JPH05182145A - 録再分離型磁気ヘッド - Google Patents
録再分離型磁気ヘッドInfo
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- JPH05182145A JPH05182145A JP127592A JP127592A JPH05182145A JP H05182145 A JPH05182145 A JP H05182145A JP 127592 A JP127592 A JP 127592A JP 127592 A JP127592 A JP 127592A JP H05182145 A JPH05182145 A JP H05182145A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高速転送,高記録密度化に適した録再分離型磁
気ヘッドを提供する。 【構成】誘導型ヘッドを記録ヘッドとし、磁気抵抗効果
型ヘッドを再生ヘッドとした記録再生分離型ヘッドにお
いて記録ヘッドの磁極を主磁性膜と非磁性膜を中間層と
する積層膜で形成する。 【効果】本発明によれば、高周波領域まで優れた記録能
力を示すので、高速転送,高記録密度装置が実現でき
る。
気ヘッドを提供する。 【構成】誘導型ヘッドを記録ヘッドとし、磁気抵抗効果
型ヘッドを再生ヘッドとした記録再生分離型ヘッドにお
いて記録ヘッドの磁極を主磁性膜と非磁性膜を中間層と
する積層膜で形成する。 【効果】本発明によれば、高周波領域まで優れた記録能
力を示すので、高速転送,高記録密度装置が実現でき
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録において、高速
転送,高密度記録に適した録再分離型複合ヘッドに関す
る。
転送,高密度記録に適した録再分離型複合ヘッドに関す
る。
【0002】
【従来の技術】磁気記録の高密度化を進めるため、記録
ヘッドと再生ヘッドを分離して、それぞれを最適化して
高性能化を図った録再分離型の磁気ヘッドの検討が進め
られている。このヘッドの一つとして記録ヘッドに誘導
型ヘッド,再生ヘッドに磁気抵抗効果型ヘッドを用い、
両者を複合した構造が知られている。このようなヘッド
において、記録用の誘導型ヘッド磁極は、アイイーイー
イー トランザクションズ オン マグネティクス(IEE
E TRANSACTIONS ON MAGNETICS)1990 Vol.26
No.5 p1689−1639に見られるように飽和磁
束密度が1.0T のNi−Fe合金膜を用いた単層膜が
用いられている。
ヘッドと再生ヘッドを分離して、それぞれを最適化して
高性能化を図った録再分離型の磁気ヘッドの検討が進め
られている。このヘッドの一つとして記録ヘッドに誘導
型ヘッド,再生ヘッドに磁気抵抗効果型ヘッドを用い、
両者を複合した構造が知られている。このようなヘッド
において、記録用の誘導型ヘッド磁極は、アイイーイー
イー トランザクションズ オン マグネティクス(IEE
E TRANSACTIONS ON MAGNETICS)1990 Vol.26
No.5 p1689−1639に見られるように飽和磁
束密度が1.0T のNi−Fe合金膜を用いた単層膜が
用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、磁気ディス
ク装置の高速化に伴って、記録周波数が20MHz以上
になると、高い保磁力の媒体に情報が記録できない場合
や、記録電流を多く流すと再生出力が低下する(記録減
磁)という現象が現れ、高速化,高記録密度化の妨げと
なっていた。
ク装置の高速化に伴って、記録周波数が20MHz以上
になると、高い保磁力の媒体に情報が記録できない場合
や、記録電流を多く流すと再生出力が低下する(記録減
磁)という現象が現れ、高速化,高記録密度化の妨げと
なっていた。
【0004】本発明の目的は、記録周波数が高くなって
も、保磁力の高い媒体に充分記録でき、記録減磁の起こ
らない録再分離型ヘッドを提供することにある。
も、保磁力の高い媒体に充分記録でき、記録減磁の起こ
らない録再分離型ヘッドを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記問題点は、記録ヘッ
ドの磁極膜を従来の単層膜から、Ni系磁性膜あるい
は、Co系磁性膜,Fe系磁性膜を主磁性膜し、非磁性
の絶縁膜あるいは、金属膜を中間層とする多層膜とする
ことにより解決することができる。なお、特開昭61−96
510 号,特開昭61−278007号公報に記載されているよう
に、自己録再に用いられている誘導型ヘッドの磁極を同
様の方法で多層膜化することにより、再生出力,ノイズ
等の再生特性を向上させることが試みられていた。とこ
ろが、録再分離型ヘッドにおいて誘導型ヘッドを記録ヘ
ッドとしてのみ使用する場合には、その磁極磁性膜の多
層膜化の必要性は、必ずしも明らかではなかった。
ドの磁極膜を従来の単層膜から、Ni系磁性膜あるい
は、Co系磁性膜,Fe系磁性膜を主磁性膜し、非磁性
の絶縁膜あるいは、金属膜を中間層とする多層膜とする
ことにより解決することができる。なお、特開昭61−96
510 号,特開昭61−278007号公報に記載されているよう
に、自己録再に用いられている誘導型ヘッドの磁極を同
様の方法で多層膜化することにより、再生出力,ノイズ
等の再生特性を向上させることが試みられていた。とこ
ろが、録再分離型ヘッドにおいて誘導型ヘッドを記録ヘ
ッドとしてのみ使用する場合には、その磁極磁性膜の多
層膜化の必要性は、必ずしも明らかではなかった。
【0006】
【作用】記録ヘッドの磁極膜を多層膜で形成することに
より、記録周波数が高くなっても、ヘッド先端から発生
する磁界強度は低下せず、急峻な磁界分布を保ってい
る。このため、高周波領域でも、高保磁力の記録媒体で
も充分記録でき、記録減磁が起こらない。
より、記録周波数が高くなっても、ヘッド先端から発生
する磁界強度は低下せず、急峻な磁界分布を保ってい
る。このため、高周波領域でも、高保磁力の記録媒体で
も充分記録でき、記録減磁が起こらない。
【0007】
【実施例】本発明の、一実施例を図1を用いて説明す
る。図1は、本発明による録再分離型磁気ヘッドの斜視
断面図を示す。ヘッド基体1上に下部磁気シールド層2
を積層し、その上に絶縁層3を介して磁気抵抗効果素子
4を積層する。つづいて、絶縁層5を介して上部磁気シ
ールド層6を積層する。さらに、その上に絶縁層7を介
して下部磁極8を形成する。さらに、絶縁層9を介して
コイルとなる導体層10を形成する。さらに、絶縁層を
介して上部磁極11を積層する。
る。図1は、本発明による録再分離型磁気ヘッドの斜視
断面図を示す。ヘッド基体1上に下部磁気シールド層2
を積層し、その上に絶縁層3を介して磁気抵抗効果素子
4を積層する。つづいて、絶縁層5を介して上部磁気シ
ールド層6を積層する。さらに、その上に絶縁層7を介
して下部磁極8を形成する。さらに、絶縁層9を介して
コイルとなる導体層10を形成する。さらに、絶縁層を
介して上部磁極11を積層する。
【0008】このような構造の磁気ヘッドにおいて、シ
ールド層2,6には、スパッタリング法により作製した
パーマロイを用い、その膜厚はいずれも2.0μm とし
た。その媒体対抗面における寸法は、下部シールド層2
が100μm,上部シールド層6が100μm,下部磁
極8が10μm,上部磁極11が8μmである。また、
積層するときの各層の合わせに余裕を持たせるため、各
層の寸法は、上部にいくほど小さくなるようにした。絶
縁層は全てアルミナを用いた。磁極に挟まれた部分にお
ける各絶縁層3,5,7,9の膜厚は、それぞれ0.3
μm,0.4μm,0.7μm である。これらの絶縁層
の平坦化は、通常用いられるエッチバック法を用いて行
った。導体膜10には、膜厚2.0μm の銅を用い、2
0ターンのコイルを形成した。
ールド層2,6には、スパッタリング法により作製した
パーマロイを用い、その膜厚はいずれも2.0μm とし
た。その媒体対抗面における寸法は、下部シールド層2
が100μm,上部シールド層6が100μm,下部磁
極8が10μm,上部磁極11が8μmである。また、
積層するときの各層の合わせに余裕を持たせるため、各
層の寸法は、上部にいくほど小さくなるようにした。絶
縁層は全てアルミナを用いた。磁極に挟まれた部分にお
ける各絶縁層3,5,7,9の膜厚は、それぞれ0.3
μm,0.4μm,0.7μm である。これらの絶縁層
の平坦化は、通常用いられるエッチバック法を用いて行
った。導体膜10には、膜厚2.0μm の銅を用い、2
0ターンのコイルを形成した。
【0009】磁気抵抗効果素子4には、真空蒸着により
形成した膜厚40nmのパーマロイを用い、その形状
は、トラック幅方向の長さが50μmで、その高さは1
0μmである。この素子の両端には、電極層12を設
け、Ti(膜厚:50nm)/Au(150nm)の二層
膜を用いた。また、磁気抵抗効果素子のバイアス方式と
して、ここではシャント法を用いた。また、トラック幅
方向の電極間隔は6μmとし、この間隔が実効的な、ト
ラック幅に相当する。なお、実施例では、エッチバック
法を用いて絶縁層の平坦化を図った。なお、上部磁極,
下部磁極は膜厚0.5μmのNi−Fe合金膜13と膜厚
10nmのAl2O314をスパッタリング法により下部
磁極8は4層,上部磁極11は6層積層し、それぞれ約
2μm,約3μmとした。
形成した膜厚40nmのパーマロイを用い、その形状
は、トラック幅方向の長さが50μmで、その高さは1
0μmである。この素子の両端には、電極層12を設
け、Ti(膜厚:50nm)/Au(150nm)の二層
膜を用いた。また、磁気抵抗効果素子のバイアス方式と
して、ここではシャント法を用いた。また、トラック幅
方向の電極間隔は6μmとし、この間隔が実効的な、ト
ラック幅に相当する。なお、実施例では、エッチバック
法を用いて絶縁層の平坦化を図った。なお、上部磁極,
下部磁極は膜厚0.5μmのNi−Fe合金膜13と膜厚
10nmのAl2O314をスパッタリング法により下部
磁極8は4層,上部磁極11は6層積層し、それぞれ約
2μm,約3μmとした。
【0010】図2は、ダイジェスッ オブ ジ インタ
マグ カンファレンス(DIGESTS OFTHE INTERMAG CONFE
RENCE)FP−05に掲載されているストロボ電子線トモ
グラフィ法により調べた、録再分離型磁気ヘッドの記録
ヘッドの磁極先端から発生する磁界強度、並びに磁界分
布の周波数依存性を示している。磁界強度は、記録周波
数が1MHzの時の磁界強度を1とする規格化磁界強度
で示している。
マグ カンファレンス(DIGESTS OFTHE INTERMAG CONFE
RENCE)FP−05に掲載されているストロボ電子線トモ
グラフィ法により調べた、録再分離型磁気ヘッドの記録
ヘッドの磁極先端から発生する磁界強度、並びに磁界分
布の周波数依存性を示している。磁界強度は、記録周波
数が1MHzの時の磁界強度を1とする規格化磁界強度
で示している。
【0011】記録ヘッドの磁極を単層のNi−Fe合金
膜層で形成した従来の録再分離型ヘッドは、周波数が2
0MHz以上になると、磁極先端からでる磁界強度が急
激に低下することがわかる。さらに、高周波では、磁界
分布がブロードになった。
膜層で形成した従来の録再分離型ヘッドは、周波数が2
0MHz以上になると、磁極先端からでる磁界強度が急
激に低下することがわかる。さらに、高周波では、磁界
分布がブロードになった。
【0012】一方、膜厚0.5μm のNi−Fe合金膜
と膜厚10nmのAl2O3膜を積層した多層磁性膜を記
録ヘッドの磁極膜とした、本発明の録再分離型ヘッド
は、周波数が50MHz以上になっても磁界強度は低下
せず、磁界分布も急峻であった。
と膜厚10nmのAl2O3膜を積層した多層磁性膜を記
録ヘッドの磁極膜とした、本発明の録再分離型ヘッド
は、周波数が50MHz以上になっても磁界強度は低下
せず、磁界分布も急峻であった。
【0013】図3(A),(B)は、保磁力1700O
e,角形比S*0.8 のCoTaCr媒体を用いて、飽
和特性の周波数依存性をしめす。なお、再生は、磁気抵
抗効果素子で行った。再生出力は、各周波数での最高出
力を1とする規格化出力で示した。また、記録ヘッド
は、それぞれ図2を測定したときと同様のヘッドを用い
た。従来ヘッド(A)の方は、周波数が20MHz以上
になると、記録電流を増大すると出力が低下するいわゆ
る記録減磁が起こることがわかった。一方、本発明のヘ
ッド(B)は、周波数が50MHz以上になっても記録
減磁現象は、観察されなかった。
e,角形比S*0.8 のCoTaCr媒体を用いて、飽
和特性の周波数依存性をしめす。なお、再生は、磁気抵
抗効果素子で行った。再生出力は、各周波数での最高出
力を1とする規格化出力で示した。また、記録ヘッド
は、それぞれ図2を測定したときと同様のヘッドを用い
た。従来ヘッド(A)の方は、周波数が20MHz以上
になると、記録電流を増大すると出力が低下するいわゆ
る記録減磁が起こることがわかった。一方、本発明のヘ
ッド(B)は、周波数が50MHz以上になっても記録
減磁現象は、観察されなかった。
【0014】図4は、保磁力1700OeのCoTaC
r媒体を用いて、オーバライト特性の記録周波数(2
F)依存性を示す。なお、再生出力は、磁気抵抗効果素
子で行った。ヘッドは、それぞれ図2を測定したときと
同様のヘッドを用いた。従来ヘッドの方は、記録周波数
が20MHz以上になると、オーバライト特性が小さく
なるのにたいし、本発明ヘッドは、記録周波数が50M
Hz以上になってもオーバーライト特性が変化しないこ
とがわかった。
r媒体を用いて、オーバライト特性の記録周波数(2
F)依存性を示す。なお、再生出力は、磁気抵抗効果素
子で行った。ヘッドは、それぞれ図2を測定したときと
