JPH04192105A - 薄膜磁気ヘッド及びそれを搭載した磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜磁気ヘッドに係り、特に高記録密度を達
成するために、基板に凹部を形成し、その内部に磁性体
、絶縁層、コイルを形成した構造を有する薄膜磁気ヘッ
ドとそれを搭載した磁気ディスク装置に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

従来の薄膜磁気ヘッドは基板上に下部磁性体、ギャップ
層、絶縁層、導体コイル及び上部磁性層を順次形成し、
所□定形状にパターン化することを繰り返して積層して
作製していた。しかし、記録密度が高くなるにしたがっ
て、トラック幅は狭くなり、かつ高精度化が要求されて
くる。

さらに、ヘッドのＳ／Ｎを大きくするためにはコイルの
多巻線化及び低抵抗化が必要である。

そのためには、コイルは多層化にし、かつコイル高さを
高くする必要がある。トラック幅の狭トラツク化、高精
度化を図るためには、ヘッドを低段差構造にして、素子
高さをできるだけ低クシ、トラック幅加工をする必要が
ある。

例えば、第８図に示す特開昭６２−８４４１５号公報の
従来技術がそれである。第８図は基板１の上に形成した
絶縁膜２にあらかじめ加工して凹部を作製し、その中に
下部磁性層３、第１層絶縁層４、導体コイル５、第２層
絶縁層６、ギャップ層７及び上部磁性体８を形成し、ヘ
ッドを作製するものである。本構造の場合、上部磁性体
８がほぼ平坦部に形成されることから、トラック幅加工
は容易であり、高精度化が達成されるとしている。

しかし、前記の特開昭６２−８４４１５号公報には、基
板に凹部を作製する場合、凹部のテーパ形状、特にギャ
ップ先端部のテーパ角は記録磁界的にも重要であるが、
そのテーパ角などについては述べられていない。さらに
、テーパ部では下部磁性体が薄くなり、磁束が飽和する
ことが考えられるが、これらの点についても考慮されて
いない。また、高密度化を達成するためには狭トラツク
化以外に、ヘッドのＳ／Ｎを向上させる必要がある。そ
のためには、コイルの多巻線化及び低抵抗化を図る必要
がある。しかし、前記公報では多巻線化、低抵抗化の観
点からの、基板の凹部構造について検討がされていない
。特に、多巻線でコイル高さを高くした場合、素子高さ
が高くなることから、基板に凹部加工する深さが重要と
なってくる。素子高さと凹部深さとの関係についてはま
ったく明らかにされていない。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来技術はトラック幅を高精度化する方法に関しての構
造については検討されているが、しかし、ヘッド特性に
大きく寄与する磁界強度を大きくするための構造、つま
り凹部のテーパ角、ギャップ深さ零の形成位置（６６判
）、下部磁性膜（＋）の形成位置、インナギャップ角度
などについては、配慮がされていない。また、素子高さ
と凹部深さの関係、コイルの多巻線、低抵抗化を考慮し
たヘッド構造の配慮がなされておらず、基板に凹部を形
成したヘッド構造の特徴を生かすことができず、ヘッド
特性に問題があった。

本発明の目的は、コイルの多巻線化、低抵抗化を可能に
して、かつトラック幅の高精度化を達成することのでき
る基板に凹部を有する薄膜磁気ヘッドとそれを搭載した
磁気ディスク装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、本発明では、基板表面に、
絶縁膜、下部磁性体、ギャップ層、絶縁層、コイル及び
上部磁性体を順次パターン化して積層した積層体からな
り、下部及び上部磁性体の一端はギャップ層のみを挟持
して磁極先端部を構成し、他端はスルホール部を介して
直接接続され、下部及び上部磁性体が前記一端と他端と
の間において絶縁層により絶縁され、絶縁層を介して、
２層以上の多巻線コイルを有する構造の薄膜磁気ヘッド
において、基板もしくはその上に形成された絶縁膜に、
凹部が形成されており、その凹部に下部磁性体、ギャッ
プ層、絶縁層、コイルが埋め込まれ、第２層以上の絶縁
膜でギャップ深さ零が決められていることを特徴とする
薄膜磁気ヘッドとしたも゛のである。

又、上記他の目的を達成するために、本発明では、２層
以上の多巻線コイルを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
コイル高さは３〜１０μｍ１コイル間隙は１．５〜３μ
ｍであることを特徴とする薄膜磁気ヘッドとしたもので
あり、また、本発明では、凹部を有する基板上に下部磁
性体を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁性体
の先端幅のひろがり開始位置が、ギャップ深さ零と前記
凹部のテーパ最下端との間にあることを特徴とする薄膜
磁気ヘッドとしたものであり、更に、本発明では、２層
以上の導体コイルを有し、該コイルを絶縁する複数の絶
縁層を有する基板上に形成された薄膜磁気ヘッドにおい
て、 前記基板が凹部を有し、該凹部に形成された第１層目の
絶縁層を有し、磁気ギャップ深さ零の位置を第２層目以
上の絶縁層で決めることを特徴とする薄膜磁気ヘッドと
したものである。

また、上記もう一つの目的を達成するた袷に、本発明で
は、磁気ディスク及びそれを回転保持する手段と、該磁
気ディスクに対して機能する磁気ヘッドとを有する磁気
ディスク装置において、該磁気ヘッドとして上記の薄膜
磁気ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気ディスク装
置としたものである。

本発明では、基板上に形成された絶縁膜に高精度で、か
つ再現性よく凹部を作製する必要があるため、まず、凹
部のテーパ角コントロールについて検討した。その結果
、凹部のテーパ角はあらかじめホトレジスト膜のテーパ
角をコントロールしておき、＾１．Ｄ、とホトレジスト
とのエツチング速度比（選択比）が高いＣ）ＩＰ、ガス
を用いてミリングすればよい。ホトレジスト膜のテーパ
角はベーク温度とベータ前の露光量によりコントロール
できることを明らかにし、本発明に採用している。凹部
のテーパ角は磁界強度の点から４０±１０°の範囲がよ
く、この角度範囲をコントロールするためには、凹部の
エツチング深さとしては約１０μｍ以下が望ましい。

凹部のテーパ部においては、磁性膜の形成膜厚が薄くな
ることから、磁化の飽和が起こる。

そこで、本発明でのヘッド構造においては、下部磁性体
の膜厚を上部磁性体の膜厚より厚くし、また、下部磁性
体は凹部の立下るところからパターンを広くしだもりで
ある。さらに、下部磁性体を２層構造にし、下層の下部
磁性体（Ｉ）のパターン先端は凹部のテーパ部分から形
成され、この凹部テーパ部はその上に積層される下部磁
性体（ＩＩ）と２層構造になるようにしている。

Ｓ／Ｎを向上し、かつ狭トラツク幅に対応するためには
、コイルの多巻線化、低抵抗化が必要であり、かつ全体
の素子高さをできるだけ低くする必要がある。そのため
に、少なくとも一層目のコイルは凹部の中に形成し、２
層目以上のコイルは基板表面以上に形成したものである
。

そして、コイル高さは３〜１０μｍでコイル間隙は１．
５〜３μｍとしたものである。

基板に凹部を有するヘッド構造において、素子の並び精
度はギャップ加工するために非常に重要である。並び精
度を達成するために、２層目以上の絶縁膜でギャップ深
さ零を決定するようにし、かつ、ギャップ深さ零の位置
は（第２層以上のホトレジスト絶縁膜の先端位置）、凹
部の立下り点より前にしたものである。

凹部を有するヘッド構造において、上部磁性体と下部磁
性体の接合不良をなくし、磁界の発生を完全にするため
に、接合位置は基板凹部の表面でしたものである。

また、磁気ギャップ部は基板もしくは第２層絶縁膜とほ
ぼ同じ平面であり、バックギャップ部は基板もしくはそ
の上の絶縁膜の凹部表面に形成することとしたものであ
る。

〔作用〕

Ｓ／Ｎの向上には主にコイルの多巻線化及び低抵抗化が
必要であり、狭トラツク化を達成するためにはできるだ
け素子高さを低くする必要があり、両者は相反する。そ
こで、両者を満足するヘッド構造として基板に凹部を有
するヘッド構造とした。

