JPS6118249B2 - - Google Patents
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- JPS6118249B2 JPS6118249B2 JP56118525A JP11852581A JPS6118249B2 JP S6118249 B2 JPS6118249 B2 JP S6118249B2 JP 56118525 A JP56118525 A JP 56118525A JP 11852581 A JP11852581 A JP 11852581A JP S6118249 B2 JPS6118249 B2 JP S6118249B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直磁化記録再生ヘツドに係り、特
に、製造が容易で記録再生効率の大きい主磁極励
磁方式の薄膜ヘツドに関する。
に、製造が容易で記録再生効率の大きい主磁極励
磁方式の薄膜ヘツドに関する。
従来、磁気ヘツドにより磁気デイスク等の媒体
に高密度で情報を記録再生する方式として、補助
磁極を用いた垂直磁化方式が知られている（特開
昭52−134706号参照）。この、補助磁極による垂
直磁化方式によれば、媒体表面に近接してパーマ
ロイなどの磁性薄膜からなる主磁極を配置し、媒
体裏面にフエライトからなる補助磁極を配置し、
補助磁極に巻回したコイルにより主磁極を励磁し
て記録再生が行われる。補助磁極により、媒体面
に垂直な方向に媒体内部を磁化することができる
ので高密度記録が実現できる。
に高密度で情報を記録再生する方式として、補助
磁極を用いた垂直磁化方式が知られている（特開
昭52−134706号参照）。この、補助磁極による垂
直磁化方式によれば、媒体表面に近接してパーマ
ロイなどの磁性薄膜からなる主磁極を配置し、媒
体裏面にフエライトからなる補助磁極を配置し、
補助磁極に巻回したコイルにより主磁極を励磁し
て記録再生が行われる。補助磁極により、媒体面
に垂直な方向に媒体内部を磁化することができる
ので高密度記録が実現できる。
しかしながら、上述の従来方式によれば、補助
磁極に巻回されるコイルのインダクタンスが大き
いので、高周波動作が困難であること、また、媒
体表面とコイルが離れているために記録再生効率
が小さいこと、あるいは、媒体がアルミニウム等
からなるリジツドデイスクの場合その厚さは数ミ
リメートルもあり、主磁極と補助磁極の間の距離
が大きくなりすぎるため、リジツドデイスクには
使用できないこと、等の問題がある。
磁極に巻回されるコイルのインダクタンスが大き
いので、高周波動作が困難であること、また、媒
体表面とコイルが離れているために記録再生効率
が小さいこと、あるいは、媒体がアルミニウム等
からなるリジツドデイスクの場合その厚さは数ミ
リメートルもあり、主磁極と補助磁極の間の距離
が大きくなりすぎるため、リジツドデイスクには
使用できないこと、等の問題がある。
これらの諸問題を解決するために、補助磁極の
使用を止めて主磁極にコイルを巻回する主磁極励
磁方式が考えられるが、主磁極に薄膜コイルを巻
回する工程は困難を伴ない、且つ、巻数も多くで
きないという欠点がある。
使用を止めて主磁極にコイルを巻回する主磁極励
磁方式が考えられるが、主磁極に薄膜コイルを巻
回する工程は困難を伴ない、且つ、巻数も多くで
きないという欠点がある。
本発明の目的は、上述の従来技術における諸問
題にかんがみ、主磁極に近接して多巻き薄膜コイ
ルを形成することにより、製造が容易で、高周波
動作に適し、記録再生効率のすぐれた垂直磁化記
録用ヘツドを提供することにある。
題にかんがみ、主磁極に近接して多巻き薄膜コイ
ルを形成することにより、製造が容易で、高周波
動作に適し、記録再生効率のすぐれた垂直磁化記
録用ヘツドを提供することにある。
以下、添附の図面に基づいて本発明の実施例を
従来例と対比しながら説明する。
従来例と対比しながら説明する。
第１図は従来の補助磁極励磁方式を説明するた
めの磁気ヘツドの側面図である。第１図におい
て、記録媒体１の表面２に近接して、パーマロイ
などの磁性薄膜からなる主磁極３が配置されてお
り、媒体１の裏面４の近傍にはフエライトからな
る補助磁極５が配置されており、補助磁極５には
コイル６が巻回されている。コイル６に電流を流
すことにより、主磁極３が磁化され、主磁極３の
強い磁界によつて媒体１がその表面に垂直な方向
に磁化されて情報の記録が行われる。媒体に記録
された情報の再生は、主磁極３の磁化の変化を補
助磁極５に巻回されたコイル６に発生する電圧の
変化として読み取ることにより行われる。
めの磁気ヘツドの側面図である。第１図におい
て、記録媒体１の表面２に近接して、パーマロイ
などの磁性薄膜からなる主磁極３が配置されてお
り、媒体１の裏面４の近傍にはフエライトからな
る補助磁極５が配置されており、補助磁極５には
コイル６が巻回されている。コイル６に電流を流
すことにより、主磁極３が磁化され、主磁極３の
強い磁界によつて媒体１がその表面に垂直な方向
に磁化されて情報の記録が行われる。媒体に記録
された情報の再生は、主磁極３の磁化の変化を補
助磁極５に巻回されたコイル６に発生する電圧の
変化として読み取ることにより行われる。
第１図の従来方式では、体積の大きい補助磁極
５にコイル６が巻回されるため、必然的にコイル
６のインダクタンスが大きくなつてしまうので、
高周波においては応答が遅いという問題がある。
更に、主磁極３と補助磁極５の間の距離ｄはほぼ
媒体１の厚さに等しいので、コイル６と主磁極３
の距離が大きく、従つて記録再生効率が小さいと
いう問題がある。また、媒体１がフロツピデイス
クの場合はその厚さが50〜100μｍと薄く、問題
はないが、アルミニウム等からなるリジツドデイ
スクの場合、その厚さが数ミリメートルにも達
し、従つて主磁極と補助磁極の間の距離が大きく
なるのでリジツドデイスクには使用できないとい
う問題もある。
５にコイル６が巻回されるため、必然的にコイル
６のインダクタンスが大きくなつてしまうので、
高周波においては応答が遅いという問題がある。
更に、主磁極３と補助磁極５の間の距離ｄはほぼ
媒体１の厚さに等しいので、コイル６と主磁極３
の距離が大きく、従つて記録再生効率が小さいと
いう問題がある。また、媒体１がフロツピデイス
クの場合はその厚さが50〜100μｍと薄く、問題
はないが、アルミニウム等からなるリジツドデイ
スクの場合、その厚さが数ミリメートルにも達
し、従つて主磁極と補助磁極の間の距離が大きく
なるのでリジツドデイスクには使用できないとい
う問題もある。
第１図に示した方式における問題を解決するた
めに、第２図に示す如く、主磁極３に薄膜コイル
７を巻回する主磁極励磁方式が考えられる。しか
しながら、前述の如く、主磁極３に薄膜コイルを
巻回する工程は困難を極め、実用的ではない。
めに、第２図に示す如く、主磁極３に薄膜コイル
７を巻回する主磁極励磁方式が考えられる。しか
しながら、前述の如く、主磁極３に薄膜コイルを
巻回する工程は困難を極め、実用的ではない。
次に、本発明の実施例を第３図以下に基づいて
説明する。
説明する。
第３図は本発明の第１の実施例による垂直磁化
記録再生用ヘツドを示す平面図、第４図は第３図
の−線で切つた場合の断面図である。第３図
および第４図において、主磁極１０の先頭１１は
記録媒体１２の表面に近接して設けられている。
先頭１１は記録媒体１２の表面に接触して設けて
もよい。主磁極１０はパーマロイなどの磁性薄膜
で、基板１３上に形成されている。主磁極１０お
よび基板１３の表面は第１の絶縁層１４で覆われ
ている。第１の絶縁層１４上に主磁極１０の先頭
１１と反対側の端部に中心１５を有する渦巻状の
コイル１６が配置されている。渦巻状コイル１６
は銅やアルミニウムなどの金属からなり、蒸着、
スパツタリング、メツキなどの手法で形成され
る。渦巻状コイル１６を覆うようにして第１の絶
縁層１４上に第２の絶縁層１７が形成されてい
る。第１の絶縁層および第２の絶縁層１７の一部
に接触窓を設けて主磁極１０の端部と接触するよ
うに第２の磁性薄膜１８が主磁極１０と反対の方
向に延伸して配置されている。渦巻状コイル１６
の中心１５から見て、媒体１２に近い方を渦巻状
コイル１６の前部、媒体１６から離れた部分を渦
巻状コイル１６の後部と定義すると、図から明ら
かなように、この渦巻状コイルに電流を流した時
主磁極１０は渦巻状コイル１６の前部により励磁
され、第２の磁性薄膜１８は渦巻状コイル１６の
後部により励磁されることになる。第２の絶縁層
１７および第２の磁性薄膜１８を覆うように薄膜
保護用基板１３が設けられている。
記録再生用ヘツドを示す平面図、第４図は第３図
の−線で切つた場合の断面図である。第３図
および第４図において、主磁極１０の先頭１１は
記録媒体１２の表面に近接して設けられている。
先頭１１は記録媒体１２の表面に接触して設けて
もよい。主磁極１０はパーマロイなどの磁性薄膜
で、基板１３上に形成されている。主磁極１０お
よび基板１３の表面は第１の絶縁層１４で覆われ
ている。第１の絶縁層１４上に主磁極１０の先頭
１１と反対側の端部に中心１５を有する渦巻状の
コイル１６が配置されている。渦巻状コイル１６
は銅やアルミニウムなどの金属からなり、蒸着、
スパツタリング、メツキなどの手法で形成され
る。渦巻状コイル１６を覆うようにして第１の絶
縁層１４上に第２の絶縁層１７が形成されてい
る。第１の絶縁層および第２の絶縁層１７の一部
に接触窓を設けて主磁極１０の端部と接触するよ
うに第２の磁性薄膜１８が主磁極１０と反対の方
向に延伸して配置されている。渦巻状コイル１６
の中心１５から見て、媒体１２に近い方を渦巻状
コイル１６の前部、媒体１６から離れた部分を渦
巻状コイル１６の後部と定義すると、図から明ら
かなように、この渦巻状コイルに電流を流した時
主磁極１０は渦巻状コイル１６の前部により励磁
され、第２の磁性薄膜１８は渦巻状コイル１６の
後部により励磁されることになる。第２の絶縁層
１７および第２の磁性薄膜１８を覆うように薄膜
保護用基板１３が設けられている。
第３図および第４図においては、渦巻状コイル
１６を一層としたが、絶縁層を介して多層にして
もよい。また、一巻毎に絶縁層を介することによ
りらせん状にコイルを形成してもよい。このよう
に、コイルを渦巻状もしくはらせん状に形成する
ことにより、主磁極を巻回する工程が不要なの
で、薄膜形成工程に適しており、比較的簡単に多
巻きコイルが形成できるという利点が得られる。
１６を一層としたが、絶縁層を介して多層にして
もよい。また、一巻毎に絶縁層を介することによ
りらせん状にコイルを形成してもよい。このよう
に、コイルを渦巻状もしくはらせん状に形成する
ことにより、主磁極を巻回する工程が不要なの
で、薄膜形成工程に適しており、比較的簡単に多
巻きコイルが形成できるという利点が得られる。
また、第３図および第４図においては、渦巻状
コイル１６の後部と磁界結合する第２の磁性薄膜
１８を設けたが、第３図および第４図に示した構
造から第２の磁性薄膜１８を除去した構造のヘツ
ドでも、本発明の範囲に含まれる。第２の磁性薄
膜１８の存在により、記録再生効率にコイル後部
からの寄与があるので、記録再生の特性は向上す
る。
コイル１６の後部と磁界結合する第２の磁性薄膜
１８を設けたが、第３図および第４図に示した構
造から第２の磁性薄膜１８を除去した構造のヘツ
ドでも、本発明の範囲に含まれる。第２の磁性薄
膜１８の存在により、記録再生効率にコイル後部
からの寄与があるので、記録再生の特性は向上す
る。
第５図は第３図および第４図において、第２の
磁性薄膜１８が存在する場合と存在しない場合の
記録再生特性の実験値を示すグラフである。第５
図において、曲線C1およびC2はそれぞれ、第２
の磁性薄膜が存在する場合および存在しない場合
の記録再生特性を示すグラフであり、横軸は記録
電流（単位はアンペア・ターン）、縦軸は、第２
の磁性薄膜が存在しない場合の飽和記録電流にお
ける再生出力を基準にした規格化再生出力を表わ
している。図から明らかなように、第２の磁性薄
膜１８を設けたことにより飽和記録電流、再生出
力ともに60％の効率の向上が見られた。
磁性薄膜１８が存在する場合と存在しない場合の
記録再生特性の実験値を示すグラフである。第５
図において、曲線C1およびC2はそれぞれ、第２
の磁性薄膜が存在する場合および存在しない場合
の記録再生特性を示すグラフであり、横軸は記録
電流（単位はアンペア・ターン）、縦軸は、第２
の磁性薄膜が存在しない場合の飽和記録電流にお
ける再生出力を基準にした規格化再生出力を表わ
している。図から明らかなように、第２の磁性薄
膜１８を設けたことにより飽和記録電流、再生出
力ともに60％の効率の向上が見られた。
渦巻状コイル１０をまたはらせん状コイル（図
示せず）は、主磁極の表側すなわち図示した側に
限定されるものではなく、主磁極の裏側にあつて
も主磁極の両面にあつてもよい。
示せず）は、主磁極の表側すなわち図示した側に
限定されるものではなく、主磁極の裏側にあつて
も主磁極の両面にあつてもよい。
第６図は本発明の第２の実施例による垂直磁化
記録再生ヘツドを示す断面図である。第６図にお
いて、第３図と異なるところは、第２の磁性薄膜
１８が、渦巻状コイル１６の後部のみならず前部
をも同時に覆うように形成されていることであ
る。ただし、第２の磁性薄膜１８の先頭１９は、
媒体近接面あるいは媒体との接触面まで露出して
いない。この構造により、磁気回路が従来のリン
グ型のように閉じた構造に近くなるので、主磁極
の裏面側すなわち基板側に漏れる磁束が少なくな
り、記録再生効率はさらに改善される。
記録再生ヘツドを示す断面図である。第６図にお
いて、第３図と異なるところは、第２の磁性薄膜
１８が、渦巻状コイル１６の後部のみならず前部
をも同時に覆うように形成されていることであ
る。ただし、第２の磁性薄膜１８の先頭１９は、
媒体近接面あるいは媒体との接触面まで露出して
いない。この構造により、磁気回路が従来のリン
グ型のように閉じた構造に近くなるので、主磁極
の裏面側すなわち基板側に漏れる磁束が少なくな
り、記録再生効率はさらに改善される。
第７図は本発明の第３の実施例による垂直磁化
記録再生ヘツドを示す平面図、第８図は第７図の
−線で切つた断面図である。第７図および第
８図において、第３図および第４図と異なるとこ
ろは、主磁極１０の先端部２０の厚さおよび幅が
それぞれ主磁極１０の後端部の厚さおよび幅より
小となつており、第２の磁性薄膜１８の厚さおよ
び幅がそれぞれ、主磁極１０の厚さおよび幅より
大となつていることである。この構成により、記
録時には磁束が主磁極先端に集中するので、強い
磁場が主磁極の先端部に発生し、従つて記録特性
が向上する。また、再生時には、主磁極の磁気抵
抗の減少により、磁束の漏れが少なくなり、従つ
て再生効率が向上する。
記録再生ヘツドを示す平面図、第８図は第７図の
−線で切つた断面図である。第７図および第
８図において、第３図および第４図と異なるとこ
ろは、主磁極１０の先端部２０の厚さおよび幅が
それぞれ主磁極１０の後端部の厚さおよび幅より
小となつており、第２の磁性薄膜１８の厚さおよ
び幅がそれぞれ、主磁極１０の厚さおよび幅より
大となつていることである。この構成により、記
録時には磁束が主磁極先端に集中するので、強い
磁場が主磁極の先端部に発生し、従つて記録特性
が向上する。また、再生時には、主磁極の磁気抵
抗の減少により、磁束の漏れが少なくなり、従つ
て再生効率が向上する。
第９図は本発明の第４の実施例による垂直磁化
記録再生用ヘツドを示す断面図である。第９図に
おいては、主磁極１０の裏側および第１の絶縁層
１４の下に第３の絶縁層２１が設けられており、
第３の絶縁層２１中に、先端が媒体１２に対する
近接面あるいは接触面に露出するようにしてMR
ヘツド（マグネツト・レジステイブ・ヘツド）２
２が設けられている。MRヘツドは周知の如く、
厚さ約500オングストロームと極めて薄く、高密
度に記録されたデータの再生に用いられるもので
ある。第３の絶縁層２１の下に磁性体のフエライ
ト基板２３が設けられており、主磁極１０とフエ
ライト２３とによりMRヘツドのシールド層を形
成している。他の構成は第３図と同様である。こ
の構成においては、比較的厚い主磁極により、発
生する磁場は大であるので記録専用に用い、薄い
MRヘツドは再生専用に用いることにより、高密
度の記録データの再生が容易となる。
記録再生用ヘツドを示す断面図である。第９図に
おいては、主磁極１０の裏側および第１の絶縁層
１４の下に第３の絶縁層２１が設けられており、
第３の絶縁層２１中に、先端が媒体１２に対する
近接面あるいは接触面に露出するようにしてMR
ヘツド（マグネツト・レジステイブ・ヘツド）２
２が設けられている。MRヘツドは周知の如く、
厚さ約500オングストロームと極めて薄く、高密
度に記録されたデータの再生に用いられるもので
ある。第３の絶縁層２１の下に磁性体のフエライ
ト基板２３が設けられており、主磁極１０とフエ
ライト２３とによりMRヘツドのシールド層を形
成している。他の構成は第３図と同様である。こ
の構成においては、比較的厚い主磁極により、発
生する磁場は大であるので記録専用に用い、薄い
MRヘツドは再生専用に用いることにより、高密
度の記録データの再生が容易となる。
第１０図は本発明の第５の実施例による垂直磁
化記録再生用ヘツドの断面図である。第１０図に
おいて、第９図と異なるところは、第３の絶縁層
２１の下にフエライトのかわりに第３の磁性薄膜
２４が存在し、MRヘツドのシールド層を形成し
ていること、および第３の磁性薄膜２４の下に非
磁性の無機基板２５が存在することである。この
構成によつても、第９図の場合と同様の効果が得
られる。
化記録再生用ヘツドの断面図である。第１０図に
おいて、第９図と異なるところは、第３の絶縁層
２１の下にフエライトのかわりに第３の磁性薄膜
２４が存在し、MRヘツドのシールド層を形成し
ていること、および第３の磁性薄膜２４の下に非
磁性の無機基板２５が存在することである。この
構成によつても、第９図の場合と同様の効果が得
られる。
第９図および第１０図の構成によつて、主磁極
１０はMRヘツドのシールド層を兼用しているこ
とになり、MRヘツドの設置以外は従来のインダ
クテイブ薄膜ヘツドの製造工程と同一であり、製
造が容易である。
１０はMRヘツドのシールド層を兼用しているこ
とになり、MRヘツドの設置以外は従来のインダ
クテイブ薄膜ヘツドの製造工程と同一であり、製
造が容易である。
以上の説明から明らかなように、本発明によ
り、主磁極に近接して多巻き薄膜コイルを形成し
たことにより、製造が容易で高周波動作に適し、
記録再生効率のすぐれた垂直磁化記録再生用ヘツ
ドが得られる。
り、主磁極に近接して多巻き薄膜コイルを形成し
たことにより、製造が容易で高周波動作に適し、
記録再生効率のすぐれた垂直磁化記録再生用ヘツ
ドが得られる。
なお、第６図ないし第１０図について記述した
実施例についても、第３図の実施例に関して述べ
た種々の変形が可能である。
実施例についても、第３図の実施例に関して述べ
た種々の変形が可能である。
第１図は従来の補助磁極励磁方式を説明するた
めの磁気ヘツドの側面図、第２図は従来考えられ
た主磁極励磁方式を説明するための磁気ヘツドの
側面図、第３図は本発明の第１の実施例による垂
直磁化記録再生用ヘツドを示す平面図、第４図は
第３図の−線で切つた場合の断面図、第５図
は第１の実施例における記録再生特性の実験値を
示すグラフ、第６図および第７図は本発明の第２
および第３の実施例による垂直磁化記録再生用ヘ
ツドをそれぞれ示す断面図、第８図は第７図の
−線で切つた場合の断面図、そして第９図およ
び第１０図はそれぞれ、本発明の第４および第５
の実施例による垂直磁化記録再生用ヘツドを示す
断面図である。 １０……主磁極、１１……主磁極の先頭、１２
……記録媒体、１３……薄膜保護用基板、１４…
…第１の絶縁層、１５……渦巻状コイルの中心、
１６……渦巻状コイル、１７……第２の絶縁層、
１８……第２の磁性薄膜、１９……第２の磁性薄
膜の先頭、２０……主磁極の先頭部、２１……第
３の絶縁層、２２……MRヘツド、２３……フエ
ライト基板、２４……第３の磁性薄膜、２５……
無機基板。
めの磁気ヘツドの側面図、第２図は従来考えられ
た主磁極励磁方式を説明するための磁気ヘツドの
側面図、第３図は本発明の第１の実施例による垂
直磁化記録再生用ヘツドを示す平面図、第４図は
第３図の−線で切つた場合の断面図、第５図
は第１の実施例における記録再生特性の実験値を
示すグラフ、第６図および第７図は本発明の第２
および第３の実施例による垂直磁化記録再生用ヘ
ツドをそれぞれ示す断面図、第８図は第７図の
−線で切つた場合の断面図、そして第９図およ
び第１０図はそれぞれ、本発明の第４および第５
の実施例による垂直磁化記録再生用ヘツドを示す
断面図である。 １０……主磁極、１１……主磁極の先頭、１２
……記録媒体、１３……薄膜保護用基板、１４…
…第１の絶縁層、１５……渦巻状コイルの中心、
１６……渦巻状コイル、１７……第２の絶縁層、
１８……第２の磁性薄膜、１９……第２の磁性薄
膜の先頭、２０……主磁極の先頭部、２１……第
３の絶縁層、２２……MRヘツド、２３……フエ
ライト基板、２４……第３の磁性薄膜、２５……
無機基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性無機基板上に設けられた第１の磁性薄
膜からなり、先頭が媒体面に近接あるいは接触し
て設けられており、該媒体面に対して情報を記録
しあるいは該媒体面に記録された情報の再生を行
う主磁極、 該主磁極の先頭と反対側の端部を除き該主磁極
および該基板を覆う第１の絶縁層、 該主磁極の先頭と反対側の端部に中心を有し、
前部が該第１の絶縁層を介して該主磁極の表面も
しくは裏面の少なくとも一方に近接して配置され
た渦巻状あるいはらせん状の薄膜コイル、 該薄膜コイルの中心を除き、該薄膜コイルを覆
う第２の絶縁層、および 該主磁極の先頭と反対側の端部において該主磁
極と磁気的に接触し該薄膜コイルの後部に近接し
て該主磁極と該薄膜コイル前部との位置関係と逆
の位置関係になるように配置された第２の磁性薄
膜を具備することを特徴とする垂直磁化記録再生
用ヘツド。 ２ 該第２の磁性薄膜の先頭は該媒体面から離れ
ており、且つ、該第２の磁性薄膜は該第２の絶縁
層を介して該薄膜コイルの前部をも覆うようにし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
垂直磁化記録再成用ヘツド。 ３ 該第２の磁性薄膜の厚さおよび幅は該主磁極
の厚さおよび幅より大か等しいことを特徴とする
特許請求の範囲第１項または第２項記載の垂直磁
化記録用ヘツド。 ４ 該主磁極の先頭部以外の部分の厚さおよび幅
は該主磁極の先頭部の厚さおよび幅より大である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項記載の垂直磁化記録再生用ヘツド。 ５ 磁性体基板上に設けられた第１の磁性薄膜か
らなり、先頭が媒体面に近接あるいは接触して設
けられており、該媒体面に対して情報の記録を行
う主磁極、 該主磁極の先頭と反対側の端部を除き該主磁極
および該基板を覆う第１の絶縁層、 該主磁極の先頭と反対側の端部に中心を有し、
前部が該第１の絶縁層を介して該主磁極の表面も
しくは裏面の少なくとも一方の近接して配置され
た渦巻状あるいはらせん状の薄膜コイル、 該薄膜コイルの中心を除き、該薄膜コイルを覆
う第２の絶縁層、 該主磁極の先頭と反対側の端部において該主磁
極と磁気的に接触し該薄膜コイルの後部に近接し
て、該主磁極と該薄膜コイル前部との位置関係と
逆の位置関係になるように配置された第２の磁性
薄膜、 該磁性体基板と該第１の磁性薄膜の間に設けら
れた第３の絶縁層、および、 該第３の絶縁層中に設けられ、該媒体面に近接
あるいは接触しているMRヘツドを具備すること
を特徴とする垂直磁化記録再生用ヘツド。 ６ 非磁性無機基板上に設けられた第１の磁性薄
膜からなり、先頭が媒体面に近接あるいは接触し
て設けられており、該媒体面に対して情報の記録
を行う主磁極、 該主磁極の先頭と反対側の端部を除き該主磁極
および該基板を覆う第１の絶縁層、 該主磁極の先頭と反対側の端部に中心を有し、
前部が該第１の絶縁層を介して該主磁極の表面も
しくは裏面の少なくとも一方に近接して配置され
た渦巻状あるいはらせん状の薄膜コイル、 該薄膜コイルを覆う第２の絶縁層、 該主磁極の先頭と反対側の端部において該主磁
極と磁気的に接触し該薄膜コイルの後部が該主磁
極と該薄膜コイル前部との位置関係と逆の位置関
係になるように配置された第２の磁性薄膜、 該基板と該第１の磁性薄膜の間に設けられた第
３の絶縁層、 該第３の絶縁層中に設けられ、該媒体面に近接
あるいは接触しているMRヘツド、および 該基板と該第３の絶縁層の間に設けられた第３
の磁性薄膜を具備することを特徴とする垂直磁化
記録再生用ヘツド。
Priority Applications (4)
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| JP56118525A JPS5819717A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 垂直磁化記録再生用ヘッド |
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| JP56118525A JPS5819717A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 垂直磁化記録再生用ヘッド |
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