JPH07307012A - 磁気抵抗効果型ヘッドおよび録再分離型磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 面記録密度が例えばGb /inch² を超えるよう
な高記録密度システムに対応し得るシールド型の磁気抵
抗効果型ヘッドを提供する。 【構成】 一対のリード１６が接続され、磁界応答部１
４ａを有する磁気抵抗効果膜１４を、磁気ギャップ形成
用絶縁膜１３、１８を介して上下一対のシールド層１
２、２０で挟持する磁気抵抗効果型ヘッド２１である。
上側シールド層の磁気抵抗効果膜対向面の幅をＷ_s 、一
対のリードの間隔をＷ_r 、磁気抵抗効果膜の磁界応答部
の幅をＴ_r としたとき、Ｗ_s ＜Ｗ_r およびＴ_r ＜Ｗ_r を
満足させる。さらに、シールド層１２、２０の少なくと
も一部は、絶縁層１９に設けられたトレンチ１９ａ内に
埋め込み形成する。これにより、例えば記録磁気ギャッ
プに実質的に直線性を付与する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置の再
生ヘッドとして使用される磁気抵抗効果型ヘッドとそれ
を用いた録再分離型磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録の高密度化が進み、ＶＴ
Ｒでは500Mb/inch² 、ＨＤＤでは 200Mb/inch ² という
高記録密度のシステムが実用化されており、さらなる高
密度化が要求されている。このような高記録密度化に伴
って、狭トラック化は必須の課題である。例えば、200M
b/inch² のＨＤＤの場合、トラック幅は 7μm 、トラッ
ク間距離は 2μm 程度であり、トラック幅公差はトラッ
ク間距離(2μm)程度とすれば要求に応えることができ
た。しかし、さらなる高記録密度化に対応するために
は、トラック幅は 5〜 6μm 以下にする必要があり、公
差も 0.5μm 以下が要求される。さらに、 10Gb/inch²
程度の高記録密度化に向けては、トラック幅は1μm 以
下、公差は 0.1μm 程度が要求されることが予測され
る。これらに応えるためには、磁気ヘッドに対する大幅
な改善が必要となる。

【０００３】上述したような狭トラックを実現するため
に、例えばＦＩＢ（フォーカスト・イオンビーム）エッ
チングを用いて、磁気ヘッドの磁気コアを媒体対向面か
らトラック加工する方法が提案されている（特開平3-29
6907号公報参照）。この方法は、トラック幅精度は確保
できるものの、ヘッド 1個毎の単品処理になることと、
例えばＦＩＢ自体のスループットが非常に遅いこと等か
ら、量産性の点で大きな問題を有している。

【０００４】また、上下の磁気コアを、それぞれ磁気ギ
ャップ面に対しては垂直で、磁気ギャップ面から遠ざか
るにつれて末広がりに傾斜させた薄膜磁気ヘッドも提案
されている（特開平3-205607号公報参照）。しかし、こ
の方法では磁気コア断面を末広がりに加工するために、
十分な加工精度が得られない。さらに、トラック幅方向
の反磁界が大きくなることから、狭トラック化した際に
トラック幅方向に磁化容易軸を持たせることが困難で、
十分な高周波透磁率を確保することができないという問
題があった。

【０００５】一方、上述したような高記録密度システム
の再生ヘッドとしては、ある種の磁性薄膜や磁性多層薄
膜等の電気抵抗が外部磁界によって変化するという、磁
気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドと記す）が注目されている。ＭＲヘッドは、ヘッ
ドと媒体の相対速度が遅いシステムでも高出力が得られ
るため、これまでは固定ヘッド方式のテープ媒体再生用
のシステムに主に用いられてきた。しかし、最近では、
ＭＲヘッドが高Ｓ／Ｎ性を有することから、相対速度が
数メータ／秒と遅い小型ＨＤＤにおいてもＭＲヘッドが
誘導型再生ヘッドに代って用いられはじめている。

【０００６】ここで、図２７に従来のシールド型ＭＲヘ
ッドの一構成例を示す。異方性磁気抵抗効果膜、スピン
バルブ膜または人工格子膜からなる磁気抵抗効果膜１の
両端には、一対のリード２がそれぞれ接続されており、
これらにより磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と記
す）３が構成されている。ＭＲ素子３は、再生磁気ギャ
ップを構成する絶縁膜４、５で挟持されている。絶縁膜
４、５の外側には、線分解能を高める上下一対のシール
ド層６、７がそれぞれ配置されている。上側シールド層
７は、通常記録ヘッドの下側磁気コアを兼ねている。そ
の上には、記録磁気ギャップを構成する絶縁膜８を介し
て上側磁気コア９が設けられている。これらにより、記
録磁路が形成される。

【０００７】上述したようなシールド型ＭＲヘッドを再
生ヘッドとして用いる場合、その線分解能はほぼ上側の
再生磁気ギャップ長（絶縁膜５の厚さ）もしくは下側の
再生磁気ギャップ長（絶縁膜４の厚さ）により決定され
る。しかし、従来のＭＲヘッド構造では、リード２と上
側シールド層７間の絶縁性を確保するために、絶縁膜５
を少なくともリード２による段差と同等の厚さに形成す
る必要があった。よって、線分解能をリード２の厚さ以
下にすることが非常に困難であった。事実、リード２の
厚さは、ＭＲ素子の抵抗変化率を維持するためには 0.2
μm 以上とすることが好ましく、線分解能の向上には限
界があった。例えば、面記録密度が Gb/inch² を超える
ような高記録密度システムでは、必要線分解能がシール
ド型ＭＲヘッドのリード厚と同程度もしくはそれ以下と
なるため、上述した従来構造のシールド型ＭＲヘッドで
は、このような線分解能を達成することができない。

【０００８】さらに、例えば1Gb/inch² の記録密度の場
合、トラック幅は 3μm 程度となるため、シールド層
６、７の幅は好ましくは 3〜 5μm 程度に設定される
が、シールド層６、７の厚さは 2μm 程度であるため、
ＭＲ素子３は高さ 2μm 、幅 3μm 程度の凸部の上に形
成しなければならなくなる。 10Gb/inch² の記録密度の
場合にはさらに極端で、ＭＲ素子３は高さ 2μm 、幅 1
μm 程度の凸部上に形成しなければならない。このよう
な凹凸を有する下地上で、ミクロンオーダのＭＲ素子３
のトラック幅等を規定しようとしても、極端に歩留りが
悪くなってしまう。例えば、高さ 2μm 、幅 2μm 程度
の凸部を有する下地上に、厚さ 3μm のレジストを形成
して、幅 1μm のストライプ（残し）パターンを形成す
る場合、パターン変格差は-0.3μm にもなってしまう。
このように、従来のシールド型ＭＲヘッドにおいては、
記録密度の向上を図った場合にＭＲ素子の下地の凹凸が
激しくなり、ＭＲ素子のトラック幅を正確に規定できな
くなるという問題が生じる。一方、前述したようなシー
ルド型ＭＲヘッド上に記録ヘッドを形成する場合、記録
ヘッドの記録磁気ギャップは、図２７から明らかなよう
に、その直線性がＭＲ素子３のリード２の厚さに依存す
る。ここで、リード２は、通常ＭＲ素子３のダメージが
少ないリフトオフ法により形成している。このリフトオ
フ法により形成したリード２は、たとえ逆テーパーレジ
ストを用いた場合でも、エッジ部に突起がある確率で発
生する。そのため、シールド／リード間のギャップが狭
くなった場合には、ショートによる歩留りの低下が起こ
る。このショートによる歩留りの低下は、リード２の厚
さを薄くすることによりある程度防止することができる
が、リード２の厚さを薄くすると抵抗が増大し、実質的
な抵抗変化率が小さくなるため、リード２の厚さはあま
り薄くすることができない。

【０００９】すなわち、リード２の配置に関しては、シ
ールド／リード間のショートを抑制するために、図２８
に示すようにシールド７とリード２がオーバーラップす
る面積をなるべく少なくするように配置することが行わ
れている。この配置構造において、リード２の厚さを変
えた場合のＭＲ素子の抵抗変化率をトラック幅（Ｔ_w）
との関係として図２９に示す。図２９から明らかなよう
に、リード２の厚さが0.4μm 以下程度になると、リー
ド２の比抵抗が大きくなると共にばらつくため、抵抗変
化率が急激に小さくなることが分かる。よって、抵抗変
化率を極端に落とさないためには、リード厚を 0.4μm
程度以上、最低でも 0.2μm 程度にする必要がある。

【００１０】上述したように、従来構造のシールド型Ｍ
Ｒヘッドを用いた録再分離型磁気ヘッドでは、記録磁気
ギャップの直線性はＭＲヘッドのリード厚に依存する。
このため、今後記録磁気ギャップ長が狭くなるにつれ
て、リードの厚さが薄くならないと、リードの厚さに起
因する段差により記録磁気ギャップの直線性が一段と低
下してしまう。従って、 5μm 以下というようなトラッ
ク幅では、大幅にオフトラック特性が悪くなってしま
う。その結果、ＭＲ素子で再生する場合に、大きなアジ
マスロスが生じてしまう。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、従来
構造のシールド型ＭＲヘッドにおいては、線分解能を決
定する再生磁気ギャップとなる絶縁膜を、リードと上側
シールド層間の絶縁性を確保するために、少なくともリ
ードによる段差と同等の厚さに形成する必要があるた
め、線分解能をリードの厚さ以下にすることが非常に困
難であり、例えば面記録密度が Gb/inch² を超えるよう
な高記録密度システムでは、必要線分解能をを達成する
ことができないという問題が生じてしまう。このような
ことから、Gb/inch² を超えるような高記録密度システ
ムに対応し得るような線分解能を有するシールド型ＭＲ
ヘッドの出現が望まれている。

【００１２】また、従来構造のシールド型ＭＲヘッドで
は、記録密度の向上を図ることに伴って、ＭＲ素子のト
ラック幅を正確に規定できなくなるという問題が生じて
しまう。さらに、従来構造のシールド型ＭＲヘッドを用
いた録再分離型磁気ヘッドでは、記録磁気ギャップ長が
狭くなるにつれて、記録磁気ギャップの直線性が一段と
低下してしまい、 5μm 以下というようなトラック幅で
は大幅にオフトラック特性が悪くなり、その結果として
ＭＲ素子で再生する場合に大きなアジマスロスが発生す
るという問題が生じてしまう。実際に、このような記録
磁気ギャップのの直線性低下は、記録磁気ギャップをリ
ードの厚さの10倍以下程度とする場合に問題になってき
ているため、記録磁気ギャップの直線性を確保すること
が可能な磁気ヘッド構造の出現が強く望まれている。

【００１３】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、基本的には面記録密度が例えばGb /
inch² を超えるような高記録密度システムに対応し得る
シールド型の磁気抵抗効果型ヘッドおよび録再分離型磁
気ヘッドを提供することを目的としており、具体的には
上記したような高記録密度システムに対応し得る線分解
能が得られるシールド型の磁気抵抗効果型ヘッド、さら
に高記録密度システムに対応し得るトラック幅等を正確
に規定することができるシールド型の磁気抵抗効果型ヘ
ッドを提供することを目的としている。さらに本発明
は、上述したような高記録密度システムに対応させると
共に、記録・再生特性の向上を図った録再分離型磁気ヘ
ッド、また高記録密度化した場合のオフトラック特性の
低下を防止した録再分離型磁気ヘッドを提供することを
目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明における第１の磁
気抵抗効果型ヘッド、すなわち請求項１記載の磁気抵抗
効果型ヘッドは、一対のリードが接続され、磁界応答部
を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の下側
に磁気ギャップ形成用絶縁膜を介して配置された下側シ
ールド層と、前記磁気抵抗効果膜の上側に他の磁気ギャ
ップ形成用絶縁膜を介して配置された上側シールド層と
を具備する磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記上側シ
ールド層の磁気抵抗効果膜対向面の幅をＷ_s 、前記一対
のリードの間隔をＷ_r 、前記磁気抵抗効果膜の磁界応答
部の幅をＴ_r としたとき、Ｗ_s ＜Ｗ_r およびＴ_r ＜Ｗ_r
を満足することを特徴としている。

【００１５】また、請求項３記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ドは、請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
さらに前記磁気抵抗効果膜上の前記上側シールド層の磁
気抵抗効果膜対向面の端部より外側に配置された磁化固
着膜を有すること、すなわち磁気抵抗効果膜の磁界応答
部は磁化固着された端部を除く残部により構成されてい
ることを特徴としており、請求項４記載の磁気抵抗効果
型ヘッドは、磁界応答部は媒体対向面方向に突出形成さ
れた前記磁気抵抗効果膜の突出部により構成されている
ことを特徴としている。

【００１６】本発明における第２の磁気抵抗効果型ヘッ
ド、すなわち請求項８記載の磁気抵抗効果型ヘッドは、
一対のリードが接続された磁気抵抗効果膜と、前記磁気
抵抗効果膜を磁気ギャップ形成用絶縁膜を介して挟持す
る一対のシールド層とを具備してなり、前記一対のシー
ルド層の少なくとも一方は、その少なくとも一部が絶縁
層に設けられたトレンチ内に埋め込み形成されているこ
とを特徴としている。また、本発明における第１の録再
分離型磁気ヘッド、すなわち請求項６記載の録再分離型
磁気ヘッドは、上述した第１の磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、上側シールド層が磁気ギャップ形成用絶縁膜の
方向に突出された凸部を有する形状を成す磁気抵抗効果
型ヘッド（請求項５記載の磁気抵抗効果型ヘッド）と、
磁気ギャップを介して配置された一対の磁気コアを有
し、前記一対の磁気コアのうち、下側の磁気コアが前記
磁気抵抗効果型ヘッドの上側シールド層と共通の磁性体
層により構成され、かつ前記一対の磁気コアの少なくと
も一方の媒体対向面形状が前記磁気ギャップの方向に突
出された凸部を有する誘導型磁気ヘッドとを、それぞれ
再生ヘッドおよび記録ヘッドとして具備することを特徴
としている。

【００１７】本発明における第２の録再分離型磁気ヘッ
ド、すなわち請求項９記載の録再分離型磁気ヘッドは、
一対のリードが接続された磁気抵抗効果膜と、前記磁気
抵抗効果膜を磁気ギャップ形成用絶縁膜を介して挟持す
る一対のシールド層とを有する磁気抵抗効果型ヘッド
と、前記磁気抵抗効果型ヘッド上に積層形成され、前記
磁気抵抗効果型ヘッドの前記リードの厚さの10倍以下の
磁気ギャップを介して配置された一対の磁気コアを有
し、かつ前記磁気ギャップは記録トラック幅全域にわた
って実質的に直線性を有する誘導型記録ヘッドとを、そ
れぞれ再生ヘッドおよび記録ヘッドとして具備すること
を特徴としている。

【００１８】

【作用】第１の磁気抵抗効果型ヘッドにおいては、上側
シールド層の磁気抵抗効果膜対向面の幅Ｗ_s をリードの
間隔Ｗ_r より狭く設定することにより、リードを実質的
な再生磁気ギャップの両脇外側に配置している。このた
め、再生磁気ギャップ長に対するリード厚の影響を排除
することができる。従って、狭ギャップ化を実現するこ
とが可能となり、例えば Gb/inch² を超えるような高記
録密度化にも対応し得る線分解能を達成することができ
る。

【００１９】しかも、磁気抵抗効果膜における磁界応答
部の幅Ｔ_r を、リードの間隔Ｗ_r より、さらに好ましく
は上側シールド層の磁気抵抗効果膜対向面の幅Ｗ_s より
狭く設定しているため、狭ギャップ化により高線分解能
を確保した上で、狭トラック化した際のクロストークの
発生を防止することができる。すなわち、再生特性の低
下等を招くことなく、狭ギャップ化、狭トラック化する
ことが可能となる。

【００２０】第１の録再分離型磁気ヘッドにおいては、
上述したような第１の磁気抵抗効果型ヘッドからなる再
生ヘッドと、誘導型磁気ヘッドからなる記録ヘッドとを
用いているため、高記録密度システムの記録・再生を安
定して実現することができる。ここで、誘導型磁気ヘッ
ドは、磁気コアの媒体対向面形状を記録磁気ギャップに
向けて凸状としているため、高精度の下で狭トラック化
を実現することが可能となる。さらに、このとき磁気コ
アの凸部の磁化容易軸はトラック幅方向に合せ易くなる
ため、狭トラック化した際でも磁化容易軸をトラック幅
方向と平行とすることができ、十分な高周波透磁率を安
定して得ることが可能となる。

【００２１】第２の磁気抵抗効果型ヘッドにおいては、
少なくとも一方のシ−ルド層を絶縁層に設けたトレンチ
内に埋め込み形成しているため、その上面の平滑性を確
保することができる。従って、そのようなシールド層上
に磁気抵抗効果膜あるいは上側磁気コアを形成したとき
に、シールド層の幅が狭くても狭トラック加工を正確に
かつ容易に行うことができると共に、良好な抵抗変化率
を得ることができる。第２の録再分離型磁気ヘッドにお
いては、例えば下側磁気コアを兼ねる平滑性に優れるシ
ールド層を絶縁層に設けたトレンチ内に埋め込み形成
し、その上に記録磁気ギャップを形成して、記録ヘッド
としての誘導型磁気ヘッドの記録トラック幅全域にわた
って、記録磁気ギャップに実質的に直線性を付与してい
る。従って、磁気抵抗効果型ヘッドで再生する場合のオ
フトラック特性を大幅に向上させることができる。

【００２２】

【実施例】次に、本発明を実施例によってさらに詳細に
説明する。

【００２３】図１および図２は、本発明の一実施例によ
る録再分離型磁気ヘッドの構成を示す図である。図１は
それを媒体対向面から見た正面図であり、図２は図１の
Ａ−Ａ断面図である。これらの図において、１１はAl₂
O ₃ 付きAl₂ O ₃ ・TiC 等からなる基板である。この基
板１１上には、NiFe合金やCoZrNbのようなアモルファス
合金等の軟磁性材料からなる下側シールド層１２が形成
されている。下側シールド層１２上には、Al₂ O ₃ 等の
絶縁膜からなる下側再生磁気ギャップ層１３を介して、
磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）１４が形成されている。

【００２４】上記ＭＲ膜１４としては、例えば電流の方
向と磁性層の磁化モーメントの成す角度に依存して電気
抵抗が変化するNi₈₀Fe₂₀等からなる異方性磁気抵抗効果
膜、磁性膜と非磁性膜との積層構造を有し、各磁性層の
磁化の成す角度に依存して電気抵抗が変化する、いわゆ
るスピンバルブ効果を示すCo₉₀Fe₁₀／Cu／Co₉₀Fe₁₀積層
膜等からなるスピンバルブ膜、あるいは巨大磁気抵抗効
果を示す人工格子膜が例示される。

