JPH05325138A - 浮上型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
浮上型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH05325138A JPH05325138A JP13214492A JP13214492A JPH05325138A JP H05325138 A JPH05325138 A JP H05325138A JP 13214492 A JP13214492 A JP 13214492A JP 13214492 A JP13214492 A JP 13214492A JP H05325138 A JPH05325138 A JP H05325138A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、複数層の導電性リード層と下部磁
性層とでショート事故を起こすことのない、電磁変換特
性や耐久性に優れ製品歩留りの高い浮上型薄膜磁気ヘッ
ドの提供を目的とする。 【構成】 本発明の浮上型薄膜磁気ヘッドは、磁性基板
１と、磁性基板１上の下地絶縁層２を介して積層された
再生用ヘッドとしての磁気抵抗素子部と、磁気抵抗素子
部の導電性リード層５の非被着部の下地絶縁層２の少な
くとも導電性リード層５の外周部に被着された非磁性層
６と、非磁性層６と導電性リード層５の上面に被着積層
された絶縁膜７と、絶縁膜７の上面に順次積層された下
部磁性層、上部磁性層及び両磁性層間に形成された磁気
ギャップ等を備えた記録用ヘッドと、を備えた構成を有
している。
性層とでショート事故を起こすことのない、電磁変換特
性や耐久性に優れ製品歩留りの高い浮上型薄膜磁気ヘッ
ドの提供を目的とする。 【構成】 本発明の浮上型薄膜磁気ヘッドは、磁性基板
１と、磁性基板１上の下地絶縁層２を介して積層された
再生用ヘッドとしての磁気抵抗素子部と、磁気抵抗素子
部の導電性リード層５の非被着部の下地絶縁層２の少な
くとも導電性リード層５の外周部に被着された非磁性層
６と、非磁性層６と導電性リード層５の上面に被着積層
された絶縁膜７と、絶縁膜７の上面に順次積層された下
部磁性層、上部磁性層及び両磁性層間に形成された磁気
ギャップ等を備えた記録用ヘッドと、を備えた構成を有
している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録による高密度記
憶装置であるハードディスクドライブ等に好適に用いら
れる浮上型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関するも
のである。
憶装置であるハードディスクドライブ等に好適に用いら
れる浮上型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、容易にトラック密度を上げること
ができ、しかも記録媒体の周速に依存しないで高い出力
を得ることのできる磁気抵抗素子（以下、ＭＲ素子とい
う）を利用した磁気抵抗効果型ヘッドを再生用のヘッド
として用いた浮上型薄膜磁気ヘッドが特開平３−３０１
０７号公報に開示され実用化されている。ＭＲ素子は特
開平２−６８７０６号公報に開示されているように、記
録媒体に書き込まれている磁気信号により発生している
磁界がＭＲ薄膜に磁束の量及び方向の関数として作用
し、そのＭＲ薄膜の電気抵抗の変化により記録媒体から
の信号を検出する磁気センサーである。
ができ、しかも記録媒体の周速に依存しないで高い出力
を得ることのできる磁気抵抗素子（以下、ＭＲ素子とい
う）を利用した磁気抵抗効果型ヘッドを再生用のヘッド
として用いた浮上型薄膜磁気ヘッドが特開平３−３０１
０７号公報に開示され実用化されている。ＭＲ素子は特
開平２−６８７０６号公報に開示されているように、記
録媒体に書き込まれている磁気信号により発生している
磁界がＭＲ薄膜に磁束の量及び方向の関数として作用
し、そのＭＲ薄膜の電気抵抗の変化により記録媒体から
の信号を検出する磁気センサーである。
【０００３】再生用のヘッドとして用いられるＭＲ素子
の再生感度を向上させることやＳ／Ｎ比を良くすること
などが磁気ヘッドとしての高記録密度化につながるので
あるが、浮上型薄膜磁気ヘッドに用いられているＭＲ素
子は、シールド層でＭＲ薄膜を挟み込んで、磁気抵抗効
果を生じさせて再生信号として取り出すので、分解能を
上げるために有益でない磁束をカットして使用しなけれ
ばならない。
の再生感度を向上させることやＳ／Ｎ比を良くすること
などが磁気ヘッドとしての高記録密度化につながるので
