JP3394549B2 - ホリゾンタル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
ホリゾンタル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP3394549B2 JP3394549B2 JP28197492A JP28197492A JP3394549B2 JP 3394549 B2 JP3394549 B2 JP 3394549B2 JP 28197492 A JP28197492 A JP 28197492A JP 28197492 A JP28197492 A JP 28197492A JP 3394549 B2 JP3394549 B2 JP 3394549B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、
磁気ディスク装置に使用しうるホリゾンタル磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドに関する。
磁気ディスク装置に使用しうるホリゾンタル磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】近年、磁気ディスク装置が小型化してきて
おり、これに伴って、磁気ディスクは径が1.8 インチ程
度にまで小さくなってきている。
おり、これに伴って、磁気ディスクは径が1.8 インチ程
度にまで小さくなってきている。
【０００３】磁気ディスクが小径となると、周速が低下
する。そこで、再生出力が周速に依存しない磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドが注目されてきている。
する。そこで、再生出力が周速に依存しない磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドが注目されてきている。
【０００４】また、磁気ディスク装置の小型化に伴い、
スライダについては、軽量化のために厚さを薄くするこ
とが求められている。
スライダについては、軽量化のために厚さを薄くするこ
とが求められている。
【０００５】スライダの厚さを薄くすることに伴って、
薄膜パターンをスライダの側面に形成することが困難と
なり、薄膜のパターンをスライダのうち磁気ディスクに
対向する面に設けた、ホリゾンタルヘッド（又はプレー
ナ・ヘッド）が注目されてきている。
薄膜パターンをスライダの側面に形成することが困難と
なり、薄膜のパターンをスライダのうち磁気ディスクに
対向する面に設けた、ホリゾンタルヘッド（又はプレー
ナ・ヘッド）が注目されてきている。
【０００６】
【従来の技術】図１０は従来のホリゾンタル磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド１を示す。
果型薄膜磁気ヘッド１を示す。
【０００７】２は再生ヘッド部、３は記録ヘッド部であ
り、スライダ４の下面に形成してある。
り、スライダ４の下面に形成してある。
【０００８】５は磁気ディスクに対向する面である。
【０００９】再生ヘッド部２は、図１１に拡大して併せ
て示すように、磁極６がギャップ部７を形成し、磁気抵
抗効果（ＭＲ）素子８が、絶縁層９を介して、ギャップ
部７の裏側部１０（ギャップの深さ方向上最も深い位
置）に対向した構成である。
て示すように、磁極６がギャップ部７を形成し、磁気抵
抗効果（ＭＲ）素子８が、絶縁層９を介して、ギャップ
部７の裏側部１０（ギャップの深さ方向上最も深い位
置）に対向した構成である。
【００１０】ギャップ部７のギャップ長は深さ方向上一
定であり、面５側である表側部１１のギャップ長を
ｌ1 ，裏側部１０のギャップ長をｌ2 とすると、ｌ2 ＝
ｌ1 である。
定であり、面５側である表側部１１のギャップ長を
ｌ1 ，裏側部１０のギャップ長をｌ2 とすると、ｌ2 ＝
ｌ1 である。
【００１１】再生ヘッド部２において、ギャップ部７が
磁気ディスク（図示せず）から磁束を取り込み、磁束が
符号１２で示すように流れ、ＭＲ素子８が磁束を検出し
て抵抗が変化し、再生信号が電圧変化して取り出され
る。
磁気ディスク（図示せず）から磁束を取り込み、磁束が
符号１２で示すように流れ、ＭＲ素子８が磁束を検出し
て抵抗が変化し、再生信号が電圧変化して取り出され
る。
【００１２】記録ヘッド部３は、磁極１５がギャップ部
１６を形成し、磁極１５に関してコイル１７が設けられ
た構成である。
１６を形成し、磁極１５に関してコイル１７が設けられ
た構成である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】現在、記録の高密度化
