JPH05334629A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH05334629A JPH05334629A JP13821592A JP13821592A JPH05334629A JP H05334629 A JPH05334629 A JP H05334629A JP 13821592 A JP13821592 A JP 13821592A JP 13821592 A JP13821592 A JP 13821592A JP H05334629 A JPH05334629 A JP H05334629A
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- head
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気ディスク装置等に用いる再生専
用の磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）に関し、記録
媒体へのＭＲヘッドの接触による媒体面及びＭＲ素子自
身の電気的損傷とノイズの発生を防止して再生信号のＳ
／Ｎを向上させることを目的とする。 【構成】 ＭＲ素子25の両側にそれぞれ非磁性絶縁膜23
を介在してシールド磁性膜22, 27を配設したヘッド構成
において、前記シールド磁性膜間のＭＲ素子25を記録媒
体と対向するヘッドの先端面より後退させて設け、該Ｍ
Ｒ素子25とヘッドの先端面との間に、ヨーク24をその先
端が前記ヘッド先端面に露出し、後端部が前記ＭＲ素子
25の先端部と電気的に絶縁され、かつ磁気的に結合する
ように設けた構成とする。
用の磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）に関し、記録
媒体へのＭＲヘッドの接触による媒体面及びＭＲ素子自
身の電気的損傷とノイズの発生を防止して再生信号のＳ
／Ｎを向上させることを目的とする。 【構成】 ＭＲ素子25の両側にそれぞれ非磁性絶縁膜23
を介在してシールド磁性膜22, 27を配設したヘッド構成
において、前記シールド磁性膜間のＭＲ素子25を記録媒
体と対向するヘッドの先端面より後退させて設け、該Ｍ
Ｒ素子25とヘッドの先端面との間に、ヨーク24をその先
端が前記ヘッド先端面に露出し、後端部が前記ＭＲ素子
25の先端部と電気的に絶縁され、かつ磁気的に結合する
ように設けた構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、或い
は磁気テープ装置等に用いられる再生専用の磁気抵抗効
果型ヘッドに関するものである。
は磁気テープ装置等に用いられる再生専用の磁気抵抗効
果型ヘッドに関するものである。
【０００２】近年、コンピュータシステムにおける情報
処理量の増大により、磁気ディスク装置の大容量化及び
小型化が要求されている。それに伴って大容量で小型な
磁気ディスクを用いた磁気ディスク装置では、ヘッド・
記録媒体間の相対周速度が従来の大型磁気ディスクに比
べて遅くなるため、記録媒体からの磁束量の時間変化を
検出するインダクティブタイプの磁気ヘッドでは再生出
力が減少する。このため、ヘッド・記録媒体間の相対周
速度に依存することなく記録媒体からの磁束量を直接検
出することにより大きな再生出力が得られる再生専用の
磁気抵抗効果型ヘッドが提案されているが、より再生効
率の良い高性能な磁気抵抗効果型ヘッドが必要とされて
いる。
処理量の増大により、磁気ディスク装置の大容量化及び
小型化が要求されている。それに伴って大容量で小型な
磁気ディスクを用いた磁気ディスク装置では、ヘッド・
記録媒体間の相対周速度が従来の大型磁気ディスクに比
べて遅くなるため、記録媒体からの磁束量の時間変化を
検出するインダクティブタイプの磁気ヘッドでは再生出
力が減少する。このため、ヘッド・記録媒体間の相対周
速度に依存することなく記録媒体からの磁束量を直接検
出することにより大きな再生出力が得られる再生専用の
磁気抵抗効果型ヘッドが提案されているが、より再生効
率の良い高性能な磁気抵抗効果型ヘッドが必要とされて
いる。
【０００３】
【従来の技術】従来の磁気抵抗効果型ヘッド（以下、Ｍ
Ｒヘッドと称する）は、図５(a) の概略斜視図及び図５
(b) の要部側断面図に示すように長さ方向の両端部にAu
膜、或いはCu膜等からなる引出し導体12a, 12bが接合さ
れた Ni-Fe膜からなる磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素
子と称する）11の両側に、それぞれ Al2O3等からなる非
磁性絶縁膜13を介して Ni-Fe膜からなるシールド磁性膜
14, 15が配置された構成からなっている。
Ｒヘッドと称する）は、図５(a) の概略斜視図及び図５
(b) の要部側断面図に示すように長さ方向の両端部にAu
膜、或いはCu膜等からなる引出し導体12a, 12bが接合さ
れた Ni-Fe膜からなる磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素