あるが、浮上型薄膜磁気ヘッドに用いられているＭＲ素
子は、シールド層でＭＲ薄膜を挟み込んで、磁気抵抗効
果を生じさせて再生信号として取り出すので、分解能を
上げるために有益でない磁束をカットして使用しなけれ
ばならない。
【０００４】以下に従来のＭＲ素子を再生用ヘッドとし
て用いた浮上型薄膜磁気ヘッドについて説明する。
て用いた浮上型薄膜磁気ヘッドについて説明する。
【０００５】図８は従来の一般的な浮上型薄膜磁気ヘッ
ドの斜視図であり、図９は図８のＸ部の要部拡大図であ
る。
ドの斜視図であり、図９は図８のＸ部の要部拡大図であ
る。
【０００６】３０は浮上型薄膜磁気ヘッドのスライダ
ー、３１は空気ベアリング面、３２は書込み用のインダ
クティブヘッドのコイルに電流を流すためのパッド、３
３は導電性リード層と再生用ヘッドのＭＲ素子と軟磁性
薄膜のバイアス層に電流を流すためのパッド、３４は銅
薄膜等からなるコイル、３５は記録ヘッド側の磁気コア
である。
ー、３１は空気ベアリング面、３２は書込み用のインダ
クティブヘッドのコイルに電流を流すためのパッド、３
３は導電性リード層と再生用ヘッドのＭＲ素子と軟磁性
薄膜のバイアス層に電流を流すためのパッド、３４は銅
薄膜等からなるコイル、３５は記録ヘッド側の磁気コア
である。
【０００７】次に、従来の浮上型薄膜磁気ヘッドの磁気
コアについて説明する。図１０はスライダー面から見た
電磁変換素子部である図８のｘ部の拡大図であり、図１
１は図１０のＹ部のＭＲ素子部の要部拡大図である。
コアについて説明する。図１０はスライダー面から見た
電磁変換素子部である図８のｘ部の拡大図であり、図１
１は図１０のＹ部のＭＲ素子部の要部拡大図である。
【０００８】１はシールド層となるフェライト等からな
る磁性基板、２は磁性基板１上の全面に被着された再生
用ヘッドであるＭＲ素子部の磁気ギャップの一方を形成
する下地絶縁層、３は軟磁性薄膜からなるバイアス層、
４はＭＲ素子を形成する磁気抵抗効果層、５は導電性リ
ード層、７は再生用ヘッドの磁気ギャップの他方を形成
する絶縁膜、８は下部磁性層、９は非磁性層、１０は上
部磁性層、１１は保護層であり、図１１において、２４
から２７まではステップカバレッジ、Ｔ１は絶縁膜７の
膜厚、Ｔ３は導電性リード層５の膜厚、Ｔ４はバイアス
層３の膜厚と磁気抵抗効果層４の膜厚の和である。
る磁性基板、２は磁性基板１上の全面に被着された再生
用ヘッドであるＭＲ素子部の磁気ギャップの一方を形成
する下地絶縁層、３は軟磁性薄膜からなるバイアス層、
４はＭＲ素子を形成する磁気抵抗効果層、５は導電性リ
ード層、７は再生用ヘッドの磁気ギャップの他方を形成
する絶縁膜、８は下部磁性層、９は非磁性層、１０は上
部磁性層、１１は保護層であり、図１１において、２４
から２７まではステップカバレッジ、Ｔ１は絶縁膜７の
膜厚、Ｔ３は導電性リード層５の膜厚、Ｔ４はバイアス
層３の膜厚と磁気抵抗効果層４の膜厚の和である。
【０００９】以上のように構成された浮上型薄膜磁気ヘ
ッドについて、以下その従来の製造方法について図面を
参照しながら説明する。
ッドについて、以下その従来の製造方法について図面を
参照しながら説明する。
【００１０】図１２はウエハー全面に導電性リード層を
被着した状態を示す磁気コアの要部断面図であり、図１
３は導電性リード層とバイアス層、磁気抵抗効果層を一
括してパターン形成するためのレジストマスクを形成し
た状態を示す磁気コアの要部断面図であり、図１４は絶
縁膜を被着した状態を示す磁気コアの要部断面図であ
り、図１５は下部磁性層を被着した状態を示す磁気コア
の要部断面図である。
被着した状態を示す磁気コアの要部断面図であり、図１
３は導電性リード層とバイアス層、磁気抵抗効果層を一
括してパターン形成するためのレジストマスクを形成し
た状態を示す磁気コアの要部断面図であり、図１４は絶
縁膜を被着した状態を示す磁気コアの要部断面図であ
り、図１５は下部磁性層を被着した状態を示す磁気コア
の要部断面図である。
【００１１】まず、図１２に示すように磁性基板１全面
に再生用ヘッドの磁気ギャップの一方を形成する下地絶
縁層２を被着し、続いてバイアス層３、磁気抵抗効果層
４をスパッタ法等で連続して被着する。磁気抵抗効果層
４に十分なバイアスをかけて再生出力を効率良く発生さ
せるために、ＭＲ素子部の軟磁性層に飽和磁束密度が１
Ｔ程度の磁性膜を使用したバイアス層３を設ける。その
膜厚と磁気抵抗効果層４の膜厚の和Ｔ４は略１０００Å
に形成される。次いで、レジスト１２を形成し導電性リ
ード層５を被着する。磁気抵抗効果によって得られた信
号を外部に取り出すためと安定した磁気抵抗効果を発生
させるための導電性リード層５の膜厚Ｔ３は略２０００
Åに形成される。次いで、レジスト１２を除去しレジス
ト１２上の導電性リード層５をリフトオフ法で除去す
る。
に再生用ヘッドの磁気ギャップの一方を形成する下地絶
縁層２を被着し、続いてバイアス層３、磁気抵抗効果層
４をスパッタ法等で連続して被着する。磁気抵抗効果層
４に十分なバイアスをかけて再生出力を効率良く発生さ
せるために、ＭＲ素子部の軟磁性層に飽和磁束密度が１
Ｔ程度の磁性膜を使用したバイアス層３を設ける。その
膜厚と磁気抵抗効果層４の膜厚の和Ｔ４は略１０００Å
に形成される。次いで、レジスト１２を形成し導電性リ
ード層５を被着する。磁気抵抗効果によって得られた信
号を外部に取り出すためと安定した磁気抵抗効果を発生
させるための導電性リード層５の膜厚Ｔ３は略２０００
Åに形成される。次いで、レジスト１２を除去しレジス
ト１２上の導電性リード層５をリフトオフ法で除去す
る。
【００１２】次に、図１３に示すようにレジスト１３を
マスクとしてイオンミリングなどの物理的エッチング法
によりバイアス層３、磁気抵抗効果層４、導電性リード
層５の形状を同時に形成する。レジスト１３を除去する
と下地絶縁層２とＭＲ素子部（３，４，５）との段差す
なわち（Ｔ３＋Ｔ４）の段差が生じる。
マスクとしてイオンミリングなどの物理的エッチング法
によりバイアス層３、磁気抵抗効果層４、導電性リード
層５の形状を同時に形成する。レジスト１３を除去する
と下地絶縁層２とＭＲ素子部（３，４，５）との段差す
なわち（Ｔ３＋Ｔ４）の段差が生じる。
【００１３】次に、図１４に示すように磁性基板１全面
に再生用ヘッドの磁気ギャップの他方を形成する絶縁膜
７を被着する。この時、図１１に示すようにステップカ
バレッジ２４、ステップカバレッジ２７の段差（Ｔ３＋
Ｔ４）へのカバレッジが悪いのでそれを補うために次
に、図１５に示すようにシールド層を兼ねた下部磁性層
８を被着形成する。
に再生用ヘッドの磁気ギャップの他方を形成する絶縁膜
７を被着する。この時、図１１に示すようにステップカ
バレッジ２４、ステップカバレッジ２７の段差（Ｔ３＋
Ｔ４）へのカバレッジが悪いのでそれを補うために次
に、図１５に示すようにシールド層を兼ねた下部磁性層
８を被着形成する。
【００１４】次いで、非磁性層９を磁性基板１全面に被
着し、その後上部磁性層１０を被着形成し、次いで保護
層１１を磁性基板１全面に被着して図１０に示す浮上型
薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子部を得ていた。
着し、その後上部磁性層１０を被着形成し、次いで保護
層１１を磁性基板１全面に被着して図１０に示す浮上型
薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子部を得ていた。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、絶縁膜７を被着後下部磁性層８を被着した
時、導電性リード層５と下部磁性層８がステップカバレ
ッジ２４とステップカバレッジ２７の部分でカバレッジ
が不十分なためショートを起こし易いという問題点があ
った。導電性リード層５と下部磁性層８がショートを起
こすとＭＲ素子に通電している電流がシールド層でもあ
る下部磁性層８にも流れてしまうためバイアス層３に流
れるバイアス電流が変化し磁気抵抗効果層４に十分なバ
イアスがかからず、その結果記録用ヘッドの発生磁束を
漏洩させランダムノイズを発生させる一要因となり、そ
の場合に大幅に出力が減衰し、Ｓ／Ｎ比を低下させ電磁
変換特性の劣化を引き起こすという問題点があった。
の構成では、絶縁膜７を被着後下部磁性層８を被着した
時、導電性リード層５と下部磁性層８がステップカバレ
ッジ２４とステップカバレッジ２７の部分でカバレッジ
が不十分なためショートを起こし易いという問題点があ
った。導電性リード層５と下部磁性層８がショートを起
こすとＭＲ素子に通電している電流がシールド層でもあ
る下部磁性層８にも流れてしまうためバイアス層３に流
れるバイアス電流が変化し磁気抵抗効果層４に十分なバ
イアスがかからず、その結果記録用ヘッドの発生磁束を
漏洩させランダムノイズを発生させる一要因となり、そ
の場合に大幅に出力が減衰し、Ｓ／Ｎ比を低下させ電磁
変換特性の劣化を引き起こすという問題点があった。
【００１６】また、従来の製造方法は高品質の浮上型薄
膜磁気ヘッドの製品歩留りが悪く原価を上げるという問
題点を有していた。
膜磁気ヘッドの製品歩留りが悪く原価を上げるという問
題点を有していた。
