JPH0916912A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 薄膜工程で基板上に複数の磁気抵抗効果型の
薄膜磁気ヘッドを一括して形成する際に、薄膜磁気ヘッ
ド１つ当たりの面積が少なくて済む、生産性に優れた薄
膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気ギャップ層
を介して積層された軟磁気特性を有する一対の磁気シー
ルド間に磁気抵抗効果素子が配されてなる磁気抵抗効果
型の磁気ヘッド部１Ａと、上記磁気ヘッド部１Ａのデプ
ス長Ｔ２を検出するためのデプスセンサー１Ｂの一部と
が、同一の基板１上に形成されてなる。そして、この薄
膜磁気ヘッドでは、磁気シールドと、デプスセンサーの
端子とが電気的に接続されており、デプスセンサーの端
子がアース用の電極として機能する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスク装置等
への適用に好適な、磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気
ヘッドに関し、特に、磁気抵抗効果素子の静電破壊を防
止するためのアースの改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録にはより高密度な記録が
求められており、これに対応すべく、磁気ヘッドの挟ト
ラック化及び低インダクタンス化が進められている。こ
のような高密度記録に適した磁気ヘッドとしては、従来
のバルク型の磁気ヘッドに比べて、特に高転送速度の面
において有利な、薄膜工程を適用して作製される薄膜磁
気ヘッドの需要が伸びてきている。

【０００３】この薄膜磁気ヘッドは、半導体集積回路と
同様な薄膜工程技術、すなわち、蒸着、スパッタ等の成
膜技術や、写真製版、エッチング等のフォトリソグラフ
ィ技術等を用いて製造されるため、高精度な磁気ヘッド
を基板上に一括生産でき、量産性に優れているという特
徴がある。

【０００４】また、このような薄膜磁気ヘッドの中で
も、より高密度記録に対応できる高性能な磁気ヘッドと
して、近年、磁気抵抗効果素子（以下、「ＭＲ素子」と
称する。）を用いた薄膜磁気ヘッド（以下、「ＭＲヘッ
ド」と称する。）が注目を集めている。ＭＲヘッドは、
磁気記録媒体からの信号磁界によって抵抗が変化するＭ
Ｒ素子の抵抗変化を再生出力として検出するものであ
り、その再生出力が媒体速度に依存せず、媒体速度が遅
くても高再生出力が得られるという特徴を有しており、
例えばハードディスク装置の小型大容量化を実現する磁
気ヘッドとして期待されている。

【０００５】このようなＭＲヘッドの一例について、図
１８に平面図を、図１９に図１８中Ｆ−Ｆ線における断
面図を、図２０に一部を透過させて模式的に示した斜視
図を示す。これらの図１８乃至図２０に示すように、Ｍ
Ｒヘッドは、非磁性材料からなる基板１０１と、基板１
０１上に形成された磁気シールド１０２と、磁気シール
ド１０２上に形成された磁気ギャップ層１０３と、磁気
ギャップ層１０３上の端部に形成されたＭＲ素子１０４
と、ＭＲ素子１０４上に形成されたバイアス導体１０５
と、ＭＲ素子１０４及びバイアス導体１０５から導出さ
れる一対の引き出し導体１０６，１０７と、一対の引き
出し導体１０６，１０７にそれぞれ形成された電極端子
１０８，１０９と、バイアス導体１０５及び磁気ギャッ
プ層１０３上に形成された磁気ギャップ層１１０と、磁
気ギャップ層１１０上に形成された磁気シールド１１１
と、磁気シールド１１１上に形成された絶縁層１１２
と、絶縁層１１２上に形成された非磁性材料からなる保
護層１１３とから構成される。

【０００６】そして、このＭＲヘッドでは、図１８中ｔ
１で示すように、ＭＲ素子１０４の感磁部１０４ａの幅
がトラック幅となり、図１８中ｔ２で示すように、ＭＲ
素子１０４の感磁部１０４ａの長さがデプス長となり、
図１９中ｔ３で示すように、一対の磁気シールド１０
２，１１１間の距離が磁気ギャップ間隔となる。ここ
で、ＭＲ素子１０４の感磁部１０４ａの長さであるデプ
ス長ｔ２は、ＭＲ素子１０４等と同一の基板１０１上に
別途形成されるデプスセンサー（図示せず）によって検
出され、所定の長さとなるように形成される。