子と称する）11の両側に、それぞれ Al2O3等からなる非
磁性絶縁膜13を介して Ni-Fe膜からなるシールド磁性膜
14, 15が配置された構成からなっている。
【０００４】そしてかかるＭＲヘッドを矢印方向に移動
する磁気記録媒体17上に所定間隔をもって浮上させ、そ
のＭＲ素子11にその両端の引出し導体12a, 12bを通して
センス電流Isを供給することにより、その際に発生する
磁界で前記シールド磁性膜14が磁化され、その磁化によ
り該ＭＲ素子11にバイアス磁界が印加される。
する磁気記録媒体17上に所定間隔をもって浮上させ、そ
のＭＲ素子11にその両端の引出し導体12a, 12bを通して
センス電流Isを供給することにより、その際に発生する
磁界で前記シールド磁性膜14が磁化され、その磁化によ
り該ＭＲ素子11にバイアス磁界が印加される。
【０００５】このＭＲ素子11の磁化は磁気記録媒体17か
らの磁界により変化され、磁気抵抗効果により生じるＭ
Ｒ素子11の電気抵抗値の変化を前記引出し導体12b より
電圧の変化として取り出して再生信号を検出することに
よって再生を行っている。
らの磁界により変化され、磁気抵抗効果により生じるＭ
Ｒ素子11の電気抵抗値の変化を前記引出し導体12b より
電圧の変化として取り出して再生信号を検出することに
よって再生を行っている。
【０００６】このようなＭＲヘッドの再生出力は、ヘッ
ド・媒体間の相対速度に依存せず記録媒体からの磁束量
の変化に直接対応するため、小径な小型の磁気ディスク
に対する再生ヘッドとして極めて有利であり、また、Ｍ
Ｒ素子11に流すセンス電流値に比例して再生出力が増大
するアクティブ素子であるため、再生信号のＳ／Ｎを大
きくできる利点を有している。
ド・媒体間の相対速度に依存せず記録媒体からの磁束量
の変化に直接対応するため、小径な小型の磁気ディスク
に対する再生ヘッドとして極めて有利であり、また、Ｍ
Ｒ素子11に流すセンス電流値に比例して再生出力が増大
するアクティブ素子であるため、再生信号のＳ／Ｎを大
きくできる利点を有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
ＭＲヘッドにおいては、再生時にＭＲ素子11の先端面が
ヘッド浮上面、即ち、媒体対向面16に直接露出させた構
成となっているため、ＭＲヘッドと記録媒体の接触によ
り該ＭＲ素子11自身が損傷したり、そのＭＲ素子11にセ
ンス電流Isを通電した状態のＭＲヘッドが磁気記録媒体
17に接触すると、該ＭＲ素子11に生じている電圧が磁気
記録媒体17上に印加されてその表面を電気的に損傷させ
るという問題がある。
ＭＲヘッドにおいては、再生時にＭＲ素子11の先端面が
ヘッド浮上面、即ち、媒体対向面16に直接露出させた構
成となっているため、ＭＲヘッドと記録媒体の接触によ
り該ＭＲ素子11自身が損傷したり、そのＭＲ素子11にセ
ンス電流Isを通電した状態のＭＲヘッドが磁気記録媒体
17に接触すると、該ＭＲ素子11に生じている電圧が磁気
記録媒体17上に印加されてその表面を電気的に損傷させ
るという問題がある。
【０００８】また、磁気記録媒体17面に導電性の塵埃が
付着したり、その媒体面が導電性であるとＭＲ素子11の
接触時に生じるショートによりノイズが発生し、そのノ
イズが再生信号に混入して該再生信号のＳ／Ｎを低下さ
せ、その信号品質を劣化させるという問題があった。
付着したり、その媒体面が導電性であるとＭＲ素子11の
接触時に生じるショートによりノイズが発生し、そのノ
イズが再生信号に混入して該再生信号のＳ／Ｎを低下さ
せ、その信号品質を劣化させるという問題があった。
【０００９】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、Ｍ
Ｒ素子の先端を記録媒体面に露出させない構成にして、
ＭＲヘッドの接触による記録媒体面及びＭＲ素子自身の
損傷と、ノイズの発生を防止した新規な磁気抵抗効果型
ヘッドを提供することを目的とするものである。
Ｒ素子の先端を記録媒体面に露出させない構成にして、
ＭＲヘッドの接触による記録媒体面及びＭＲ素子自身の
損傷と、ノイズの発生を防止した新規な磁気抵抗効果型
ヘッドを提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、磁気抵抗効果素子の両側にそれぞれ非磁
性絶縁膜を介在してシールド磁性膜を配設したヘッド構
成において、前記シールド磁性膜間の磁気抵抗効果素子
を記録媒体と対向するヘッドの先端面より後退させて設
け、該磁気抵抗効果素子とヘッドの先端面の間に、ヨー
クをその先端部が前記ヘッド先端面に露出し、後端部が
前記磁気抵抗効果素子の先端部と電気的に絶縁され、か
つ磁気的に結合するように設けた構成とする。
達成するため、磁気抵抗効果素子の両側にそれぞれ非磁
性絶縁膜を介在してシールド磁性膜を配設したヘッド構
成において、前記シールド磁性膜間の磁気抵抗効果素子
を記録媒体と対向するヘッドの先端面より後退させて設
け、該磁気抵抗効果素子とヘッドの先端面の間に、ヨー
クをその先端部が前記ヘッド先端面に露出し、後端部が
前記磁気抵抗効果素子の先端部と電気的に絶縁され、か