が進んでいる。高密度に記録された信号を再生するに
は、図１１中、表側部１１のギャップ長ｌ1 を短くし
て、分解能を上げる必要がある。
が進んでいる。高密度に記録された信号を再生するに
は、図１１中、表側部１１のギャップ長ｌ1 を短くし
て、分解能を上げる必要がある。
【００１４】しかし、ギャップ長ｌ1 を短くすると、ギ
ャップ長ｌ2 も短くなり、ＭＲ素子８の磁束を検知する
センス領域２０（ＭＲ素子８のうちギャップ部７に対向
する部分）が狭くなる。この結果、再生出力が低くなっ
てしまう。
ャップ長ｌ2 も短くなり、ＭＲ素子８の磁束を検知する
センス領域２０（ＭＲ素子８のうちギャップ部７に対向
する部分）が狭くなる。この結果、再生出力が低くなっ
てしまう。
【００１５】即ち、上記の従来の薄膜磁気ヘッド１で
は、高密度に記録された信号を再生することへの対応が
難しかった。
は、高密度に記録された信号を再生することへの対応が
難しかった。
【００１６】そこで、本発明は、狭ギャップであるにも
拘らずＭＲ素子のセンス領域を拡大して、高密度記録信
号を良好な感度で再生可能としたホリゾンタル磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
拘らずＭＲ素子のセンス領域を拡大して、高密度記録信
号を良好な感度で再生可能としたホリゾンタル磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、記録
媒体対向面側より、磁極、絶縁層、磁気抵抗効果素子の
順で並んでおり、該磁極がその対向する端面の間にギャ
ップ部を形成し、該磁気抵抗効果素子が上記絶縁層を介
して上記ギャップ部の裏側部と接近して対向する構成の
ホリゾンタル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、
上記ギャップ部は、上記裏側部のギャップ長が上記記録
媒体対向面側である表側部のギャップ長より長いギャッ
プ部を有する構成であり、 上記磁気抵抗効果素子は、上
記裏側部のギャップ長より長い長さを有し、上記ギャッ
プ部の裏側部をまたいでおり、且つその両側の端部が磁
極のうちその端面の近くの部分に対向した構成としたも
のである。
媒体対向面側より、磁極、絶縁層、磁気抵抗効果素子の
順で並んでおり、該磁極がその対向する端面の間にギャ
ップ部を形成し、該磁気抵抗効果素子が上記絶縁層を介
して上記ギャップ部の裏側部と接近して対向する構成の
ホリゾンタル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、
上記ギャップ部は、上記裏側部のギャップ長が上記記録
媒体対向面側である表側部のギャップ長より長いギャッ
プ部を有する構成であり、 上記磁気抵抗効果素子は、上
記裏側部のギャップ長より長い長さを有し、上記ギャッ
プ部の裏側部をまたいでおり、且つその両側の端部が磁
極のうちその端面の近くの部分に対向した構成としたも
のである。
【００１８】請求項２の発明は、記録媒体対向面側よ
り、磁極、絶縁層、磁気抵抗効果素子の順で並んでお
り、該磁極がその対向する端面の間にギャップ部を形成
し、該磁気抵抗効果素子が上記絶縁層を介して上記ギャ
ップ部の裏側部と接近して対向する構成のホリゾンタル
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記ギャップ
部は、上記裏側部のギャップ長が上記記録媒体対向面側
である表側部のギャップ長より長く、且つ上記裏側部の
トラック幅方向長さが上記表側部のトラック幅より長い
ギャップ部を有する構成であり、 上記磁気抵抗効果素子
は、上記裏側部のギャップ長より長い長さを有し、上記
ギャップ部の裏側部をまたいでおり、且つその両側の端
部が磁極のうちその端面の近くの部分に対向した構成と
したものである。
り、磁極、絶縁層、磁気抵抗効果素子の順で並んでお
り、該磁極がその対向する端面の間にギャップ部を形成
し、該磁気抵抗効果素子が上記絶縁層を介して上記ギャ
ップ部の裏側部と接近して対向する構成のホリゾンタル
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記ギャップ
部は、上記裏側部のギャップ長が上記記録媒体対向面側
である表側部のギャップ長より長く、且つ上記裏側部の
トラック幅方向長さが上記表側部のトラック幅より長い
ギャップ部を有する構成であり、 上記磁気抵抗効果素子
は、上記裏側部のギャップ長より長い長さを有し、上記
ギャップ部の裏側部をまたいでおり、且つその両側の端
部が磁極のうちその端面の近くの部分に対向した構成と
したものである。
【００１９】
【作用】請求項１のギャップ部は、表側部のギャップ長
を短くしたままで、磁気抵抗効果素子のセンス領域をギ
ャップ長方向に拡げるように作用する。
を短くしたままで、磁気抵抗効果素子のセンス領域をギ
ャップ長方向に拡げるように作用する。
【００２０】請求項２のギャップ部は、表側部のギャッ
プ長を短くしたままで、磁気抵抗効果素子のセンス領域
をギャップ長方向及びトラック幅方向の二つの方向に拡
げるように作用する。
プ長を短くしたままで、磁気抵抗効果素子のセンス領域
をギャップ長方向及びトラック幅方向の二つの方向に拡
げるように作用する。
【００２１】
【実施例】図１乃至図４は、本発明の第１実施例になる
ホリゾンタル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド３０を上下
反転した状態で示す。
ホリゾンタル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド３０を上下
反転した状態で示す。
【００２２】図１中、３１はスライダである。
【００２３】３２は磁気ディスク（図示せず）に対向す
る磁気ディスク対向面である。
る磁気ディスク対向面である。
【００２４】磁気ディスク対向面３２から順に、帯状の
磁極３３，絶縁層３４，磁気抵抗効果（ＭＲ）素子３
５，絶縁層３６，コイル３７，絶縁層３８，及び磁極３
３と磁気的に結合されたリターン磁極３９が並んでい
る。
磁極３３，絶縁層３４，磁気抵抗効果（ＭＲ）素子３
５，絶縁層３６，コイル３７，絶縁層３８，及び磁極３
３と磁気的に結合されたリターン磁極３９が並んでい
る。
【００２５】磁極３３の端面４０，４１間にギャップ部
４２が形成してある。
４２が形成してある。
【００２６】ＭＲ素子３５は、ギャップ部４２の裏面に
対向している。
対向している。
【００２７】図３に示すように、ＭＲ素子３５の裏面に
は、シャントバイアス用のＴｉ導体層４３が設けてあ
る。
は、シャントバイアス用のＴｉ導体層４３が設けてあ
る。
【００２８】図２中、４４，４５は引出し導体である。
【００２９】磁極３３，３８，ギャップ部４２，及びコ
イル３７が、記録ヘッド部４６を構成する。
イル３７が、記録ヘッド部４６を構成する。
【００３０】磁極３３，ギャップ部４２及びＭＲ素子３
５が、再生ヘッド部４７を構成する。
５が、再生ヘッド部４７を構成する。
【００３１】記録ヘッド部４６と再生ヘッド部４７と
は、ギャップ部４２を共通としている。
は、ギャップ部４２を共通としている。
【００３２】次に、本発明の要部であるギャップ部付近
の構造について説明する。
の構造について説明する。
【００３３】図２中、Ｘはギャップ長の方向、Ｙはトラ
ック幅の方向である。
ック幅の方向である。
【００３４】図２及び図３に示すように、端面４０は、
磁気ディスク対向面３２に対して垂直な面５０に対して
時計方向に角度θ傾斜した面である。
磁気ディスク対向面３２に対して垂直な面５０に対して
時計方向に角度θ傾斜した面である。
【００３５】端面４１は、上記面５０に対して反時計方
向に角度θ傾斜した面である。
向に角度θ傾斜した面である。
【００３６】５１は、ギャップ部４２のうち磁気ディス
ク対向面３２側であるところの表側部である。５２はギ
ャップ部４２の裏側部であり、磁気ディスク対向面３２
側とは反対側である。
ク対向面３２側であるところの表側部である。５２はギ
ャップ部４２の裏側部であり、磁気ディスク対向面３２
側とは反対側である。
【００３７】表側部５１のギャップ長ｌ10が記録再生で
きる信号の最大周波数を決定する。
きる信号の最大周波数を決定する。
【００３８】ギャップ長ｌ10は、高密度記録再生が可能
であるように、極く狭く定めてある。
であるように、極く狭く定めてある。
【００３９】端面４０，４１は、ギャップ深さ方向に向
かって末広がりのテーパ状となっており、ギャップ部４
２はギャップ長がギャップ深さが大となるにつれて増え
る形状である。
かって末広がりのテーパ状となっており、ギャップ部４
２はギャップ長がギャップ深さが大となるにつれて増え
る形状である。
【００４０】裏面部５２のギャップ長ｌ11は、上記ギャ
ップ長ｌ10の約５倍と長い。即ち、ｌ11＞ｌ10である。
ップ長ｌ10の約５倍と長い。即ち、ｌ11＞ｌ10である。
【００４１】矩形状（ａ×ｂ）のＭＲ素子３５は、寸法
ａが、ａ＞ｌ11に定めてあり、ギャップ部４２の裏側部
５２をまたいで、且つ端３５ａ，３５ｂがギャップ部４
２の裏側部５２を越えて磁極３３に対向している。
ａが、ａ＞ｌ11に定めてあり、ギャップ部４２の裏側部
５２をまたいで、且つ端３５ａ，３５ｂがギャップ部４
２の裏側部５２を越えて磁極３３に対向している。
【００４２】３５ｃ，３５ｄが磁極３３に対向する磁極
対向部である。
対向部である。
【００４３】再生時、磁気ディスクからの磁束は、矢印
５３で示すように流れる。
５３で示すように流れる。
【００４４】磁極対向部３５ｃ，３５ｄは、磁束５３を
拾い易くするように機能する。
拾い易くするように機能する。
【００４５】ＭＲ素子３５のうち、磁束５３が流れる領
域がセンス領域５４である。
域がセンス領域５４である。
【００４６】センス領域５４は、従来のものに比べて、
ギャップ長方向Ｘに大幅に拡張されている。センス領域
５４の寸法ａ1 は、ａ1 ≒ｌ11である。
ギャップ長方向Ｘに大幅に拡張されている。センス領域
５４の寸法ａ1 は、ａ1 ≒ｌ11である。
【００４７】センス領域５４が拡張された分、従来に比
べて、ＭＲ素子３５の抵抗変化は大きい。
べて、ＭＲ素子３５の抵抗変化は大きい。
【００４８】また、ＭＲ素子３５の検出幅寸法ｂは、ト
ラック幅（磁極３３の幅）Ｗ10より若干小さくしてあ
り、図４に示すように、ＭＲ素子３５の矢印Ｙ方向上の
端３５ｅ，３５ｇは、磁極３３の側面３３ａ，３３ｂよ
り内側に寸法ｃ後退している。磁気ディスクへの記録
は、図１中、コイル３７に信号を加えて、ギャップ部４
２を利用して行われる。
ラック幅（磁極３３の幅）Ｗ10より若干小さくしてあ
り、図４に示すように、ＭＲ素子３５の矢印Ｙ方向上の
端３５ｅ，３５ｇは、磁極３３の側面３３ａ，３３ｂよ
り内側に寸法ｃ後退している。磁気ディスクへの記録
は、図１中、コイル３７に信号を加えて、ギャップ部４
２を利用して行われる。
【００４９】磁気ディスクからの信号の再生は、引出し
導体４４，４５を通してＭＲ素子３５にセンス電流を流
し、同じくギャップ部４２を利用して行われる。
導体４４，４５を通してＭＲ素子３５にセンス電流を流
し、同じくギャップ部４２を利用して行われる。
【００５０】上記の磁気ヘッド３０は、以下に述べる特
性を有する。
性を有する。
【００５１】 表側部５１のギャップ長ｌ10が短いた
め、信号の高密度記録が可能であり、且つ高密度記録さ
れた信号の再生が可能である。
め、信号の高密度記録が可能であり、且つ高密度記録さ
れた信号の再生が可能である。
【００５２】 センス領域５４が拡張された分、従来
に比べて再生感度が向上し、従来に比べて高い電圧レベ
ルで信号を再生することが可能である。
に比べて再生感度が向上し、従来に比べて高い電圧レベ
ルで信号を再生することが可能である。
【００５３】 ギャップ部４２が共通であるため。ヨ
ー角が変化してもトラック位置ずれが発生せず、ヨー角
損失が零である。
ー角が変化してもトラック位置ずれが発生せず、ヨー角
損失が零である。
【００５４】 ＭＲ素子３５が磁極３３の側面３３
ａ，３３ｂより内側に後退しているため、サイドクロス
トークを抑えることが出来る。
ａ，３３ｂより内側に後退しているため、サイドクロス
トークを抑えることが出来る。
【００５５】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。
る。
【００５６】以下の実施例は、ギャップ部付近について
のみ説明する。
のみ説明する。
【００５７】図５の薄膜磁気ヘッド３０Ａは、ギャップ
部４２Ａを有する。
部４２Ａを有する。
【００５８】ギャップ部４２Ａは、表側部５１寄りの部
分に、ギャップ深さ方向に寸法ｄに亘って、ギャップ長
がｌ10であり一定であるギャップ長一定部分６０を有す
る。
分に、ギャップ深さ方向に寸法ｄに亘って、ギャップ長
がｌ10であり一定であるギャップ長一定部分６０を有す
る。
【００５９】ギャップ部４２Ａは、ギャップ長一定部分
６０より裏側部５２側は、端面４０Ａ，４１Ａによって
定まるテーパ状に広がった形状となっている。
６０より裏側部５２側は、端面４０Ａ，４１Ａによって
定まるテーパ状に広がった形状となっている。
【００６０】この磁気ヘッド３０Ａは、製造時に、面３
２を研磨したときに、研磨によってもギャップ長ｌ10は
変化せず、製造し易い。
２を研磨したときに、研磨によってもギャップ長ｌ10は
変化せず、製造し易い。
【００６１】図６及び図７の薄膜磁気ヘッド３０Ｂは、
ギャップ部４２Ｂを有する。
ギャップ部４２Ｂを有する。
【００６２】磁極３３Ｂは、テーパ状の側面６５を有
し、裏面側はトラック幅方向に拡がっている。
し、裏面側はトラック幅方向に拡がっている。
【００６３】面４０と４１とによって、裏側部のギャッ
プ長がｌ11（＞ｌ10）となっている。
プ長がｌ11（＞ｌ10）となっている。
【００６４】両側のテーパ状の側面６５によって、ギャ
ップ部４２Ｂの裏側部のトラック幅方向長さはｗ11（＞
ｗ10）となる。これにより、ＭＲ素子３５Ａの寸法ｂ1
は、ｂ1 ＞ｂとしてある。
ップ部４２Ｂの裏側部のトラック幅方向長さはｗ11（＞
ｗ10）となる。これにより、ＭＲ素子３５Ａの寸法ｂ1
は、ｂ1 ＞ｂとしてある。
【００６５】これにより、ＭＲ素子３５Ａのセンス領域
５４ＡがＸ方向に加えて、Ｙ方向にも拡大されている。
５４ＡがＸ方向に加えて、Ｙ方向にも拡大されている。
【００６６】この磁気ヘッド３０Ｂは、上記の磁気ヘッ
ド３０に比べて再生感度が高い。
ド３０に比べて再生感度が高い。
【００６７】図８の薄膜磁気ヘッド３０Ｃは、磁極３３
Ｃ及びギャップ部４２Ｃを有する。
Ｃ及びギャップ部４２Ｃを有する。
【００６８】磁極３３Ｃは、幅がＷ11の下側の磁極部７
０と、幅がｗ10であり、磁極部７０の上側の中央に積層
された磁極部７１とよりなる。
０と、幅がｗ10であり、磁極部７０の上側の中央に積層
された磁極部７１とよりなる。
【００６９】磁極部７０の端面７２，及び磁極部７１の
端面７３は、共に、面３２に対して垂直な面である。
端面７３は、共に、面３２に対して垂直な面である。
【００７０】磁極部７０は、ギャップ長がｌ11となるよ
うに形成してある。
うに形成してある。
【００７１】磁極部７１は、ギャップ長がｌ10となるよ
うに形成してある。
うに形成してある。
【００７２】ギャップ部４２Ｃは、図９に示すように、
階段状をなし、表側部５１のギャップ長がｌ10、裏面側
のギャップ長がｌ11の形状を有する。
階段状をなし、表側部５１のギャップ長がｌ10、裏面側
のギャップ長がｌ11の形状を有する。
【００７３】この磁極部７０，７１は、先の実施例のよ
うにテーパ状に形成する必要がないため、形成し易い。
うにテーパ状に形成する必要がないため、形成し易い。
【００７４】また、上記の磁気ヘッド３０Ｃにおいて
も、ＭＲ素子３５Ａのセンス領域５４ＡはＸ方向及びＹ
方向に拡張されており、図６の磁気ヘッド３０Ｂと同等
の特性を有する。
も、ＭＲ素子３５Ａのセンス領域５４ＡはＸ方向及びＹ
方向に拡張されており、図６の磁気ヘッド３０Ｂと同等
の特性を有する。
【００７５】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、信号が高密度記録された記録媒体を良好な再生感
度で再生することが出来る。
れば、信号が高密度記録された記録媒体を良好な再生感
度で再生することが出来る。
【００７６】請求項２の発明によれば、信号が高密度記
録された記録媒体を、請求項１の磁気ヘッドに比べて更
に良好な再生感度で再生することが出来る。
録された記録媒体を、請求項１の磁気ヘッドに比べて更
に良好な再生感度で再生することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例になるホリゾンタル磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドを示す図である。
抗効果型薄膜磁気ヘッドを示す図である。
【図２】図１中、ギャップ部付近を拡大して示す斜視図
である。
である。
【図３】ギャップ部付近の拡大正面図である。
【図４】ギャップ部付近の平面図である。
【図５】本発明の第２実施例になる薄膜磁気ヘッドのギ
ャップ部付近を拡大して示す図である。
ャップ部付近を拡大して示す図である。
【図６】本発明の第３実施例になる薄膜磁気ヘッドのギ
ャップ部付近を拡大して示す斜視図である。
ャップ部付近を拡大して示す斜視図である。
【図７】図６のギャップ部付近の平面図である。
【図８】本発明の第４実施例になる薄膜磁気ヘッドのギ
ャップ部付近を示す斜視図である。
ャップ部付近を示す斜視図である。
【図９】図８のギャップ部付近の形状を示す図である。
【図１０】従来の薄膜磁気ヘッドの１例を示す図であ
る。
る。
【図１１】図１０中、再生ヘッド部を拡大して示す図で
ある。
ある。
３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ ホリゾンタル磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッド ３１ スライダ ３２ 磁気ディスク対向面 ３３，３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ 磁極 ３４，３６，３８ 絶縁層 ３５ 磁気抵抗効果（ＭＲ）素子 ３７ コイル ３９ リターン磁極 ４０，４０Ａ，４１，４１Ａ，７２，７３ 端面 ４２，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ ギャップ部 ４３ Ｔｉ導体層 ４４，４５ 引出し導体 ４６ 記録ヘッド部 ４７ 再生ヘッド部 ５１ 表側部 ５２ 裏側部 ５３ 磁束 ５４，５４Ａ センス領域 ６０ ギャップ長一定部分 ６５ テーパ状側面 ７０ 下側の磁極部 ７１ 上側の磁極部
