JPH0546946A - 磁気抵抗効果型ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘツドInfo
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- JPH0546946A JPH0546946A JP20703791A JP20703791A JPH0546946A JP H0546946 A JPH0546946 A JP H0546946A JP 20703791 A JP20703791 A JP 20703791A JP 20703791 A JP20703791 A JP 20703791A JP H0546946 A JPH0546946 A JP H0546946A
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- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic field
- conductor layer
- magnetoresistive
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気抵抗効果型ヘッドに関し、サイ
ドクロストークを低減して情報の誤再生を防止すること
を目的とする。 【構成】 磁気抵抗効果素子（１１）に積層されたシャ
ントバイアス層（１２）の両端部分に引き出し導体層
（１３）を接合させて積層し、一対の磁気シールド（１
５ａ，１５ｂ）の一方（１５ｂ）に引き出し導体層（１
３）を対向近接させて配置する。
ドクロストークを低減して情報の誤再生を防止すること
を目的とする。 【構成】 磁気抵抗効果素子（１１）に積層されたシャ
ントバイアス層（１２）の両端部分に引き出し導体層
（１３）を接合させて積層し、一対の磁気シールド（１
５ａ，１５ｂ）の一方（１５ｂ）に引き出し導体層（１
３）を対向近接させて配置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果型ヘッドに
関し、磁気ディスク装置に用いられる薄膜の磁気抵抗効
果型ヘッドに関する。
関し、磁気ディスク装置に用いられる薄膜の磁気抵抗効
果型ヘッドに関する。
【０００２】近年、コンピュータの外部記憶装置である
磁気ディスク装置の大容量化に伴い、磁気ヘッドの高性
能化が要求され、記録媒体との相対速度に依存せず高出
力が得られる磁気効果型ヘッド（ＭＲヘッド）注目され
ている。
磁気ディスク装置の大容量化に伴い、磁気ヘッドの高性
能化が要求され、記録媒体との相対速度に依存せず高出
力が得られる磁気効果型ヘッド（ＭＲヘッド）注目され
ている。
【０００３】
【従来の技術】図５（Ａ），（Ｂ）に従来ヘッドの構造
を示す。
を示す。
【０００４】同図中、１１は強磁性体ＮｉＦｅ（ニッケ
ル鉄）からなる矩形のＭＲ素子、１２はＴｉ（チタン）
膜からなるシャントバイアス層、１３はＡｕ（金）膜か
らなる引き出し導体層、１４は非磁性絶縁層、１５ａ，
１５ｂはＮｉＦＥ膜からなる磁気シールドである。
ル鉄）からなる矩形のＭＲ素子、１２はＴｉ（チタン）
膜からなるシャントバイアス層、１３はＡｕ（金）膜か
らなる引き出し導体層、１４は非磁性絶縁層、１５ａ，
１５ｂはＮｉＦＥ膜からなる磁気シールドである。
【０００５】ＭＲ素子１１は、その長手方向（ｙ軸方
向）に磁化容易軸が一致するように矩形にパターン形成
されている。引き出し導体層１３は、ＭＲ素子１１の長
手方向に対して所定幅で切除されて、所定のトラック幅
を画定する。ＭＲ素子１１及びシャントバイアス層１
２、引き出し導体層１３は、２つの磁気シールド１５
ａ，１５ｂの間（再生ギャップに相当）に配置される
が、非磁性絶縁層１４を介して磁気シールド１５ａ，１
５ｂと電気的に絶縁されて、ＭＲヘッドが構成される。
また、センス電流Ｊは、引き出し導体層１３を通してＭ
Ｒ素子１１とシャントバイアス層１２に分流し、導体層
１３によって画定されるＭＲ素子１１のｐｇｒｓで囲ま
れる信号検出領域に流れる。
向）に磁化容易軸が一致するように矩形にパターン形成
されている。引き出し導体層１３は、ＭＲ素子１１の長
手方向に対して所定幅で切除されて、所定のトラック幅
を画定する。ＭＲ素子１１及びシャントバイアス層１
２、引き出し導体層１３は、２つの磁気シールド１５
ａ，１５ｂの間（再生ギャップに相当）に配置される
が、非磁性絶縁層１４を介して磁気シールド１５ａ，１
５ｂと電気的に絶縁されて、ＭＲヘッドが構成される。
また、センス電流Ｊは、引き出し導体層１３を通してＭ
Ｒ素子１１とシャントバイアス層１２に分流し、導体層
１３によって画定されるＭＲ素子１１のｐｇｒｓで囲ま
れる信号検出領域に流れる。
【０００６】これによって、シャントバイアス層１２に
分流する電流により発生する磁界ならびにＭＲ素子１１
と、シャントバイアス層１２を流れる電流が作る磁界の
よって磁化した磁気シールド１５ａ表面の磁化からの漏
洩磁界によって、ＭＲ素子１１が、信号領域で、ヘッド
の下をｘ軸方向に移動する記録媒体１６から入ってくる
信号磁界に対し線型動作し、この信号磁界に応じて発生
する、信号検出領域でのＭＲ素子１１の抵抗変化を電圧
ととして再生する。
分流する電流により発生する磁界ならびにＭＲ素子１１
と、シャントバイアス層１２を流れる電流が作る磁界の
よって磁化した磁気シールド１５ａ表面の磁化からの漏
洩磁界によって、ＭＲ素子１１が、信号領域で、ヘッド
の下をｘ軸方向に移動する記録媒体１６から入ってくる
信号磁界に対し線型動作し、この信号磁界に応じて発生
する、信号検出領域でのＭＲ素子１１の抵抗変化を電圧
ととして再生する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】記録媒体１６には、複
数の記録トラックが隣接しており、従来のＭＲヘッドで
は、信号検出領域の直下の記録トラックに隣接した記録
トラックからの信号磁界がＭＲ素子１１の引き出し導体
層接合部分を通って信号検出するサイドクロストークを
生じ、誤って情報を再生してしまうという問題があっ
た。
数の記録トラックが隣接しており、従来のＭＲヘッドで
は、信号検出領域の直下の記録トラックに隣接した記録
トラックからの信号磁界がＭＲ素子１１の引き出し導体
層接合部分を通って信号検出するサイドクロストークを
生じ、誤って情報を再生してしまうという問題があっ
た。
【０００８】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
サイドクロストークを低減して情報の誤再生を防止する
磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とする。
サイドクロストークを低減して情報の誤再生を防止する
磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
ヘッドは、一対の磁気シールドの間に配置された強磁性
体の磁気抵抗効果素子にシャントバイアス層を積層し、
かつ磁気抵抗効果素子の両端部分に引き出し導体層を積
層してセンス電流を流し、少なくとも該シャントバイア
ス層が発生する磁界により磁気抵抗効果素子にバイアス
磁界を印加する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵
抗効果素子に積層されたシャントバイアス層の両端部分
に引き出し導体層を接合させて積層し、一対の磁気シー
ルドの一方１５ｂに引き出し導体層を対向近接させて配
置している。
ヘッドは、一対の磁気シールドの間に配置された強磁性
体の磁気抵抗効果素子にシャントバイアス層を積層し、
かつ磁気抵抗効果素子の両端部分に引き出し導体層を積
層してセンス電流を流し、少なくとも該シャントバイア
ス層が発生する磁界により磁気抵抗効果素子にバイアス
磁界を印加する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵
抗効果素子に積層されたシャントバイアス層の両端部分
に引き出し導体層を接合させて積層し、一対の磁気シー
ルドの一方１５ｂに引き出し導体層を対向近接させて配
置している。
【００１０】
【作用】本発明においては、引き出し導体層を流れる電
流で発生する磁界で磁化された磁気シールドの漏洩磁界
により、磁気抵抗効果素子の引き出し導体層が積層され
た部分が大きなバイアス磁界を受けて磁気飽和し、隣接
トラックの信号磁界が磁気抵抗効果素子の信号検出領域
に混入することが低減される。
流で発生する磁界で磁化された磁気シールドの漏洩磁界
により、磁気抵抗効果素子の引き出し導体層が積層され
た部分が大きなバイアス磁界を受けて磁気飽和し、隣接
トラックの信号磁界が磁気抵抗効果素子の信号検出領域
に混入することが低減される。
【００１１】
【実施例】図１（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）夫々は本発明ヘ
ッドの第１実施例の断面図、斜視図、磁界形成図を示
す。同図中、図５と同一構成部分には同一符号を付す。
ッドの第１実施例の断面図、斜視図、磁界形成図を示
す。同図中、図５と同一構成部分には同一符号を付す。
【００１２】図１（Ａ），（Ｂ）において、ＭＲ素子１
１はその長手方向（ｙ軸方向）に磁化容易軸が一致する
よう矩形にパターン形成され、ＭＲ素子１１にはシャン
トバイアス層１２が積層されている。裏面にシャントバ
イアス層１２には引き出し導体層１３がＭＲ素子１１の
長手方向に対して所定幅で切除されてシャントバイアス
層１２の両端部に接合している。
１はその長手方向（ｙ軸方向）に磁化容易軸が一致する
よう矩形にパターン形成され、ＭＲ素子１１にはシャン
トバイアス層１２が積層されている。裏面にシャントバ
イアス層１２には引き出し導体層１３がＭＲ素子１１の
長手方向に対して所定幅で切除されてシャントバイアス
層１２の両端部に接合している。
【００１３】このＭＲ素子１１は図１（Ａ）に示す如く
引き出し導体層１３を磁気シールド１５ｂ側に近付けて
