JPH03286413A - 磁気抵抗郊果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗郊果型ヘッドInfo
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- JPH03286413A JPH03286413A JP8793590A JP8793590A JPH03286413A JP H03286413 A JPH03286413 A JP H03286413A JP 8793590 A JP8793590 A JP 8793590A JP 8793590 A JP8793590 A JP 8793590A JP H03286413 A JPH03286413 A JP H03286413A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
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- G—PHYSICS
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録体に記録された信号の再生に用いる磁
気抵抗効果型ヘッドに関する。
気抵抗効果型ヘッドに関する。
従来の技術
強磁性薄膜の磁気抵抗効果を利用したヘッドは再生出力
が記録媒体の速度に依存せず大きし＼構造が簡単などの
長所を有しているため、磁気テープ装置、磁気ディスク
装置の再生用ヘッドとして用いられている。磁気抵抗効
果型のヘッドにおいては磁気記録媒体に記録された短波
長の信号磁化を再生するための構造としてシールド型あ
るいはヨーク型が従来よりある。シールド型の磁気抵抗
効果型ヘッドは第２図に示すように磁気抵抗効果素子２
を高透磁率磁性体５で挟んだ構造である。
が記録媒体の速度に依存せず大きし＼構造が簡単などの
長所を有しているため、磁気テープ装置、磁気ディスク
装置の再生用ヘッドとして用いられている。磁気抵抗効
果型のヘッドにおいては磁気記録媒体に記録された短波
長の信号磁化を再生するための構造としてシールド型あ
るいはヨーク型が従来よりある。シールド型の磁気抵抗
効果型ヘッドは第２図に示すように磁気抵抗効果素子２
を高透磁率磁性体５で挟んだ構造である。
このヘッドにおいては磁気抵抗効果素子が媒体摺動面８
に露出しているため記録体９には導電性のものは用いる
ことができない、さらに再生時には記録媒体からの不規
則な熱の授受のために磁気抵抗効果素子の抵抗値が不規
則に変動しノイズが発生するなどの課題があった。ヨー
ク型の磁気抵抗効果型ヘッドは第３図に示すように高透
磁率磁性体５のヨークでリング型の磁気回路が構成され
、その一部に磁気抵抗効果素子２が挿入されたものであ
る。ギャップ６部分から入った信号磁束はヨークを通っ
て磁気抵抗効果素子まで導かれる。この種のヘッドにお
いてはシールド型と異なり磁気抵抗効果素子が記録媒体
と離れているため前述した記録媒体の制約、ノイズの課
題はないが、磁気抵抗効果素子を含むリング型の磁気回
路の磁気抵抗が大きいためギャップ部での信号磁束の漏
洩が大きく再生効率が低くなるという課題があった。
に露出しているため記録体９には導電性のものは用いる
ことができない、さらに再生時には記録媒体からの不規
則な熱の授受のために磁気抵抗効果素子の抵抗値が不規
則に変動しノイズが発生するなどの課題があった。ヨー
ク型の磁気抵抗効果型ヘッドは第３図に示すように高透
磁率磁性体５のヨークでリング型の磁気回路が構成され
、その一部に磁気抵抗効果素子２が挿入されたものであ
る。ギャップ６部分から入った信号磁束はヨークを通っ
て磁気抵抗効果素子まで導かれる。この種のヘッドにお
いてはシールド型と異なり磁気抵抗効果素子が記録媒体
と離れているため前述した記録媒体の制約、ノイズの課
題はないが、磁気抵抗効果素子を含むリング型の磁気回
路の磁気抵抗が大きいためギャップ部での信号磁束の漏
洩が大きく再生効率が低くなるという課題があった。
発明が解決しようとする課題
本発明は従来のシールド型およびヨーク型の磁気抵抗効
果型ヘッドの課題、すなわち記録媒体の制約、熱による
ノイズ、低再生効率を改善したものである。
果型ヘッドの課題、すなわち記録媒体の制約、熱による
ノイズ、低再生効率を改善したものである。
課題を解決するための手段
上記の課題を解決するための本発明の磁気抵抗効果型ヘ
ッドは基板上に磁気抵抗効果素子、絶縁層、高透磁率磁
性体が順次積層され、前記高透磁率磁性体が前記磁気抵
抗効果素子上に位置するギャップで２分割されているも
のである。
ッドは基板上に磁気抵抗効果素子、絶縁層、高透磁率磁
性体が順次積層され、前記高透磁率磁性体が前記磁気抵
抗効果素子上に位置するギャップで２分割されているも
のである。
作用
本発明の磁気抵抗効果型ヘッドにおいては磁気抵抗効果
素子と記録媒体は直接触れることはないので導電性の記
録媒体に対しても使用可能である。
素子と記録媒体は直接触れることはないので導電性の記
録媒体に対しても使用可能である。
また熱の不規則な授受に起因するノイズの発生もない。
再生効率について従来のヨーク型の磁気抵抗効果型・・
・ラドと比較すると、磁路長をはるかに短くでき、また
薄い絶縁層を介して高透磁率磁性体薄体と磁気抵抗効果
素子とが対向する面積を大きくできるため、本発明のヘ
ッドにおいては、ギャップ部での信号磁束の漏洩が小さ
くなり、再生効率が向上している。
・ラドと比較すると、磁路長をはるかに短くでき、また
薄い絶縁層を介して高透磁率磁性体薄体と磁気抵抗効果
素子とが対向する面積を大きくできるため、本発明のヘ
ッドにおいては、ギャップ部での信号磁束の漏洩が小さ
くなり、再生効率が向上している。
実施例
本発明による磁気抵抗効果型のヘッドの一実施例を第１
図に示す。第１図（ａ）はヘッドの斜視図、第１図（ｂ
）は第１図（ａ）のＡＡ断面図である。以下本発明のヘ
ッドを作製手順にしたがって説明する。
図に示す。第１図（ａ）はヘッドの斜視図、第１図（ｂ
）は第１図（ａ）のＡＡ断面図である。以下本発明のヘ
ッドを作製手順にしたがって説明する。
結晶化ガラスなどの非磁性の基板１上に厚さ０．０４μ
ｍのパーマロイ薄膜を真空蒸着で形成し、幅８μｍの細
長い矩形にパターンニングして磁気抵抗効果素子２を形
成する。次にＡｕなとの導体膜を真空蒸着で形成し、バ
ターニングしてリード３を形成する。次に厚さ０．１５
μｍの５ｉＯｚ絶縁層４をスパッタで形成する。絶縁層
の厚さが薄いほど再生効率は向上するが、絶縁層の厚さ
がＯになると磁気抵抗効果素子内部でギャップ直下の部
分の磁束密度は最大になるが高透磁率磁性薄体と接した
部分の磁気抵抗効果素子内の磁束密度はきわめて小さく
なり磁気抵抗効果素子全体の抵抗変化は小さくなる。従
ってこの絶縁層は必須である。
ｍのパーマロイ薄膜を真空蒸着で形成し、幅８μｍの細
長い矩形にパターンニングして磁気抵抗効果素子２を形
成する。次にＡｕなとの導体膜を真空蒸着で形成し、バ
ターニングしてリード３を形成する。次に厚さ０．１５
μｍの５ｉＯｚ絶縁層４をスパッタで形成する。絶縁層
の厚さが薄いほど再生効率は向上するが、絶縁層の厚さ
がＯになると磁気抵抗効果素子内部でギャップ直下の部
分の磁束密度は最大になるが高透磁率磁性薄体と接した
部分の磁気抵抗効果素子内の磁束密度はきわめて小さく
なり磁気抵抗効果素子全体の抵抗変化は小さくなる。従
ってこの絶縁層は必須である。
さらに厚さ１μｍのＣｏ系アモルファスなどの高透磁率
磁性体５をスパッタで形成する。高透磁率磁性体を一辺
がトラック幅に相当する矩形にパターンニングし、さら
に磁気抵抗効果素子の中央部の真上の位置に幅０．５μ
ｍのギャップ６を形成する。さらにＡ１□０３などの絶
縁層をスパッタで形成し、保護膜７とする。最後にＡ１
□０３を研磨し、記録媒体摺動面８が形成され、ヘッド
が完成する。
磁性体５をスパッタで形成する。高透磁率磁性体を一辺
がトラック幅に相当する矩形にパターンニングし、さら
に磁気抵抗効果素子の中央部の真上の位置に幅０．５μ
ｍのギャップ６を形成する。さらにＡ１□０３などの絶
縁層をスパッタで形成し、保護膜７とする。最後にＡ１
□０３を研磨し、記録媒体摺動面８が形成され、ヘッド
が完成する。
本実施例では再生出力を増大させるためのバイアス磁界
を与える手段は省略したが、その理由は本発明のヘッド
においては磁気抵抗効果素子に流す電流（センス電流）
による磁界が高透磁率磁性薄体を磁化し、その磁化によ
って磁気抵抗効果素子が磁化されるからである。
を与える手段は省略したが、その理由は本発明のヘッド
においては磁気抵抗効果素子に流す電流（センス電流）
による磁界が高透磁率磁性薄体を磁化し、その磁化によ
って磁気抵抗効果素子が磁化されるからである。
磁気抵抗効果型のヘッドにおいては再生出力を高めるた
めに磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を与える必要があ
る。通常、第４図に示すように導体膜１０を磁気抵抗効
果素子２の近傍に置き、これに電流を紙面に垂直方向に
流すことでバイアス磁界を与えている。この場合磁気抵
抗効果素子の幅方向のバイアス磁界の分布は第４図に示
すようになり、磁気抵抗効果素子の端部ではバイアス磁
界がかかりにくくなっている。一方、信号磁界による磁
気抵抗効果素子内の磁束密度の分布は本発明のヘッドの
場合は第５図（ａ）に示すようになり、従来のシールド
型の磁気抵抗効果型ヘッドの場合は第５図（ｂ）に示す
ように記録媒体と接する部分で磁束密度は最大であり、
記録媒体から離れるにつれて指数関数的に磁束密度は減
少していく。磁束密度が大きい部分で適正なバイアス磁
界を与えることができればそれだけ再生出力を大きくす
ることができる。本発明のヘッドの場合は磁気抵抗効果
素子内の信号磁界による磁束密度分布とバイアス磁界分
布が比較的−敗してたいるが、従来のシールド型のヘッ
ドの場合は磁気抵抗効果素子内の信号磁界による磁束密
度分布とバイアス磁界分布がかなり異なる。この点にお
いても本発明のヘッドは再生出力を高める上で有利であ
る。
めに磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を与える必要があ
る。通常、第４図に示すように導体膜１０を磁気抵抗効
果素子２の近傍に置き、これに電流を紙面に垂直方向に
流すことでバイアス磁界を与えている。この場合磁気抵
抗効果素子の幅方向のバイアス磁界の分布は第４図に示
すようになり、磁気抵抗効果素子の端部ではバイアス磁
界がかかりにくくなっている。一方、信号磁界による磁
気抵抗効果素子内の磁束密度の分布は本発明のヘッドの
場合は第５図（ａ）に示すようになり、従来のシールド
型の磁気抵抗効果型ヘッドの場合は第５図（ｂ）に示す
ように記録媒体と接する部分で磁束密度は最大であり、
記録媒体から離れるにつれて指数関数的に磁束密度は減
少していく。磁束密度が大きい部分で適正なバイアス磁
界を与えることができればそれだけ再生出力を大きくす
ることができる。本発明のヘッドの場合は磁気抵抗効果
素子内の信号磁界による磁束密度分布とバイアス磁界分
布が比較的−敗してたいるが、従来のシールド型のヘッ
ドの場合は磁気抵抗効果素子内の信号磁界による磁束密
度分布とバイアス磁界分布がかなり異なる。この点にお
いても本発明のヘッドは再生出力を高める上で有利であ
る。
このように本発明のヘッドにおいてはバイアス磁界印加
手段を省略可能であり、構造の簡略化が図れる。また、
構造は若干複雑になるがバイアス磁界印加用の導電膜を
磁気抵抗効果素子の近傍に設けることは容易に可能であ
る。
手段を省略可能であり、構造の簡略化が図れる。また、
構造は若干複雑になるがバイアス磁界印加用の導電膜を
磁気抵抗効果素子の近傍に設けることは容易に可能であ
る。
発明の効果
本発明の磁気抵抗効果型ヘッドによれば従来のシールド
型の磁気抵抗効果型ヘッドの課題である記録媒体の制約
、熱によるノイズがなく、さらに従来のヨーク型の磁気
抵抗効果型ヘッドの課題である再生効率の低さを解消で
きる。また、バイアス磁界中化手段を省略でき、ヘッド
の構造が極めて簡単であるという特徴を有する。
型の磁気抵抗効果型ヘッドの課題である記録媒体の制約
、熱によるノイズがなく、さらに従来のヨーク型の磁気
抵抗効果型ヘッドの課題である再生効率の低さを解消で
きる。また、バイアス磁界中化手段を省略でき、ヘッド
の構造が極めて簡単であるという特徴を有する。
第１図は本発明による磁気抵抗効果型ヘッドの実施例を
示す図、第２図は従来のシールド型の磁気抵抗効果型ヘ
ッドの構造を示す図、第３図は従来のヨーク型の磁気抵
抗効果型ヘッドの構造を示す図、第４図はバイアス磁界
による磁気抵抗効果素子内の磁束密度の分布を示す図、
第５図（ａ）、 （ｂ）はそれぞれ本発明の磁気抵抗効
果型ヘッドおよび従来のヨーク型の磁気抵抗効果型ヘッ
ドの再生時の磁気抵抗効果素子内での磁束密度の分布を
示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・磁気抵抗効果素子
、３・・・・・・リード、４・・・・・・絶縁層、５・
・・・・・高透磁率磁性体、６・・・・・・ギャップ、
７・・・・・・保護膜、８・・・・・・記録媒体摺動面
、９・・・・・・記録媒体、１０・・・・・・導体膜。
示す図、第２図は従来のシールド型の磁気抵抗効果型ヘ
ッドの構造を示す図、第３図は従来のヨーク型の磁気抵
抗効果型ヘッドの構造を示す図、第４図はバイアス磁界
による磁気抵抗効果素子内の磁束密度の分布を示す図、
第５図（ａ）、 （ｂ）はそれぞれ本発明の磁気抵抗効
果型ヘッドおよび従来のヨーク型の磁気抵抗効果型ヘッ
ドの再生時の磁気抵抗効果素子内での磁束密度の分布を
示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・磁気抵抗効果素子
、３・・・・・・リード、４・・・・・・絶縁層、５・
・・・・・高透磁率磁性体、６・・・・・・ギャップ、
７・・・・・・保護膜、８・・・・・・記録媒体摺動面
、９・・・・・・記録媒体、１０・・・・・・導体膜。
Claims (2)
- （１）基板上に磁気抵抗効果素子、絶縁層、高透磁率磁
性体が順次積層され、前記高透磁率磁性体が前記磁気抵
抗効果素子上に位置するギャップで２分割されているこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - （２）磁気抵抗効果素子の近傍にバイアス磁界印加用の
導体膜を形成したことを特徴とする請求項（１）に記載
の磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8793590A JPH03286413A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 磁気抵抗郊果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8793590A JPH03286413A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 磁気抵抗郊果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03286413A true JPH03286413A (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13928765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8793590A Pending JPH03286413A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 磁気抵抗郊果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03286413A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2724481A1 (fr) * | 1994-09-13 | 1996-03-15 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique planaire a magnetoresistance multicouche longitudinale |
| FR2724482A1 (fr) * | 1994-09-13 | 1996-03-15 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique a magnetoresistance multicouche longitudinale sous-jacente |
| US5716719A (en) * | 1991-07-30 | 1998-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
| EP0889460A1 (en) * | 1997-07-04 | 1999-01-07 | STMicroelectronics S.r.l. | An electromagnetic head with magnetoresistive means connected to a magnetic core |
| US6392840B1 (en) | 1997-12-08 | 2002-05-21 | International Business Machines Corporation | Planarized side by side design of an inductive writer and single metallic magnetoresistive reader |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP8793590A patent/JPH03286413A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5716719A (en) * | 1991-07-30 | 1998-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
| FR2724481A1 (fr) * | 1994-09-13 | 1996-03-15 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique planaire a magnetoresistance multicouche longitudinale |
| FR2724482A1 (fr) * | 1994-09-13 | 1996-03-15 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique a magnetoresistance multicouche longitudinale sous-jacente |
| EP0702358A1 (fr) * | 1994-09-13 | 1996-03-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Tête magnétique à magnétorésistance multicouche longitudinale sous-jacente |
| WO1996008814A1 (fr) * | 1994-09-13 | 1996-03-21 | Commissariat A L'energie Atomique | Tete magnetique planaire a magnetoresistance multicouche longitudinale |
| EP0889460A1 (en) * | 1997-07-04 | 1999-01-07 | STMicroelectronics S.r.l. | An electromagnetic head with magnetoresistive means connected to a magnetic core |
| US6134088A (en) * | 1997-07-04 | 2000-10-17 | Stmicroelectronics S.R.L. | Electromagnetic head with magnetoresistive means connected to a magnetic core |
| US6392840B1 (en) | 1997-12-08 | 2002-05-21 | International Business Machines Corporation | Planarized side by side design of an inductive writer and single metallic magnetoresistive reader |
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