同様のヘッドを用いた。従来ヘッドの方は、記録周波数
が20MHz以上になると、オーバライト特性が小さく
なるのにたいし、本発明ヘッドは、記録周波数が50M
Hz以上になってもオーバーライト特性が変化しないこ
とがわかった。
【0015】なお、本発明の効果は、録再分離型ヘッド
の記録ヘッドのみに依存する。従って、録再分離型ヘッ
ドとして、特開昭50−93127号公報で見られるような、
磁気抵抗効果素子が誘導型の記録ヘッドのギャップ内に
ある、インギャップ型の録再分離型ヘッドでも、あるい
は、特開昭51−44917 号公報に見られるような、上部シ
ールド層と下部磁極を同一磁性膜とした録再分離型ヘッ
ドにおいても、さらには、磁気抵抗効果のバイアス方式
にかかわらずに同様の効果があった。
の記録ヘッドのみに依存する。従って、録再分離型ヘッ
ドとして、特開昭50−93127号公報で見られるような、
磁気抵抗効果素子が誘導型の記録ヘッドのギャップ内に
ある、インギャップ型の録再分離型ヘッドでも、あるい
は、特開昭51−44917 号公報に見られるような、上部シ
ールド層と下部磁極を同一磁性膜とした録再分離型ヘッ
ドにおいても、さらには、磁気抵抗効果のバイアス方式
にかかわらずに同様の効果があった。
【0016】磁極磁性膜は、Ni−Fe合金膜にかかわ
らず、CoFeNiPd,CoNiFe,CoTaZr等のC
oを主成分とする磁性膜、あるいは、Fe−C,Fe−
C/Ni−Fe多層膜のようにFeを主成分とする磁性
膜についても同様の効果があった。また、非磁性中間層
は、Al2O3だけでなく、SiO2 ,TiO2 等の絶縁
膜だけでなく、Cr,Ti,Ta,Zr,Al等の金属
膜についても同様の効果があった。主磁性膜の厚さは、
0.1μm以上1μm以下、より望ましくは、0.2μm
以上0.5μm以下で効果が著しかった。また、非磁性
中間層膜厚は、10nm以上50nm以下、より望まし
くは、20nm以上40nm以下で効果が著しかった。
らず、CoFeNiPd,CoNiFe,CoTaZr等のC
oを主成分とする磁性膜、あるいは、Fe−C,Fe−
C/Ni−Fe多層膜のようにFeを主成分とする磁性
膜についても同様の効果があった。また、非磁性中間層
は、Al2O3だけでなく、SiO2 ,TiO2 等の絶縁
膜だけでなく、Cr,Ti,Ta,Zr,Al等の金属
膜についても同様の効果があった。主磁性膜の厚さは、
0.1μm以上1μm以下、より望ましくは、0.2μm
以上0.5μm以下で効果が著しかった。また、非磁性
中間層膜厚は、10nm以上50nm以下、より望まし
くは、20nm以上40nm以下で効果が著しかった。
【0017】
【発明の効果】本発明によれば、記録周波数が20MH
z以上になっても、記録ヘッドの先端から発生する磁界
強度が低下せず、急峻な磁界分布が得られるために、高
周波領域でも、高保磁力の記録媒体に急峻な磁界で充分
記録でき、記録減磁が起こらなく、高速転送,高密度記
録可能な、録再分離型ヘッドがえられた。
z以上になっても、記録ヘッドの先端から発生する磁界
強度が低下せず、急峻な磁界分布が得られるために、高
周波領域でも、高保磁力の記録媒体に急峻な磁界で充分
記録でき、記録減磁が起こらなく、高速転送,高密度記
録可能な、録再分離型ヘッドがえられた。
【図1】本発明による録再分離型磁気ヘッドの斜視図。
【図2】本発明と従来の録再分離型磁気ヘッドの記録ヘ
ッド先端から発生する磁界強度,磁界分布の周波数依存
性を示す特性図。
ッド先端から発生する磁界強度,磁界分布の周波数依存
性を示す特性図。
【図3】本発明と従来ヘッドの録再分離型磁気ヘッドの
飽和特性の周波数依存性を示す特性図。
飽和特性の周波数依存性を示す特性図。
【図4】本発明と従来ヘッドの録再分離型磁気ヘッドの
オーバーライト特性の周波数依存性を示す特性図。
オーバーライト特性の周波数依存性を示す特性図。
1…ヘッド基体、2…下部磁気シールド層、3…絶縁
層、4…磁気抵抗効果素子、5…絶縁層、6…上部磁気
シールド層、7…絶縁層、8…下部磁極、9…絶縁層、
10…導体層、11…上部磁極、12…電極層、13…
Ni−Fe合金膜、14…Al2O3。
層、4…磁気抵抗効果素子、5…絶縁層、6…上部磁気
シールド層、7…絶縁層、8…下部磁極、9…絶縁層、
10…導体層、11…上部磁極、12…電極層、13…
Ni−Fe合金膜、14…Al2O3。
Claims (6)
- 【請求項1】記録ヘッドを誘導型の磁気ヘッドとし、再
生ヘッドを磁気抵抗効果型ヘッドとして複合化した記録
再生分離型ヘッドにおいて、前記記録ヘッドの磁極膜が
Ni系合金膜,Co系合金膜,Fe系合金膜の何れかを
主磁性膜とし、非磁性の絶縁膜あるいは金属膜を中間層
とする積層膜とすることを特徴とする録再分離型磁気ヘ
ッド。 - 【請求項2】請求項1において、前記主磁性膜の膜厚を
0.1μm 以上1μm以下とし、前記非磁性中間層の膜
厚を10nm以上50nm以下とする録再分離型磁気ヘ
ッド。 - 【請求項3】請求項1または2において、前記主磁性膜
の膜厚を0.2μm以上0.5μm以下とし、前記非磁性
中間層の膜厚を20nm以上40nm以下とする録再分
離型磁気ヘッド。 - 【請求項4】請求項1,2または3において、前記主磁
性膜を、NiFe合金膜,CoFeNi合金膜,CoFeN
iPd合金膜,CoTaZr合金膜,Fe−C/Ni−
Fe多層膜とする録再分離型磁気ヘッド。 - 【請求項5】請求項1,2,3または4において、前記
非磁性中間層としてAl2O3,SiO2,TiO2,Cr,
Ti,Ta,Zr,Alである録再分離型磁気ヘッド。 - 【請求項6】請求項1,2,3,4または5において、
前記録再分離型ヘッドを、記録周波数20MHz以上で
使用する磁気記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP127592A JPH05182145A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 録再分離型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP127592A JPH05182145A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 録再分離型磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05182145A true JPH05182145A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=11496913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP127592A Pending JPH05182145A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 録再分離型磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05182145A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002063614A1 (fr) * | 2001-02-05 | 2002-08-15 | Fujitsu Limited | Tete magnetique a couche mince, ensemble tete magnetique, et tete magnetique a couche mince composite |
US8737022B2 (en) | 2012-07-13 | 2014-05-27 | Tdk Corporation | Multilayer film, magnetic head, magnetic head device, magnetic recording/reproducing apparatus and method for manufacturing multilayer film |
-
1992
- 1992-01-08 JP JP127592A patent/JPH05182145A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002063614A1 (fr) * | 2001-02-05 | 2002-08-15 | Fujitsu Limited | Tete magnetique a couche mince, ensemble tete magnetique, et tete magnetique a couche mince composite |
US8737022B2 (en) | 2012-07-13 | 2014-05-27 | Tdk Corporation | Multilayer film, magnetic head, magnetic head device, magnetic recording/reproducing apparatus and method for manufacturing multilayer film |
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