効果型薄膜磁気ヘッド ３１ スライダ ３２ 磁気ディスク対向面 ３３，３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ 磁極 ３４，３６，３８ 絶縁層 ３５ 磁気抵抗効果（ＭＲ）素子 ３７ コイル ３９ リターン磁極 ４０，４０Ａ，４１，４１Ａ，７２，７３ 端面 ４２，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ ギャップ部 ４３ Ｔｉ導体層 ４４，４５ 引出し導体 ４６ 記録ヘッド部 ４７ 再生ヘッド部 ５１ 表側部 ５２ 裏側部 ５３ 磁束 ５４，５４Ａ センス領域 ６０ ギャップ長一定部分 ６５ テーパ状側面 ７０ 下側の磁極部 ７１ 上側の磁極部
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/39
G11B 5/23
Claims (2)
- 【請求項１】 記録媒体対向面側より、磁極、絶縁層、
磁気抵抗効果素子の順で並んでおり、該磁極がその対向
する端面の間にギャップ部を形成し、該磁気抵抗効果素
子が上記絶縁層を介して上記ギャップ部の裏側部と接近
して対向する構成のホリゾンタル磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドにおいて、上記ギャップ部は、上記裏 側部のギャップ長が上記記録
媒体対向面側である表側部のギャップ長より長いギャッ
プ部を有する構成であり、 上記磁気抵抗効果素子は、上記裏側部のギャップ長より
長い長さを有し、上記ギャップ部の裏側部をまたいでお
り、且つその両側の端部が磁極のうちその端面の近くの
部分に対向した 構成としたことを特徴とするホリゾンタ
ル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 記録媒体対向面側より、磁極、絶縁層、
磁気抵抗効果素子の順で並んでおり、該磁極がその対向
する端面の間にギャップ部を形成し、該磁気抵抗効果素
子が上記絶縁層を介して上記ギャップ部の裏側部と接近
して対向する構成のホリゾンタル磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドにおいて、上記ギャップ部は、上記裏 側部のギャップ長が上記記録
媒体対向面側である表側部のギャップ長より長く、且つ
上記裏側部のトラック幅方向長さが上記表側部のトラッ
ク幅より長いギャップ部を有する構成であり、 上記磁気抵抗効果素子は、上記裏側部のギャップ長より
長い長さを有し、上記ギャップ部の裏側部をまたいでお
り、且つその両側の端部が磁極のうちその端面の近くの
部分に対向した 構成としたことを特徴とするホリゾンタ
ル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP28197492A JP3394549B2 (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | ホリゾンタル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28197492A JP3394549B2 (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | ホリゾンタル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06131635A JPH06131635A (ja) | 1994-05-13 |
| JP3394549B2 true JP3394549B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=17646496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28197492A Expired - Fee Related JP3394549B2 (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | ホリゾンタル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3394549B2 (ja) |
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- 1992-10-20 JP JP28197492A patent/JP3394549B2/ja not_active Expired - Fee Related
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