JPH06251339A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びバイアス特性測定方法 - Google Patents

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びバイアス特性測定方法

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JPH06251339A
JPH06251339A JP5063378A JP6337893A JPH06251339A JP H06251339 A JPH06251339 A JP H06251339A JP 5063378 A JP5063378 A JP 5063378A JP 6337893 A JP6337893 A JP 6337893A JP H06251339 A JPH06251339 A JP H06251339A
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film magnetic
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Hideo Suyama
英夫 陶山
Takuji Shibata
拓二 柴田
Norio Saito
憲男 斎藤
Mamoru Sasaki
守 佐々木
Akio Takada
昭夫 高田
Hitoshi Sato
仁 佐藤
Shuichi Haga
秀一 芳賀
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、バ
イアス導体７と磁気抵抗感磁部６とを電気的に直列接続
する。さらには、バイアス導体７を、磁気抵抗感磁部６
を横切る部分から離れるのに伴って幅が大となり、磁気
記録媒体対接面からの距離が大となるようなパターン形
状にする。 【効果】 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの端子部を２
つに削減することができ、ハードディスク・ドライブ用
の磁気ヘッドの小型化，低浮上量化が可能となる。さら
に、バイアス導体を上記パターン形状とすることによ
り、省電力化，エラレートの低減が達成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に対して記録された記録信号を再生するのに好適な磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びそのバイアス特性測定方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ハードディスク・ドライブ（駆
動装置）の再生用ヘッドとしては、一般に短波長感度に
優れる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド( 以下、ＭＲヘッ
ドと称する。）が用いられる。
【０００３】ＭＲヘッドは、遷移金属に見られる磁化の
向きとその内部を流れる電流の向きのなす角によって、
電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果現象を利用した再生
ヘッドである。すなわち、磁気記録媒体からの漏洩磁束
をＭＲ磁性薄膜が受けると、その磁束により上記ＭＲ磁
性薄膜の磁化の向きが回転し、当該ＭＲ磁性薄膜内部に
流れる電流の向きに対して磁性量に応じた角度をもつよ
うになる。それ故にＭＲ磁性薄膜の電気抵抗値は変化
し、この変化量に応じた電圧変化が電流を流しているＭ
Ｒ磁性薄膜の両端の電極に現れるので電圧信号として磁
気記録信号を読み出せることになる。
【０００４】上記ＭＲヘッドは、ハードディスク・ドラ
イブの再生用ヘッドとする場合、図１３，図１４に示す
ようにハードディスクとの対接面、すなわちＡＢＳ（エ
ア・ベアリング・サーフェース）面５１側となる先端部
と後端部にそれぞれ電極５２，５３を積層した磁気抵抗
効果薄膜よりなる磁気抵抗効果感磁部５４（以下ＭＲ感
磁部と称する。）と、このＭＲ感磁部５４に所要の向き
の磁化状態を与えるバイアス導体５５とが、磁気的にシ
ールドする一対の薄膜磁気コア５６，５７により絶縁層
５８を介して挟み込まれたシールド型構成とされ、Ａｌ
2 Ｏ3 −ＴｉＣ等よりなるスライダ部材５９上に搭載さ
れて用いられる。
【０００５】このような構成のＭＲヘッドにおいて、再
生はＭＲ感磁部５４の先端電極５２，後端電極５３から
直流電流をセンス電流として供給するとともにバイアス
導体５５に直流電流を供給してバイアス磁界を発生させ
る。したがって、先端電極５２，後端電極５３の端部お
よびバイアス導体５５の両端部が直流電源を接続するた
めの端子部６０，６１，６２，６３とされ、これら合計
４つの端子部６０，６１，６２，６３がスライダ部材５
９上に配置されることとなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記構成の
ＭＲヘッドにおいては、上述の如く４つもの端子部６
０，６１，６２，６３をスライダ部材５９上に配置する
必要があることがハードディスク・ドライブ用ヘッドの
小型化，低浮上量化を達成する上で大きな妨げとなって
いる。
【０００７】すなわち、ハードディスク・ドライブに用
いられるヘッドは、再生用となるＭＲヘッド上にさらに
記録用となるインダクティブヘッドが積層される。上記
インダクティブヘッドは、ＭＲ感磁部をシールドする上
層の薄膜磁気コアを、閉磁路を構成する一方の薄膜磁気
コアとし、この薄膜磁気コアと該薄膜磁気コアに対向し
て積層される他方の薄膜磁気コアの磁気的結合部をヘッ
ド巻線が取り囲むようにしてスパイラル状に設けられて
なる。ここで、このインダクティブヘッドのヘッド巻線
の両端からはそれぞれ記録情報に基づく電流を供給する
ために２つの端子部が引き出される。したがって、上記
構成のＭＲヘッドを用いる場合では、図１５に示すよう
にＭＲへッド由来の４つの端子部６０，６１，６２，６
３とインダクティブヘッド由来の２つの端子部６４，６
５の合計６つの端子部６０，６１，６２，６３，６４，
６５がスライダ部材５９上に配置されることとなる。
【０００８】しかし、スライダー上に６つもの端子部を
配置するには、端子の寸法を小さくするとともに端子間
の距離を狭めなければならず、端子形成，引き出し線形
成時のボンディング処理に無理が生じてくる。特に、ス
ライダーの小型化を図った場合にはこのような問題をさ
らに深刻なものとなる。また、ヘッドの低浮上量化を図
るためには、スライダの浮上姿勢が一定であることが厳
しく求められるが、多数の端子がスライダ上に形成され
ていると、その剛性の影響で浮上姿勢が一定になり難
く、低浮上量化に不利である。
【０００９】このため、端子数を削減するために、バイ
アス導体から引き出される一方の端子部とＭＲ感磁部か
ら引き出される一方の端子部を共通化して５端子に削減
する試みもなされているが、スライダー上に配置する端
子部を５端子としても配置上、結局、端子は３端子の
列，２端子の列で配置されるので６端子を配置する場合
とほとんど同じ配置面積が必要であり、小型化を図るま
でには至らない。
【００１０】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、端子数が削減でき、ハー
ドディスク・ドライブ用ヘッドの小型化，低浮上量化を
可能にする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びバイアス
特性測定方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、基板
上に少なくとも磁気抵抗効果を有する磁気抵抗感磁部が
信号磁界の方向と略同一方向にセンス電流が流れるよう
な向きで形成され、バイアス導体が上記磁気抵抗感磁部
に対して絶縁層を介して略直交して横切るように延在し
て形成されてなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおい
て、上記バイアス導体の一端部が上記磁気抵抗感磁部の
磁気記録媒体対接面とは反対側の端部に電気的に接続さ
れていることを特徴とするものである。
【００１２】また、磁気抵抗感磁部とバイアス導体が、
順次積層された第１の薄膜磁気コアと第２の薄膜磁気コ
アの間に絶縁層を介して挟み込まれ、上記磁気抵抗感磁
部が第２の薄膜磁気コアに電気的に接続されていること
を特徴とするものである。さらに、上記バイアス導体は
上記磁気抵抗感磁部を横切る部分から離れるのに伴って
幅が大となるような形状で形成されていることを特徴と
するものである。
【００１３】また、さらに、上記バイアス導体は上記磁
気抵抗感磁部を横切る部分から離れるのに伴って磁気記
録媒体対接面からの距離が大となるような形状で形成さ
れていることを特徴とするものである。また、上記バイ
アス導体は上記磁気抵抗感磁部を横切る部分近傍が円弧
を描く形状であることを特徴とするものである。
【００１４】さらに、バイアス導体と磁気抵抗感磁部の
接続部から特性測定用の引き出し線が付加されているこ
とを特徴とするものである。また、本発明のバイアス特
性測定方法は、基板上に少なくとも磁気抵抗効果を有す
る磁気抵抗感磁部が信号磁界の方向と略同一方向にセン
ス電流が流れるような向きで形成され、バイアス導体が
上記磁気抵抗感磁部に対して絶縁層を介して略直交して
横切るように延在して形成されてなり、上記バイアス導
体の一端部が上記磁気抵抗感磁部の磁気記録媒体対接面
とは反対側の端部に電気的に接続されている磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドのバイアス特性を測定するに際し、
上記バイアス導体と上記磁気抵抗感磁部の接続部から特
性測定用引き出し線を引き出し、バイアス導体の端部か
ら引き出された引き出し線と、磁気抵抗感磁部の磁気記
録媒体対接面側の端部から引き出された引き出し線と、
前記特性測定用引き出し線を用いることを特徴とするも
のである。
【００１５】さらに、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド上
に、該磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの第２の薄膜磁気
コアと共働して閉磁路を構成する第３の薄膜磁気コアが
積層されるとともに、これら第２の薄膜磁気コアと第３
の薄膜磁気コアの磁気的結合部を取り囲むようにしてヘ
ッド巻線が設けられて磁気誘導型薄膜磁気ヘッドが形成
され、上記バイアス導体と磁気抵抗感磁部の接続部から
の引き出し線をヘッド巻線の電極に電気的に接続し、特
性測定用引き出し線とすることを特徴とするものであ
る。
【００１６】
【作用】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、バイ
アス導体の一端部がＭＲ感磁部の一端部に電気的に接続
されていると、バイアス導体の他の一端部とＭＲ感磁部
の他の一端部を直流電源に接続して電流を供給すること
により、ＭＲ感磁部とバイアス導体の両方に直流電流が
供給される。したがって、ＭＲ感磁部とバイアス導体に
それぞれ電流導入用端子部，電流導出用端子部を形成し
なくともこれら２つの端部を電流導入用端子部，電流導
出用端子部とすれば足り、端子部が削減される。
【００１７】このとき、上記バイアス導体を磁気抵抗感
磁部を横切る部分から離れるのに伴って幅が大となるよ
うな形状とすると、バイアス導体の抵抗値が低減して消
費電力が減少する。さらには磁気抵抗感磁部を横切る部
分から離れるのに伴ってＡＢＳ面からの距離が大となる
ような形状とすると、該バイアス導体が検出トラック以
外で対向するトラックの数が少なくなり、信号磁界の影
響を受け難くなってエラーレートが低減する。
【００１８】なお、バイアス導体の一端部とＭＲ感磁部
一端部が電気的に接続されている磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドのバイアス特性の測定は、バイアス導体とＭＲ
感磁部の接続部に引き出し線を付加してその端部を第３
の端子部とし、ＭＲ感磁部から引き出された第１の端子
部と、バイアス導体から引き出された第２の端子部と、
この第３の端子部を用いて行えば良い。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について図面を
参照しながら説明する。
【００２０】本実施例は、本発明をＭＲヘッドとインダ
クティブヘッドよりなる複合型磁気ヘッドに適用した場
合を例にして説明する。
【００２１】本実施例の複合型磁気ヘッドは、図１及び
図２に示すように、ハードディスクとの対接面となるＡ
ＢＳ面１に再生用磁気ギャップｇ1 を臨ませるＭＲヘッ
ドと、このＡＢＳ面１に記録用磁気ギャップｇ2 を臨ま
せるインダクティブヘッドよりなるヘッド部２をＡｌ2
Ｏ3 −ＴｉＣ基板等からなるスライダ部材３の一側面に
積層した、いわゆる２ギャップタイプの記録再生ヘッド
構成とされている。
【００２２】上記スライダ部材３は、例えばＡｌ2 Ｏ3
−ＴｉＣのような非常に硬いセラミックス材料により形
成されており、ＡＢＳ面１の中央部には、当該スライダ
ーの走行方向に沿った凹部４が空気流入溝として形成さ
れている。
【００２３】上記ＭＲヘッドは、図３に示すように先端
部（以下、ＡＢＳ面１側を先端部，ＡＢＳ面１側とは逆
側を後端部と称する。）に電流を通ずるための先端電極
５が積層されたＭＲ感磁部６と、このＭＲ感磁部６に所
要の向きの磁界状態を与えるバイアス導体７とからな
る。
【００２４】ＭＲ感磁部６は、インダクティブヘッドの
記録用磁気ギャップｇ2 のトラック幅よりも若干幅狭の
長方形パターンとして形成され、その長手方向が上記Ａ
ＢＳ面１に対する直交方向となるように設けられるとと
もに、その一端縁が上記ＡＢＳ面１に臨むようになって
いる。また、上記ＭＲ感磁部６は、例えば図４に示すよ
うに非磁性の絶縁層６ａを介して静磁的に結合する一対
のＭＲ薄膜６ｂ，６ｃを積層した構成とされ、これによ
りセンス電流を流したときに磁区がほぼ単一となりバル
クハウゼンノイズの発生が回避されるようになってい
る。なお、ＭＲ薄膜６ｂ，６ｃは例えばＮｉＦｅ等の強
磁性体薄膜からなり、その膜厚が数十ｎｍ程度とされ、
非磁性の絶縁層６ａはＳｉＯ2 等からなり、その膜厚が
数ｎｍ程度とされる。
【００２５】先端電極５は、図３に示すように例えば平
面形状が略Ｌ字状をなす配線パターンとして形成され、
その一端部が上記ＭＲ感磁部６の先端部に積層されると
ともに、ＭＲ感磁部６上に積層される側の配線パターン
の一側縁部が上記ＡＢＳ面１に露出するようになってい
る。そして、この先端電極５よりバック側に引き出され
た配線パターンの端部が直流電源を接続するための第１
の端子部８とされている。
【００２６】上記バイアス導体７は、平面ループ形状の
配線パターンとして形成され、上記ＭＲ感磁部６上に絶
縁層９を介して所定の距離を隔てて積層されている。ま
た、上記バイアス導体７は、その一端部がＭＲ感磁部６
の後端部に重なり、該一端部から湾曲して上記ＭＲ感磁
部６に再び重なり、この重なり部分において上記ＭＲ感
磁部６に対して略直交する方向、つまりＭＲ感磁部６を
横切る形で設けられている。そして、ＭＲ感磁部６に重
なる一端部がコンタクトホールを介して上記ＭＲ感磁部
６の後端部に電気的に接続されるとともにＭＲ感磁部６
に重ならない他の一端部がバック側に引き出され直流電
源を接続するための第２の端子部１０とされている。つ
まり、ＭＲ感磁部６とバイアス導体７とが電気的に直列
に接続された構成となっている。
【００２７】したがって、上記ＭＲ感磁部６に積層され
る先端電極５の端部，すなわち第１の端子部８と、バイ
アス導体の端部，すなわち第２の端子部１０をそれぞれ
電流導入部，導出部として直流電源を接続して電流を供
給すると、電流は先端電極５を通ってＭＲ感磁部６にセ
ンス電流として供給される。そして、さらに連続的にバ
イアス導体７に供給され、バイアス導体７を通過した電
流は第２の端子部１０より導出される。すなわち、第１
の端子部８と第２の端子部１０の２つの端子部を用いる
ことによりＭＲ感磁部６とバイアス導体７の両方に直流
電流が供給され。
【００２８】ＭＲ感磁部６とバイアス導体７とが電気的
に接続されていない場合、ＭＲ感磁部６，バイアス導体
７に電流を供給するにはＭＲ感磁部６，バイアス導体７
に対して独立して電流導出用端子部，電流導入用端子部
を形成する必要があり、ＭＲヘッド由来の端子部が合計
４つスライダ上に配置されることとなる。これに対し
て、このようにＭＲ感磁部６とバイアス導体７とが電気
的に接続されていると、上述の如く第１の端子部８と第
２の端子部１０の２つの端子部を有していれば事が足
り、スライダ部材３上に配置する端子部の削減がなし得
ることとなる。
【００２９】なお、以上に示した端子部の削減化は、Ｍ
Ｒ感磁部６とバイアス導体７とが電気的に直列に接続さ
れていることにより得られるものである。したがって、
例えば、ＭＲ感磁部６の後端部に後端電極を積層し、こ
の後端電極を介してバイアス導体７とＭＲ感磁部６を直
列接続させるようにしても同様は効果が得られる。ま
た、上記バイアス導体７は、配線距離が短い程抵抗値が
低くなり、消費電力が低減できるので、図５〜図７に示
すようにバイアス磁界に関与するＭＲ感磁部６の横切り
部分のみが幅狭となり、この部分から離れるのに伴って
幅が大となるような形状，さらにはこの横切り部分から
離れるのに従ってＡＢＳ面１からの距離が大となるよう
な形状，例えば図６に示すように円弧を描いてバック側
に延在するような形状とすると幅狭化，配線距離の短縮
化が効果的に達成され、消費電力の低減が望める。しか
も、バイアス導体７においてこのように横切り部分から
離れるのに従ってＡＢＳ面１からの距離が大となるよう
な形状とすると、検出トラック以外で対向するトラック
の数が少なくなるので、信号磁界の影響を受け難くな
り、エラーレートを低減する上でも有利である。なお、
図５〜図７に示す配線パターンはいずれもＭＲ感磁部６
とバイアス導体７が後端電極２８を介して電気的に接続
されたものである。
【００３０】そして、上記ＭＲヘッドにおいては、図２
に示すように上記ＭＲ感磁部６を絶縁層９を介してパー
マロイ等の磁性体からなる第１の薄膜磁気コア１１と第
２の薄膜磁気コア１２とで挟み込んだ、いわゆるシール
ド型構成となっている。シールド型構成をとるのは、こ
の種のＭＲヘッドでは短波長再生を要求されたり、再生
波形がインダクティブヘッドの微分出力波形と同じもの
を信号処理上求められるからである。これら第１の薄膜
磁気コア１１，第２の薄膜磁気コア１２は、上記ＡＢＳ
面１にその一端を臨ませるようにしてこのＡＢＳ面１に
対して略直交する方向に延在して設けられている。
【００３１】なお、このシールドとして機能する第２の
薄膜磁気コア１２とＭＲ感磁部６を電気的に接続し、こ
の第２の薄膜磁気コア１２を先端電極として機能させる
ようにしても良い。これにより、先端電極形成の手間が
省け、製造工程の簡略化が望める。
【００３２】一方、インダクティブヘッドは、図２に示
すように上記第２の薄膜磁気コア１２を閉磁路を構成す
る他方の薄膜磁気コアとし、この第２の薄膜磁気コア１
２に対向して積層される第３の薄膜磁気コア１３とによ
って上記ＡＢＳ面１に臨んでその前方端部間に記録用磁
気ギャップｇ2 を構成するようになっている。すなわ
ち、第２の薄膜磁気コア１２に対向して積層される第３
の薄膜磁気コア１３は、上記ＡＢＳ面１に臨む前方端部
でこの第２の薄膜磁気コア１２側に屈曲され、その間隙
が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャップｇ2 を構
成するようになっている。なお、第３の薄膜磁気コア１
３は後方端部で上記第２の薄膜磁気コア１２と磁気的に
接触してバックギャップを構成するようになっている。
【００３３】そして、上記第３の薄膜磁気コア１３と第
２の薄膜磁気コア１２の接続部である磁気的結合部に
は、この磁気的結合部を取り囲むようにしてスパイラル
状のヘッド巻線１４が設けられている。ヘッド巻線１４
は、第３の薄膜磁気コア１３と第２の薄膜磁気コア１２
の絶縁性を確保するために、絶縁層１５によって埋め込
まれている。また、上記ヘッド巻線１４の巻始めと巻終
わりの端部がこの巻線に供給される交流電源からの記録
電流を通電するために端子部とされスライダ部材３上に
配置されている。したがって、このヘッドでは、図１に
示すようにスライダ部材３に配置される端子部が、先に
示したＭＲヘッドの２つの端子部８，１０とこのインダ
クティブヘッドの２つの端子部１６，１７の合計４つの
端子部８，１０，１６，１７のみであるのでスライダ部
材３上に端子を配置する面積の減少が望めスライダ部材
２の小型化が図れるとともに端子の剛性による浮上姿勢
の劣化が抑えられ低浮上量化が容易に達成されることと
なる。
【００３４】なお、このような複合型磁気ヘッドによっ
て記録を行うには、ヘッド巻線１４の端子部１６，１７
に交流電源から電流を供給する。これにより上記ＡＢＳ
面１に臨む記録用磁気ギャップｇ2 より記録情報に基づ
く磁束が発生し、これにより磁気記録媒体が磁化されて
記録がなされる。
【００３５】一方、再生を行うには、ＭＲ感磁部６の先
端部に積層される先端電極５の第１の端子部８とバイア
ス導体７の第２の端子部１０より直流電源からの電流を
供給する。これによりＭＲ感磁部６にセンス電流が供給
されるとともにバイアス導体７にバイアス磁界が発生す
る。
【００３６】すなわち、図４に示すＭＲ感磁部６を構成
するＭＲ薄膜６ｂ，６ｃは、初期には磁化方向が逆向き
の磁区が交互に並列された磁化状態にある。このＭＲ感
磁部６にセンス電流を通ずると、磁区的に安定し、磁化
方向が一方向に揃って単一磁区になる。このときＭＲ感
磁部６にセンス電流に沿う方向に外部からバイアス磁界
が与えられると、このバイアス磁界によって磁性薄膜の
磁化の向きは図８の矢印で示すように所要の角度だけ回
転される。このような磁化状態のＭＲ感磁部６は、信号
磁界がセンス電流に沿う方向に与えられると信号磁界の
大きさ方向に応じて磁化方向が回転して抵抗変化を生
じ、この抵抗変化を検出することにより信号が再生され
る。なお、図中、矢印Ｍ1 は上側のＭＲ薄膜６ｂの磁化
方向を示し、矢印Ｍ2 は下側のＭＲ薄膜６ｃの磁化方向
を示す。
【００３７】ところで、複合型磁気ヘッドにおいて、Ｍ
Ｒヘッドのウェハー状態（組立前、基板ブロック上にヘ
ッド素子として形成された状態）でのヘッド評価は、一
般にそのバイアス特性を測定することによって行われ
る。すなわち、ヘッド特性は、バイアス導体７に〜０．
９Ｈｚの直流とみなせる低周波の三角波電流と〜７０ｋ
Ｈｚの微小サイン波電流を同時に流し、そのときのＭＲ
感磁部６の電圧変化波形を観測することによって評価さ
れる。
【００３８】ここで、上記に示したバイアス導体７とＭ
Ｒ感磁部６が直列接続された２端子のＭＲヘッドについ
てこのようにしてヘッド評価を行うには、図９に示すよ
うにバイアス導体７とＭＲ感磁部６の接続部に特性測定
用の電極２１を付加してこの電極２１の端部を第２の端
子部２２とし、第１の端子部８，第２の端子部１０及び
この第３の端子部２２を用いてバイアス特性を測定する
と良い。
【００３９】先ず、図１０に示すように先に付加した第
３の端子部２２を接地し、ＭＲ感磁部６の第１の端子部
８に直流電源２５を接続してＭＲ感磁部６にセンス電流
を供給する。一方、バイアス導体７に前記ＭＲ感磁部６
との接続端とは反対側の端部に設けられた第２の端子部
１０には、０．９ｋＨｚ、５０ｍＡ程度の三角波を供給
する交流電源２３と、７０ｋＨｚ、１ｍＡ程度のサイン
波を供給する交流電源２４とを接続し、これら三角波及
びサイン波をバイアス導体７に供給する。ここで、前記
三角波がサイン波に比べて大電流であるため、バイアス
導体７におけるバイアス磁界の大きさは、ほぼ三角波に
よって支配され、これにサイン波による微小なバイアス
磁界が重畳される形になる。
【００４０】このように２種類の交流波をバイアス導体
７に供給すると、前記三角波によりバイアス導体７にお
いて発生するバイアス磁界が図１１中横軸上を大きくゆ
っくりと変動されることになり、同時にサイン波により
ＭＲ感磁部６に微小な磁界の変動が加えられる。このサ
イン波による微小な磁界の変動は、磁気記録媒体からの
入力信号の如く作用し、ＭＲ感磁部６における抵抗値変
化による電圧変化が出力変化として取り出される。
【００４１】そこで、このＭＲ感磁部６からの出力信号
を増幅器２６により増幅し、これをサイン波を供給する
交流電源２４と接続される同期検波器２７によって同期
検波すれば、出力レベルと位相を得ることができ、バイ
アス特性を評価することができる。
【００４２】例えば、図１２に前記バイアス特性の微分
波形を示すが、この微分波形においてヒステリシスやバ
ルクハウゼンジャンブによる不連続点の無いことが良好
なバイアス特性の指標となる。
【００４３】このようにしてヘッド評価を行った後、付
加された引き出し線２１をドライエッチング等により切
り離し、組み立てることにより上記２端子８，１０のＭ
Ｒヘッドを有する複合型ヘッドが完成される。このよう
にして得られる複合型ヘッドは、小型化，低浮上量化が
可能であるとともに均一な特性を有し、高品質なもので
あると言える。
【００４４】なお、以上のようにしてバイアス特性を測
定するに際して、バイアス導体７とＭＲ感磁部６の接続
部より引き出された引き出し線２１をインダクティブヘ
ッドのヘッド巻線の電極に電気的に接続し、このヘッド
巻線の端子部を第３の端子部として用いるようにしても
良い。
【００４５】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、バイアス導体の
一端部がＭＲ感磁部の一端部に電気的に接続されている
ので、端子部を２つに削減することが可能である。した
がって、このような磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドをハ
ードディスク・ドライブ用の再生ヘッドとして適用すれ
ば、ハードディスク・ドライブ用の磁気ヘッドの小型
化，低浮上量化が可能となる。
【００４６】なお、バイアス導体の一端部とＭＲ感磁部
一端部が電気的に接続されている磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドのバイアス特性の測定は、バイアス導体とＭＲ
感磁部の接続部に引き出し線を付加してその端部を第３
の端子部とし、ＭＲ感磁部から引き出された第１の端子
部と、バイアス導体から引き出された第２の端子部と、
この第３の端子部を用いることによって行うことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが適用
された複合型磁気ヘッドの一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す複合型磁気ヘッドの要部概略断面図
である。
【図３】上記複合型磁気ヘッドに搭載された磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドの配線パターンを示す平面図であ
る。
【図４】磁気抵抗効果感磁部の一構成例を示す斜視図で
ある。
【図５】バイアス導体の一形状例を示す平面図である。
【図６】バイアス導体の他の形状例を示す平面図であ
る。
【図７】バイアス導体のさらに他の形状例を示す平面図
である。
【図８】バイアス磁界が印加されたときの磁気抵抗感磁
部の磁化状態を示す模式図である。
【図９】測定用引き出し線が付加された磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドの配線パターンを示す平面図である。
【図１０】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのバイアス特
性測定方法を説明する模式図である。
【図１１】バイアス導体の磁界と磁気抵抗感磁部の電圧
の関係を示す特性図である。
【図１２】バイアス特性の微分波形を示す特性図であ
る。
【図１３】従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを示す
要部概略断面図である。
【図１４】図１３に示す磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の配線パターンを示す平面図である。
【図１５】従来の複合型磁気ヘッドを示す斜視図であ
る。
【符号の説明】 ５・・・先端電極 ６・・・ＭＲ感磁部 ７・・・バイアス導体 ８・・・第１の端子部 １０・・・第２の端子部 １１・・・第１の薄膜磁気コア １２・・・第２の薄膜磁気コア １３・・・第３の薄膜磁気コア １４・・・ヘッド巻線 ２１・・・特性測定用引き出し線 ２２・・・第３の端子部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 守 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 高田 昭夫 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 佐藤 仁 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 芳賀 秀一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に少なくとも磁気抵抗効果を有す
    る磁気抵抗感磁部が信号磁界の方向と略同一方向にセン
    ス電流が流れるような向きで形成され、バイアス導体が
    上記磁気抵抗感磁部に対して絶縁層を介して略直交して
    横切るように延在して形成されてなる磁気抵抗効果型薄
    膜磁気ヘッドにおいて、 上記バイアス導体の一端部が上記磁気抵抗感磁部の磁気
    記録媒体対接面とは反対側の端部に電気的に接続されて
    いることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 磁気抵抗感磁部とバイアス導体が、順次
    積層された第１の薄膜磁気コアと第２の薄膜磁気コアの
    間に絶縁層を介して挟み込まれ、上記磁気抵抗感磁部が
    第２の薄膜磁気コアに電気的に接続されていることを特
    徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
    ド。
  3. 【請求項３】 上記バイアス導体は上記磁気抵抗感磁部
    を横切る部分から離れるのに伴って幅が大となるような
    形状で形成されていることを特徴とする請求項１記載の
    磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 上記バイアス導体は上記磁気抵抗感磁部
    を横切る部分から離れるのに伴って磁気記録媒体対接面
    からの距離が大となるような形状で形成されていること
    を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
    ッド。
  5. 【請求項５】 上記バイアス導体は上記磁気抵抗感磁部
    を横切る部分近傍が円弧を描く形状であることを特徴と
    する請求項３または請求項４記載の磁気抵抗効果型薄膜
    磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 バイアス導体と磁気抵抗感磁部の接続部
    から特性測定用の引き出し線が付加されていることを特
    徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
    ド。
  7. 【請求項７】 基板上に少なくとも磁気抵抗効果を有す
    る磁気抵抗感磁部が信号磁界の方向と略同一方向にセン
    ス電流が流れるような向きで形成され、バイアス導体が
    上記磁気抵抗感磁部に対して絶縁層を介して略直交して
    横切るように延在して形成されてなり、上記バイアス導
    体の一端部が上記磁気抵抗感磁部の磁気記録媒体対接面
    とは反対側の端部に電気的に接続されている磁気抵抗効
    果型薄膜磁気ヘッドのバイアス特性を測定するに際し、 上記バイアス導体と上記磁気抵抗感磁部の接続部から特
    性測定用引き出し線を引き出し、バイアス導体の端部か
    ら引き出された引き出し線と、磁気抵抗感磁部の磁気記
    録媒体対接面側の端部から引き出された引き出し線と、
    前記特性測定用引き出し線を用いることを特徴とするバ
    イアス特性測定方法。
  8. 【請求項８】 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド上に、該
    磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの第２の薄膜磁気コアと
    共働して閉磁路を構成する第３の薄膜磁気コアが積層さ
    れるとともに、これら第２の薄膜磁気コアと第３の薄膜
    磁気コアの磁気的結合部を取り囲むようにしてヘッド巻
    線が設けられて磁気誘導型薄膜磁気ヘッドが形成され、
    上記バイアス導体と磁気抵抗感磁部の接続部からの引き
    出し線をヘッド巻線の電極に電気的に接続し、特性測定
    用引き出し線とすることを特徴とする請求項７記載のバ
    イアス特性測定方法。
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