JPH06274836A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH06274836A JPH06274836A JP5822593A JP5822593A JPH06274836A JP H06274836 A JPH06274836 A JP H06274836A JP 5822593 A JP5822593 A JP 5822593A JP 5822593 A JP5822593 A JP 5822593A JP H06274836 A JPH06274836 A JP H06274836A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は実効トラック幅を狭くし、ベースラ
インシフトを少なくし記録密度を上げることが出来る構
造の磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法を提供
することを目的とする。 【構成】 磁気抵抗素子部１のシールド及び記録コア９
の他方のコアの両方を兼ねる上部シールド５の記録コア
９との対向部を他の部分より盛り上げた記録対向面段差
部１５を設けた。
インシフトを少なくし記録密度を上げることが出来る構
造の磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法を提供
することを目的とする。 【構成】 磁気抵抗素子部１のシールド及び記録コア９
の他方のコアの両方を兼ねる上部シールド５の記録コア
９との対向部を他の部分より盛り上げた記録対向面段差
部１５を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録再生装置に用い
られる磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法に関
するものである。
られる磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピューターの外部記録装置で
は、小型大容量化が望まれるようになってきた。この磁
気記録を用いた外部記憶装置の小型高容量化を実現する
ために、線記録密度の向上以外に、トラック密度の向上
も必要になっている。現在では媒体速度に出力が依存せ
ず高出力が得られ、さらに高トラック密度が得られる磁
気抵抗素子を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドが利用さ
れるようになってきた。以下に従来の磁気抵抗素子を用
いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法につい
て説明する。図６は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
示す平面図であり、図６において、３は下部シールド
で、少なくとも磁気抵抗素子の磁束検知幅以上の幅を持
ちパーマロイ、センダスト等の軟磁性材料を真空成膜法
あるいはメッキ法により成膜したものか、フェライト等
の軟磁性材料が用いられる。これらの下部シールド３上
の４は絶縁層であり、磁気抵抗素子と下部シールド３を
磁気的に分離する役目を持ち、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3など
の酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法により
成膜される。これらの絶縁層４の上に磁気抵抗素子部１
を蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法により成膜す
る、磁気抵抗素子部１は外部磁界に対し抵抗変化を示す
素子でありＦｅ−Ｎｉの合金やＣｏ−Ｎｉの合金が使用
され、これらの膜は外部磁界に対し感度を高めるために
数十ｎｍ以下の特に薄い膜が用いられる、これらの薄膜
は真空蒸着法、スパッタ法、イオンビームスパッタ法な
どの真空成膜法によって成膜される。この磁気抵抗素子
部１には素子部に電流を供給しその電圧変化を検知する
ための導体層２が磁束検知幅外の部分で接触している。
導体層２には抵抗値の低い良導体としてＡｕ、Ａｌ、Ｃ
ｕ、Ｗあるいはそれらの積層膜などが用いられ、真空蒸
着法、スパッタ法、イオンビームスパッタ法、ＣＶＤ法
などの真空成膜法によって成膜される。磁気抵抗素子部
１と導体層２で磁気抵抗素子を構成する。これら磁気抵
抗素子部１及び導体層２の上に絶縁層４をＳｉＯ2やＡ
ｌ2Ｏ3などの酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸
着法により成膜する。その後、これら絶縁層４の上に上
部シールド５が少なくとも磁気抵抗素子の磁束検知幅以
上の幅を持ちパーマロイ、センダスト等の軟磁性材料を
蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法あるいはメッキ法
により成膜される。これらの上部シールド５の上面に記
録ギャップ６をＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3などの酸化物を蒸着