つ磁気的に結合するように設けた構成とする。
【００１１】また、前記ヨークが、絶縁性の軟磁性材料
からなる構成とする。更に、前記ヨークが、導電性の軟
磁性材料からなり、その後端部が前記磁気抵抗効果素子
の先端部と絶縁性の軟磁性膜を介して磁気的に結合する
ように設けた構成とする。
からなる構成とする。更に、前記ヨークが、導電性の軟
磁性材料からなり、その後端部が前記磁気抵抗効果素子
の先端部と絶縁性の軟磁性膜を介して磁気的に結合する
ように設けた構成とする。
【００１２】更に、前記ヨークが、その厚さ方向に絶縁
性の軟磁性膜と高飽和磁束密度で、かつ高透磁率な軟磁
性膜とをそれぞれ交互に複数層積層した膜構造からな
り、その後端部の絶縁性の軟磁性膜側が前記磁気抵抗効
果素子の先端部と磁気的に結合するように設けた構成と
する。
性の軟磁性膜と高飽和磁束密度で、かつ高透磁率な軟磁
性膜とをそれぞれ交互に複数層積層した膜構造からな
り、その後端部の絶縁性の軟磁性膜側が前記磁気抵抗効
果素子の先端部と磁気的に結合するように設けた構成と
する。
【００１３】更に、前記磁気的に結合された磁気抵抗効
果素子及びヨークの少なくとも一方の側面に反磁性膜を
設けた構成とする。
果素子及びヨークの少なくとも一方の側面に反磁性膜を
設けた構成とする。
【００１４】
【作用】本発明では、二つのシールド磁性膜の間にそれ
ぞれ非磁性絶縁膜を介してヘッドの記録媒体対向面に先
端面が露出する絶縁性の軟磁性膜からなるヨークと、そ
の後端部に重ね合わせて磁気的に結合した状態にＭＲ素
子を配設した構成、或いは二つのシールド磁性膜の間に
それぞれ非磁性絶縁膜を介してヘッドの記録媒体対向面
に先端面が露出する導電性の軟磁性膜からなるヨーク
と、その後端部に絶縁性の軟磁性膜を介して重ね合わせ
て磁気的に結合した状態にＭＲ素子を配設した構成とし
ているので、再生時に記録媒体からＭＲ素子に流入され
る磁束量を減少させることはなく、ＭＲ素子が記録媒体
面に直接接触しないため、該ＭＲ素子の損傷を防止する
ことができる。
ぞれ非磁性絶縁膜を介してヘッドの記録媒体対向面に先
端面が露出する絶縁性の軟磁性膜からなるヨークと、そ
の後端部に重ね合わせて磁気的に結合した状態にＭＲ素
子を配設した構成、或いは二つのシールド磁性膜の間に
それぞれ非磁性絶縁膜を介してヘッドの記録媒体対向面
に先端面が露出する導電性の軟磁性膜からなるヨーク
と、その後端部に絶縁性の軟磁性膜を介して重ね合わせ
て磁気的に結合した状態にＭＲ素子を配設した構成とし
ているので、再生時に記録媒体からＭＲ素子に流入され
る磁束量を減少させることはなく、ＭＲ素子が記録媒体
面に直接接触しないため、該ＭＲ素子の損傷を防止する
ことができる。
【００１５】また、接触時におけるＭＲ素子と記録媒体
とが電気的に絶縁されているため、記録媒体面に対する
電気的な損傷や接触ショートによるノイズの発生も防止
することができる。
とが電気的に絶縁されているため、記録媒体面に対する
電気的な損傷や接触ショートによるノイズの発生も防止
することができる。
【００１６】更に、前記ヨークとして、その厚さ方向に
高飽和磁束密度で、かつ高透磁率な導電性、特に金属系
の軟磁性膜と絶縁性の軟磁性膜とをそれぞれ交互に複数
層積層した膜構造とし、その後端部の絶縁性の軟磁性膜
側に前記ＭＲ素子の先端部を重ね合わせて磁気的に結合
するように設けた構成とすることにより、記録媒体面に
対する電気的な損傷や接触ショートによるノイズの発生
を防止することができると共に、再生時に前記金属系の
軟磁性膜に流入する磁束の変化により生じる渦電流損が
低減され、記録媒体からの磁束をＭＲ素子へ効率良く導
入することができる。
高飽和磁束密度で、かつ高透磁率な導電性、特に金属系
の軟磁性膜と絶縁性の軟磁性膜とをそれぞれ交互に複数
層積層した膜構造とし、その後端部の絶縁性の軟磁性膜
側に前記ＭＲ素子の先端部を重ね合わせて磁気的に結合
するように設けた構成とすることにより、記録媒体面に
対する電気的な損傷や接触ショートによるノイズの発生
を防止することができると共に、再生時に前記金属系の
軟磁性膜に流入する磁束の変化により生じる渦電流損が
低減され、記録媒体からの磁束をＭＲ素子へ効率良く導
入することができる。
【００１７】更に、前記したように磁気的に結合された
状態のヨークとＭＲ素子の重ね合わせた側の側面、また
はその両側面に反磁性膜を設けた構成とすることによ
り、ＭＲ素子へのヨークからの磁束が磁性シールド膜へ
漏出することが防止され、記録媒体からの磁束をヨーク
を介してＭＲ素子に効率良く導入することができる。
状態のヨークとＭＲ素子の重ね合わせた側の側面、また
はその両側面に反磁性膜を設けた構成とすることによ
り、ＭＲ素子へのヨークからの磁束が磁性シールド膜へ
漏出することが防止され、記録媒体からの磁束をヨーク
を介してＭＲ素子に効率良く導入することができる。
【００１８】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１(a),(b) は本発明に係る磁気抵抗効
果型ヘッドの第１実施例を示す図であり、図(a) は概略
斜視図、図(b) は要部側断面図である。