【０００７】このようなＭＲヘッドで磁気記録媒体から
信号を再生する際には、電極端子１０８，１０９及び引
き出し導体１０６，１０７を介して、ＭＲ素子１０４及
びバイアス導体１０５に電流が供給される。これによ
り、ＭＲ素子１０４にバイアス磁界が印加されるととも
に、センス電流が供給される。そして、このセンス電流
によって、磁気記録媒体からＭＲ素子１０４に引き込ま
れる信号磁界の大きさに依存するＭＲ素子１０４の抵抗
変化が検出され、この抵抗変化に基づいて磁気記録媒体
からの信号が再生される。

【０００８】ところで、このようなＭＲヘッドにおいて
は、磁気記録媒体上の静電気や、ＭＲヘッドを使用して
いる人からの静電気等によって、ＭＲ素子１０４が静電
破壊を起こしやすいという問題がある。すなわち、ＭＲ
素子１０４に使用される磁気抵抗効果膜は、その膜厚が
２０〜５０ｎｍ程度と非常に薄く、且つＭＲ素子１０４
の端部が媒体摺動面に露出しているため、静電気によっ
て破壊されやすく、断線不良等が生じやすくなってい
る。

【０００９】そこで、ＭＲヘッドにおいては、このよう
な静電破壊を防止するために、一般に、ＭＲヘッドの基
板１０１や磁気シールド１０２をアースに接地する方法
が取られている。具体的には、例えば、図２１に示すよ
うに、引き出し導体１０６，１０７や電極端子１０８，
１０９等の近傍に接地電極１２０が形成され、この接地
電極１２０が基板１０１に接続される。ここで、接地電
極１２０は、図２１中Ｇ−Ｇ線における断面図である図
２２に示すように、磁気ギャップ層１０３に形成された
開口部１０３ａを通じて、基板１０１と電気的に接続す
るように形成されており、この接地電極１２０がアース
に接続される。これにより、接地電極１２０を介して静
電気が除去され、ＭＲ素子１０４の静電破壊が防止され
る。

【００１０】あるいは、例えば、図２３に示すように、
引き出し導体１０６，１０７や電極端子１０８，１０９
等の近傍に引き出し導体１３０及び接地電極１３１を形
成し、この引き出し導体１３０を磁気シールド１０２に
接続している。ここで、引き出し導体１３０及び接地電
極１３１は、図２３中Ｈ−Ｈ線における断面図である図
２４に示すように、引き出し導体１３０が磁気ギャップ
層１０３に形成された開口部１０３ａを通じて磁気シー
ルド１０２と電気的に接続するように形成されており、
この引き出し導体１３０に接続された接地電極１３１が
アースに接続される。これにより、引き出し導体１３０
及び接地電極１３１を介して静電気が除去され、ＭＲ素
子１０４の静電破壊が防止される。

【００１１】そして、このような従来のＭＲヘッドで
は、図２５に示すように、ＭＲ素子１０４を備えた磁気
ヘッドとして機能するＭＲヘッド部１４０Ａと、ＭＲ素
子１０４の感磁部の長さであるデプス長ｔ２を検出する
ためのデプスセンサー１４０Ｂと、アース用の接地電極
１４０Ｃとが同一の基板１０１上に形成されている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
ＭＲヘッドでは、ＭＲ素子の静電破壊を防止するため
に、磁気ヘッドとして機能するＭＲヘッド部の他に、ア
ース用の接地電極を形成する必要があった。そして、こ
のようにＭＲヘッド部の他に、接地電極も同一基板上に
形成すると、薄膜工程で基板上に複数のＭＲヘッドを一
括して形成する際に、ＭＲヘッド１つ当たりの面積が増
大するため、基板当たりのＭＲヘッドの取り数が少なく
なってしまう。すなわち、このような接地電極の形成
は、ＭＲヘッドの生産性の低下の原因となっている。

【００１３】そこで本発明は、このような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、薄膜工程で基板上に複数
のＭＲヘッドを一括して形成する際に、ＭＲヘッド１つ
当たりの面積が少なくて済む、生産性に優れたＭＲヘッ
ドを提供することを目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに完成された本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、磁気ギ
ャップ層を介して積層された軟磁気特性を有する一対の
磁気シールド間に磁気抵抗効果素子が配されてなる磁気
抵抗効果型の磁気ヘッド部と、上記磁気ヘッド部のデプ
ス長を検出するためのデプスセンサーの少なくとも一部
とが、同一の基板上に形成されてなる薄膜磁気ヘッドで
あって、上記磁気シールドの少なくとも一方と、上記デ
プスセンサーの端子とが電気的に接続されていることを
特徴とするものである。