あるいはスパッタ等の真空蒸着法により成膜する。この
記録ギャップ６の上に記録コア９をパーマロイ、センダ
スト等の軟磁性材料を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸
着法あるいはメッキ法により成膜し、所定の形状に物理
的あるいは化学的方法によって食刻する。これらの素子
の上に保護のための絶縁層１０としてＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ
3などの酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法
により成膜される。この図において、再生を行う磁気抵
抗素子部１の磁束検知幅はＡで示される幅であり、記録
を行う記録コア幅はＢである。この構造では記録を行う
際に発生される磁界が記録コア対向面では記録対向面磁
界７の様に発生し、記録対向面近傍では記録対向面近傍
磁界８に示されるように記録磁界が発生する。この構造
の記録コア９と上部シールド５の断面を図７に示す。図
７は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを示す分解斜視図
である。図７において記録コア９と上部シールド５は記
録コア９の中心Ｂ／２の位置の断面に成っている。１１
は上部シールド５と記録コア９の間に設けられたコイル
層である。この様な磁気抵抗効果型磁気ヘッドで磁気記
録媒体に記録を行った場合を図８に示す。磁気記録媒体
上の記録幅はＧで示す通りであり、記録磁界の方向は磁
化反転部１４で反転し、矢印で示されるような残留磁化
が残る、この際に記録対向面磁界７によって記録幅Ｇの
近傍に外向きの残留磁化１３や内向きの残留磁化１２が
残る。この様な記録を行った磁気記録媒体上で磁気抵抗
素子を用いて再生した場合のオフトラック特性を図９に
示す。この特性は磁気抵抗素子の位置を図８のＣからＤ
そしてＥへと変化させた場合の縦軸は最大出力で規格化
した出力変化を示しており、横軸は記録トラック幅で規
格化した値になっている。この図に示すように出力減少
の外挿線が０になる位置を実効トラック幅とし１．４５
程度である。また図８において中心よりずれて記録トラ
ック幅の端をＦ１からＦ２の方向に再生した際の孤立再
生波形を図１０に示す。磁気記録媒体には保磁力１６０
０エルステッドの３．５インチのハードディスク媒体を
用い、周速１２ｍ／ｓ、浮上量０．２μｍで測定した結
果を示す。ここでは磁気記録媒体に残留する外向きの残
留磁化１３や内向きの残留磁化１２によってベースライ
ンシフトＨを生じる。
は、小型大容量化が望まれるようになってきた。この磁
気記録を用いた外部記憶装置の小型高容量化を実現する
ために、線記録密度の向上以外に、トラック密度の向上
も必要になっている。現在では媒体速度に出力が依存せ
ず高出力が得られ、さらに高トラック密度が得られる磁
気抵抗素子を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドが利用さ
れるようになってきた。以下に従来の磁気抵抗素子を用
いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法につい
て説明する。図６は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
示す平面図であり、図６において、３は下部シールド
で、少なくとも磁気抵抗素子の磁束検知幅以上の幅を持
ちパーマロイ、センダスト等の軟磁性材料を真空成膜法
あるいはメッキ法により成膜したものか、フェライト等
の軟磁性材料が用いられる。これらの下部シールド３上
の４は絶縁層であり、磁気抵抗素子と下部シールド３を
磁気的に分離する役目を持ち、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3など
の酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法により
成膜される。これらの絶縁層４の上に磁気抵抗素子部１
を蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法により成膜す
る、磁気抵抗素子部１は外部磁界に対し抵抗変化を示す
素子でありＦｅ−Ｎｉの合金やＣｏ−Ｎｉの合金が使用
され、これらの膜は外部磁界に対し感度を高めるために
数十ｎｍ以下の特に薄い膜が用いられる、これらの薄膜
は真空蒸着法、スパッタ法、イオンビームスパッタ法な
どの真空成膜法によって成膜される。この磁気抵抗素子
部１には素子部に電流を供給しその電圧変化を検知する
ための導体層２が磁束検知幅外の部分で接触している。
導体層２には抵抗値の低い良導体としてＡｕ、Ａｌ、Ｃ
ｕ、Ｗあるいはそれらの積層膜などが用いられ、真空蒸
着法、スパッタ法、イオンビームスパッタ法、ＣＶＤ法
などの真空成膜法によって成膜される。磁気抵抗素子部
１と導体層２で磁気抵抗素子を構成する。これら磁気抵
抗素子部１及び導体層２の上に絶縁層４をＳｉＯ2やＡ
ｌ2Ｏ3などの酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸
着法により成膜する。その後、これら絶縁層４の上に上
部シールド５が少なくとも磁気抵抗素子の磁束検知幅以
上の幅を持ちパーマロイ、センダスト等の軟磁性材料を
蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法あるいはメッキ法
により成膜される。これらの上部シールド５の上面に記
録ギャップ６をＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3などの酸化物を蒸着
あるいはスパッタ等の真空蒸着法により成膜する。この
記録ギャップ６の上に記録コア９をパーマロイ、センダ
スト等の軟磁性材料を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸
着法あるいはメッキ法により成膜し、所定の形状に物理
的あるいは化学的方法によって食刻する。これらの素子
の上に保護のための絶縁層１０としてＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ
3などの酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法
により成膜される。この図において、再生を行う磁気抵
抗素子部１の磁束検知幅はＡで示される幅であり、記録
を行う記録コア幅はＢである。この構造では記録を行う
際に発生される磁界が記録コア対向面では記録対向面磁
界７の様に発生し、記録対向面近傍では記録対向面近傍
磁界８に示されるように記録磁界が発生する。この構造
の記録コア９と上部シールド５の断面を図７に示す。図
７は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを示す分解斜視図
である。図７において記録コア９と上部シールド５は記
録コア９の中心Ｂ／２の位置の断面に成っている。１１
は上部シールド５と記録コア９の間に設けられたコイル
層である。この様な磁気抵抗効果型磁気ヘッドで磁気記
録媒体に記録を行った場合を図８に示す。磁気記録媒体
上の記録幅はＧで示す通りであり、記録磁界の方向は磁
化反転部１４で反転し、矢印で示されるような残留磁化
が残る、この際に記録対向面磁界７によって記録幅Ｇの
近傍に外向きの残留磁化１３や内向きの残留磁化１２が
残る。この様な記録を行った磁気記録媒体上で磁気抵抗
素子を用いて再生した場合のオフトラック特性を図９に
示す。この特性は磁気抵抗素子の位置を図８のＣからＤ
そしてＥへと変化させた場合の縦軸は最大出力で規格化
した出力変化を示しており、横軸は記録トラック幅で規
格化した値になっている。この図に示すように出力減少
の外挿線が０になる位置を実効トラック幅とし１．４５
程度である。また図８において中心よりずれて記録トラ
ック幅の端をＦ１からＦ２の方向に再生した際の孤立再
生波形を図１０に示す。磁気記録媒体には保磁力１６０
０エルステッドの３．５インチのハードディスク媒体を
用い、周速１２ｍ／ｓ、浮上量０．２μｍで測定した結
果を示す。ここでは磁気記録媒体に残留する外向きの残
留磁化１３や内向きの残留磁化１２によってベースライ
ンシフトＨを生じる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、記録対向面磁界７によって磁気記録媒体に
記録される記録幅Ｇの近傍の外向きの残留磁化１３や内
向きの残留磁化１２によって、図９に示される実効トラ
ック幅が広くトラック幅方向の隣接トラックとの距離を
狭くすることが出来ず面記録密度を上げることが出来な
いという問題点や、記録幅Ｇ端部を再生した際に生じる
ベースラインシフトＨが大きいという問題点を有してい
た。
の構成では、記録対向面磁界７によって磁気記録媒体に
記録される記録幅Ｇの近傍の外向きの残留磁化１３や内
向きの残留磁化１２によって、図９に示される実効トラ
ック幅が広くトラック幅方向の隣接トラックとの距離を
狭くすることが出来ず面記録密度を上げることが出来な
いという問題点や、記録幅Ｇ端部を再生した際に生じる
ベースラインシフトＨが大きいという問題点を有してい
た。
【０００４】本発明は前記従来の課題を解決するもの
で、実効トラック幅を狭くし、ベースラインシフトを少
なくし記録密度を上げることが出来る構造の磁気抵抗効
果型磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的
とする。
で、実効トラック幅を狭くし、ベースラインシフトを少
なくし記録密度を上げることが出来る構造の磁気抵抗効
果型磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は記録用コアの記録幅より大きい領域におい
て対向する記録コアより一方の磁性体が後退する構造の
磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用い、この構造を得るため
に記録幅より著しく大きい第１層上に記録コアに対向す
る記録幅より大きい第２層の磁性層を形成する製造方
法、あるいは記録コア磁性体上に食刻阻止材を設け、記
録幅に食刻を施すと同時に記録コアに対向する部分を続
けて食刻する製造方法を用いる。