【００２５】ＭＲ膜１４上には、硬質磁性膜やFeMnのよ
うな反強磁性膜等からなる磁化固着膜１５が所望形状に
形成されており、磁化固着膜１５の開口部（残部）が磁
界応答部１４ａとなる。言い換えれば、ＭＲ膜１４の磁
界応答部１４ａの幅（能動領域幅）Ｔ_r は、磁化固着膜
１５により規定されている。磁化固着膜１５上には、Ｍ
Ｒ膜１４の両端に電気的に接続されたCu等からなる一対
のリード１６が形成されている。これらＭＲ膜１４、磁
化固着膜１５およびリード１６により、ＭＲ素子１７が
構成されている。

【００２６】ＭＲ素子１７上には、Al₂ O ₃ 等の絶縁膜
からなる上側再生磁気ギャップ層１８が形成されてお
り、さらにその上には SiO₂ 等からなる絶縁層１９が形
成されている。絶縁層１９は、リード１６と上側シール
ド層２０間の絶縁耐圧を確保するものであり、リード１
６上面を覆うように形成されている。下側シールド層１
２と同様な軟磁性材料からなる上側シールド層２０は、
媒体対向面形状が上側再生磁気ギャップ層１８に向けて
凸状になるように、絶縁層１９に設けられたトレンチ１
９ａ内にその一部が埋め込み形成されている。これらに
より、再生ヘッドとして機能するシールド型ＭＲヘッド
２１が構成されている。

【００２７】上側シールド層２０のＭＲ膜対向面の幅Ｗ
_s は、絶縁層１９に形成されたトレンチ１９ａの幅によ
り規定されており、このＭＲ膜対向面の幅Ｗ_s が一対の
リード１６間の距離Ｗ_r より狭くなるように、トレンチ
１９ａの形状が設定されている。すなわち、一対のリー
ド１６は、上側シールド層２０のＭＲ膜対向面の端部よ
り両脇外側に配置されている。また、上側シールド層２
０のＭＲ膜対向面の端部より少なくとも両脇外側に位置
するＭＲ膜１４の磁化は、上述した磁化固着膜１５によ
り固着されている。実際には、一対の磁化固着膜１５間
に相当するＭＲ膜１４の磁界応答部１４ａの幅（実質的
な再生トラック幅）Ｔ_r がリード１６間距離Ｗ_r より、
さらには上側シールド層２０のＭＲ膜対向面の幅Ｗ_s よ
り狭くなるように、磁化固着膜１５はパターニングされ
ている。

【００２８】上記構成のシールド型ＭＲヘッド２１にお
いては、上側シールド層２０のＭＲ膜対向面の幅Ｗ_s を
リード１６間距離Ｗ_r より狭く設定し、一対のリード１
６をＭＲ膜対向面の端部より両脇外側に配置している。
これにより、リード１６と上側シールド層２０間の絶縁
耐圧を確保する絶縁層１９を形成しても、この絶縁層１
９およびリード１６の厚さが、上側シールド層２０のＭ
Ｒ膜対向面の下地に対して及ぼす影響を排除することが
可能となるため、上側シールド層２０のＭＲ膜対向面の
下地を飛躍的に平坦化することもできる。図示されるよ
うに、上側シールド層２０のＭＲ膜対向面は、リード１
６を除くＭＲ素子１７上面の段差に起因する多少の凹凸
を有していてもよく、必ずしも完全に平面でなくてもよ
い。

【００２９】すなわち、この実施例においては、上側シ
ールド層２０のＭＲ膜対向面の下地段差が、ＭＲ膜１４
の厚さ（例えば〜0.05μm)と磁化固着膜１５の厚さ（例
えば〜0.03μm)との合計（例えば〜0.08μm)となり、従
来のＭＲ膜の厚さ（例えば〜0.05μm)とリードの厚さ
（例えば〜 0.1μm)との合計（例えば〜0.15μm)の半分
程度とすることができる。よって、絶縁層１９を形成す
ることでリード１６と上側シールド層２０間の絶縁耐圧
を確保した上で、ＭＲ膜１４の磁界応答部１４ａでは、
ＭＲ膜１４と上側シールド層２０間を薄い絶縁膜、すな
わち薄い上側再生磁気ギャップ層１８で絶縁することが
できる。このことは、例えば 0.1μm 以下というような
狭ギャップ化が達成できることを意味する。

【００３０】また、上側シールド層２０のＭＲ膜対向面
の端部より少なくとも両脇外側に位置するＭＲ膜１４
は、磁化固着層１５により磁化固着しているため、上側
シールド層２０のＭＲ膜対向面の幅Ｗ_s をリード１６間
距離Ｗ_r より狭く設定した上で、上側シールド層２０の
幅がその厚さ方向全域にわたってＷ_s であっても、クロ
ストーク等の発生を防止することができる。従って、再
生特性の劣化等を招くことなく、狭トラック化を実現す
ることができる。

【００３１】上述したようなシールド型ＭＲヘッド２１
からなる再生ヘッド上には、誘導型薄膜磁気ヘッド２２
からなる記録ヘッドが形成されている。シールド型ＭＲ
ヘッド２１の上側シールド層２０は、誘導型薄膜磁気ヘ
ッド２２の下側磁気コアを兼ねるものであり、上面が平
坦化された下側磁気コア２０上には、Al₂ O ₃ 等の記録
磁気ギャップ層２３を介して、上側磁気コア２４が形成
されている。ここで、上側磁気コア２４は、記録磁気ギ
ャップ層２３上に設けられた SiO₂ 等からなるトレンチ
形成用の絶縁層２５に設けられたトレンチ２５ａ内に一
部埋め込み形成されている。従って、媒体対向面形状す
なわち上側磁気コア２４の先端部の断面形状は、記録磁
気ギャップ層２３に向けて凸状とされている。

【００３２】上側磁気コア２４の凸部２４ａは、図２に
示すように、前部ギャップ２３ａのギャップ長を規定し
ている。下側磁気コア２０と上側磁気コア２４間には、
上記前部ギャップ２３ａの後方に、フォトレジスト等の
絶縁層２６内に埋め込まれたCu等からなるコイル２７が
配置されている。さらに、その後方には後部ギャップ２
３ｂが形成されている。後部ギャップ２３ｂも前部ギャ
ップ２３ａと同様に、トレンチ形成用の絶縁層２５に設
けられたトレンチ内に上側磁気コア２４の一部が埋め込
まれてギャップ長が規定されている。

【００３３】そして、上側磁気コア２４上に保護膜２８
が形成されて、誘導型薄膜磁気ヘッド２２が構成されて
いる。また、この誘導型薄膜磁気ヘッド２２からなる記
録ヘッドと前述したシールド型ＭＲヘッド２１からなる
再生ヘッドとによって、録再分離型磁気ヘッド２９が構
成されている。

【００３４】上記構成の誘導型薄膜磁気ヘッド２２にお
いては、上側磁気コア２４の媒体対向面形状を記録磁気
ギャップ層２３に向けて凸状としているため、その凸部
２４ａの磁化容易軸を容易にトラック幅方向に向けるこ
とができる。このように、上側磁気コア２４の先端部の
誘導磁気異方性をトラック幅方向に向けることによっ
て、高周波透磁率を向上させることができる。図３は、
凸状形状の磁性体層における凸部の幅および直方体形状
の磁性体層の幅（いずれも幅Ｗ）と高周波初透磁率との
関係を示したものである。なお、高周波初透磁率は 20M
Hzにおいてμカー効果を用いて測定した値である。図３
から明らかなように、磁性体層の幅を狭くするほど、凸
状形状による高周波透磁率の向上効果が大きいことが分
かる。

【００３５】さらに、上記構成の誘導型薄膜磁気ヘッド
２２では、上述したように下側磁気コアを兼ねる上側シ
ールド層２０の媒体対向面形状も、上側再生磁気ギャッ
プ層１８に向けて凸状に形成されている。このため、上
側シールド層２０の記録磁気ギャップ層２３に対向する
面の幅に対し、上側磁気コア２４の凸部２４ａの幅を狭
く設定することが極めて容易である。従って、上側磁気
コア２４の凸部２４ａの幅で記録トラック幅Ｔ_w を正確
に規定できる。

【００３６】なお、上記構成の誘導型薄膜磁気ヘッド２
２と、従来構造の誘導型薄膜磁気ヘッドを用いて、磁気
記録媒体への記録を行い、それぞれの記録効率を測定し
たところ、上記実施例の誘導型薄膜磁気ヘッド２２は 5
0MHzにおいて約 1.5倍の記録効率を有していた。なお、
磁気コアはいずれもCoZrNbを用い、トラック幅は〜 1μ
m 、ギャップ長は 0.2μm とし、浮上量は0.05μm であ
った。

【００３７】さらに、上記構成の誘導型薄膜磁気ヘッド
２２において、上側磁気コア２４の凸部２４ａの幅によ
り規定される記録トラック幅Ｔ_w は、シールド型ＭＲヘ
ッド２１の再生トラック幅、すなわちＭＲ膜１４の磁界
応答部１４ａの幅Ｔ_r より広く、かつシールド型ＭＲヘ
ッド２１の上側シールド層２０のＭＲ膜対向面の幅Ｗ_s
より狭く設定されている。このように、本発明の録再分
離型磁気ヘッドにおいては、Ｔ_r ＜Ｔ_w ＜Ｗ_s に設定す
ることが好ましい。これにより、高密度記録の再生時に
良好なオフトラック特性を安定して得ることが可能とな
る。

【００３８】次に、上記構成の録再分離型磁気ヘッドの
製造工程を、図４および図５を参照して説明する。

【００３９】まず、基板上に厚さ 1.5μm 程度の下側シ
ールド層１２と厚さ 0.2μm 程度の下側磁気ギャップ層
１３をスパッタリング法等により形成する。さらに、Ｍ
Ｒ膜１４を真空蒸着法等により形成した後、イオンミリ
ング等によりＭＲ膜１４を略短冊状にパターニングす
る。次いで、ＭＲ膜１４上に一対の磁化固着膜１５とリ
−ド１６を、例えばリフトオフ法により順に所望の形状
に形成してＭＲ素子１７とする（図４ａ）。さらに、厚
さ 0.2μm 程度の上側磁気ギャップ層１８と厚さ0.5μm
程度の SiO₂ 等からなる絶縁層１９を順にスパッタリ
ング法等によって形成する（図４ｂ）。

【００４０】次に、絶縁層１９上にレジストマスク（図
示せず）を形成した後、CF₄ 等のエッチングガスにより
絶縁層１９をエッチングして、図４ｃに示すように、上
側シールド層２０のＭＲ膜対向面の形成部となるトレン
チ１９ａを形成する。ここで、上側シールド層２０のＭ
Ｒ膜対向面の幅Ｗ_s を決定するトレンチ１９ａの幅は、
リード１６間距離Ｗ_r より狭くなるように設定する。上
記トレンチ１９ａの深さは、量産性を考慮した場合 0.5
〜 1.0μm 程度とすることが好ましい。またトレンチ１
９ａは、エッチング条件を制御することにより、側壁を
若干テーパー状に加工することもできるし、また垂直と
することもできる。

【００４１】次いで、上記トレンチ１９ａ内にスパッタ
リング法等により上側シールド層２０となる磁性体の一
部を埋め込み、さらに引続いて磁性体を被着させて、厚
さ 2μm 程度の下側磁気コアを兼ねる上側シールド層２
０を形成する（図４ｄ）。この際、トレンチ１９ａ内
は、コリメーションスパッタにより埋め込むことが好ま
しい。この後、上側シールド層２０の表面をポリシング
バックやエッチバック等により平坦化する（図４ｅ）。
なお、この上側シールド層２０の平坦化工程は、後述す
るように省くこともできる。

【００４２】次に、平坦化した上側シールド層２０上
に、厚さ 0.3μm 程度の記録磁気ギャップ層２３と絶縁
層２５を順にスパッタリング法等により形成する。この
後、絶縁層２５の図２に示した前部ギャップと後部ギャ
ップに相当する部分に、リアクティブイオンエッチング
によりトレンチ（２５ａ等）を形成する。さらに、絶縁
層２５上にコイル（図示せず）をメッキ法等により形成
した後、絶縁層（図示せず）を前部ギャップと後部ギャ
ップを除いて形成し、コイルを絶縁層内に埋め込む。そ
して、前部ギャップと後部ギャップに相当するトレンチ
内に、スパッタリング法等により上側磁気コア２４とな
る磁性体を埋め込みつつ所望の厚さに堆積させる（図５
ａ）。トレンチ内への磁性体の埋め込みには、コリメー
ションスパッタを適用することが好ましい。ここで、記
録トラック幅Ｔ_w を決定するトレンチ２５ａの幅は、前
述したように、Ｗ_s ＞Ｔ_w ＞Ｔ_r となるように設定す
る。

【００４３】この後、堆積された上記磁性体層をトレン
チ２５ａより幅広の所望形状にパターニングして、上側
磁気コア２４を形成する（図５ｂ）。上側磁気コア２４
の先端部は、上側磁気コア２４の厚さより浅いトレンチ
２５ａ内に磁性体を埋め込みつつ所定厚に形成した後、
トレンチ２５ａの幅より幅広にパターニングされてお
り、これにより記録磁気ギャップ層２３に向けて凸状と
されている。この後、電極を取り出し、保護膜等を形成
した後、スライダー加工やサスペンション等の取付けを
行って、録再分離型磁気ヘッド２９が完成する。

【００４４】上述した録再分離型磁気ヘッド２９の製造
工程においては、シールド型ＭＲヘッド２１の上側シー
ルド層２０を、トレンチ１９ａ内に一部磁性体を埋め込
んで形成しているため、例えば 0.1μm 以下というよう
な薄い上側再生磁気ギャップ層１８上に上側シールド層
２０を安定して作製することが可能となる。これに対し
て、例えば従来のミリング工程により作製すると、厚さ
0.1μm 以下というような上側再生磁気ギャップ層１８
ではオーバーエッチされ、リード１６の損傷を伴うおそ
れが高く、上述したような構造を安定して作製すること
はできない。また、上記したように、トレンチ２５ａ内
に磁性体を埋め込むと共に、トレンチ２５ａの幅より幅
広にパターニングすることによって、上側磁気コア２４
を作製しているため、上側磁気コア２４の凸部を安定し
て作製することができる。従って、狭トラックで狭ギャ
ップの誘導型薄膜磁気ヘッド２２を高寸法精度の下で形
成することができ、かつ量産性を満足させることもでき
る。

【００４５】ところで、上述した実施例の録再分離型磁
気ヘッド２９では、再生トラック幅に相当するＴ_r と記
録トラック幅Ｔ_w と上側シールド層２０のＭＲ膜対向面
の幅Ｗ_s とを、Ｔ_r ＜Ｔ_w ＜Ｗ_s に設定している。この
ような条件を満足していれば、例えば図６に示すよう
に、シールド型ＭＲヘッド２１の上側シールド層２０表
面の平坦化工程を省いてもよい。すなわち、上側シール
ド層２０表面の平坦化工程を省いても、Ｔ_w ＜Ｗ_s を満
足させれば実質的な記録トラック幅全域にわたっての記
録磁気ギャップの直線性を保つことができ、またＴ_r ＜
Ｔ_w を満足させることにより、再生時のオフトラック特
性を良好に保つことができる。上記製造工程において
は、段差の比較的小さい状態で、しかも微細加工に適し
た SiO₂ 等からなる絶縁層２５のリアクティブイオンエ
ッチングにより、記録トラック幅Ｔ_wを規定しているた
め、記録トラック幅 1μm 以下でも 3σが± 0.1μm 以
下の精度で加工することができた。

【００４６】次に、本発明の第２の実施例について、図
７を参照して説明する。この実施例の録再分離型磁気ヘ
ッド２９、特に誘導型薄膜磁気ヘッド２２は、絶縁層２
５に形成したトレンチ２５ａ内を、磁性体層３０、記録
磁気ギャップ層２３および上側磁気コア２４の 3層構造
としている。すなわち、図４および図５に示した録再分
離型磁気ヘッドの製造工程において、記録磁気ギャップ
層２３を形成する前に絶縁層２５を形成し、次いで前部
ギャップと後部ギャップに相当するトレンチ（２５ａ
等）を形成する。これらトレンチ（２５ａ等）内に、ま
ず下側磁気コアを兼ねる上側シールド層２０の一部とな
る磁性体層３０を埋め込み形成し、続いて記録磁気ギャ
ップ層２３を形成する（図７ａ）。この後、トレンチ
（２５ａ等）の残余部分にスパッタリング法等により磁
性体を埋め込みつつ所望の厚さに堆積させ、さらに磁性
体層を所望形状にパターニングして、上側磁気コア２４
を形成する（図７ｂ）。

【００４７】上述したように、下側磁気コアを兼ねる上
側シールド層２０および上側磁気コア２４双方の記録磁
気ギャップ対向部をトレンチ２５ａ内に配置し、上下の
磁気コアの媒体対向面の幅をほぼ同一とすることによっ
て、記録フリンジングを小さくすることができ、高トラ
ック密度化に対して有利となる。

【００４８】図８および図９は、本発明の第３の実施例
による録再分離型磁気ヘッドの構造を示す図である。こ
れらの図に示すような構造とすることによっても、上記
第２の実施例の誘導型薄膜磁気ヘッド２２と同様に、高
トラック密度化に有利な録再分離型磁気ヘッド２９を得
ることができる。

【００４９】すなわち、図１０に示すように、まず図４
および図５に示した録再分離型磁気ヘッドの製造工程に
おいて、下側磁気コアを兼ねる上側シールド層２０とな
る磁性体層を形成した後、その表面にイオンミリング等
により凸部２０ａを形成する（図１０ａ）。次いで、凸
部２０ａを有する上側シールド層２０上に、記録磁気ギ
ャップ層２３と絶縁層２５を順にスパッタリング法等に
より形成する（図１０ｂ）。次に、上側シールド層２０
の凸部２０ａの位置、すなわち前部ギャップに相当する
部分と、後部ギャップ２３ｂに相当する部分に、絶縁層
２５にトレンチ（２５ａ等）を形成する（図１０ｃ）。
この後、前述した実施例と同様に、コイルおよび絶縁層
の形成や上側磁気コアの形成およびパターニング等を施
すことによって、図８および図９に示した録再分離型磁
気ヘッド２９、特に誘導型薄膜磁気ヘッド２２が得られ
る。

【００５０】次に、本発明の第４の実施例について、図
１１を参照して説明する。

【００５１】図１１に示す録再分離型磁気ヘッド３１に
おいては、下側シールド層１２および下側磁気コアを兼
ねる上側シールド層２０がトレンチ３２ａ、３３ａ内に
完全に埋め込み形成されている。すなわち、絶縁層３
２、３３を下側シールド層１２および下側磁気コアを兼
ねる上側シールド層２０と少なくとも同厚に形成する。
これら絶縁層３２、３３にそれぞれトレンチ３２ａ、３
３ａを形成し、これらトレンチ３２ａ、３３ａ内に磁性
体を埋め込み形成した後、それらの表面を平坦化するこ
とによって、下側シールド層１２および下側磁気コアを
兼ねる上側シールド層２０をそれぞれ形成している。

【００５２】この実施例の録再分離型磁気ヘッド３１
は、上記構成以外については前述した実施例と同様に、
上側シールド層２０のＭＲ膜対向面の幅Ｗ_s をリード１
６間距離Ｗ_r より狭く設定し、かつ上側シールド層２０
のＭＲ膜対向面の端部より少なくとも両脇外側に位置す
るＭＲ膜１４の磁化は磁化固着膜１５により固着してい
る。また、ＭＲ膜１４の磁界応答部１４ａの幅（実質的
な再生トラック幅）Ｔ_rは、上側シールド層２０の磁気
抵抗効果膜対向面の幅Ｗ_s より狭く設定している。な
お、上側磁気コア２４に関しては、前述した実施例と同
様に、記録磁気ギャップ層２３に対して凸状としてもよ
い。

【００５３】上記実施例の録再分離型磁気ヘッド３１に
よっても、前述した実施例と同様に、再生磁気ギャップ
の狭ギャップ化および狭トラック化を達成することがで
きる。さらに、記録磁気ギャップの直線性を保つこと
で、再生時に良好なオフトラック特性を得ることができ
る。

【００５４】なお、上述した各実施例は、ＭＲ膜の磁化
固着を磁化固着膜により行った例であるが、例えば磁化
固着が必要な部分の組成を変化させる等によって、ＭＲ
膜の磁化固着を行うこともできる。

【００５５】次に、本発明の第５の実施例について、図
１２および図１３を参照して説明する。

【００５６】図１２は、この実施例のＭＲヘッドの構造
を部分的に示す斜視図であり、図１３は媒体対向面から
見た正面図である。基板４１上には、前述した各実施例
と同様に、下側シールド層４２と下側再生磁気ギャップ
層４３とが順に形成されている。下側再生磁気ギャップ
層４３上には、ＭＲ膜４４として、第１の磁性膜（例え
ばCo₉₀Fe₁₀膜）４５／非磁性膜（例えばCu膜）４６／第
２の磁性膜（例えばCo₉₀Fe₁₀膜）４７の 3層積層構造を
有するスピンバルブ膜が形成されている。

【００５７】なお、上側の第２の磁性膜４７は、図示を
省略したFeMn膜や NiO膜等からなる反強磁性膜やCoPt膜
等からなる硬質強磁性膜等により磁化固着されており、
下側の第１の磁性膜４５のみが外部磁界（信号磁界）に
より磁化方向が変化する。従って、非磁性膜４６を挟ん
で配置された 2つの磁性膜４５、４７の磁化方向の相対
的な角度が変化して磁気抵抗効果が得られる。

【００５８】ＭＲ膜（スピンバルブ膜）４４における下
側の第１の磁性膜４５は、媒体対向面方向に突出形成さ
れた突出部４５ａを有し、この突出部４５ａを除いて媒
体対向面からリセスしている。すなわち、突出部４５ａ
の先端面のみが媒体対向面を形成している。非磁性膜４
６と第２の磁性膜４７は、第１の磁性層４５の突出部４
５ａを除く部分の上に積層形成されており、第１の磁性
層４５の突出部４５ａを除く部分と同様に、媒体対向面
からリセスしている。

【００５９】一対のリード４８は、媒体対向面からリセ
スした第２の磁性膜４７上にそれぞれ形成されており、
これらによってＭＲ素子４９が構成されている。すなわ
ち、ＭＲ素子４９は、第１の磁性膜４５の突出部４５ａ
を除いて、媒体対向面からリセスしているため、第１の
磁性膜４５の突出部４５ａのみが外部磁界（信号磁界）
に応答する。よって、第１の磁性膜４５の突出部４５ａ
が磁界応答部となり、磁界応答部の幅Ｔ_r は突出部４５
ａの幅となる。

【００６０】ＭＲ素子４９上には、上側再生磁気ギャッ
プ層５０と、リード４８および上側シールド層５２間の
絶縁耐圧を確保する絶縁層５１が形成されている。絶縁
層５１は、前述した各実施例と同様に、リード４８上面
を覆うように形成されている。上側シールド層５２は、
絶縁層５１に形成されたトレンチ５１ａ内にその一部が
埋め込み形成されている。これらにより、再生ヘッドと
して機能するシールド型ＭＲヘッド５３が構成されてい
る。

【００６１】上側シールド層５２のＭＲ膜対向面の幅Ｗ
_s は、前述した各実施例と同様に、絶縁層５１に形成さ
れたトレンチ５１ａの幅により規定されており、このＭ
Ｒ膜対向面の幅Ｗ_s がリード４８間距離Ｗ_r より狭くな
るように、トレンチ５１ａの形状が設定されている。す
なわち、一対のリード４８は、上側シールド層５２のＭ
Ｒ膜対向面の端部より両脇外側に配置されている。ま
た、第１の磁性膜４５は、磁界応答部の幅（突出部４５
ａの幅）Ｔ_r がリード４８間距離Ｗ_r より、さらには上
側シールド層５２のＭＲ膜対向面の幅Ｗ_s より狭くなる
ように、パターニングされている。

【００６２】上記構成のシールド型ＭＲヘッド５３にお
いては、上側シールド層５２のＭＲ膜対向面の幅Ｗ_s を
リード４８間距離Ｗ_r より狭く設定し、一対のリード４
８をＭＲ膜対向面の端部より両脇外側に配置している。
これにより、リード４８と上側シールド層５２間の絶縁
耐圧を確保する絶縁層５１を形成しても、絶縁層５１お
よびリード４８の厚さが、上側シールド層５２のＭＲ膜
対向面の下地に対して及ぼす影響を排除することが可能
となるため、前述した各実施例と同様に、上側シールド
層５２のＭＲ膜対向面の下地を飛躍的に平坦化すること
もできる。よって、絶縁層５１を形成することでリード
４８と上側シールド層５２間の絶縁耐圧を確保した上
で、ＭＲ膜（スピンバルブ膜）４４の磁界応答部では、
ＭＲ膜（スピンバルブ膜）４４と上側シールド層５２間
を薄い上側再生磁気ギャップ層５０で絶縁することがで
きる。このことは、例えば 0.1μm 以下というような狭
ギャップ化が達成できることを意味する。

【００６３】さらに、磁界応答部を第１の磁性膜４５の
突出部４５ａにより構成して、ＭＲ膜４４の他の部分は
媒体対向面からリセスさせ、かつ磁界応答部の幅Ｔ_r を
リード４８間距離Ｗ_r より、さらには上側シールド層５
２のＭＲ膜対向面の幅Ｗ_s より狭く設定している。従っ
て、上側シールド層５２のＭＲ膜対向面の幅Ｗ_s をリー
ド４８間距離Ｗ_r より狭く設定した上で、上側シールド
層５２の幅がその厚さ方向全域にわたってＷ_s であって
も、隣接トラックやモータ等からの漏洩磁束によるノイ
ズ発生等を防止することができ、結果的に再生特性の劣
化等を招くことなく、狭トラック化を実現することがで
きる。

【００６４】またここで、磁界応答部の幅Ｔ_r が 2μm
、リード間距離Ｗ_r が 5μm のときの磁界応答部とな
る突出部４５ａの突出長さＬとバルクハウゼンノイズの
発生確率との関係を調べた結果を図１４に示す。なおこ
の際、厚さ40nmのCoPt膜をリード４８の真下の位置に配
置して、第１の磁性膜４５の単磁区化を行った。図１４
から分かるように、Ｌを 1.0μm 以下とすればほぼバル
クハウゼンノイズを除去することができる。また、図１
２に示されるように、リード４８もリセスさせる場合、
ステッパのアライメント精度は± 0.1μm 程度であるた
め、Ｌを 0.1μm以上とすれば原理的にはリード４８を
完全に媒体対向面からリセスさせることができる。実際
は研磨工程の誤差が± 0.2μm 程度あるため、Ｌは0.23
μm （=(0.1)² +(0.2)² ｝^0.5 ）程度以上とすることが
好ましい。すなわち、Ｌは0.1〜 1.0μm の範囲とする
ことが好ましく、実用的には0.23〜 1.0μm の範囲とす
ることが望ましい。さらに、Ｌはリード４８部分におけ
るＭＲ膜（スピンバルブ膜）４４と上側シールド層５２
間の距離以上程度あれば、これによりｚ方向の外乱磁界
によるノイズを防止することができるのでより好まし
い。

【００６５】このような第１の磁性膜４５の突出部４５
ａの形状は、媒体対向面を形成する先端面の幅より媒体
対向面からリセスした部分との接続部の幅を広く設定す
ることが好ましい。これによって、磁界応答部の磁化が
トラック幅方向に向きやすくなると共に、磁壁移動に伴
うバルクハウゼンノイズの発生を抑制することができ
る。

【００６６】また、上述したようにリード４８も媒体対
向面からリセスさせることにより、媒体対向面でのリー
ドだれがなくなるため、ＭＲ膜４４と上側シールド層５
２間のショートを一般に防止することが可能である。さ
らに、耐食性に劣るリード４８や第２の磁性膜４７の磁
化固着のための反強磁性膜等を媒体対向面からリセスさ
せることにより、耐食性の向上すなわち信頼性の向上を
図ることができる。

【００６７】さらに、図１５に示すように、リード４８
および上側シールド層５２間の絶縁耐圧を確保する絶縁
層５１を、リード４８のみを覆うように形成してもよ
い。すなわち、上側シールド層５２を略Ｍ字形に形成し
てもよい。このようにすることによって、隣接トラック
の磁界をほぼ完全にシールドすることができるため、よ
り一層ノイズの発生等を防止することが可能となる。

【００６８】第５の実施例のＭＲヘッド５３は、前述し
た各実施例のＭＲヘッドと同様にして作製することがで
きる。

【００６９】例えば、基板４１上に下側シールド層４２
と下側磁気ギャップ層４３をスパッタリング法等により
形成する。さらに、スピンバルブ膜を構成する第１の磁
性膜４５、非磁性膜４６および第２の磁性膜４７、さら
に反強磁性膜等を順に真空蒸着法等により形成する。な
お、この際にスピンバルブ膜上に貴金属膜等を保護膜と
して形成することも有効である。

【００７０】次に、非磁性膜４６までをイオンミリング
等により媒体対向面からリセスさせた部分に応じた形状
にパターニングする。次いで、上記パターニングの際と
同様の部分と第１の磁性膜４５の突出部４５ａに相当す
る部分の上にレジストマスクを形成し、第１の磁性膜４
５の不要部分を除去して突出部４５ａを形成する。この
後、前述した各実施例と同様に、リード４８、上側再生
磁気ギャップ層５０および絶縁層５１の形成、トレンチ
５１ａの形成、上側シールド層５２の形成等を順次行
う。

【００７１】次に、本発明の第６の実施例について、図
１６を参照して説明する。

【００７２】上記第５の実施例においては、ＭＲ膜４４
となるスピンバルブ膜中の第１の磁性膜４５の一部を突
出させることにより磁界応答部を形成したが、突出部か
らなる磁界応答部はこれに限らない。図１６に示すシー
ルド型ＭＲヘッド５４においては、スピンバルブ膜中の
外部磁界（信号磁界）により磁化方向が変化する第１の
磁性膜４５と接して軟磁性膜５５を設けてＭＲ膜４４を
形成している。軟磁性膜５５は、第１の磁性膜４５と磁
気的に交換結合されており、さらに媒体対向面方向に突
出形成された突出部５５ａを有している。この突出部５
５ａを除いて、ＭＲ素子４９は媒体対向面からリセスし
ている。この実施例では、軟磁性膜５５の突出部５５ａ
が磁界応答部となる。これら以外の構成については、第
５の実施例と同一構造とされている。

【００７３】このように、スピンバルブ膜の第１の磁性
膜４５と磁気的に交換結合された軟磁性膜５５の突出部
５５ａにより磁界応答部を構成した場合も、第５の実施
例と同様な効果が得られる。軟磁性膜５５の突出部５５
ａは、第５の実施例における第１の磁性膜４５の突出部
４５ａと同様な形状とすることが好ましい。

【００７４】また、軟磁性膜５５は、第１の磁性膜４５
より高い抵抗を有する軟磁性体により形成することが好
ましい。具体的には、軟磁性膜５５は 100μΩcm以上の
比抵抗を有することが好ましく、これにより軟磁性膜５
５への電流の分流を抑制することができる。軟磁性膜５
５の構成材料としては、NiFe合金、NiFeCo合金、これら
磁性合金にTi、 V、Cr、Mn、Zn、Nb、Mo、Tc、Hf、Ta、
W、Re等の添加元素を添加して高抵抗化した合金、Coに
同様な添加元素を添加してアモルファス化あるいは微結
晶化した合金等が好ましい。アモルファス化されたアモ
ルファス磁性合金や微結晶磁性合金は、一般に高い抵抗
を有する。

【００７５】軟磁性膜５５の厚さは、例えば 5〜50nm程
度とすることが好ましい。何となれば、軟磁性膜５５の
厚さが 5nm未満であると、信号磁界に対する応答性が低
下する傾向にある。一方、軟磁性膜５５の厚さが50nmを
超えると、たとえ高抵抗膜を使用しても、軟磁性膜５５
への電流の分流が起こり、感度の低下を招くおそれがあ
る。

【００７６】さらに、軟磁性膜５５は、図１６に示した
ように、スピンバルブ膜より大面積とすることによっ
て、スピンバルブ膜を単磁区化するための反強磁性膜や
硬質磁性膜と接した構造を容易に形成することができ
る。

【００７７】なお、第５および第６の実施例では、ＭＲ
膜としてスピンバルブ膜を用いた例について説明した
が、これに限らず異方性磁気抵抗効果膜や人工格子膜を
用いることも可能である。ただし、突出部からなる磁界
応答部を用いる場合、センス電流が突出部で湾曲するた
め、抵抗値がセンス電流と膜の磁化との成す角に依存し
ないスピンバルブ膜または人工格子膜を用いることが特
に好ましい。

【００７８】また、第５および第６の実施例では、ＭＲ
ヘッドのみについて説明したが、第５および第６の実施
例のＭＲヘッド上に第１〜第４の実施例と同様な誘導型
薄膜磁気ヘッドを作製することができ、同様に録再分離
型磁気ヘッドとして使用することができる。そして、第
５および第６の実施例のＭＲヘッドを用いた録再分離型
磁気ヘッドも、第１〜第４の実施例と同様に、高記録密
度システムへの対応を図った上で、記録・再生特性の向
上を図ることが可能となる。

【００７９】上述した各実施例のように、下側シールド
層や下側磁気コアを兼ねる上側シールド層等の磁性体層
の少なくとも一部をトレンチ内に埋め込み形成する場合
には、トレンチ形状を多段形状とし、多段のテーパ状断
面を有する磁性体層とすることが好ましい。これにより
巣等の発生を招くことなく、健全な磁性体層を再現性よ
く形成することが可能となる。以下に、このような多段
のテーパ状断面を有する磁性体層の作製方法について述
べる。なお、以下に示す例はいずれも完全埋め込み型の
場合であるが、磁性体層の一部を埋め込み形成する場合
も同様である。例えば、図１７に示すように、トレンチ
形成用の SiO₂ 等からなる絶縁層６１上にレジスト６２
を形成（図１７ａ）し、CF₄ ガス等を用いて絶縁層６１
をケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）する（図１７
ｂ）。このＣＤＥは絶縁層６１の途中までとし、続いて
リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を行って、ト
レンチ６１ａを完成させる（図１７ｃ）。このように、
ＣＤＥとＲＩＥを併用することによって、 2段構造のテ
ーパー状トレンチ６１ａを形成することができる。次
に、レジスト６２を除去した（図１７ｄ）後、トレンチ
６１ａ内にCoZrNb等の磁性体６３をスパッタリング法等
により埋め込む（図１７ｅ）。この際、スパッタ時に
0.1W/cm² 程度のバイアスを付加すれば、図１７ｅに示
すように、磁性体６３にテーパー６３ａを付与すること
ができる。この後、磁性体６３表面を平坦化することに
よって、トレンチ６１ａ内に完全に埋め込まれた 2段テ
ーパー状断面を有する磁性体層６４が得られる。

【００８０】上記作製工程においては、 2段構造のテー
パー状トレンチ６１ａに磁性体６３を埋め込んでいるた
め、巣等を発生させることなく、健全な磁性体層６４を
得ることができる。また、この際にコリメーションスパ
ッタリングを用いれば、さらに磁性体６３の埋め込み状
態を良好にすることができる。さらに、 2段構造のテー
パー状トレンチ６１ａを用いていることから、例えば誘
導型薄膜磁気ヘッドの上側磁気コアに適した凸状断面を
有する磁性体層６４を形成することができる。図１８
は、他の埋め込み工程例を示すものであり、上記作製例
と同様に、 SiO₂ 等からなる絶縁層６１上にレジスト６
２を形成した後、 CHF₃ ガス等を用いると共に基板を27
3K程度に冷やしてＲＩＥを行い、絶縁層６１を途中まで
エッチングする。この際、基板を273K程度に冷やすこと
によって、側壁に堆積物６５を形成することでテーパを
付与した（図１８ａ）。続けて、CF₄ ガス等によりＲＩ
Ｅを行い、今度は垂直にエッチングし、 2段構造のテー
パー状トレンチ６１ａを形成する（図１８ｂ）。

【００８１】次に、レジスト６２を除去した（図１８
ｃ）後、トレンチ６１ａ内にCoZrNb等の磁性体６３をス
パッタリング法等により埋め込む（図１８ｄ）。この
後、磁性体６３表面を平坦化することによって、トレン
チ６１ａ内に完全に埋め込まれた2段テーパ状断面を有
する磁性体層６４が得られる（図１８ｅ）。

【００８２】このような磁性体層６４の作製工程におい
ても、巣等を発生させることなく、健全な磁性体層６４
を埋め込み形成することができる。また、絶縁層６１と
してエッチング特性が異なる 2種類の材料、例えば SiO
₂ とSiの積層膜をこの順に形成すれば、例えば図１８ｂ
もしくは図１８ｃに示した工程の一つを省略しても、同
様な 2段テーパ断面を有する磁性体層６４を得ることが
できる。

【００８３】また、図１９はさらに他の埋め込み工程例
を示すものであり、上述した作製例と同様に、 SiO₂ 等
からなる絶縁層６１上にレジスト６２を形成した後、CF
₄ ガス等によりＲＩＥを行って、絶縁層６１を途中まで
垂直にエッチングする（図１９ａ）。続いて、 CHF₃ ガ
ス等を用いると共に基板を 0℃程度に冷やしてＲＩＥを
行い、側壁に堆積物６５を形成することで、テーパ状に
エッチングして、 2段構造のテーパ状トレンチ６１ａを
形成する（図１９ｂ）。

【００８４】次に、レジスト６２を除去した（図１９
ｃ）後、トレンチ６１ａ内にCoZrNb等の磁性体６３をス
パッタリング法等により埋め込む（図１９ｄ）。この
後、磁性体６３表面を平坦化することによって、トレン
チ６１ａ内に完全に埋め込まれた2段テーパ状断面を有
する磁性体層６４が得られる（図１９ｅ）。

【００８５】このような磁性体層６４の作製工程におい
ても、巣等を発生させることなく、健全な磁性体層６４
を埋め込み形成することができる。また、絶縁層６１と
してエッチング特性が異なる 2種類の材料、例えば SiO
₂ とSiの積層膜をこの順に形成すれば、例えば図１９ｂ
もしくは図１９ｃに示した工程の一つを省略しても、同
様な 2段テーパー断面を有する磁性体層６４を得ること
ができる。

【００８６】上述したような 2段テーパ状断面を有する
磁性体層６４において、例えば図１８に示した作製工程
では、図２０に示すように上側のテーパ角φを 0度＜φ
＜80度の範囲とすることにより、巣の防止効果が得られ
る。また、図１９に示した作製工程では、図２１に示す
ように下側のテーパ角φを20度＜φ＜80度の範囲とする
ことにより、巣の防止効果が得られる。さらに、図２２
に示すような 3段テーパ状断面を有する磁性体層６６で
は、下側のテーパ角φを20度＜φ＜88度の範囲とし、中
間のテーパ角θと上側テーパ角ψをφ＜θかつψ＜θを
満足させることにより、巣の防止効果が得られる。ま
た、ここでψ＜φとすれば一段と巣の防止効果が向上す
る。

【００８７】次に、本発明の第７の実施例について、図
２３を参照して説明する。

【００８８】図２３は、本発明の一実施例による磁気抵
抗効果型ヘッドの構成を示す一部断面斜視図である。基
板７１上に形成されたAl₂ O ₃ 等からなる絶縁膜７２上
には、 SiO₂ 等からなるトレンチ形成用の絶縁層７３が
形成されている。この絶縁層７３に設けられたトレンチ
７３ａ内には、NiFe合金やCo基アモルファス合金等の軟
磁性材料からなる下側シールド層７４が埋め込み形成さ
れている。

【００８９】下側シールド層７４上には、Al₂ O ₃ 等の
絶縁膜からなる下側再生磁気ギャップ層７５を介して、
Ni₈₀Fe₂₀等からなる異方性磁気抵抗効果膜やCo₉₀Fe₁₀／
Cu／Co₉₀Fe₁₀積層膜等からなるスピンバルブ膜、さらに
は人工格子膜等の磁気抵抗効果膜７６が形成されてい
る。この磁気抵抗効果膜７６は、所定形状にパターニン
グされていると共に、その両端にはCu等からなる一対の
リ−ド７７が接続形成されている。これらにより、ＭＲ
素子７８が構成されている。

【００９０】ＭＲ素子７８上には、Al₂ O ₃ 等の絶縁膜
からなる上側再生磁気ギャップ層７９が形成されてお
り、さらにその上には C等からなるエッチングストッパ
層８０を介して、 SiO₂ 等からなるトレンチ形成用の絶
縁層８１が形成されている。絶縁層８１に形成されたト
レンチ８１ａ内には、上側シールド層８２が埋め込み形
成されている。これらにより、再生ヘッドとして機能す
るシールド型ＭＲヘッド８３が構成されている。

【００９１】次に、上記構造のＭＲヘッドの製造工程に
ついて、図２４および図２５を参照して述べる。

【００９２】まず、基板７１上に厚さ10μm 程度のAl₂
O ₃ 等からなる絶縁膜７２と厚さ 2μm 程度の SiO₂ 等
からなるトレンチ形成用の絶縁層７３とを順に形成す
る。次いで、トレンチ形成用の絶縁層７３上にレジスト
マスク（図示せず）を形成した後、CF₄ 等のエッチング
ガスにより絶縁層７３をエッチングして、図２４ａに示
すように、下側シールド層７４の形成部にあたるトレン
チ７３ａを形成する。この際、エッチング条件を適当に
選択することによって、トレンチ７３ａの側壁を若干テ
ーパー状に加工することもできるし、また垂直とするこ
ともできる。

【００９３】次に、上記トレンチ７３ａ内に、スパッタ
リング法等により下側シールド層７４となるアモルファ
ス軟磁性合金７４ａ等を埋め込んだ後（図２４ｂ）、ポ
リシング等により不要部分を取り除いて、下側シールド
層７４を形成する（図２４ｃ）。この際、前工程である
エッチング工程で、トレンチ７３ａの側壁にテーパーを
付与しておくことにより、埋め込み型の下側シールド層
７４のエッジ部分での磁気特性を容易に制御することが
できる。また、磁性材料の埋め込み形成は、特にコリメ
ーションスパッタによって行うことが好ましい。

【００９４】次いで、下側シールド層７４上に、厚さ
0.1μm 程度のAl₂ O ₃ 等の絶縁膜からなる下側再生磁
気ギャップ層７５と、異方性磁気抵抗効果膜やスピンバ
ルブ膜等からなる磁気抵抗効果膜７６を順に形成する。
この磁気抵抗効果膜７６を所定形状にパターニングした
後、その両端にCu等からなる一対のリ−ド７７を、例え
ばリフトオフ法により形成してＭＲ素子７８とする（図
２５ａ）。

【００９５】続いて、ＭＲ素子７８を厚さ 0.1μm 程度
のAl₂ O ₃ 等の絶縁膜からなる上側再生磁気ギャップ層
７９で覆った後、厚さ0.05μm 程度の C等からなるエッ
チングストッパ層８０を形成し、さらに厚さ 2μm 程度
の SiO₂ 等からなるトレンチ形成用の絶縁層８１を形成
する。このトレンチ形成用の絶縁層８１を下側シールド
層７４の形成工程と同様にエッチングして、トレンチ８
１ａを形成する。さらに、 O₂ によるＣＤＥやＲＩＥに
よって、トレンチ８１ａ底部のエッチングストッパ層８
０を除去する。この後、トレンチ８１ａ内に、下側シー
ルド層７４の形成工程と同様にアモルファス軟磁性合金
等を埋め込んだ後、ポリシング等により不要部分を取り
除いて、上側シールド層８２を形成する（図２５ｂ）。
このようにして、この実施例のシールド型ＭＲヘッド８
３が得られる。

【００９６】上記構造のシールド型ＭＲヘッド８３にお
いては、絶縁層７３に設けたトレンチ７３ａ内に軟磁性
材料を埋め込んだ後、ポリシング等で不要部分を除去し
て、下側シールド層７４を形成しているため、その上面
を絶縁層７３の上面を含めて実質的に平滑な面とするこ
とができる。そして、このような平滑な面上に、下側再
生磁気ギャップ層７５を介してＭＲ素子７８を形成して
いるため、下側シールド層７４の幅が 2μm 程度で、ト
ラック幅すなわち磁気抵抗効果膜７６のストライプ（残
し）パターンの幅が 1μm 程度であったとしても、パタ
ーン変格差を例えば 0.1μm 以下とすることができる。

【００９７】また、ＭＲ素子７８の下地面、すなわち絶
縁層７３の上面を含む下側シールド層７４の上面は、例
えばＲ_max で 3nm以下というような平滑な面とすること
ができるため、例えば厚さ10〜20nm程度のNi₈₀Fe₂₀から
なる磁気抵抗効果膜７６の比抵抗を20μΩ・cm程度とす
ることができ、抵抗変化率を増加させることができる。
例えば、上記第７の実施例の構造において、Ni₈₀Fe₂₀か
らなる磁気抵抗効果膜７６を用いた場合には、従来のシ
ールド型ＭＲヘッドでは抵抗変化率が2%程度であったの
に対し、抵抗変化率が3.5%程度まで増加した。

【００９８】上述したように、この実施例のシールド型
ＭＲヘッドによれば、シールド層の幅を狭くした場合に
おいても、狭トラック加工を正確にかつ容易に行うこと
ができる。さらに、良好な抵抗変化率を得ることができ
るため、再生出力の安定化と効率アップが図れる。この
ような効果は、シールド層の幅が 5μm 以下で、かつト
ラック幅が 4μm 以下の場合に特に顕著に得られる。

【００９９】上述したようなシールド型ＭＲヘッドから
なる再生ヘッド上に誘導型薄膜磁気ヘッドからなる記録
ヘッドを形成して録再分離型磁気ヘッドを構成する場合
には、図２６に示すように、記録ヘッドの下側磁気コア
を兼ねる上側シールド層８２上に、Al₂ O ₃ 等の記録磁
気ギャップ層８４を介して、上側磁気コア８５を通常の
方法で形成する。なお、図中８６はAl₂ O ₃ 等からなる
保護膜である。また、図２６では記録コイル等の図示は
省略した。

【０１００】上記構成の録再分離型磁気ヘッドにおいて
は、記録ヘッドの下側磁気コアを兼ねる上側シールド層
８２を、絶縁層８１に設けたトレンチ８１ａ内への軟磁
性材料の埋め込んだ後、不要部分を除去することにより
形成しているため、その上面を実質的に平滑な面とする
ことができる。従って、記録磁気ギャップ層８４は、記
録トラック幅全域にわたって実質的に直線性をもたせる
ことができる。具体的には、 0.1μm 以下の直線性をも
たせた記録磁気ギャップ層８４が容易に得られる。

【０１０１】上述した記録磁気ギャップ層８４の直線性
は、ＭＲヘッドのリード７７の厚さによらずに付与する
ことができる。よって、リード７７の比抵抗のバラツキ
を抑制し、ＭＲ素子７８で良好な抵抗変化率が得られる
ように、リード７７の厚さを例えば 0.2μm 以上、さら
には 0.4μm 以上とする場合においても、記録磁気ギャ
ップ層８４に実質的に直線性を付与することができる。
従って、ＭＲヘッドの抵抗変化率を低下させることな
く、ＭＲヘッドで再生する場合に良好なオフトラック特
性を得ることが可能となる。このような効果は、リード
７７の厚さが記録磁気ギャップ層８４の厚さ（ギャップ
長）の1/10以上となる場合に有効で、記録磁気ギャップ
層８４の厚さが 0.2μm 以下というような場合やトラッ
ク幅が 4μm 以下の場合に、特に顕著に得ることができ
る。

【０１０２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１の磁
気抵抗効果型ヘッドによれば、リードの厚さに影響され
ることなく、狭ギャップ化および狭トラック化を達成す
ることができる。従って、高記録密度システムに対応し
得る線分解能を安定して得ることが可能となる。さら
に、本発明の第１の録再分離型磁気ヘッドによれば、高
記録密度システムへの対応を図った上で、記録・再生特
性の向上を図ることが可能となる。

【０１０３】また、本発明の第２の磁気抵抗効果型ヘッ
ドによれば、狭トラック化する場合においても、ＭＲ素
子のトラック幅等を正確に規定することができ、かつ良
好な抵抗変化率を得ることができる。また、本発明の第
２の録再分離型磁気ヘッドにおいては、良好なオフトラ
ック特性を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施例による録再分離型磁気
ヘッドの構造を示す断面図である。

【図２】 図１に示す録再分離型磁気ヘッドのＡ−Ａ断
面を示す図である。

【図３】 磁性体層の形状と高周波初透磁率との関係を
示す図である。

【図４】 図１に示す録再分離型磁気ヘッドの製造工程
の一部を示す断面図である。

【図５】 図１に示す録再分離型磁気ヘッドの図４以降
の製造工程を示す断面図である。

【図６】 図１に示す録再分離型磁気ヘッドの変形例を
示す断面図である。

【図７】 本発明の第２の実施例の録再分離型磁気ヘッ
ドの構造および製造工程の要部を示す断面図である。

【図８】 本発明の第３の実施例の録再分離型磁気ヘッ
ドの構造を示す断面図である。

【図９】 図８に示す録再分離型磁気ヘッドのＡ−Ａ断
面を示す図である。

【図１０】 図８に示す録再分離型磁気ヘッドの製造工
程の要部を示す断面図である。

【図１１】 本発明の第４の実施例の録再分離型磁気ヘ
ッドの構造を示す断面図である。

【図１２】 本発明の第５の実施例によるＭＲヘッドの
要部構造を示す斜視図である。

【図１３】 図１２に示すＭＲヘッドの正面図である。

【図１４】 突出形状を有する磁界応答部の長さＬとバ
ルクハウゼンノイズの発生確率との関係を示す特性図で
ある。

【図１５】 図１２に示すＭＲヘッドの変形例を示す正
面図である。

【図１６】 本発明の第６の実施例によるＭＲヘッドの
構造を示す正面図である。

【図１７】 完全埋め込み型磁性体層の一製造工程を示
す断面図である。

【図１８】 完全埋め込み型磁性体層の他の製造工程を
示す断面図である。

【図１９】 完全埋め込み型磁性体層のさらに他の製造
工程を示す断面図である。

【図２０】 図１８に示す完全埋め込み型磁性体層にお
ける巣の抑制効果を説明するための図である。

【図２１】 図１９に示す完全埋め込み型磁性体層にお
ける巣の抑制効果を説明するための図である。

【図２２】 さらに他の完全埋め込み型磁性体層におけ
る巣の抑制効果を説明するための図である。

【図２３】 本発明の第７の実施例によるＭＲヘッドの
構造を一部断面で示す斜視図である。

【図２４】 図２３に示すＭＲヘッドの製造工程の一部
を示す断面図である。

【図２５】 図２３に示すＭＲヘッドの図２４以降の製
造工程を示す断面図である。

【図２６】 図２３に示すＭＲヘッドを用いた録再分離
型磁気ヘッドの構成を示す断面図である。

【図２７】 従来の録再分離型磁気ヘッドの構造を示す
断面図である。

【図２８】 従来のＭＲヘッドにおけるリードの配置例
を示す図である。

【図２９】 図２８に示すリード配置においてリード厚
を変えた場合のＭＲ素子の抵抗変化率をトラック幅（Ｔ
_w ）との関係として示す特性図である。

【符号の説明】

１２、４２、７４……下側シールド層 １３、４３、７５……下側再生磁気ギャップ層 １４、４４、７６……ＭＲ膜 １４ａ、４５ａ……磁界応答部 １５……磁化固着膜 １６、４８、７７……リード １７、４９、７８……ＭＲ素子 １８、５０、７９……上側再生磁気ギャップ層 １９、２５、５１、７３、８１……絶縁層 １９ａ、２５ａ、７３ａ、８１ａ……トレンチ ２０、８２……下側磁気コアを兼ねる上側シールド層 ２１、５３、５４、８３……シールド型ＭＲヘッド ２２……誘導型薄膜磁気ヘッド ２３、８４……記録磁気ギャップ層 ２４、８５……上側磁気コア ２９、３１……録再分離型磁気ヘッド ５２……上側シールド層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 仁志 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 井上 直行 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対のリードが接続され、磁界応答部を
   有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の下側に
   磁気ギャップ形成用絶縁膜を介して配置された下側シー
   ルド層と、前記磁気抵抗効果膜の上側に磁気ギャップ形
   成用絶縁膜を介して配置された上側シールド層とを具備
   する磁気抵抗効果型ヘッドであって、 前記上側シールド層の磁気抵抗効果膜対向面の幅を
   Ｗ_s 、前記一対のリードの間隔をＷ_r 、前記磁気抵抗効
   果膜の磁界応答部の幅をＴ_r としたとき、Ｗ_s ＜Ｗ_r お
   よびＴ_r ＜Ｗ_r を満足することを特徴とする磁気抵抗効
   果型ヘッド。
2. 【請求項２】 請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドに
   おいて、 前記上側シールド層の磁気抵抗効果膜対向面の幅Ｗ_s 、
   前記一対のリードの間隔Ｗ_r および前記磁気抵抗効果膜
   の磁界応答部の幅Ｔ_r は、Ｔ_r ＜Ｗ_s ＜Ｗ_r を満足する
   ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
3. 【請求項３】 請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドに
   おいて、 さらに、前記磁気抵抗効果膜上の前記上側シールド層の
   磁気抵抗効果膜対向面の端部より外側に配置された磁化
   固着膜を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
   ド。
4. 【請求項４】 請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドに
   おいて、 前記磁界応答部は、媒体対向面方向に突出形成された前
   記磁気抵抗効果膜の突出部により構成されていることを
   特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
5. 【請求項５】 請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドに
   おいて、 前記上側シールド層の媒体対向面形状は、前記磁気ギャ
   ップ形成用絶縁膜の方向に突出された凸部を有すること
   を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
6. 【請求項６】 請求項５記載の磁気抵抗効果型ヘッド
   と、 磁気ギャップを介して配置された一対の磁気コアを有
   し、前記一対の磁気コアのうち、下側の磁気コアが前記
   磁気抵抗効果型ヘッドの上側シールド層と共通の磁性体
   層により構成され、かつ前記一対の磁気コアの少なくと
   も一方の媒体対向面形状が前記磁気ギャップの方向に突
   出された凸部を有する誘導型磁気ヘッドとを、 それぞれ再生ヘッドおよび記録ヘッドとして具備するこ
   とを特徴とする録再分離型磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 請求項６記載の録再分離型磁気ヘッドに
   おいて、 前記誘導型磁気ヘッドの記録トラック幅をＴ_w としたと
   き、Ｔ_r ＜Ｔ_w ＜Ｗ_sを満足することを特徴とする録再
   分離型磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 一対のリードが接続された磁気抵抗効果
   膜と、前記磁気抵抗効果膜を磁気ギャップ形成用絶縁膜
   を介して挟持する一対のシールド層とを具備してなり、
   前記一対のシールド層の少なくとも一方は、その少なく
   とも一部が絶縁層に設けられたトレンチ内に埋め込み形
   成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
9. 【請求項９】 一対のリードが接続された磁気抵抗効果
   膜と、前記磁気抵抗効果膜を磁気ギャップ形成用絶縁膜
   を介して挟持する一対のシールド層とを有する磁気抵抗
   効果型ヘッドと、 前記磁気抵抗効果型ヘッド上に積層形成され、前記磁気
   抵抗効果型ヘッドの前記リードの厚さの10倍以下の磁気
   ギャップを介して配置された一対の磁気コアを有し、か
   つ前記磁気ギャップは記録トラック幅全域にわたって実
   質的に直線性を有する誘導型記録ヘッドとを、 それぞれ再生ヘッドおよび記録ヘッドとして具備するこ
   とを特徴とする録再分離型磁気ヘッド。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の録再分離型磁気ヘッド
    において、 前記磁気抵抗効果型ヘッドの一対のシールド層は、いず
    れも絶縁層に設けられたトレンチ内に埋め込み形成され
    ており、かつ前記一対のシールド層の上側のシールド層
    は、前記一対の磁気コアの下側の磁気コアを兼ねること
    を特徴とする録再分離型磁気ヘッド。