オフセット配置されている。
引き出し導体層１３を磁気シールド１５ｂ側に近付けて
オフセット配置されている。
【００１４】ここで、ＭＲ素子１１の引き出し導体層積
層部分は、センス電流の大部分が抵抗の低い引き出し導
体層１３を流れ、図１（Ｃ）に示す如く、ＭＲ素子１１
は引き出し導体層１３を流れる電流によって発生する磁
界Ｈ1 と磁気シールド１５ｂの表面の磁化から漏洩磁界
Ｈ2 によって大きなバイアス磁界を受け、−Ｚ方向に磁
気飽和する。ＭＲ素子１１のｐｇｒｓで囲まれる信号検
出領域はセンス電流がシャントバイアス層１２を流れて
発生する磁界により小さなバイアス磁界を受け記録体１
６から入ってくる信号磁界に対して線型動作する。図２
に上記ＭＲ素子１１の磁化状態を示す。
層部分は、センス電流の大部分が抵抗の低い引き出し導
体層１３を流れ、図１（Ｃ）に示す如く、ＭＲ素子１１
は引き出し導体層１３を流れる電流によって発生する磁
界Ｈ1 と磁気シールド１５ｂの表面の磁化から漏洩磁界
Ｈ2 によって大きなバイアス磁界を受け、−Ｚ方向に磁
気飽和する。ＭＲ素子１１のｐｇｒｓで囲まれる信号検
出領域はセンス電流がシャントバイアス層１２を流れて
発生する磁界により小さなバイアス磁界を受け記録体１
６から入ってくる信号磁界に対して線型動作する。図２
に上記ＭＲ素子１１の磁化状態を示す。
【００１５】このようにＭＲ素子１１の信号検出領域を
除く引き出し導体層積層部分を記録媒体１６より信号磁
界が入る方向の一Ｚ方向に磁気飽和させているため隣接
トラックからの信号磁界が信号検出領域に混入するサイ
ドクロストークを低減でき、誤再生を防止することがで
きる。
除く引き出し導体層積層部分を記録媒体１６より信号磁
界が入る方向の一Ｚ方向に磁気飽和させているため隣接
トラックからの信号磁界が信号検出領域に混入するサイ
ドクロストークを低減でき、誤再生を防止することがで
きる。
【００１６】図３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）夫々は本発明
ヘッドの第１実施例の断面図、斜視図、磁界形成図を示
す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付す。
ヘッドの第１実施例の断面図、斜視図、磁界形成図を示
す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付す。
【００１７】図３（Ａ），（Ｂ）において、引き出し導
体層１３のシャントバイアス層１２との接合面と逆の面
つまり磁気シールド対向面にはＭＲ素子積層位置に軟磁
性膜１７が接合されている。この軟磁性膜１７はＭＲ素
子１１に比してＭＲ効果が小なる材質で形成されてい
る。
体層１３のシャントバイアス層１２との接合面と逆の面
つまり磁気シールド対向面にはＭＲ素子積層位置に軟磁
性膜１７が接合されている。この軟磁性膜１７はＭＲ素
子１１に比してＭＲ効果が小なる材質で形成されてい
る。
【００１８】この場合、図３（Ｃ）に示す如く、ＭＲ素
子１１の引き出し導体層積層部は、引き出し導体層１３
を流れる電流で発生する磁界Ｈ1 と磁気シールド１５ｂ
表面の磁化からの漏洩磁界Ｈ2 に加えて、軟磁性膜１７
からの磁界Ｈ3 によって大きなバイアス磁界を受け、第
１実施例より少ないセンス電流で−ｚ方向に磁気飽和す
るという利点がある。
子１１の引き出し導体層積層部は、引き出し導体層１３
を流れる電流で発生する磁界Ｈ1 と磁気シールド１５ｂ
表面の磁化からの漏洩磁界Ｈ2 に加えて、軟磁性膜１７
からの磁界Ｈ3 によって大きなバイアス磁界を受け、第
１実施例より少ないセンス電流で−ｚ方向に磁気飽和す
るという利点がある。
【００１９】図４（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）夫々は本発明
ヘッドの第３実施例の断面図、斜視図、磁界形成図を示
す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付す。
ヘッドの第３実施例の断面図、斜視図、磁界形成図を示
す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付す。
【００２０】図４（Ａ），（Ｂ）において、引き出し導
体層１８は、第１、第２実施例と同一形状であるが、軟
磁性膜１７と同様にＭＲ素子１１に比してＭＲ効果の小
なる軟磁性材で形成されている。
体層１８は、第１、第２実施例と同一形状であるが、軟
磁性膜１７と同様にＭＲ素子１１に比してＭＲ効果の小
なる軟磁性材で形成されている。
【００２１】この場合、図４（Ｃ）に示す如く、ＭＲ素
子１１の引き出し導体層１８との積層部分はシャイント
バイアス層１２を流れる電流によって発生する磁界Ｈ1
と磁気シールド１５ｂ表面の磁化からの漏洩磁界Ｈ2 と
軟磁性の引き出し導体層からの磁界Ｈ4 によって大きな
バイアス磁界を受け、第１実施例より、少ないセンス電
流で−Ｚ方向に磁気飽和すると共に、第２実施例より簡
単な構造となる。
子１１の引き出し導体層１８との積層部分はシャイント
バイアス層１２を流れる電流によって発生する磁界Ｈ1
と磁気シールド１５ｂ表面の磁化からの漏洩磁界Ｈ2 と
軟磁性の引き出し導体層からの磁界Ｈ4 によって大きな
バイアス磁界を受け、第１実施例より、少ないセンス電
流で−Ｚ方向に磁気飽和すると共に、第２実施例より簡
単な構造となる。
【００２２】
【発明の効果】上述の如く、本発明の磁気抵抗効果型ヘ
ッドによれば、サイドクロストークを低減して情報の誤
再生を防止でき、実用上きわめて有用である。
ッドによれば、サイドクロストークを低減して情報の誤
再生を防止でき、実用上きわめて有用である。
【図１】本発明ヘッドの第１実施例を説明するための図
である。
である。
【図２】ＭＲ素子の磁化状態を示す図である。
【図３】本発明ヘッドの第２実施例を説明するための図
である。
である。
【図４】本発明ヘッドの第３実施例を説明するための図
である。
である。
【図５】従来ヘッドの一例を説明するための図である。
１１ ＭＲ素子 １２ シャントバイアス層 １３，１８ 引き出し導電層 １５ａ，１５ｂ 磁気シールド １６ 記録媒体 １７ 軟磁性膜
Claims (3)
- 【請求項１】 一対の磁気シールド（１５ａ，１５ｂ）
の間に配置された強磁性体の磁気抵抗効果素子（１１）
にシャントバイアス層（１２）を積層し、かつ該磁気抵
抗効果素子（１１）の両端部分に引き出し導体層（１
３）を積層してセンス電流を流し、少なくとも該シャン
トバイアス層（１２）が発生する磁界により該磁気抵抗
効果素子（１１）にバイアス磁界を印加する磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、 該磁気抵抗効果素子（１１）に積層されたシャントバイ
アス層（１２）の両端部分に引き出し導体層（１３）を
接合させて積層し、 該一対の磁気シールド（１５ａ，１５ｂ）の一方（１５
ｂ）に該引き出し導体層（１３）を対向近接させて配置
したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 該引き出し導体層（１３）の該磁気シー
ルド（１５ｂ）に対向する面に、該磁気抵抗効果素子
（１１）より磁気抵抗効果の小さな軟磁性膜を接合した
ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項３】 該磁気抵抗効果素子（１１）より磁気抵
抗効果の小さな軟磁性材料で引き出し導体層（１８）を
形成したことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果
型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20703791A JPH0546946A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20703791A JPH0546946A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0546946A true JPH0546946A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16533162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20703791A Withdrawn JPH0546946A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0546946A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
| US6061210A (en) * | 1997-09-22 | 2000-05-09 | International Business Machines Corporation | Antiparallel pinned spin valve with high magnetic stability |
-
1991
- 1991-08-19 JP JP20703791A patent/JPH0546946A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
| US5653013A (en) * | 1994-08-18 | 1997-08-05 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head |
| US6061210A (en) * | 1997-09-22 | 2000-05-09 | International Business Machines Corporation | Antiparallel pinned spin valve with high magnetic stability |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |