JPH05334626A - 複合型磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
複合型磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH05334626A JPH05334626A JP16389292A JP16389292A JPH05334626A JP H05334626 A JPH05334626 A JP H05334626A JP 16389292 A JP16389292 A JP 16389292A JP 16389292 A JP16389292 A JP 16389292A JP H05334626 A JPH05334626 A JP H05334626A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録時のインダクティブヘッドの磁区変動が
再生出力に影響を及ぼすことがなく、常に安定した再生
出力を得ることができる複合型磁気ヘッドを提供する。 【構成】 第１の磁気コア３、第２の磁気コア１３及び
第３の磁気コア１６を積層してなる複合型磁気ヘッドで
ある。第１の磁気コア３と第２の磁気コア１３間に磁気
抵抗効果感磁部８が配されて磁気抵抗効果型磁気ヘッド
が構成され、さらに第２の磁気コア１３と第３の磁気コ
ア１６により誘導型磁気ヘッドが構成されている。磁気
抵抗効果型感磁部８と第１の磁気コア３間に絶縁層を介
してバイアス導体５が形成され、磁気抵抗効果型感磁部
８と第１の磁気コア３によりバイアス磁路が構成されて
いる。
再生出力に影響を及ぼすことがなく、常に安定した再生
出力を得ることができる複合型磁気ヘッドを提供する。 【構成】 第１の磁気コア３、第２の磁気コア１３及び
第３の磁気コア１６を積層してなる複合型磁気ヘッドで
ある。第１の磁気コア３と第２の磁気コア１３間に磁気
抵抗効果感磁部８が配されて磁気抵抗効果型磁気ヘッド
が構成され、さらに第２の磁気コア１３と第３の磁気コ
ア１６により誘導型磁気ヘッドが構成されている。磁気
抵抗効果型感磁部８と第１の磁気コア３間に絶縁層を介
してバイアス導体５が形成され、磁気抵抗効果型感磁部
８と第１の磁気コア３によりバイアス磁路が構成されて
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、記録を行うための誘導
型磁気ヘッドと再生を行うための磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドが一体化された複合型磁気ヘッドに関する。
型磁気ヘッドと再生を行うための磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドが一体化された複合型磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばハードディスク駆動装置に用いら
れる記録再生ヘッドとして、記録可能な誘導型磁気ヘッ
ド（以下、インダクティブヘッドと称する。）と、短波
長感度に優れた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドと称する。）とを一体化した複合型磁気ヘッドの
採用が検討されている。
れる記録再生ヘッドとして、記録可能な誘導型磁気ヘッ
ド（以下、インダクティブヘッドと称する。）と、短波
長感度に優れた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドと称する。）とを一体化した複合型磁気ヘッドの
採用が検討されている。
【０００３】図９及び図１０は、かかる複合型磁気ヘッ
ドの一例を示すもので、この複合型磁気ヘッドは、例え
ばＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等よりなる基板１０１上に、ハー
ドディスクとの対接面に臨んで再生用磁気ギャップｇ1
を構成するＭＲヘッドと、記録用磁気ギャップｇ2 を構
成するインダクティブヘッドとが積層され、いわゆる２
ギャップタイプのヘッド構成とされている。
ドの一例を示すもので、この複合型磁気ヘッドは、例え
ばＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等よりなる基板１０１上に、ハー
ドディスクとの対接面に臨んで再生用磁気ギャップｇ1
を構成するＭＲヘッドと、記録用磁気ギャップｇ2 を構
成するインダクティブヘッドとが積層され、いわゆる２
ギャップタイプのヘッド構成とされている。
【０００４】上記複合型磁気ヘッドにおいて、ＭＲヘッ
ドは、パーマロイ膜等からなり先端部と後端部にそれぞ
れ電極１０２、１０３が接続された磁気抵抗効果感磁部
（以下、ＭＲ感磁部と称する。）１０４と、このＭＲ感
磁部１０４に所定の向きのバイアス磁界を与えるバイア
ス導体１０５とからなり、また上記ＭＲ感磁部１０４
は、絶縁層１０６を介して一対の磁性コア１０７、１０
８に挟まれ、磁気的にシールドされている。
ドは、パーマロイ膜等からなり先端部と後端部にそれぞ
れ電極１０２、１０３が接続された磁気抵抗効果感磁部
（以下、ＭＲ感磁部と称する。）１０４と、このＭＲ感
磁部１０４に所定の向きのバイアス磁界を与えるバイア
ス導体１０５とからなり、また上記ＭＲ感磁部１０４
は、絶縁層１０６を介して一対の磁性コア１０７、１０
８に挟まれ、磁気的にシールドされている。
【０００５】一方、インダクティブヘッドは、前記ＭＲ
感磁部１０４をシールドする磁性コア１０８を一方の磁
性コアとし、この上に絶縁層１０９及びコイル導体１１
０を介して磁性コア１１１を積層してなるもので、前記
磁性コア１１１を後端側で磁性コア１０８と接続すると
ともに、ハードディスクとの対接面側では所定のギャッ
プ長をもって対向せしめ、記録用磁気ギャップｇ2 を構
成するような構造とされている。
感磁部１０４をシールドする磁性コア１０８を一方の磁
性コアとし、この上に絶縁層１０９及びコイル導体１１
０を介して磁性コア１１１を積層してなるもので、前記
磁性コア１１１を後端側で磁性コア１０８と接続すると
ともに、ハードディスクとの対接面側では所定のギャッ
プ長をもって対向せしめ、記録用磁気ギャップｇ2 を構
成するような構造とされている。
【０００６】したがって、上記複合型磁気ヘッドにおい
て、記録の際にはコイル導体１１０に記録信号に応じて
信号電流を供給し、記録用磁気ギャップｇ2 より漏洩磁
束を発生せしめる。一方、再生に際しては、電極１０
２、１０３よりＭＲ感磁部１０４に直流電流をセンス電
流として流すとともに、バイアス導体１０５によって前
記ＭＲ感磁部１０４に所定の向きのバイアス磁界を印加
しておき、外部からの磁界による前記ＭＲ感磁部１０４
の抵抗値の変化を再生信号として取り出す。
て、記録の際にはコイル導体１１０に記録信号に応じて
信号電流を供給し、記録用磁気ギャップｇ2 より漏洩磁
束を発生せしめる。一方、再生に際しては、電極１０
２、１０３よりＭＲ感磁部１０４に直流電流をセンス電
流として流すとともに、バイアス導体１０５によって前
記ＭＲ感磁部１０４に所定の向きのバイアス磁界を印加
しておき、外部からの磁界による前記ＭＲ感磁部１０４
の抵抗値の変化を再生信号として取り出す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な構成の複合型磁気ヘッドでは、バイアス導体１０５が
ＭＲ感磁部１０４とインダクティブヘッドを構成する磁
性コア１０８との間に形成されているために、次のよう
な不都合が生ずる。
な構成の複合型磁気ヘッドでは、バイアス導体１０５が
ＭＲ感磁部１０４とインダクティブヘッドを構成する磁
性コア１０８との間に形成されているために、次のよう
な不都合が生ずる。
【０００８】先ず、上述の構成の複合型磁気ヘッドで
は、バイアス導体１０５により発生する磁束の磁路は、
このバイアス導体１０５の両側の磁性体、すなわち前記
ＭＲ感磁部１０４と磁性コア１０８によって構成され
る。ここで、インダクティブヘッドのコアである磁性コ
ア１０８は、記録過程を経るたびに大きな磁区変動（磁
壁移動）を生じるため、これがバイアス磁路中に入って
いることは記録のたびに最適バイアスポイントも変動さ
せてしまうことになる。
は、バイアス導体１０５により発生する磁束の磁路は、
このバイアス導体１０５の両側の磁性体、すなわち前記
ＭＲ感磁部１０４と磁性コア１０８によって構成され
る。ここで、インダクティブヘッドのコアである磁性コ
ア１０８は、記録過程を経るたびに大きな磁区変動（磁
壁移動）を生じるため、これがバイアス磁路中に入って
いることは記録のたびに最適バイアスポイントも変動さ
せてしまうことになる。
【０００９】したがって、初期にバイアス電流を最適値
に設定しても、ＭＲ感磁部１０４にかかるバイアス磁界
が磁区変動により変化してしまうので、再生出力変動を
引き起こしてしまう虞れがある。また、ＭＲ感磁部１０
４上にバイアス導体１０５を設け、その上に磁性コア１
０８を成膜すると、磁性コア１０８に段差が多く生じ、
しかも急峻なものとなるので、その影響により磁性コア
１０８の磁区が乱れ易く、したがって良好な特性が得に
くい。
に設定しても、ＭＲ感磁部１０４にかかるバイアス磁界
が磁区変動により変化してしまうので、再生出力変動を
引き起こしてしまう虞れがある。また、ＭＲ感磁部１０
４上にバイアス導体１０５を設け、その上に磁性コア１
０８を成膜すると、磁性コア１０８に段差が多く生じ、
しかも急峻なものとなるので、その影響により磁性コア
１０８の磁区が乱れ易く、したがって良好な特性が得に
くい。
【００１０】そこで本発明は、このような従来のものの
有する欠点を解消すべく提案されたものであって、記録
時のインダクティブヘッドの磁区変動が再生出力に影響
を及ぼすことがなく、常に安定した再生出力を得ること
ができる複合型磁気ヘッド及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
有する欠点を解消すべく提案されたものであって、記録
時のインダクティブヘッドの磁区変動が再生出力に影響
を及ぼすことがなく、常に安定した再生出力を得ること
ができる複合型磁気ヘッド及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の複合型磁気ヘッドは、基板上に積層され
る第１の磁性コア、第２の磁性コア及び第３の磁性コア
を有し、前記第２の磁性コアと第３の磁性コアにより記
録用磁気ギャップを有する誘導型磁気ヘッドが構成され
るとともに、前記第１の磁性コアと第２の磁性コア間に
磁気抵抗効果感磁部が配され磁気抵抗効果型磁気ヘッド
が構成されてなり、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
いて磁気抵抗効果型感磁部と第１の磁性コアの間に絶縁
層を介してバイアス導体が形成されていることを特徴と
するものである。
めに、本発明の複合型磁気ヘッドは、基板上に積層され
る第１の磁性コア、第２の磁性コア及び第３の磁性コア
を有し、前記第２の磁性コアと第３の磁性コアにより記
録用磁気ギャップを有する誘導型磁気ヘッドが構成され
るとともに、前記第１の磁性コアと第２の磁性コア間に
磁気抵抗効果感磁部が配され磁気抵抗効果型磁気ヘッド
が構成されてなり、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
いて磁気抵抗効果型感磁部と第１の磁性コアの間に絶縁
層を介してバイアス導体が形成されていることを特徴と
するものである。
【００１２】また、本発明の製造方法は、基板上に第１
の磁性コアを形成し、該第１の磁性コアにバイアス導体
埋め込み用の溝部をエッチングにより形成する工程と、
前記溝部に絶縁層を介してバイアス導体を形成する工程
と、上記第１の磁性コア上に磁気抵抗効果感磁部を形成
する工程と、上記磁気抵抗効果感磁部上に第２の磁性コ
ア及び第３の磁性コアを絶縁層及びコイル導体を介して
順次積層する工程とを有することを特徴とするものであ
る。
の磁性コアを形成し、該第１の磁性コアにバイアス導体
埋め込み用の溝部をエッチングにより形成する工程と、
前記溝部に絶縁層を介してバイアス導体を形成する工程
と、上記第１の磁性コア上に磁気抵抗効果感磁部を形成
する工程と、上記磁気抵抗効果感磁部上に第２の磁性コ
ア及び第３の磁性コアを絶縁層及びコイル導体を介して
順次積層する工程とを有することを特徴とするものであ
る。
【００１３】すなわち、本発明は、図１及び図２に示す
ように、ＭＲヘッドのバイアス導体５を、ＭＲ感磁部８
と磁気コア１３の間ではなく、ＭＲ感磁部８と磁気コア
３の間に配し、これらＭＲ感磁部８と磁気コア３によっ
てバイアス磁路を構成するようにし、インダクティブヘ
ッドのコアである磁気コア１３の磁区変動による再生出
力変動を解消するようにしたものである。
ように、ＭＲヘッドのバイアス導体５を、ＭＲ感磁部８
と磁気コア１３の間ではなく、ＭＲ感磁部８と磁気コア
３の間に配し、これらＭＲ感磁部８と磁気コア３によっ
てバイアス磁路を構成するようにし、インダクティブヘ
ッドのコアである磁気コア１３の磁区変動による再生出
力変動を解消するようにしたものである。
【００１４】
【作用】本発明の複合型磁気ヘッドにおいては、ＭＲヘ
ッドのバイアス導体５が、インダクティブヘッドを構成
する磁気コア１３とＭＲ感磁部８の間ではなく、シール
ドコアとして機能する磁気コア３とＭＲ感磁部８の間に
配されている。したがって、前記バイアス導体５によっ
て発生する磁束の磁路は、これらＭＲ感磁部８と磁気コ
ア３によって構成される。
ッドのバイアス導体５が、インダクティブヘッドを構成
する磁気コア１３とＭＲ感磁部８の間ではなく、シール
ドコアとして機能する磁気コア３とＭＲ感磁部８の間に
配されている。したがって、前記バイアス導体５によっ
て発生する磁束の磁路は、これらＭＲ感磁部８と磁気コ
ア３によって構成される。
【００１５】ここで、前記磁気コア３は、シールドコア
であって、インダクティブヘッドの記録時における磁区
変動等の影響を受けることがなく、したがって記録のた
びにバイアス磁界が変化することはない。また、前記磁
気コア３には段差がほとんど無いため、磁区に乱れが生
じ難く、安定した再生出力が得られる。
であって、インダクティブヘッドの記録時における磁区
変動等の影響を受けることがなく、したがって記録のた
びにバイアス磁界が変化することはない。また、前記磁
気コア３には段差がほとんど無いため、磁区に乱れが生
じ難く、安定した再生出力が得られる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】本実施例の複合型磁気ヘッドは、図１及び
図２に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等からなる基板
１上に絶縁膜２を設け、この上に第１の磁気コア３、第
２の磁気コア１３、第３の磁気コア１６及び保護膜１７
を順次積層してなるものであり、第１の磁気コア３と第
２の磁気コア１３をシールドコアとしてこれらの間にＭ
Ｒ感磁部８を設けて再生用ギャップｇ1 を有するＭＲヘ
ッドを構成し、さらには第２の磁気コア１３と第３の磁
気コア１６により記録用ギャップｇ2 を有するインダク
ティブヘッドの閉磁路を構成してなるものである。
図２に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等からなる基板
１上に絶縁膜２を設け、この上に第１の磁気コア３、第
２の磁気コア１３、第３の磁気コア１６及び保護膜１７
を順次積層してなるものであり、第１の磁気コア３と第
２の磁気コア１３をシールドコアとしてこれらの間にＭ
Ｒ感磁部８を設けて再生用ギャップｇ1 を有するＭＲヘ
ッドを構成し、さらには第２の磁気コア１３と第３の磁
気コア１６により記録用ギャップｇ2 を有するインダク
ティブヘッドの閉磁路を構成してなるものである。
【００１８】上記ＭＲヘッドは、図２に示すように、シ
ールドコアとして機能する磁気コア３に設けられた溝部
３ａ内に絶縁膜４及び絶縁膜６に挟まれた状態で配され
るバイアス導体５と、ハードディスク対接面に臨むＭＲ
感磁部８とを主たる構成要素とするもので、前記絶縁膜
６によって平坦化された磁気コア３上には、下層絶縁膜
７、ＭＲ感磁部８、絶縁膜９、上層絶縁膜１２が順次積
層形成されている。
ールドコアとして機能する磁気コア３に設けられた溝部
３ａ内に絶縁膜４及び絶縁膜６に挟まれた状態で配され
るバイアス導体５と、ハードディスク対接面に臨むＭＲ
感磁部８とを主たる構成要素とするもので、前記絶縁膜
６によって平坦化された磁気コア３上には、下層絶縁膜
７、ＭＲ感磁部８、絶縁膜９、上層絶縁膜１２が順次積
層形成されている。
【００１９】上記ＭＲ感磁部８は、磁気抵抗効果を有す
る材料からなるもので、例えばＳｉＯ2 等の非磁性層を
介して静磁気的に結合された一対のＭＲ薄膜（例えばパ
ーマロイ薄膜）を積層した構成とし、バルクハウゼンノ
イズが回避されるような構成としてもよい。
る材料からなるもので、例えばＳｉＯ2 等の非磁性層を
介して静磁気的に結合された一対のＭＲ薄膜（例えばパ
ーマロイ薄膜）を積層した構成とし、バルクハウゼンノ
イズが回避されるような構成としてもよい。
【００２０】また、上記ＭＲ感磁部８は、インダクティ
ブヘッドの記録用ギャップｇ2 のトラック幅よりも若干
幅狭の矩形状パターンとして形成され、その長手方向が
ハードディスク対接面に対して直交する方向となるよう
に設けられるとともに、その一端縁がハードディスク対
接面に臨むようになされている。
ブヘッドの記録用ギャップｇ2 のトラック幅よりも若干
幅狭の矩形状パターンとして形成され、その長手方向が
ハードディスク対接面に対して直交する方向となるよう
に設けられるとともに、その一端縁がハードディスク対
接面に臨むようになされている。
【００２１】そして、上記ＭＲ感磁部８のハードディス
ク対接面側端部及びこれとは反対側の端部には、それぞ
れ電極１０、１１が接続されている。これら電極１０、
１１は、ＭＲ感磁部８に図示しない定電流電源からのセ
ンス電流を供給するためのものであり、また前記ＭＲ感
磁部８における外部磁界による抵抗値の変化を検出する
ためのものである。したがって、センス電流の方向及び
信号磁界の方向も、前記長手方向と一致し、ハードディ
スク対接面に対して直交する方向となる。
ク対接面側端部及びこれとは反対側の端部には、それぞ
れ電極１０、１１が接続されている。これら電極１０、
１１は、ＭＲ感磁部８に図示しない定電流電源からのセ
ンス電流を供給するためのものであり、また前記ＭＲ感
磁部８における外部磁界による抵抗値の変化を検出する
ためのものである。したがって、センス電流の方向及び
信号磁界の方向も、前記長手方向と一致し、ハードディ
スク対接面に対して直交する方向となる。
【００２２】一方、バイアス導体５は、前記ＭＲ感磁部
８に対して一定方向のバイアス磁界を印加するもので、
前述の通り磁気コア３の溝部３ａ内に設けられている。
したがって、前記バイアス導体５は、前記ＭＲ感磁部８
と磁気コア３との間に配設されることになり、このバイ
アス導体５で発生する磁束の磁路は、これらＭＲ感磁部
８と磁気コア３とによって構成されることになる。
８に対して一定方向のバイアス磁界を印加するもので、
前述の通り磁気コア３の溝部３ａ内に設けられている。
したがって、前記バイアス導体５は、前記ＭＲ感磁部８
と磁気コア３との間に配設されることになり、このバイ
アス導体５で発生する磁束の磁路は、これらＭＲ感磁部
８と磁気コア３とによって構成されることになる。
【００２３】インダクティブヘッドは、通常の誘導型の
薄膜磁気ヘッドと同様の構成を有するもので、前述の第
２の磁気コア１３と第３の磁気コア１６を絶縁膜１４や
コイル導体１５を介して積層することにより閉磁路を構
成してなるものである。そして、第２の磁気コア１３と
第３の磁気コア１６は、バック側で絶縁膜１４に設けた
窓部を介して磁気的に結合されていわゆるバックギャッ
プを構成するとともに、フロント側（ハードディスク対
接面側）で所定の膜厚のギャップ膜１４ａを挟んで対向
配置され、所定のトラック幅を有する記録用ギャップｇ
2 を構成している。
薄膜磁気ヘッドと同様の構成を有するもので、前述の第
２の磁気コア１３と第３の磁気コア１６を絶縁膜１４や
コイル導体１５を介して積層することにより閉磁路を構
成してなるものである。そして、第２の磁気コア１３と
第３の磁気コア１６は、バック側で絶縁膜１４に設けた
窓部を介して磁気的に結合されていわゆるバックギャッ
プを構成するとともに、フロント側（ハードディスク対
接面側）で所定の膜厚のギャップ膜１４ａを挟んで対向
配置され、所定のトラック幅を有する記録用ギャップｇ
2 を構成している。
【００２４】また、上記コイル導体１５は、上記バック
ギャップを中心として渦巻き状（スパイラル状）に形成
され、したがってこのコイル導体１５は前記第２の磁気
コア１３と第３の磁気コア１６により構成された閉磁路
の周囲に巻回されたのと等価である。したがって、前記
コイル導体１５に記録電流を供給すれば、電磁誘導によ
って磁気コア１３、１４に磁束が発生し、この磁束が前
記記録用ギャップｇ2 で漏洩することによってハードデ
ィスクに対する記録が行われる。
ギャップを中心として渦巻き状（スパイラル状）に形成
され、したがってこのコイル導体１５は前記第２の磁気
コア１３と第３の磁気コア１６により構成された閉磁路
の周囲に巻回されたのと等価である。したがって、前記
コイル導体１５に記録電流を供給すれば、電磁誘導によ
って磁気コア１３、１４に磁束が発生し、この磁束が前
記記録用ギャップｇ2 で漏洩することによってハードデ
ィスクに対する記録が行われる。
【００２５】上述のような構成の複合型磁気ヘッドにお
いては、インダクティブヘッドによって記録が、またＭ
Ｒヘッドによって再生が行われる。このとき、ＭＲヘッ
ドのバイアス導体５は、ＭＲ感磁部８と磁気コア３との
間に配設されているので、イダクティブヘッドでの記録
による磁区変動の影響を受けることがなく、常に安定し
た一定のバイアス磁界がＭＲ感磁部８に印加されること
になる。
いては、インダクティブヘッドによって記録が、またＭ
Ｒヘッドによって再生が行われる。このとき、ＭＲヘッ
ドのバイアス導体５は、ＭＲ感磁部８と磁気コア３との
間に配設されているので、イダクティブヘッドでの記録
による磁区変動の影響を受けることがなく、常に安定し
た一定のバイアス磁界がＭＲ感磁部８に印加されること
になる。
【００２６】次に、本発明を適用した複合型磁気ヘッド
の製造方法について、図３乃至図８を参照しながら説明
する。先の実施例に示すようにＭＲヘッドのバイアス導
体５がＭＲ感磁部８と磁気コア３との間に配設されてい
る複合型磁気ヘッドを製造するには、先ず、図３に示す
ように、基板１上にアルミナ等からなる絶縁膜２を介し
て磁気コア３を積層する。
の製造方法について、図３乃至図８を参照しながら説明
する。先の実施例に示すようにＭＲヘッドのバイアス導
体５がＭＲ感磁部８と磁気コア３との間に配設されてい
る複合型磁気ヘッドを製造するには、先ず、図３に示す
ように、基板１上にアルミナ等からなる絶縁膜２を介し
て磁気コア３を積層する。
【００２７】次いで、図４に示すように、この磁気コア
３のバイアス導体５に対応する位置にバイアス導体埋め
込み用の溝部３ａをいわゆるテーパーエッチングにより
形成する。前記テーパーエッチングは、ドライエッチン
グの手法により容易に行うことができる。そして、エッ
チングにより溝部３ａを形成した後、図５に示すよう
に、絶縁膜４を成膜する。
３のバイアス導体５に対応する位置にバイアス導体埋め
込み用の溝部３ａをいわゆるテーパーエッチングにより
形成する。前記テーパーエッチングは、ドライエッチン
グの手法により容易に行うことができる。そして、エッ
チングにより溝部３ａを形成した後、図５に示すよう
に、絶縁膜４を成膜する。
【００２８】次に、図６に示すように、前記溝部３ａ内
に所定形状のバイアス導体５を形成した後、図７に示す
ように、前記溝部３ａを十分に埋める程度（したがって
磁気コア３の膜厚＋０．５〜１μｍ程度）絶縁膜６を成
膜する。
に所定形状のバイアス導体５を形成した後、図７に示す
ように、前記溝部３ａを十分に埋める程度（したがって
磁気コア３の膜厚＋０．５〜１μｍ程度）絶縁膜６を成
膜する。
【００２９】しかる後、図８に示すように、ポリッシン
グを行って前記絶縁膜６及び絶縁膜４の平坦化を行い、
溝部３ａ以外の部分の磁気コア３の表面を露出させる。
その後は、通常の製造方法に準じて、下層絶縁膜７、Ｍ
Ｒ感磁部８、絶縁膜９、電極１０、１１、上層絶縁膜１
２、磁気コア１３を形成し、さらにはインダクティブヘ
ッドを構成する絶縁膜１４、コイル導体１５、磁気コア
１６を形成し、最後に保護膜１７を形成する。
グを行って前記絶縁膜６及び絶縁膜４の平坦化を行い、
溝部３ａ以外の部分の磁気コア３の表面を露出させる。
その後は、通常の製造方法に準じて、下層絶縁膜７、Ｍ
Ｒ感磁部８、絶縁膜９、電極１０、１１、上層絶縁膜１
２、磁気コア１３を形成し、さらにはインダクティブヘ
ッドを構成する絶縁膜１４、コイル導体１５、磁気コア
１６を形成し、最後に保護膜１７を形成する。
【００３０】以上、本発明を適用した実施例について説
明してきたが、本発明がこれら実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更
が可能であることは言うまでもない。例えば、ＭＲヘッ
ドにおけるＭＲ感磁部８の配設方向や電極１０、１１の
引き出し方向等は任意である。
明してきたが、本発明がこれら実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更
が可能であることは言うまでもない。例えば、ＭＲヘッ
ドにおけるＭＲ感磁部８の配設方向や電極１０、１１の
引き出し方向等は任意である。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、ＭＲヘッドのバイアス導体を、インダク
ティブヘッドを構成する磁気コアとＭＲ感磁部の間では
なく、シールドコアとしてのみ機能する磁気コアとＭＲ
感磁部の間に設けるようにしているので、記録時の磁区
変動による影響を解消することができ、安定した再生出
力を得ることが可能である。
明においては、ＭＲヘッドのバイアス導体を、インダク
ティブヘッドを構成する磁気コアとＭＲ感磁部の間では
なく、シールドコアとしてのみ機能する磁気コアとＭＲ
感磁部の間に設けるようにしているので、記録時の磁区
変動による影響を解消することができ、安定した再生出
力を得ることが可能である。
【００３２】また、バイアス磁路に含まれる磁気コアの
段差が少なく且つ小さいため、磁区に乱れが生じ難く、
この点からも安定した再生出力を得ることが可能であ
る。さらに、本発明の製造方法によれば、通常のＭＲヘ
ッド−インダクティブヘッド複合型磁気ヘッドの工程を
大きく変えることなく前述の複合型磁気ヘッドを製造す
ることができ、生産性、設備投資等の点で有利である。
段差が少なく且つ小さいため、磁区に乱れが生じ難く、
この点からも安定した再生出力を得ることが可能であ
る。さらに、本発明の製造方法によれば、通常のＭＲヘ
ッド−インダクティブヘッド複合型磁気ヘッドの工程を
大きく変えることなく前述の複合型磁気ヘッドを製造す
ることができ、生産性、設備投資等の点で有利である。
【図１】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの一実施例
を示す要部概略断面図である。
を示す要部概略断面図である。
【図２】図１に示す複合型磁気ヘッドのＭＲヘッド部分
を拡大して示す要部概略断面図である。
を拡大して示す要部概略断面図である。
【図３】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの製造方法
の一例を工程順にしたがって示すもので、第１の磁気コ
アの成膜工程を示す要部概略断面図である。
の一例を工程順にしたがって示すもので、第１の磁気コ
アの成膜工程を示す要部概略断面図である。
【図４】バイアス導体埋め込み用の溝部の形成工程を示
す要部概略断面図である。
す要部概略断面図である。
【図５】絶縁膜の成膜工程を示す要部概略断面図であ
る。
る。
【図６】バイアス導体の形成工程を示す要部概略断面図
である。
である。
【図７】バイアス導体埋め込み用の溝部の絶縁膜による
埋め戻し工程を示す要部概略断面図である。
埋め戻し工程を示す要部概略断面図である。
【図８】磁気コア表面の平坦化工程を示す要部概略断面
図である。
図である。
【図９】従来の複合型磁気ヘッドの一例を示す要部概略
断面図である。
断面図である。
【図１０】図９に示す複合型磁気ヘッドのＭＲヘッド部
分を拡大して示す要部概略断面図である。
分を拡大して示す要部概略断面図である。
３、１３、１６・・・磁気コア ５・・・・・・・・・バイアス導体 ８・・・・・・・・・ＭＲ感磁部
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に積層される第１の磁性コア、第
２の磁性コア及び第３の磁性コアを有し、前記第２の磁
性コアと第３の磁性コアにより記録用磁気ギャップを有
する誘導型磁気ヘッドが構成されるとともに、前記第１
の磁性コアと第２の磁性コア間に磁気抵抗効果感磁部が
配され磁気抵抗効果型磁気ヘッドが構成されてなり、 上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて磁気抵抗効果型
感磁部と第１の磁性コアの間に絶縁層を介してバイアス
導体が形成されていることを特徴とする複合型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果感磁部が磁気記録媒体対接
面に対して略直交する方向に延在され、センス電流の方
向が前記磁気抵抗効果感磁部の延在方向とされているこ
とを特徴とする請求項１記載の複合型磁気ヘッド。 - 【請求項３】 第１の磁性コアにバイアス導体埋め込み
用の溝部が形成され、該溝部内にバイアス導体が形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の複合型磁気ヘ
ッド。 - 【請求項４】 基板上に第１の磁性コアを形成し、該第
１の磁性コアにバイアス導体埋め込み用の溝部をエッチ
ングにより形成する工程と、 前記溝部に絶縁層を介してバイアス導体を形成する工程
と、 上記第１の磁性コア上に磁気抵抗効果感磁部を形成する
工程と、 上記磁気抵抗効果感磁部上に第２の磁性コア及び第３の
磁性コアを絶縁層及びコイル導体を介して順次積層する
工程とを有することを特徴とする複合型磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16389292A JPH05334626A (ja) | 1992-05-30 | 1992-05-30 | 複合型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16389292A JPH05334626A (ja) | 1992-05-30 | 1992-05-30 | 複合型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05334626A true JPH05334626A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15782791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16389292A Pending JPH05334626A (ja) | 1992-05-30 | 1992-05-30 | 複合型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05334626A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5867350A (en) * | 1995-03-29 | 1999-02-02 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect head with insulated bias conductor embedded in shield groove |
-
1992
- 1992-05-30 JP JP16389292A patent/JPH05334626A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5867350A (en) * | 1995-03-29 | 1999-02-02 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect head with insulated bias conductor embedded in shield groove |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000201 |