細に説明する。図１(a),(b) は本発明に係る磁気抵抗効
果型ヘッドの第１実施例を示す図であり、図(a) は概略
斜視図、図(b) は要部側断面図である。
【００１９】これら両図に示すように本実施例では、Al
2O3-TiC 等からなる非磁性基板21上に配設された Ni-Fe
膜からなる軟磁性の第１シールド磁性膜22と、同じく N
i-Fe膜からなる軟磁性の第２シールド磁性膜27との間
に、 Al2O3等からなる非磁性絶縁膜23をそれぞれ介在し
て磁気記録媒体29と対向するヘッドの先端面、即ち、媒
体対向面28に先端面が露出するように絶縁性で、かつ軟
磁性な 0.3μｍの膜厚のNi-Znフェライト膜等からなる
ヨーク24と、該ヨーク24の後端部に0.5 μｍ程度重ね合
わせて磁気的に結合した状態に両端部にAu, Cu、或いは
Al等からなる引出し導体26a, 26bを備えた0.05μｍの膜
厚の Ni-Fe膜からなるＭＲ素子25が配設された構成とし
ている。
2O3-TiC 等からなる非磁性基板21上に配設された Ni-Fe
膜からなる軟磁性の第１シールド磁性膜22と、同じく N
i-Fe膜からなる軟磁性の第２シールド磁性膜27との間
に、 Al2O3等からなる非磁性絶縁膜23をそれぞれ介在し
て磁気記録媒体29と対向するヘッドの先端面、即ち、媒
体対向面28に先端面が露出するように絶縁性で、かつ軟
磁性な 0.3μｍの膜厚のNi-Znフェライト膜等からなる
ヨーク24と、該ヨーク24の後端部に0.5 μｍ程度重ね合
わせて磁気的に結合した状態に両端部にAu, Cu、或いは
Al等からなる引出し導体26a, 26bを備えた0.05μｍの膜
厚の Ni-Fe膜からなるＭＲ素子25が配設された構成とし
ている。
【００２０】なお、前記 Ni-Fe膜からなる軟磁性の第１
シールド磁性膜22及び第２シールド磁性膜27はメッキ法
により形成され、 Ni-Znフェライト膜等からなるヨーク
24及び Ni-Fe膜からなるＭＲ素子25はスパッタリング法
により形成している。
シールド磁性膜22及び第２シールド磁性膜27はメッキ法
により形成され、 Ni-Znフェライト膜等からなるヨーク
24及び Ni-Fe膜からなるＭＲ素子25はスパッタリング法
により形成している。
【００２１】従って、このようなヘッド構成において
は、再生時に磁気記録媒体29から前記ＭＲ素子25に流入
される磁束量が減少することはなく、該ＭＲ素子25の先
端が媒体対向面28に露出しないので磁気記録媒体29に接
触して損傷する恐れがなくなる。
は、再生時に磁気記録媒体29から前記ＭＲ素子25に流入
される磁束量が減少することはなく、該ＭＲ素子25の先
端が媒体対向面28に露出しないので磁気記録媒体29に接
触して損傷する恐れがなくなる。
【００２２】また、該ＭＲ素子25と磁気的に結合された
ヨーク24とは電気的に絶縁されているため、磁気記録媒
体29に対する電気的な損傷や接触ショートによるノイズ
の発生等を防止することができるので、再生信号のＳ／
Ｎ及び信頼性が向上する。
ヨーク24とは電気的に絶縁されているため、磁気記録媒
体29に対する電気的な損傷や接触ショートによるノイズ
の発生等を防止することができるので、再生信号のＳ／
Ｎ及び信頼性が向上する。
【００２３】図２は本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッド
の第２実施例を示す要部側断面図であり、図１(b) と同
等部分には同一符号を付している。この図で示す実施例
が図１(b) の例と異なる点は、Al2O3-TiC 等からなる非
磁性基板21上に配設された二つのシールド磁性膜、即
ち、 Ni-Fe膜からなる軟磁性の第１シールド磁性膜22
と、同じく Ni-Fe膜からなる軟磁性の第２シールド磁性
膜27との間に、 Al2O3等からなる非磁性絶縁膜23をそれ
ぞれ介在して媒体対向面28に先端面が露出する Ni-Fe膜
からなる導電性で、かつ軟磁性のヨーク31と、その後端
部に Ni-Znフェライト膜等からなる絶縁性の軟磁性膜32
を介して重ね合わせて磁気的に結合した状態に Ni-Fe膜
からなるＭＲ素子25を配設した構成としたことである。
の第２実施例を示す要部側断面図であり、図１(b) と同
等部分には同一符号を付している。この図で示す実施例
が図１(b) の例と異なる点は、Al2O3-TiC 等からなる非
磁性基板21上に配設された二つのシールド磁性膜、即
ち、 Ni-Fe膜からなる軟磁性の第１シールド磁性膜22
と、同じく Ni-Fe膜からなる軟磁性の第２シールド磁性
膜27との間に、 Al2O3等からなる非磁性絶縁膜23をそれ
ぞれ介在して媒体対向面28に先端面が露出する Ni-Fe膜
からなる導電性で、かつ軟磁性のヨーク31と、その後端
部に Ni-Znフェライト膜等からなる絶縁性の軟磁性膜32
を介して重ね合わせて磁気的に結合した状態に Ni-Fe膜
からなるＭＲ素子25を配設した構成としたことである。
【００２４】この実施例の構成によっても前記ＭＲ素子
25の先端が媒体対向面28に露出しないので磁気記録媒体
29に接触して損傷する恐れがなく、該ＭＲ素子25と磁気
的に結合されたヨーク31とは絶縁性の軟磁性膜32により
電気的に絶縁されているため、磁気記録媒体29に対する
電気的な損傷や接触ショートによるノイズの発生等が防
止され、再生信号のＳ／Ｎ及び信頼性が向上する。
25の先端が媒体対向面28に露出しないので磁気記録媒体
29に接触して損傷する恐れがなく、該ＭＲ素子25と磁気
的に結合されたヨーク31とは絶縁性の軟磁性膜32により
電気的に絶縁されているため、磁気記録媒体29に対する
電気的な損傷や接触ショートによるノイズの発生等が防
止され、再生信号のＳ／Ｎ及び信頼性が向上する。
【００２５】また、上記した構成では磁気記録媒体29か
らヨーク31を通してＭＲ素子25に導入される磁束が両側
の第１、第２シールド磁性膜22, 27に吸収され易く、特
に第２シールド磁性膜27に吸収され易いことから、前記
絶縁性の軟磁性膜32を介して磁気的に結合された状態の
ヨーク31とＭＲ素子25の重ね合わせた側の前記第２シー
ルド磁性膜27と対応する側面に、例えば図示のように Y
-Ba-Cu酸化物等の超電導膜等からなる反磁性膜33を図示
しない Al2O3膜等からなる非磁性絶縁膜を介して配設す
ることにより、前記ヨーク31からＭＲ素子25へ導入する
磁束が前記第２シールド磁性膜27側へ漏洩し吸収される
ことが防止され、該ヨーク31からの磁束をＭＲ素子25へ
効率良く導入することができるので、再生出力に対する
磁束の寄与効率が向上する。
らヨーク31を通してＭＲ素子25に導入される磁束が両側
の第１、第２シールド磁性膜22, 27に吸収され易く、特
に第２シールド磁性膜27に吸収され易いことから、前記
絶縁性の軟磁性膜32を介して磁気的に結合された状態の
ヨーク31とＭＲ素子25の重ね合わせた側の前記第２シー
ルド磁性膜27と対応する側面に、例えば図示のように Y
-Ba-Cu酸化物等の超電導膜等からなる反磁性膜33を図示
しない Al2O3膜等からなる非磁性絶縁膜を介して配設す
ることにより、前記ヨーク31からＭＲ素子25へ導入する
磁束が前記第２シールド磁性膜27側へ漏洩し吸収される
ことが防止され、該ヨーク31からの磁束をＭＲ素子25へ
効率良く導入することができるので、再生出力に対する
磁束の寄与効率が向上する。
【００２６】図３は本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッド
の第３実施例を示す要部側断面図であり、図２と同等部
分には同一符号を付している。この図で示す実施例が図
２の実施例と異なる点は、前記 Ni-Znフェライト膜等か
らなる絶縁性の軟磁性膜32を介して磁気的に結合された
状態の Ni-Fe膜からなるヨーク31とＭＲ素子25の両側面
に図示のように Y-Ba-Cu酸化物の超電導膜等からなる第
１反磁性膜41と第２反磁性膜42とをそれぞれ図示しない
Al2O3膜等からなる非磁性絶縁膜を介して配設し、磁気
記録媒体29からヨーク31を通してＭＲ素子25に導入され
る磁束が両側の第１、第２シールド磁性膜22, 27へ漏洩
し吸収されることを防止したことである。
の第３実施例を示す要部側断面図であり、図２と同等部
分には同一符号を付している。この図で示す実施例が図
２の実施例と異なる点は、前記 Ni-Znフェライト膜等か
らなる絶縁性の軟磁性膜32を介して磁気的に結合された
状態の Ni-Fe膜からなるヨーク31とＭＲ素子25の両側面
に図示のように Y-Ba-Cu酸化物の超電導膜等からなる第
１反磁性膜41と第２反磁性膜42とをそれぞれ図示しない
Al2O3膜等からなる非磁性絶縁膜を介して配設し、磁気
記録媒体29からヨーク31を通してＭＲ素子25に導入され
る磁束が両側の第１、第２シールド磁性膜22, 27へ漏洩
し吸収されることを防止したことである。
【００２７】この実施例の構成によっても前記図２によ
る実施例と同様にＭＲ素子25の先端が磁気記録媒体29に
接触して損傷する恐れがなく、該磁気記録媒体29に対す
る電気的な損傷や接触ショートによるノイズの発生等が
防止されるので、再生信号のＳ／Ｎ及び信頼性が向上す
ると共に、前記ヨーク31及びＭＲ素子25に対する絶縁性
の第１反磁性膜41と第２反磁性膜42との配設により、ヨ
ーク31からの磁束を漏洩させることなくＭＲ素子25へよ
り効率良く導入することができるので、再生出力に対す
る磁束の寄与効率が著しく向上する。
る実施例と同様にＭＲ素子25の先端が磁気記録媒体29に
接触して損傷する恐れがなく、該磁気記録媒体29に対す
る電気的な損傷や接触ショートによるノイズの発生等が
防止されるので、再生信号のＳ／Ｎ及び信頼性が向上す
ると共に、前記ヨーク31及びＭＲ素子25に対する絶縁性
の第１反磁性膜41と第２反磁性膜42との配設により、ヨ
ーク31からの磁束を漏洩させることなくＭＲ素子25へよ
り効率良く導入することができるので、再生出力に対す
る磁束の寄与効率が著しく向上する。
【００２８】図４は本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッド
の第４実施例を示す要部側断面図であり、図１(b) と同
等部分には同一符号を付している。この図で示す実施例
