JP2505465B2 - ヨ−ク型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
ヨ−ク型薄膜磁気ヘッドInfo
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はヨーク型薄膜磁気ヘッドに関し、詳しくは磁
気比例感知型素子である磁気抵抗効果素子を使用した再
生専用のヨーク型薄膜磁気ヘッドに関するものである。
気比例感知型素子である磁気抵抗効果素子を使用した再
生専用のヨーク型薄膜磁気ヘッドに関するものである。
従来の技術 例えば外部から加えられる磁界の変化で磁気抵抗値が
変化する磁気抵抗効果素子（以下MR素子と称す）を使用
した薄膜磁気ヘッドには大別して２タイプがある。１タ
イプは磁気テープ走行による磁界変化をMR素子に直接的
に導くシールド型のもので、他の１タイプは上記磁気テ
ープ走行による磁界変化を強磁性体のヨークを介してMR
素子に導くヨーク型のものである。上記前者タイプのシ
ールド型薄膜磁気ヘッドは構造が簡単で所望の再生出力
が得やすい反面、素子は磁気テープと摺動して走行させ
るので、MR素子が摩耗したり、大気中の水分や摺動時に
生じるガスでMR素子の特性が劣化し易く、MR素子の耐摩
耗性や耐環境性が劣る。またMR素子は熱によんて特性劣
化が生じ、MR素子への通電時に発生する熱が、磁気テー
プ走行により非定常状態となってサーマルノイズが発生
する欠点があった。従って現在では、磁気テープとMR素
子間にヨークを介在させるために上記磁気テープ走行に
よるMR素子の摩耗がなく耐環境性が優れ、またMR素子へ
の通電時に発生する熱が、MR素子までは影響う及ぼさな
いので、サーマルノイズも発生しない後者タイプのヨー
ク型薄膜磁気ヘッドが主流となっている。
変化する磁気抵抗効果素子（以下MR素子と称す）を使用
した薄膜磁気ヘッドには大別して２タイプがある。１タ
イプは磁気テープ走行による磁界変化をMR素子に直接的
に導くシールド型のもので、他の１タイプは上記磁気テ
ープ走行による磁界変化を強磁性体のヨークを介してMR
素子に導くヨーク型のものである。上記前者タイプのシ
ールド型薄膜磁気ヘッドは構造が簡単で所望の再生出力
が得やすい反面、素子は磁気テープと摺動して走行させ
るので、MR素子が摩耗したり、大気中の水分や摺動時に
生じるガスでMR素子の特性が劣化し易く、MR素子の耐摩
耗性や耐環境性が劣る。またMR素子は熱によんて特性劣
化が生じ、MR素子への通電時に発生する熱が、磁気テー
プ走行により非定常状態となってサーマルノイズが発生
する欠点があった。従って現在では、磁気テープとMR素
子間にヨークを介在させるために上記磁気テープ走行に
よるMR素子の摩耗がなく耐環境性が優れ、またMR素子へ
の通電時に発生する熱が、MR素子までは影響う及ぼさな
いので、サーマルノイズも発生しない後者タイプのヨー
ク型薄膜磁気ヘッドが主流となっている。
上記ヨーク型薄膜磁気ヘッドの従来構造例を第８図及
び第９図を参照しながら説明する。同図に示す磁気ヘッ
ドは、Mn-Znフェライト等の強磁性体からなる基板
（１）上に、ギャップスペーサとなるSiO2等の第１の絶
縁膜（２）、Ni-Fe合金等のMR素子（３）、パーマロイ
やセンダスト等の金属強磁性体からなるフロントヨーク
（４）及びバックヨーク（５）、Al2O3等の第２の絶縁
膜（６）を蒸着又はスパッタリングにより薄膜状に積層
形成し、更にその上に結晶化ガラスやセラミック製の保
護板（７）を貼着固定したものである。第９図に示すよ
うにMR素子（３）の両端からは外部引出し用のリード
（８）（８）が導出される。この磁気ヘッドのテープ摺
動面（９）に露呈するフロントヨーク（４）の一端と基
板（１）の一端との間で磁気ギャップｇが形成される。
上記フロントヨーク（４）は磁気ギャップｇからMR素子
（３）の前端部上まで延び、バックヨーク（５）はMR素
子（３）の後端部上から延びて基板（１）上に達して直
接接続される。このフロントヨーク（４）の後方端部と
MR素子（３）の間、及びバックヨーク（５）の前方端部
とMR素子（３）の間に第１の絶縁膜（２）が介在し、こ
れにより上記両ヨーク（４）（５）とMR素子（３）とは
電気的に絶縁された状態で磁気的に結合される。
び第９図を参照しながら説明する。同図に示す磁気ヘッ
ドは、Mn-Znフェライト等の強磁性体からなる基板
（１）上に、ギャップスペーサとなるSiO2等の第１の絶
縁膜（２）、Ni-Fe合金等のMR素子（３）、パーマロイ
やセンダスト等の金属強磁性体からなるフロントヨーク
（４）及びバックヨーク（５）、Al2O3等の第２の絶縁
膜（６）を蒸着又はスパッタリングにより薄膜状に積層
形成し、更にその上に結晶化ガラスやセラミック製の保
護板（７）を貼着固定したものである。第９図に示すよ
うにMR素子（３）の両端からは外部引出し用のリード
（８）（８）が導出される。この磁気ヘッドのテープ摺
動面（９）に露呈するフロントヨーク（４）の一端と基
板（１）の一端との間で磁気ギャップｇが形成される。
上記フロントヨーク（４）は磁気ギャップｇからMR素子
（３）の前端部上まで延び、バックヨーク（５）はMR素
子（３）の後端部上から延びて基板（１）上に達して直
接接続される。このフロントヨーク（４）の後方端部と
MR素子（３）の間、及びバックヨーク（５）の前方端部
とMR素子（３）の間に第１の絶縁膜（２）が介在し、こ
れにより上記両ヨーク（４）（５）とMR素子（３）とは
電気的に絶縁された状態で磁気的に結合される。
上記MR素子（３）にリード（８）（８）を介してMR素
子（３）の磁気抵抗変化を検出するための電流を流し、
テープ摺動面（９）に沿って磁気テープ（10）を走行さ
せる。これにより磁気テープ（10）に書込まれた情報で
ある信号磁束が、フロントヨーク（４）−MR素子（３）
−バックヨーク（５）−基板（１）の破線で示す閉磁路
Ｌを通り、上記MR素子（３）の電気抵抗値が変化し、そ
の変化に比例してこのMR素子（３）両端の電圧が変化す
るのを読み取り、磁気テープ（10）の情報が検出、すな
わち再生が行われる。
子（３）の磁気抵抗変化を検出するための電流を流し、
テープ摺動面（９）に沿って磁気テープ（10）を走行さ
せる。これにより磁気テープ（10）に書込まれた情報で
ある信号磁束が、フロントヨーク（４）−MR素子（３）
−バックヨーク（５）−基板（１）の破線で示す閉磁路
Ｌを通り、上記MR素子（３）の電気抵抗値が変化し、そ
の変化に比例してこのMR素子（３）両端の電圧が変化す
るのを読み取り、磁気テープ（10）の情報が検出、すな
わち再生が行われる。
発明が解決しようとする問題点 ところで、従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドでは、フロ
ントヨーク（４）及びバックヨーク（５）を、パーマロ
イやセンダスト等の金属強磁性体の蒸着やスパッタリン
グにより薄膜状に形成している。そのためフロントヨー
ク（４）及びバックヨーク（５）は、その表面状態が良
好ではなく、磁気テープ（10）の信号磁束によりフロン
トヨーク（４）及びバックヨーク（５）が磁化される
と、その磁化が磁区ごとに不連続的に行われて磁壁が発
生し易く、その磁壁が瞬時的に不規則に移動してバルク
ハウゼンノイズが発生し易くなるという問題があった。
また、上記フロントヨーク（４）及びバックヨーク
（５）が金属薄膜であるため、テープ摺動面（９）に露
呈するフロントヨーク（４）の前方端部が、磁気テープ
（10）の走行により剥離したり、摩耗し易いという問題
もあった。
ントヨーク（４）及びバックヨーク（５）を、パーマロ
イやセンダスト等の金属強磁性体の蒸着やスパッタリン
グにより薄膜状に形成している。そのためフロントヨー
ク（４）及びバックヨーク（５）は、その表面状態が良
好ではなく、磁気テープ（10）の信号磁束によりフロン
トヨーク（４）及びバックヨーク（５）が磁化される
と、その磁化が磁区ごとに不連続的に行われて磁壁が発
生し易く、その磁壁が瞬時的に不規則に移動してバルク
ハウゼンノイズが発生し易くなるという問題があった。
また、上記フロントヨーク（４）及びバックヨーク
（５）が金属薄膜であるため、テープ摺動面（９）に露
呈するフロントヨーク（４）の前方端部が、磁気テープ
（10）の走行により剥離したり、摩耗し易いという問題
もあった。
そこで本発明の目的は上記不具合を解消したヨーク型
薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
問題点を解決するための手段 本発明は前記問題点に鑑みて提案されたもので、基板
上のフロントヨーク及びバックヨークをNi-Znフェライ
ト等のバルク材を用いて基板に接着して後、薄膜に研削
して形成し、上記フロントヨークとバックヨークの間に
薄膜のMR素子を電気的には絶縁した状態で磁気的に結合
して配置したヨーク型薄膜磁気ヘッドとするものであ
る。
上のフロントヨーク及びバックヨークをNi-Znフェライ
ト等のバルク材を用いて基板に接着して後、薄膜に研削
して形成し、上記フロントヨークとバックヨークの間に
薄膜のMR素子を電気的には絶縁した状態で磁気的に結合
して配置したヨーク型薄膜磁気ヘッドとするものであ
る。
作用 本発明によれば、フロントヨーク及びバックヨークを
バルク材で形成したから、上記フロントヨーク及びバッ
クヨークの表面状態が良好で、磁気テープの信号磁束に
より両ヨークが磁化されても磁壁が発生し難く、上記磁
壁の不規則な移動を可及的に抑制することが実現され
る。
バルク材で形成したから、上記フロントヨーク及びバッ
クヨークの表面状態が良好で、磁気テープの信号磁束に
より両ヨークが磁化されても磁壁が発生し難く、上記磁
壁の不規則な移動を可及的に抑制することが実現され
る。
また、上記バルク材にNi-Znフェライトを使用すれ
ば、Ni-Znフェライトが不導体であるため、MR素子を絶
縁膜を介在させて電気的に絶縁することなく、フロント
ヨーク及びバックヨークに直接的に接続して磁気的に結
合させることができ、磁気抵抗の低減化が図れる。
ば、Ni-Znフェライトが不導体であるため、MR素子を絶
縁膜を介在させて電気的に絶縁することなく、フロント
ヨーク及びバックヨークに直接的に接続して磁気的に結
合させることができ、磁気抵抗の低減化が図れる。
実施例 本発明に係るヨーク型薄膜磁気ヘッドの一実施例を第
１図乃至第７図を参照しながら説明する。尚、第１図及
び第２図は上記ヨーク型薄膜磁気ヘッドの構造例を、第
３図乃至第７図はその製造方法を説明したものである。
１図乃至第７図を参照しながら説明する。尚、第１図及
び第２図は上記ヨーク型薄膜磁気ヘッドの構造例を、第
３図乃至第７図はその製造方法を説明したものである。
本発明の特徴はフロントヨーク及びバックヨークをバ
ルク材で形成したことにある。第１図及び第２図に示す
磁気ヘッドは、Mn-Znフェライト等の強磁性体からなる
基板（11）上に、ギャップスペーサとなるSiO2の第１の
絶縁膜（12）、Ni-Znフェライト等のバルク材からなる
フロントヨーク（13）及びバックヨーク（14）を積層形
成する。このフロントヨーク（13）とバックヨーク（1
4）間の空隙部分にはガラス等の第２の絶縁膜（15）を
埋込形成し、上記フロントヨーク（13）の後方端部とバ
ックヨーク（14）の前方端部に跨るようにNi-Fe合金等
のMR素子（16）をフロントヨーク（13）及びバックヨー
ク（14）に直接的に被着形成する。上記MR素子（16）を
両ヨーク（13）（14）に直接的に被着形成できるのは、
両ヨーク（13）（14）がNi-Znフェライトの強磁性の不
導体によるからである。この両ヨーク（13）（14）上に
Al2O3等の第３の絶縁膜（17）を形成し、更にその上に
接着材を介してセラミックや結晶化ガラス製の保護板
（18）を貼着固定する。尚、（19）（19）はMR素子（1
6）の両端から導出されたAu製の外部引出し用リードで
ある。この磁気ヘッドのテープ摺動面（20）に露呈する
フロントヨーク（13）の一端と基板（11）の一端との間
で磁気ギャップｇが形成される。また上記フロントヨー
ク（13）の後方端部とバックヨーク（14）の前方端部に
直接的に被着形成されたMR素子（16）は、上記両ヨーク
（13）（14）がNi-Znフェライトの不導体であるため、
両ヨーク（13）（14）の電気的に絶縁された状態で磁気
的に結合される。
ルク材で形成したことにある。第１図及び第２図に示す
磁気ヘッドは、Mn-Znフェライト等の強磁性体からなる
基板（11）上に、ギャップスペーサとなるSiO2の第１の
絶縁膜（12）、Ni-Znフェライト等のバルク材からなる
フロントヨーク（13）及びバックヨーク（14）を積層形
成する。このフロントヨーク（13）とバックヨーク（1
4）間の空隙部分にはガラス等の第２の絶縁膜（15）を
埋込形成し、上記フロントヨーク（13）の後方端部とバ
ックヨーク（14）の前方端部に跨るようにNi-Fe合金等
のMR素子（16）をフロントヨーク（13）及びバックヨー
ク（14）に直接的に被着形成する。上記MR素子（16）を
両ヨーク（13）（14）に直接的に被着形成できるのは、
両ヨーク（13）（14）がNi-Znフェライトの強磁性の不
導体によるからである。この両ヨーク（13）（14）上に
Al2O3等の第３の絶縁膜（17）を形成し、更にその上に
接着材を介してセラミックや結晶化ガラス製の保護板
（18）を貼着固定する。尚、（19）（19）はMR素子（1
6）の両端から導出されたAu製の外部引出し用リードで
ある。この磁気ヘッドのテープ摺動面（20）に露呈する
フロントヨーク（13）の一端と基板（11）の一端との間
で磁気ギャップｇが形成される。また上記フロントヨー
ク（13）の後方端部とバックヨーク（14）の前方端部に
直接的に被着形成されたMR素子（16）は、上記両ヨーク
（13）（14）がNi-Znフェライトの不導体であるため、
両ヨーク（13）（14）の電気的に絶縁された状態で磁気
的に結合される。
上記MR素子（16）に通電すると共にテープ摺動面（2
0）に沿って磁気テープ（21）を走行させることによ
り、上記磁気テープ（21）の信号磁束が、フロントヨー
ク（13）−MR素子（16）−バックヨーク（14）−基板
（11）の破線で示す閉磁路ｌを通り、上記MR素子（16）
の電気抵抗値が変化してMR素子（16）両端の電圧が変化
するので、磁気テープ（21）の情報が読み取られて再生
が行われる。尚、上記磁路ｌでは、バックヨーク（14）
と基板（11）の間にギャップスペーサとなる第１の絶縁
膜（12）が介在するが、上記バックヨーク（14）と基板
（11）との対向部分が長くなっているのでその間での磁
気抵抗は無視できる程度に小さい。上記磁気ヘッドによ
る再生時、Ni-Znフェライトのバルク材からなるフロン
トヨーク（13）及びバックヨーク（14）の表面状態が良
好で、磁気テープ（21）の信号磁束により両ヨーク（1
3）（14）が磁化されてもこの両ヨーク（13）（14）自
体が磁壁の発生がないものであるので、パーマロイやセ
ンダスト等の金属強磁性体を蒸着又はスパッタリングし
てなるフロント及びバックヨークを有する従来の磁気ヘ
ッドと比較して、磁壁の不規則な移動を可及的に抑制で
きる。
0）に沿って磁気テープ（21）を走行させることによ
り、上記磁気テープ（21）の信号磁束が、フロントヨー
ク（13）−MR素子（16）−バックヨーク（14）−基板
（11）の破線で示す閉磁路ｌを通り、上記MR素子（16）
の電気抵抗値が変化してMR素子（16）両端の電圧が変化
するので、磁気テープ（21）の情報が読み取られて再生
が行われる。尚、上記磁路ｌでは、バックヨーク（14）
と基板（11）の間にギャップスペーサとなる第１の絶縁
膜（12）が介在するが、上記バックヨーク（14）と基板
（11）との対向部分が長くなっているのでその間での磁
気抵抗は無視できる程度に小さい。上記磁気ヘッドによ
る再生時、Ni-Znフェライトのバルク材からなるフロン
トヨーク（13）及びバックヨーク（14）の表面状態が良
好で、磁気テープ（21）の信号磁束により両ヨーク（1
3）（14）が磁化されてもこの両ヨーク（13）（14）自
体が磁壁の発生がないものであるので、パーマロイやセ
ンダスト等の金属強磁性体を蒸着又はスパッタリングし
てなるフロント及びバックヨークを有する従来の磁気ヘ
ッドと比較して、磁壁の不規則な移動を可及的に抑制で
きる。
本発明のヨーク型薄膜磁気ヘッドは、多数の磁気ギャ
ップを有するマルチトラック方式タイプのものが一般的
であり、その製造方法は以下に示す通りである。まず第
３図に示すようにMn-Znフェライト等の強磁性体からな
る基板（11）を用意し、この基板（11）上にギャップス
ペーサとなるSiO2等の第１の絶縁膜（12）を蒸着或いは
スパッタリングにより被着形成する。一方、第４図に示
すようにNi-Znフェライトのバルク材からなるヨーク板
（22）を用意し、１つのヨーク分離用凹溝（23）とこの
凹溝（23）と直交するように複数のクロストーク防止用
凹溝（23′）（23′）をイオンミリング等により形成す
る。そして上記ヨーク板（22）の凹溝（23）（23′）
（23′）にガラス等を埋設して第２の絶縁膜（15）（1
5′）（15′）を形成した後、ヨーク板（22）表面を研
磨する。次に第５図に示すように前記基板（11）の第１
の絶縁膜（12）形成面と、ヨーク板（22）の凹溝（23）
（23′）（23′）形成面とを衝合させた状態で基板（1
1）とヨーク板（22）とを重合わせて接着固定する。こ
の状態から第６図に示すようにヨーク板（22）の表面を
ヨーク板（22）が所定の厚み、例えば７μｍ程度となる
まで研削して凹溝（23）（23′）（23′）内の第２の絶
縁膜（15）（15′）（15′）を露呈させる。これにより
上記ヨーク板（22）は凹溝（23）内の第２の絶縁膜（1
5）にてフロントヨーク（13）とバックヨーク（14）に
分離される。その後、第７図に示すようにフロントヨー
ク（13）の後方端部とバックヨーク（14）の前方端部と
に跨るように、Ni-Fe合金等のMR素子（16）を蒸着又は
スパッタリングにより薄膜形成する。また上記MR素子
（16）の両端から導出されたAu製の外部引出し用リード
（19）（19）を蒸着或いはスパッタリングにより被着形
成する。そして最後に図示しないが上記フロントヨーク
（13）及びバックヨーク（14）上にAl2O3等の第３の絶
縁膜（17）を形成し、更にその上に接着材を介してセラ
ミックや結晶化ガラス製の保護板（18）を貼着固定する
（第１図参照）。
ップを有するマルチトラック方式タイプのものが一般的
であり、その製造方法は以下に示す通りである。まず第
３図に示すようにMn-Znフェライト等の強磁性体からな
る基板（11）を用意し、この基板（11）上にギャップス
ペーサとなるSiO2等の第１の絶縁膜（12）を蒸着或いは
スパッタリングにより被着形成する。一方、第４図に示
すようにNi-Znフェライトのバルク材からなるヨーク板
（22）を用意し、１つのヨーク分離用凹溝（23）とこの
凹溝（23）と直交するように複数のクロストーク防止用
凹溝（23′）（23′）をイオンミリング等により形成す
る。そして上記ヨーク板（22）の凹溝（23）（23′）
（23′）にガラス等を埋設して第２の絶縁膜（15）（1
5′）（15′）を形成した後、ヨーク板（22）表面を研
磨する。次に第５図に示すように前記基板（11）の第１
の絶縁膜（12）形成面と、ヨーク板（22）の凹溝（23）
（23′）（23′）形成面とを衝合させた状態で基板（1
1）とヨーク板（22）とを重合わせて接着固定する。こ
の状態から第６図に示すようにヨーク板（22）の表面を
ヨーク板（22）が所定の厚み、例えば７μｍ程度となる
まで研削して凹溝（23）（23′）（23′）内の第２の絶
縁膜（15）（15′）（15′）を露呈させる。これにより
上記ヨーク板（22）は凹溝（23）内の第２の絶縁膜（1
5）にてフロントヨーク（13）とバックヨーク（14）に
分離される。その後、第７図に示すようにフロントヨー
ク（13）の後方端部とバックヨーク（14）の前方端部と
に跨るように、Ni-Fe合金等のMR素子（16）を蒸着又は
スパッタリングにより薄膜形成する。また上記MR素子
（16）の両端から導出されたAu製の外部引出し用リード
（19）（19）を蒸着或いはスパッタリングにより被着形
成する。そして最後に図示しないが上記フロントヨーク
（13）及びバックヨーク（14）上にAl2O3等の第３の絶
縁膜（17）を形成し、更にその上に接着材を介してセラ
ミックや結晶化ガラス製の保護板（18）を貼着固定する
（第１図参照）。
尚、上記実施例ではフロントヨーク（13）及びバック
ヨーク（14）をNi-Znフェライトで形成した場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されることなく、そ
の他に例えば、Mn-Znフェライト等の他のバルク材で上
記両ヨーク（13）（14）を形成してもよいのは勿論であ
る。
ヨーク（14）をNi-Znフェライトで形成した場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されることなく、そ
の他に例えば、Mn-Znフェライト等の他のバルク材で上
記両ヨーク（13）（14）を形成してもよいのは勿論であ
る。
発明の効果 本発明に係るヨーク型薄膜磁気ヘッドによれば、フロ
ントヨーク及びバックヨークをバルク材で形成したか
ら、再生時、上記両ヨークが磁化されても磁壁の不規則
な移動が抑制されてバルクハウゼンノイズの発生を未然
に防止できる。またテープ摺動面でのフロントヨークの
摩耗も抑制できる。更に上記バルク材にNi-Znフェライ
トを使用すれば、フロントヨーク及びバックヨークに直
接的にMR素子を設けることができて磁気抵抗の低減化が
図れて磁気特性の良好な高品質の磁気ヘッドを提供でき
る。
ントヨーク及びバックヨークをバルク材で形成したか
ら、再生時、上記両ヨークが磁化されても磁壁の不規則
な移動が抑制されてバルクハウゼンノイズの発生を未然
に防止できる。またテープ摺動面でのフロントヨークの
摩耗も抑制できる。更に上記バルク材にNi-Znフェライ
トを使用すれば、フロントヨーク及びバックヨークに直
接的にMR素子を設けることができて磁気抵抗の低減化が
図れて磁気特性の良好な高品質の磁気ヘッドを提供でき
る。
第１図は本発明に係るヨーク薄膜磁気ヘッドの一実施例
を示す断面図、第２図は第１図ヘッドの平面図、第３図
乃至第７図はその磁気ヘッドの製造各工程における各斜
視図である。 第８図はヨーク型薄膜磁気ヘッドの従来例を示す断面
図、第９図は第８図の平面図である。 （11）……基板、（13）……フロントヨーク、（14）…
…バックヨーク、（16）……磁気抵抗効果素子（MR素
子）。
を示す断面図、第２図は第１図ヘッドの平面図、第３図
乃至第７図はその磁気ヘッドの製造各工程における各斜
視図である。 第８図はヨーク型薄膜磁気ヘッドの従来例を示す断面
図、第９図は第８図の平面図である。 （11）……基板、（13）……フロントヨーク、（14）…
…バックヨーク、（16）……磁気抵抗効果素子（MR素
子）。
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に形成されたフロントヨークとバッ
クヨークの間に薄膜の磁気抵抗効果素子を電気的に絶縁
した状態で磁気的に結合して配置したものにおいて、 上記フロントヨーク及びバックヨークが薄膜のバルク材
であることを特徴とするヨーク型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】上記フロントヨーク及びバックヨークのバ
ルク材をNi-Znフェライトとしたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のヨーク型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15371387A JP2505465B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15371387A JP2505465B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63317915A JPS63317915A (ja) | 1988-12-26 |
| JP2505465B2 true JP2505465B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=15568471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15371387A Expired - Lifetime JP2505465B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2505465B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2747034B2 (ja) * | 1989-06-27 | 1998-05-06 | 関西日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果ヘッド |
| TW237544B (ja) * | 1992-12-01 | 1995-01-01 | Philips Electronics Nv | |
| EP0600549B1 (en) * | 1992-12-01 | 1999-05-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a thin-film magnetic head and head obtained by the method |
| EP0617409B1 (en) * | 1993-03-22 | 1999-07-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a thin-film magnetic head, and magnetic head obtainable by means of said method |
| BE1006925A3 (nl) * | 1993-03-22 | 1995-01-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunnefilm magneetkop en magneetkop vervaardigd volgens de werkwijze. |
| EP0617410B1 (en) * | 1993-03-22 | 1999-09-22 | OnStream, Inc. | Method of manufacturing a thin-film magnetic head, and magnetic head obtainable by means of said method |
| EP0769193B1 (en) * | 1995-05-03 | 2003-01-02 | BC Components Holdings B.V. | Degaussing unit comprising one or two thermistors |
-
1987
- 1987-06-19 JP JP15371387A patent/JP2505465B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63317915A (ja) | 1988-12-26 |
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