【００１５】また、本発明に係る他の薄膜磁気ヘッド
は、磁気ギャップ層を介して積層された軟磁気特性を有
する一対の磁気シールド間に磁気抵抗効果素子が配され
てなる磁気抵抗効果型の磁気ヘッド部と、上記磁気ヘッ
ド部のデプス長を検出するためのデプスセンサーの少な
くとも一部とが、同一の基板上に形成されてなる薄膜磁
気ヘッドであって、上記基板と、上記デプスセンサーの
端子とが電気的に接続されていることを特徴とするもの
である。

【００１６】

【作用】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、デプスセンサー
の端子が基板又は磁気シールドと接続されており、この
端子がアース用の電極を兼ねている。そのため、磁気ヘ
ッドとして機能するＭＲヘッド部の他に、新たに接地電
極を形成する必要がない。したがって、本発明の薄膜磁
気ヘッドでは、薄膜工程で基板上に複数のＭＲヘッドを
一括して形成する際に、薄膜磁気ヘッド１つ当たりの面
積が少なくて済む。

【００１７】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発
明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で、形状、材質等を任意に変更す
ることが可能であることは言うまでもない。

【００１８】実施例１ 本実施例のＭＲヘッドは、図１に示すように、ＭＲ素子
を備えた磁気ヘッドとして機能するＭＲヘッド部１Ａ
と、ＭＲヘッド部１Ａのデプス長を検出するためのデプ
スセンサー１Ｂの一部とが、同一の基板１上に形成され
ている。そして、デプスセンサー１Ａの端子が磁気シー
ルドと電気的に接続されて、アース用の接地電極として
機能するようになっている。ここで、デプスセンサー１
Ｂの端子のうち、磁気シールドと電気的に接続されてい
る端子以外の端子は機械加工によって取り除かれてい
る。

【００１９】上記ＭＲヘッド部１Ａは、図１、及び図１
中Ａ−Ａ線における断面図である図２に示すように、非
磁性材料からなる基板１上に、絶縁層２と、絶縁層２上
に形成された磁気シールド３及び絶縁層（図示せず）
と、磁気シールド３上に形成された磁気ギャップ層５
と、磁気ギャップ層５上の端部に形成されたＭＲ素子６
と、ＭＲ素子６上に形成されたバイアス導体７と、ＭＲ
素子６及びバイアス導体７の両端から導出された一対の
引き出し導体８と、一対の引き出し導体８の端部上にそ
れぞれ形成された電極端子９と、磁気ギャップ層５、バ
イアス導体７及び一対の引き出し導体８上に形成された
磁気ギャップ層１０と、磁気ギャップ層１０上に形成さ
れた磁気シールド１１と、磁気シールド１１上に形成さ
れた絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成された非磁性材
料からなる保護層１３とが形成されて構成される。

【００２０】そして、このＭＲヘッド部１Ａにおいて
は、図１中Ｔ１で示すように、ＭＲ素子６の感磁部６ａ
の幅がトラック幅となり、図１中Ｔ２で示すように、Ｍ
Ｒ素子６の感磁部６ａの長さがデプス長となり、図２中
Ｔ３で示すように、一対の磁気シールド３，１１間の距
離が磁気ギャップ間隔となる。

【００２１】このようなＭＲヘッド部１Ａで磁気記録媒
体から信号を再生する際には、電極端子９及び引き出し
導体８を介して、ＭＲ素子６及びバイアス導体７に電流
が供給される。これにより、ＭＲ素子６にバイアス磁界
が印加されるとともに、センス電流が供給される。そし
て、このセンス電流によって、磁気記録媒体からＭＲ素
子６に引き込まれる信号磁界の大きさに依存するＭＲ素
子６の抵抗変化が検出され、この抵抗変化に基づいて磁
気記録媒体からの信号が再生される。

【００２２】一方、上記デプスセンサー１Ｂの一部は、
ＭＲ素子６の感磁部６ａの長さであるデプス長Ｔ２を検
出するためにＭＲヘッド部１Ａと同一の基板１上に別途
形成されたデプスセンサーの一部である。すなわち、デ
プスセンサー１Ｂは、アース用の接地電極として機能す
る部分を残して、他の部分は機械加工によって取り除か
れている。

【００２３】ここで、デプスセンサー１Ｂの一部、すな
わちアース用の接地電極として機能する部分は、図１、
及び図１中Ｂ−Ｂ線における断面図である図３に示すよ
うに、引き出し導体８が磁気シールド３と電気的に接続
されている以外は、ＭＲヘッド部１Ａと同様な積層構造
とされる。すなわち、このデプスセンサー１Ｂの一部
は、ＭＲヘッド部１Ａと同一の基板１上に、絶縁層２
と、絶縁層２上に形成された磁気シールド３及び絶縁層
４と、磁気シールド３及び絶縁層４上に形成された磁気
ギャップ層５と、磁気ギャップ層５上の端部に形成され
たＭＲ素子６と、ＭＲ素子６上に形成されたバイアス導
体７と、ＭＲ素子６及びバイアス導体７から導出された
引き出し導体８と、引き出し導体８の端部上に形成され
た電極端子９と、バイアス導体７及び引き出し導体８上
に形成された磁気ギャップ層１０と、磁気ギャップ層１
０上に形成された磁気シールド１１と、磁気シールド１
１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成さ
れた非磁性材料からなる保護層１３とが形成されて構成
される。

【００２４】ここで、引き出し導体８は、磁気ギャップ
層５に形成された開口部５ａを通じて、磁気シールド３
と電気的に接続されている。そして、このＭＲヘッドで
は、引き出し導体８を介して磁気シールド３と接続され
ている電極端子９を、アースに接続することにより、静
電気が除去され、ＭＲ素子６の静電破壊が防止される。

【００２５】このようなＭＲヘッドでは、デプスセンサ
ー１Ｂの電極端子９がアース用の電極として機能するの
で、新たに接地電極を形成する必要がない。したがっ
て、このＭＲヘッドは、薄膜工程で基板上に複数のＭＲ
ヘッドを一括して形成する際に、ＭＲヘッド１つ当たり
の面積が少なくて済む。

【００２６】以下、このＭＲヘッドの構成を明確にする
ために、その製造方法の一例について、図１中Ｂ−Ｂ線
における断面に相当する図４乃至図９を参照しながら説
明する。

【００２７】上記ＭＲヘッドを作製する際は、先ず、図
４に示すように、アルミナ−チタン−カーバイト等のよ
うな非磁性材料からなる基板１上に、アルミナ等からな
る絶縁層２を形成する。そして、この絶縁層２上の所定
の位置に、センダスト、アモルファス又はパーマロイ等
のような金属磁性材料からなる２μｍ程度の膜厚の磁気
シールド３を形成すると共に、アルミナ等からなる絶縁
層４を形成し、その後、表面に平坦化加工を施す。次い
で、磁気シールド３と、後工程で形成するＭＲ素子６と
の絶縁を図るために、磁気シールド３及び絶縁層４上
に、アルミナ等からなる２００ｎｍ〜３００ｎｍ程度の
膜厚の磁気ギャップ層５を形成し、その後、表面粗度を
向上するために、表面に鏡面加工を施す。

【００２８】次に、図５に示すように、イオンエッチン
グ等により、磁気シールド３上の磁気ギャップ層５に開
口部５ａを形成し、磁気シールド３の一部を表面に露出
させる。

【００２９】次に、図６に示すように、磁気ギャップ層
５上に、膜厚約３０ｎｍの磁気抵抗効果膜と、膜厚約２
０ｎｍの非磁性薄膜と、膜厚約２５ｎｍの軟磁性薄膜と
が積層されてなるＭＲ素子６を所定の形状に形成する。
ここで、非磁性薄膜は、磁気抵抗効果膜に所定のＤＣバ
イアス磁界を与えるためのＳＡＬ（soft-adjacent-laye
r）膜となるものである。また、磁気抵抗効果膜は、例
えば、Ｆｅ−Ｎｉ等からなり、軟磁性薄膜は、例えば、
パーマロイとＴａからなる軟磁性材料や、アモルファス
材料等からなる。

【００３０】次に、ＭＲ素子６上に、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ
等からなるバイアス導体７を形成する。このバイアス導
体７は、いわゆるシャットバイアス方式によってＭＲ素
子６にＤＣバイアス磁界を印加するためのシャットバイ
アス膜として機能する。

【００３１】次に、Ｃｕ，Ａｕ等の良導体材料からな
り、ＭＲ素子６及びバイアス導体７から導出される引き
出し導体８を、ＭＲヘッド部用とデプスセンサー用の両
方に、所定の形状に形成する。ここで、ＭＲヘッド部用
の引き出し導体８は、ＭＲヘッド部１ＡのＭＲ素子６及
びバイアス導体７にセンス電流を供給するためのもので
あり、デプスセンサー用の引き出し導体８は、デプスセ
ンサー１ＢのＭＲ素子６及びバイアス導体７の抵抗値を
測定するためのものである。また、デプスセンサー用の
引き出し導体８のうちの１つは、磁気シールド３を電気
的に接地させるために、図７に示すように、磁気ギャッ
プ層５に形成された開口部５ａを介して、磁気シールド
３と電気的に接続される。

【００３２】次に、図７に示すように、引き出し導体８
の後端部上に、Ｃｕ，Ａｕ等の良導体材料からなる電極
端子９を形成する。ここで、デプスセンサー１Ｂの電極
端子９は、磁気ギャップ層５の開口部５ａを介して磁気
シールド３と電気的に接続されているので、デプスセン
サー１Ｂの電極端子が、デプスセンサー用の端子と、磁
気シールド３をアースと接続するための端子とを兼ねる
こととなる。

【００３３】次に、図８に示すように、ＭＲ素子６、バ
イアス導体７及び引き出し導体８を覆うように、アルミ
ナ、ＳｉＯ₂ 等のような非磁性材料からなる磁気ギャッ
プ層１０を形成し、次に、磁気ギャップ層１０上に、前
工程で形成した下層側の磁気シールド３に対応するよう
に、上層側の磁気シールド１１を形成する。

【００３４】次に、図９に示すように、磁気シールド１
１を覆うように、アルミナ等からなる絶縁層１２を形成
し、その後、絶縁層１２上に非磁性材料からなる保護層
１３を形成する。ここで、絶縁層１２及び保護層１３
は、電極端子９が外部に露出するように形成する。

【００３５】以上の工程により、図１０に示すように、
ＭＲヘッド部１Ａとデプスセンサー１Ｂが同一基板１上
に形成される。ここで、上述したように、図１０中Ｔ１
がトラック幅、図１０中Ｔ２がデプス長、図９中Ｔ３が
磁気ギャップ間隔となる。

【００３６】その後、デプス長Ｔ２が所定の長さとなる
ように、媒体摺動面側１ａの端部から、ＭＲヘッド部１
Ａとデプスセンサー１Ｂを一緒に研磨する。このとき、
デプスセンサー１Ｂは、ＭＲヘッド部１Ａと一緒に研磨
されるので、デプスセンサー１ＢのＭＲ素子６及びバイ
アス導体７の抵抗を測定することにより、研磨量を検出
することができる。そして、このようにデプスセンサー
１Ｂによって研磨量を検出しながら、ＭＲヘッド部１Ａ
のデプス長Ｔ２が所定の長さとなるまで研磨を施す。

【００３７】次に、デプスセンサー１Ｂの一部、すなわ
ち、磁気ギャップ層５に形成された開口部５ａを介して
磁気シールド３と接続された引き出し導体８、及び引き
出し導体８上に形成された電極端子９の部分が、ＭＲヘ
ッド部１Ａと共に同一基板１上に残るように、機械加工
によって所定の形状に切り出す。

【００３８】なお、デプスセンサー１Ｂは、全体がＭＲ
ヘッド部１Ａと共に残るようにしても良いが、上述のよ
うに、アースのために必要な部分だけを残して不要な部
分を除去することにより、ＭＲヘッドのチップ面積を減
らして、より小型化を図ることが可能となる。

【００３９】以上の工程により、磁気ギャップ層５，１
０を介して積層された軟磁気特性を有する一対の磁気シ
ールド３，１１間にＭＲ素子６が配されてなるＭＲヘッ
ド部１Ａと、ＭＲヘッド部１Ａのデプス長Ｔ２を検出す
るためのデプスセンサー１Ｂの一部とが、同一の基板１
上に形成されてなるＭＲヘッが完成する。

【００４０】実施例２ 実施例１のＭＲヘッドでは、デプスセンサー１Ｂの引き
出し導体８と磁気シールド３とを直接接続したが、別途
導体層を形成し、この導体層を介してデプスセンサー１
Ｂの引き出し導体８と磁気シールド３とが接続されるよ
うにしてもよい。

【００４１】このように、導体層を介してデプスセンサ
ー１Ｂの引き出し導体８と磁気シールド３とが接続され
たＭＲヘッドについて、図１１に平面図を、図１２に図
１１中Ｃ−Ｃ線における断面図を、図１３に図１１中Ｄ
−Ｄにおける断面図を示す。なお、図１１乃至図１３に
おいて、上述のＭＲヘッドと対応する部分については、
上述のＭＲヘッドと同じ符号を付している。

【００４２】図１２及び図１３に示すように、このＭＲ
ヘッドでは、下層側の磁気シールド３とＭＲ素子６の間
に導体層２０が形成される。そして、この導体層２０を
介してデプスセンサー１Ｂの引き出し導体８と磁気シー
ルド３とが、電気的に接続されている。ここで、導体層
２０は、その端部が、ＭＲヘッドの媒体摺動面１ａ全体
に亘って露出するように形成した方が、静電気の除去に
は有効である。

【００４３】このようなＭＲヘッドでは、デプスセンサ
ー１Ｂの引き出し導体８と磁気シールド３とを接続する
際に、導体層２０を介しているので、磁気ギャップ層５
に形成する開口部５ａの位置と、下層側の磁気シールド
３とが重なり合っている必要がないため、下層側の磁気
シールド３の形状の自由度が増える。したがって、この
ように導体層２０を介してデプスセンサー１Ｂの引き出
し導体８と磁気シールド３とを接続する方法は、例え
ば、磁気シールド３の面積を最小限として、磁気シール
ド３による膜応力を少なくしたい場合や、磁気シールド
３の形状が磁気特性上の問題から制限されている場合等
に有効である。

【００４４】なお、このようなＭＲヘッドは、磁気ギャ
ップ層５を形成する前に導体層２０を形成する他は、実
施例１に示したＭＲヘッドと同様の工程によって製造さ
れる。すなわち、このようなＭＲヘッドを製造する際
は、磁気ギャップ層５を形成する前に、磁気シールド３
及び絶縁層４上に３０〜１００ｎｍ程度の膜厚のＣｒ，
Ｔｉ，Ｔａ等からなる導体層２０を所定の形状に形成す
る。ここで、導体層２０は、後工程で形成される磁気ギ
ャップ層５の開口部５ａが導体層２０上に形成されるよ
うに形成する。その後、前述のＭＲヘッドと同様に、デ
プスセンサー１Ｂの引き出し導体８に対応する部分に開
口部５ａを有する磁気ギャップ層５を形成し、次いで、
引き出し導体８を形成する。これにより、導体層２０を
介してデプスセンサー１Ｂの引き出し導体８と磁気シー
ルド３とが接続される。

【００４５】実施例３ 実施例１及び実施例２のＭＲヘッドでは、デプスセンサ
ー１Ｂの引き出し導体８と磁気シールド３とを接続した
が、デプスセンサー１Ｂの引き出し導体８と基板１とが
接続するようにしてもよい。このように、デプスセンサ
ー１Ｂの引き出し導体８と基板１とが接続されたＭＲヘ
ッドについて、図１４に平面図を、図１５に図１４中Ｅ
−Ｅ線における断面図を示す。なお、図１４及び図１５
において、上述のＭＲヘッドと対応する部分について
は、上述のＭＲヘッドと同じ符号を付している。

【００４６】図１４及び図１５に示すように、このＭＲ
ヘッドでは、基板１上に絶縁層が形成されておらず、基
板１上に直接磁気シールド３及び磁気ギャップ層５が形
成されている。そして、磁気ギャップ層５に開口部５ａ
が形成されており、この開口部５ａを通じて、デプスセ
ンサー１Ｂの引き出し導体８と基板１とが、電気的に接
続されている。ここで、基板１には、アルティック基板
や、Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板等のように、電気抵抗が
低い基板が望ましいことはいうまでもない。

【００４７】なお、このようなＭＲヘッドを作製する際
は、実施例１に示したＭＲヘッドの製造工程から、絶縁
層２及び絶縁層４の形成工程を省略すればよく、このＭ
Ｒヘッドは、より簡略な工程で製造することができる。

【００４８】実施例４ 以上の実施例では、再生専用の磁気ヘッドであるＭＲヘ
ッドについてだけ説明してきたが、記録再生用の磁気ヘ
ッドとするために、記録用の磁気ヘッドである誘導型の
磁気ヘッドを組み合わせた複合型磁気ヘッドとしてもよ
い。

【００４９】すなわち、図１６に示すように、ＭＲヘッ
ド３０上に、磁気ギャップ層４１を介して積層された軟
磁気特性を有する一対の磁気コア４２，４３を有すると
ともに、一対の磁気コア４２，４３の間に薄膜コイル４
４が配されてなる誘導型磁気ヘッド４０を形成してもよ
い。ここで、誘導型磁気ヘッド４０の下層側の磁気コア
４２は、ＭＲヘッド３０の上層側の磁気シールドを兼ね
ている。また、誘導型磁気ヘッド４０の上層側の磁気コ
ア４３上には、アルミナ等の絶縁体からなる保護層４５
が形成される。

【００５０】このように、ＭＲヘッド３０と誘導型磁気
ヘッド４０を組み合わせた複合型磁気ヘッドでは、再生
時には、下層側の磁気シールド３と、上層側の磁気シー
ルドとして機能する下層側の磁気コア４２との間隙が再
生用磁気ギャップとなり、記録時には、下層側の磁気コ
ア４２と、上層側の磁気コア４３との間隙が記録用磁気
ギャップとなる。

【００５１】そして、このような複合型磁気ヘッドにお
いても、実施例１又は実施例２と同様に、デプスセンサ
ーの端子と下層側の磁気シールドとを接続したり、実施
例３と同様に、デプスセンサーの端子と基板とを接続す
ればよい。

【００５２】実施例５ 実施例４では、ＭＲヘッド上に誘導型磁気ヘッドを積層
して複合型磁気ヘッドとしたが、誘導型磁気ヘッド上に
ＭＲヘッドを積層して複合型磁気ヘッドとしてもよい。

【００５３】すなわち、図１７に示すように、磁気ギャ
ップ層５１を介して積層された軟磁気特性を有する一対
の磁気コア５２，５３を有するとともに、一対の磁気コ
ア５２，５３の間に薄膜コイル５４が配されてなる誘導
型磁気ヘッド５０上に、ＭＲヘッド６０を形成してもよ
い。ここで、誘導型磁気ヘッド５０の上層側の磁気コア
５３は、ＭＲヘッド６０の下層側の磁気シールドを兼ね
ている。また、ＭＲヘッド６０の上層側の磁気シールド
６１上には、アルミナ等の絶縁体からなる保護層６２が
形成される。

【００５４】このように、ＭＲヘッド６０と誘導型磁気
ヘッド５０を組み合わせた複合型磁気ヘッドでは、再生
時には、上層側の磁気シールド６１と、下層側の磁気シ
ールドとして機能する上層側の磁気コア５３との間隙が
再生用磁気ギャップとなり、記録時には、上層側の磁気
コア５３と、下層側の磁気コア５２との間隙が記録用磁
気ギャップとなる。

【００５５】そして、このような複合型磁気ヘッドにお
いても、実施例１又は実施例２と同様に、デプスセンサ
ーの端子と、下層側の磁気シールドとして機能する上層
側の磁気コア５３とを接続すればよい。ここで、当然の
ことながら、上層側の磁気コア５３と接している下層側
の磁気コア５２も同電位となる。すなわち、このような
複合型磁気ヘッドでは、誘導型磁気ヘッド５０の一対の
磁気コア５２，５３と、デプスセンサーの端子とが、電
気的に接続されることとなる。したがって、本実施例の
複合型磁気ヘッドでは、ＭＲヘッド６０側の静電気の除
去だけでなく、誘導型磁気ヘッド５０側の静電気の除去
も行われる。

【００５６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の薄膜磁気ヘッドでは、デプスセンサーの端子がアース
用の電極を兼ねている。そのため、特別な接地電極を形
成する必要がなく、薄膜工程で基板上に複数のＭＲヘッ
ドを一括して形成する際に、薄膜磁気ヘッド１つ当たり
の面積が少なくて済む。したがって、本発明によれば、
薄膜磁気ヘッドの生産性を大幅に向上することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したＭＲヘッドの一例を示す平面
図である。

【図２】図１に示すＭＲヘッドのＡ−Ａ線における要部
断面図である。

【図３】図１に示すＭＲヘッドのＢ−Ｂ線における要部
断面図である。

【図４】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を示すもので
あり、基板上に絶縁層、下層側の磁気シールド、絶縁層
及び下層側の磁気ギャップ層を形成した状態を示す要部
断面図である。

【図５】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を示すもので
あり、下層側の磁気ギャップ層に開口部を形成した状態
を示す要部断面図である。

【図６】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を示すもので
あり、ＭＲ素子及びバイアス導体を形成した状態を示す
要部断面図である。

【図７】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を示すもので
あり、引き出し導体及び電極端子を形成した状態を示す
要部断面図である。

【図８】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を示すもので
あり、上層側の磁気ギャップ層及び磁気シールドを形成
した状態を示す要部断面図である。

【図９】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を示すもので
あり、絶縁層及び保護層を形成した状態を示す要部断面
図である。

【図１０】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を示すもの
であり、ＭＲヘッド部及びデプスセンサーが同一の基板
上に形成された状態を示す平面図である。

【図１１】本発明を適用したＭＲヘッドの他の例を示す
平面図である。

【図１２】図１１に示すＭＲヘッドのＣ−Ｃ線における
要部断面図である。

【図１３】図１１に示すＭＲヘッドのＤ−Ｄ線における
要部断面図である。

【図１４】本発明を適用したＭＲヘッドの他の例を示す
平面図である。

【図１５】図１４に示すＭＲヘッドのＥ−Ｅ線における
要部断面図である。

【図１６】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの一例を
示す要部断面図である。

【図１７】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの他の例
を示す要部断面図である。

【図１８】従来のＭＲヘッドの一例を示す平面図であ
る。

【図１９】図１８に示すＭＲヘッドのＦ−Ｆ線における
要部断面図である。

【図２０】図１８に示すＭＲヘッドの一部を透過して模
式的に示す要部斜視図である。

【図２１】従来のＭＲヘッドの他の例を示す平面図であ
る。

【図２２】図２１に示すＭＲヘッドのＧ−Ｇ線における
要部断面図である。

【図２３】従来のＭＲヘッドの他の例を示す平面図であ
る。

【図２４】図２３に示すＭＲヘッドのＨ−Ｈ線における
要部断面図である。

【図２５】従来のＭＲヘッドの他の例を示す平面図であ
る。

【符号の説明】

１Ａ ＭＲヘッド部 １Ｂ デプスセンサー １ 基板 ２ 絶縁層 ３ 磁気シールド ４ 絶縁層 ５ 磁気ギャップ層 ５ａ 開口部 ６ ＭＲ素子 ７ バイアス導体 ８ 引き出し導体 ９ 電極端子 １０ 磁気ギャップ層 １１ 磁気シールド １２ 絶縁層 １３ 保護層 Ｔ１ トラック幅 Ｔ２ デプス長 Ｔ３ 磁気ギャップ間隔

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気ギャップ層を介して積層された軟磁
   気特性を有する一対の磁気シールド間に磁気抵抗効果素
   子が配されてなる磁気抵抗効果型の磁気ヘッド部と、上
   記磁気ヘッド部のデプス長を検出するためのデプスセン
   サーの少なくとも一部とが、同一の基板上に形成されて
   なる薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記磁気シールドの少なくとも一方と、上記デプスセン
   サーの端子とが電気的に接続されていることを特徴とす
   る薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記デプスセンサーの端子のうち、上記
   磁気シールドと電気的に接続されている端子以外の端子
   が機械加工によって取り除かれていることを特徴とする
   請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 磁気ギャップ層を介して積層された軟磁
   気特性を有する一対の磁気コア間に薄膜コイルが配され
   てなる誘導型の磁気ヘッド部を備え、 上記磁気コアの少なくとも一方と、前記デプスセンサー
   の端子とが電気的に接続されていることを特徴とする請
   求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 磁気ギャップ層を介して積層された軟磁
   気特性を有する一対の磁気シールド間に磁気抵抗効果素
   子が配されてなる磁気抵抗効果型の磁気ヘッド部と、上
   記磁気ヘッド部のデプス長を検出するためのデプスセン
   サーの少なくとも一部とが、同一の基板上に形成されて
   なる薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記基板と、上記デプスセンサーの端子とが電気的に接
   続されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 前記デプスセンサーの端子のうち、上記
   基板と電気的に接続されている端子以外の端子が機械加
   工によって取り除かれていることを特徴とする請求項４
   記載の薄膜磁気ヘッド。