が図１(b) の例と異なる点は、ＭＲ素子25と磁気的に結
合されるヨーク51が、膜厚方向に 0.2μｍの膜厚の Ni-
Znフェライト膜等からなる絶縁性の第１軟磁性膜52と、
0.15μｍの膜厚のFeＮ膜等からなる高飽和磁束密度( Bs
＝16000 Gausscs)で、かつ高透磁率 (μ＝3000) な導電
性の第２軟磁性膜53と、0.05μｍの膜厚の Ni-Znフェラ
イト膜等からなる絶縁性の第３軟磁性膜54と0.15μｍの
膜厚のFeＮ膜等からなる高飽和磁束密度で、かつ高透磁
率な導電性の第４軟磁性膜55とをこの順に積層した膜構
造からなっている。
の第４実施例を示す要部側断面図であり、図１(b) と同
等部分には同一符号を付している。この図で示す実施例
が図１(b) の例と異なる点は、ＭＲ素子25と磁気的に結
合されるヨーク51が、膜厚方向に 0.2μｍの膜厚の Ni-
Znフェライト膜等からなる絶縁性の第１軟磁性膜52と、
0.15μｍの膜厚のFeＮ膜等からなる高飽和磁束密度( Bs
＝16000 Gausscs)で、かつ高透磁率 (μ＝3000) な導電
性の第２軟磁性膜53と、0.05μｍの膜厚の Ni-Znフェラ
イト膜等からなる絶縁性の第３軟磁性膜54と0.15μｍの
膜厚のFeＮ膜等からなる高飽和磁束密度で、かつ高透磁
率な導電性の第４軟磁性膜55とをこの順に積層した膜構
造からなっている。
【００２９】そして、かかるヨーク51はその後端部の前
記絶縁性の第１軟磁性膜52側が前記ＭＲ素子25の先端部
に重ね合わせて磁気的に結合するように設けた構成と
し、更に磁気的に結合されたヨーク51とＭＲ素子25の両
側面にそれぞれ図示しない Al2O3膜等からなる非磁性絶
縁膜を介して Y-Ba-Cu酸化物の超電導膜等からなる第１
反磁性膜41と第２反磁性膜42とを配設したことである。
記絶縁性の第１軟磁性膜52側が前記ＭＲ素子25の先端部
に重ね合わせて磁気的に結合するように設けた構成と
し、更に磁気的に結合されたヨーク51とＭＲ素子25の両
側面にそれぞれ図示しない Al2O3膜等からなる非磁性絶
縁膜を介して Y-Ba-Cu酸化物の超電導膜等からなる第１
反磁性膜41と第２反磁性膜42とを配設したことである。
【００３０】この実施例の構成によっても前記図１(b)
、図３による実施例と同様な効果が得られると共に、
前記ヨーク51の構造により再生時に前記FeＮ膜等からな
る金属系の第２、第４軟磁性膜53, 54に流入する磁束の
変化により生じる渦電流損を低下させることが可能とな
り、磁気記録媒体29からの磁束をＭＲ素子25へ効率良く
導入することができる。
、図３による実施例と同様な効果が得られると共に、
前記ヨーク51の構造により再生時に前記FeＮ膜等からな
る金属系の第２、第４軟磁性膜53, 54に流入する磁束の
変化により生じる渦電流損を低下させることが可能とな
り、磁気記録媒体29からの磁束をＭＲ素子25へ効率良く
導入することができる。
【００３１】なお、以上の実施例では反磁性膜として Y
-Ba-Cu酸化物等の超電導膜を用いた場合の例について説
明したが、前記第１、第２シールド磁性膜22, 27間に介
在する非磁性絶縁膜にレジスト膜などのような硬化樹脂
膜を適用している場合には、Al2O3膜、或いはSiO2膜等
を反磁性膜として用いるようにしてもよい。
-Ba-Cu酸化物等の超電導膜を用いた場合の例について説
明したが、前記第１、第２シールド磁性膜22, 27間に介
在する非磁性絶縁膜にレジスト膜などのような硬化樹脂
膜を適用している場合には、Al2O3膜、或いはSiO2膜等
を反磁性膜として用いるようにしてもよい。
【００３２】また、以上の実施例で説明した基板、シー
ルド磁性膜、非磁性絶縁膜、ＭＲ素子及びヨーク等の形
成材料と成膜方法についても、これに限定されるもので
はなく、その各部の機能が十分に果たせる範囲で種々の
形成材料及び成膜方法等を適用可能なことはいうまでも
ない。
ルド磁性膜、非磁性絶縁膜、ＭＲ素子及びヨーク等の形
成材料と成膜方法についても、これに限定されるもので
はなく、その各部の機能が十分に果たせる範囲で種々の
形成材料及び成膜方法等を適用可能なことはいうまでも
ない。
【００３３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る磁気抵抗効果型ヘッドによれば、一対のシールド
磁性膜間のＭＲ素子を記録媒体と対向するヘッド先端面
より後退させ、該ＭＲ素子とヘッド先端面の間に、絶縁
性の軟磁性膜からなるヨークをその先端部が前記ヘッド
先端面に露出し、後端部がＭＲ素子の先端部と磁気的に
結合するように設けた構成とすることにより、該ＭＲ素
子が記録媒体面に直接接触しないため、該ＭＲ素子の損
傷が防止され、また、接触時におけるＭＲ素子と記録媒
体とが電気的に絶縁されているため、記録媒体面に対す
る電気的な損傷や接触ショートによるノイズの発生も防
止することができる。
に係る磁気抵抗効果型ヘッドによれば、一対のシールド
磁性膜間のＭＲ素子を記録媒体と対向するヘッド先端面
より後退させ、該ＭＲ素子とヘッド先端面の間に、絶縁
性の軟磁性膜からなるヨークをその先端部が前記ヘッド