特に、基板凹部の深さは凹部のテーパ角コントロールの
点から、１０μｍ以下とし、かつその凹部に少なくとも
一層目のコイルを形成するところにある。かつ、下部磁
性体と上部磁性体との接合は、凹部の表面で行い、接合
を完全にし特定の向上を図ったものである。また、基板
に凹部を形成することから、凹部テーパ部での下部磁性
体の形成膜厚が薄くなり、発生磁界も小さくなる問題が
ある。本発明は、テーパ部での下部磁性体パターンを大
きくし、かつ２層構造（下部磁性体Ｉ、　　ＩＩ）にし
て問題の解決を図っている。さらに、基板に凹部を形成
し、２層コイル以上のヘッドを作製する場合、１層コイ
ルは凹部に形成し、２層コイルは基板表面と同等以上の
位置に形成し、かつ３層目以上の絶縁膜の先端でギャッ
プ深さ（Ｇｄ＝０）を決定し、その形成位置は基板に形
成した凹部の立下り位置より前に形成するところにあり
、これにより素子のギャップ深さコントロールの高精度
化を図ったものである。

また、上記のような薄膜磁気ヘッドを、磁気ディスク装
置の磁気ヘッドとして搭載すると高記録密度が達成でき
る。

〔実施例〕

以下、本発明を図面を用いて具体的に説明する。

実施例１ 第１図は本発明の実施例の２層コイル型薄膜磁気ヘッド
の断面図である。第２図は、第１図の平面図を示す。

スライダーとして用いられる基板１上に、厚い絶縁膜２
を形成する。この絶縁膜２は、例えばアルミナ（＾１ｉ
ｏｓ）を用いる。次いで、この絶縁膜２に本発明に係る
ところの凹部を作製する。

この凹部は、第１図に示すように磁気ギャップ以外のコ
イルの巻線部分及び磁気コアの接続部であるバックギャ
ップ部を埋めこむことができる形状に作製する。

凹部を作製する方法としては、ホトレジスト膜をマスク
にしてＣＦ、及びＣＨＦ３ガスを用い、イオンミＩＪン
グ法を用いた。凹部を作製する場合、磁界強度の点から
テーパ角は４０±１０°でコントロールする必要がある
。凹部のテーパ角は、マスク材であるホトレジスト膜の
テーパ角ニより、制御する。

第３図は凹部のエツチング深さＨとテーパ角のばらつき
幅を調べた結果である。テーパ角は４０°を目標とした
ものである。これから明らかなように、テーパ角４０±
１０°を確保するためには、凹部のエツチング深さは１
０μｍ以下が望ましい。本実施例ではエツチング深さは
１０μｍとした。次いで、凹部の中に下部磁性体（Ｉ）
９を形成する。膜厚は約１μｍ程度でよく、本実施例の
特徴は下部磁性体（Ｉ）９の先端形成位置が凹部のテー
パ部範囲内に形成されることである。次いで、約２μｍ
程度の下部磁性体（Ｉｆ）１０を形成する。

下部磁性体（ＩＩ）１０は、第４−ａ図及び第４−ｂ図
に示すように、凹部の立下り点からパターンが広がるよ
うになっている。このように、下部磁性体（■）９の形
成位置及び下部磁性体（ＩＩ）１０のパターン形状の工
夫により、凹部テーパ部での磁束の飽和を防止している
。これらの下部磁性体の作製は、基板全面に磁性膜をス
パッタリングで堆積した後、ホトレジストパターンをマ
スクにしてイオンミリング法で形成する。次いで、磁気
ギャップ膜７を作製する。

磁気ギャップ膜７としては、アルミナ膜等の無機絶縁膜
を用いることが望ましい。この工程において、バックギ
ャップ部分のアルミナ膜を除去しておくことは勿論であ
る。

続いて、層間絶縁膜及びコイルを順次作製する。まず、
下部磁性体とコイルとを絶縁するための、第１層間絶縁
膜４を形成する。この第１層間絶縁膜４は、例えばノボ
ラック系ポジ型のホトレジスト膜を２００℃以上で焼成
した膜である。勿論、他のホトレジスト膜やポリイミド
系樹脂等の有機樹脂膜や、あるいは無機絶縁膜を用いる
ことも可能である。

次いで、第１層コイル５を作製する。本実施例では凹部
のエツチング深さ１０μｍ中に第１層コイルを完全に埋
めこむことを考えた場合、コイル高さは５μｍ程度にな
る。コイルの作製工程を第５図を用い′て説明する。ま
ず、第５図−（１）に示すように第１層間絶縁膜４の上
にめっき下地膜１３を形成する。次いで、（２）に示す
コイルめっき用マスク材として用いるホトレジスト膜１
４を塗布する。次に、コイルを形成する部分を露光・現
像することによって除去し、ホトレジストパターン１５
を作製する。これを第５図−（３）に示した。下地膜除
去後のコイル高さ５μｍを確保するた約には、めっき後
のコイル高さは約５．５〜６．０μｍ必要とし、そのた
めにはめっき用ホトレジストパターン高さは約８μｍ以
上必要である。第５図−（４）は高さ約６μｍめっき後
、ホトレジストパターンを除去し、コイル５を作製する
。次いで、下地膜１３をイオンミリングで除去する必要
がある。

コイル形状は、第５図−（４）に示すように逆テーパに
なっていることから、下地膜を除去するにはコイル間隙
が重要になってくる。そこで、下地膜除去が可能なコイ
ル高さ（めっき後の高さ）とコイル間隙について検討し
た。その結果、めっき後のコイル高さ約６μｍ（下地膜
除去によるコイル高さの減少は０．６μｍである）の下
地膜を除去するためには、コイル間隙は１．５μｍ以上
必要であることを明らかにした。これらのことから、本
実施例においてはコイル高さ５μｍ（下地膜除去後）、
コイル間隙１．８μｍとしている。

上記技術を用いて第１コイル５を形成した後、第１コイ
ル上に、第２層絶縁膜６を形成する。

本実施例のもう一つの特徴は、第２図に示すように第２
層絶縁膜６の先端形成位置を基板凹部の立下り位置より
前に形成するところにある。

これにより、素子の並び精度を向上させ、ギャップ深さ
零の位置を決定する。

次に、第２コイル１１を作製する。作製工程は第１コイ
ル５の作製工程とほぼ同じである。

続いて、第３層絶縁膜１２を作製する。作製工程は第２
層絶縁膜と同じである。第３層絶縁膜１２を形成した後
、上部磁性膜８を形成する。

この上部磁性膜８を加工することにより、トラック幅を
決定することになる。コイル高さ５μｍで、かつ２層コ
イルのヘッドを作製した場合、本実施例のように基板に
凹部（エツチング深さ１０μｍ）を設けたことにより、
トラック幅を加工するに際しての素子高さは１０μｍ程
度と低い。しかし凹部を設けないヘッド構造にした場合
は約２０μｍと高くなり、トラック幅精度としては悪い
。

実施例２ 第６図は、本発明の他の実施例を示す断面図である。本
実施例の特徴は第３層絶縁膜でギャップ深さ零を決める
ところにある。勿論、第３層絶縁膜の先端形成位置は基
板凹部の立下り点より前に形成することは勿論である。

これによリ、素子の並び精度は高精度となる。また、第
２層絶縁膜は基板表面と同一レベルにした。これにより
、実施例１に比較して、素子高さは低くなりトラック幅
加工は容易になり高精度になる。

実施例３ 第７図は、本発明の他の実施例を示す断面図である。本
実施例の特徴は実施例２の第２層絶縁膜の作製までは同
じ工程であるが、上部磁性体を２回に分けて作製すると
ころにある。第７図に示すように、第２層絶縁膜を作製
した後、段差の低いところで、まず上部磁性体（Ｉ）１
６を加工し、トラック幅を決定するものである。

このように、段差の低いところで、上部磁性体（１）を
加工することから、トラック幅精度は向上する。その後
、第２層コイル１を作製し、その上に第３層絶縁膜１２
を形成する。次いで、ポール長保護膜１８を形成し、コ
ンタクトスルホール１９を開ける。その上に上部磁性体
（ＩＩ）１７を作製する。

本実施例の場合は、上部磁性体の種々の材料の組合せが
あり、本実施例のもう一つの特徴になっている。例えば
、上部磁性体（１）が高Ｂｓ材であるＣｇＴａ２ｒ、上
部磁性体（Ｉｆ）がパーマロイ　（Ｎｉ−Ｆｅ）である
構造、また、上部磁性体（Ｉ）がパーマロイの多層膜、
上部磁性体（Ｉｔ）がパーマロイの単層膜である構造、
などの例がある。上記例にこだわらず、磁性体としては
、Ｎｉ−Ｆｅ、高ＢＳ材の単層膜及び多層膜との種々の
組合せがある。

実施例４ 第９図は、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディ
スク装置の概略斜視図であり、磁気ディスク装置を所定
のスペースに収納した状態を示すものである。容器１０
０の内部にヘッド・ディスク・アッセンブリ（ＨＤＡ）
１０１及び電子回路部１０２でヘッド・ディスク・アッ
センブリ・ユニッ）　（ＨＤＵ）１０３を形成し、容器
１００の内部に収納されている。また、計算機とのイン
ターフェース（図示せず）が容器１００の内部に収納さ
れている。ＨＤＵ１０３は８個あり、これらが２個ずつ
四段に収納しである。容器１００は、底の一辺の長さが
０．５〜１、５ｍ、高さが約２ｍである。

第９図においてＡ及びＢは、磁気ヘッド及び磁気ディス
クに清浄な空気を供給するための空気の流れを示す。

第１０図は、本発明の一実施例を示す概略図である。第
１１図は、第１０図における薄膜磁気へラド２５近傍を
拡大した斜視図である。

符号２１はベース、２２はスピンドルである。

一つのスピンドルに図のように複数枚の円板状の薄膜磁
気ディスク２４が取り付けられる。薄膜磁気ディスク２
４は、第１１図に示すようにアルミナ等の非磁性円板２
４ａ（Ｄ一方又は両方の面に磁性膜２４ｂを設けたもの
からなる。磁性膜２’４ｂには、多数のトラック溝が設
けである。

第１０図では、１つのスピンドルに五枚の薄膜磁気ディ
スクを設けた例が示されているが、五枚に限るものでは
ない。又、このように１つのスピンドルに複数枚の薄膜
磁気ディスクを設けたものを複数個設置してもよい。

符号２３は、スピンドル２２を駆動し、薄膜磁気ディス
クを回転するためのモータである。

符号２５はデータ用磁気ヘッドであり、実施例１で製造
した薄膜磁気ヘッドを示し、符号２５ａは位置決め用磁
気ヘッドを示している。符号２６はキャリッジ、符号２
７はボイスコイル、符号２８はマグネットである。ボイ
スコイル２７とマグネット２８によりボイスコイルモー
タが構成される。そして符号２６と２７と２８の要素に
より、ヘッドの位置決めがなされる。ボイスコイルと磁
気ヘッド２５．２５ａとはボイスコイルモータ制御回路
を介して接続されている。

第１０図において、上位装置とは、たとえばコンピュー
タシステムを示す。

リード／ライト回路とは、書き込み及び読み出しの情報
を識別し、磁気ディスク装置に信号を送るもらであり、
インターフェイス部とは上位装置と磁気ディスク装置と
を接続するものである。この上位装置と磁気ディスク装
置とを有するシステムが情報処理システムである。

第１１図は、薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ディスクの拡
大図である。符号３１はスライダー、符号２９は記録波
長、符号３０はディスク回転方向を示している。ｔは薄
膜磁気ヘッドの浮上量を表し、ｂｌはトラックピッチを
表している。

このような磁気ディスク装置に搭載する磁気ヘッドとし
て、前記した本発明の薄膜磁気ヘッドがいずれも好適に
用いられる。

〔発胡の効果〕

本発明によれば、基板に凹部を作製し、その中に少なく
とも１層目のコイルを形成することからトラック幅加工
時の素子高さが低（できるので、トラック幅精度が向上
し、かつテーパ角のコントロールにより磁界強度を大き
（できる。

また、凹部のテーパ部では下部磁性体パターンを広くし
、かつテーパ部では下部磁性体が２層構造で積層される
ので、テーパ部における磁束の飽和がなくなり、大きな
磁界強度が得られる。さらに、ギャップ深さ零（Ｇｄ＝
０）を凹部テーパ部の前方に形成し、かつＧｄ＝０を第
２層目以上の層間絶縁膜で決定することから、素子の並
び精度が向上し、特性及び加工歩留まりが向上する。

また、この薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置
は高記録密度化が達成できた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す薄膜磁気ヘッドの断面
図、第２図は第１図の平面図、第３図は凹部テーパ角と
エツチング深さとの関係を示すグラフ、第４−ａ図は本
発明の下部磁性体のパターン形状を示す側面図、第４−
ｂ図は第４−ａ図の平面図、第５図はコイル作製工程を
示す断面説明図、第６図及び第７図は本発明の他の実施
例を示す断面図、第８図は従来構造の薄膜磁気ヘッドの
断面図、第９図は、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した
磁気ディスク装置の概略斜視図、第１０図は磁気ディス
ク装置の全体構成図、第１１図は第１０図の薄膜磁気ヘ
ッド近傍の拡大斜視図である。 １　基板、２　絶縁膜、３　下部磁性体、４　第１層絶
縁膜、５　第１層コイル、６　第２層絶縁膜、７　ギャ
ップ膜、８　上部磁性体、９　下部磁性体（１）、１０
　　下部磁性体（ＩＩ）１１　第２層コイル、１２　第
３層絶縁膜、１３　下地膜、１４　ホトレジスト膜、１
５コイル用ホトレジストパターン、１６　　上部磁性体
（１）、１７　　上部磁性体（ＩＩ）、１９コンタクト
スルホール、２２　スピンドル、２３　モータ、２４　
磁気ディスク、２５　磁気ヘッド、２６　キャリッジ、
２７　ボイスコイル、２８　マグネット 特許出願人　　株式会社日立製作所 代　　理　　人　　　中　　　本　　　　　　　穴間　
　　　　　井　　　上　　　　　　　昭第　２　図 第３図 エッチ〉り′漂で（ＰＷＬ） 易５図 ＄６　図 第７図 ｆ！７８　図 累７０図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板表面に、絶縁膜、下部磁性体、ギャップ層、絶
   縁層、コイル及び上部磁性体を順次パターン化して積層
   した積層体からなり、下部及び上部磁性体の一端はギャ
   ップ層のみを挟持して磁極先端部を構成し、他端はスル
   ホール部を介して直接接続され、下部及び上部磁性体が
   前記一端と他端との間において絶縁層により絶縁され、
   絶縁層を介して、２層以上の多巻線コイルを有する構造
   の薄膜磁気ヘッドにおいて、基板もしくはその上に形成
   された絶縁膜に、凹部が形成されており、その凹部に下
   部磁性体、ギャップ層、絶縁層、コイルが埋め込まれ、
   第２層以上の絶縁膜でギャップ深さ零が決められている
   ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、凹部の立上り点から上の下部磁性体膜厚が、上部磁
   性体膜厚より厚いことを特徴とする請求項１記載の薄膜
   磁気ヘッド。 ３、基板もしくはその上の絶縁膜に形成された凹部は、
   そのテーパ角が３０〜５０゜の角度であることを特徴と
   する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 ４、上部磁性体はギャップ深さ零の点から立上り、下部
   磁性体はギャップ深さ零より後方で、かつ凹部の立下り
   点で立下ることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘ
   ッド。 ５、基板もしくはその上の絶縁膜に形成された凹部の中
   に少なくともコイルが一層形成されていることを特徴と
   する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 ６、磁気ギャップ部は基板もしくは第２層絶縁膜とほぼ
   同じ平面であり、バックギャップ部は基板もしくはその
   上の絶縁膜の凹部表面に形成されていることを特徴とす
   る請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 ７、２層以上の多巻線コイルを有する薄膜磁気ヘッドに
   おいて、コイル高さは３〜１０μｍ、コイル間隙は１．
   ５〜３μｍであることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ８、凹部を有する基板上に下部磁性体を有する薄膜磁気
   ヘッドにおいて、前記下部磁性体の先端幅のひろがり開
   始位置が、ギャップ深さ零と前記凹部のテーパ最下端と
   の間にあることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ９、２層以上の導体コイルを有し、該コイルを絶縁する
   複数の絶縁層を有する基板上に形成された薄膜磁気ヘッ
   ドにおいて、前記基板が凹部を有し、該凹部に形成され
   た第１層目の絶縁層を有し、磁気ギャップ深さ零の位置
   を第２層目以上の絶縁層で決めることを特徴とする薄膜
   磁気ヘッド。 １０、磁気ディスク及びそれを回転保持する手段と、該
   磁気ディスクに対して機能する磁気ヘッドとを有する磁
   気ディスク装置において、該磁気ヘッドとして請求項１
   〜９のいずれか１項記載の薄膜磁気ヘッドを搭載したこ
   とを特徴とする磁気ディスク装置。