JP2000099916A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘導書き込みヘッド素子の上部副磁極の厚み
を正確に設定することができる薄膜磁気ヘッドの製造方
法を提供する。 【解決手段】 下部磁極層２９上にギャップ層３１を成
膜する。ギャップ層３１上に、上部磁極小片３８となる
磁性膜と、非磁性膜４７となる非磁性膜とを形成する。
その後、上部磁極小片３８をマスクに用いて、下部磁極
層２９から下部磁極小片３７を削り出す。続いて、非磁
性膜４７を完全に覆うように下部磁極層２９表面に非磁
性絶縁膜を成膜する。非磁性絶縁膜に平坦化研摩を施
し、非磁性膜４７を露出させる。露出した非磁性膜４７
を除去し上部磁極小片３８を露出させる。平坦研摩の際
に上部磁極小片３８が削られることはなく、上部副磁極
の厚みを正確に設定することに寄与することができる。
を正確に設定することができる薄膜磁気ヘッドの製造方
法を提供する。 【解決手段】 下部磁極層２９上にギャップ層３１を成
膜する。ギャップ層３１上に、上部磁極小片３８となる
磁性膜と、非磁性膜４７となる非磁性膜とを形成する。
その後、上部磁極小片３８をマスクに用いて、下部磁極
層２９から下部磁極小片３７を削り出す。続いて、非磁
性膜４７を完全に覆うように下部磁極層２９表面に非磁
性絶縁膜を成膜する。非磁性絶縁膜に平坦化研摩を施
し、非磁性膜４７を露出させる。露出した非磁性膜４７
を除去し上部磁極小片３８を露出させる。平坦研摩の際
に上部磁極小片３８が削られることはなく、上部副磁極
の厚みを正確に設定することに寄与することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
や磁気テープ装置に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関し、特に、誘導書き込みヘッド素子の下部磁極層
と、下部磁極層上に形成されるギャップ層と、ギャップ
層を挟んで下部磁極層に対向する幅狭の上部副磁極とを
備える薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
や磁気テープ装置に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関し、特に、誘導書き込みヘッド素子の下部磁極層
と、下部磁極層上に形成されるギャップ層と、ギャップ
層を挟んで下部磁極層に対向する幅狭の上部副磁極とを
備える薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドに用いられる誘導書き込
みヘッド素子では、コイルパターンで生成された起磁力
が上部磁極層および下部磁極層に案内される。記録媒体
に対向する上部磁極層および下部磁極層の先端では、案
内された起磁力がギャップ層を迂回して記録媒体に向か
って漏れ出す。この漏れ出した起磁力によって記録媒体
に情報が書き込まれる。したがって、記録媒体上の記録
トラック幅は、記録媒体に対向する上部磁極層および下
部磁極層の先端幅によって決定される。
みヘッド素子では、コイルパターンで生成された起磁力
が上部磁極層および下部磁極層に案内される。記録媒体
に対向する上部磁極層および下部磁極層の先端では、案
内された起磁力がギャップ層を迂回して記録媒体に向か
って漏れ出す。この漏れ出した起磁力によって記録媒体
に情報が書き込まれる。したがって、記録媒体上の記録
トラック幅は、記録媒体に対向する上部磁極層および下
部磁極層の先端幅によって決定される。
【０００３】近年、上部磁極層の先端で、ギャップ層を
挟んで下部磁極層に対向する幅狭の上部副磁極を形成す
ることが試みられている。こうした幅狭の上部副磁極を
用いれば、記録媒体上の記録トラック幅を狭めることが
でき、したがって、記録媒体に対する記録トラック密度
すなわち面記録密度を高めることができる。
挟んで下部磁極層に対向する幅狭の上部副磁極を形成す
ることが試みられている。こうした幅狭の上部副磁極を
用いれば、記録媒体上の記録トラック幅を狭めることが
でき、したがって、記録媒体に対する記録トラック密度
すなわち面記録密度を高めることができる。
【０００４】こうした上部副磁極を形成するには、例え
ば特開平９−２７０１０５号公報に記載されるように、
コイルパターンの形成に先立って、上部磁極層とは別個
に磁極先端で上部磁極小片を形成すればよい。コイルパ
ターンが形成される以前に平坦なギャップ層上に上部磁
極小片を成膜すれば、フォトレジストを厚くつける必要
がなく、上部磁極小片の磁極幅を狭めることができる。
この上部磁極小片上に上部磁極層が積層されれば、幅狭
の上部副磁極を備える誘導書き込みヘッド素子を提供す
ることができるのである。
ば特開平９−２７０１０５号公報に記載されるように、
コイルパターンの形成に先立って、上部磁極層とは別個
に磁極先端で上部磁極小片を形成すればよい。コイルパ
ターンが形成される以前に平坦なギャップ層上に上部磁
極小片を成膜すれば、フォトレジストを厚くつける必要
がなく、上部磁極小片の磁極幅を狭めることができる。
この上部磁極小片上に上部磁極層が積層されれば、幅狭
の上部副磁極を備える誘導書き込みヘッド素子を提供す
ることができるのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記誘導書
き込みヘッド素子では、記録トラック方向に沿った上部
副磁極の厚みが一定の範囲に収められることが望まし
い。例えば、上部副磁極の厚みが薄すぎると、上部副磁
極から記録トラック幅方向に張り出す上部磁極層によっ
て記録にじみが生じてしまう。したがって、期待通りに
記録トラック密度を高めることができなくなってしま
う。その一方で、上部副磁極の厚みが厚すぎると、記録
磁界強度が低下してしまい、記録媒体に情報を書き込む
ことができなくなってしまう。
き込みヘッド素子では、記録トラック方向に沿った上部
副磁極の厚みが一定の範囲に収められることが望まし
い。例えば、上部副磁極の厚みが薄すぎると、上部副磁
極から記録トラック幅方向に張り出す上部磁極層によっ
て記録にじみが生じてしまう。したがって、期待通りに
記録トラック密度を高めることができなくなってしま
う。その一方で、上部副磁極の厚みが厚すぎると、記録
磁界強度が低下してしまい、記録媒体に情報を書き込む
ことができなくなってしまう。
【０００６】前記公報記載の製造方法では、コイルパタ
ーンを形成するに先立って、上部磁極小片を非磁性絶縁
膜で覆い、非磁性絶縁膜の表面を平坦化研摩しなければ
ならない。この平坦化研摩によれば、非磁性絶縁膜の表
面に面一に上部磁極小片が露出する。露出した上部磁極
小片上に上部磁極層が積層されることから、平坦化研摩
の研摩量に応じて上部副磁極の厚みは変化してしまう。
しかしながら、この平坦化研摩にあたって上部磁極小片
の厚みを正確に制御することは容易でない。
ーンを形成するに先立って、上部磁極小片を非磁性絶縁
膜で覆い、非磁性絶縁膜の表面を平坦化研摩しなければ
ならない。この平坦化研摩によれば、非磁性絶縁膜の表
面に面一に上部磁極小片が露出する。露出した上部磁極
小片上に上部磁極層が積層されることから、平坦化研摩
の研摩量に応じて上部副磁極の厚みは変化してしまう。
しかしながら、この平坦化研摩にあたって上部磁極小片
の厚みを正確に制御することは容易でない。
【０００７】本発明は、上記実状に鑑みてなされたもの
で、誘導書き込みヘッド素子の上部副磁極の厚みを正確
に設定することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することを目的とする。
で、誘導書き込みヘッド素子の上部副磁極の厚みを正確
に設定することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、誘導書き込みヘッド素子の下部磁
極層を形成する工程と、下部磁極層上にギャップ層を形
成する工程と、ギャップ層上に上部磁極小片を形成する
工程と、上部磁極小片上に非磁性膜を形成する工程と、
上部磁極小片および非磁性膜を覆う非磁性絶縁膜を形成
する工程と、非磁性絶縁膜を平坦化処理して非磁性膜を
露出させる工程と、露出した非磁性膜を除去して上部磁
極小片を露出させる工程と、露出した上部磁極小片上に
上部磁極パターンを形成する工程とを備えることを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
に、本発明によれば、誘導書き込みヘッド素子の下部磁
極層を形成する工程と、下部磁極層上にギャップ層を形
成する工程と、ギャップ層上に上部磁極小片を形成する
工程と、上部磁極小片上に非磁性膜を形成する工程と、
上部磁極小片および非磁性膜を覆う非磁性絶縁膜を形成
する工程と、非磁性絶縁膜を平坦化処理して非磁性膜を
露出させる工程と、露出した非磁性膜を除去して上部磁
極小片を露出させる工程と、露出した上部磁極小片上に
上部磁極パターンを形成する工程とを備えることを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【０００９】例えば平坦化処理にＣＭＰ（化学的機械研
摩）を用いる場合、研摩負荷を観察することによって非
磁性膜が露出した時点で研摩処理を終了させることがで
きる。そういった技術は既に確立されている。こうして
非磁性膜が露出した時点で確実に研摩処理を終了させる
ことができれば、平坦化研摩の研摩量を確実に制御する
ことができるのである。除去された非磁性膜に代えて上
部磁極パターンが上部磁極小片上に形成されれば、上部
磁極パターンの一部と上部磁極小片との協働によって上
部副磁極が構成されることとなる。したがって、非磁性
膜および上部磁極小片の厚みがしっかりと管理されてい
れば、所望の厚みの上部副磁極を簡単に提供することが
できるのである。
摩）を用いる場合、研摩負荷を観察することによって非
磁性膜が露出した時点で研摩処理を終了させることがで
きる。そういった技術は既に確立されている。こうして
非磁性膜が露出した時点で確実に研摩処理を終了させる
ことができれば、平坦化研摩の研摩量を確実に制御する
ことができるのである。除去された非磁性膜に代えて上
部磁極パターンが上部磁極小片上に形成されれば、上部
磁極パターンの一部と上部磁極小片との協働によって上
部副磁極が構成されることとなる。したがって、非磁性
膜および上部磁極小片の厚みがしっかりと管理されてい
れば、所望の厚みの上部副磁極を簡単に提供することが
できるのである。
【００１０】こうした製造方法によれば、誘導書き込み
ヘッド素子の下部磁極層と、下部磁極層上に形成される
ギャップ層と、ギャップ層上に形成される上部磁極小片
と、上部磁極小片を囲み、上部磁極小片の表面を底面と
する窪みを形成する非磁性絶縁膜と、上部磁極小片に接
続される上部磁極パターンとを備える薄膜磁気ヘッドが
提供される。かかる薄膜磁気ヘッドによれば、例えば窪
みの深さを大きく取ることができれば、上部磁極小片上
に重ねられる上部磁極パターンを完全に窪みの中に収容
させることもできる。その結果、上部磁極パターンが上
部磁極小片から記録トラック幅方向に張り出すことを阻
止することができるのである。こうした上部磁極パター
ンの張り出しは記録にじみを生じさせたり記録磁界強度
を弱めたりすると考えられる。
ヘッド素子の下部磁極層と、下部磁極層上に形成される
ギャップ層と、ギャップ層上に形成される上部磁極小片
と、上部磁極小片を囲み、上部磁極小片の表面を底面と
する窪みを形成する非磁性絶縁膜と、上部磁極小片に接
続される上部磁極パターンとを備える薄膜磁気ヘッドが
提供される。かかる薄膜磁気ヘッドによれば、例えば窪
みの深さを大きく取ることができれば、上部磁極小片上
に重ねられる上部磁極パターンを完全に窪みの中に収容
させることもできる。その結果、上部磁極パターンが上
部磁極小片から記録トラック幅方向に張り出すことを阻
止することができるのである。こうした上部磁極パター
ンの張り出しは記録にじみを生じさせたり記録磁界強度
を弱めたりすると考えられる。
【００１１】ギャップ層が形成される下部磁極層表面に
は、例えば、その表面から盛り上がる段差付き下部磁極
小片が形成されてもよい。こうした下部磁極小片によれ
ば、磁極幅の狭い上部磁極小片および下部磁極小片同士
によって書き込みギャップが形成され、その結果、膨ら
みのない幅狭な漏れ磁界を形成することができる。こう
した幅狭な漏れ磁界が記録媒体に作用すれば、記録媒体
上の記録トラック幅を狭めることができるのである。
は、例えば、その表面から盛り上がる段差付き下部磁極
小片が形成されてもよい。こうした下部磁極小片によれ
ば、磁極幅の狭い上部磁極小片および下部磁極小片同士
によって書き込みギャップが形成され、その結果、膨ら
みのない幅狭な漏れ磁界を形成することができる。こう
した幅狭な漏れ磁界が記録媒体に作用すれば、記録媒体
上の記録トラック幅を狭めることができるのである。
【００１２】こうした下部磁極小片を形成するには、薄
膜磁気ヘッドの製造方法は、例えば、下部磁極層上にギ
ャップ層、上部磁極小片および非磁性膜を順次積層する
工程と、上部磁極小片および非磁性膜をマスクに用いて
下部磁極小片を形成する工程とをさらに備えればよい。
こうした一連の工程によれば、上部磁極小片に対して精
度よく位置決めされた下部磁極小片を簡単に得ることが
できる。すなわち、薄膜磁気ヘッドでは、下部磁極小
片、ギャップ層および上部磁極小片が同一のパターン形
状で積み重ねられることとなるまた、前記非磁性膜は、
前記非磁性絶縁膜やギャップ層とは異なるエッチング比
を有する材料から形成されることが望ましい。非磁性膜
と、非磁性絶縁膜やギャップ層との間でエッチング比を
異ならせれば、例えば反応性エッチングを用いて非磁性
膜を残しつつギャップ層を除去したり、非磁性絶縁膜を
残しつつ非磁性膜を除去したりすることが可能となる。
そういった場合には、例えばＳｉＯ2 を用いて非磁性膜
を形成する一方でＡｌ2Ｏ3を用いて非磁性絶縁膜やギャ
ップ層を形成してもよく、Ａｌ2Ｏ3を用いて非磁性膜を
形成する一方でＳｉＯ2 を用いて非磁性絶縁膜やギャッ
プ層を形成してもよく、さらに、非磁性金属膜を用いて
非磁性膜を形成する一方で酸化物絶縁膜を用いて非磁性
絶縁膜を形成してもよい。
膜磁気ヘッドの製造方法は、例えば、下部磁極層上にギ
ャップ層、上部磁極小片および非磁性膜を順次積層する
工程と、上部磁極小片および非磁性膜をマスクに用いて
下部磁極小片を形成する工程とをさらに備えればよい。
こうした一連の工程によれば、上部磁極小片に対して精
度よく位置決めされた下部磁極小片を簡単に得ることが
できる。すなわち、薄膜磁気ヘッドでは、下部磁極小
片、ギャップ層および上部磁極小片が同一のパターン形
状で積み重ねられることとなるまた、前記非磁性膜は、
前記非磁性絶縁膜やギャップ層とは異なるエッチング比
を有する材料から形成されることが望ましい。非磁性膜
と、非磁性絶縁膜やギャップ層との間でエッチング比を
異ならせれば、例えば反応性エッチングを用いて非磁性
膜を残しつつギャップ層を除去したり、非磁性絶縁膜を
残しつつ非磁性膜を除去したりすることが可能となる。
そういった場合には、例えばＳｉＯ2 を用いて非磁性膜
を形成する一方でＡｌ2Ｏ3を用いて非磁性絶縁膜やギャ
ップ層を形成してもよく、Ａｌ2Ｏ3を用いて非磁性膜を
形成する一方でＳｉＯ2 を用いて非磁性絶縁膜やギャッ
プ層を形成してもよく、さらに、非磁性金属膜を用いて
非磁性膜を形成する一方で酸化物絶縁膜を用いて非磁性
絶縁膜を形成してもよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しつつ本発
明の一実施形態を説明する。
明の一実施形態を説明する。
【００１４】図１は磁気ディスク装置の一具体例として
のハードディスクドライブ（ＨＤＤ）１０の内部構造を
示す。ＨＤＤ１０のハウジング１１には、回転軸１２に
装着される磁気ディスク１３と、磁気ディスク１３に対
向する浮上ヘッドスライダ１４とが収容される。浮上ヘ
ッドスライダ１４は、揺動軸１５回りで揺動することが
できるキャリッジアーム１６の先端に固着される。磁気
ディスク１３に対する情報の書き込みや読み取りにあた
っては、磁気回路から構成されるアクチュエータ１７に
よってキャリッジアーム１６が揺動駆動され、その結
果、浮上ヘッドスライダ１４が磁気ディスク１３上の所
望の記録トラックに位置決めされる。ハウジング１１の
内部空間は、図示しないカバーによって閉鎖される。
のハードディスクドライブ（ＨＤＤ）１０の内部構造を
示す。ＨＤＤ１０のハウジング１１には、回転軸１２に
装着される磁気ディスク１３と、磁気ディスク１３に対
向する浮上ヘッドスライダ１４とが収容される。浮上ヘ
ッドスライダ１４は、揺動軸１５回りで揺動することが
できるキャリッジアーム１６の先端に固着される。磁気
ディスク１３に対する情報の書き込みや読み取りにあた
っては、磁気回路から構成されるアクチュエータ１７に
よってキャリッジアーム１６が揺動駆動され、その結
果、浮上ヘッドスライダ１４が磁気ディスク１３上の所
望の記録トラックに位置決めされる。ハウジング１１の
内部空間は、図示しないカバーによって閉鎖される。
【００１５】図２は浮上ヘッドスライダ１４の一具体例
を示す。この浮上ヘッドスライダ１４は、磁気ディスク
１３に対向する浮上面１９を備える。浮上面１９には、
ＡＢＳ面（空気軸受け面）を形成する２筋のレール２０
が形成される。浮上ヘッドスライダ１４は、磁気ディス
ク１３の回転中に浮上面１９（特にＡＢＳ面）に受ける
空気流れ２１を利用して磁気ディスク１３の表面から浮
上することができる。浮上ヘッドスライダ１４の空気流
出側端面には、後述するように、薄膜磁気ヘッド２２が
内蔵された薄膜磁気ヘッド内蔵膜２３が形成される。一
般に、浮上ヘッドスライダ１４はＡｌ2Ｏ2ＴｉＣ（アル
チック）から形成され、薄膜磁気ヘッド内蔵膜２３はＡ
ｌ2Ｏ3（アルミナ）から形成される。
を示す。この浮上ヘッドスライダ１４は、磁気ディスク
１３に対向する浮上面１９を備える。浮上面１９には、
ＡＢＳ面（空気軸受け面）を形成する２筋のレール２０
が形成される。浮上ヘッドスライダ１４は、磁気ディス
ク１３の回転中に浮上面１９（特にＡＢＳ面）に受ける
空気流れ２１を利用して磁気ディスク１３の表面から浮
上することができる。浮上ヘッドスライダ１４の空気流
出側端面には、後述するように、薄膜磁気ヘッド２２が
内蔵された薄膜磁気ヘッド内蔵膜２３が形成される。一
般に、浮上ヘッドスライダ１４はＡｌ2Ｏ2ＴｉＣ（アル
チック）から形成され、薄膜磁気ヘッド内蔵膜２３はＡ
ｌ2Ｏ3（アルミナ）から形成される。
【００１６】図３を参照しつつ、本発明に係る薄膜磁気
ヘッド２２の構造を概略的に説明する。内蔵膜２３に内
蔵される薄膜磁気ヘッド２２は、浮上面１９に臨む情報
読み取り用の磁気抵抗効果（ＭＲ）素子２５と、同じく
浮上面１９に臨む情報書き込み用の誘導書き込みヘッド
素子２６とを備える。ＭＲ素子２５は、Ａｌ2Ｏ3層２７
に埋め込まれてＦｅＮやＮｉＦｅの下部シールド層２８
および上部シールド層２９の間に挟み込まれる。
ヘッド２２の構造を概略的に説明する。内蔵膜２３に内
蔵される薄膜磁気ヘッド２２は、浮上面１９に臨む情報
読み取り用の磁気抵抗効果（ＭＲ）素子２５と、同じく
浮上面１９に臨む情報書き込み用の誘導書き込みヘッド
素子２６とを備える。ＭＲ素子２５は、Ａｌ2Ｏ3層２７
に埋め込まれてＦｅＮやＮｉＦｅの下部シールド層２８
および上部シールド層２９の間に挟み込まれる。
【００１７】誘導書き込みヘッド素子２６は、ＭＲ素子
２５の上部シールド層２９が兼ねる下部磁極層とともに
磁性コアを形成する上部磁極パターン３０を備える。上
部磁極先端３０ａは、ギャップ層３１を介して上部シー
ルド層（下部磁極）２９に対向する。このギャップ層３
１の働きによって、上部磁極先端３１ａと下部磁極層２
９との間に書き込みギャップが形成されることとなる。
上部磁極後端３０ｂはギャップ層３１を介して下部磁極
層２９に接続される。渦巻き状のコイルパターン３２に
電流が供給されると、コイルパターン３２の中心を貫通
する上部磁極後端３０ｂに磁力線が生成され、この磁力
線が上部磁極パターン３０および下部磁極層２９を循環
することとなる。循環する磁力線が書き込みギャップに
磁界を生成させる。
２５の上部シールド層２９が兼ねる下部磁極層とともに
磁性コアを形成する上部磁極パターン３０を備える。上
部磁極先端３０ａは、ギャップ層３１を介して上部シー
ルド層（下部磁極）２９に対向する。このギャップ層３
１の働きによって、上部磁極先端３１ａと下部磁極層２
９との間に書き込みギャップが形成されることとなる。
上部磁極後端３０ｂはギャップ層３１を介して下部磁極
層２９に接続される。渦巻き状のコイルパターン３２に
電流が供給されると、コイルパターン３２の中心を貫通
する上部磁極後端３０ｂに磁力線が生成され、この磁力
線が上部磁極パターン３０および下部磁極層２９を循環
することとなる。循環する磁力線が書き込みギャップに
磁界を生成させる。
【００１８】図４を併せて参照し、渦巻きの中心に位置
するコイルパターン３２の中心端には第１引き出し線３
３が接続される。渦巻きの外縁に位置するコイルパター
ン３２の外端には第２引き出し線３４が接続される。こ
れら第１および第２引き出し線３３、３４を通じてコイ
ルパターン３２に電流が供給される。コイルパターン３
２は、ギャップ層３１上に積層される下部絶縁層３５
と、この下部絶縁層３５上に積層される上部絶縁層３６
との間に挟み込まれる。
するコイルパターン３２の中心端には第１引き出し線３
３が接続される。渦巻きの外縁に位置するコイルパター
ン３２の外端には第２引き出し線３４が接続される。こ
れら第１および第２引き出し線３３、３４を通じてコイ
ルパターン３２に電流が供給される。コイルパターン３
２は、ギャップ層３１上に積層される下部絶縁層３５
と、この下部絶縁層３５上に積層される上部絶縁層３６
との間に挟み込まれる。
【００１９】図４から明らかなように、浮上ヘッドスラ
イダ１４の浮上面１９で書き込みギャップに臨む上部磁
極先端３０ａは、情報の書き込み時に磁気ディスク１３
上の記録トラック幅を規定する。上部磁極パターン３０
および下部磁極層２９を循環する磁力線は、磁気ディス
ク１３に対向する上部磁極先端３０ａから書き込みギャ
ップを跨いで下部磁極層２９に行き着くこととなる。
イダ１４の浮上面１９で書き込みギャップに臨む上部磁
極先端３０ａは、情報の書き込み時に磁気ディスク１３
上の記録トラック幅を規定する。上部磁極パターン３０
および下部磁極層２９を循環する磁力線は、磁気ディス
ク１３に対向する上部磁極先端３０ａから書き込みギャ
ップを跨いで下部磁極層２９に行き着くこととなる。
【００２０】ここで、図５（ａ）を参照しつつ、書き込
みギャップに臨む磁極端で、誘導書き込みヘッド素子２
６の構造を詳述する。誘導書き込みヘッド素子２６は、
下部磁極層２９から盛り上がる段差付き下部磁極小片３
７を備える。この下部磁極小片３７は、後述するよう
に、下部磁極層２９の表面を削り取ることによって下部
磁極層２９に一体的に形成されてもよく、下部磁極層２
９上に改めて成膜される磁性膜から形成されてもよい。
みギャップに臨む磁極端で、誘導書き込みヘッド素子２
６の構造を詳述する。誘導書き込みヘッド素子２６は、
下部磁極層２９から盛り上がる段差付き下部磁極小片３
７を備える。この下部磁極小片３７は、後述するよう
に、下部磁極層２９の表面を削り取ることによって下部
磁極層２９に一体的に形成されてもよく、下部磁極層２
９上に改めて成膜される磁性膜から形成されてもよい。
【００２１】下部磁極小片３７上には、ギャップ層３１
を挟んで上部磁極小片３８が積層される。図５（ｂ）か
ら明らかなように、下部磁極小片３７、ギャップ層３１
および上部磁極小片３８は同一のパターン形状で積み重
ねられ、それら三者は、後述されるように、非磁性絶縁
膜すなわち下部絶縁層３５によって囲まれる。下部絶縁
層３５は、上部磁極小片３８の表面を底面とする窪み３
９を形成している。上部絶縁層３６上に形成される上部
磁極パターン３０の先端は、その窪み３９からはみ出る
ように窪み３９を完全に封鎖し、上部磁極小片３８に接
続されている。この窪み３９に進入した上部磁極パター
ン３０の一部と上部磁極小片３８とによって上部副磁極
は構成される。
を挟んで上部磁極小片３８が積層される。図５（ｂ）か
ら明らかなように、下部磁極小片３７、ギャップ層３１
および上部磁極小片３８は同一のパターン形状で積み重
ねられ、それら三者は、後述されるように、非磁性絶縁
膜すなわち下部絶縁層３５によって囲まれる。下部絶縁
層３５は、上部磁極小片３８の表面を底面とする窪み３
９を形成している。上部絶縁層３６上に形成される上部
磁極パターン３０の先端は、その窪み３９からはみ出る
ように窪み３９を完全に封鎖し、上部磁極小片３８に接
続されている。この窪み３９に進入した上部磁極パター
ン３０の一部と上部磁極小片３８とによって上部副磁極
は構成される。
【００２２】このように、下部磁極層２９から盛り上が
った磁極幅の狭い下部磁極小片３７と、同じく磁極幅の
狭い上部副磁極との間で磁力線をやり取りさせれば、下
部磁極小片３７および上部副磁極同士の狭い領域で磁場
を生成させることが可能となる。その結果、書き込みギ
ャップで磁場の膨らみを回避することが可能となる。磁
気ディスクといった記録媒体に対して、記録にじみのな
い良好な情報の書き込みが実現されることとなる。
った磁極幅の狭い下部磁極小片３７と、同じく磁極幅の
狭い上部副磁極との間で磁力線をやり取りさせれば、下
部磁極小片３７および上部副磁極同士の狭い領域で磁場
を生成させることが可能となる。その結果、書き込みギ
ャップで磁場の膨らみを回避することが可能となる。磁
気ディスクといった記録媒体に対して、記録にじみのな
い良好な情報の書き込みが実現されることとなる。
【００２３】次に、本発明に係る薄膜磁気ヘッド２２を
備える浮上ヘッドスライダ１４の製造方法を詳述する。
まず、図６（ａ）に示すように、Ａｌ2Ｏ3層が表面に成
膜されたＡｌ2Ｏ2ＴｉＣ製のウェハー４０表面に薄膜磁
気ヘッド２２を形成する。薄膜磁気ヘッド２２は、１浮
上ヘッドスライダ１４に切り出される１ブロックごとに
形成される。直径５インチのウェハーでは、例えば１０
０ｘ１００＝１００００個の浮上ヘッドスライダを切り
出すことができる。形成された薄膜磁気ヘッド２２はＡ
ｌ2Ｏ3層の非磁性絶縁膜によって覆われる。
備える浮上ヘッドスライダ１４の製造方法を詳述する。
まず、図６（ａ）に示すように、Ａｌ2Ｏ3層が表面に成
膜されたＡｌ2Ｏ2ＴｉＣ製のウェハー４０表面に薄膜磁
気ヘッド２２を形成する。薄膜磁気ヘッド２２は、１浮
上ヘッドスライダ１４に切り出される１ブロックごとに
形成される。直径５インチのウェハーでは、例えば１０
０ｘ１００＝１００００個の浮上ヘッドスライダを切り
出すことができる。形成された薄膜磁気ヘッド２２はＡ
ｌ2Ｏ3層の非磁性絶縁膜によって覆われる。
【００２４】続いて、図６（ｂ）に示すように、薄膜磁
気ヘッド２２が形成されたウェハー４０から、浮上ヘッ
ドスライダ１４が一列に並んだウェハーバー４０ａを切
り出す。切り出したウェハーバー４０ａの切断面４１
に、前述した２列のレール２０を含む浮上面１９を形作
る。最終的に、図６（ｃ）に示すように、ウェハーバー
４０ａから各浮上ヘッドスライダ１４が切り出される。
気ヘッド２２が形成されたウェハー４０から、浮上ヘッ
ドスライダ１４が一列に並んだウェハーバー４０ａを切
り出す。切り出したウェハーバー４０ａの切断面４１
に、前述した２列のレール２０を含む浮上面１９を形作
る。最終的に、図６（ｃ）に示すように、ウェハーバー
４０ａから各浮上ヘッドスライダ１４が切り出される。
【００２５】ここで、薄膜磁気ヘッド２２の製造方法を
詳述する。まず、ウェハー４０表面に、図３や図４に示
されるように、下部シールド層２８、ＭＲ素子２５、下
部磁極層２９、ギャップ層３１を順次形成する。ギャッ
プ層３１には例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2 といった酸化
物、Ａｌ窒化物、Ｓｉ窒化物、ＴｉやＴａが用いられれ
ばよい。続いて、スパッタリングや蒸着を用いて、ギャ
ップ層３１の表面一面に導電性のめっきベース４３を成
膜する。めっきベース４３には例えばＴａやＮｉＦｅが
用いられればよい。その後、めっきベース４３の表面に
フォトレジスト４４を塗布し、図７（ａ）に示すよう
に、上部磁極小片パターンおよびバックギャップパター
ンが穿たれたフォトマスクを用いてフォトレジスト４４
を露光／現像する。この現像によって、上部磁極小片パ
ターン４５内やバックギャップパターン４６内でフォト
レジスト４４が消失し、めっきベース４３が露出する。
詳述する。まず、ウェハー４０表面に、図３や図４に示
されるように、下部シールド層２８、ＭＲ素子２５、下
部磁極層２９、ギャップ層３１を順次形成する。ギャッ
プ層３１には例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2 といった酸化
物、Ａｌ窒化物、Ｓｉ窒化物、ＴｉやＴａが用いられれ
ばよい。続いて、スパッタリングや蒸着を用いて、ギャ
ップ層３１の表面一面に導電性のめっきベース４３を成
膜する。めっきベース４３には例えばＴａやＮｉＦｅが
用いられればよい。その後、めっきベース４３の表面に
フォトレジスト４４を塗布し、図７（ａ）に示すよう
に、上部磁極小片パターンおよびバックギャップパター
ンが穿たれたフォトマスクを用いてフォトレジスト４４
を露光／現像する。この現像によって、上部磁極小片パ
ターン４５内やバックギャップパターン４６内でフォト
レジスト４４が消失し、めっきベース４３が露出する。
【００２６】続いて、フォトレジスト４４が焼き付けら
れたウェハー４０をめっき電解液に浸し、めっきベース
４３に電流を通電させる。すると、例えば図７（ｂ）に
示すように、フォトレジスト４４に覆われていないめっ
きベース４３の露出面からめっきが成長し、磁性膜が成
膜される。この成膜によって、上部磁極小片パターン４
５内には上部磁極小片３８が形成される。記録磁界のに
じみ量を考慮し、磁性膜の膜厚は例えば０．５μｍ以上
に設定される。
れたウェハー４０をめっき電解液に浸し、めっきベース
４３に電流を通電させる。すると、例えば図７（ｂ）に
示すように、フォトレジスト４４に覆われていないめっ
きベース４３の露出面からめっきが成長し、磁性膜が成
膜される。この成膜によって、上部磁極小片パターン４
５内には上部磁極小片３８が形成される。記録磁界のに
じみ量を考慮し、磁性膜の膜厚は例えば０．５μｍ以上
に設定される。
【００２７】磁性膜の成膜後、同じくフォトレジスト４
４を利用し、図７（ｃ）に示すように、成膜された磁性
膜上に非磁性膜を成膜する。この成膜によって、上部磁
極小片パターン４５内には非磁性膜４７が形成される。
４を利用し、図７（ｃ）に示すように、成膜された磁性
膜上に非磁性膜を成膜する。この成膜によって、上部磁
極小片パターン４５内には非磁性膜４７が形成される。
【００２８】その後、フォトレジスト４４は、超音波洗
浄等を用いて除去される。この除去によって、図７
（ｄ）に示すように、同一の形状パターンに形成された
磁性膜４８および非磁性膜４９が現れる。上部磁極小片
パターン４５の領域では、磁性膜の上部磁極小片３８に
積層された非磁性膜の非磁性膜４７が得られる。
浄等を用いて除去される。この除去によって、図７
（ｄ）に示すように、同一の形状パターンに形成された
磁性膜４８および非磁性膜４９が現れる。上部磁極小片
パターン４５の領域では、磁性膜の上部磁極小片３８に
積層された非磁性膜の非磁性膜４７が得られる。
【００２９】続いて、イオンミルを用いて、成膜された
磁性膜および非磁性膜の周囲で不要なめっきベース４３
やギャップ層３１を完全に除去すると同時に、平坦な下
部磁極層２９表面から下部磁極小片３７を削り出す。そ
の結果、図７（ｅ）に示すように、上部磁極小片パター
ン４５の領域では、下部磁極層２９表面から立ち上がる
下部磁極小片３７、ギャップ層３１、上部磁極小片３８
および非磁性膜４７の積層体が得られる。このように上
部磁極小片３８のパターン形状をマスクに利用して下部
磁極小片３７を削り出せば、書き込みギャップを形成す
る上部磁極小片３８と下部磁極小片３７との間で位置ず
れが生じることはない。
磁性膜および非磁性膜の周囲で不要なめっきベース４３
やギャップ層３１を完全に除去すると同時に、平坦な下
部磁極層２９表面から下部磁極小片３７を削り出す。そ
の結果、図７（ｅ）に示すように、上部磁極小片パター
ン４５の領域では、下部磁極層２９表面から立ち上がる
下部磁極小片３７、ギャップ層３１、上部磁極小片３８
および非磁性膜４７の積層体が得られる。このように上
部磁極小片３８のパターン形状をマスクに利用して下部
磁極小片３７を削り出せば、書き込みギャップを形成す
る上部磁極小片３８と下部磁極小片３７との間で位置ず
れが生じることはない。
【００３０】積層体が得られたら、ウェハー３０表面に
一律に非磁性絶縁膜すなわち下部絶縁層３５を成膜す
る。下部絶縁層３５には例えばＡｌ2Ｏ3が用いられる。
下部絶縁層３５は、図８（ａ）に示すように、上部磁極
小片３８や非磁性膜４７を完全に覆うこととなる。
一律に非磁性絶縁膜すなわち下部絶縁層３５を成膜す
る。下部絶縁層３５には例えばＡｌ2Ｏ3が用いられる。
下部絶縁層３５は、図８（ａ）に示すように、上部磁極
小片３８や非磁性膜４７を完全に覆うこととなる。
【００３１】続いて、図８（ｂ）に示すように非磁性膜
４７が露出するまで、成膜された下部絶縁層３５に対し
て平坦化研摩を実施する。このとき、上部磁極小片３８
は研摩されない。その結果、めっき成膜によって得られ
る上部磁極小片３８の厚みは維持される。平坦化研摩に
は、ラッピングおよびＣＭＰ（化学的機械研摩）の２段
階研摩が用いられることが望ましい。特に、ＣＭＰによ
れば、非磁性膜４７が露出した時点で確実に研摩処理を
終了させることができ、その結果、研摩処理の研摩量を
確実に制御することが可能となる。この場合、非磁性膜
４７はＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3から構成されることが望まし
い。研摩後に研摩面に砥粒や研摩傷が残った場合にはエ
ッチバックによる平坦化処理が行われることが望まし
い。
４７が露出するまで、成膜された下部絶縁層３５に対し
て平坦化研摩を実施する。このとき、上部磁極小片３８
は研摩されない。その結果、めっき成膜によって得られ
る上部磁極小片３８の厚みは維持される。平坦化研摩に
は、ラッピングおよびＣＭＰ（化学的機械研摩）の２段
階研摩が用いられることが望ましい。特に、ＣＭＰによ
れば、非磁性膜４７が露出した時点で確実に研摩処理を
終了させることができ、その結果、研摩処理の研摩量を
確実に制御することが可能となる。この場合、非磁性膜
４７はＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3から構成されることが望まし
い。研摩後に研摩面に砥粒や研摩傷が残った場合にはエ
ッチバックによる平坦化処理が行われることが望まし
い。
【００３２】平坦化後、図８（ｃ）に示すように、例え
ば反応性イオンエッチングを用いて、露出した非磁性膜
４７を除去する。その結果、めっき成膜の表面を備える
上部磁極小片３８が露出する。反応性イオンエッチング
を用いれば、非磁性膜からなる非磁性膜４７のみがエッ
チングされ、磁性膜からなる上部磁極小片３８はエッチ
ングされない。また、非磁性膜４７と下部絶縁層３５と
の間でエッチング比を異ならせておけば、非磁性膜４７
の除去にあたって下部絶縁層３５の厚みが目減りしない
こととなる。そのためには、例えばＡｌ2Ｏ3の下部絶縁
層３５に対してＳｉＯ2 の非磁性膜４７を形成すればよ
く、反対に、ＳｉＯ2 の下部絶縁層３５に対してＡｌ2
Ｏ3の非磁性膜３７を形成すればよい。この除去によっ
て、下部絶縁層３５表面には、上部磁極小片３８を底面
とする窪み３９が形成されることとなる。
ば反応性イオンエッチングを用いて、露出した非磁性膜
４７を除去する。その結果、めっき成膜の表面を備える
上部磁極小片３８が露出する。反応性イオンエッチング
を用いれば、非磁性膜からなる非磁性膜４７のみがエッ
チングされ、磁性膜からなる上部磁極小片３８はエッチ
ングされない。また、非磁性膜４７と下部絶縁層３５と
の間でエッチング比を異ならせておけば、非磁性膜４７
の除去にあたって下部絶縁層３５の厚みが目減りしない
こととなる。そのためには、例えばＡｌ2Ｏ3の下部絶縁
層３５に対してＳｉＯ2 の非磁性膜４７を形成すればよ
く、反対に、ＳｉＯ2 の下部絶縁層３５に対してＡｌ2
Ｏ3の非磁性膜３７を形成すればよい。この除去によっ
て、下部絶縁層３５表面には、上部磁極小片３８を底面
とする窪み３９が形成されることとなる。
【００３３】最終的に、図８（ｄ）に示すように、上部
磁極パターン３０が成膜されると、上部磁極先端３０ａ
では、上部磁極パターン３０の先端が上部磁極小片３８
に接続されることとなる。上部磁極パターン３０の成膜
に先立つべきコイルパターン３２の形成や上部絶縁層３
６の形成は、下部絶縁層３５の平坦化研摩終了後に実施
されてもよく、非磁性膜４７の除去後に行われてもよ
い。いずれの場合でも、平坦化された下部絶縁層３５表
面上にコイルパターン３２が形成されることから、コイ
ルピッチを狭めることでき、その結果、磁性コア長さを
縮めることが可能となる。誘導書き込みヘッド２６のオ
ーバーライト特性や高周波特性といった記録能力が向上
される。
磁極パターン３０が成膜されると、上部磁極先端３０ａ
では、上部磁極パターン３０の先端が上部磁極小片３８
に接続されることとなる。上部磁極パターン３０の成膜
に先立つべきコイルパターン３２の形成や上部絶縁層３
６の形成は、下部絶縁層３５の平坦化研摩終了後に実施
されてもよく、非磁性膜４７の除去後に行われてもよ
い。いずれの場合でも、平坦化された下部絶縁層３５表
面上にコイルパターン３２が形成されることから、コイ
ルピッチを狭めることでき、その結果、磁性コア長さを
縮めることが可能となる。誘導書き込みヘッド２６のオ
ーバーライト特性や高周波特性といった記録能力が向上
される。
【００３４】前述した実施形態では、イオンミルを用い
てめっきベース４３、ギャップ層３１および下部磁極層
２９を一度に除去したが、めっきベース４３の除去後、
反応性ドライエッチングを用いてギャップ層３１を除去
してもよい。この場合には、ギャップ層３１にＳｉＯ2
を用いる場合には、Ａｌ2Ｏ3を用いて非磁性膜４７を形
成し、プロセスガスとしてＢＣｌ3 やＣｌ2 といった塩
素系ガスを使用すればよい。反対に、ギャップ層３１に
Ａｌ2Ｏ3を用いる場合には、ＳｉＯ2 を用いて非磁性膜
４７を形成し、プロセスガスとしてＣＦ4 やＣＨＦ3 を
使用すればよい。このようにギャップ層３１と非磁性膜
４７との間でエッチング比を異ならせれば、ギャップ層
３１の除去にあたって非磁性膜４７の厚みが目減りしな
い。
てめっきベース４３、ギャップ層３１および下部磁極層
２９を一度に除去したが、めっきベース４３の除去後、
反応性ドライエッチングを用いてギャップ層３１を除去
してもよい。この場合には、ギャップ層３１にＳｉＯ2
を用いる場合には、Ａｌ2Ｏ3を用いて非磁性膜４７を形
成し、プロセスガスとしてＢＣｌ3 やＣｌ2 といった塩
素系ガスを使用すればよい。反対に、ギャップ層３１に
Ａｌ2Ｏ3を用いる場合には、ＳｉＯ2 を用いて非磁性膜
４７を形成し、プロセスガスとしてＣＦ4 やＣＨＦ3 を
使用すればよい。このようにギャップ層３１と非磁性膜
４７との間でエッチング比を異ならせれば、ギャップ層
３１の除去にあたって非磁性膜４７の厚みが目減りしな
い。
【００３５】なお、本発明に係る誘導書き込みヘッド素
子は、前述した通りＭＲ素子と組み合わされるだけでな
く、他のいかなる読み出しヘッド素子と組み合わされて
もよい。
子は、前述した通りＭＲ素子と組み合わされるだけでな
く、他のいかなる読み出しヘッド素子と組み合わされて
もよい。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、誘導書き
込みヘッド素子の上部副磁極の厚みを正確に設定するこ
とができる。
込みヘッド素子の上部副磁極の厚みを正確に設定するこ
とができる。
【図１】 ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の内部構
造を示す平面図である。
造を示す平面図である。
【図２】 浮上ヘッドスライダの一具体例を示す斜視図
である。
である。
【図３】 薄膜磁気ヘッドの構造を概略的に示す断面図
である。
である。
【図４】 誘導書き込みヘッド素子の構造を概略的に示
す平面図である。
す平面図である。
【図５】 誘導書き込みヘッド素子の磁極先端の構造を
詳細に示す斜視図である。
詳細に示す斜視図である。
【図６】 浮上ヘッドスライダの製造工程を概略的に示
す図である。
す図である。
【図７】 誘導書き込みヘッド素子の製造工程を概略的
に示す図である。
に示す図である。
【図８】 誘導書き込みヘッド素子の製造工程における
平坦化研摩工程を概略的に示す図である。
平坦化研摩工程を概略的に示す図である。
２２ 薄膜磁気ヘッド、２６ 誘導書き込みヘッド素
子、２９ 下部磁極層、３０ 上部磁極パターン、３１
ギャップ層、３５ 非磁性絶縁膜としての下部絶縁
層、３７ 段差付き下部磁極小片、３８ 上部磁極小
片、３９ 窪み、４７非磁性膜。
子、２９ 下部磁極層、３０ 上部磁極パターン、３１
ギャップ層、３５ 非磁性絶縁膜としての下部絶縁
層、３７ 段差付き下部磁極小片、３８ 上部磁極小
片、３９ 窪み、４７非磁性膜。
Claims (14)
- 【請求項１】 誘導書き込みヘッド素子の下部磁極層を
形成する工程と、下部磁極層上にギャップ層を形成する
工程と、ギャップ層上に上部磁極小片を形成する工程
と、上部磁極小片上に非磁性膜を形成する工程と、上部
磁極小片および非磁性膜を覆う非磁性絶縁膜を形成する
工程と、非磁性絶縁膜を平坦化処理して非磁性膜を露出
させる工程と、露出した非磁性膜を除去して上部磁極小
片を露出させる工程と、露出した上部磁極小片上に上部
磁極パターンを形成する工程とを備えることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、前記ギャップ層が形成される前記下部磁
極層表面に、その表面から盛り上がる段差付き下部磁極
小片を形成する工程をさらに備えることを特徴とする薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、前記下部磁極層上に前記ギャップ層、上
部磁極小片および非磁性膜を順次積層する工程と、上部
磁極小片および非磁性膜をマスクに用いて前記下部磁極
小片を形成する工程とを備えることを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法において、前記非磁性膜は、前記非
磁性絶縁膜とは異なるエッチング比を有する材料から形
成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法において、前記非磁性膜はＳｉＯ2
である一方、前記非磁性絶縁膜はＡｌ2Ｏ3であることを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】 請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法において、前記非磁性膜はＡｌ2Ｏ3
である一方、前記非磁性絶縁膜はＳｉＯ2 であることを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項７】 請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法において、前記非磁性膜は非磁性金
属膜である一方、前記非磁性絶縁膜は酸化物絶縁膜であ
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項８】 請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法において、前記非磁性膜は、前記ギ
ャップ層とは異なるエッチング比を有する材料から形成
されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項９】 請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法において、前記非磁性膜はＳｉＯ2
である一方、前記ギャップ層はＡｌ2Ｏ3であることを特
徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１０】 請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法において、前記非磁性膜はＡｌ2
Ｏ3である一方、前記ギャップ層はＳｉＯ2 であること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法において、前記非磁性膜は非磁性
金属膜である一方、前記ギャップ層は酸化物絶縁膜であ
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１２】 誘導書き込みヘッド素子の下部磁極層
と、下部磁極層上に形成されるギャップ層と、ギャップ
層上に形成される上部磁極小片と、上部磁極小片を囲
み、上部磁極小片の表面を底面とする窪みを形成する非
磁性絶縁膜と、上部磁極小片に接続される上部磁極パタ
ーンとを備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記ギャップ層が形成される前記下部磁極層表
面に、その表面から盛り上がる段差付き下部磁極小片が
形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記下部磁極小片、ギャップ層および上部磁極
小片は同一のパターン形状で積み重ねられることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。
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|---|---|---|---|
| JP10272712A JP2000099916A (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US09/761,976 US20010005297A1 (en) | 1998-09-28 | 2001-01-17 | Thin film magnetic head and method of making the same |
| US10/454,322 US20030193746A1 (en) | 1998-09-28 | 2003-06-04 | Thin film head with non-magnetic insulating layer surrounding upper magnetic pole piece |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10272712A JP2000099916A (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP10272712A Withdrawn JP2000099916A (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6903900B2 (en) | 2000-12-26 | 2005-06-07 | Alps Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording head including nonmagnetic layer overlaying main pole layer |
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- 2001-01-17 US US09/761,976 patent/US20010005297A1/en not_active Abandoned
-
2003
- 2003-06-04 US US10/454,322 patent/US20030193746A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6903900B2 (en) | 2000-12-26 | 2005-06-07 | Alps Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording head including nonmagnetic layer overlaying main pole layer |
Also Published As
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| US20030193746A1 (en) | 2003-10-16 |
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