JPH0375925B2 - - Google Patents
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- JPH0375925B2 JPH0375925B2 JP57050586A JP5058682A JPH0375925B2 JP H0375925 B2 JPH0375925 B2 JP H0375925B2 JP 57050586 A JP57050586 A JP 57050586A JP 5058682 A JP5058682 A JP 5058682A JP H0375925 B2 JPH0375925 B2 JP H0375925B2
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 49
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記憶媒体に書き込まれた磁気的情
報を、いわゆる磁気抵抗効果を利用して読み出し
を行う強磁性磁気抵抗効果素子（以下、MR素子
と称す）を備えた磁気抵抗効果ヘツド（以下、
MRヘツドと称す）に関する。
報を、いわゆる磁気抵抗効果を利用して読み出し
を行う強磁性磁気抵抗効果素子（以下、MR素子
と称す）を備えた磁気抵抗効果ヘツド（以下、
MRヘツドと称す）に関する。
MRヘツドは、磁気記録における記録密度の向
上に大きく貢献するものとして注目されている。
しかし、周知の如く、MR素子を高効率の再生用
ヘツドとして用いる場合には何等かのバイアス手
段が必要である。第１図ａに示す様に、MR素子
１の電気抵抗Ｒはその中を流れる電流（センス電
流）ＩとMR素子自身の磁化Ｍのなす角をθとす
ると Ｒ＝R0−ΔR0sin2θ ……(1) の形で変化する。ここでR0はセンス電流Ｉと磁
化Ｍのなす角θがゼロのときのMR素子１の電気
抵抗で、R0−ΔR0はθが90度のときの電気抵抗
である。更に、MR素子１の磁化容易軸E.Aが図
示する如くセンス電流Ｉと平行であれば、(1)式に
よつて外部磁場Heの強度が、磁化容易軸E.Aと
直交方向に変化すると、同図ｂに示す様なMR素
子１の抵抗変化Ａが得られる。こう言つた曲線上
で磁気記録媒体からの微小信号磁界HsをMR素
子の抵抗変化に変換する際、再生感度及び出力を
高めるため、予めセンス電流Ｉと磁化Ｍのなす角
θを略45度に設定する必要がある。これが前述の
バイアス手段である。
上に大きく貢献するものとして注目されている。
しかし、周知の如く、MR素子を高効率の再生用
ヘツドとして用いる場合には何等かのバイアス手
段が必要である。第１図ａに示す様に、MR素子
１の電気抵抗Ｒはその中を流れる電流（センス電
流）ＩとMR素子自身の磁化Ｍのなす角をθとす
ると Ｒ＝R0−ΔR0sin2θ ……(1) の形で変化する。ここでR0はセンス電流Ｉと磁
化Ｍのなす角θがゼロのときのMR素子１の電気
抵抗で、R0−ΔR0はθが90度のときの電気抵抗
である。更に、MR素子１の磁化容易軸E.Aが図
示する如くセンス電流Ｉと平行であれば、(1)式に
よつて外部磁場Heの強度が、磁化容易軸E.Aと
直交方向に変化すると、同図ｂに示す様なMR素
子１の抵抗変化Ａが得られる。こう言つた曲線上
で磁気記録媒体からの微小信号磁界HsをMR素
子の抵抗変化に変換する際、再生感度及び出力を
高めるため、予めセンス電流Ｉと磁化Ｍのなす角
θを略45度に設定する必要がある。これが前述の
バイアス手段である。
従来、MR素子のセンス電流Ｉと磁化Ｍとのな
す角θを略45度に設定するためのバイアス方法と
して各種のものが提案されている。第２図はコン
ダクタバイアス法と称するもので、MR素子１に
近接対抗して、或いは、接触させて電気的良導体
（バイアスコンダクタ）２を配置し、バイアスコ
ンダクタ２に電流を流すことによつて発生する磁
化容易軸E.Aと直交した磁界をバイアス磁界Hb
とし、このバイアス磁界Hbにより磁化ＭをMR
素子１の長手方向に流れるセンス電流Ｉの方向に
対して45度の角度に設定する手法である。しか
し、この手法は、バイアスコンダクタ２に比較的
大電流を流す必要があり、従つて、MR素子１の
電気抵抗が熱的ドリフトを起し、かつ熱雑音の原
因にもなつていた。更に、センス電流Ｉと磁化Ｍ
のなす角度θを厳密に45度に設定する必要性から
バイアスコンダクタ２の電流値の調整が煩雑であ
つた。又、バイアスコンダクタ２に変えてハード
膜バイアス法と称する、磁気的にハードな磁性体
をMR素子１に近接対抗（或いは、接触）させ
て、バイアス磁界Hbを得る方法も公知であるが、
この手法も先のコンダクタバイアス法と同様、角
度θを厳密に45度に設定するのが困難であつた。
更に前述の２つの公知例ではバイアス磁界Hbが
比較的大きな値が要求されるため、磁気記憶媒体
上の情報がこのバイアス磁界Hbによつて変化す
る恐れがあつた。
す角θを略45度に設定するためのバイアス方法と
して各種のものが提案されている。第２図はコン
ダクタバイアス法と称するもので、MR素子１に
近接対抗して、或いは、接触させて電気的良導体
（バイアスコンダクタ）２を配置し、バイアスコ
ンダクタ２に電流を流すことによつて発生する磁
化容易軸E.Aと直交した磁界をバイアス磁界Hb
とし、このバイアス磁界Hbにより磁化ＭをMR
素子１の長手方向に流れるセンス電流Ｉの方向に
対して45度の角度に設定する手法である。しか
し、この手法は、バイアスコンダクタ２に比較的
大電流を流す必要があり、従つて、MR素子１の
電気抵抗が熱的ドリフトを起し、かつ熱雑音の原
因にもなつていた。更に、センス電流Ｉと磁化Ｍ
のなす角度θを厳密に45度に設定する必要性から
バイアスコンダクタ２の電流値の調整が煩雑であ
つた。又、バイアスコンダクタ２に変えてハード
膜バイアス法と称する、磁気的にハードな磁性体
をMR素子１に近接対抗（或いは、接触）させ
て、バイアス磁界Hbを得る方法も公知であるが、
この手法も先のコンダクタバイアス法と同様、角
度θを厳密に45度に設定するのが困難であつた。
更に前述の２つの公知例ではバイアス磁界Hbが
比較的大きな値が要求されるため、磁気記憶媒体
上の情報がこのバイアス磁界Hbによつて変化す
る恐れがあつた。
又、他の公知例（図示せず）として、MR素子
の長手方向に流すセンス電流Ｉに対して、始めか
らMR素子の磁化容易軸を45度に設定する手法が
ある。しかし、この手法はMR素子の自らの形状
異方性のため磁化Ｍの方向は厳密に磁化容易軸に
一致させることが困難で、再現性もなかつた。
の長手方向に流すセンス電流Ｉに対して、始めか
らMR素子の磁化容易軸を45度に設定する手法が
ある。しかし、この手法はMR素子の自らの形状
異方性のため磁化Ｍの方向は厳密に磁化容易軸に
一致させることが困難で、再現性もなかつた。
一方、前２者の公知例で示したMR素子の磁化
Ｍがセンス電流Ｉに対して略45度に偏向される手
法とは対照的に、第３図、第４図はセンス電流Ｉ
を磁化Ｍに対して略45度に偏向させる公知例であ
る。第３図はMR素子１に磁化容易軸E.A方向に
対し略45度の角度をなすスリツトを多数形成し、
電流の通路を変化させる方法である。しかし、こ
の手法も、前述のMR素子１の自らの形状異方性
により、磁化Ｍは、磁化容易軸E.Aと平行になら
ず、ほとんどセンス電流Ｉと平行な方向をなし、
結局、磁化Ｍとセンス電流Ｉとを略45度に保つに
は困難であつた。以上、述べた従来のバイアス法
の難点を解決するものとして第４図に示すバーバ
ーポール（Barber Pole）型MR素子が注目を集
めている。バーバーポール型MR素子は図示する
如く、MR素子１の磁化容易軸E.Aに対して略45
度の角度をなして多数の短冊状電気的良導体３を
MR素子１に接触させ、MR素子１を通るセンス
電流Ｉを磁化Ｍと略45度に設定せしめるものであ
る。しかし、かかる構造では、多数の短冊状電気
的良導体３の存在により、MR素子１の全体的な
電気抵抗の低下を招き、更に信号磁界の有効的な
検出領域が減少し、結局出力が低下するという欠
点を免れ得ないものであつた。
Ｍがセンス電流Ｉに対して略45度に偏向される手
法とは対照的に、第３図、第４図はセンス電流Ｉ
を磁化Ｍに対して略45度に偏向させる公知例であ
る。第３図はMR素子１に磁化容易軸E.A方向に
対し略45度の角度をなすスリツトを多数形成し、
電流の通路を変化させる方法である。しかし、こ
の手法も、前述のMR素子１の自らの形状異方性
により、磁化Ｍは、磁化容易軸E.Aと平行になら
ず、ほとんどセンス電流Ｉと平行な方向をなし、
結局、磁化Ｍとセンス電流Ｉとを略45度に保つに
は困難であつた。以上、述べた従来のバイアス法
の難点を解決するものとして第４図に示すバーバ
ーポール（Barber Pole）型MR素子が注目を集
めている。バーバーポール型MR素子は図示する
如く、MR素子１の磁化容易軸E.Aに対して略45
度の角度をなして多数の短冊状電気的良導体３を
MR素子１に接触させ、MR素子１を通るセンス
電流Ｉを磁化Ｍと略45度に設定せしめるものであ
る。しかし、かかる構造では、多数の短冊状電気
的良導体３の存在により、MR素子１の全体的な
電気抵抗の低下を招き、更に信号磁界の有効的な
検出領域が減少し、結局出力が低下するという欠
点を免れ得ないものであつた。
本発明の目的は、前記、従来の欠点を解決した
磁気抵抗効果ヘツドを提供することである。
磁気抵抗効果ヘツドを提供することである。
本発明は、１個または複数個の相互に平行で直
線的な凹凸を設けた絶縁性基板材上にMR素子を
設け、前記MR素子を流れる電流が前記直線的な
凹凸部の境界線に対し最小30度から最大60度の範
囲の角度を成すことを特徴とする。
線的な凹凸を設けた絶縁性基板材上にMR素子を
設け、前記MR素子を流れる電流が前記直線的な
凹凸部の境界線に対し最小30度から最大60度の範
囲の角度を成すことを特徴とする。
即ち、本発明の原理は、MR素子の形状異方性
を利用し、磁化Ｍと電流Ｉとの成す角度を凹凸パ
ターンによつて決定するものである。
を利用し、磁化Ｍと電流Ｉとの成す角度を凹凸パ
ターンによつて決定するものである。
以下、本発明の実施例を図面を用いて、詳細に
説明する。
説明する。
第５図は本発明のMRヘツドの主要構成要素で
あるMR素子部分の実施例である。他の構成部分
例えば磁気シールド等は説明を簡単にするため省
略した。
あるMR素子部分の実施例である。他の構成部分
例えば磁気シールド等は説明を簡単にするため省
略した。
第５図ａに示す如く、絶縁性基板材４には多数
の直線的な溝５がそれぞれ略平行となるように形
成されている。基板材４上には多数の溝５を形成
することにより必然的に多数の斜面６及び平坦面
７が同時に形成される。この溝５、斜面６、平坦
面７を覆つて、強磁性体からなるMR素子（例え
ば、Fe−Ni合金、Ni−Co合金等）８が薄膜状に
長さＬ、幅Ｗを有して形成されている。MR素子
８の長手方向の両端は電気的良導体（例えば、
Au，Cu，Ag等）から成る２つの電気端子９と接
続されている。この場合、MR素子の有効的な信
号磁界検知部の長さはL′となる。MR素子８の長
手方向と溝５の長手方向は最小30度から最大60度
の範囲の或る値（望ましくは45度）の角度θを成
すように形成される。従つて、電気端子９を介し
てMR素子８中を流れる電流Ｉは溝５の長手方向
に対して最小30度から最大60度の範囲の前記角度
θを成すことになる。
の直線的な溝５がそれぞれ略平行となるように形
成されている。基板材４上には多数の溝５を形成
することにより必然的に多数の斜面６及び平坦面
７が同時に形成される。この溝５、斜面６、平坦
面７を覆つて、強磁性体からなるMR素子（例え
ば、Fe−Ni合金、Ni−Co合金等）８が薄膜状に
長さＬ、幅Ｗを有して形成されている。MR素子
８の長手方向の両端は電気的良導体（例えば、
Au，Cu，Ag等）から成る２つの電気端子９と接
続されている。この場合、MR素子の有効的な信
号磁界検知部の長さはL′となる。MR素子８の長
手方向と溝５の長手方向は最小30度から最大60度
の範囲の或る値（望ましくは45度）の角度θを成
すように形成される。従つて、電気端子９を介し
てMR素子８中を流れる電流Ｉは溝５の長手方向
に対して最小30度から最大60度の範囲の前記角度
θを成すことになる。
上述の多数の溝５、斜面６、平坦面７の存在に
より、MR素子８は、第５図ｂの平面図に示す如
く溝５上のMR素子１０、斜面６上のMR素子１
１、平坦面７上のMR素子１２と磁気的に分割さ
れることになる。この結果、MR素子１０，１１
及び１２の長手方向の長さはＷ／sinθの値となり、 それぞれのMR素子の幅方向の長さに比して十分
大きな値を取ることになる。従つて、MR素子１
０，１１及び１２の磁化容易軸E.Aの方向、即ち
磁化Ｍの方向は、それぞれのMR素子の自らの形
状異方性によつて、MR素子１０，１１及び１２
の長手方向、即ち溝５の方向と略平行となる。一
方、溝５の存在はMR素子８の電気的分割に何等
寄与せず、従つてセンス電流Ｉの方向はMR素子
１０，１１及び１２において連続である一つまり
各MR素子の磁化ＭとMR素子のセンス電流Ｉは
溝５によつて決定される最小30度から最大60度の
範囲の前記の角度θをなすことになる。
より、MR素子８は、第５図ｂの平面図に示す如
く溝５上のMR素子１０、斜面６上のMR素子１
１、平坦面７上のMR素子１２と磁気的に分割さ
れることになる。この結果、MR素子１０，１１
及び１２の長手方向の長さはＷ／sinθの値となり、 それぞれのMR素子の幅方向の長さに比して十分
大きな値を取ることになる。従つて、MR素子１
０，１１及び１２の磁化容易軸E.Aの方向、即ち
磁化Ｍの方向は、それぞれのMR素子の自らの形
状異方性によつて、MR素子１０，１１及び１２
の長手方向、即ち溝５の方向と略平行となる。一
方、溝５の存在はMR素子８の電気的分割に何等
寄与せず、従つてセンス電流Ｉの方向はMR素子
１０，１１及び１２において連続である一つまり
各MR素子の磁化ＭとMR素子のセンス電流Ｉは
溝５によつて決定される最小30度から最大60度の
範囲の前記の角度θをなすことになる。
以下、上述した本発明の構成、即ち、基板上に
形成された溝によつて、MR素子の磁化Ｍとセン
ス電流Ｉのなす角度を設定せしめたMR素子を
「ジヨツグ（Jog）MR素子」と称することにす
る。
形成された溝によつて、MR素子の磁化Ｍとセン
ス電流Ｉのなす角度を設定せしめたMR素子を
「ジヨツグ（Jog）MR素子」と称することにす
る。
本発明のジヨツグMR素子に外部から微小信号
磁界Hsがセンス電流Ｉと直交する様に印加され
ると、MR素子の磁化Ｍとセンス電流Ｉとの成す
角度は角度θを中心に変化することになり、第１
図ｂに示した如き、バイアス磁界Hbが印加され
たものと同様なMR素子の抵抗変化Ｃが得られる
ことになる。
磁界Hsがセンス電流Ｉと直交する様に印加され
ると、MR素子の磁化Ｍとセンス電流Ｉとの成す
角度は角度θを中心に変化することになり、第１
図ｂに示した如き、バイアス磁界Hbが印加され
たものと同様なMR素子の抵抗変化Ｃが得られる
ことになる。
ジヨツグMR素子の溝形状は、第５図の様な台
形的な形状に限るものでなく、第６図ａ，ｂ，ｃ
に示す形状でも良い。ただし第６図の実施例で
も、溝５とMR素子を流れる電流方向のなす角度
θは最小30度から最大60度の範囲の或値に選定さ
れることは言うまでもない。第６図ａはMR素子
が斜面６及び平坦面７のみに形成され、同図ｂは
斜面６のみに、同図ｃは溝５と斜面６に形成され
る様な溝形状を有する。
形的な形状に限るものでなく、第６図ａ，ｂ，ｃ
に示す形状でも良い。ただし第６図の実施例で
も、溝５とMR素子を流れる電流方向のなす角度
θは最小30度から最大60度の範囲の或値に選定さ
れることは言うまでもない。第６図ａはMR素子
が斜面６及び平坦面７のみに形成され、同図ｂは
斜面６のみに、同図ｃは溝５と斜面６に形成され
