JPS5998319A - 磁気ヘツド - Google Patents
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- JPS5998319A JPS5998319A JP20878982A JP20878982A JPS5998319A JP S5998319 A JPS5998319 A JP S5998319A JP 20878982 A JP20878982 A JP 20878982A JP 20878982 A JP20878982 A JP 20878982A JP S5998319 A JPS5998319 A JP S5998319A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/245—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for controlling the reluctance of the magnetic circuit in a head with single gap, for co-operation with one track
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気ヘッド、特に薄藤型構成をとった記録・
再生磁気ヘッドに係わり、その記録−はインダクテイブ
型の態様をとり、再生は磁気抵抗効・果（以下Ｍ几と略
称する）型の態様をとるようにした磁気ヘッドに係わる
。
再生磁気ヘッドに係わり、その記録−はインダクテイブ
型の態様をとり、再生は磁気抵抗効・果（以下Ｍ几と略
称する）型の態様をとるようにした磁気ヘッドに係わる
。
背景技術とその四題点
’ｆｉｌ ＭＥ型磁気ヘッドは、大別してインダクティ
ブ型磁気ヘッドと、ＭＲ型磁気ヘッドとがある。
ブ型磁気ヘッドと、ＭＲ型磁気ヘッドとがある。
インダクテイブ型磁気ヘッドは、磁気媒体との相対速度
が高い場合には、再生磁気ヘッドとじて使用不能である
ので、このインダクテイブ磁気ヘッドは、主として記録
用磁気ヘッドとして用いられる。
が高い場合には、再生磁気ヘッドとじて使用不能である
ので、このインダクテイブ磁気ヘッドは、主として記録
用磁気ヘッドとして用いられる。
一方、ＭＲ型磁気ヘッドは、これによって記録を行うこ
とはできないが、その出力は、磁気媒体との相対速度に
依存しないので再生磁気ヘッドとして、特に磁気媒体と
の相対速度が低い場合に使用されて有利なものである。
とはできないが、その出力は、磁気媒体との相対速度に
依存しないので再生磁気ヘッドとして、特に磁気媒体と
の相対速度が低い場合に使用されて有利なものである。
上述したように、各薄膜型磁気ヘッドの夫々の特性上、
特に磁気媒体との相対速度が低い場合には、記録用磁気
ヘッドとしてのインダクテイブ型の磁気ヘッドと、再生
用磁気ヘッドとしてのＭＲ型磁気ヘッドを２つ設ける必
要が生じ、全体の磁気ヘッドの占有面積が大となり、ま
た両磁気ヘッドの磁気媒体に対する相互の位置合せの精
度に問題が生じてくる゛。
特に磁気媒体との相対速度が低い場合には、記録用磁気
ヘッドとしてのインダクテイブ型の磁気ヘッドと、再生
用磁気ヘッドとしてのＭＲ型磁気ヘッドを２つ設ける必
要が生じ、全体の磁気ヘッドの占有面積が大となり、ま
た両磁気ヘッドの磁気媒体に対する相互の位置合せの精
度に問題が生じてくる゛。
因みに、従来のＭＲ型磁気ヘッド、特にそのＭＲ素子が
磁気媒体との対接面より後退した位置に配置されるよ′
うにしたいわゆるリア型磁気ヘッドの例は、例えば第１
図にその要部の拡大路線的平面−を示し、第２図にその
Ａ−Ａ線上の拡大路線的１；ノ［面Ｎを示すように、例
えば絶縁性の磁性基体（１）上に、Ｍ、Ｒ素子に対して
ｔ＠誘ｓ等によってバイアス磁界を与えるためのバイア
ス磁界発生手段としての１し流通路となる帯状導電膜（
２）が被着され、これの上に絶縁層（３）を介して薄膜
ＭＬ（、素子（４）が被着形成され、更にこれの上に絶
縁層（５）を介して、対の磁性層（６）及び（力が、素
子（４）上を横切る方向に且つ素子（４）上において所
要の間隔Ｇを保持して対向保持され、一方の磁性層（６
）の外端部が、絶縁層（３）及び（５）の少なくともい
ずれか一方を介して基体（１）と対向することによって
磁気ギャップｇが形成されるようになされ、他方の磁性
層（７）の外端が絶縁層（３）及び（５）にＶ設された
窓を通じて基体（１）に連接するようになされる。そし
て、これら導電層（２）、Ｍ几素子（４）、磁性層（６
）及び（力を惧つ′Ｃ非磁性保睡層（８）が被ばされ、
これの上に接着剤層（９）によって保設基体ＱＯ）が接
着されるようになされる。そして両基体（１）及び００
）に渡ってＩｉ磁気記録媒体の対接面（１１）が形成さ
れ、この対接面（１１）に磁気ギャップｇが臨むように
なされ、この磁気ギャップｇ及びＭＲ素子（４）を含む
磁路、すなわち磁性基体（１）−磁気ギャップｇ−１融
性層（６）−ＭＲ素子（４）−磁性＃ （７）−磁性基
体（１）の磁路が形成される。
磁気媒体との対接面より後退した位置に配置されるよ′
うにしたいわゆるリア型磁気ヘッドの例は、例えば第１
図にその要部の拡大路線的平面−を示し、第２図にその
Ａ−Ａ線上の拡大路線的１；ノ［面Ｎを示すように、例
えば絶縁性の磁性基体（１）上に、Ｍ、Ｒ素子に対して
ｔ＠誘ｓ等によってバイアス磁界を与えるためのバイア
ス磁界発生手段としての１し流通路となる帯状導電膜（
２）が被着され、これの上に絶縁層（３）を介して薄膜
ＭＬ（、素子（４）が被着形成され、更にこれの上に絶
縁層（５）を介して、対の磁性層（６）及び（力が、素
子（４）上を横切る方向に且つ素子（４）上において所
要の間隔Ｇを保持して対向保持され、一方の磁性層（６
）の外端部が、絶縁層（３）及び（５）の少なくともい
ずれか一方を介して基体（１）と対向することによって
磁気ギャップｇが形成されるようになされ、他方の磁性
層（７）の外端が絶縁層（３）及び（５）にＶ設された
窓を通じて基体（１）に連接するようになされる。そし
て、これら導電層（２）、Ｍ几素子（４）、磁性層（６
）及び（力を惧つ′Ｃ非磁性保睡層（８）が被ばされ、
これの上に接着剤層（９）によって保設基体ＱＯ）が接
着されるようになされる。そして両基体（１）及び００
）に渡ってＩｉ磁気記録媒体の対接面（１１）が形成さ
れ、この対接面（１１）に磁気ギャップｇが臨むように
なされ、この磁気ギャップｇ及びＭＲ素子（４）を含む
磁路、すなわち磁性基体（１）−磁気ギャップｇ−１融
性層（６）−ＭＲ素子（４）−磁性＃ （７）−磁性基
体（１）の磁路が形成される。
このような構成において、″導電層（２）にノくイアス
磁界発生用の電流ＩＢを通じてＭＬＬ素子（４）に所要
のバイアス磁界を与え、ＭＲ素子（４）に電流Ｉを流す
とき、その磁気ギャップｇに対接ないしは対向する磁気
記録媒体よりのこれに記録された記録磁化による信号磁
界がＭＲ素子（４）に与えられることによる抵抗変化に
よる電気的信号、すなわち出力信号がＭＥＬ素子（４）
の両端から得られるようになされている。
磁界発生用の電流ＩＢを通じてＭＬＬ素子（４）に所要
のバイアス磁界を与え、ＭＲ素子（４）に電流Ｉを流す
とき、その磁気ギャップｇに対接ないしは対向する磁気
記録媒体よりのこれに記録された記録磁化による信号磁
界がＭＲ素子（４）に与えられることによる抵抗変化に
よる電気的信号、すなわち出力信号がＭＥＬ素子（４）
の両端から得られるようになされている。
発明の目的
本発明の目的は、記録用磁気ヘッドとしてのインダクテ
イブ型薄膜磁気ヘッドと、再生用磁気ヘッドとしてのＭ
ＩＩＬ型磁気ヘッドとを一体に構成して両磁気ヘッドの
位置合せの問題を解消すると共に製造の簡易化と、占有
面積の縮小化をはかることにある。
イブ型薄膜磁気ヘッドと、再生用磁気ヘッドとしてのＭ
ＩＩＬ型磁気ヘッドとを一体に構成して両磁気ヘッドの
位置合せの問題を解消すると共に製造の簡易化と、占有
面積の縮小化をはかることにある。
発明の１１先昭
本発明においては、イ１糧気ギャップを有する１４に磁
ＩＩ！ｒｉを構成する磁気コアと１交して第１の第１体
と、９１１Ｋ Ｍ比素子とを設けると共に、このＭ、
Ｒ素子に近接して上述の磁気コア中に第２の導体を埋設
する。
ＩＩ！ｒｉを構成する磁気コアと１交して第１の第１体
と、９１１Ｋ Ｍ比素子とを設けると共に、このＭ、
Ｒ素子に近接して上述の磁気コア中に第２の導体を埋設
する。
このようにして記鈎ソに際しては、第２の導体には電流
をｉｔＲしないで、第１の導体をヘッド線輪導体として
これに記録信号電流と、成る場合はバイアス電流とを通
電してインダクティプ型記録ヘッドとしての機能を持た
しめ、再生に対しては、第２の導体に、これの周辺のコ
ア、すなわち、この第２の導体を埋込んだＴＸＩＳ分の
コアを飽和させて、その透磁塞を低下させる程度の通電
をなし、一方＼この状態で第１の導体に、ＭＲ素子に与
えるバイアス磁界を発生させるための通電をなしてへ４
１モ型の再生用ヘッドとしての機能を持たしめる。
をｉｔＲしないで、第１の導体をヘッド線輪導体として
これに記録信号電流と、成る場合はバイアス電流とを通
電してインダクティプ型記録ヘッドとしての機能を持た
しめ、再生に対しては、第２の導体に、これの周辺のコ
ア、すなわち、この第２の導体を埋込んだＴＸＩＳ分の
コアを飽和させて、その透磁塞を低下させる程度の通電
をなし、一方＼この状態で第１の導体に、ＭＲ素子に与
えるバイアス磁界を発生させるための通電をなしてへ４
１モ型の再生用ヘッドとしての機能を持たしめる。
実施例
本発明の一例を第３図ないし第５図を参照して説明する
。第３図は本発明による磁気ヘッドの要部の拡大路線的
平面図を示し、第４図はそのＡ−Ａ線上の拡大路線的平
面図を示す。
。第３図は本発明による磁気ヘッドの要部の拡大路線的
平面図を示し、第４図はそのＡ−Ａ線上の拡大路線的平
面図を示す。
第５図は、更にその要部の拡大断面図を示す。本発明に
おいては例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライトより成る訃Ｉ縁
性の磁性基体（２υ上に、Ｍ刊素子に対して’Ｆｓ＋：
’ＪＣ，Ｆ誘心等によってバイアス磁界を与えるため
のバイアス極光発生手段とルての電流１通路となり、且
つ記（へ）ζヘッド線輪となる第１の導体ｔ＆２Ｊｓ％
）状Ａｕシ″；（１鴇、（（愼を被層形成する。そして
、これの土に８ ｉ、Ｎ ４、Ａ右Ｏ８等の細＾１？ｉ
暢）を介して例えばＮｉ−Ｆｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃ
ｏ系合金薄膜寺より成る量比素子１７！４１な被層形成
し、更にこれの上に８ｉ０．等より成る絶縁Ｍ （２５
１を介して、Ｎｉ−セ゛ｅ系合金等より成る対の磁性層
（２６）を、素子（４）上を稙切って連硯した帯状にＪ
構成し、その一端部が、絶縁層Ｇ！Ｊ及びＧ！ωの少な
くともいずれか一方を介して基体ｅυと対向することに
よって磁気ギャップｇが形成されるようになし、他端が
絶縁層（ハ）及びＣる）に穿設された窓を辿じて基体（
２１）に連接するようになす。そして、これら導電層Ｃ
替、Ｍ几素子困）、磁性層Ｑ旬を肴って非磁性保護１１
１ （、’８）を被覆し、これの上に接着剤層（２）に
よつて保菌基体Ｃ２０１を接着する。そして両基体（２
１）及びり１りに７１史ってす＆夕・Ｌ記ｔ１−媒体と
の対接向Ｏυを形成し１この対接ｉ１＋ｉ Ｇ１１）に
（６気ギャップｇが臨むようになし、この磁気ギャップ
ｇを含んで、磁性基体（２１）−磁気ギャップｇ−（、
壷性層四−磁性基体（２Ｄの閉＃絡を形成するイｌ）１
気コアを構成する。
おいては例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライトより成る訃Ｉ縁
性の磁性基体（２υ上に、Ｍ刊素子に対して’Ｆｓ＋：
’ＪＣ，Ｆ誘心等によってバイアス磁界を与えるため
のバイアス極光発生手段とルての電流１通路となり、且
つ記（へ）ζヘッド線輪となる第１の導体ｔ＆２Ｊｓ％
）状Ａｕシ″；（１鴇、（（愼を被層形成する。そして
、これの土に８ ｉ、Ｎ ４、Ａ右Ｏ８等の細＾１？ｉ
暢）を介して例えばＮｉ−Ｆｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃ
ｏ系合金薄膜寺より成る量比素子１７！４１な被層形成
し、更にこれの上に８ｉ０．等より成る絶縁Ｍ （２５
１を介して、Ｎｉ−セ゛ｅ系合金等より成る対の磁性層
（２６）を、素子（４）上を稙切って連硯した帯状にＪ
構成し、その一端部が、絶縁層Ｇ！Ｊ及びＧ！ωの少な
くともいずれか一方を介して基体ｅυと対向することに
よって磁気ギャップｇが形成されるようになし、他端が
絶縁層（ハ）及びＣる）に穿設された窓を辿じて基体（
２１）に連接するようになす。そして、これら導電層Ｃ
替、Ｍ几素子困）、磁性層Ｑ旬を肴って非磁性保護１１
１ （、’８）を被覆し、これの上に接着剤層（２）に
よつて保菌基体Ｃ２０１を接着する。そして両基体（２
１）及びり１りに７１史ってす＆夕・Ｌ記ｔ１−媒体と
の対接向Ｏυを形成し１この対接ｉ１＋ｉ Ｇ１１）に
（６気ギャップｇが臨むようになし、この磁気ギャップ
ｇを含んで、磁性基体（２１）−磁気ギャップｇ−（、
壷性層四−磁性基体（２Ｄの閉＃絡を形成するイｌ）１
気コアを構成する。
そして、この閉磁路を構成する磁気コアの特にＭＲ素子
（４）上を４【１切る６’Ｒ気コア部、すなわちｉ’ｆ
ｆ ｔ！：層シ（））中にＡｕル；■より成る第、２の
帯状導体（２７１を磁性Ｒつ（２６）の延長方向を横切
って延長させて埋込む。
（４）上を４【１切る６’Ｒ気コア部、すなわちｉ’ｆ
ｆ ｔ！：層シ（））中にＡｕル；■より成る第、２の
帯状導体（２７１を磁性Ｒつ（２６）の延長方向を横切
って延長させて埋込む。
この第２の導体（２／）とうｌ″ｊ屯性合金ハクより成
る磁性層い）とは’ｆ：Ｌ気的に絶縁層Ｃ１２１を介し
て絶縁する。これがため、例えば第５図に示すように磁
性層（２６）の形成を、下層の磁性層（２６Ａ）と上Ｊ
・層の磁性層（加Ｂ）との２回に渡って形成し、下層の
磁性層（２６Ａ）を形成して後に、これの上の導体（７
！Ｉ）を形成すべき部分に絶縁層−を形成し、これの上
に例えばＡｕ層を蒸着或いはスパッタリングしてそのパ
ターン化することによって第２の導体（２７）を形成し
、更にこれを覆って絶縁層（３鴎を形成し、その後これ
の上に上層の磁性＃（２６Ｂ）の形成を行う。
る磁性層い）とは’ｆ：Ｌ気的に絶縁層Ｃ１２１を介し
て絶縁する。これがため、例えば第５図に示すように磁
性層（２６）の形成を、下層の磁性層（２６Ａ）と上Ｊ
・層の磁性層（加Ｂ）との２回に渡って形成し、下層の
磁性層（２６Ａ）を形成して後に、これの上の導体（７
！Ｉ）を形成すべき部分に絶縁層−を形成し、これの上
に例えばＡｕ層を蒸着或いはスパッタリングしてそのパ
ターン化することによって第２の導体（２７）を形成し
、更にこれを覆って絶縁層（３鴎を形成し、その後これ
の上に上層の磁性＃（２６Ｂ）の形成を行う。
ココニ、各導体＠、 （２７１、＆ 性ｍ （ａ、絶縁
Ｊ？１ｊ（２３１゜（７！５＋ 、 ０２１、ＭＲ１素
子シ旬シリ夫々のパターンは、各材料の蒸着、スパッタ
リング等による全面曲名材料層の被着とその後の夫々あ
化学的−ツチングによるいわゆる湿式エツチング、或い
はイオンエツチング等の乾式エツチングによるパターン
化によって形成し得る。
Ｊ？１ｊ（２３１゜（７！５＋ 、 ０２１、ＭＲ１素
子シ旬シリ夫々のパターンは、各材料の蒸着、スパッタ
リング等による全面曲名材料層の被着とその後の夫々あ
化学的−ツチングによるいわゆる湿式エツチング、或い
はイオンエツチング等の乾式エツチングによるパターン
化によって形成し得る。
゛このような構成による磁気ヘッドによって、記録を行
うには、第２の導体（２１には電流を通じないで第１の
導体（２２１にヘッド巻線としての電流を通ずる。この
ようにすると、上述した閉磁路、すなわち基体（、’ｌ
）−磁気ギャップｇ−磁性層（至）−基体ｅυの磁路に
磁束が発生し、これによって磁気ギャップｇを通じてこ
れに対接する磁気媒体（図示せず）に磁気記録がなされ
る・。すなわちインダクテイプ型の記録磁気ヘッドが６
１成されることになる。一方この磁気媒体上の記録を再
生ｆるには、第１の導体Ｃ２４に、ＭＲ素子（４）に所
要のバイアス磁界を与える通電をなし、一方、第２の導
体（２りに通電をなす。
うには、第２の導体（２１には電流を通じないで第１の
導体（２２１にヘッド巻線としての電流を通ずる。この
ようにすると、上述した閉磁路、すなわち基体（、’ｌ
）−磁気ギャップｇ−磁性層（至）−基体ｅυの磁路に
磁束が発生し、これによって磁気ギャップｇを通じてこ
れに対接する磁気媒体（図示せず）に磁気記録がなされ
る・。すなわちインダクテイプ型の記録磁気ヘッドが６
１成されることになる。一方この磁気媒体上の記録を再
生ｆるには、第１の導体Ｃ２４に、ＭＲ素子（４）に所
要のバイアス磁界を与える通電をなし、一方、第２の導
体（２りに通電をなす。
この場合、この第２の入）体（２３）への通電によって
第１にループ状に磁束φを発生せしめるが、このとき、
第２の導体１２ｄｌへの通電板を、特に、磁性層シリの
この導体ω、３）を囲む部分に飽和磁化状態を与えてこ
こにおける実効的ＭＦｌ率μを低減化させるような磁束
φを与える一流一厳とする。このようにしてこの部分σ
透（７４８ａμの低下によって、この部分に実質的に第
２図で説明したような磁気的間Ｂｒ＊ Ｇが発生するよ
うにする。すなわち、この実効的間隔Ｇの存在によって
、第２図で説明したような、間隔ＧにおいてＭＲ素子（
ハ）が介介し、このＭＲ素子を通ずる閑磁ｇｉ、’＋
、ずなわち基体Ｑυ−磁気ギャップｇ−磁性層シら）の
ｎＩＪ端部Ｍ几素子０２４）−磁性層ｃ１６１の後端部
−基体（２１）の閉磁路が形成され、磁気ギャップｇよ
りの磁気媒体上の記録磁化に応じた磁界の変化をＭＲ素
子（２勺の抵抗変化による出力として読み出すことがで
きる。すなわち、再生に当ってはＭＲ型磁気ヘッドとし
て碕能せしめ得るものである。
第１にループ状に磁束φを発生せしめるが、このとき、
第２の導体１２ｄｌへの通電板を、特に、磁性層シリの
この導体ω、３）を囲む部分に飽和磁化状態を与えてこ
こにおける実効的ＭＦｌ率μを低減化させるような磁束
φを与える一流一厳とする。このようにしてこの部分σ
透（７４８ａμの低下によって、この部分に実質的に第
２図で説明したような磁気的間Ｂｒ＊ Ｇが発生するよ
うにする。すなわち、この実効的間隔Ｇの存在によって
、第２図で説明したような、間隔ＧにおいてＭＲ素子（
ハ）が介介し、このＭＲ素子を通ずる閑磁ｇｉ、’＋
、ずなわち基体Ｑυ−磁気ギャップｇ−磁性層シら）の
ｎＩＪ端部Ｍ几素子０２４）−磁性層ｃ１６１の後端部
−基体（２１）の閉磁路が形成され、磁気ギャップｇよ
りの磁気媒体上の記録磁化に応じた磁界の変化をＭＲ素
子（２勺の抵抗変化による出力として読み出すことがで
きる。すなわち、再生に当ってはＭＲ型磁気ヘッドとし
て碕能せしめ得るものである。
発明の効果
本発明は上述したように共通の’ｙ’ｔｌ Ｗ４ｚにお
いて記録時には、インダクテイブ型の記Ｎ２Ｍ気ヘッド
として動作させ、再生時にはＭＲ型磁気ヘッドとして動
作ぎせるようにしたので、両型の磁気ヘッドにおける冒
頭に述べたそれぞれの特徴を相生かし／ た特性の良い高感度の記録再生ヘッドを構成できる。ま
た、薄膜構成を採ったことと相俟って両磁気ヘッドが１
つのヘッドとして構成されたことによって、その構造、
＆１！造工程が簡略化され、量産性にすぐれ、更に小型
化がはかられることによって多チャンネル磁気ヘッドに
適用してその利益は４明めて細者となる。
いて記録時には、インダクテイブ型の記Ｎ２Ｍ気ヘッド
として動作させ、再生時にはＭＲ型磁気ヘッドとして動
作ぎせるようにしたので、両型の磁気ヘッドにおける冒
頭に述べたそれぞれの特徴を相生かし／ た特性の良い高感度の記録再生ヘッドを構成できる。ま
た、薄膜構成を採ったことと相俟って両磁気ヘッドが１
つのヘッドとして構成されたことによって、その構造、
＆１！造工程が簡略化され、量産性にすぐれ、更に小型
化がはかられることによって多チャンネル磁気ヘッドに
適用してその利益は４明めて細者となる。
ｊ尚・本発明を多チャンネル磁気ヘッドに適用する場合
は、第３図〜第５図に示した第１．第２の導体（２１）
、 （２７）、Ｍ几素子（２４）等より成る磁気ヘッ
ド素子を共通の基体（イ）及び０９間に各チャンネルに
Ｉｆｆ シて夫々設けるように配列形成すれは良い。
は、第３図〜第５図に示した第１．第２の導体（２１）
、 （２７）、Ｍ几素子（２４）等より成る磁気ヘッ
ド素子を共通の基体（イ）及び０９間に各チャンネルに
Ｉｆｆ シて夫々設けるように配列形成すれは良い。
第１しＪ及び第２図は本発明の説明に供するＭＲ型表＆
気ヘッドの路線的拡大平面図及びそのＡ−Ａ線上の拡大
１（）「聞図、第３図は本発明による（蝕気ヘッドの一
例の路線的拡大平面図、第４図はその八−へ綜上の拡大
１１自ｎ＋図、第５図は更にその要部の拡大断面図であ
る。 ＣＤは（１べ性基体、（２りは第１の導体、ｔＸ−Ｕは
Ｍａｔ素子、（２１ｉｔはイ峰性層、（２１１、は第２
の導体である。 第３図 第４図 ｚ ２３ 第５図
気ヘッドの路線的拡大平面図及びそのＡ−Ａ線上の拡大
１（）「聞図、第３図は本発明による（蝕気ヘッドの一
例の路線的拡大平面図、第４図はその八−へ綜上の拡大
１１自ｎ＋図、第５図は更にその要部の拡大断面図であ
る。 ＣＤは（１べ性基体、（２りは第１の導体、ｔＸ−Ｕは
Ｍａｔ素子、（２１ｉｔはイ峰性層、（２１１、は第２
の導体である。 第３図 第４図 ｚ ２３ 第５図
Claims (1)
- 磁気ギャップを有する閉磁路を構成する磁気コアと陶交
して第１のう１１体と磁気抵抗効果素子とを設けると共
に、該磁気抵抗効果素子に近接して上記磁気コア中に第
２の導体を埋設して成る磁気ヘラ ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20878982A JPS5998319A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20878982A JPS5998319A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5998319A true JPS5998319A (ja) | 1984-06-06 |
Family
ID=16562132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20878982A Pending JPS5998319A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5998319A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148116A (ja) * | 1984-08-11 | 1986-03-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH01122009A (ja) * | 1987-07-29 | 1989-05-15 | Digital Equip Corp <Dec> | ３極の磁気記録ヘッド |
| EP0411915A2 (en) * | 1989-08-04 | 1991-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
| EP0521563A2 (en) * | 1991-07-05 | 1993-01-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin-film magnetic head |
| EP0521564A2 (en) * | 1991-07-05 | 1993-01-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin-film magnetic head |
| EP0549876A1 (en) * | 1991-12-16 | 1993-07-07 | Read-Rite Corporation | Read-write magnetic head with flux sensing read element |
| EP0675486A2 (en) * | 1994-03-31 | 1995-10-04 | Read-Rite Corporation | Integrated yoke magnetoresistive transducer with magnetic shunt |
-
1982
- 1982-11-29 JP JP20878982A patent/JPS5998319A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148116A (ja) * | 1984-08-11 | 1986-03-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH0630130B2 (ja) * | 1984-08-11 | 1994-04-20 | 富士通株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH01122009A (ja) * | 1987-07-29 | 1989-05-15 | Digital Equip Corp <Dec> | ３極の磁気記録ヘッド |
| US5311387A (en) * | 1987-07-29 | 1994-05-10 | Digital Equipment Corporation | Three-pole magnetic recording head with high readback resolution |
| EP0411915A2 (en) * | 1989-08-04 | 1991-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
| EP0521563A2 (en) * | 1991-07-05 | 1993-01-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin-film magnetic head |
| EP0521564A2 (en) * | 1991-07-05 | 1993-01-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin-film magnetic head |
| EP0549876A1 (en) * | 1991-12-16 | 1993-07-07 | Read-Rite Corporation | Read-write magnetic head with flux sensing read element |
| EP0675486A2 (en) * | 1994-03-31 | 1995-10-04 | Read-Rite Corporation | Integrated yoke magnetoresistive transducer with magnetic shunt |
| EP0675486A3 (en) * | 1994-03-31 | 1997-02-26 | Read Rite Corp | Magnetoresistive transducer with integrated yoke and magnetic shunt. |
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