先端面に露出し、後端部がＭＲ素子の先端部と磁気的に
結合するように設けた構成とすることにより、該ＭＲ素
子が記録媒体面に直接接触しないため、該ＭＲ素子の損
傷が防止され、また、接触時におけるＭＲ素子と記録媒
体とが電気的に絶縁されているため、記録媒体面に対す
る電気的な損傷や接触ショートによるノイズの発生も防
止することができる。
【００３４】また、導電性のヨークを絶縁性の軟磁性膜
を介してＭＲ素子と磁気的に結合するように設けた構成
とすることにより、該導電性のヨークに高飽和磁束密度
な材料、或いは高周波特性の良い材料を選択して適用す
ることができるので、磁気記録媒体からの磁束を効率よ
くＭＲ素子へ導入することが可能となる。
を介してＭＲ素子と磁気的に結合するように設けた構成
とすることにより、該導電性のヨークに高飽和磁束密度
な材料、或いは高周波特性の良い材料を選択して適用す
ることができるので、磁気記録媒体からの磁束を効率よ
くＭＲ素子へ導入することが可能となる。
【００３５】更に、前記ヨークとして、その厚さ方向に
高飽和磁束密度で、かつ高透磁率な導電性、特に金属系
の軟磁性膜と絶縁性の軟磁性膜とをそれぞれ交互に複数
層積層した膜構造とし、その絶縁性の軟磁性膜側をＭＲ
素子と磁気的に結合するように設けた構成とすることに
より、前記ヨークにおける金属系の軟磁性膜で生じる渦
電流損が低減され、磁気記録媒体からの磁束をＭＲ素子
へより効率良く導入することができる。
高飽和磁束密度で、かつ高透磁率な導電性、特に金属系
の軟磁性膜と絶縁性の軟磁性膜とをそれぞれ交互に複数
層積層した膜構造とし、その絶縁性の軟磁性膜側をＭＲ
素子と磁気的に結合するように設けた構成とすることに
より、前記ヨークにおける金属系の軟磁性膜で生じる渦
電流損が低減され、磁気記録媒体からの磁束をＭＲ素子
へより効率良く導入することができる。
【００３６】更に、磁気的に結合された前記各ヨークと
ＭＲ素子の一方の側面、またはその両側面に反磁性膜を
設けた構成とすることにより、ＭＲ素子へのヨークから
の磁束が磁性シールド膜へ漏出することが防止され、磁
気記録媒体からの磁束をＭＲ素子へ更に効率良く導入す
ることができる等、実用上多くの優れた効果を奏し、再
生効率の良い高性能な磁気抵抗効果型ヘッドを実現する
ことができる。
ＭＲ素子の一方の側面、またはその両側面に反磁性膜を
設けた構成とすることにより、ＭＲ素子へのヨークから
の磁束が磁性シールド膜へ漏出することが防止され、磁
気記録媒体からの磁束をＭＲ素子へ更に効率良く導入す
ることができる等、実用上多くの優れた効果を奏し、再
生効率の良い高性能な磁気抵抗効果型ヘッドを実現する
ことができる。
【図１】 本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第１実施例
を示す概略斜視図とその要部側断面図である。
を示す概略斜視図とその要部側断面図である。
【図２】 本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第２実施例
を示す要部側断面図である。
を示す要部側断面図である。
【図３】 本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第３実施例
を示す要部側断面図である。
を示す要部側断面図である。
【図４】 本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第４実施例
を示す要部側断面図である。
を示す要部側断面図である。
【図５】 従来の磁気抵抗効果型ヘッドを説明するため
の概略斜視図とその要部側断面図である。
の概略斜視図とその要部側断面図である。
２１ 非磁性基板 ２２ 第１シールド磁性膜 ２３ 非磁性絶縁膜 ２４，３１，５１ ヨーク ２５ ＭＲ素子 ２６ａ，２６ｂ 引出し導体 ２７ 第２シールド磁性膜 ２８ 媒体対向面 ２９ 磁気記録媒体 ３２ 絶縁性の軟磁性膜 ３３ 反磁性膜 ４１ 第１反磁性膜 ４２ 第２反磁性膜 ５２ 絶縁性の第１軟磁性膜 ５３ 導電性の第２軟磁性膜 ５４ 絶縁性の第３軟磁性膜 ５５ 導電性の第４軟磁性膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金峰 理明 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子(25)の両側にそれぞれ
非磁性絶縁膜(23)を介在してシールド磁性膜(22, 27)を
配設したヘッド構成において、 前記シールド磁性膜間の磁気抵抗効果素子(25)を記録媒
体と対向するヘッドの先端面より後退させて設け、該磁
気抵抗効果素子(25)とヘッドの先端面の間に、ヨーク(2
4)をその先端部が前記ヘッド先端面に露出し、後端部が
前記磁気抵抗効果素子(25)の先端部と電気的に絶縁さ
れ、かつ磁気的に結合するように設けたことを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 前記ヨーク(24)が絶縁性の軟磁性材料か
らなることを特徴とする請求項１の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項３】 前記ヨーク(31)が導電性の軟磁性材料か