る様な溝形状を有する。
更に、ジヨツグMR素子の長さL′、膜厚及び幅
Ｗの変更の際には、MR素子の磁気的分割数を適
切な値に変更すれば良く、これは、溝形状、溝の
深さ、及び溝の間隔、更には溝の数を変更するこ
とで容易に達成でき、常に磁化Ｍの方向が溝と略
平行と成る様に設定できる。又、MR素子は蒸
着、スパツタリング及びメツキ等の手法によつて
形成されるが、その際、基板材の溝方向に平行に
外部磁界を印加すれば、更に厳密に磁化容易軸即
ち磁化Ｍの方向を溝方向に一致せしめることがで
きる。
Ｗの変更の際には、MR素子の磁気的分割数を適
切な値に変更すれば良く、これは、溝形状、溝の
深さ、及び溝の間隔、更には溝の数を変更するこ
とで容易に達成でき、常に磁化Ｍの方向が溝と略
平行と成る様に設定できる。又、MR素子は蒸
着、スパツタリング及びメツキ等の手法によつて
形成されるが、その際、基板材の溝方向に平行に
外部磁界を印加すれば、更に厳密に磁化容易軸即
ち磁化Ｍの方向を溝方向に一致せしめることがで
きる。
尚、本発明のジヨツグMR素子の磁化Ｍの方向
は前述の、溝形状、溝の深さ及び溝の間隔、更に
は溝の数によつては、隣接する短冊状MR素子中
の磁化Ｍが互いに反平行になつた方が安定な場合
も存在する。この場合は明らかに微小信号磁界
HsによつてジヨツグMR素子の電気抵抗は何等
変化しないことになる。こう言つた事態を避ける
にはジヨツグMR素子のそれぞれのMR素子の磁
化Ｍを同一方向に揃えるため何等かのバイアス手
段を用いるのが望ましい。例えば第７図に示す如
く、ジヨツグMR素子８に近接対抗して（或い
は、接触させて）電気的導体（バイアスコンダク
タ）２を配置し、バイアスコンダクタ２にジヨツ
グMR素子８のセンス電流Ｉと平行にバイアス電
流IBを流すことによつて発生する磁界HBを利用
してMR素子の磁化Ｍの方向を揃えれば良い。
又、電気的良導体２に変えて、磁気的にハードな
磁性体を近接対抗（或いは、接触）させて、磁気
的にハードな磁性体からの漏洩磁界によつてMR
素子の磁化Ｍの方向を揃えても良い。これ等の手
法は、前述した従来技術、即ちコンダクタバイア
ス法及びハード膜バイアス法と同じであるが、ジ
ヨツグMR素子では基板に形成された溝によつて
一意的に磁化容易軸方向が決定されかつ、磁化Ｍ
は磁化容易軸E.Aと平行で、更に磁化Ｍの方向の
反転は、それぞれのMR素子の抗磁力程度の磁界
で行なわれるため、従来技術の難点であるところ
の厳密なMR素子のセンス電流Ｉと磁化Ｍとの角
度θの調整及び大きなバイアス磁界Hbが不要と
なる。
は前述の、溝形状、溝の深さ及び溝の間隔、更に
は溝の数によつては、隣接する短冊状MR素子中
の磁化Ｍが互いに反平行になつた方が安定な場合
も存在する。この場合は明らかに微小信号磁界
HsによつてジヨツグMR素子の電気抵抗は何等
変化しないことになる。こう言つた事態を避ける
にはジヨツグMR素子のそれぞれのMR素子の磁
化Ｍを同一方向に揃えるため何等かのバイアス手
段を用いるのが望ましい。例えば第７図に示す如
く、ジヨツグMR素子８に近接対抗して（或い
は、接触させて）電気的導体（バイアスコンダク
タ）２を配置し、バイアスコンダクタ２にジヨツ
グMR素子８のセンス電流Ｉと平行にバイアス電
流IBを流すことによつて発生する磁界HBを利用
してMR素子の磁化Ｍの方向を揃えれば良い。
又、電気的良導体２に変えて、磁気的にハードな
磁性体を近接対抗（或いは、接触）させて、磁気
的にハードな磁性体からの漏洩磁界によつてMR
素子の磁化Ｍの方向を揃えても良い。これ等の手
法は、前述した従来技術、即ちコンダクタバイア
ス法及びハード膜バイアス法と同じであるが、ジ
ヨツグMR素子では基板に形成された溝によつて
一意的に磁化容易軸方向が決定されかつ、磁化Ｍ
は磁化容易軸E.Aと平行で、更に磁化Ｍの方向の
反転は、それぞれのMR素子の抗磁力程度の磁界
で行なわれるため、従来技術の難点であるところ
の厳密なMR素子のセンス電流Ｉと磁化Ｍとの角