【００１７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、導電性リード層と下部磁性層とでショート事故を起
こすことのない、電磁変換特性に優れた浮上型薄膜磁気
ヘッドを提供すること及び、高品質で耐久性に優れ製品
歩留りの高い浮上型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供す
ることを目的とする。
で、導電性リード層と下部磁性層とでショート事故を起
こすことのない、電磁変換特性に優れた浮上型薄膜磁気
ヘッドを提供すること及び、高品質で耐久性に優れ製品
歩留りの高い浮上型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の浮上型薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素子部におい
て最も段差の大きな箇所である下地絶縁層とＭＲ素子部
の良好なステップカバレッジを得るために少なくとも段
差部に被着した薄膜の膜厚は段差量に対して大きく形成
し、この部分の段差を解消した構成を有し、その製造方
法は導電性リード層５を形成していない下地絶縁層上に
ＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 などの非磁性層６を ＭＲ素子部
の外周囲に被着する構成からなる。具体的には、請求項
１に記載の浮上型薄膜磁気ヘッドは、磁性基板と、前記
磁性基板上の下地絶縁層を介して積層された再生用ヘッ
ドとしての磁気抵抗素子部と、前記磁気抵抗素子部の導
電性リード層の非被着部の前記下地絶縁層の少なくとも
前記導電性リード層の外周囲部に被着された非磁性層
と、前記非磁性層と前記導電性リード層の上面に被着積
層された絶縁膜と、前記絶縁膜の上面に順次積層された
下部磁性層、上部磁性層及び前記両磁性層間に形成され
た磁気ギャップ等を備えた記録用ヘッドと、を備えた構
成を有している。
に本発明の浮上型薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素子部におい
て最も段差の大きな箇所である下地絶縁層とＭＲ素子部
の良好なステップカバレッジを得るために少なくとも段
差部に被着した薄膜の膜厚は段差量に対して大きく形成
し、この部分の段差を解消した構成を有し、その製造方
法は導電性リード層５を形成していない下地絶縁層上に
ＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 などの非磁性層６を ＭＲ素子部
の外周囲に被着する構成からなる。具体的には、請求項
１に記載の浮上型薄膜磁気ヘッドは、磁性基板と、前記
磁性基板上の下地絶縁層を介して積層された再生用ヘッ
ドとしての磁気抵抗素子部と、前記磁気抵抗素子部の導
電性リード層の非被着部の前記下地絶縁層の少なくとも
前記導電性リード層の外周囲部に被着された非磁性層
と、前記非磁性層と前記導電性リード層の上面に被着積
層された絶縁膜と、前記絶縁膜の上面に順次積層された
下部磁性層、上部磁性層及び前記両磁性層間に形成され
た磁気ギャップ等を備えた記録用ヘッドと、を備えた構
成を有している。
【００１９】請求項２に記載の浮上型薄膜磁気ヘッドの
製造方法は、磁性基板上に下地絶縁層を介してバイアス
層、磁気抵抗効果層と導電性リード層からなる磁気抵抗
素子部を形成する工程と、前記工程で形成された磁気抵
抗素子部の導電性リード層の非被着部の前記下地絶縁層
の少なくとも前記導電性リード層の外周囲部に非磁性層
を被着する工程と、前記工程で形成された非磁性層及び
前記導電性リード層の上面に絶縁膜を積層する工程と、
前記工程で積層された絶縁膜上に順次下部磁性層、上部
磁性層及び前記両磁性層間の磁気ギャップを備えた記録
用ヘッドを積層形成する工程と、を有する構成からな
る。
製造方法は、磁性基板上に下地絶縁層を介してバイアス
層、磁気抵抗効果層と導電性リード層からなる磁気抵抗
素子部を形成する工程と、前記工程で形成された磁気抵
抗素子部の導電性リード層の非被着部の前記下地絶縁層
の少なくとも前記導電性リード層の外周囲部に非磁性層
を被着する工程と、前記工程で形成された非磁性層及び
前記導電性リード層の上面に絶縁膜を積層する工程と、
前記工程で積層された絶縁膜上に順次下部磁性層、上部
磁性層及び前記両磁性層間の磁気ギャップを備えた記録
用ヘッドを積層形成する工程と、を有する構成からな
る。
【００２０】ここで、非磁性層としてはチッ化珪素、酸
化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタル等をスパッタ
法や蒸着法等により形成されたものが用いられる。非磁
性層の膜厚はＭＲ素子部の膜厚と略同等か又は導電性リ
ード層と下部磁性層の電気絶縁性を保つ程度にＭＲ素子
部の膜厚と非磁性層の膜厚の差が絶縁膜の膜厚よりも小
さいことが望ましい。
化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタル等をスパッタ
法や蒸着法等により形成されたものが用いられる。非磁
性層の膜厚はＭＲ素子部の膜厚と略同等か又は導電性リ
ード層と下部磁性層の電気絶縁性を保つ程度にＭＲ素子
部の膜厚と非磁性層の膜厚の差が絶縁膜の膜厚よりも小
さいことが望ましい。
【００２１】
【作用】この構成によって、非磁性層６を被着して下部
磁性層８を被着した時、導電性リード層５と下部磁性層
８の間でショートを起こすことを防止することができ
る。
磁性層８を被着した時、導電性リード層５と下部磁性層
８の間でショートを起こすことを防止することができ
る。
【００２２】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００２３】図１は本発明の一実施例における浮上型薄
膜磁気ヘッドの電磁変換素子部の要部拡大図であり、図
２は図１のＡ部の磁気抵抗素子部の要部拡大図である。
膜磁気ヘッドの電磁変換素子部の要部拡大図であり、図
２は図１のＡ部の磁気抵抗素子部の要部拡大図である。
【００２４】１は磁性基板、２は下地絶縁層、３は軟磁
性薄膜のバイアス層、４は磁気抵抗効果層、５は導電性
リード層、７は絶縁膜、８は下部磁性層、９は非磁性
層、１０は上部磁性層、１１は保護層、２０から２３ま
ではステップカバレッジ、Ｔ１は絶縁膜７の膜厚、Ｔ３
は導電性リード層５の膜厚、Ｔ４はバイアス層３の膜厚
と磁気抵抗効果層４の膜厚の和であり、これらは従来例
と大略同一のものなので同一の番号を付し説明を省略す
る。
性薄膜のバイアス層、４は磁気抵抗効果層、５は導電性
リード層、７は絶縁膜、８は下部磁性層、９は非磁性
層、１０は上部磁性層、１１は保護層、２０から２３ま
ではステップカバレッジ、Ｔ１は絶縁膜７の膜厚、Ｔ３
は導電性リード層５の膜厚、Ｔ４はバイアス層３の膜厚
と磁気抵抗効果層４の膜厚の和であり、これらは従来例
と大略同一のものなので同一の番号を付し説明を省略す
る。
【００２５】６はＳｉ3 Ｎ4 等のチッ化珪素、ＳｉＯ2
等の酸化珪素、酸化アルミニウム、Ｔａ3 Ｏ5 等の酸化
タンタル等をスパッタ法や蒸着法等公知の方法を用いて
形成した窒化膜や酸化膜からなる非磁性層、Ｔ２は非磁
性層６の膜厚、Ｔ５はＭＲ素子部の膜厚である。
等の酸化珪素、酸化アルミニウム、Ｔａ3 Ｏ5 等の酸化
タンタル等をスパッタ法や蒸着法等公知の方法を用いて
形成した窒化膜や酸化膜からなる非磁性層、Ｔ２は非磁
性層６の膜厚、Ｔ５はＭＲ素子部の膜厚である。
【００２６】非磁性層６は下地絶縁層２とＭＲ素子部の
膜厚Ｔ５との段差を解消するために、導電性リード層５
を形成していない外周囲の箇所にＴ２の膜厚で被着し、
少なくともステップカバレッジ２０とステップカバレッ
ジ２３の部分の段差（Ｔ５−Ｔ２）が、次に被着する再
生時の磁気ギャップとなる絶縁膜７の膜厚Ｔ１より小さ
く形成されている。絶縁膜７の被着後に形成する下部磁
性層８と導電性リード層５がステップカバレッジ２０と
ステップカバレッジ２３でショートするのを防止するた
めである。
膜厚Ｔ５との段差を解消するために、導電性リード層５
を形成していない外周囲の箇所にＴ２の膜厚で被着し、
少なくともステップカバレッジ２０とステップカバレッ
ジ２３の部分の段差（Ｔ５−Ｔ２）が、次に被着する再
生時の磁気ギャップとなる絶縁膜７の膜厚Ｔ１より小さ
く形成されている。絶縁膜７の被着後に形成する下部磁
性層８と導電性リード層５がステップカバレッジ２０と
ステップカバレッジ２３でショートするのを防止するた
めである。
【００２７】以上のように構成された浮上型薄膜磁気ヘ
ッドについて、以下その製造方法を図面を参照しながら
説明する。
ッドについて、以下その製造方法を図面を参照しながら
説明する。
【００２８】図３はウエハー全面に導電性リード層を被
着した状態を示す磁気コアの要部断面図であり、図４は
導電性リード層とバイアス層、磁気抵抗効果層を一括し
てパターン形成するためのレジストマスクを形成した状
態を示す磁気コアの要部断面図であり、図５は段差を解
消するための非磁性層を被着した状態を示す磁気コアの
要部断面図であり、図６は絶縁膜を被着した状態を示す
磁気コアの要部断面図であり、図７は下部磁性層をウエ
ハー全面に被着した状態を示す磁気コアの要部断面図で
ある。
着した状態を示す磁気コアの要部断面図であり、図４は
導電性リード層とバイアス層、磁気抵抗効果層を一括し
てパターン形成するためのレジストマスクを形成した状
態を示す磁気コアの要部断面図であり、図５は段差を解
消するための非磁性層を被着した状態を示す磁気コアの
要部断面図であり、図６は絶縁膜を被着した状態を示す
磁気コアの要部断面図であり、図７は下部磁性層をウエ
ハー全面に被着した状態を示す磁気コアの要部断面図で
ある。
【００２９】まず図３に示すようにシールド層となるフ
ェライトなどの磁性基板１全面に再生用ヘッドの磁気ギ
ャップとなる下地絶縁層２をスパッタ法等で被着し、続
いてバイアス層３、磁気抵抗効果層４を連続して被着し
た後、レジスト１２を形成し導電性リード層５を被着す
る。レジスト１２を除去してレジスト１２上の導電性リ
ード層５をリフトオフ法により除去する。レジスト１２
の膜厚は概ね１〜３μｍあるため概ね２０００Åの膜厚
の導電性リード層５は容易に除去できる。
ェライトなどの磁性基板１全面に再生用ヘッドの磁気ギ
ャップとなる下地絶縁層２をスパッタ法等で被着し、続
いてバイアス層３、磁気抵抗効果層４を連続して被着し
た後、レジスト１２を形成し導電性リード層５を被着す
る。レジスト１２を除去してレジスト１２上の導電性リ
ード層５をリフトオフ法により除去する。レジスト１２
の膜厚は概ね１〜３μｍあるため概ね２０００Åの膜厚
の導電性リード層５は容易に除去できる。
【００３０】その後図４に示すように、レジスト１３を
形成しイオンミリングなどの物理的エッチング法により
バイアス層３、磁気抵抗効果層４、導電性リード層５の
形状を一括して形成する。
形成しイオンミリングなどの物理的エッチング法により
バイアス層３、磁気抵抗効果層４、導電性リード層５の
形状を一括して形成する。
【００３１】次いで、図５に示すようにレジスト１３を
除去せずに、非磁性層６を被着する。非磁性層６は導電
性リード層５を形成していない箇所にＴ２の膜厚で被着
し、少なくともステップカバレッジ２０とステップカバ
レッジ２３の部分の段差（Ｔ３＋Ｔ４−Ｔ２）を、次に
被着する再生時の磁気ギャップとなる絶縁膜７の膜厚Ｔ
１より小さく形成する。その後レジスト１３を除去し、
レジスト１３上の非磁性層６をリフトオフ法にて除去す
る。レジスト１３の膜厚は概ね２〜４μｍあるため膜厚
が多くとも５０００Å程度しか被着していない非磁性層
６は容易に除去できる。
除去せずに、非磁性層６を被着する。非磁性層６は導電
性リード層５を形成していない箇所にＴ２の膜厚で被着
し、少なくともステップカバレッジ２０とステップカバ
レッジ２３の部分の段差（Ｔ３＋Ｔ４−Ｔ２）を、次に
被着する再生時の磁気ギャップとなる絶縁膜７の膜厚Ｔ
１より小さく形成する。その後レジスト１３を除去し、
レジスト１３上の非磁性層６をリフトオフ法にて除去す
る。レジスト１３の膜厚は概ね２〜４μｍあるため膜厚
が多くとも５０００Å程度しか被着していない非磁性層
６は容易に除去できる。
【００３２】次に、図６に示すように磁性基板１全面に
絶縁膜７を被着する。ステップカバレッジ２０、ステッ
プカバレッジ２３は非磁性層６を被着したため絶縁性等
が非常に改良されている。
絶縁膜７を被着する。ステップカバレッジ２０、ステッ
プカバレッジ２３は非磁性層６を被着したため絶縁性等
が非常に改良されている。
【００３３】次いで、図７に示すようにシールド層を兼
ねた下部磁性層８を被着形成した後、図１に示すように
非磁性層９を磁性基板１全面に被着し、次いで上部磁性
層１０を被着形成した後保護層１１を磁性基板１全面に
被着して浮上型薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子部を形成
する。
ねた下部磁性層８を被着形成した後、図１に示すように
非磁性層９を磁性基板１全面に被着し、次いで上部磁性
層１０を被着形成した後保護層１１を磁性基板１全面に
被着して浮上型薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子部を形成
する。
【００３４】尚、磁性基板１と下部磁性層８はシールド
層を兼ねているが、シールド層をパーマロイやアモルフ
ァスなどの軟磁性膜で別途構成してもよい。
層を兼ねているが、シールド層をパーマロイやアモルフ
ァスなどの軟磁性膜で別途構成してもよい。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明は、下地絶縁層と該
下地絶縁層上に順次積層される軟磁性膜のバイアス層と
磁気抵抗効果層と導電性リード層との間で発生していた
段差を解消するように、導電性リード層の形状の形成後
に非磁性層を被着したので、導電性リード層と下部磁性
層のショートを防ぎ、ＭＲ素子に通電している電流がシ
ールド層でもある下部磁性層にも流れてしまう事故を防
ぐことができ、軟磁性膜のバイアス層に流れるバイアス
電流が減衰し磁気抵抗効果層に十分なバイアスがかから
なくなったり、記録側のヘッドの発生磁束を漏洩させた
り、ランダムノイズの一要因となって大幅な出力の減衰
を招いたりＳ／Ｎ比を低下させたりすることのない安定
した電磁変換特性を発揮できる浮上型薄膜磁気ヘッドを
実現できるものであり、また、前記したような優れた電
磁変換特性を備えた浮上型薄膜磁気ヘッドを高い歩留り
で生産することのできる浮上型薄膜磁気ヘッドの製造方
法を実現できるものである。
下地絶縁層上に順次積層される軟磁性膜のバイアス層と
磁気抵抗効果層と導電性リード層との間で発生していた
段差を解消するように、導電性リード層の形状の形成後
に非磁性層を被着したので、導電性リード層と下部磁性
層のショートを防ぎ、ＭＲ素子に通電している電流がシ
ールド層でもある下部磁性層にも流れてしまう事故を防
ぐことができ、軟磁性膜のバイアス層に流れるバイアス
電流が減衰し磁気抵抗効果層に十分なバイアスがかから
なくなったり、記録側のヘッドの発生磁束を漏洩させた
り、ランダムノイズの一要因となって大幅な出力の減衰
を招いたりＳ／Ｎ比を低下させたりすることのない安定
した電磁変換特性を発揮できる浮上型薄膜磁気ヘッドを
実現できるものであり、また、前記したような優れた電
磁変換特性を備えた浮上型薄膜磁気ヘッドを高い歩留り
で生産することのできる浮上型薄膜磁気ヘッドの製造方
法を実現できるものである。
【図１】実施例における浮上型薄膜磁気ヘッドの電磁変
換素子部の要部拡大図
換素子部の要部拡大図
【図２】図１のＡ部のＭＲ素子部の要部拡大図
【図３】ウエハー全面に導電性リード層を被着した状態
を示す磁気コアの要部断面図
を示す磁気コアの要部断面図
【図４】導電性リード層、バイアス層、磁気抵抗効果層
を一括してパターン形成するためのレジストマスクを形
成した状態を示す磁気コアの要部断面図
を一括してパターン形成するためのレジストマスクを形
成した状態を示す磁気コアの要部断面図
【図５】段差を解消するための非磁性層を被着した状態
を示す磁気コアの要部断面図
を示す磁気コアの要部断面図
【図６】絶縁膜を被着した状態を示す磁気コアの要部断
面図
面図
【図７】下部磁性層をウエハー全面に被着した状態を示
す磁気コアの要部断面図
す磁気コアの要部断面図
【図８】従来の一般的な浮上型薄膜磁気ヘッドの斜視図
【図９】図８のＸ部の要部拡大図
【図１０】従来の浮上型薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子
部である図８のｘ部の拡大図
部である図８のｘ部の拡大図
【図１１】図１０のＹ部の電磁変換素子部のＭＲ素子部
の要部拡大図
の要部拡大図
【図１２】ウエハー全面に導電性リード層を被着した状
態を示す磁気コアの要部断面図
態を示す磁気コアの要部断面図
【図１３】導電性リード層とバイアス層、磁気抵抗効果
層を一括してパターン形成するためのレジストマスクを
形成した状態を示す磁気コアの要部断面図
層を一括してパターン形成するためのレジストマスクを
形成した状態を示す磁気コアの要部断面図
【図１４】絶縁膜を被着した状態を示す磁気コアの要部
断面図
断面図
【図１５】下部磁性層を被着した状態を示す磁気コアの
要部断面図
要部断面図
１ 磁性基板 ２ 下地絶縁層 ３ バイアス層 ４ 磁気抵抗効果層 ５ 導電性リード層 ６ 非磁性層 ７ 絶縁膜 ８ 下部磁性層 ９ 非磁性層 １０ 上部磁性層 １１ 保護層 １２ レジスト １３ レジスト ２０ ステップカバレッジ ２１ ステップカバレッジ ２２ ステップカバレッジ ２３ ステップカバレッジ ２４ ステップカバレッジ ２５ ステップカバレッジ ２６ ステップカバレッジ ２７ ステップカバレッジ Ｔ１ 絶縁膜の膜厚 Ｔ２ 非磁性層の膜厚 Ｔ３ 導電性リード層の膜厚 Ｔ４ バイアス層の膜厚と磁気抵抗効果層の膜厚の和 Ｔ５ 磁気抵抗素子部の膜厚 ３０ スライダー ３１ 空気ベアリング面 ３２ パッド ３３ パッド ３４ コイル ３５ 磁気コア
Claims (2)
- 【請求項１】磁性基板と、前記磁性基板上の下地絶縁層
を介して積層された再生用ヘッドとしての磁気抵抗素子
部と、前記磁気抵抗素子部の導電性リード層の非被着部
の前記下地絶縁層の少なくとも前記導電性リード層の外
周囲部に被着された非磁性層と、前記非磁性層と前記導
電性リード層の上面に被着積層された絶縁膜と、前記絶
縁膜の上面に順次積層された下部磁性層、上部磁性層及
び前記両磁性層間に形成された磁気ギャップ等を備えた
記録用ヘッドと、を備えたことを特徴とする浮上型薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項２】磁性基板上に下地絶縁層を介してバイアス
層、磁気抵抗効果層と導電性リード層からなる磁気抵抗
素子部を形成する工程と、前記工程で形成された磁気抵
抗素子部の導電性リード層の非被着部の前記下地絶縁層
の少なくとも前記導電性リード層の外周囲部に非磁性層
を被着する工程と、前記工程で形成された非磁性層及び
前記導電性リード層の上面に絶縁膜を積層する工程と、
前記工程で積層された絶縁膜上に順次下部磁性層、上部
磁性層及び前記両磁性層間の磁気ギャップ等を備えた記
録用ヘッドを積層形成する工程と、を有することを特徴
とする浮上型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13214492A JPH05325138A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 浮上型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13214492A JPH05325138A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 浮上型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05325138A true JPH05325138A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15074392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13214492A Pending JPH05325138A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 浮上型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05325138A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621593A (en) * | 1994-09-08 | 1997-04-15 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head and method of fabricating the same |
| US5978183A (en) * | 1997-12-11 | 1999-11-02 | International Business Machines Corporation | High resolution lead to shield short-resistant read head |
-
1992
- 1992-05-25 JP JP13214492A patent/JPH05325138A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621593A (en) * | 1994-09-08 | 1997-04-15 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head and method of fabricating the same |
| US5978183A (en) * | 1997-12-11 | 1999-11-02 | International Business Machines Corporation | High resolution lead to shield short-resistant read head |
| US6162582A (en) * | 1997-12-11 | 2000-12-19 | International Business Machines Corporation | Method of making a high resolution lead to shield short-resistant read head |
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