らなり、その後端部が前記磁気抵抗効果素子(25)の先端
部と絶縁性の軟磁性膜(32)を介して磁気的に結合するよ
うに設けたことを特徴とする請求項１の磁気抵抗効果型
ヘッド。 - 【請求項４】 前記ヨーク(51)が複数の絶縁性の軟磁性
膜(52, 54)と高飽和磁束密度で、かつ高透磁率な軟磁性
膜(53, 55)とをそれぞれ交互に積層した膜構造からな
り、その後端部の絶縁性の軟磁性膜側が前記磁気抵抗効
果素子(25)の先端部と磁気的に結合するように設けたこ
とを特徴とする請求項１の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項５】 前記磁気的に結合された磁気抵抗効果素
子(25)及びヨーク(31)の少なくとも一方の側面に反磁性
膜(33)を設けたことを特徴とする請求項１、２、３、或
いは請求項４の磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13821592A JPH05334629A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13821592A JPH05334629A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05334629A true JPH05334629A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15216779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13821592A Withdrawn JPH05334629A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05334629A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6101072A (en) * | 1997-02-28 | 2000-08-08 | Nec Corporation | Yoke type or flux guide type magnetoresistive head in which the yoke or flux guide is provided to the magnetic resistive element via an interposed soft magnetic layer |
| US6671136B2 (en) | 2000-03-27 | 2003-12-30 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head and magnetic disk apparatus |
| US7751154B2 (en) | 2005-05-19 | 2010-07-06 | Quantum Corporation | Magnetic recording heads with bearing surface protections and methods of manufacture |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP13821592A patent/JPH05334629A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6101072A (en) * | 1997-02-28 | 2000-08-08 | Nec Corporation | Yoke type or flux guide type magnetoresistive head in which the yoke or flux guide is provided to the magnetic resistive element via an interposed soft magnetic layer |
| US6671136B2 (en) | 2000-03-27 | 2003-12-30 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head and magnetic disk apparatus |
| US6728081B2 (en) | 2000-03-27 | 2004-04-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head and magnetic disk apparatus |
| US7751154B2 (en) | 2005-05-19 | 2010-07-06 | Quantum Corporation | Magnetic recording heads with bearing surface protections and methods of manufacture |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |