JPH06150258A - 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドInfo
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- JPH06150258A JPH06150258A JP29567792A JP29567792A JPH06150258A JP H06150258 A JPH06150258 A JP H06150258A JP 29567792 A JP29567792 A JP 29567792A JP 29567792 A JP29567792 A JP 29567792A JP H06150258 A JPH06150258 A JP H06150258A
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- flux guide
- head
- rear end
- magnetoresistive effect
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気ディスク装置等に用いられる磁
気抵抗効果型薄膜ヘッドに関し、ヘッド先端面に露出す
るフラックスガイドと磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）と
の磁気的な結合部分の磁気抵抗を低減してフラックスガ
イドからの磁束をＭＲ素子へ流入し易くして再生効率を
向上することを目的とする。 【構成】 先端部が磁気記録媒体41と対向するヘッドの
先端面に露出するフラックスガイド35の後端部にＭＲ素
子36を磁気的に結合し、かつこれらの両側に、それぞれ
非磁性絶縁膜34を介して第１、第２シールド磁性層33,
38を、その両シールド磁性層33, 38間の間隔をフラック
スガイド35の先端領域で狭め、ＭＲ素子36の後端領域で
接続して配設したヘッド構造において、前記フラックス
ガイド35の後端部がＭＲ素子36の先端部をその両側から
挟むようにその間に絶縁材を介在して設け、その挟持部
分で当該磁気的結合部を形成した構成とする。
気抵抗効果型薄膜ヘッドに関し、ヘッド先端面に露出す
るフラックスガイドと磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）と
の磁気的な結合部分の磁気抵抗を低減してフラックスガ
イドからの磁束をＭＲ素子へ流入し易くして再生効率を
向上することを目的とする。 【構成】 先端部が磁気記録媒体41と対向するヘッドの
先端面に露出するフラックスガイド35の後端部にＭＲ素
子36を磁気的に結合し、かつこれらの両側に、それぞれ
非磁性絶縁膜34を介して第１、第２シールド磁性層33,
38を、その両シールド磁性層33, 38間の間隔をフラック
スガイド35の先端領域で狭め、ＭＲ素子36の後端領域で
接続して配設したヘッド構造において、前記フラックス
ガイド35の後端部がＭＲ素子36の先端部をその両側から
挟むようにその間に絶縁材を介在して設け、その挟持部
分で当該磁気的結合部を形成した構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、或い
は磁気テープ装置等に用いられる磁気抵抗効果型薄膜ヘ
ッド（以下ＭＲヘッドと略称する）に関するものであ
る。
は磁気テープ装置等に用いられる磁気抵抗効果型薄膜ヘ
ッド（以下ＭＲヘッドと略称する）に関するものであ
る。
【０００２】近年、磁気ディスク装置等においては、小
型、大容量化に伴って高密度記録化が進められ、その高
密度記録化に対して再生出力の高い磁気ヘッドが要求さ
れている。このため、再生専用の磁気ヘッドとして再生
出力が磁気記録媒体の速度に依存せず、しかも大きい再
生出力が得られるＭＲヘッドが注目されているが、より
再生効率の良好な、信頼性の高いＭＲヘッドが必要とさ
れている。
型、大容量化に伴って高密度記録化が進められ、その高
密度記録化に対して再生出力の高い磁気ヘッドが要求さ
れている。このため、再生専用の磁気ヘッドとして再生
出力が磁気記録媒体の速度に依存せず、しかも大きい再
生出力が得られるＭＲヘッドが注目されているが、より
再生効率の良好な、信頼性の高いＭＲヘッドが必要とさ
れている。
【０００３】
【従来の技術】従来のＭＲヘッドは本出願人が特願平03
−272370号により既に出願している、例えば図４(a) の
概念的な要部側断面図に示すように、先端部が磁気記録
媒体17と対向するヘッドの先端面に露出するFeＮ膜、或
いはNiFe膜等からなるフラックスガイド14と、そのフラ
ックスガイド14の後端部の片面側に絶縁薄膜を介して重
ね合わせて磁気的に結合されたNiFe膜からなるＭＲ素子
15の両側に、それぞれ非磁性絶縁膜13を介してNiFe膜等
からなる第１シールド磁性層11と第２シールド磁性層12
とを、その第１、第２シールド磁性層11, 12間の間隔を
フラックスガイド14の先端領域で狭め、かつＭＲ素子15
の後端領域では接続した状態に配設されている。
−272370号により既に出願している、例えば図４(a) の
概念的な要部側断面図に示すように、先端部が磁気記録
媒体17と対向するヘッドの先端面に露出するFeＮ膜、或
いはNiFe膜等からなるフラックスガイド14と、そのフラ
ックスガイド14の後端部の片面側に絶縁薄膜を介して重
ね合わせて磁気的に結合されたNiFe膜からなるＭＲ素子
15の両側に、それぞれ非磁性絶縁膜13を介してNiFe膜等
からなる第１シールド磁性層11と第２シールド磁性層12
とを、その第１、第２シールド磁性層11, 12間の間隔を
フラックスガイド14の先端領域で狭め、かつＭＲ素子15
の後端領域では接続した状態に配設されている。
【０００４】また、前記ＭＲ素子15の両端部には図４
(b) の要部平面図に示すようにAu膜、Cu膜、或いはAl膜
等からなる一対の引出し導体16a, 16bが信号検出領域15
a を画定するように接続された構成からなっている。
(b) の要部平面図に示すようにAu膜、Cu膜、或いはAl膜
等からなる一対の引出し導体16a, 16bが信号検出領域15
a を画定するように接続された構成からなっている。
【０００５】そしてかかるＭＲヘッドを矢印方向に移動
する磁気記録媒体17上に所定間隙をもって浮上動作させ
た状態で、前記ＭＲ素子15にその各引出し導体16a, 16b
よりセンス電流Isを供給することにより発生する磁界に
よって磁化された前記第１シールド磁性層11からの磁界
が該ＭＲ素子15にバイアス磁界として印加される。
する磁気記録媒体17上に所定間隙をもって浮上動作させ
た状態で、前記ＭＲ素子15にその各引出し導体16a, 16b
よりセンス電流Isを供給することにより発生する磁界に
よって磁化された前記第１シールド磁性層11からの磁界
が該ＭＲ素子15にバイアス磁界として印加される。
【０００６】このとき生ずるＭＲ素子15における信号検
出領域15a の磁化は磁気記録媒体17からの磁界により変
化され、磁気抵抗効果により生じる該信号検出領域15a
の電気抵抗値の変化を前記引出し導体16a, 16bより電圧
の変化として再生信号を検出することによって再生を行
なっている。
出領域15a の磁化は磁気記録媒体17からの磁界により変
化され、磁気抵抗効果により生じる該信号検出領域15a
の電気抵抗値の変化を前記引出し導体16a, 16bより電圧
の変化として再生信号を検出することによって再生を行
なっている。
【０００７】更に、上記した再生専用のＭＲヘッドの変
形例として図５の要部側断面図に示すように、前記NiFe
膜からなる第１シールド磁性層11と第２シールド磁性層
12との間にAl2O3 等からなる非磁性絶縁膜13をそれぞれ
介在して、前記したように磁気的に結合されたフラック
スガイド14及びＭＲ素子15と、該フラックスガイド14及
びＭＲ素子15と第２シールド磁性層12間に記録用のコイ
ル導体を配設し、前記第１シールド磁性層11と第２シー
ルド磁性層12をそれぞれ磁極として兼用するようにした
構成も提案されている。
形例として図５の要部側断面図に示すように、前記NiFe
膜からなる第１シールド磁性層11と第２シールド磁性層
12との間にAl2O3 等からなる非磁性絶縁膜13をそれぞれ
介在して、前記したように磁気的に結合されたフラック
スガイド14及びＭＲ素子15と、該フラックスガイド14及
びＭＲ素子15と第２シールド磁性層12間に記録用のコイ
ル導体を配設し、前記第１シールド磁性層11と第２シー
ルド磁性層12をそれぞれ磁極として兼用するようにした
構成も提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した２
つの従来のＭＲヘッドは、再生時に磁気記録媒体17に接
触しても該磁気記録媒体17と磁気抵抗の変化を検出する
ためにセンス電流Isを通電しているＭＲ素子15とは電気
的に絶縁されているため、磁気記録媒体17面に対する電
気的な接触ショート等による損傷、或いはノイズの発生
が防止され、また前記第１シールド磁性層11と第２シー
ルド磁性層12間の間隔をそれらの両端部以外の領域で広
く構成することにより、ＭＲ素子15へのフラックスガイ
ド14からの磁束が該第１、第２シールド磁性層11、12側
へ漏出することを防止し、前記磁気記録媒体17からの磁
束をフラックスガイド14を介してＭＲ素子15へ効率良く
導入するようにしている。
つの従来のＭＲヘッドは、再生時に磁気記録媒体17に接
触しても該磁気記録媒体17と磁気抵抗の変化を検出する
ためにセンス電流Isを通電しているＭＲ素子15とは電気
的に絶縁されているため、磁気記録媒体17面に対する電
気的な接触ショート等による損傷、或いはノイズの発生
が防止され、また前記第１シールド磁性層11と第２シー
ルド磁性層12間の間隔をそれらの両端部以外の領域で広
く構成することにより、ＭＲ素子15へのフラックスガイ
ド14からの磁束が該第１、第２シールド磁性層11、12側
へ漏出することを防止し、前記磁気記録媒体17からの磁
束をフラックスガイド14を介してＭＲ素子15へ効率良く
導入するようにしている。
【０００９】しかしながら、前記フラックスガイド14と
ＭＲ素子15との接合が両者を直接的に接触させて接合さ
せずに、該フラックスガイド14の後端部の片面側に電気
的に絶縁な薄膜を介してＭＲ素子15の先端部を重ね合わ
せて磁束だけを流通させる磁気的な結合であるため、直
接的な接触により結合されている場合に比べてその結合
部分での磁気的抵抗が大きくなり、その磁気的抵抗の増
加によって該フラックスガイド14からの磁束がＭＲ素子
15へ流入し難くなって再生効率が低下するという問題が
あった。
ＭＲ素子15との接合が両者を直接的に接触させて接合さ
せずに、該フラックスガイド14の後端部の片面側に電気
的に絶縁な薄膜を介してＭＲ素子15の先端部を重ね合わ
せて磁束だけを流通させる磁気的な結合であるため、直
接的な接触により結合されている場合に比べてその結合
部分での磁気的抵抗が大きくなり、その磁気的抵抗の増
加によって該フラックスガイド14からの磁束がＭＲ素子
15へ流入し難くなって再生効率が低下するという問題が
あった。
【００１０】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、フ
ラックスガイドとＭＲ素子との磁気的な接合部分の磁気
抵抗を低減して該フラックスガイドからの磁束をＭＲ素
子へ流入し易くして再生効率を向上させた新規な磁気抵
抗効果型薄膜ヘッドを提供することを目的とするもので
ある。
ラックスガイドとＭＲ素子との磁気的な接合部分の磁気
抵抗を低減して該フラックスガイドからの磁束をＭＲ素
子へ流入し易くして再生効率を向上させた新規な磁気抵
抗効果型薄膜ヘッドを提供することを目的とするもので
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、フラックスガイドに磁気抵抗効果素子を
磁気的に結合した磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
前記フラックスガイドの後端部が磁気抵抗効果素子の先
端部をその両側から挟むように、かつ間に電気的な絶縁
材を介在して設けられ、その挟持部分で当該磁気的結合
部を形成した構成とする。
達成するため、フラックスガイドに磁気抵抗効果素子を
磁気的に結合した磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
前記フラックスガイドの後端部が磁気抵抗効果素子の先
端部をその両側から挟むように、かつ間に電気的な絶縁
材を介在して設けられ、その挟持部分で当該磁気的結合
部を形成した構成とする。
【００１２】また、先端部が磁気記録媒体と対向するヘ
ッドの先端面に露出するフラックスガイドの後端部に磁
気抵抗効果素子を磁気的に結合し、かつこれらの両側
に、それぞれ非磁性絶縁膜を介してシールド磁性体を、
その両シールド磁性体間の間隔をフラックスガイドの先
端領域で狭め、磁気抵抗効果素子の後端領域で接続して
配設したヘッド構造において、前記フラックスガイドの
後端部が磁気抵抗効果素子の先端部をその両側から挟む
ように、かつ間に電気的な絶縁材を介在して設けられ、
その挟持部分で当該磁気的結合部を形成した構成とす
る。
ッドの先端面に露出するフラックスガイドの後端部に磁
気抵抗効果素子を磁気的に結合し、かつこれらの両側
に、それぞれ非磁性絶縁膜を介してシールド磁性体を、
その両シールド磁性体間の間隔をフラックスガイドの先
端領域で狭め、磁気抵抗効果素子の後端領域で接続して
配設したヘッド構造において、前記フラックスガイドの
後端部が磁気抵抗効果素子の先端部をその両側から挟む
ように、かつ間に電気的な絶縁材を介在して設けられ、
その挟持部分で当該磁気的結合部を形成した構成とす
る。
【００１３】更に、先端部が磁気記録媒体と対向するヘ
ッドの先端面に露出するフラックスガイドの後端部に磁
気抵抗効果素子を磁気的に接合し、該フラックスガイド
及び磁気抵抗効果素子に沿って記録用のコイル導体膜を
配設し、かつこれらの両側にそれぞれ非磁性絶縁膜を介
してシールド磁性体を、その両シールド磁性体間の間隔
をフラックスガイドの先端領域で狭め、磁気抵抗効果素
子の後端領域で接続して配設したヘッド構造において、
前記フラックスガイドの後端部が磁気抵抗効果素子の先
端部をその両側から挟むように、かつ間に電気的な絶縁
材を介在して設けられ、その挟持部分で当該磁気的結合
部を形成した構成とする。
ッドの先端面に露出するフラックスガイドの後端部に磁
気抵抗効果素子を磁気的に接合し、該フラックスガイド
及び磁気抵抗効果素子に沿って記録用のコイル導体膜を
配設し、かつこれらの両側にそれぞれ非磁性絶縁膜を介
してシールド磁性体を、その両シールド磁性体間の間隔
をフラックスガイドの先端領域で狭め、磁気抵抗効果素
子の後端領域で接続して配設したヘッド構造において、
前記フラックスガイドの後端部が磁気抵抗効果素子の先
端部をその両側から挟むように、かつ間に電気的な絶縁
材を介在して設けられ、その挟持部分で当該磁気的結合
部を形成した構成とする。
【００１４】
【作用】本発明では、２つのシールド磁性体間に非磁性
絶縁膜を介して配設するフラックスガイドと磁気抵抗効
果素子との磁気的な結合構造として、該フラックスガイ
ドの後端部が磁気抵抗効果素子の先端部をその両側から
絶縁薄膜を介して挟むように磁気的に結合させた構成と
することにより、両者の磁気的結合面積が従来よりも倍
増し、それによって磁気的抵抗も減少する。その結果、
該フラックスガイドからの磁束がＭＲ素子へ流入し易く
なり、再生効率が向上する。
絶縁膜を介して配設するフラックスガイドと磁気抵抗効
果素子との磁気的な結合構造として、該フラックスガイ
ドの後端部が磁気抵抗効果素子の先端部をその両側から
絶縁薄膜を介して挟むように磁気的に結合させた構成と
することにより、両者の磁気的結合面積が従来よりも倍
増し、それによって磁気的抵抗も減少する。その結果、
該フラックスガイドからの磁束がＭＲ素子へ流入し易く
なり、再生効率が向上する。
【００１５】また、前記磁気抵抗効果素子の先端部をそ
の両側から絶縁薄膜を介して挟むように磁気的に結合さ
せるフラックスガイドの後端部の両接合面積を等しくす
ることにより、該フラックスガイドからの磁束がその後
端部の両接合面より磁気抵抗効果素子の先端部の両側面
へ均等に流入し、該磁気抵抗効果素子への磁束の流入と
信号検出が安定化する。
の両側から絶縁薄膜を介して挟むように磁気的に結合さ
せるフラックスガイドの後端部の両接合面積を等しくす
ることにより、該フラックスガイドからの磁束がその後
端部の両接合面より磁気抵抗効果素子の先端部の両側面
へ均等に流入し、該磁気抵抗効果素子への磁束の流入と
信号検出が安定化する。
【００１６】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１は本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッ
ドの第１実施例を示す要部側断面図である。
細に説明する。図１は本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッ
ドの第１実施例を示す要部側断面図である。
【００１７】図において、31は Al2O3・TiC 等からなる
基板であり、該基板31上にAl2O3 等からなる絶縁層32を
介して配設されたNiFe膜からなる第１シールド磁性層33
と同じくNiFe膜からなる第２シールド磁性層38との間
に、SiO2膜、或いは Al2O3膜等からなる非磁性絶縁膜34
をそれぞれ介在して、先端部が磁気記録媒体41と対向す
るヘッドの先端面、即ち、媒体対向面40に露出し、かつ
後端部を二股形状に形成したFeＮ膜、或いはNiFe膜等か
らなるフラックスガイド35と中央部に信号検出領域を画
定するようにその両端部にAu膜、Cu膜、或いはAl膜等か
らなる一対の引出し導体37a, 37bが接合されたNiFe膜か
らなるＭＲ素子36とが、該フラックスガイド35の二股後
端部をＭＲ素子36の先端部の両側面と絶縁薄膜を介して
電気的に絶縁され、かつ磁気的に結合した状態に配置さ
れ、その第２シールド磁性層38上には更に Al2O3等から
なる絶縁保護膜39が被覆されている。
基板であり、該基板31上にAl2O3 等からなる絶縁層32を
介して配設されたNiFe膜からなる第１シールド磁性層33
と同じくNiFe膜からなる第２シールド磁性層38との間
に、SiO2膜、或いは Al2O3膜等からなる非磁性絶縁膜34
をそれぞれ介在して、先端部が磁気記録媒体41と対向す
るヘッドの先端面、即ち、媒体対向面40に露出し、かつ
後端部を二股形状に形成したFeＮ膜、或いはNiFe膜等か
らなるフラックスガイド35と中央部に信号検出領域を画
定するようにその両端部にAu膜、Cu膜、或いはAl膜等か
らなる一対の引出し導体37a, 37bが接合されたNiFe膜か
らなるＭＲ素子36とが、該フラックスガイド35の二股後
端部をＭＲ素子36の先端部の両側面と絶縁薄膜を介して
電気的に絶縁され、かつ磁気的に結合した状態に配置さ
れ、その第２シールド磁性層38上には更に Al2O3等から
なる絶縁保護膜39が被覆されている。
【００１８】なお、前記第１シールド磁性層33と第２シ
ールド磁性層38間の間隔は、従来例と同様にフラックス
ガイド35の先端領域で狭め、かつＭＲ素子36の後端領域
では接続され、それ以外の領域では十分に広い間隔が採
られている。
ールド磁性層38間の間隔は、従来例と同様にフラックス
ガイド35の先端領域で狭め、かつＭＲ素子36の後端領域
では接続され、それ以外の領域では十分に広い間隔が採
られている。
【００１９】また、前記フラックスガイド35の幅形状は
その後端部で広く、先端部に向かって狭めた構成とさ
れ、更に、該フラックスガイド35の二股後端部とＭＲ素
子36の先端部の両側面との接合としては、該ＭＲ素子36
の高さ方向に対して1/2 以下の領域で行うようにするこ
とが望ましい。
その後端部で広く、先端部に向かって狭めた構成とさ
れ、更に、該フラックスガイド35の二股後端部とＭＲ素
子36の先端部の両側面との接合としては、該ＭＲ素子36
の高さ方向に対して1/2 以下の領域で行うようにするこ
とが望ましい。
【００２０】このような第１実施例のヘッド構成では、
第１、第２シールド磁性層33, 38間にそれぞれ非磁性絶
縁膜34を介して配設されたフラックスガイド35とＭＲ素
子36との磁気的な結合が、該フラックスガイド35の二股
後端部をＭＲ素子36の先端部の両側面に絶縁薄膜を介し
て磁気的に結合した構成としているため、両者の磁気的
結合面積が従来例よりも倍増して磁気的抵抗が著しく減
少する。
第１、第２シールド磁性層33, 38間にそれぞれ非磁性絶
縁膜34を介して配設されたフラックスガイド35とＭＲ素
子36との磁気的な結合が、該フラックスガイド35の二股
後端部をＭＲ素子36の先端部の両側面に絶縁薄膜を介し
て磁気的に結合した構成としているため、両者の磁気的
結合面積が従来例よりも倍増して磁気的抵抗が著しく減
少する。
【００２１】従って、該フラックスガイド35からの磁束
がＭＲ素子36へ流入し易くなるので再生効率が向上す
る。また、前記ＭＲ素子36の先端部の両側面に対して磁
気的に接合するフラックスガイド35の二股後端部の形状
及びその両接合面積を等しくすることにより、該フラッ
クスガイド35からの磁束がその後端部の両接合面よりＭ
Ｒ素子36の先端部の両側面へ均等に流入されるようにな
り、該ＭＲ素子36に磁束が安定に流れ、前記信号検出領
域での信号検出も安定化することから大きな再生出力が
得られる。図２は本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの
第２実施例を示す要部側断面図であり、図１と同等部分
には同一符号を付している。
がＭＲ素子36へ流入し易くなるので再生効率が向上す
る。また、前記ＭＲ素子36の先端部の両側面に対して磁
気的に接合するフラックスガイド35の二股後端部の形状
及びその両接合面積を等しくすることにより、該フラッ
クスガイド35からの磁束がその後端部の両接合面よりＭ
Ｒ素子36の先端部の両側面へ均等に流入されるようにな
り、該ＭＲ素子36に磁束が安定に流れ、前記信号検出領
域での信号検出も安定化することから大きな再生出力が
得られる。図２は本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの
第２実施例を示す要部側断面図であり、図１と同等部分
には同一符号を付している。
【００２２】この図で示す実施例が図１で示す第１実施
例と異なる点は、第１、第２シールド磁性層33, 38間に
それぞれ非磁性絶縁膜34を介して配設した前記第１実施
例と同様に磁気的に接合されたフラックスガイド35及び
ＭＲ素子36と第２シールド磁性層38との間に、その磁気
的に接合されたフラックスガイド35及びＭＲ素子36に沿
ってスパイラル状の記録用のコイル導体膜51を配設した
点にあり、この場合、記録時には前記第１シールド磁性
層33と第２シールド磁性層38をそれぞれ磁極として兼用
するようにしている。
例と異なる点は、第１、第２シールド磁性層33, 38間に
それぞれ非磁性絶縁膜34を介して配設した前記第１実施
例と同様に磁気的に接合されたフラックスガイド35及び
ＭＲ素子36と第２シールド磁性層38との間に、その磁気
的に接合されたフラックスガイド35及びＭＲ素子36に沿
ってスパイラル状の記録用のコイル導体膜51を配設した
点にあり、この場合、記録時には前記第１シールド磁性
層33と第２シールド磁性層38をそれぞれ磁極として兼用
するようにしている。
【００２３】この第２実施例のヘッド構成によっても、
図１による第１実施例と同様な再生時の効果が得られる
と共に、簡単な記録用のコイル導体膜51の付加構成によ
り記録再生効率の良いＭＲヘッドを実現することができ
る。
図１による第１実施例と同様な再生時の効果が得られる
と共に、簡単な記録用のコイル導体膜51の付加構成によ
り記録再生効率の良いＭＲヘッドを実現することができ
る。
【００２４】図３は本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
の第３実施例を示す要部側断面図であり、図１と同等部
分には同一符号を付している。この図で示す実施例が図
１で示す第１実施例と異なる点は、第１、第２シールド
磁性層33, 38間にそれぞれ非磁性絶縁膜34を介して配設
した前記第１実施例と同様に磁気的に接合されたフラッ
クスガイド35及びＭＲ素子36の周囲に沿って記録用のヘ
リカル状、或いはスパイラル状のコイル導体膜61を配設
した点にあり、この場合も記録時には前記第１シールド
磁性層33と第２シールド磁性層38がそれぞれ磁極として
兼用される。
の第３実施例を示す要部側断面図であり、図１と同等部
分には同一符号を付している。この図で示す実施例が図
１で示す第１実施例と異なる点は、第１、第２シールド
磁性層33, 38間にそれぞれ非磁性絶縁膜34を介して配設
した前記第１実施例と同様に磁気的に接合されたフラッ
クスガイド35及びＭＲ素子36の周囲に沿って記録用のヘ
リカル状、或いはスパイラル状のコイル導体膜61を配設
した点にあり、この場合も記録時には前記第１シールド
磁性層33と第２シールド磁性層38がそれぞれ磁極として
兼用される。
【００２５】この第３実施例のヘッド構成によっても、
図１による第１実施例と同様な再生時の効果が得られる
と共に、前記記録用のコイル導体膜61の付加構成によっ
て図２による第２実施例よりも記録再生効率の良いＭＲ
ヘッドを実現することができる。
図１による第１実施例と同様な再生時の効果が得られる
と共に、前記記録用のコイル導体膜61の付加構成によっ
て図２による第２実施例よりも記録再生効率の良いＭＲ
ヘッドを実現することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る磁気抵抗効果型薄膜ヘッドによれば、第１シール
ド磁性層と第２シールド磁性層間にそれぞれ非磁性絶縁
膜を介して配設されたフラックスガイドとＭＲ素子との
磁気的な結合構造を、該フラックスガイドの後端部がＭ
Ｒ素子の先端部をその両側から絶縁膜を介して挟んだ形
で磁気的に結合した構成としているため、それら両者の
磁気的結合面積が従来例よりも倍増されて磁気的抵抗が
著しく減少するので該フラックスガイドからの磁束がＭ
Ｒ素子に流入し易くなって再生効率が向上し、大きな再
生出力が得られる。
に係る磁気抵抗効果型薄膜ヘッドによれば、第１シール
ド磁性層と第２シールド磁性層間にそれぞれ非磁性絶縁
膜を介して配設されたフラックスガイドとＭＲ素子との
磁気的な結合構造を、該フラックスガイドの後端部がＭ
Ｒ素子の先端部をその両側から絶縁膜を介して挟んだ形
で磁気的に結合した構成としているため、それら両者の
磁気的結合面積が従来例よりも倍増されて磁気的抵抗が
著しく減少するので該フラックスガイドからの磁束がＭ
Ｒ素子に流入し易くなって再生効率が向上し、大きな再
生出力が得られる。
【００２７】また、前記のように磁気的に結合されたフ
ラックスガイドとＭＲ素子に沿って記録用のコイル導体
膜を配置し、記録時に前記第１シールド磁性層と第２シ
ールド磁性層を磁極として兼用することにより、記録再
生効率の良好なＭＲヘッドを実現することができる等、
実用上優れた効果を奏する。
ラックスガイドとＭＲ素子に沿って記録用のコイル導体
膜を配置し、記録時に前記第１シールド磁性層と第２シ
ールド磁性層を磁極として兼用することにより、記録再
生効率の良好なＭＲヘッドを実現することができる等、
実用上優れた効果を奏する。
【図１】 本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの第１実
施例を示す要部側断面図である。
施例を示す要部側断面図である。
【図２】 本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの第２実
施例を示す要部側断面図である。
施例を示す要部側断面図である。
【図３】 本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの第３実
施例を示す要部側断面図である。
施例を示す要部側断面図である。
【図４】 従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを説明する
ための要部側断面図と要部平面図である。
ための要部側断面図と要部平面図である。
【図５】 従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの変形例を
示す要部側断面図である。
示す要部側断面図である。
３１ 基板 ３２ 絶縁層 ３３ 第１シールド磁性層 ３４ 非磁性絶縁膜 ３５ フラックスガイド、 ３６ ＭＲ素子 ３７ａ，３７ｂ 引出し導体 ３８ 第２シールド磁性層 ３９ 絶縁保護膜 ４０ 媒体対向面 ４１ 磁気記録媒体 ５１，６１ コイル導体膜
Claims (3)
- 【請求項１】 フラックスガイドに磁気抵抗効果素子を
磁気的に結合した磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、 前記フラックスガイドの後端部が磁気抵抗効果素子の先
端部をその両側から挟むように、かつ間に電気的な絶縁
材を介在して設けられ、その挟持部分で当該磁気的結合
部を形成したことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッ
ド。 - 【請求項２】 先端部が磁気記録媒体(41)と対向するヘ
ッドの先端面に露出するフラックスガイド(35)の後端部
に磁気抵抗効果素子(36)を磁気的に結合し、かつこれら
の両側に、それぞれ非磁性絶縁膜(34)を介してシールド
磁性体(33, 38)を、その両シールド磁性体(33, 38)間の
間隔をフラックスガイド(35)の先端領域で狭め、磁気抵
抗効果素子(36)の後端領域で接続して配設したヘッド構
造において、 前記フラックスガイド(35)の後端部が磁気抵抗効果素子
(36)の先端部をその両側から挟むように、かつ間に電気
的な絶縁材を介在して設けられ、その挟持部分で当該磁
気的結合部を形成したことを特徴とする磁気抵抗効果型
薄膜ヘッド。 - 【請求項３】 先端部が磁気記録媒体(41)と対向するヘ
ッドの先端面に露出するフラックスガイド(35)の後端部
に磁気抵抗効果素子(36)を磁気的に接合し、該フラック
スガイド(35)及び磁気抵抗効果素子(36)に沿って記録用
のコイル導体膜(51)を配設し、かつこれらの両側にそれ
ぞれ非磁性絶縁膜(34)を介してシールド磁性体(33, 38)
を、その両シールド磁性体(33, 38)間の間隔をフラック
スガイド(35)の先端領域で狭め、磁気抵抗効果素子(36)
の後端領域で接続して配設したヘッド構造において、 前記フラックスガイド(35)の後端部が磁気抵抗効果素子
(36)の先端部をその両側から挟むように、かつ間に電気
的な絶縁材を介在して設けられ、その挟持部分で当該磁
気的結合部を形成したことを特徴とする磁気抵抗効果型
薄膜ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29567792A JPH06150258A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29567792A JPH06150258A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06150258A true JPH06150258A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17823764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29567792A Withdrawn JPH06150258A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06150258A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6665152B2 (en) | 2001-03-28 | 2003-12-16 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head that detects leakage fluxes from a medium at a high resolution and leads the fluxes into a magneto-resistive element |
| US6888705B2 (en) * | 2002-01-18 | 2005-05-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | High linear density tunnel junction flux guide read head with in-stack longitudinal bias stack (LBS) |
-
1992
- 1992-11-05 JP JP29567792A patent/JPH06150258A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6665152B2 (en) | 2001-03-28 | 2003-12-16 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head that detects leakage fluxes from a medium at a high resolution and leads the fluxes into a magneto-resistive element |
| US7140094B2 (en) | 2001-03-28 | 2006-11-28 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head and production method for magnetic heads |
| US6888705B2 (en) * | 2002-01-18 | 2005-05-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | High linear density tunnel junction flux guide read head with in-stack longitudinal bias stack (LBS) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |