JPH07129930A - 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH07129930A JPH07129930A JP27795993A JP27795993A JPH07129930A JP H07129930 A JPH07129930 A JP H07129930A JP 27795993 A JP27795993 A JP 27795993A JP 27795993 A JP27795993 A JP 27795993A JP H07129930 A JPH07129930 A JP H07129930A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）の放熱効率を
向上させ、再生出力に生じる熱雑音を小さくすることに
より、ヘッド特性の劣化を防止することである。 【構成】 ＭＲ素子９の両側に、ＭＲ素子９に概略対応
する部分に凹部４，１０を有するシールド磁性層３，１
１を非磁性絶縁層５を介してそれぞれ配設し、ＭＲ素子
９を記録媒体と対向するヘッドの先端面６から後退させ
て設け、シールド磁性層３，１１間にヨーク７をその先
端部がヘッド先端面６に露出するように、その後端部が
ＭＲ素子９の先端部と磁気的に結合するように設けて構
成される磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、シールド磁性
層３の凹部４にＡｕやＣｕ等の非磁性金属からなるメタ
ル部材１４を埋め込んで構成する。
向上させ、再生出力に生じる熱雑音を小さくすることに
より、ヘッド特性の劣化を防止することである。 【構成】 ＭＲ素子９の両側に、ＭＲ素子９に概略対応
する部分に凹部４，１０を有するシールド磁性層３，１
１を非磁性絶縁層５を介してそれぞれ配設し、ＭＲ素子
９を記録媒体と対向するヘッドの先端面６から後退させ
て設け、シールド磁性層３，１１間にヨーク７をその先
端部がヘッド先端面６に露出するように、その後端部が
ＭＲ素子９の先端部と磁気的に結合するように設けて構
成される磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、シールド磁性
層３の凹部４にＡｕやＣｕ等の非磁性金属からなるメタ
ル部材１４を埋め込んで構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置等に
用いられる磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法に関
する。
用いられる磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法に関
する。
【０００２】近年、コンピュータ等の外部記憶装置とし
ての磁気ディスク装置の大容量化の要請に伴い、高性能
磁気ヘッドが要請されている。そして、この要請に対応
するものとして、記録媒体の周速に依存することなく高
出力が得られる磁気抵抗効果型ヘッド（以下ＭＲヘッド
と略称する）が注目されており、そのさらなる高性能化
が模索されている。
ての磁気ディスク装置の大容量化の要請に伴い、高性能
磁気ヘッドが要請されている。そして、この要請に対応
するものとして、記録媒体の周速に依存することなく高
出力が得られる磁気抵抗効果型ヘッド（以下ＭＲヘッド
と略称する）が注目されており、そのさらなる高性能化
が模索されている。
【０００３】
【従来の技術】図５は従来の磁気抵抗効果型ヘッドの構
成を示す断面図である。同図において、１はＡｌ2 ０3
−ＴｉＣからなる導電性基板であり、導電性基板１上に
はＡｌ2 ０3 等からなる絶縁層２が形成され、さらにＦ
ｅＮ膜からなる第１シールド磁性層３が形成されてい
る。
成を示す断面図である。同図において、１はＡｌ2 ０3
−ＴｉＣからなる導電性基板であり、導電性基板１上に
はＡｌ2 ０3 等からなる絶縁層２が形成され、さらにＦ
ｅＮ膜からなる第１シールド磁性層３が形成されてい
る。
【０００４】第１シールド磁性層３には凹部４が形成さ
れており、この凹部４を含む第１シールド磁性層３上に
はＡｌ2 ０3 等からなる無機非磁性絶縁層５が形成され
ている。非磁性絶縁層５内部には、記録媒体と対向する
ヘッドの先端面、即ち、媒体対向面６に先端面を露出す
るＮｉ−Ｆｅ膜からなるヨーク（フラックスガイド）７
と、ヨーク７の後端部と絶縁薄膜を介して両端部にＡｕ
からなる引出し端子８を備えたＮｉ−Ｆｅ膜からなるＭ
Ｒ素子９がその一端部を重ね合わせて磁気的に結合した
状態で配置されている。
れており、この凹部４を含む第１シールド磁性層３上に
はＡｌ2 ０3 等からなる無機非磁性絶縁層５が形成され
ている。非磁性絶縁層５内部には、記録媒体と対向する
ヘッドの先端面、即ち、媒体対向面６に先端面を露出す
るＮｉ−Ｆｅ膜からなるヨーク（フラックスガイド）７
と、ヨーク７の後端部と絶縁薄膜を介して両端部にＡｕ
からなる引出し端子８を備えたＮｉ−Ｆｅ膜からなるＭ
Ｒ素子９がその一端部を重ね合わせて磁気的に結合した
状態で配置されている。
【０００５】非磁性絶縁層５上には、第１シールド磁性
層３の凹部４に対応した位置に凹部１０を有するＦｅＮ
膜からなる第２シールド磁性層１１が形成されており、
さらに第２シールド磁性層１１はＡｌ2 ０3 等からなる
絶縁保護膜１２で被覆されている。
層３の凹部４に対応した位置に凹部１０を有するＦｅＮ
膜からなる第２シールド磁性層１１が形成されており、
さらに第２シールド磁性層１１はＡｌ2 ０3 等からなる
絶縁保護膜１２で被覆されている。
【０００６】また、非磁性絶縁層５内部には、ヨーク７
及びＭＲ素子９に対して第２シールド磁性層１１側に、
Ｃｕの導体膜からなるスパイラル状の記録用のコイル１
３が埋設されており、記録時には第１、第２シールド磁
性層３、１１は磁極として兼用される。
及びＭＲ素子９に対して第２シールド磁性層１１側に、
Ｃｕの導体膜からなるスパイラル状の記録用のコイル１
３が埋設されており、記録時には第１、第２シールド磁
性層３、１１は磁極として兼用される。
【０００７】しかして、ＭＲ素子９にセンス電流が流さ
れ、ＭＲ素子９に所定のバイアス磁界が印加される。こ
のＭＲ素子の磁化は磁気記録媒体からの磁界により変化
され、磁気抵抗効果により生じるＭＲ素子９の電気抵抗
値の変化を引出し端子８により電圧の変化として再生信
号を検出することにより再生を行う。
れ、ＭＲ素子９に所定のバイアス磁界が印加される。こ
のＭＲ素子の磁化は磁気記録媒体からの磁界により変化
され、磁気抵抗効果により生じるＭＲ素子９の電気抵抗
値の変化を引出し端子８により電圧の変化として再生信
号を検出することにより再生を行う。
【０００８】なお、ヨーク７を設けることによりＭＲ素
子９の先端を磁気記録媒体との対向面６に露出しない構
成としているのは、記録媒体面に対する電気的なダメー
ジ（電気的損傷）や接触ショートによるノイズの発生等
を防止するためである。
子９の先端を磁気記録媒体との対向面６に露出しない構
成としているのは、記録媒体面に対する電気的なダメー
ジ（電気的損傷）や接触ショートによるノイズの発生等
を防止するためである。
【０００９】また、第１及び第２シールド磁性層３、１
１に凹部４、１０をそれぞれ設けて、第１及び第２シー
ルド磁性層３、１１をＭＲ素子９から遠ざけているの
は、ＭＲ素子９を磁化する磁気記録媒体からの磁束がシ
ールド磁性層３、１１に吸収されることにより再生効率
が低下するのを防止するためである。
１に凹部４、１０をそれぞれ設けて、第１及び第２シー
ルド磁性層３、１１をＭＲ素子９から遠ざけているの
は、ＭＲ素子９を磁化する磁気記録媒体からの磁束がシ
ールド磁性層３、１１に吸収されることにより再生効率
が低下するのを防止するためである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＭＲヘ
ッドの構成では、センス電流を流した状態でのＭＲ素子
の発熱により、再生出力に多大の熱雑音が重畳しヘッド
の特性が劣化するという問題が生じていた。
ッドの構成では、センス電流を流した状態でのＭＲ素子
の発熱により、再生出力に多大の熱雑音が重畳しヘッド
の特性が劣化するという問題が生じていた。
【００１１】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、ＭＲ素子の放熱効率を向上させ、再生出力に
生じる熱雑音を小さくすることにより、ヘッド特性が劣
化しない磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的と
する。また、該磁気抵抗効果型ヘッドの好適な製造方法
の提供をも目的とする。
のであり、ＭＲ素子の放熱効率を向上させ、再生出力に
生じる熱雑音を小さくすることにより、ヘッド特性が劣
化しない磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的と
する。また、該磁気抵抗効果型ヘッドの好適な製造方法
の提供をも目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）の両側に、該磁気抵
抗効果素子に概略対応する部分に凹部を有するシールド
磁性層を非磁性絶縁層を介してそれぞれ配設し、前記磁
気抵抗効果素子を記録媒体と対向するヘッドの先端面か
ら後退させて設け、前記シールド磁性層間にヨークをそ
の先端部が前記ヘッド先端面に露出するように、その後
端部が前記磁気抵抗効果素子の先端部と磁気的に結合す
るように設けて構成される磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、以下のように構成する。
め、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）の両側に、該磁気抵
抗効果素子に概略対応する部分に凹部を有するシールド
磁性層を非磁性絶縁層を介してそれぞれ配設し、前記磁
気抵抗効果素子を記録媒体と対向するヘッドの先端面か
ら後退させて設け、前記シールド磁性層間にヨークをそ
の先端部が前記ヘッド先端面に露出するように、その後
端部が前記磁気抵抗効果素子の先端部と磁気的に結合す
るように設けて構成される磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、以下のように構成する。
【００１３】即ち、前記シールド磁性層の少なくとも一
方の凹部に非磁性金属からなるメタル部材を埋め込んで
構成する。このメタル部材は、Ａｕ又はＣｕから構成す
ることができる。
方の凹部に非磁性金属からなるメタル部材を埋め込んで
構成する。このメタル部材は、Ａｕ又はＣｕから構成す
ることができる。
【００１４】また、この磁気抵抗効果型ヘッドの製造方
法としては、基板表面にシールド磁性層を成膜する第１
ステップと、該成膜されたシールド磁性層に凹部を形成
する第２ステップと、該凹部が形成されたシールド磁性
層表面に非磁性メタル膜を形成する第３ステップと、該
非磁性メタル膜が形成されたシールド磁性層表面を、該
凹部のみに非磁性メタル膜が残存するように切削して平
坦化する第４ステップとを含んで構成することができ
る。
法としては、基板表面にシールド磁性層を成膜する第１
ステップと、該成膜されたシールド磁性層に凹部を形成
する第２ステップと、該凹部が形成されたシールド磁性
層表面に非磁性メタル膜を形成する第３ステップと、該
非磁性メタル膜が形成されたシールド磁性層表面を、該
凹部のみに非磁性メタル膜が残存するように切削して平
坦化する第４ステップとを含んで構成することができ
る。
【００１５】この製造方法において、前記シールド磁性
層表面に非磁性メタル膜を形成する第３ステップは、め
っき処理により行うことができる。また、前記シールド
磁性層表面を切削して平坦化する第４ステップは、イオ
ンミリングあるいは研磨により行うことができる。
層表面に非磁性メタル膜を形成する第３ステップは、め
っき処理により行うことができる。また、前記シールド
磁性層表面を切削して平坦化する第４ステップは、イオ
ンミリングあるいは研磨により行うことができる。
【００１６】
【作用】磁気抵抗効果素子に発生した熱は引出し導体層
（引出し端子）やシールド磁性層を介して放熱される
が、従来技術によると磁気抵抗効果素子とシールド磁性
層との間隔が広かったため、放熱効率の低下を招いてい
た。しかし、本発明によると、シールド磁性層の少なく
とも一方の凹部に非磁性金属、例えばＡｕやＣｕ等から
なるメタル部材を埋め込み、平坦化し、その上に非磁性
絶縁層の薄膜を介して磁気抵抗効果素子を形成するよう
にしている。従って、磁気抵抗効果素子からの熱は磁気
抵抗効果素子に近接する熱伝導性が良好なメタル部材を
介して シールド磁性層に伝熱され放熱されるから、磁
気抵抗効果素子の冷却を効率良く行うことができるよう
になり、熱雑音等による磁気抵抗効果型ヘッドの特性の
劣化を防止することができる。
（引出し端子）やシールド磁性層を介して放熱される
が、従来技術によると磁気抵抗効果素子とシールド磁性
層との間隔が広かったため、放熱効率の低下を招いてい
た。しかし、本発明によると、シールド磁性層の少なく
とも一方の凹部に非磁性金属、例えばＡｕやＣｕ等から
なるメタル部材を埋め込み、平坦化し、その上に非磁性
絶縁層の薄膜を介して磁気抵抗効果素子を形成するよう
にしている。従って、磁気抵抗効果素子からの熱は磁気
抵抗効果素子に近接する熱伝導性が良好なメタル部材を
介して シールド磁性層に伝熱され放熱されるから、磁
気抵抗効果素子の冷却を効率良く行うことができるよう
になり、熱雑音等による磁気抵抗効果型ヘッドの特性の
劣化を防止することができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
することにする。図１は本発明が適用された磁気抵抗効
果型ヘッドの構成を示す断面図である。なお、従来技術
と実質的に同一の構成部分については同一の番号を付し
て説明することにする。
することにする。図１は本発明が適用された磁気抵抗効
果型ヘッドの構成を示す断面図である。なお、従来技術
と実質的に同一の構成部分については同一の番号を付し
て説明することにする。
【００１８】同図において、１はＡｌ2 ０3 −ＴｉＣか
らなる導電性基板であり、導電性基板１上にはＡｌ2 ０
3 等からなる絶縁層２が形成され、さらにＦｅＮ膜から
なる第１シールド磁性層３が形成されている。
らなる導電性基板であり、導電性基板１上にはＡｌ2 ０
3 等からなる絶縁層２が形成され、さらにＦｅＮ膜から
なる第１シールド磁性層３が形成されている。
【００１９】第１シールド磁性層３には凹部４が形成さ
れており、この凹部４内にはＡｕ又はＣｕ等の熱伝導性
が高い非磁性金属からなるメタル部材１４が埋め込まれ
ている。
れており、この凹部４内にはＡｕ又はＣｕ等の熱伝導性
が高い非磁性金属からなるメタル部材１４が埋め込まれ
ている。
【００２０】そして、このメタル部材１４が埋め込まれ
た凹部４を含む第１シールド磁性層３上にはＡｌ2 ０3
等からなる無機非磁性絶縁層５が形成されている。非磁
性絶縁層５内部には、記録媒体と対向するヘッドの先端
面、即ち、媒体対向面６に先端面を露出するＮｉ−Ｆｅ
膜からなるヨーク（フラックスガイド）７と、ヨーク７
の後端部と絶縁薄膜を介して両端部にＡｕからなる引出
し端子８を備えたＮｉ−Ｆｅ膜からなるＭＲ素子９がそ
の一端部を重ね合わせて磁気的に結合した状態で配置さ
れている。
た凹部４を含む第１シールド磁性層３上にはＡｌ2 ０3
等からなる無機非磁性絶縁層５が形成されている。非磁
性絶縁層５内部には、記録媒体と対向するヘッドの先端
面、即ち、媒体対向面６に先端面を露出するＮｉ−Ｆｅ
膜からなるヨーク（フラックスガイド）７と、ヨーク７
の後端部と絶縁薄膜を介して両端部にＡｕからなる引出
し端子８を備えたＮｉ−Ｆｅ膜からなるＭＲ素子９がそ
の一端部を重ね合わせて磁気的に結合した状態で配置さ
れている。
【００２１】非磁性絶縁層５上には、第１シールド磁性
層３の凹部４に対応した位置に凹部１０を有するＦｅＮ
膜からなる第２シールド磁性層１１が形成されており、
さらに第２シールド磁性層１１はＡｌ2 ０3 等からなる
絶縁保護膜１２で被覆されている。
層３の凹部４に対応した位置に凹部１０を有するＦｅＮ
膜からなる第２シールド磁性層１１が形成されており、
さらに第２シールド磁性層１１はＡｌ2 ０3 等からなる
絶縁保護膜１２で被覆されている。
【００２２】また、非磁性絶縁層５内部には、ヨーク７
及びＭＲ素子９に対して第２シールド磁性層１１側に、
Ｃｕの導体膜からなるスパイラル状の記録用のコイル１
３が埋設されており、記録時には第１、第２シールド磁
性層３、１１は磁極として兼用される。
及びＭＲ素子９に対して第２シールド磁性層１１側に、
Ｃｕの導体膜からなるスパイラル状の記録用のコイル１
３が埋設されており、記録時には第１、第２シールド磁
性層３、１１は磁極として兼用される。
【００２３】しかして、ＭＲ素子９にセンス電流が流さ
れ、所定のバイアス磁界が印加される。このＭＲ素子の
磁化は磁気記録媒体からの磁界により変化され、磁気抵
抗効果により生じるＭＲ素子９の電気抵抗値の変化を引
出し端子８により電圧の変化として再生信号を検出する
ことにより再生を行う。
れ、所定のバイアス磁界が印加される。このＭＲ素子の
磁化は磁気記録媒体からの磁界により変化され、磁気抵
抗効果により生じるＭＲ素子９の電気抵抗値の変化を引
出し端子８により電圧の変化として再生信号を検出する
ことにより再生を行う。
【００２４】ＭＲ素子９に通電されることによりＭＲ素
子９が発生する熱は、非磁性絶縁膜５の薄膜を介して熱
伝導性の良好なメタル部材１４に伝わり、さらにメタル
部材１４に接合されている第１シールド磁性層３、その
他の部材を介してＭＲヘッド外部に放出される。従っ
て、ＭＲ素子９が効率良く冷却され、熱雑音等による特
性の劣化が少ない。
子９が発生する熱は、非磁性絶縁膜５の薄膜を介して熱
伝導性の良好なメタル部材１４に伝わり、さらにメタル
部材１４に接合されている第１シールド磁性層３、その
他の部材を介してＭＲヘッド外部に放出される。従っ
て、ＭＲ素子９が効率良く冷却され、熱雑音等による特
性の劣化が少ない。
【００２５】そして、メタル部材１４は非磁性金属から
なるので、磁気記録媒体からの磁束がこのメタル部材１
４を介して第１シールド磁性層３に吸収されることは少
なく、再生効率を阻害することはない。
なるので、磁気記録媒体からの磁束がこのメタル部材１
４を介して第１シールド磁性層３に吸収されることは少
なく、再生効率を阻害することはない。
【００２６】なお、上記の実施例のＭＲヘッドは、記録
・再生を行えるタイプのヘッドであり、コイル１３を有
しているから、メタル部材１４を第１シールド磁性層３
の凹部４に設けて構成したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、コイルの不要な再生専用のものである
場合には、第２シールド磁性層１１の凹部１０にメタル
部材を埋め込み、あるいは第１及び第２シールド磁性層
３、１１の凹部４、１０の双方にメタル部材を埋め込ん
で構成しても良い。
・再生を行えるタイプのヘッドであり、コイル１３を有
しているから、メタル部材１４を第１シールド磁性層３
の凹部４に設けて構成したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、コイルの不要な再生専用のものである
場合には、第２シールド磁性層１１の凹部１０にメタル
部材を埋め込み、あるいは第１及び第２シールド磁性層
３、１１の凹部４、１０の双方にメタル部材を埋め込ん
で構成しても良い。
【００２７】また、ＭＲ素子やヨークの構成も図１のも
のに限定されるものでは無く、例えば、図２（ａ）又は
（ｂ）に示すような構成のＭＲヘッドに本発明を適用す
ることができることはいうまでもない。
のに限定されるものでは無く、例えば、図２（ａ）又は
（ｂ）に示すような構成のＭＲヘッドに本発明を適用す
ることができることはいうまでもない。
【００２８】なお、図２の構成を略説しておくと、図２
（ａ）において、ＭＲ素子９′のヨーク７と結合される
先端部に対して反対側の後端部は、図１のＭＲ素子９の
後端部が第１及び第２シールド磁性層３、１１の凹部
４、１０の外側に位置しているのに対して、第１及び第
２シールド磁性層３、１１の凹部４、１０の内側に位置
している。
（ａ）において、ＭＲ素子９′のヨーク７と結合される
先端部に対して反対側の後端部は、図１のＭＲ素子９の
後端部が第１及び第２シールド磁性層３、１１の凹部
４、１０の外側に位置しているのに対して、第１及び第
２シールド磁性層３、１１の凹部４、１０の内側に位置
している。
【００２９】また、図２（ｂ）において、凹部４、１０
の内側に位置するＭＲ素子９′の後端部にはＮｉ−Ｆｅ
膜からなる後部フラックスガイド（後部ヨーク）１５の
一端が薄膜の非磁性絶縁膜を介して磁気的に結合されて
いる。なお、同図においては、ヨーク７とＭＲ素子
９′、これらと第１、第２シールド磁性層３、１１、及
びメタル部材１４の間に介在する薄膜の非磁性絶縁膜の
図示は省略している。
の内側に位置するＭＲ素子９′の後端部にはＮｉ−Ｆｅ
膜からなる後部フラックスガイド（後部ヨーク）１５の
一端が薄膜の非磁性絶縁膜を介して磁気的に結合されて
いる。なお、同図においては、ヨーク７とＭＲ素子
９′、これらと第１、第２シールド磁性層３、１１、及
びメタル部材１４の間に介在する薄膜の非磁性絶縁膜の
図示は省略している。
【００３０】これらのような構成のＭＲヘッドにも本発
明を適用することにより、ＭＲ素子の発熱による特性劣
化を少なくすることができる。図３は、上記実施例に示
したＭＲヘッドの製造方法の要部を説明するための工程
図である。
明を適用することにより、ＭＲ素子の発熱による特性劣
化を少なくすることができる。図３は、上記実施例に示
したＭＲヘッドの製造方法の要部を説明するための工程
図である。
【００３１】まず、同図（ａ）に示されるように、Ａｌ
2 Ｏ3 −ＴｉＣからなる導電性基板表面に、Ａｌ2 Ｏ3
等からなる絶縁層が形成されてなる基板２１上に、Ｆｅ
Ｎからなるシールド磁性膜２２を成膜し、シールド磁性
膜２２の表面に所定のレジストパターン２３を形成す
る。
2 Ｏ3 −ＴｉＣからなる導電性基板表面に、Ａｌ2 Ｏ3
等からなる絶縁層が形成されてなる基板２１上に、Ｆｅ
Ｎからなるシールド磁性膜２２を成膜し、シールド磁性
膜２２の表面に所定のレジストパターン２３を形成す
る。
【００３２】次いで、同図（ｂ）に示されるように、イ
オンミリングあるいはケミカルエッチングによりテーパ
状の凹部２４を形成し、レジストパターン２３を除去す
る。そして、同図（ｃ）に示されるように、凹部２４が
形成されたシールド磁性膜２２の表面に、凹部２４の深
さよりも厚くＡｕ又はＣｕ等の非磁性金属からなるメタ
ル膜２５を成膜によりあるいはめっき処理により形成す
る。
オンミリングあるいはケミカルエッチングによりテーパ
状の凹部２４を形成し、レジストパターン２３を除去す
る。そして、同図（ｃ）に示されるように、凹部２４が
形成されたシールド磁性膜２２の表面に、凹部２４の深
さよりも厚くＡｕ又はＣｕ等の非磁性金属からなるメタ
ル膜２５を成膜によりあるいはめっき処理により形成す
る。
【００３３】次いで、同図（ｄ）に示されるように、そ
の表面をシールド磁性膜２２が露出してシールド磁性膜
２２が所要の厚さになるまで研磨により切削して平坦化
することにより、凹部４内にメタル部材１４が埋め込ま
れたシールド磁性層３が形成される。
の表面をシールド磁性膜２２が露出してシールド磁性膜
２２が所要の厚さになるまで研磨により切削して平坦化
することにより、凹部４内にメタル部材１４が埋め込ま
れたシールド磁性層３が形成される。
【００３４】なお、これらの工程の後、非磁性絶縁層
５、ＭＲ素子９、ヨーク７、コイル１３、シールド磁性
層１１等が順次形成され、ＭＲヘッドが製造される。ま
た、図３（ｄ）の工程に替えて、図４（ａ）に示される
ように、メタル膜２５上にレジスト２６をその表面が平
坦となるように形成した上で、図４（ｂ）に示されるよ
うに、イオンミリングによりシールド磁性膜２２が露出
してシールド磁性膜２２が所要の厚さになるまで除去・
平坦化するエッチバック法を採用することができる。
５、ＭＲ素子９、ヨーク７、コイル１３、シールド磁性
層１１等が順次形成され、ＭＲヘッドが製造される。ま
た、図３（ｄ）の工程に替えて、図４（ａ）に示される
ように、メタル膜２５上にレジスト２６をその表面が平
坦となるように形成した上で、図４（ｂ）に示されるよ
うに、イオンミリングによりシールド磁性膜２２が露出
してシールド磁性膜２２が所要の厚さになるまで除去・
平坦化するエッチバック法を採用することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
磁気抵抗効果素子の放熱効率を大幅に向上することがで
き、再生出力に生じる熱雑音が小さくなり、ヘッド特性
の劣化が少ない磁気抵抗効果型ヘッドを提供することが
できるようになるという効果を奏する。
磁気抵抗効果素子の放熱効率を大幅に向上することがで
き、再生出力に生じる熱雑音が小さくなり、ヘッド特性
の劣化が少ない磁気抵抗効果型ヘッドを提供することが
できるようになるという効果を奏する。
【図１】本発明実施例の構成を示す断面図である。
【図２】本発明他の実施例の構成を示す断面図である。
【図３】本発明実施例の製造工程の要部を示す図であ
る。
る。
【図４】本発明実施例の他の製造工程の要部を示す図で
ある。
ある。
【図５】従来技術の構成を示す断面図である。
３ 第１シールド磁性層 ４ 凹部 ５ 非磁性絶縁層 ７ ヨーク ９ ＭＲ素子 １０ 凹部 １１ 第２シールド磁性層 １３ コイル １４ メタル部材
Claims (4)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子(9) の両側に、該磁気
抵抗効果素子(9) に概略対応する部分に凹部(4,10)を有
するシールド磁性層(3,11)を非磁性絶縁層(5) を介して
それぞれ配設し、前記磁気抵抗効果素子(9) を記録媒体
と対向するヘッドの先端面(6) から後退させて設け、前
記シールド磁性層(3,11)間にヨーク(7) をその先端部が
前記ヘッド先端面(6) に露出するように、その後端部が
前記磁気抵抗効果素子(9) の先端部と磁気的に結合する
ように設けて構成される磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、 前記シールド磁性層(3,11)の少なくとも一方の凹部(4)
に非磁性金属からなるメタル部材(14)を埋め込んだこと
を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッド
の製造方法であって、 基板(21)上にシールド磁性層(22)を成膜する第１ステッ
プと、 該成膜されたシールド磁性層(22)に凹部(24)を形成する
第２ステップと、 該凹部(24)が形成されたシールド磁性層(22)表面に非磁
性メタル膜(25)を形成する第３ステップと、 該非磁性メタル膜(25)が形成されたシールド磁性層(22)
表面を、該凹部(24)のみに非磁性メタル膜(25)が残存す
るように切削して平坦化する第４ステップとを含むこと
を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の磁気抵抗効果型ヘッド
の製造方法において、 前記シールド磁性層表面に非磁性メタル膜を形成する第
３ステップは、めっき処理によりなされることを特徴と
する磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 請求項２に記載の磁気抵抗効果型ヘッド
の製造方法において、 前記シールド磁性層表面を切削して平坦化する第４ステ
ップは、イオンミリングによりなされることを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27795993A JPH07129930A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27795993A JPH07129930A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07129930A true JPH07129930A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17590663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27795993A Withdrawn JPH07129930A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07129930A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002056304A1 (fr) * | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Fujitsu Limited | Tete magnetique a film mince et procede de production correspondant |
-
1993
- 1993-11-08 JP JP27795993A patent/JPH07129930A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002056304A1 (fr) * | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Fujitsu Limited | Tete magnetique a film mince et procede de production correspondant |
| US7167341B2 (en) | 2001-01-15 | 2007-01-23 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head having lower auxiliary magnetic pole on lower magnetic pole layer |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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