JPH07311919A - 短絡磁路付き一体ヨーク型磁気抵抗効果式変換器 - Google Patents
短絡磁路付き一体ヨーク型磁気抵抗効果式変換器Info
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- JPH07311919A JPH07311919A JP7066379A JP6637995A JPH07311919A JP H07311919 A JPH07311919 A JP H07311919A JP 7066379 A JP7066379 A JP 7066379A JP 6637995 A JP6637995 A JP 6637995A JP H07311919 A JPH07311919 A JP H07311919A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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- G11B5/332—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using thin films
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- G11B5/37—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect
- G11B5/372—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect in magnetic thin films
- G11B5/374—Integrated structures
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/245—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for controlling the reluctance of the magnetic circuit in a head with single gap, for co-operation with one track
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜ＭＲヘッドにおいて、小型で製造容易で
ノイズが少なく読み取り効率の高い構造のものを提供す
る。 【構成】 読み取り磁路を形成するヨーク中（Ｐ１層ま
たはＰ２層）に、ＭＲセンサ素子（３１）を配置すると
ともに、ＭＲセンサ素子と本質的に同一の面内に一つま
たは複数の断続短絡磁路を配置する。読み取り時には、
ＭＲ駆動導電部材への通電により、それに隣接するヨー
クを磁気的に飽和させて読み取り磁束に対してはヨーク
を断（通りにくい）状態とし、検知磁束がＭＲ素子の内
部を通過するようにする一方、書き込み時には、ＭＲ駆
動導電部材には通電せず、隣接するヨークを磁気的に飽
和させないで読み取り磁束に対してヨークを続（通りや
すい）状態とし、検知磁束がヨークの方を通りＭＲ素子
を通らないようにする。
ノイズが少なく読み取り効率の高い構造のものを提供す
る。 【構成】 読み取り磁路を形成するヨーク中（Ｐ１層ま
たはＰ２層）に、ＭＲセンサ素子（３１）を配置すると
ともに、ＭＲセンサ素子と本質的に同一の面内に一つま
たは複数の断続短絡磁路を配置する。読み取り時には、
ＭＲ駆動導電部材への通電により、それに隣接するヨー
クを磁気的に飽和させて読み取り磁束に対してはヨーク
を断（通りにくい）状態とし、検知磁束がＭＲ素子の内
部を通過するようにする一方、書き込み時には、ＭＲ駆
動導電部材には通電せず、隣接するヨークを磁気的に飽
和させないで読み取り磁束に対してヨークを続（通りや
すい）状態とし、検知磁束がヨークの方を通りＭＲ素子
を通らないようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、読み書き磁気変換器
に関するもので、特に磁気抵抗効果式またはホール効果
式の読み取り素子を採用したその種変換器に関するもの
である。
に関するもので、特に磁気抵抗効果式またはホール効果
式の読み取り素子を採用したその種変換器に関するもの
である。
【０００２】
【関連出願との関係】１９９３年８月１０日出願の一連
番号０８／１０３，６６９で米国特許庁に係属中でこの
出願と同一の譲受人に譲渡された特許出願には、書き込
み中に変換器が磁気抵抗効果式（ＭＲ）またはホール効
果式読み取り素子を跨ぐ短絡迂回路を採用して成る磁気
テープ装置用の変換器が開示されている。
番号０８／１０３，６６９で米国特許庁に係属中でこの
出願と同一の譲受人に譲渡された特許出願には、書き込
み中に変換器が磁気抵抗効果式（ＭＲ）またはホール効
果式読み取り素子を跨ぐ短絡迂回路を採用して成る磁気
テープ装置用の変換器が開示されている。
【０００３】この出願と同一の譲受人に譲渡された米国
特許第５，２５５，１４１号には、ＭＲまたはホール効
果素子などの磁束検知読み取り素子が跨いで短絡迂回さ
れた形でリング型の書き込みヘッドの磁気回路中に置か
れて成る変換器が開示されている。
特許第５，２５５，１４１号には、ＭＲまたはホール効
果素子などの磁束検知読み取り素子が跨いで短絡迂回さ
れた形でリング型の書き込みヘッドの磁気回路中に置か
れて成る変換器が開示されている。
【０００４】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドすなわち変換器は、記録
用と読み取り用に別個の素子を採用してもよい。よく知
られているように、薄膜磁気書き込みヘッドは、第１磁
性層（Ｐ１と命名される）と第２磁性層（Ｐ２と命名さ
れる）を具備している。Ｐ１層とＰ２層は、後端結合部
において接しており、Ｐ１層とＰ２層の間に書き込み変
換ギャップを持った連続した磁路を有する磁気ヨークを
形成している。記録モード、すなわち書き込みモード中
は、記録されるべき信号を表す電気信号が変換器に供給
され、磁気ディスクまたはテープの連係表面上に磁束信
号として記録される。読み取りモード中は、記録されて
いる磁気信号が変換器の読み取り部で検知されて電気信
号を生成し、電気信号は更なる利用のために読み出され
る。
用と読み取り用に別個の素子を採用してもよい。よく知
られているように、薄膜磁気書き込みヘッドは、第１磁
性層（Ｐ１と命名される）と第２磁性層（Ｐ２と命名さ
れる）を具備している。Ｐ１層とＰ２層は、後端結合部
において接しており、Ｐ１層とＰ２層の間に書き込み変
換ギャップを持った連続した磁路を有する磁気ヨークを
形成している。記録モード、すなわち書き込みモード中
は、記録されるべき信号を表す電気信号が変換器に供給
され、磁気ディスクまたはテープの連係表面上に磁束信
号として記録される。読み取りモード中は、記録されて
いる磁気信号が変換器の読み取り部で検知されて電気信
号を生成し、電気信号は更なる利用のために読み出され
る。
【０００５】読み取り機能を実行するために、ＭＲまた
はホール効果デバイスのいずれかが薄膜ヘッドにおける
磁束検知素子として用いられ得ることは、知られてい
る。ＭＲ読み取り変換器を持った従来の記録ヘッドにお
いては、ヘッドの書き込み部分および読み取り部分は、
書き込みおよび読み取りのために的確なトラック追従を
実現すべく、互いに他方と慎重に整列されなければなら
ない。横方向感度領域は、読み取り幅であるが、ＭＲ変
換器の長さにより決定される。この変換器長さは、読み
取るべきデータトラックの幅に近似的に等しくなければ
ならない。トラック幅が小さい場合は、信号振幅に比べ
てバルクハウゼンノイズが比較的高い。というのは、そ
のようなノイズをもたらすドメインウォールがＭＲ変換
器の端部に支配的に位置するからである。
はホール効果デバイスのいずれかが薄膜ヘッドにおける
磁束検知素子として用いられ得ることは、知られてい
る。ＭＲ読み取り変換器を持った従来の記録ヘッドにお
いては、ヘッドの書き込み部分および読み取り部分は、
書き込みおよび読み取りのために的確なトラック追従を
実現すべく、互いに他方と慎重に整列されなければなら
ない。横方向感度領域は、読み取り幅であるが、ＭＲ変
換器の長さにより決定される。この変換器長さは、読み
取るべきデータトラックの幅に近似的に等しくなければ
ならない。トラック幅が小さい場合は、信号振幅に比べ
てバルクハウゼンノイズが比較的高い。というのは、そ
のようなノイズをもたらすドメインウォールがＭＲ変換
器の端部に支配的に位置するからである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来技術のＭＲヘッド
においては、ＭＲ素子およびバイアス素子は、導電体か
または磁性層かのいずれかであるが、二つのシールド素
子の間に形成されるギャップの中に置かれている。ＭＲ
素子をシールドから隔離する絶縁層は、シールド素子と
ＭＲ素子の間に電気的接触を生じさせることになるピン
ホールがないことを保証するために充分厚くなければな
らない。
においては、ＭＲ素子およびバイアス素子は、導電体か
または磁性層かのいずれかであるが、二つのシールド素
子の間に形成されるギャップの中に置かれている。ＭＲ
素子をシールドから隔離する絶縁層は、シールド素子と
ＭＲ素子の間に電気的接触を生じさせることになるピン
ホールがないことを保証するために充分厚くなければな
らない。
【０００７】従来のＭＲヘッドに関連した更なる主要な
問題は、磁気ヘッドが磁気記録媒体の表面から突出した
凹凸と接触した時に生じる熱的ノイズのスパイクの無用
な発生である。
問題は、磁気ヘッドが磁気記録媒体の表面から突出した
凹凸と接触した時に生じる熱的ノイズのスパイクの無用
な発生である。
【０００８】従来のＭＲ読み取りヘッドに関連した他の
問題は、誘導型読み取りヘッドにより発生するのと似た
形を有する、つまり磁気的変化が検知ギャップの中央に
ある時電圧が最大となるような、電圧パルスの発生であ
る。この点を適時に充分な正確性でもって見つけ出すた
めに、パルスを微分してその微分電圧のゼロクロスを検
出する。この微分処理が必要なため、信号対雑音比が相
当に低下する。
問題は、誘導型読み取りヘッドにより発生するのと似た
形を有する、つまり磁気的変化が検知ギャップの中央に
ある時電圧が最大となるような、電圧パルスの発生であ
る。この点を適時に充分な正確性でもって見つけ出すた
めに、パルスを微分してその微分電圧のゼロクロスを検
出する。この微分処理が必要なため、信号対雑音比が相
当に低下する。
【０００９】図７に示すように、前記の先行米国特許第
５，２５５，１４１号には、磁性層Ｐ１およびＰ２を有
し両者の間に変換ギャップを持った磁気ヨークを形成し
た一つの実施例が開示されている。Ｐ１層およびＰ２層
の端部間の接触により後端結合部２０が形成され、連続
した磁路を形成していて、途中の非磁性の変換ギャップ
Ｇのところで切れている。導電性の書き込みコイルすな
わち巻線１０が、Ｐ１層およびＰ２層の間にデポジット
された絶縁材料１２の中に埋設されている。
５，２５５，１４１号には、磁性層Ｐ１およびＰ２を有
し両者の間に変換ギャップを持った磁気ヨークを形成し
た一つの実施例が開示されている。Ｐ１層およびＰ２層
の端部間の接触により後端結合部２０が形成され、連続
した磁路を形成していて、途中の非磁性の変換ギャップ
Ｇのところで切れている。導電性の書き込みコイルすな
わち巻線１０が、Ｐ１層およびＰ２層の間にデポジット
された絶縁材料１２の中に埋設されている。
【００１０】所定の磁化容易軸を有するＭＲセンサ１９
が、Ｐ２層の中央部分のＰ２Ａ部とＰ２Ｂ部の間の内部
空間すなわちウェル内に磁気回路に沿って設けられてい
る。ＭＲセンサ１９は、絶縁材料２１により囲まれてい
る。
が、Ｐ２層の中央部分のＰ２Ａ部とＰ２Ｂ部の間の内部
空間すなわちウェル内に磁気回路に沿って設けられてい
る。ＭＲセンサ１９は、絶縁材料２１により囲まれてい
る。
【００１１】絶縁層２１およびＰ２層の上方にデポジッ
トされた磁性層１４と１６のあいだに、断続制御用導電
体１８が形成されている。層１４および１６は、Ｐ２層
と磁気的に接触しており、それにより書き込み磁気回路
を完成するために連続した磁束通路を形成している。断
続制御用導電体１８は、それらの間および層１４と１６
の間に設けられた絶縁を持った１回以上の銅巻線から成
っている。断続制御用導電体１８および磁性層１４と１
６は、層１４と１６により用意された磁気的短絡路を開
いたり閉じたりし得る磁気的断続器を形成している。
トされた磁性層１４と１６のあいだに、断続制御用導電
体１８が形成されている。層１４および１６は、Ｐ２層
と磁気的に接触しており、それにより書き込み磁気回路
を完成するために連続した磁束通路を形成している。断
続制御用導電体１８は、それらの間および層１４と１６
の間に設けられた絶縁を持った１回以上の銅巻線から成
っている。断続制御用導電体１８および磁性層１４と１
６は、層１４と１６により用意された磁気的短絡路を開
いたり閉じたりし得る磁気的断続器を形成している。
【００１２】書き込みモード中は、変換ギャップＧの全
幅にほぼ等しい幅を有するトラックが記録される。書き
込みモードにおいては、断続制御用導電体１８は通電さ
れないので、記録されるべき情報を表す信号は、ＭＲ素
子１９を跨いで、断続制御用導電体１８を取り囲む磁気
枝路１４と１６を通って導かれる。書き込み信号は、非
磁性ギャップＧで変換され、記録媒体の上に記録され
る。
幅にほぼ等しい幅を有するトラックが記録される。書き
込みモードにおいては、断続制御用導電体１８は通電さ
れないので、記録されるべき情報を表す信号は、ＭＲ素
子１９を跨いで、断続制御用導電体１８を取り囲む磁気
枝路１４と１６を通って導かれる。書き込み信号は、非
磁性ギャップＧで変換され、記録媒体の上に記録され
る。
【００１３】読み出しモード中は、電流が断続制御用導
電体１８に加えられて、層１４と１６を磁気的に飽和さ
せる。記録された媒体からの磁束がＰ１層およびＰ２層
の磁極先端の一つに入ると、読み取り素子１９は、その
磁束がＭＲギャップを横断する際にその磁束を読み出し
信号として検知する。ヘッドの読み取り効率は、ＭＲセ
ンサギャップ長Ｓの断続ギャップ長Ｖに対する比によっ
て決定される。
電体１８に加えられて、層１４と１６を磁気的に飽和さ
せる。記録された媒体からの磁束がＰ１層およびＰ２層
の磁極先端の一つに入ると、読み取り素子１９は、その
磁束がＭＲギャップを横断する際にその磁束を読み出し
信号として検知する。ヘッドの読み取り効率は、ＭＲセ
ンサギャップ長Ｓの断続ギャップ長Ｖに対する比によっ
て決定される。
【００１４】したがって、この発明は、ＭＲヘッドまた
はホール素子ヘッドにおいて、小型にして、ノイズの少
ない、読み取り効率の高いデバイスを提供することを目
的とする。
はホール素子ヘッドにおいて、小型にして、ノイズの少
ない、読み取り効率の高いデバイスを提供することを目
的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記の米国
特許第５，２５５，１４１号に開示されたのと類似のデ
バイスに関するが、断続短絡路（一つまたは複数）が本
質的にＭＲセンサ素子と同一の面内に置かれたもの、す
なわちＰ１層またはＰ２層のいずれかにより形成された
ものに関する。
特許第５，２５５，１４１号に開示されたのと類似のデ
バイスに関するが、断続短絡路（一つまたは複数）が本
質的にＭＲセンサ素子と同一の面内に置かれたもの、す
なわちＰ１層またはＰ２層のいずれかにより形成された
ものに関する。
【００１６】
【実施例】図１のＡの平面図を参照して、この発明の構
造は、その中央部分におけるギャップ内に配置されたＭ
Ｒセンサ素子３１を有するＰ１層３２を含んでいる。こ
の発明の好ましい実施例においては、図１のＡに示すよ
うに、Ｐ１部材３２は、ＭＲセンサ素子３１を含む中央
部分とそれぞれ磁気的断続短絡構造を含むまわりの隔離
部分を有して、対称的な配置形態をしている。この点に
ついては、以下に詳述する。図１のＡの構造は、さらに
ＭＲ素子３１と電気的に接触し読み取り動作中にＭＲ素
子３１に駆動電流（ＭＲ素子に動作用のバイアスを与え
るための電流）を供給する役割をする導電片Ｃ１を含ん
でいる。
造は、その中央部分におけるギャップ内に配置されたＭ
Ｒセンサ素子３１を有するＰ１層３２を含んでいる。こ
の発明の好ましい実施例においては、図１のＡに示すよ
うに、Ｐ１部材３２は、ＭＲセンサ素子３１を含む中央
部分とそれぞれ磁気的断続短絡構造を含むまわりの隔離
部分を有して、対称的な配置形態をしている。この点に
ついては、以下に詳述する。図１のＡの構造は、さらに
ＭＲ素子３１と電気的に接触し読み取り動作中にＭＲ素
子３１に駆動電流（ＭＲ素子に動作用のバイアスを与え
るための電流）を供給する役割をする導電片Ｃ１を含ん
でいる。
【００１７】図１のＢは、図１のＡのＰ１層３２の上に
配置されＰ１層と合わさって部材３２および３６下方端
に書き込み変換ギャップ（図示されていない）を形成す
るＰ２層の平面図である。Ｐ１層およびＰ２層の上方端
は、後端結合部材２０により上端部で閉じられている。
配置されＰ１層と合わさって部材３２および３６下方端
に書き込み変換ギャップ（図示されていない）を形成す
るＰ２層の平面図である。Ｐ１層およびＰ２層の上方端
は、後端結合部材２０により上端部で閉じられている。
【００１８】図２を参照して、Ｐ１層３２は２つのセグ
メントＰ１ＡとＰ１Ｂを有しており、長さＡのギャップ
の中にＭＲセンサ３１が置かれている。図２におけるＭ
Ｒセンサ３１には、軟質の隣接層ＳＡＬ（バイアス付与
層）が被さっていて、さらにその周りを絶縁層Ｉ２が取
り囲んでいる。絶縁層Ｉ３がＰ１ＡとＰ１Ｂのセグメン
ト間のギャップの中に配置されている。絶縁層Ｉ３の片
側は、その一つのエッジにおいて、変換器の書き込みコ
イルを形成し絶縁層Ｉ４に囲まれた複数の離れた導電材
Ｃ２に当接している。
メントＰ１ＡとＰ１Ｂを有しており、長さＡのギャップ
の中にＭＲセンサ３１が置かれている。図２におけるＭ
Ｒセンサ３１には、軟質の隣接層ＳＡＬ（バイアス付与
層）が被さっていて、さらにその周りを絶縁層Ｉ２が取
り囲んでいる。絶縁層Ｉ３がＰ１ＡとＰ１Ｂのセグメン
ト間のギャップの中に配置されている。絶縁層Ｉ３の片
側は、その一つのエッジにおいて、変換器の書き込みコ
イルを形成し絶縁層Ｉ４に囲まれた複数の離れた導電材
Ｃ２に当接している。
【００１９】図３からよく分かるように、ＭＲギャップ
の少なくとも片側に断続短絡磁路がある。好ましくは、
中央部分においてＭＲギャップのそれぞれの側に断続短
絡磁路がある。絶縁層Ｉ１とＩ２の間にＭＲ駆動導電部
材Ｃ１が配置されている。ＭＲ素子に動作用バイアスを
与えるために導電片Ｃ１が通電されている（読み取り
中）と、層Ｐ１ＡおよびＰ１Ｂを長さＢに亘って磁気的
に飽和させるように働く。それにより、層Ｐ１Ａおよび
Ｐ１Ｂのこの部分が読み取り磁束に対して遮断状態（通
りにくい状態）となり、読み取り磁束はＭＲ素子内を通
ることになる。導電片Ｃ１が通電されていない（書き込
み中）と、部材Ｐ１ＡおよびＰ１Ｂは飽和せず、読み取
り磁束に対して連続状態（通りやすい状態）となり、書
き込み磁束は部材Ｐ１ＡおよびＰ１Ｂ内を通り、ＭＲ素
子３１をバイパスする（そこを通らない）。このように
して、ＭＲ駆動導電部材Ｃ１は、短絡路断続制御器とし
ても働く。この点が、この発明の実施例の特徴である。
ＭＲ素子のための駆動電流は、典型的には１０から１５
ｍＡのオーダであり、それで約１０μｍの「断続ギャッ
プ」（図３において長さＢ）を飽和させるのに十分であ
る。なお、この発明の説明において、断と続は、必ずし
も１００％断や１００％続のみを意味するのではなく、
ある程度の通りにくさや通りやすさを含んで意味するも
のと理解されたい。
の少なくとも片側に断続短絡磁路がある。好ましくは、
中央部分においてＭＲギャップのそれぞれの側に断続短
絡磁路がある。絶縁層Ｉ１とＩ２の間にＭＲ駆動導電部
材Ｃ１が配置されている。ＭＲ素子に動作用バイアスを
与えるために導電片Ｃ１が通電されている（読み取り
中）と、層Ｐ１ＡおよびＰ１Ｂを長さＢに亘って磁気的
に飽和させるように働く。それにより、層Ｐ１Ａおよび
Ｐ１Ｂのこの部分が読み取り磁束に対して遮断状態（通
りにくい状態）となり、読み取り磁束はＭＲ素子内を通
ることになる。導電片Ｃ１が通電されていない（書き込
み中）と、部材Ｐ１ＡおよびＰ１Ｂは飽和せず、読み取
り磁束に対して連続状態（通りやすい状態）となり、書
き込み磁束は部材Ｐ１ＡおよびＰ１Ｂ内を通り、ＭＲ素
子３１をバイパスする（そこを通らない）。このように
して、ＭＲ駆動導電部材Ｃ１は、短絡路断続制御器とし
ても働く。この点が、この発明の実施例の特徴である。
ＭＲ素子のための駆動電流は、典型的には１０から１５
ｍＡのオーダであり、それで約１０μｍの「断続ギャッ
プ」（図３において長さＢ）を飽和させるのに十分であ
る。なお、この発明の説明において、断と続は、必ずし
も１００％断や１００％続のみを意味するのではなく、
ある程度の通りにくさや通りやすさを含んで意味するも
のと理解されたい。
【００２０】図４の実際の等角断面図は、Ｐ１Ａ層、Ｐ
１Ｂ層、Ｐ２層、ＭＲセンサ３１、書き込み導電体Ｃ２
および種々の絶縁層を含む変換器アセンブリを示してい
る。図４は、さらに変換素子が載せられる基体３８を示
している。
１Ｂ層、Ｐ２層、ＭＲセンサ３１、書き込み導電体Ｃ２
および種々の絶縁層を含む変換器アセンブリを示してい
る。図４は、さらに変換素子が載せられる基体３８を示
している。
【００２１】同様に、図５の部分等角断面図は、Ｐ１Ａ
層およびＰ１Ｂ層の飽和を制御するための、書き込み導
電体Ｃ２の位置および長さＢの短絡断続部の関係を図解
する。
層およびＰ１Ｂ層の飽和を制御するための、書き込み導
電体Ｃ２の位置および長さＢの短絡断続部の関係を図解
する。
【００２２】本件デバイスの読み取り効率は、比Ｂ／Ａ
（これは４〜５とすることができる）および変換ギャッ
プのリラクタンス対ＭＲギャップのリラクタンスの比Ｒ
g ／ＲMRにより決定される。ＩＥＥＥ Trans. Magnetic
s 第２３巻第２５０３頁（１９８７）「高トラック密度
記録用ヨーク型磁気抵抗効果式ヘッド」において、Ｔ．
Ｍａｒｕｙａｍａ他は、７０ｎｍ厚でヘッド媒体間距離
２５４ｎｍのＣｏＮｉＰ媒体を使用して、Ｒg ／ＲMR≒
１のヨーク型ＭＲヘッド（磁気的断続体なしの）により
トラック幅１μｍ当たり８０μＶｐ−ｐの信号が得られ
たことを報告している。しかしながら、現在の生産技術
では、Ｒg ／ＲMR≒３程度の比を達成することができ
る。
（これは４〜５とすることができる）および変換ギャッ
プのリラクタンス対ＭＲギャップのリラクタンスの比Ｒ
g ／ＲMRにより決定される。ＩＥＥＥ Trans. Magnetic
s 第２３巻第２５０３頁（１９８７）「高トラック密度
記録用ヨーク型磁気抵抗効果式ヘッド」において、Ｔ．
Ｍａｒｕｙａｍａ他は、７０ｎｍ厚でヘッド媒体間距離
２５４ｎｍのＣｏＮｉＰ媒体を使用して、Ｒg ／ＲMR≒
１のヨーク型ＭＲヘッド（磁気的断続体なしの）により
トラック幅１μｍ当たり８０μＶｐ−ｐの信号が得られ
たことを報告している。しかしながら、現在の生産技術
では、Ｒg ／ＲMR≒３程度の比を達成することができ
る。
【００２３】この発明の二つの短絡路において、磁束の
伝播方向は、磁化困難軸に平行ではないが、短絡路は書
き込みにのみ使われるので、そのことは動作に影響しな
い。
伝播方向は、磁化困難軸に平行ではないが、短絡路は書
き込みにのみ使われるので、そのことは動作に影響しな
い。
【００２４】図６は、幅広の書き込み変換ギャップと幅
狭の読み取り変換ギャップを有するこの発明の実施例を
示す。図６の構造は、本質的には、上述のものと類似し
ており、異なるのは、Ｐ１層、Ｐ２層の主構造体から離
れて磁性アウトリガ部材を追加した点である。Ａは、Ｐ
１層の主体部から離れてＰ１構造３２の上に磁性アウト
リガ部材４２Ａ、４２Ｂを追加したものである。同様
に、ＢのＰ２構造は、Ｐ２層の主体部から離れてＰ２構
造３６にアウトリガ部材４３Ａ、４３Ｂを有している。
Ｐ１アウトリガ部材４２Ａ、４２Ｂは、Ｐ２アウトリガ
部材４３Ａ、４３Ｂと共同して、それらの下方端部にお
いて層３２および３６により形成される読み取り変換ギ
ャップのそれぞれの横側に、書き込み変換ギャップＧ１
を形成する。このようにして、幅広の書き込み構造と、
幅狭の読み取り構造を形成する。
狭の読み取り変換ギャップを有するこの発明の実施例を
示す。図６の構造は、本質的には、上述のものと類似し
ており、異なるのは、Ｐ１層、Ｐ２層の主構造体から離
れて磁性アウトリガ部材を追加した点である。Ａは、Ｐ
１層の主体部から離れてＰ１構造３２の上に磁性アウト
リガ部材４２Ａ、４２Ｂを追加したものである。同様
に、ＢのＰ２構造は、Ｐ２層の主体部から離れてＰ２構
造３６にアウトリガ部材４３Ａ、４３Ｂを有している。
Ｐ１アウトリガ部材４２Ａ、４２Ｂは、Ｐ２アウトリガ
部材４３Ａ、４３Ｂと共同して、それらの下方端部にお
いて層３２および３６により形成される読み取り変換ギ
ャップのそれぞれの横側に、書き込み変換ギャップＧ１
を形成する。このようにして、幅広の書き込み構造と、
幅狭の読み取り構造を形成する。
【００２５】
【発明の効果】前記の米国特許第５，２５５，１４１号
に対して、この発明が有する利点は、層の数が３層（Ｐ
が１層、Ｉが１層、Ｃが１層）少なくて済むことであ
る。
に対して、この発明が有する利点は、層の数が３層（Ｐ
が１層、Ｉが１層、Ｃが１層）少なくて済むことであ
る。
【００２６】この発明は、従来の（シールド型）ＭＲ読
み書きヘッドに比べて下記の利点を有する。
み書きヘッドに比べて下記の利点を有する。
【００２７】（１）ＭＲ素子の長さがヨークの幅広分い
っぱいに取れ、そして長いＭＲ素子はバルクハウゼンノ
イズが小さいので、交換層が不要となり、その分１層少
なくなる。
っぱいに取れ、そして長いＭＲ素子はバルクハウゼンノ
イズが小さいので、交換層が不要となり、その分１層少
なくなる。
【００２８】（２）生産工程がさらに簡単化される。従
来のＭＲヘッドでは、ＭＲ読み取り変換器はヘッドの書
き込み部分に対して慎重に整列されなければ成らなかっ
たが、この発明のデバイスでは、その必要がない。
来のＭＲヘッドでは、ＭＲ読み取り変換器はヘッドの書
き込み部分に対して慎重に整列されなければ成らなかっ
たが、この発明のデバイスでは、その必要がない。
【００２９】（３）ギャップ長が従来のＭＲヘッドより
小さくできるので、より高い空間分解能が得られる。
小さくできるので、より高い空間分解能が得られる。
【００３０】（４）媒体表面から突出した凹凸にヘッド
が接触したときに発生する熱的ノイズスパイクがなくな
る。
が接触したときに発生する熱的ノイズスパイクがなくな
る。
【００３１】（５）従来のＭＲ読み取り変換器が誘導型
書き込みヘッドと組み合わされた場合、書き込みギャッ
プと読み取りギャップの間の分離のために生じ得る、ロ
ータリアクチュエータによるアクセスの問題がなくなる （６）信号を微分する必要がなくなる。シンボル間干
渉、隣接トラックピックアップ、媒体欠陥、外部障害の
微分信号のゼロクロスへの影響は、それらの非微分信号
への影響に比べて、約６倍も大きい。
書き込みヘッドと組み合わされた場合、書き込みギャッ
プと読み取りギャップの間の分離のために生じ得る、ロ
ータリアクチュエータによるアクセスの問題がなくなる （６）信号を微分する必要がなくなる。シンボル間干
渉、隣接トラックピックアップ、媒体欠陥、外部障害の
微分信号のゼロクロスへの影響は、それらの非微分信号
への影響に比べて、約６倍も大きい。
【図１】 この発明の一実施例の平面図であり、Ａの部
分はＰ１層およびＭＲセンサを示し、Ｂの部分はＰ２層
を示す。
分はＰ１層およびＭＲセンサを示し、Ｂの部分はＰ２層
を示す。
【図２】 この発明の部分断面図であり、図１の２−２
断面によりＰ１Ａ層、Ｐ１Ｂ層、Ｐ２層およびＭＲセン
サの関係を示す。
断面によりＰ１Ａ層、Ｐ１Ｂ層、Ｐ２層およびＭＲセン
サの関係を示す。
【図３】 この発明の部分断面図であり、図１の３−３
断面を示す。
断面を示す。
【図４】 完成した変換器の図２に対応する断面配置形
態を示す部分等角図である。
態を示す部分等角図である。
【図５】 完成した変換器の図３に対応する別の箇所を
示す部分等角図である。
示す部分等角図である。
【図６】 この発明の別の実施例で幅広の書き込み構造
（Ａ）および幅狭の読み取り構造（Ｂ）を利用したもの
の平面図である。
（Ａ）および幅狭の読み取り構造（Ｂ）を利用したもの
の平面図である。
【図７】 米国特許第５，２５５，１４１号の従来技術
デバイスの一実施例の垂直断面図である。
デバイスの一実施例の垂直断面図である。
１０…書き込みコイル、１２…絶縁材料、１４…磁性
層、１６…磁性層、１８…断続制御用導電体、１９…Ｍ
Ｒ素子、２０…後端結合部、３１…ＭＲセンサ素子、３
２…Ｐ１層、３６…Ｐ２層、３８…基体、４２Ａ…磁性
アウトリガ、４２Ｂ…磁性アウトリガ、４３Ａ…磁性ア
ウトリガ、４３Ｂ…磁性アウトリガ、Ｃ１…ＭＲ駆動導
電部材、Ｃ２…書き込みコイル、Ｉ２…絶縁層、Ｉ３…
絶縁層、Ｉ４…絶縁層、ＳＡＬ…軟質隣接層、Ｇ…非磁
性変換ギャップ、Ｇ１…書き込み変換ギャップ
層、１６…磁性層、１８…断続制御用導電体、１９…Ｍ
Ｒ素子、２０…後端結合部、３１…ＭＲセンサ素子、３
２…Ｐ１層、３６…Ｐ２層、３８…基体、４２Ａ…磁性
アウトリガ、４２Ｂ…磁性アウトリガ、４３Ａ…磁性ア
ウトリガ、４３Ｂ…磁性アウトリガ、Ｃ１…ＭＲ駆動導
電部材、Ｃ２…書き込みコイル、Ｉ２…絶縁層、Ｉ３…
絶縁層、Ｉ４…絶縁層、ＳＡＬ…軟質隣接層、Ｇ…非磁
性変換ギャップ、Ｇ１…書き込み変換ギャップ
Claims (13)
- 【請求項１】 薄膜読み書き磁気ヘッドであって、 変換ギャップを有する磁気回路を形成する第１および第
２の隣接した平板磁性層と、 該磁性層の一つの面内に配置された磁束検知手段と、 該磁束検知手段に隣接し接触して配置され、該磁性層の
該一つの該面内に配置された磁気的に断状態および続状
態を呈し得る磁気的断続部材手段と、 該磁束検知手段に電気的に接続されかつ該磁気的断続部
材手段に磁気的に結合され、該磁気的断続部材手段を磁
気的に断続制御するために通電時に該磁気的断続部材手
段に磁界を加える導電手段とを備えて成るもの。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気ヘッドであって、 該磁束検知手段が磁気抵抗効果式検知部材であるもの。
- 【請求項３】 請求項１に記載の磁気ヘッドであって、 該磁束検知手段がホール効果部材であるもの。
- 【請求項４】 請求項１に記載の磁気ヘッドであって、 該磁気的断続部材手段が一対の磁気的断続部材をを含ん
で成るもの。 - 【請求項５】 磁気媒体に情報を記録し磁気媒体から記
録された情報を読み取るための薄膜磁気ヘッドであっ
て、 変換ギャップを有する磁気回路を形成する第１および第
２の隣接した磁性平板層と、 該磁性層の一つの面内に配置された磁束検知手段と、 該磁束検知手段の各側に隣接し各側上に配置され、該磁
束検知手段に接触して配置され、該磁性層の該一つの該
面内に配置された磁気的断続部材と、 該磁束検知手段に電気的に接続されかつ該磁気的断続部
材に磁気的に結合され、該磁気的断続部材を磁気的に制
御するために読み取り動作中通電時に該磁気的断続部材
に磁界を加える導電手段とを備えて成るもの。 - 【請求項６】 請求項１に記載の磁気ヘッドであって、 該磁性層の該一つがその内部に分離箇所を有し、該磁束
検知手段が該分離箇所内に配置されているもの。 - 【請求項７】 請求項５に記載の磁気ヘッドであって、 該磁性層の該一つが中央部分および該中央部分の各側に
配置された分離外方部分を有し、該外方部分の各々がそ
の内部に磁気的断続部材を有するもの。 - 【請求項８】 請求項７に記載の磁気ヘッドであって、 該磁束検知手段が磁気抵抗効果部材であるもの。
- 【請求項９】 請求項７に記載の磁気ヘッドであって、 該磁束検知手段がホール効果部材であるもの。
- 【請求項１０】 請求項７に記載の磁気ヘッドであっ
て、 該外方部分の各側に配置された一対の分離磁性部材およ
び他の磁性層の中央部分の各側に配置された他の一対の
分離磁性部材を含んで成り、 一つの層の該分離磁性部材が他の層の該分離磁性部材と
ともに、記録中には読み取り中よりも広い実効磁路を提
供する変換ギャップを形成するもの。 - 【請求項１１】 請求項１に記載の磁気ヘッドであっ
て、 該磁束検知手段をして記録信号を読み取り可能とさせる
ために該導電手段に該磁気的断続部材手段を磁気的に飽
和させる電流を加える手段を含んで成るもの。 - 【請求項１２】 請求項１に記載の磁気ヘッドであっ
て、 書き込み中に電気信号を伝えるために該第１および第２
の磁性層の間に配置された電気的コイルを含んで成るも
の。 - 【請求項１３】 請求項２に記載の磁気ヘッドであっ
て、 該導電手段が該磁気抵抗効果式検知部材に駆動用のバイ
アスを与える手段をかねているもの。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/220,486 US5436779A (en) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | Integrated yoke magnetoresistive transducer with magnetic shunt |
| US08/220,486 | 1994-03-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07311919A true JPH07311919A (ja) | 1995-11-28 |
Family
ID=22823739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7066379A Pending JPH07311919A (ja) | 1994-03-31 | 1995-03-24 | 短絡磁路付き一体ヨーク型磁気抵抗効果式変換器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5436779A (ja) |
| EP (1) | EP0675486A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07311919A (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6320725B1 (en) * | 1989-11-27 | 2001-11-20 | Censtor Corporation | Hard disk drive having ring head with predominantly perpendicular media fields |
| FR2723242B1 (fr) * | 1994-07-26 | 1996-08-30 | Thomson Csf | Tete magnetique a element saturable et dispositif matriciel comportant un ensemble de tetes magnetiques |
| EP0780833A3 (en) * | 1995-12-20 | 1999-01-07 | Ampex Corporation | Improved magnetic recording system having a saturable layer and detection using MR element |
| US5742457A (en) * | 1996-01-17 | 1998-04-21 | International Business Machines Corporation | Horizontal shared-pole magnetic read/write head having polarization conductor disabling write pole |
| US5717552A (en) * | 1996-09-10 | 1998-02-10 | Ampex Corporation | Magnetic core with field confinement structure |
| FR2761477B1 (fr) * | 1997-04-01 | 1999-04-23 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de champ magnetique a magnetoresistance |
| DE69725123D1 (de) * | 1997-07-04 | 2003-10-30 | St Microelectronics Srl | Ein elektromagnetischer Kopf mit magnetoresistiven Mitteln verbunden mit einem Magnetkern |
| US6282056B1 (en) | 1999-04-08 | 2001-08-28 | Read-Rite Corporation | Tapered stitch pole writer for high density magnetic recording |
| US6430010B1 (en) * | 1999-05-03 | 2002-08-06 | Seagate Technology, Llc. | Disc drive reader with reduced off-track pickup |
| US6667848B1 (en) | 2000-01-10 | 2003-12-23 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording head with means for suppressing noise from soft magnetic underlayer of recording media |
| US6574072B1 (en) | 2000-01-12 | 2003-06-03 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording head with radial magnetic field generator which reduces noise from soft magnetic underlayer of recording disk |
| US6717770B1 (en) | 2000-03-24 | 2004-04-06 | Seagate Technology Llc | Recording head for applying a magnetic field perpendicular to the magnetizations within magnetic storage media |
| US6671128B2 (en) | 2001-03-29 | 2003-12-30 | Seagate Technology Llc | Recording head with oppositely directed microstrip waveguide conductors to induce a magnetic write field for longitudinal or perpendicular magnetic recording |
| US6721129B2 (en) | 2001-07-27 | 2004-04-13 | International Business Machines Corporation | Low frequency attenuator in a magnetic write head |
| US6930862B2 (en) * | 2002-01-07 | 2005-08-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Shielded extraordinary magnetoresistance head |
| US8144425B2 (en) * | 2003-12-15 | 2012-03-27 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording head with compact yoke |
| US8688118B2 (en) | 2009-08-28 | 2014-04-01 | Blackberry Limited | Access procedure for call re-establishment |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51126115A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Thin film magnetic head |
| US4300177A (en) * | 1975-07-17 | 1981-11-10 | U.S. Philips Corporation | Thin-film magnetic head for reading and writing information |
| JPS57127913A (en) * | 1981-01-29 | 1982-08-09 | Fujitsu Ltd | Magnetic head |
| JPS5998319A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-06 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
| US4819107A (en) * | 1984-08-29 | 1989-04-04 | Irwin Magnetic Systems, Inc. | Magnetic transducer head structure |
| US4843507A (en) * | 1986-12-03 | 1989-06-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Magnetic head with laminated structure |
| US5111352A (en) * | 1987-07-29 | 1992-05-05 | Digital Equipment Corporation | Three-pole magnetic head with reduced flux leakage |
| US5225141A (en) * | 1988-07-11 | 1993-07-06 | Milad Limited Partnership | Process for injection molding a hollow plastic article |
| US5097372A (en) * | 1989-08-04 | 1992-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head with wide recording area and narrow reproducing area |
| JP2563597B2 (ja) * | 1989-08-04 | 1996-12-11 | 松下電器産業株式会社 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
| JPH0383213A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| NL8902569A (nl) * | 1989-10-17 | 1991-05-16 | Philips Nv | Dunnefilm magneetkop. |
| US5255141A (en) * | 1991-12-16 | 1993-10-19 | Read-Rite Corp. | Read-write magnetic head with flux sensing read element |
| EP0638893A3 (en) * | 1993-08-10 | 1996-05-15 | Read Rite Corp | Magnetic head with flow detector element for recording / reproducing on a tape. |
-
1994
- 1994-03-31 US US08/220,486 patent/US5436779A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-03-24 JP JP7066379A patent/JPH07311919A/ja active Pending
- 1995-03-30 EP EP95104748A patent/EP0675486A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0675486A3 (en) | 1997-02-26 |
| US5436779A (en) | 1995-07-25 |
| EP0675486A2 (en) | 1995-10-04 |
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