１層１４Ｂ
1と、この第１層１４Ｂ1と磁極部分層１４Ａの後端面お
よび幅方向の両側面とに接し、これらに対して磁気的に
接続された第２層１４Ｂ2とを含んでいる。
【０１９５】ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1は、
コンタクトホール９ａが形成された位置から媒体対向面
ＡＢＳに向けて、絶縁層９Ｃの媒体対向面ＡＢＳとは反
対側の端面の位置まで、第１の磁性層８および絶縁層９
Ｂの上に形成されている。コンタクトホール９ａの位置
における第１層１４Ｂ1の厚みは、絶縁層９Ａと絶縁層
９Ｂの合計の厚みより大きく、例えば３μｍ以上であ
る。第１層１４Ｂ1の媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒
体対向面ＡＢＳから例えば１．５μｍ以上離れた位置で
あって、磁極部分層１４Ａの後端面よりは媒体対向面Ａ
ＢＳに近い位置に配置されている。第１層１４Ｂ1を構
成する磁性材料は、例えば鉄−ニッケル系合金すなわち
パーマロイでもよいし、高飽和磁束密度材でもよい。
【０１９６】ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1にお
ける媒体対向面ＡＢＳ側の一部および絶縁層９Ｃの上面
は平坦化されている。磁極部分層１４Ａは、この平坦化
された第１層１４Ｂ1および絶縁層９Ｃの上面の上に形
成されている。従って、ヨーク部分層１４Ｂの第１層１
４Ｂ1は、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面の一
部に接し、これに対し磁気的に接続されている。
【０１９７】ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ2は、
第１層１４Ｂ1および非磁性層１５の上に配置されてい
る。第２層１４Ｂ2は、第１層１４Ｂ1と磁極部分層１４
Ａの後端面および幅方向の両側面とに接し、これらに対
して磁気的に接続されている。また、第２層１４Ｂ2の
媒体対向面ＡＢＳ側の一部は、非磁性層１５を介して磁
極部分層１４Ａの上面に隣接し、非磁性層１５を介して
磁極部分層１４Ａに磁気的に接続されている。ヨーク部
分層１４Ｂの第２層１４Ｂ2の厚みは、例えば０．５〜
２μｍである。第２層１４Ｂ2を構成する磁性材料は、
例えば鉄−ニッケル系合金すなわちパーマロイでもよい
し、高飽和磁束密度材でもよい。
【０１９８】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのその
他の構成は、第３の実施の形態と同様である。
【０１９９】次に、図６０ないし図６４を参照して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。なお、図６０ないし図６４では、基板１ないし
非磁性層７を省略している。本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法では、図６０に示したように、絶縁
層９Ｂを形成する工程までは、第３の実施の形態と同様
である。
【０２００】本実施の形態では、次に、周知のフォトリ
ソグラフィ技術および成膜技術（例えば電気めっき法）
を用いて、コンタクトホール９ａが形成された位置から
媒体対向面ＡＢＳに向けて所定の位置まで、第１の磁性
層８および絶縁層９Ｂの上にヨーク部分層１４Ｂの第１
層１４Ｂ1を形成する。この時点で、第１層１４Ｂ1の形
状は、例えば、厚みが３μｍ以上、奥行き（媒体対向面
ＡＢＳに垂直な方向の長さ）が２〜１０μｍ、幅が５〜
２０μｍである。
【０２０１】次に、図６１に示したように、スパッタ法
を用いて、絶縁層９Ａ、絶縁層９Ｂおよびヨーク部分層
１４Ｂの第１層１４Ｂ1を覆うように絶縁層９Ｃを形成
する。この時点で、絶縁層９Ｃの厚みは、第１層１４Ｂ
1の厚み以上とする。
【０２０２】次に、図６２に示したように、例えば化学
機械研磨を用いて、ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ
1が露出するまで絶縁層９Ｃの表面を研磨して、絶縁層
９Ｃおよび第１層１４Ｂ1の上面を平坦化する。この時
点で、第１の磁性層８の上面から絶縁層９Ｃの上面まで
の距離は、例えば３〜６μｍとする。
【０２０３】次に、図６３に示したように、絶縁層９Ｃ
および第１層１４Ｂ1の上に、第３の実施の形態と同様
の被エッチング層１４Ａｅおよび非磁性層１５ｅを順に
形成する。
【０２０４】本実施の形態におけるその後の工程は、第
３の実施の形態における図４２ないし図４９に示した工
程と同様である。すなわち、非磁性層１５ｅおよび被エ
ッチング層１４Ａｅをエッチングして、非磁性層１５お
よび磁極部分層１４Ａの外形を決定した後、磁極部分層
１４Ａおよび非磁性層１５における媒体対向面ＡＢＳ側
の一部を覆うように保護層３３を形成する。次に、電極
層３４、フレーム３５を順に形成し、図６４に示したよ
うに、フレーム３５を用いて、電気めっき法（フレーム
めっき法）によって、電極層３４の上にヨーク部分層１
４Ｂを形成する。その後、フレーム３５を剥離し、不要
な電極層３４と保護層３３を除去する。次に、図５９に
示したように、第２の磁性層１４を覆うように保護層１
７を形成する。次に、保護層１７の上に配線や端子等を
形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面ＡＢ
Ｓの研磨、浮上用レールの作製等を行って、薄膜磁気ヘ
ッドが完成する。
【０２０５】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は第１の実施の形態と同様である。
【０２０６】なお、本発明は上記各実施の形態に限定さ
れず、種々の変更が可能である。例えば、第３および第
４の実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂは磁極部分層
１４Ａの上面、後端面および幅方向の両側面に磁気的に
接続されているが、ヨーク部分層１４Ｂは磁極部分層１
４Ａの後端面と幅方向の両側面のうち、いずれか一方に
のみ磁気的に接続されていてもよい。
【０２０７】また、本発明の技術は、電気めっき法によ
ってヨーク部分層を形成する場合に限らず、電気めっき
法によって他の層を形成する場合にも応用することがで
きる。例えば、ＭＲ素子を形成した後に、ＭＲ素子に接
続されるリード層を電気めっき法で形成する場合には、
めっき用の電極層を形成する前に、ＭＲ素子の少なくと
も一部を覆うように保護層を形成することが考えられ
る。以下、図６５を参照して、この例について説明す
る。図６５は、ＭＲ素子５の周辺部分を示す平面図であ
る。この例では、下部シールド層３の上に絶縁層４を介
してＭＲ素子５が形成されている。ＭＲ素子５の形成後
には、ＭＲ素子５にバイアス磁界を印加するバイアス磁
界印加層を兼ねた２つの第１のリード層７１が形成され
る。第１のリード層７１の一端部はＭＲ素子５に接続さ
れる。第１のリード層７１の形成後には、各第１のリー
ド層７１における他端部近傍の領域に、それぞれ、例え
ば銅よりなる第２のリード層７２が電気めっき法によっ
て形成される。この第２のリード層７２を電気めっき法
によって形成するための電極層を形成する前に、ＭＲ素
子５を覆うように保護層７３を形成すれば、第２のリー
ド層７２の形成後に、不要な電極層を除去する際に、Ｍ
Ｒ素子５が変形したりダメージを受けたりすることを防
止することができる。
【０２０８】同様に、薄膜コイルの形成後に、薄膜コイ
ルに接続されるリード層を電気めっき法で形成する場合
には、めっき用の電極層を形成する前に、薄膜コイルの
少なくとも一部を覆うように保護層を形成することが考
えられる。これにより、リード層の形成後に、不要な電
極層を除去する際に、薄膜コイルが変形したりダメージ
を受けたりすることを防止することができる。
【０２０９】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし１
０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、電気めっき法によってヨーク部分層を形成する際に
電極として用いられる電極層を形成する前に、磁極部分
層の一端部側の一部を覆うように保護層を形成するよう
にしたので、ヨーク部分層の形成後、電極層のうちの不
要な部分を除去する際に、磁極部分層が変形したりダメ
ージを受けたりすることを防止できると共に、電極層に
よって実効的なトラック幅が大きくなることを防止でき
るという効果を奏する。
【０２１０】また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、保護層は感光性レジストによって形成
されるので、保護層を容易に除去することが可能になる
という効果を奏する。
【０２１１】また、請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、保護層とこの保護層の下地との接触位
置において、保護層の表面に接する平面と下地の上面と
のなす角度は鋭角であるので、電極層のうちの不要な部
分を除去する際にバリが発生することを抑制することが
できるという効果を奏する。
【０２１２】また、請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、保護層は角が鈍った形状になっている
ので、保護層の上に形成された電極層を容易に除去する
ことが可能になるという効果を奏する。
【０２１３】また、請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、保護層はヨーク部分層の媒体対向面
側の端部の位置を規定しているので、ヨーク部分層の媒
体対向面側の端部の位置を精度よく規定することが可能
になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における薄膜磁気ヘ
ッドの構成を示す断面図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を示
す正面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図４】図３に続く工程を示す断面図である。
【図５】図４に続く工程を示す断面図である。
【図６】図５に続く工程を示す断面図である。
【図７】図６に続く工程を示す断面図である。
【図８】図７に続く工程を示す断面図である。
【図９】図８に続く工程を示す断面図である。
【図１０】図９に続く工程を示す断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を示す断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に対する比較例の
薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図
である。
【図１４】図１３に続く工程を示す断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を示す断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を示す断面図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に対する変形例の
薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図
である。
【図１８】保護層を形成しない場合における電極層の除
去後の磁極部分層の上面の状態を示す説明図である。
【図１９】保護層を形成した場合における電極層の除去
後の磁極部分層の上面の状態を示す説明図である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの構成を示す断面図である。
【図２１】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図２２】図２１に続く工程を示す断面図である。
【図２３】図２２に続く工程を示す断面図である。
【図２４】図２３に続く工程を示す断面図である。
【図２５】図２４に続く工程を示す断面図である。
【図２６】図２５に続く工程を示す断面図である。
【図２７】図２６に続く工程を示す断面図である。
【図２８】図２７に続く工程を示す断面図である。
【図２９】図２２に示した状態を表す斜視図である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態に対する比較例の
薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図
である。
【図３１】図３０に続く工程を示す断面図である。
【図３２】図３１に続く工程を示す断面図である。
【図３３】図３２に続く工程を示す断面図である。
【図３４】図３３に続く工程を示す断面図である。
【図３５】本発明の第３の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの構成を示す断面図である。
【図３６】図３５に示した薄膜磁気ヘッドの媒体対向面
を示す正面図である。
【図３７】図３５に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す
斜視図である。
【図３８】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図３９】図３８に続く工程を示す断面図である。
【図４０】図３９に続く工程を示す断面図である。
【図４１】図４０に続く工程を示す断面図である。
【図４２】図４１に続く工程を示す断面図である。
【図４３】図４２に続く工程を示す断面図である。
【図４４】図４３に続く工程を示す断面図である。
【図４５】図４４に続く工程を示す断面図である。
【図４６】図４５に続く工程を示す断面図である。
【図４７】図４６に続く工程を示す断面図である。
【図４８】図４７に続く工程を示す断面図である。
【図４９】図４８に続く工程を示す断面図である。
【図５０】本発明の第３の実施の形態に対する比較例の
薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図
である。
【図５１】図５０に続く工程を示す断面図である。
【図５２】図５１に続く工程を示す断面図である。
【図５３】角が鈍った形状の保護層の上に形成された電
極層をイオンミリングによって除去する様子を示す説明
図である。
【図５４】断面が矩形となる形状の保護層の上に形成さ
れた電極層をイオンミリングによって除去する様子を示
す説明図である。
【図５５】図４５に示した状態の媒体対向面における断
面を表す断面図である。
【図５６】保護層を設けなかった場合における薄膜磁気
ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図５７】保護層を設けなかった場合に得られる薄膜磁
気ヘッドにおける媒体対向面を示す正面図である。
【図５８】本発明の第３の実施の形態に対する変形例の
薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図
である。
【図５９】本発明の第４の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの構成を示す断面図である。
【図６０】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図６１】図６０に続く工程を示す断面図である。
【図６２】図６１に続く工程を示す断面図である。
【図６３】図６２に続く工程を示す断面図である。
【図６４】図６３に続く工程を示す断面図である。
【図６５】本発明の技術を応用して形成されたＭＲ素子
の周辺部分を示す平面図である。
【符号の説明】
３…下部シールド層、４…絶縁層、５…ＭＲ素子、６…
上部シールド層、７…非磁性層、８…第１の磁性層、９
…ギャップ層、１０…薄膜コイル、１４…第２の磁性
層、１４Ａ…磁極部分層、１４Ｂ…ヨーク部分層、１４
Ｃ…連結部、３３…保護層、３４…電極層、３５…フレ
ーム。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記録媒体に対向する媒体対向面と、前記
    記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生させるコイ
    ルと、トラック幅を規定し、前記コイルによって発生さ
    れた磁界に対応する磁束を通過させると共に、前記情報
    を前記記録媒体に記録するための磁界を発生させる磁性
    層とを備え、前記磁性層は、前記媒体対向面に露出する
    一端部を含み、前記情報を前記記録媒体に記録するため
    の磁界を前記一端部より発生させると共に、前記一端部
    の幅がトラック幅を規定する磁極部分層と、前記媒体対
    向面に露出せず、前記磁極部分層に対して磁気的に接続
    され、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁
    束を前記磁極部分層に導くヨーク部分層とを有する薄膜
    磁気ヘッドの製造方法であって、 前記コイルを形成する工程と、前記磁性層を形成する工
    程とを備え、 前記磁性層を形成する工程は、 前記磁極部分層を形成する工程と、 前記磁極部分層の前記一端部側の一部を覆うように保護
    層を形成する工程と、 電気めっき法によって前記ヨーク部分層を形成する際に
    電極として用いられる電極層を、前記磁極部分層および
    前記保護層を覆うように形成する工程と、 前記電極層を電極として用い、前記電極層の上に、電気
    めっき法によって前記ヨーク部分層を形成する工程と、 前記電極層の不要な部分を除去する工程とを含むことを
    特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項２】 前記ヨーク部分層は、前記磁極部分層の
    上面の一部において、前記磁極部分層に対して磁気的に
    接続されることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記磁性層を形成する工程は、更に、前
    記磁極部分層を形成する工程と前記保護層を形成する工
    程との間において、前記磁極部分層の周囲に非磁性層を
    形成する工程と、前記非磁性層を研磨して、前記磁極部
    分層の上面のうち少なくとも前記ヨーク部分層が磁気的
    に接続される部分を、前記非磁性層の上面と共に平坦化
    する工程とを含むことを特徴とする請求項２記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  4. 【請求項４】 前記ヨーク部分層は、前記磁極部分層の
    媒体対向面とは反対側の端面および幅方向の両側面のう
    ちの少なくとも一部において、前記磁極部分層に対して
    磁気的に接続されることを特徴とする請求項１記載の薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  5. 【請求項５】 前記磁性層を形成する工程は、更に、前
    記電極層の不要な部分を除去する工程の後で前記保護層
    を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし
    ４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記電極層の不要な部分を除去する工程
    は、ドライエッチングによって電極層の不要な部分を除
    去することを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記保護層は、感光性レジストによって
    形成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれ
    かに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記保護層とこの保護層の下地との接触
    位置において、前記保護層の表面に接する平面と前記下
    地の上面とのなす角度は鋭角であることを特徴とする請
    求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  9. 【請求項９】 前記保護層は、角が鈍った形状を有する
    ことを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記保護層は、前記ヨーク部分層の媒
    体対向面側の端部の位置を規定することを特徴とする請
    求項１ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
JP2001142686A 2000-11-10 2001-05-14 薄膜磁気ヘッドの製造方法 Withdrawn JP2002208115A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7436628B2 (en) 2004-03-31 2008-10-14 Tdk Corporation Perpendicular magnetic recording head for reducing the width of magnetization reversal between recording patterns on a recording medium and method of manufacturing the same

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4084008B2 (ja) * 2001-08-03 2008-04-30 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法、並びに磁気ディスク装置
JP2005018836A (ja) * 2003-06-23 2005-01-20 Hitachi Ltd 磁気ヘッド及びその製造方法
US7281316B2 (en) * 2004-02-23 2007-10-16 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular pole structure and method of fabricating the same
US7469467B2 (en) * 2004-04-30 2008-12-30 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of manufacturing a perpendicular write head
JP3949149B2 (ja) * 2004-11-08 2007-07-25 Ｔｄｋ株式会社 垂直磁気記録ヘッドおよび磁気記録装置
US7576951B2 (en) * 2006-04-25 2009-08-18 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular magnetic write head having a magnetic write pole with a concave trailing edge
US8179636B1 (en) 2008-03-05 2012-05-15 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a perpendicular magnetic recording writer
US8066893B2 (en) * 2008-12-23 2011-11-29 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for creating a magnetic write pole having a stepped perpendicular pole via CMP-assisted liftoff

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5141623A (en) * 1990-02-15 1992-08-25 Seagate Technology, Inc. Method for aligning pole tips in a thin film head
US5285340A (en) * 1992-02-28 1994-02-08 International Business Machines Corporation Thin film magnetic head with conformable pole tips
US5901431A (en) * 1995-06-07 1999-05-11 International Business Machines Corporation Method of fabricating a thin film inductive head having a second pole piece having a mushroom yoke portion
US5516418A (en) * 1995-06-26 1996-05-14 International Business Machines Corporation Patterned electroplating
JP3367877B2 (ja) 1997-09-29 2003-01-20 株式会社日立製作所 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP2000057522A (ja) 1998-08-06 2000-02-25 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US6337783B1 (en) 1998-08-12 2002-01-08 International Business Machines Corporation Write head with multi-stitched second pole piece

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7436628B2 (en) 2004-03-31 2008-10-14 Tdk Corporation Perpendicular magnetic recording head for reducing the width of magnetization reversal between recording patterns on a recording medium and method of manufacturing the same

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