に、本発明は記録用コアの記録幅より大きい領域におい
て対向する記録コアより一方の磁性体が後退する構造の
磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用い、この構造を得るため
に記録幅より著しく大きい第１層上に記録コアに対向す
る記録幅より大きい第２層の磁性層を形成する製造方
法、あるいは記録コア磁性体上に食刻阻止材を設け、記
録幅に食刻を施すと同時に記録コアに対向する部分を続
けて食刻する製造方法を用いる。
【０００６】
【作用】本発明は上記の構成により、実効トラック幅を
狭くし、ベースラインシフトを少なくし記録密度を上げ
ることが出来る構造の磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びそ
の製造方法を得ることが出来る。
狭くし、ベースラインシフトを少なくし記録密度を上げ
ることが出来る構造の磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びそ
の製造方法を得ることが出来る。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例を図面を参照しながら説明す
る。図１は本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁
気ヘッドを示す平面図であり、図１において、３は下部
シールドで、少なくとも磁気抵抗素子の磁束検知幅以上
の幅を持ちパーマロイ、センダスト等の軟磁性材料を真
空成膜法あるいはメッキ法により成膜したものか、フェ
ライト等の軟磁性材料が用いられる。これらの下部シー
ルド３上の４は絶縁層であり、磁気抵抗素子と下部シー
ルド３を磁気的に分離する役目を持ち、ＳｉＯ2やＡｌ2
Ｏ3などの酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜
法により成膜される。これらの絶縁層４の上に磁気抵抗
素子部１を蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法により
成膜する。磁気抵抗素子部１は外部磁界に対し抵抗変化
を示す素子でありＦｅ−Ｎｉの合金やＣｏ−Ｎｉの合金
が使用され、これらの膜は外部磁界に対し感度を高める
ために数十ｎｍ以下の特に薄い膜が用いられる、これら
の薄膜は真空蒸着法、スパッタ法、イオンビームスパッ
タ法などの真空成膜法によって成膜される。この磁気抵
抗素子部１には素子部に電流を供給しその電圧変化を検
知するための導体層２が磁束検知幅外の部分で接触して
いる。導体層２には抵抗値の低い良導体としてＡｕ、Ａ
ｌ、Ｃｕ、Ｗあるいはそれらの積層膜などが用いられ、
真空蒸着法、スパッタ法、イオンビームスパッタ法、Ｃ
ＶＤ法などの真空成膜法によって成膜される。これら磁
気抵抗素子部１および導体層５の上に絶縁層４をＳｉＯ
2やＡｌ2Ｏ3などの酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の
真空蒸着法により成膜する。その後、これら絶縁層４の
上に上部シールド５が少なくとも磁気抵抗素子の磁束検
知幅以上の幅を持ちパーマロイ、センダスト等の軟磁性
材料を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法あるいはメ
ッキ法により成膜される。記録対向面より記録部の幅の
広い部分が後退する構造をとるためには、第１層として
パーマロイ、センダスト等の軟磁性材料を蒸着あるいは
スパッタ等の真空成膜法あるいはメッキ法により成膜さ
れる。その上に形状を規制された第２層の磁性層として
記録対向面段差部１５を形成する製造法が選択出来る。
またあるいは第１層磁性層を記録対向面位置１６まで成
膜しておき、後に記録コア９上に食刻阻止材を設け、記
録コア９を記録幅に食刻を施すと同時に記録コア９に対
向する部分を続けて食刻し記録対向面を後退させる製造
法が可能である。上部シールド５の上面には記録ギャッ
プ６をＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3などの酸化物を蒸着あるいは
スパッタ等の真空成膜法により成膜する。この記録ギャ
ップ６の上に記録コア９をパーマロイ、センダスト等の
軟磁性材料を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法ある
いはメッキ法により成膜し、所定の形状に物理的あるい
は化学的方法によって食刻する。これらの素子の上に保
護のための絶縁層１０としてＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3などの
酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法により成
膜される。この図において、再生を行う磁気抵抗素子部
１の磁束検知幅はＡで示される幅であり、記録を行う記
録コア幅はＢである。この構造では記録を行う際に発生
される磁界が記録コア対向面では記録対向面磁界７の様
に発生し、記録対向面近傍では記録対向面近傍磁界８に
示されるように記録磁界が発生する。この構造の記録コ
ア９と上部シールド５の断面を含む斜視図を図２に示
す。図２は本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁
気ヘッドを示す分解斜視図である。図２において記録コ
ア９と上部シールド５は記録コア９の中心Ｂ／２の位置
の断面に成っている。１１は上部シールド５と記録コア
９の間に設けられたコイル層である。この様な磁気抵抗
効果型磁気ヘッドで磁気記録媒体に記録を行った場合を
図３に示す。磁気記録媒体上の記録幅はＧで示す通りで
あり、記録磁界の方向は磁化反転部１４で反転し、矢印
で示されるような残留磁化が残る、この際に記録対向面
磁界７によって記録幅Ｇの近傍に残留磁化１３や残留磁
化１２が残る。本実施例では上述の様な構成により、従
来の残留磁化よりも小さくなり、更に残留磁化の方向も
内側に向いている。この様な記録を行った磁気記録媒体
上で磁気抵抗素子を用いて再生した場合のオフトラック
特性を図４に示す。この特性は磁気抵抗素子の位置を図
３のＣからＤそしてＥへと変化させた場合の縦軸は最大
出力で規格化した出力変化を示しており、横軸は記録ト
ラック幅で規格化した値になっている。この図に示すよ
うに出力減少の外挿線が０になる位置を実効トラック幅
とし１．３０程度であり従来例の１．４５に比べ小さく
なっている。また図３において中心よりずれて記録トラ
ック幅の端をＦ１からＦ２の方向に再生した際の孤立再
生波形を図５に示す。磁気記録媒体には保磁力１６００
エルステッドの３．５インチのハードディスク媒体を用
い、周速１２ｍ／ｓ、浮上量０．２μｍで測定した結果
を示す。ここでは磁気記録媒体に残留する残留磁化１３
や残留磁化１２によってベースラインシフトＨを生じる
が従来例に比べ小さくなっている。
る。図１は本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁
気ヘッドを示す平面図であり、図１において、３は下部
シールドで、少なくとも磁気抵抗素子の磁束検知幅以上
の幅を持ちパーマロイ、センダスト等の軟磁性材料を真
空成膜法あるいはメッキ法により成膜したものか、フェ
ライト等の軟磁性材料が用いられる。これらの下部シー
ルド３上の４は絶縁層であり、磁気抵抗素子と下部シー
ルド３を磁気的に分離する役目を持ち、ＳｉＯ2やＡｌ2
Ｏ3などの酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜
法により成膜される。これらの絶縁層４の上に磁気抵抗
素子部１を蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法により
成膜する。磁気抵抗素子部１は外部磁界に対し抵抗変化
を示す素子でありＦｅ−Ｎｉの合金やＣｏ−Ｎｉの合金
が使用され、これらの膜は外部磁界に対し感度を高める
ために数十ｎｍ以下の特に薄い膜が用いられる、これら
の薄膜は真空蒸着法、スパッタ法、イオンビームスパッ
タ法などの真空成膜法によって成膜される。この磁気抵
抗素子部１には素子部に電流を供給しその電圧変化を検
知するための導体層２が磁束検知幅外の部分で接触して
いる。導体層２には抵抗値の低い良導体としてＡｕ、Ａ
ｌ、Ｃｕ、Ｗあるいはそれらの積層膜などが用いられ、
真空蒸着法、スパッタ法、イオンビームスパッタ法、Ｃ
ＶＤ法などの真空成膜法によって成膜される。これら磁
気抵抗素子部１および導体層５の上に絶縁層４をＳｉＯ
2やＡｌ2Ｏ3などの酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の
真空蒸着法により成膜する。その後、これら絶縁層４の
上に上部シールド５が少なくとも磁気抵抗素子の磁束検
知幅以上の幅を持ちパーマロイ、センダスト等の軟磁性
材料を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法あるいはメ
ッキ法により成膜される。記録対向面より記録部の幅の
広い部分が後退する構造をとるためには、第１層として
パーマロイ、センダスト等の軟磁性材料を蒸着あるいは
スパッタ等の真空成膜法あるいはメッキ法により成膜さ
れる。その上に形状を規制された第２層の磁性層として
記録対向面段差部１５を形成する製造法が選択出来る。
またあるいは第１層磁性層を記録対向面位置１６まで成
膜しておき、後に記録コア９上に食刻阻止材を設け、記
録コア９を記録幅に食刻を施すと同時に記録コア９に対
向する部分を続けて食刻し記録対向面を後退させる製造
法が可能である。上部シールド５の上面には記録ギャッ
プ６をＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3などの酸化物を蒸着あるいは
スパッタ等の真空成膜法により成膜する。この記録ギャ
ップ６の上に記録コア９をパーマロイ、センダスト等の
軟磁性材料を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法ある
いはメッキ法により成膜し、所定の形状に物理的あるい
は化学的方法によって食刻する。これらの素子の上に保
護のための絶縁層１０としてＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3などの
酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法により成
膜される。この図において、再生を行う磁気抵抗素子部
１の磁束検知幅はＡで示される幅であり、記録を行う記
録コア幅はＢである。この構造では記録を行う際に発生
される磁界が記録コア対向面では記録対向面磁界７の様
に発生し、記録対向面近傍では記録対向面近傍磁界８に
示されるように記録磁界が発生する。この構造の記録コ
ア９と上部シールド５の断面を含む斜視図を図２に示
す。図２は本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁
気ヘッドを示す分解斜視図である。図２において記録コ
ア９と上部シールド５は記録コア９の中心Ｂ／２の位置
の断面に成っている。１１は上部シールド５と記録コア
９の間に設けられたコイル層である。この様な磁気抵抗
効果型磁気ヘッドで磁気記録媒体に記録を行った場合を
図３に示す。磁気記録媒体上の記録幅はＧで示す通りで
あり、記録磁界の方向は磁化反転部１４で反転し、矢印
で示されるような残留磁化が残る、この際に記録対向面
磁界７によって記録幅Ｇの近傍に残留磁化１３や残留磁
化１２が残る。本実施例では上述の様な構成により、従
来の残留磁化よりも小さくなり、更に残留磁化の方向も
内側に向いている。この様な記録を行った磁気記録媒体
上で磁気抵抗素子を用いて再生した場合のオフトラック
特性を図４に示す。この特性は磁気抵抗素子の位置を図
３のＣからＤそしてＥへと変化させた場合の縦軸は最大
出力で規格化した出力変化を示しており、横軸は記録ト
ラック幅で規格化した値になっている。この図に示すよ
うに出力減少の外挿線が０になる位置を実効トラック幅
とし１．３０程度であり従来例の１．４５に比べ小さく
なっている。また図３において中心よりずれて記録トラ
ック幅の端をＦ１からＦ２の方向に再生した際の孤立再
生波形を図５に示す。磁気記録媒体には保磁力１６００
エルステッドの３．５インチのハードディスク媒体を用
い、周速１２ｍ／ｓ、浮上量０．２μｍで測定した結果
を示す。ここでは磁気記録媒体に残留する残留磁化１３
や残留磁化１２によってベースラインシフトＨを生じる
が従来例に比べ小さくなっている。
【０００８】
【発明の効果】本発明は実効トラック幅を狭くし、ベー
スラインシフトを少なくし記録密度を上げることが出来
る構造の磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法を
実現出来る。
スラインシフトを少なくし記録密度を上げることが出来
る構造の磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法を
実現出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを示す平面図
ヘッドを示す平面図
【図２】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを示す分解斜視図
ヘッドを示す分解斜視図
【図３】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの記録再生の状態を示す図
ヘッドの記録再生の状態を示す図
【図４】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気
ヘッドのオフトラック特性を示す図
ヘッドのオフトラック特性を示す図
【図５】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの孤立再生波形を示す図
ヘッドの孤立再生波形を示す図
【図６】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを示す平面図
【図７】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを示す分解斜
視図
視図
【図８】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの記録再生の
状態を示す図
状態を示す図
【図９】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドのオフトラッ
ク特性を示す図
ク特性を示す図
【図１０】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの孤立再生
波形を示す図
波形を示す図
１ 磁気抵抗素子部 ２ 導体層 ３ 下部シールド ４ 絶縁層 ５ 上部シールド ６ 記録ギャップ ９ 記録コア １０ 保護層 １１ コイル層 １５ 記録対向面段差部 １６ 記録対向面位置
Claims (5)
- 【請求項１】磁気抵抗効果型素子と記録用電磁誘導型素
子を持つ複合型磁気ヘッドにおいて、記録用コアの記録
幅より大きい領域において対向する記録コアより一方の
磁性体が後退する構造であることを特徴とする磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】記録コアの対向する部分の幅に比べ、後退
する構造の幅が記録幅より大きい事を特徴とする請求項
１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項３】記録コアの一部が磁気抵抗素子のシールド
として機能する事を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。 - 【請求項４】記録コアの対向する部分の幅に比べ対向す
る部分が後退する構造を成す磁性体において、記録幅よ
り著しく大きい第１層上に記録コアに対向する記録幅よ
り大きい第２層の磁性層を形成することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項５】記録コアの対向する部分の幅に比べ対向す
る部分が後退する構造を成す磁性体において、記録コア
磁性体上に食刻阻止材を設け、記録幅に食刻を施すと同
時に記録コアに対向する部分を続けて食刻することを特
徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5822593A JPH06274836A (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5822593A JPH06274836A (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06274836A true JPH06274836A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13078145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5822593A Pending JPH06274836A (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06274836A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597543B1 (en) | 1998-06-08 | 2003-07-22 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and magnetic storage apparatus using the same |
| US6804088B1 (en) | 1998-07-15 | 2004-10-12 | Nec Corporation | Thin film magnetic head, manufacturing method thereof and magnetic storage |
-
1993
- 1993-03-18 JP JP5822593A patent/JPH06274836A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597543B1 (en) | 1998-06-08 | 2003-07-22 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and magnetic storage apparatus using the same |
| US7054107B2 (en) | 1998-06-08 | 2006-05-30 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head with nonmagnetic body filled concave portion formed on a pole layer and magnetic storage apparatus using the same |
| US7230794B2 (en) | 1998-06-08 | 2007-06-12 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head with nonmagnetic body filled concave portion formed on a pole layer and magnetic storage apparatus using the same |
| US7239482B2 (en) | 1998-06-08 | 2007-07-03 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and nonmagnetic body filled concave portion formed on a pole layer and magnetic storage apparatus using the same |
| US6804088B1 (en) | 1998-07-15 | 2004-10-12 | Nec Corporation | Thin film magnetic head, manufacturing method thereof and magnetic storage |
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