度θの調整及び大きなバイアス磁界Hbが不要と
なる。
以上、本発明のMRヘツドの主要構成要素であ
るMR素子について説明したが、一般にMRヘツ
ドはMR素子単体で構成されるものではなく分解
能を向上させ高周波特性を良好にするための磁気
シールドが必要である。本発明のジヨツグMR素
子を磁気シールド付MRヘツドに適用した実施例
を第８図に示す。第８図ではMRヘツドのスライ
ダーとなるべく絶縁性基体１３の上に高透磁率磁
性体、例えばパーマロイから成る第一の磁気シー
ルド１４が形成され、その上に本発明のジヨツグ
MR素子（前述の如く、凹凸の溝を有する基板材
４上のMR素子８が形成されたもの）が形成され
ジヨツグMR素子の両端から電気端子９が取り出
され、前記、ジヨツグMR素子を第一の磁気シー
ルド１４とで狭む様に第二の磁気シールド１６が
絶縁層１５を介して形成されたMRヘツドの構成
を示すものである。周知の如く、本構成の様に第
一及び第二の磁気シールド１４及び１６が形成す
るギヤツプＧのみに、磁気記憶媒体からの微小信
号磁界Hsが到達することになり、他の部分、即
ち第一及び第二の磁気シールド１４及び１６の領
域での微小信号磁界Hsは前記二つの磁気シール
ドに吸収されてしまうものである。従つて、ギヤ
ツプＧ内にあるジヨツグMR素子は、ギヤツプＧ
に到達する微小信号磁界Hsのみを検出すること
になり、高周波特性の優れたMRヘツドを提供で
きる。
るMR素子について説明したが、一般にMRヘツ
ドはMR素子単体で構成されるものではなく分解
能を向上させ高周波特性を良好にするための磁気
シールドが必要である。本発明のジヨツグMR素
子を磁気シールド付MRヘツドに適用した実施例
を第８図に示す。第８図ではMRヘツドのスライ
ダーとなるべく絶縁性基体１３の上に高透磁率磁
性体、例えばパーマロイから成る第一の磁気シー
ルド１４が形成され、その上に本発明のジヨツグ
MR素子（前述の如く、凹凸の溝を有する基板材
４上のMR素子８が形成されたもの）が形成され
ジヨツグMR素子の両端から電気端子９が取り出
され、前記、ジヨツグMR素子を第一の磁気シー
ルド１４とで狭む様に第二の磁気シールド１６が
絶縁層１５を介して形成されたMRヘツドの構成
を示すものである。周知の如く、本構成の様に第
一及び第二の磁気シールド１４及び１６が形成す
るギヤツプＧのみに、磁気記憶媒体からの微小信
号磁界Hsが到達することになり、他の部分、即
ち第一及び第二の磁気シールド１４及び１６の領
域での微小信号磁界Hsは前記二つの磁気シール
ドに吸収されてしまうものである。従つて、ギヤ
ツプＧ内にあるジヨツグMR素子は、ギヤツプＧ
に到達する微小信号磁界Hsのみを検出すること
になり、高周波特性の優れたMRヘツドを提供で
きる。
以上、説明した様に本発明のジヨツグMR素子
を用いた磁気ヘツドは、従来のバーバーポール
MR素子の欠点を全て解決している。即ちバーバ
ーポールMR素子では短冊状電気導体の存在によ
り信号磁界の検出領域が狭くなり、しかも電気抵
抗が小さくなるという欠点を持つのに対し、本発
明は実質的な信号磁界の検出領域を何等減少させ
るどころか、逆に、従来のMR素子に比し増加さ
せており、また、MR素子の全電気抵抗も増加さ
せ、出力に寄与する抵抗変化が大きくなる特徴が
ある。更に、ジヨツグMR素子の容易磁化方向、
即ち磁化Ｍの方向は溝の方向のみによつて一意的
に決定されるため、再現性の良いMRヘツドを提
供できる。
を用いた磁気ヘツドは、従来のバーバーポール
MR素子の欠点を全て解決している。即ちバーバ
ーポールMR素子では短冊状電気導体の存在によ
り信号磁界の検出領域が狭くなり、しかも電気抵
抗が小さくなるという欠点を持つのに対し、本発
明は実質的な信号磁界の検出領域を何等減少させ
るどころか、逆に、従来のMR素子に比し増加さ
せており、また、MR素子の全電気抵抗も増加さ
せ、出力に寄与する抵抗変化が大きくなる特徴が
ある。更に、ジヨツグMR素子の容易磁化方向、
即ち磁化Ｍの方向は溝の方向のみによつて一意的
に決定されるため、再現性の良いMRヘツドを提
供できる。
第１図はMR素子のセンス電流Ｉと磁化Ｍの関
係とその抵抗変化を示す図、第２図〜第４図は従
来のMR素子の構成を示す概略図、第５図は本発
明の実施例で、同図ａはMR素子の形状を示す概
略斜視図、同図ｂはMR素子の磁化Ｍと電流Ｉの
関係を示す平面図、第６図は本発明の他の実施例
の溝形状を示す概略斜視図、第７図は本発明の
MR素子の磁化Ｍの方向を揃えるためのバイアス
手段の実施例を示す概略斜視図、第８図は本発明
のMR素子を磁気シールド付MRヘツドに適用し
た実施例を示す概略斜視図である。 図において、１，８，１０，１１，１２はMR
素子、４は基板材、５は溝、９は電気端子、１４
及び１５は第一及び第二の磁気シールドを示す。
係とその抵抗変化を示す図、第２図〜第４図は従
来のMR素子の構成を示す概略図、第５図は本発
明の実施例で、同図ａはMR素子の形状を示す概
略斜視図、同図ｂはMR素子の磁化Ｍと電流Ｉの
関係を示す平面図、第６図は本発明の他の実施例
の溝形状を示す概略斜視図、第７図は本発明の
MR素子の磁化Ｍの方向を揃えるためのバイアス
手段の実施例を示す概略斜視図、第８図は本発明
のMR素子を磁気シールド付MRヘツドに適用し
た実施例を示す概略斜視図である。 図において、１，８，１０，１１，１２はMR
素子、４は基板材、５は溝、９は電気端子、１４
及び１５は第一及び第二の磁気シールドを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ １個又は複数個の相互に平行で直線状の溝
（又は凸部）を有する絶縁性基板上に強磁性磁気
抵抗効果素子を設け、前記溝（又は凸部）と前記
強磁性磁気抵抗効果素子を流れる電流とのなす角
度が30度乃至60度に設定されていることを特徴と
する磁気抵抗効果ヘツド。 ２ 強磁性磁気抵抗効果素子の磁化容易軸が強制
的に前記溝（又は凸部）と略平行に付与されたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気
抵抗効果ヘツド。 ３ 強磁性磁気抵抗効果素子の磁化方向が前記溝
（又は凸部）と略平行となる様なバイアス手段を
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の磁気抵抗効果ヘツド。 ４ 強磁性磁気抵抗効果素子が、高透磁率磁性体
から成る二つの磁気シールドに狭まれていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気抵
抗効果ヘツド。 ５ バイアス手段がコンダクタバイアス法である
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の磁
気抵抗効果ヘツド。 ６ バイアス手段がハード膜バイアス法であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の磁気
抵抗効果ヘツド。 ７ バイアス手段が磁気抵抗効果ヘツドの外部に
設けられた永久磁石によることを特徴とする特許
請求の範囲第３項記載の磁気抵抗効果ヘツド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57050586A JPS58166527A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 磁気抵抗効果ヘツド |
| DE19833311242 DE3311242A1 (de) | 1982-03-29 | 1983-03-28 | Magnetoresistiver kopf |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57050586A JPS58166527A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166527A JPS58166527A (ja) | 1983-10-01 |
| JPH0375925B2 true JPH0375925B2 (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=12863072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57050586A Granted JPS58166527A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58166527A (ja) |
| DE (1) | DE3311242A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1984002028A1 (en) * | 1982-11-11 | 1984-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-film magnetic head |
| US4555740A (en) * | 1983-04-04 | 1985-11-26 | Hewlett-Packard Company | Thin film transducer head for inductive recording and magnetoresistive reading |
| JPS60140217U (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-17 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果ヘツド |
| US4649447A (en) * | 1985-08-15 | 1987-03-10 | International Business Machines | Combed MR sensor |
| JP3089828B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2000-09-18 | 株式会社村田製作所 | 強磁性磁気抵抗素子 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2165206A5 (ja) * | 1971-12-22 | 1973-08-03 | Cii | |
| US3864751A (en) * | 1973-10-04 | 1975-02-04 | Ibm | Induced bias magnetoresistive read transducer |
| NL7804377A (nl) * | 1978-04-25 | 1979-10-29 | Philips Nv | Magnetoweerstandkop. |
| DE3229774A1 (de) * | 1981-08-10 | 1983-03-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka | Magnetoresistives element |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP57050586A patent/JPS58166527A/ja active Granted
-
1983
- 1983-03-28 DE DE19833311242 patent/DE3311242A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3311242C2 (ja) | 1987-04-23 |
| DE3311242A1 (de) | 1983-11-17 |
| JPS58166527A (ja) | 1983-10-01 |
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