JP2731449B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

薄膜磁気ヘッド

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Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、薄膜形成技術の応用により製造される薄膜
磁気ヘッドに関するものである。
「従来の技術」 この種の薄膜磁気ヘッドの一従来例を第5図に示す。
この薄膜磁気ヘッドは、底面1a(第5図においては上面
として示されている)を磁気ディスク等の媒体に向けて
配されるスライダ1の前面部に、フォトリソグラフィ技
術により薄膜磁気ヘッド素子2を設けてなるものであ
る。
その薄膜磁気ヘッド素子2は、第6図にその要部の詳
細断面を示すように、上記スライダ1の前面1bを基板と
してその表面に、絶縁層3、下部磁性層(下部コア)
4、ギャップ層5、絶縁層6で被包されたコイル導体
7、上部磁性層(上部コア)8、保護層(オーバーコー
ト層)9を順次積層してなるものであって、各磁性層4,
8の先端部をギャップ層5を介して重ね合わせることで
それら磁性層4,8の先端部を対の磁極(ポール)10,11と
なしたものである。
この場合、下部磁性層4および上部磁性層8はたとえ
ばパーマロイ等の強磁性材料により形成され、絶縁層3
および保護層9はいずれもたとえばAl2O3、SiO2等の酸
化物からなる非磁性材料により形成されている。
「発明が解決しようとする課題」 ところで、上記従来の薄膜磁気ヘッドは、その磁気的
な特性に起因して次のような問題点を有している。
すなわち、この薄膜磁気ヘッドは、第7図および第8
図に模式的に示すように、各磁性層4,8の透磁率μ
十分に大きく、他の部分の透磁率μは小さくされ(通
常、CGS単位系においてはμ=1とされる)、したが
って、透磁率μの分布は、磁極端12,13(磁性層4,8の先
端における絶縁層3および保護層9との境界)において
急激にかつ大きく変化するものとなっている。そして、
そのために、この薄膜磁気ヘッドにおける記録磁場の分
布は、第9図に示すように磁極端12,13の位置において
大きなディップが生じるものとなり、しかも、それら磁
極端12,13はギャップと平行となっているので、磁極端1
2,13が疑似ギャップとなってしまっていわゆるコンター
効果が顕著に生じ、その結果、第10図に示すように周波
数特性の波打ち現象が生じてしまうものであった。そし
て、そのために、隣接波形に対して悪影響が及んで誤り
率が増大し、高記録密度化を図る上での障害となってい
た。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、より一
層の高記録密度化を図ることのできる薄膜磁気ヘッドを
提供することを目的としている。
「課題を解決するための手段」 本発明は、基板の表面に、絶縁層、下部磁性層、ギャ
ップ層、上部磁性層、保護層が順次積層されて形成され
てなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記絶縁層および保護
層を、それぞれ磁性材料、もしくは磁性材料を添加した
非磁性材料により形成してなり、少なくとも絶縁層およ
び保護層の透磁率を下部磁性層および上部磁性層の透磁
率よりも小さくしてなることを特徴としている。
「作用」 本発明の薄膜磁気ヘッドでは、下部磁性層、上部磁性
層にそれぞれ隣接している絶縁層および保護層が、それ
ぞれ磁性材料、もしくは磁性材料が添加された非磁性材
料により形成されていることにより、それらの透磁率の
値は、非磁性材料により形成されている従来の場合に比
して大きなものとなっている。これによって、磁極端に
おける透磁率の差が従来のものに比して低減し、その結
果、磁極端における磁場のディップが解消してコンター
効果が抑制され、周波数特性の波打ち現象が解消する。
「実施例」 以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例を第1
図〜第4図を参照して説明する。
本実施例の薄膜磁気ヘッドは、第5図および第6図に
示した従来のものと同様の構造とされたものであるが、
本実施例においては、絶縁層3および保護層9が、いず
れも弱磁性材料(たとえばNi−Znフェライト)、もしく
は磁性材料が添加された非磁性材料(たとえばAl2O3にN
i、Co、Fe等を添加したもの)により形成されたものと
なっている。それら絶縁層3および保護層9を形成する
には、上記のような材料をターゲットとしてそれを基板
1の表面および上部磁性層8の表面に直接的にスパッタ
すれば良い。
上記の薄膜磁気ヘッドでは、絶縁層3および保護層9
を上記のような材料により形成したことによって、それ
ら絶縁層3および保護層9の透磁率μの値は第2図に
示すように非磁性材料により形成する場合に比して大き
なものとなり、その結果、絶縁層3と下部磁性層4の境
界面における透磁率の差、上部磁性層8と保護層9の境
界面における透磁率の差は従来のものに比して自ずと小
さくなる。これによって、従来においては生じていた記
録磁場のディップが第3図に示すように生じることがな
く、したがって、従来においては顕著に生じていたコン
ター効果が抑制され、その結果、第4図に示すように周
波数特性の波打ちが解消されて優れた周波数特性が得ら
れる。そして、そのために、隣接波形に対する悪影響が
解消されて、より一層の高記録密度化を図ることができ
るものとなっている。
「発明の効果」 以上で詳細に説明したように、本発明の薄膜磁気ヘッ
ドは、絶縁層および保護層を、それぞれ磁性材料、もし
くは磁性材料を添加した非磁性材料により形成してなる
ものであるから、絶縁層と下部磁性層との透磁率の差、
保護層と上部絶縁層との透磁率の差が小さくなり、この
ため、記録磁場にディップが生じることがなくなってコ
ンター効果が抑制され、その結果、優れた周波数特性を
得ることができ、ひいてはより一層の高記録密度化を図
ることができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第4図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施
例を説明するための図であって、第1図はこの薄膜磁気
ヘッドの要部を模式的に示した図、第2図はその透磁率
の分布を示す図、第3図は記録磁場の分布を示す図、第
4図は周波数特性を示す図である。 第5図〜第10図は薄膜磁気ヘッドの一従来例を示すもの
で、第5図は全体概略構成を示す斜視図、第6図は薄膜
磁気ヘッド素子の要部拡大断面図、第7図は要部を模式
的に示した図、第8図は透磁率の分布を示す図、第9図
は記録磁場の分布を示す図、第10図は周波数特性を示す
図である。 1……スライダの前面(基板)、2……薄膜磁気ヘッド
素子、3……絶縁層、4……下部磁性層、5……ギャッ
プ層、8……上部磁性層、9……保護層、10,11……磁
極、12,13……磁極端、μ(μ12)……透磁
率。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板の表面に、絶縁層、下部磁性層、ギャ
    ップ層、上部磁性層、保護層が順次積層されて形成され
    てなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記絶縁層および保護
    層を、それぞれ磁性材料、もしくは磁性材料を添加した
    非磁性材料により形成してなり、少なくとも絶縁層およ
    び保護層の透磁率を下部磁性層および上部磁性層の透磁
    率よりも小さくしてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
    ド。
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